KR940022799A - 디엠디(dmd)를 절단한 후의 웨이퍼 처리방법 - Google Patents

디엠디(dmd)를 절단한 후의 웨이퍼 처리방법 Download PDF

Info

Publication number
KR940022799A
KR940022799A KR1019940003938A KR19940003938A KR940022799A KR 940022799 A KR940022799 A KR 940022799A KR 1019940003938 A KR1019940003938 A KR 1019940003938A KR 19940003938 A KR19940003938 A KR 19940003938A KR 940022799 A KR940022799 A KR 940022799A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
adhesive
wafer
thin film
tape
Prior art date
Application number
KR1019940003938A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100302974B1 (ko
Inventor
씨. 스미스 그레고리
Original Assignee
윌리엄 이. 힐러
텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윌리엄 이. 힐러, 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 filed Critical 윌리엄 이. 힐러
Publication of KR940022799A publication Critical patent/KR940022799A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100302974B1 publication Critical patent/KR100302974B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G02B26/0841Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1052Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
    • Y10T156/1082Partial cutting bonded sandwich [e.g., grooving or incising]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)

Abstract

본 발명은 모든 제조단계를 완료하기 전에 웨이퍼가 절단되도록 하는 파편 불허용 디바이스(30)을 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 DMD와 같은 마이크로 기계 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다. 몇몇 디바이스들은 디바이스의 제조후에 세정동작이 수행되기에는 너무 약하다. 이러한 문제점을 해결하기 위한 해결방법은 디바이스가 약하게 되는 제조단계를 완료하기 전에 웨이퍼를 절단하고, 세정하는 것이다. 칩(30)을 개별적으로 프로세스하지 않게 하기 위해 기판 웨이퍼 (28)은 다이싱 테이프(24)의 배면에 부착된다. 이 기판 웨이퍼는 절단된 칩(30)을 보유하여 웨이퍼 형태로 정렬시켜 잔여 제조단계가 수행되게 한다.

Description

디엠디(DMD)를 절단한 후의 웨이퍼 처리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 칩의 제거를 용이하게 하기 위해 자외선으로 조사되는 다이싱 테이프의 부분 단면도.

Claims (15)

  1. 파편 불허용 디바이스를 제조하기 위한 방법에 있어서, 1개 이상의 상기 디바이스를 포함하는 웨이퍼에 기판을 부착하는 단계, 및 상기 웨이퍼를 절단 또는 파괴함으로써 상기 디바이스를 분리하는 단계를 포함하고, 상기 기판이 상기 분리 프로세스중 및 상기 분리 프로세스후에 상기 디바이스를 정렬시켜 견고하게 보유하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판이 각 측면상에 접착제를 갖는 테이프에 의해 상기 웨이퍼에 부착되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판이 상기 기판을 가열하고, 상기 테이프의 배면쪽으로 상기 기판을 가압함으로써, 전면에 접착제를 갖는 테이프의 배면에 부착되고, 상기 웨이퍼가 상기 테이프의 전면에 부착되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 부착단계가 테이프의 배면에 상기 기판을 부착하기 위해 접착제를 사용하는 단계를 더 포함하고, 상기 테이프가 전면에 접착제를 갖고 있고, 상기 웨이퍼가 상기 테이프의 전면에 부착되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 부착단계가 상기 웨이퍼의 배면에 상기 기판을 부착하기 위해 접착제를 사용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 파편 불허용 디바이스를 제조하기 위한 방법에 있어서, 1개 이상의 상기 디바이스를 포함하는 웨이퍼에 박막을 부착하는 단계, 상기 웨이퍼를 절단 또는 파괴함으로써 디바이스를 분리하는 단계, 및 상기 디바이스를 정렬시켜 견고하게 보유하는 기판을 상기 박막에 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 박막이 양면에 접착제를 갖는 테이프인 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 박막이 전면에 접착제를 갖는 테이프이고, 기판이 상기 기판을 가열하고, 상기 박막의 배면쪽으로 상기 기판을 가압함으로써 상기 박막의 배면에 부착되며, 상기 웨이퍼가 상기 박막의 전면에 부착되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 박막이 전면에 접착제를 갖는 테이프이고, 상기 기판이 접착제를 사용하여 상기 박막의 배면에 부착되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 기판이 실리콘인 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 기판이 석영인 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 기판이 금속인 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 기판이 디바이스로의 억세스할 수 있도록 제조된 구멍을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제1항 또는 제6항에 있어서, 접착제가 상기 기판을 부착하는데 사용되고, 상기 박막으로부터 상기 접착제의 접착력을 감소시키기 위해 상기 접착제를 광선에 노출시키는 단계를 더 포함함으로써 상기 박막으로부터 상기 기판을 용이하게 제거할 수 있게 하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 다이싱 테이프의 배면에 기판을 접착하는 방법에 있어서, 상기 기판을 가열하는 단계, 및 상기 다이싱 테이프의 배면쪽으로 가열된 기판을 가압하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940003938A 1993-03-03 1994-03-02 디엠디들(dmds)을 쏘잉한 후 웨이퍼처럼 처리하는 방법 KR100302974B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US2553393A 1993-03-03 1993-03-03
US8/025,533 1993-03-03
US08/025,533 1993-03-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940022799A true KR940022799A (ko) 1994-10-21
KR100302974B1 KR100302974B1 (ko) 2001-11-30

