JP2683811B2 - マスキングテープ及びこれを使用した半導体素子の製造方法 - Google Patents
マスキングテープ及びこれを使用した半導体素子の製造方法Info
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- JP2683811B2 JP2683811B2 JP19346488A JP19346488A JP2683811B2 JP 2683811 B2 JP2683811 B2 JP 2683811B2 JP 19346488 A JP19346488 A JP 19346488A JP 19346488 A JP19346488 A JP 19346488A JP 2683811 B2 JP2683811 B2 JP 2683811B2
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- resin material
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、半導体素子の製造に適したマスキングテ
ープと、そのマスキングテープを使用した半導体素子の
製造方法に関する。
ープと、そのマスキングテープを使用した半導体素子の
製造方法に関する。
[従来の技術] ダイオードを例にして従来の半導体素子の製造方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
個々のダイオードチップをシリコンウエハから分割し
て得る方法として従来から種々の方法があるが、その一
つの方法として、ここでは第3図に示すようにマスキン
グテープを使用した分割方法について説明する。
て得る方法として従来から種々の方法があるが、その一
つの方法として、ここでは第3図に示すようにマスキン
グテープを使用した分割方法について説明する。
マスキングテープ1は、同図(a)に示すようにフィ
ルム2上に選択的に残存した感光性樹脂材3を有し、こ
の感光性樹脂材3上に離型紙4を貼付けた3層構造を備
えている。このマスキングテープ1は、同図(b)に示
すように離型紙4を剥した後、あらかじめ台板5に貼付
けてあるシリコンウエハ6に感光性樹脂材3の面を下側
にして貼付ける。
ルム2上に選択的に残存した感光性樹脂材3を有し、こ
の感光性樹脂材3上に離型紙4を貼付けた3層構造を備
えている。このマスキングテープ1は、同図(b)に示
すように離型紙4を剥した後、あらかじめ台板5に貼付
けてあるシリコンウエハ6に感光性樹脂材3の面を下側
にして貼付ける。
次に、同図(c)に示すように、上側のフィルム2を
剥すことによりシリコンウエハ6上には選択的に感光性
樹脂材3が残存する。
剥すことによりシリコンウエハ6上には選択的に感光性
樹脂材3が残存する。
次に、同図(d)に示すように残存する感光性樹脂材
3の上方からシリコンウエハ6に対して研磨材7を吹付
け、いわゆるサンド・ブラスト・カット法により感光性
樹脂材3の付着していない部分のシリコンウエハ6を除
去して個々に分割する。その後、マスキング材としての
感光性樹脂材3と、シリコンウエハ6を貼付けている台
板5との接着材を溶剤で溶かして個々のダイオードチッ
プを得る。
3の上方からシリコンウエハ6に対して研磨材7を吹付
け、いわゆるサンド・ブラスト・カット法により感光性
樹脂材3の付着していない部分のシリコンウエハ6を除
去して個々に分割する。その後、マスキング材としての
感光性樹脂材3と、シリコンウエハ6を貼付けている台
板5との接着材を溶剤で溶かして個々のダイオードチッ
プを得る。
ところで、上記のような方法で分割したダイオードチ
ップ8のうち、ロットによっては、第4図に示すように
上面の肩の部分には環状欠損部9が形成されるものがあ
る。このようなダイオードチップ8を良品として使用す
ると、上面の面積が小さくなったり、その後の工程での
エッチング処理で不都合が生じる。
ップ8のうち、ロットによっては、第4図に示すように
上面の肩の部分には環状欠損部9が形成されるものがあ
る。このようなダイオードチップ8を良品として使用す
ると、上面の面積が小さくなったり、その後の工程での
エッチング処理で不都合が生じる。
上記のような環状欠損部9の生じる原因は種々研究の
結果、以下のようなものであることが判明した。
結果、以下のようなものであることが判明した。
すなわち、第5図に示すようにシリコンウエハ6の表
面にマスキング材である感光性樹脂材3を転写したとき
に、その感光性樹脂材3自体の下面の肩部が削れ、いわ
ゆる肩だれ3aの発生していると、サンド・ブラスト・カ
ットを実施した場合、それらの肩だれ3aの部分にも研磨
材が廻り込むために、シリコンウエハ6にも環状欠損部
9が形成されてしまうことである。
