JPH03234043A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH03234043A JPH03234043A JP2030061A JP3006190A JPH03234043A JP H03234043 A JPH03234043 A JP H03234043A JP 2030061 A JP2030061 A JP 2030061A JP 3006190 A JP3006190 A JP 3006190A JP H03234043 A JPH03234043 A JP H03234043A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- silicon wafer
- dicing
- rear surface
- sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 30
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 29
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
この発明は、ダイオード、トランジスタ、IC等の半導
体装置の製造方法に関し、詳しく言えばウェハの分割不
良防止に関する。
体装置の製造方法に関し、詳しく言えばウェハの分割不
良防止に関する。
(ロ)従来の技術
従来の半導体装置の製造方法を、ダイオードの場合を例
に取り、第2図(a)〜(e)を参照しながら説明する
。第2図(a)では、N+のシリコンウェハ1工に、熱
拡散等の手段により、N層12b、P”FJ12aを順
に形成し、P−N接合を得た状態を示している。13は
、シリコン酸化膜である。
に取り、第2図(a)〜(e)を参照しながら説明する
。第2図(a)では、N+のシリコンウェハ1工に、熱
拡散等の手段により、N層12b、P”FJ12aを順
に形成し、P−N接合を得た状態を示している。13は
、シリコン酸化膜である。
シリコンウェハ11の表面11a、l1面11bには、
それぞれ電極15a、15bが形成される〔第2図(b
)参照〕、これら電極15a、15bは、金属材料を真
空蒸着、スパッタ、印刷あるいはめっきにより成膜した
ものである。電極15a、f5bの形成されたシリコン
ウェハ11は、ダイシングラインに沿って、表面11a
より裏面11bに向けてハーフダイシングされる〔第2
図(C)参照〕、ハーフダイシングとは、シリコンウェ
ハ11の裏面11b側を切断しないで少し残すことであ
り、ダイシング溝16aにより、ウェハの形態を保った
ままで、各ダイオードが電気的に分離される。従って、
この状態で各ダイオードの特性を順次チエツクして行く
、なお、ハーフダイシングは、上述のように、シリコン
ウェハ裏面側の電極が比較的薄く形成されている場合に
適用されるダイシング方法である。
それぞれ電極15a、15bが形成される〔第2図(b
)参照〕、これら電極15a、15bは、金属材料を真
空蒸着、スパッタ、印刷あるいはめっきにより成膜した
ものである。電極15a、f5bの形成されたシリコン
ウェハ11は、ダイシングラインに沿って、表面11a
より裏面11bに向けてハーフダイシングされる〔第2
図(C)参照〕、ハーフダイシングとは、シリコンウェ
ハ11の裏面11b側を切断しないで少し残すことであ
り、ダイシング溝16aにより、ウェハの形態を保った
ままで、各ダイオードが電気的に分離される。従って、
この状態で各ダイオードの特性を順次チエツクして行く
、なお、ハーフダイシングは、上述のように、シリコン
ウェハ裏面側の電極が比較的薄く形成されている場合に
適用されるダイシング方法である。
さらに、シリコンウェハ裏面11bには延伸性を有する
ウェハシート17が貼着される〔第2図回参照〕、ウェ
ハシート17を貼着した状態で、シリコンウェハ11を
クラッキングして、シリコンウェハ11を各チップ1日
に分割する。そして、ウェハシー1−17を引き伸ばす
と、各チップ18が一つ一つ分離する〔第2図(e)参
照〕。こうして分離されたチップ18を、コレット等で
吸着し、リード上にグイボンディングする。
ウェハシート17が貼着される〔第2図回参照〕、ウェ
ハシート17を貼着した状態で、シリコンウェハ11を
クラッキングして、シリコンウェハ11を各チップ1日
に分割する。そして、ウェハシー1−17を引き伸ばす
と、各チップ18が一つ一つ分離する〔第2図(e)参
照〕。こうして分離されたチップ18を、コレット等で
吸着し、リード上にグイボンディングする。
(ハ)発明が解決しようとする課題
上記従来の半導体装置の製造方法では、シリコンウェハ
11をクラッキングして、ウェハシート17を引き伸ば
す際、電極15bを構成する金属のしん性により、チッ
プ18同志が完全に分離せず、第2図(f)に示すよう
につながった状態となることがある。このようにチップ
18がつながっていると、グイボンディングの前に手で
切り離す必要があり、製品不良にもつながる。
11をクラッキングして、ウェハシート17を引き伸ば
す際、電極15bを構成する金属のしん性により、チッ
プ18同志が完全に分離せず、第2図(f)に示すよう
につながった状態となることがある。このようにチップ
18がつながっていると、グイボンディングの前に手で
切り離す必要があり、製品不良にもつながる。
この発明は、上記に鑑みなされたもので、ウェハの分割
不良を防止できる、半導体装置の製造方法の提供を目的
としている。
不良を防止できる、半導体装置の製造方法の提供を目的
としている。
(ニ)課題を解決するための手段
上記課題を解決するため、この発明の半導体装置の製造
方法は、ウェハの表面及び裏面のそれぞれに電極を形成
し、このウェハを表面より裏面に向けてハーフダイシン
グし、このウェハ裏面にシートを貼着したのち、このウ
ェハをクラッキングし、前記シートを引き伸ばしてウェ
ハを個々のチップに分離する方法において、前記ウェハ
裏面に電極を形成する前に、゛この裏面にダイシングラ
インに沿ってマスクを形成し、電極形成後シート貼着前
にこのマスクを除去することを特徴とするものである。
方法は、ウェハの表面及び裏面のそれぞれに電極を形成
し、このウェハを表面より裏面に向けてハーフダイシン
グし、このウェハ裏面にシートを貼着したのち、このウ
ェハをクラッキングし、前記シートを引き伸ばしてウェ