Family

ID=21826636

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940003938A KR100302974B1 (ko) 1993-03-03 1994-03-02 디엠디들(dmds)을 쏘잉한 후 웨이퍼처럼 처리하는 방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5622900A (ko)
EP (1) EP0614102B1 (ko)
JP (1) JP3568980B2 (ko)
KR (1) KR100302974B1 (ko)
CN (1) CN1054437C (ko)
CA (1) CA2115947A1 (ko)
DE (1) DE69415059T2 (ko)
TW (1) TW246738B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100479893B1 (ko) * 1995-12-02 2005-06-27 린텍 가부시키가이샤 다이싱테이프를조사하는조사장치및그조사방법

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6541852B2 (en) 1994-07-07 2003-04-01 Tessera, Inc. Framed sheets
US6228685B1 (en) 1994-07-07 2001-05-08 Tessera, Inc. Framed sheet processing
US5976955A (en) * 1995-01-04 1999-11-02 Micron Technology, Inc. Packaging for bare dice employing EMR-sensitive adhesives
US6225191B1 (en) * 1996-04-12 2001-05-01 Lucent Technologies Inc. Process for the manufacture of optical integrated circuits
US5832585A (en) * 1996-08-13 1998-11-10 National Semiconductor Corporation Method of separating micro-devices formed on a substrate
KR100267155B1 (ko) 1996-09-13 2000-10-16 아끼구사 나오유끼 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 장치
TW480636B (en) 1996-12-04 2002-03-21 Seiko Epson Corp Electronic component and semiconductor device, method for manufacturing and mounting thereof, and circuit board and electronic equipment
CN1881553A (zh) * 1996-12-04 2006-12-20 精工爱普生株式会社 电子部件和半导体装置、其制造方法和装配方法、电路基板与电子设备
TW571373B (en) 1996-12-04 2004-01-11 Seiko Epson Corp Semiconductor device, circuit substrate, and electronic machine
US6182546B1 (en) 1997-03-04 2001-02-06 Tessera, Inc. Apparatus and methods for separating microelectronic packages from a common substrate
US5923995A (en) * 1997-04-18 1999-07-13 National Semiconductor Corporation Methods and apparatuses for singulation of microelectromechanical systems
US5972781A (en) * 1997-09-30 1999-10-26 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing semiconductor chips
US6217972B1 (en) * 1997-10-17 2001-04-17 Tessera, Inc. Enhancements in framed sheet processing
US5899730A (en) * 1997-11-14 1999-05-04 Lucent Technologies Inc. Method of handling semiconductor wafers, bars and chips
US6140151A (en) * 1998-05-22 2000-10-31 Micron Technology, Inc. Semiconductor wafer processing method
US6543512B1 (en) * 1998-10-28 2003-04-08 Micron Technology, Inc. Carrier, method and system for handling semiconductor components
TW420845B (en) * 1999-08-11 2001-02-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Die sawing and grinding process
AU7881400A (en) * 1999-08-24 2001-03-19 Knowles Electronics, Llc. Assembly process for delicate silicon structures
US6425971B1 (en) * 2000-05-10 2002-07-30 Silverbrook Research Pty Ltd Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using UV curable tapes