面にマスキング材である感光性樹脂材3を転写したとき
に、その感光性樹脂材3自体の下面の肩部が削れ、いわ
ゆる肩だれ3aの発生していると、サンド・ブラスト・カ
ットを実施した場合、それらの肩だれ3aの部分にも研磨
材が廻り込むために、シリコンウエハ6にも環状欠損部
9が形成されてしまうことである。
上記のマスキングテープの肩だれ3aの形成過程を第6
図の基づいてさらに詳細に説明する。
図の基づいてさらに詳細に説明する。
先ず、同図(a)に示すように、厚さ25〜30μmの透
明フィルム20の上に感光性樹脂材21を約150μmの厚さ
で塗布する。
明フィルム20の上に感光性樹脂材21を約150μmの厚さ
で塗布する。
次に、ガラスなどのマスク22を前記フィルム20の下方
に位置させて紫外線ランプ23等の光源から紫外線を照射
し、前記の感光性樹脂材21に光学反応部21aと未反応部2
1bを生成し、同図(b)に示すようにフォトリソ技術に
より必要部分のみの分割された感光性樹脂材24を残存さ
せる。
に位置させて紫外線ランプ23等の光源から紫外線を照射
し、前記の感光性樹脂材21に光学反応部21aと未反応部2
1bを生成し、同図(b)に示すようにフォトリソ技術に
より必要部分のみの分割された感光性樹脂材24を残存さ
せる。
この時の現像処理時に、分割された感光性樹脂材24の
上方肩部に肩だれ24aが発生する。
上方肩部に肩だれ24aが発生する。
従来では、この肩だれ24aがある側に離型紙25を貼付
けて3層構造のマスキングテープを得ている。
けて3層構造のマスキングテープを得ている。
この従来のマスキングテープを使用する場合、離型紙
25を剥し、肩だれ24a側を下にして前記のシリコンウエ
ハ6に貼付けてけ研磨材を吹付けるため、前記の肩だれ
24aの部分にも吹付けられた研磨材が廻り込み、その部
分が削られて分割されたダイオードチップに第4図及び
第5図に示したような環状欠損部9が形成されてしまっ
ていた。
25を剥し、肩だれ24a側を下にして前記のシリコンウエ
ハ6に貼付けてけ研磨材を吹付けるため、前記の肩だれ
24aの部分にも吹付けられた研磨材が廻り込み、その部
分が削られて分割されたダイオードチップに第4図及び
第5図に示したような環状欠損部9が形成されてしまっ
ていた。
[発明が解決しようとする課題] 上記のように従来のマスキングテープでは、残存する
感光性樹脂材に肩だれがあり、しかも肩だれのある方の
離型紙25を剥してサンド・ブラス・カットを実施してい
るので、ダイオードチップ等の分割された半導体チップ
に環状欠損部を生じさせてしまうという課題があった。
感光性樹脂材に肩だれがあり、しかも肩だれのある方の
離型紙25を剥してサンド・ブラス・カットを実施してい
るので、ダイオードチップ等の分割された半導体チップ
に環状欠損部を生じさせてしまうという課題があった。
[発明の目的] この発明は、上記のような課題を解決するためになさ
れたもので、感光性樹脂材に肩だれがあっても使用上影
響のないマスキングテープを得ること及びこのマスキン
グテープを使用して分割された半導体チップに環状欠損
部が生じない半導体素子の製造方法を提供することを目
的とする。
れたもので、感光性樹脂材に肩だれがあっても使用上影
響のないマスキングテープを得ること及びこのマスキン
グテープを使用して分割された半導体チップに環状欠損
部が生じない半導体素子の製造方法を提供することを目
的とする。
[課題を解決するための手段] この発明に係るマスキングテープ及びこれを使用した
半導体素子の製造方法は、マスキング材である中間層の
感光性樹脂材と、これに接着するフィルムとの粘着力よ
りも感光性樹脂材と、これに接着するトレーシングペー
パー等からなるシート材との粘着力の方が大きくなるよ
うにしたマスキングテープ及びこのマスキングテープの
フィルム側を剥してシリコンウエハ上に貼付け、サンド
・ブラスト・カツト法で個々の半導体チップに分割する
ようにしたものである。
半導体素子の製造方法は、マスキング材である中間層の
感光性樹脂材と、これに接着するフィルムとの粘着力よ
りも感光性樹脂材と、これに接着するトレーシングペー
パー等からなるシート材との粘着力の方が大きくなるよ
うにしたマスキングテープ及びこのマスキングテープの
フィルム側を剥してシリコンウエハ上に貼付け、サンド
・ブラスト・カツト法で個々の半導体チップに分割する
ようにしたものである。
[作用] 中間層の感光性樹脂材に対するフィルムとシート材と
の粘着力の相違により、フィルム側がシート材よりも剥
がれ易くなり、フィルム側をシリコンウエハ上に貼付け
ることで、感光性樹脂材に必然的に形成される肩だれの
影響をサンド・ブラスト・カット時に受けないようにな
る結果、分割された個々の半導体チップに環状欠損部が
形成されない。