ハを個々のチップに分離する方法において、前記ウェハ
裏面に電極を形成する前に、゛この裏面にダイシングラ
インに沿ってマスクを形成し、電極形成後シート貼着前
にこのマスクを除去することを特徴とするものである。
(ホ)作用
この発明の半導体装置の製造方法では、マスクがあった
所には電極が形成されない。従って、ウェハ裏面では、
ダイシングラインに沿って電極が形成されていないこと
により、クランキングの際に、電極金属のしん性により
生じる分割不良を防止することが可能となる。
所には電極が形成されない。従って、ウェハ裏面では、
ダイシングラインに沿って電極が形成されていないこと
により、クランキングの際に、電極金属のしん性により
生じる分割不良を防止することが可能となる。
(へ)実施例
この発明の一実施例を第1図に基づいて以下に説明する
。
。
第1図(a)は、シリコンウェハ1の断面を示している
。このシリコンウェハlは、例えばN゛型のシリコンで
、その表面Ia側には、N層2b、P”層2aが熱拡散
層等の手段により形成され、P−N接合が構成される。
。このシリコンウェハlは、例えばN゛型のシリコンで
、その表面Ia側には、N層2b、P”層2aが熱拡散
層等の手段により形成され、P−N接合が構成される。
3は、シリコン酸化膜(SiO冨)であり、29層28
表面を除いてシリコンウェハ表面1aを被覆する。
表面を除いてシリコンウェハ表面1aを被覆する。
シリコンウェハ1の表面1a、M面lbには、それぞれ
レジス)4a、4bが形成される〔第1図(b)参照)
、レジスト4aは、表面1aの電極をパターン付けする
ものである。また、レジスト4bは、ダイシングライン
lに沿って帯状に形成される。これらレジスト4a、4
bは、例えばホトレジストを表面1a、JiNlbにそ
れぞれスピンコードし、ホトマスクを用いて露光した後
、現像して不要部分を除去するホトリソグラフィーを適
用して形成する。
レジス)4a、4bが形成される〔第1図(b)参照)
、レジスト4aは、表面1aの電極をパターン付けする
ものである。また、レジスト4bは、ダイシングライン
lに沿って帯状に形成される。これらレジスト4a、4
bは、例えばホトレジストを表面1a、JiNlbにそ
れぞれスピンコードし、ホトマスクを用いて露光した後
、現像して不要部分を除去するホトリソグラフィーを適
用して形成する。
シリコンウェハ表面1a、2!N面lbには、真空蒸着
、スパッタリング、印刷等の手段を通用して、それぞれ
電極5a、5bが形成される〔第1図(C)参照〕。
、スパッタリング、印刷等の手段を通用して、それぞれ
電極5a、5bが形成される〔第1図(C)参照〕。
そして、レジスト4a、4bをそれぞれ剥離する〔第1
図(d)参照〕。シリコンウェハ裏面1bでは、ダイシ
ングライン!に沿って、帯状に電極の形成されていない
部分が現れる(第1図(6)参照〕。
図(d)参照〕。シリコンウェハ裏面1bでは、ダイシ
ングライン!に沿って、帯状に電極の形成されていない
部分が現れる(第1図(6)参照〕。
なお、レジスト5a、5bには、その上に電極が形成さ
れにくい材質が好ましい、これはレジスト剥離時に電極
部分が一緒に剥がれるのを防止するためである。
れにくい材質が好ましい、これはレジスト剥離時に電極
部分が一緒に剥がれるのを防止するためである。
シリコンウェハ1は、表面1aより裏面1bに向けて、
グイシングソウ6を用いてハーフダイシングする。この
ハーフダイシングは、ダイシングライン2に沿って行わ
れ、シリコンウェハ1の裏面1b側の部分1cは切断せ
ずに残しておく、ダイシングソウ6によるダイシング溝
6aによりシリコンウェハ1上のダイオードがそれぞれ
電気的に分離される。この状態で、各ダイオードにプロ
ーブをあてて、その特性を検査し、不良のあるダイオー
ドにはマークを付しておく。
グイシングソウ6を用いてハーフダイシングする。この
ハーフダイシングは、ダイシングライン2に沿って行わ
れ、シリコンウェハ1の裏面1b側の部分1cは切断せ
ずに残しておく、ダイシングソウ6によるダイシング溝
6aによりシリコンウェハ1上のダイオードがそれぞれ
電気的に分離される。この状態で、各ダイオードにプロ
ーブをあてて、その特性を検査し、不良のあるダイオー
ドにはマークを付しておく。
次に、シリコンウェハ裏面1bに、延伸性を有するウェ
ハシート7が貼着される〔第1図(e)参照〕、このウ
ェハシート7は、第1図(e)には示していないが、シ
リコンウェハlの外形よりも大きくされている。
ハシート7が貼着される〔第1図(e)参照〕、このウ
ェハシート7は、第1図(e)には示していないが、シ
リコンウェハlの外形よりも大きくされている。
この状態でシリコンウニハエをクランキングして、個々
のチップ8に分割する。すなわち、シリコンウェハ1の
ダイシングせずに残した部分ICにクラックを入れる。
のチップ8に分割する。すなわち、シリコンウェハ1の
ダイシングせずに残した部分ICにクラックを入れる。
そして、ウェハシート7を引き伸ばせば、シリコンウェ
ハ1がチップ8に分離する〔第1図(f)参照〕。
ハ1がチップ8に分離する〔第1図(f)参照〕。
電極5bは、ダイシングラインlに沿う部分には形成さ
れていないから、電極5bにクランクを入れて分割する
必要がなくなり、チップ8がつながったままになる分割
不良は生じない。従って、チップ8を手で分割する手間
が省け、製品不良も生じにくくなる。
れていないから、電極5bにクランクを入れて分割する
必要がなくなり、チップ8がつながったままになる分割
不良は生じない。従って、チップ8を手で分割する手間
が省け、製品不良も生じにくくなる。
分離されたチップ8は、不良のものを除いて、コレ7ト
等に吸着され、図示しないリード等の上にグイポンディ
ングされる。
等に吸着され、図示しないリード等の上にグイポンディ
ングされる。
なお、上記実施例では、ダイオードについて説明してい
るが、この発明はトランジスタ、IC等、ウェハをチッ
プに分割する工程を要する、すべての半導体装置の製造
に適用可能である。
るが、この発明はトランジスタ、IC等、ウェハをチッ
プに分割する工程を要する、すべての半導体装置の製造
に適用可能である。
(ト)発明の詳細
な説明したように、この発明の半導体装置の製造方法は
、ウェハ裏面に電極を形成する前に、この裏面にダイシ
ングラインに沿ってマスクを形成し、電極形成後シート
貼着前にこのマスクを除去することを特徴とするもので