WO2002074686A2 (en) * 2000-12-05 2002-09-26 Analog Devices, Inc. A method and device for protecting micro electromechanical systems structures during dicing of a wafer
US20020076905A1 (en) * 2000-12-15 2002-06-20 Yuan-Fu Lin Method of eliminating silicon residual from wafer after dicing saw process
US6420206B1 (en) * 2001-01-30 2002-07-16 Axsun Technologies, Inc. Optical membrane singulation process utilizing backside and frontside protective coating during die saw
US20020114507A1 (en) * 2001-02-21 2002-08-22 Mark Lynch Saw alignment technique for array device singulation
US6982184B2 (en) * 2001-05-02 2006-01-03 Silverbrook Research Pty Ltd Method of fabricating MEMS devices on a silicon wafer
US6589809B1 (en) * 2001-07-16 2003-07-08 Micron Technology, Inc. Method for attaching semiconductor components to a substrate using local UV curing of dicing tape
KR20030060488A (ko) * 2002-01-09 2003-07-16 삼성전자주식회사 웨이퍼 레벨로 제작되는 소자의 분리방법
JP4565804B2 (ja) * 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
US7534498B2 (en) * 2002-06-03 2009-05-19 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and apparatus for manufacturing ultrathin substrate using the laminate body
EP1662970A2 (en) * 2003-09-17 2006-06-07 Becton, Dickinson and Company System and method for creating linear and non-linear trenches in silicon and other crystalline materials with a router
JP2005150235A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Three M Innovative Properties Co 半導体表面保護シート及び方法
US7465368B2 (en) * 2003-12-24 2008-12-16 Intel Corporation Die molding for flip chip molded matrix array package using UV curable tape
NL1030004C2 (nl) * 2005-09-21 2007-03-22 Fico Singulation B V Inrichting en werkwijze voor het separeren van elektronische componenten.
US7851334B2 (en) * 2007-07-20 2010-12-14 Infineon Technologies Ag Apparatus and method for producing semiconductor modules
JP2010062269A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Three M Innovative Properties Co ウェーハ積層体の製造方法、ウェーハ積層体製造装置、ウェーハ積層体、支持層剥離方法、及びウェーハの製造方法
WO2010045754A1 (en) * 2008-10-23 2010-04-29 Freescale Semiconductor Inc. Method for singulating electronic components from a substrate
FI125817B (fi) * 2009-01-27 2016-02-29 Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy Parannettu sähköisesti säädettävä Fabry-Perot-interferometri, välituote, elektrodijärjestely ja menetelmä sähköisesti säädettävän Fabry-Perot-interferometrin tuottamiseksi
FI124072B (fi) * 2009-05-29 2014-03-14 Valtion Teknillinen Mikromekaaninen säädettävä Fabry-Perot -interferometri, välituote ja menetelmä niiden valmistamiseksi
DE102010016781A1 (de) 2010-05-04 2011-11-10 Cicor Management AG Verfahren zur Herstellung einer flexiblen Schaltungsanordnung
DE102014111744B4 (de) 2014-08-18 2022-01-05 Infineon Technologies Ag Baugruppe zum handhaben eines halbleiterchips und verfahren zum handhaben eines halbleiterchips