の粘着力の相違により、フィルム側がシート材よりも剥
がれ易くなり、フィルム側をシリコンウエハ上に貼付け
ることで、感光性樹脂材に必然的に形成される肩だれの
影響をサンド・ブラスト・カット時に受けないようにな
る結果、分割された個々の半導体チップに環状欠損部が
形成されない。
[実施例] 以下に、この発明の一実施例を説明する。
先ず、この発明のマスキングテープを第1図を参照し
て説明する。
て説明する。
同図(a),(b)に示す工程は従来と同様であり、
従来のマスキングテープ製作工程を示す第6図(a),
(b)と同一部分には同一符号が付してある。
従来のマスキングテープ製作工程を示す第6図(a),
(b)と同一部分には同一符号が付してある。
そこで、第1図(c)に示すように、フィルム20上に
フォトリソ技術によって残存した感光性樹脂材24の上面
に、適度の凹凸があるシート材25を貼付ける。この場合
のシート材25としては、例えば半透明のトレーシングペ
ーパー(40g/m2程度)が好適である。シート材25の表面
が適度に荒れていると、感光性樹脂材24との接着力が向
上して好ましい。
フォトリソ技術によって残存した感光性樹脂材24の上面
に、適度の凹凸があるシート材25を貼付ける。この場合
のシート材25としては、例えば半透明のトレーシングペ
ーパー(40g/m2程度)が好適である。シート材25の表面
が適度に荒れていると、感光性樹脂材24との接着力が向
上して好ましい。
また、マスキング材である感光性樹脂材24の両面に貼
付けてあるフィルム20及びシート材25の粘着力は、感光
性樹脂材24の肩だれ24aのある方に貼付けられているシ
ート材25の方が、前記感光性樹脂材24の下面に貼付けて
あるフィルム24の粘着力よりも強くなるように配慮して
いる。
付けてあるフィルム20及びシート材25の粘着力は、感光
性樹脂材24の肩だれ24aのある方に貼付けられているシ
ート材25の方が、前記感光性樹脂材24の下面に貼付けて
あるフィルム24の粘着力よりも強くなるように配慮して
いる。
次に、この上記のマスキングテープを使用したシリコ
ンウエハの分割方法を第2図を参照して説明する。
ンウエハの分割方法を第2図を参照して説明する。
先ず、同図(a)に示すように、あらかじめ台板27上
に接着材28を介して固定されたシリコンウエハ26に対し
て、3層構造であるマスキングテープのフィルム20の側
を剥して貼付ける。
に接着材28を介して固定されたシリコンウエハ26に対し
て、3層構造であるマスキングテープのフィルム20の側
を剥して貼付ける。
次に、トレーシングペーパー等からなるシート材25の
側、上方から研磨材としての微粉末を吹付け、同図
(b)に示すように、個々の半導体チップ29に分割す
る。
側、上方から研磨材としての微粉末を吹付け、同図
(b)に示すように、個々の半導体チップ29に分割す
る。
なお、上記のサンド・ブラスト・カットを実施するに
当り、上部のシート材25は、剥しても良いし、また、特
に剥さなくてもトレーシングペーパーのように薄い紙で
あるため、研磨材としての微粉末の吹付けにより破れて
除去され、その分割作業に何等影響を与えない。
当り、上部のシート材25は、剥しても良いし、また、特
に剥さなくてもトレーシングペーパーのように薄い紙で
あるため、研磨材としての微粉末の吹付けにより破れて
除去され、その分割作業に何等影響を与えない。
その後の工程は、従来と同様に溶剤により接着材28を
溶かし、台板27から個々の半導体チップ29を分離する。
溶かし、台板27から個々の半導体チップ29を分離する。
こうして得られた半導体チップ29には、従来のような
環状欠損部が全く形成されず、エッチング工程等の以後
の工程での不都合を解消し、チップ面積の縮小に伴う電
気的特性の欠陥等を生じさせない。
環状欠損部が全く形成されず、エッチング工程等の以後
の工程での不都合を解消し、チップ面積の縮小に伴う電
気的特性の欠陥等を生じさせない。
[発明の効果] この発明は、上記のように構成したので、マスキング
テープの粘着力の弱いフィルム側を剥してシリコンウエ
ハ上に貼付けてサンド・ブラスト・カットを実施するこ
とができ、マスキング材である感光性樹脂材の上方に肩
だれが形成されていても分割された半導体チップには何
等、環状欠損部が形成されることがないなどの優れた効
果がある。
テープの粘着力の弱いフィルム側を剥してシリコンウエ
ハ上に貼付けてサンド・ブラスト・カットを実施するこ
とができ、マスキング材である感光性樹脂材の上方に肩
だれが形成されていても分割された半導体チップには何
等、環状欠損部が形成されることがないなどの優れた効
果がある。
第1図(a),(b),(c)は、この発明のマスキン
グテープの製作工程図、第2図(a),(b)は、上記
マスキングテープを使用してシリコンウエハを個々の半
導体チップに分割する方法を示す工程図、第3図
(a),(b),(c),(d)は、従来のマスキング
テープを使用した半導体チップの分割方法を示す工程
図、第4図は、従来法による分割方法で形成された半導
体チップの断面図、第5図は、上記従来法による半導体
チップへの環状欠損部の形成過程の説明図、第6図
(a),(b),(c)は、従来のマスキングテープの
製作工程図である。 20……フィルム 24……感光性樹脂材 24a……肩だれ 25……シート材
グテープの製作工程図、第2図(a),(b)は、上記
マスキングテープを使用してシリコンウエハを個々の半
導体チップに分割する方法を示す工程図、第3図
(a),(b),(c),(d)は、従来のマスキング
テープを使用した半導体チップの分割方法を示す工程
図、第4図は、従来法による分割方法で形成された半導
体チップの断面図、第5図は、上記従来法による半導体
チップへの環状欠損部の形成過程の説明図、第6図
(a),(b),(c)は、従来のマスキングテープの
製作工程図である。 20……フィルム 24……感光性樹脂材 24a……肩だれ 25……シート材
Claims (2)
- 【請求項1】フィルム上に塗布した感光性樹脂材をフォ
トリソ技術で選択的に残し、この感光性樹脂材上にシー
ト部材を貼付けた3層構造のマスキングテープにおい
て、前記フィルムと感光性樹脂材との粘着力よりも当該
感光性樹脂材と前記シート部材との粘着力の方が大きく
してあることを特徴とするマスキングテープ。 - 【請求項2】シリコンウエハの一方の主面に選択的に感
光性樹脂材が残存するマスキングテープを貼付けて、前
記シリコンウエハ上に転写された感光性樹脂材の上方か
ら微粉末を吹付けてシリコンウエハを半導体チップに分
割する半導体素子の製造方法において、前記感光性樹脂
材の肩だれの無い側をシリコンウエハに貼付けて微粉末
を吹付けてシリコンウエハを半導体チップに分割するこ
とを特徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19346488A JP2683811B2 (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | マスキングテープ及びこれを使用した半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19346488A JP2683811B2 (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | マスキングテープ及びこれを使用した半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0243754A JPH0243754A (ja) | 1990-02-14 |
JP2683811B2 true JP2683811B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=16308442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19346488A Expired - Lifetime JP2683811B2 (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | マスキングテープ及びこれを使用した半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2683811B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2790543B2 (ja) * | 1990-12-06 | 1998-08-27 | 相模製版株式会社 | 半導体チップ製造用ブラストシール |
WO2001075954A1 (fr) * | 2000-03-31 | 2001-10-11 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Procede de decoupage d'une plaquette de semi-conducteur en puces |
-
1988
- 1988-08-04 JP JP19346488A patent/JP2683811B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0243754A (ja) | 1990-02-14 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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