あるから、ウェハの分割不良を有効に防止することがで
きる。
、ウェハ裏面に電極を形成する前に、この裏面にダイシ
ングラインに沿ってマスクを形成し、電極形成後シート
貼着前にこのマスクを除去することを特徴とするもので
あるから、ウェハの分割不良を有効に防止することがで
きる。
第1図(a)、第1図(b)、第1図(C)、第1図(
d)、第1図(e)及び第1図げ)は、それぞれこの発
明の一実施例に係るダイオードの製造工程を順に説明す
る図、第2図(a)、第2図(b)、第2図(C)、第
2図(d)及び第2図(e)は、それぞれ従来のダイオ
ードの製造工程を順に説明する図、第2図(f)は、こ
の従来のダイオードの製造工程の問題点を説明する図で
ある。 1:シリコンウェハ、4a・4bニレジスト、5a・5
b:電極、 7:ウェハシート、8:チップ、
i、:ダイシングライン。 第2図(a) 第2図(b)
d)、第1図(e)及び第1図げ)は、それぞれこの発
明の一実施例に係るダイオードの製造工程を順に説明す
る図、第2図(a)、第2図(b)、第2図(C)、第
2図(d)及び第2図(e)は、それぞれ従来のダイオ
ードの製造工程を順に説明する図、第2図(f)は、こ
の従来のダイオードの製造工程の問題点を説明する図で
ある。 1:シリコンウェハ、4a・4bニレジスト、5a・5
b:電極、 7:ウェハシート、8:チップ、
i、:ダイシングライン。 第2図(a) 第2図(b)
Claims (1)
- (1)ウェハの表面及び裏面のそれぞれに電極を形成し
、このウェハを表面より裏面に向けてハーフダイシング
し、このウェハ裏面にシートを貼着したのち、このウェ
ハをクラッキングし、前記シートを引き伸ばしてウェハ
を個々のチップに分離する半導体装置の製造方法におい
て、 前記ウェハ裏面に電極を形成する前に、この裏面にダイ
シングラインに沿ってマスクを形成し、電極形成後シー
ト貼着前にこのマスクを除去することを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3006190A JP2891264B2 (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3006190A JP2891264B2 (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03234043A true JPH03234043A (ja) | 1991-10-18 |
JP2891264B2 JP2891264B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=12293303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3006190A Expired - Lifetime JP2891264B2 (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2891264B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005001001A (ja) * | 2002-03-12 | 2005-01-06 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JPWO2003076119A1 (ja) * | 2002-03-12 | 2005-07-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
US7396742B2 (en) | 2000-09-13 | 2008-07-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method for cutting a wafer-like object by using a laser to form modified regions within the object |
US7605344B2 (en) | 2003-07-18 | 2009-10-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser beam machining method, laser beam machining apparatus, and laser beam machining product |
US8058103B2 (en) | 2003-09-10 | 2011-11-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor substrate cutting method |
US8865566B2 (en) | 2002-12-03 | 2014-10-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting semiconductor substrate |
US8889525B2 (en) | 2002-03-12 | 2014-11-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US8969752B2 (en) | 2003-03-12 | 2015-03-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
JP2018018980A (ja) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | 株式会社ディスコ | デバイスウエーハの加工方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5834736U (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半導体ウエ−ハ |
JPS61287241A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-17 | Sharp Corp | 半導体素子の製造方法 |
JPH01225131A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-02-09 JP JP3006190A patent/JP2891264B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5834736U (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半導体ウエ−ハ |
JPS61287241A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-17 | Sharp Corp | 半導体素子の製造方法 |
JPH01225131A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Cited By (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8927900B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-01-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting a substrate, method of processing a wafer-like object, and method of manufacturing a semiconductor device |
US10796959B2 (en) | 2000-09-13 | 2020-10-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
US7396742B2 (en) | 2000-09-13 | 2008-07-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method for cutting a wafer-like object by using a laser to form modified regions within the object |
US9837315B2 (en) | 2000-09-13 | 2017-12-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
US7615721B2 (en) | 2000-09-13 | 2009-11-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
US8969761B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-03-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting a wafer-like object and semiconductor chip |
US8946592B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
US8946589B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting a substrate, method of cutting a wafer-like object, and method of manufacturing a semiconductor device |
US8946591B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of manufacturing a semiconductor device formed using a substrate cutting method |
US8937264B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-01-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
US8933369B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-01-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting a substrate and method of manufacturing a semiconductor device |
US9553023B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
JP4509720B2 (ja) * | 2002-03-12 | 2010-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
US10622255B2 (en) | 2002-03-12 | 2020-04-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US11424162B2 (en) | 2002-03-12 | 2022-08-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
JPWO2003076119A1 (ja) * | 2002-03-12 | 2005-07-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP4606741B2 (ja) * | 2002-03-12 | 2011-01-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
US8889525B2 (en) | 2002-03-12 | 2014-11-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US10068801B2 (en) | 2002-03-12 | 2018-09-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US9142458B2 (en) | 2002-03-12 | 2015-09-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US9287177B2 (en) | 2002-03-12 | 2016-03-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US9543256B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US9543207B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US9548246B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
JP2005001001A (ja) * | 2002-03-12 | 2005-01-06 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
US9711405B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-07-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US8865566B2 (en) | 2002-12-03 | 2014-10-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting semiconductor substrate |
US8969752B2 (en) | 2003-03-12 | 2015-03-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
US7605344B2 (en) | 2003-07-18 | 2009-10-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser beam machining method, laser beam machining apparatus, and laser beam machining product |
US8852698B2 (en) | 2003-07-18 | 2014-10-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser beam machining method, laser beam machining apparatus, and laser beam machining product |
US8058103B2 (en) | 2003-09-10 | 2011-11-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor substrate cutting method |
JP2018018980A (ja) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | 株式会社ディスコ | デバイスウエーハの加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2891264B2 (ja) | 1999-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3897627A (en) | Method for manufacturing semiconductor devices | |
US5091331A (en) | Ultra-thin circuit fabrication by controlled wafer debonding | |
JPH03234043A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US7084047B2 (en) | Method for the production of individual monolithically integrated semiconductor circuits | |
JPS58137228A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0974076A (ja) | 発光半導体ウエハの個別分離方法 | |
JPH08279478A (ja) | 半導体チップ製造方法 | |
JPS61214587A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH03205846A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2913716B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20240006239A1 (en) | Device wafer processing method | |
JPH0645437A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH05109679A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS60149151A (ja) | 半導体ウエハのダイシング方法 | |
JPH0230117A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0444335A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS59121851A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2659270B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6290930A (ja) | 化合物半導体素子の電極形成方法 | |
JP2576190B2 (ja) | 大規模集積回路およびその製造方法 | |
JPH0155579B2 (ja) | ||
JPS62298138A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS5952542B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100219412B1 (ko) | 이중패드 구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
JPH02303128A (ja) | 半導体素子の製造方法 |