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1271128A (en) * 1969-11-01 1972-04-19 Teledyne Inc Method and apparatus for sorting semi-conductor devices
JPS5578544A (en) * 1978-12-08 1980-06-13 Nec Corp Pelletization of semiconductor wafer
JPS56148838A (en) * 1980-04-22 1981-11-18 Citizen Watch Co Ltd Mounting method for ic
US5061049A (en) * 1984-08-31 1991-10-29 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
JPS6249231A (ja) * 1985-08-29 1987-03-03 Toyoda Mach Works Ltd 圧力センサの製造方法
JPS6269635A (ja) * 1985-09-24 1987-03-30 Toshiba Corp 半導体ウエ−ハの支持治具
JP2578774B2 (ja) * 1986-09-02 1997-02-05 日本板硝子株式会社 レンズ付きモジュ−ルの製造方法
JPS6394656A (ja) * 1986-10-09 1988-04-25 Toshiba Corp 半導体素子の処理方法
FI893874A (fi) * 1989-08-17 1991-02-18 Vaisala Oy Kontaktfoersedd givare med skiktstruktur samt foerfarande foer utfoerande av kontakteringen.
JPH03228350A (ja) * 1990-02-02 1991-10-09 Nec Corp 半導体ウェハーの切削方法
JPH0627411B2 (ja) * 1990-09-19 1994-04-13 理研軽金属工業株式会社 エキスパンションジョイント
JPH05291398A (ja) * 1992-04-08 1993-11-05 Sony Corp 素子基板及び液晶表示装置の製造方法
US5386142A (en) * 1993-05-07 1995-01-31 Kulite Semiconductor Products, Inc. Semiconductor structures having environmentally isolated elements and method for making the same
US5459081A (en) * 1993-12-21 1995-10-17 Nec Corporation Process for transferring a device to a substrate by viewing a registration pattern

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100479893B1 (ko) * 1995-12-02 2005-06-27 린텍 가부시키가이샤 다이싱테이프를조사하는조사장치및그조사방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPH076983A (ja) 1995-01-10
CN1101458A (zh) 1995-04-12
DE69415059D1 (de) 1999-01-21
JP3568980B2 (ja) 2004-09-22
CN1054437C (zh) 2000-07-12
EP0614102A2 (en) 1994-09-07
KR100302974B1 (ko) 2001-11-30
EP0614102A3 (en) 1994-11-30
US5622900A (en) 1997-04-22
EP0614102B1 (en) 1998-12-09
DE69415059T2 (de) 1999-05-20
TW246738B (ko) 1995-05-01
CA2115947A1 (en) 1994-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940022799A (ko) 디엠디(dmd)를 절단한 후의 웨이퍼 처리방법
WO2002084739A1 (en) Thin film-device manufacturing method, and semiconductor device
MY120043A (en) Method of die bonding electronic component and die bonding apparatus therefor
JP2006316078A5 (ko)
KR970030225A (ko) 자외선 테이프를 사용하여 웨이퍼의 후면을 연마하는 반도체 소장 제조방법
JP2001144037A (ja) 半導体装置の製造方法及び製造装置
JPH04356942A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JPH095982A (ja) マスク保護装置の剥離方法
JPS56107563A (en) Dividing method for semiconductor wafer
JPH04249343A (ja) 基板分断方法
JPH03239346A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH05206267A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH02127004A (ja) 半導体チップの製造方法
JPH03166750A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2683811B2 (ja) マスキングテープ及びこれを使用した半導体素子の製造方法
JP4127729B2 (ja) ダイシング方法
JP2000223444A (ja) 半導体製造方法
JPH0621219A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH05114643A (ja) 半導体ウエハのウエハシート保持方法
JPH03185852A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0574931A (ja) 集積回路用配線基板の製造方法
JPH0350754A (ja) 半導体チップの分離方法
JP2001267342A (ja) 半導体装置の製造方法
KR100284018B1 (ko) 반도체웨이퍼공정
JPH08107098A (ja) 半導体ウエハに付着した異物の除去方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060630

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee