JPH03234043A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は、ダイオード、トランジスタ、ＩＣ等の半導
体装置の製造方法に関し、詳しく言えばウェハの分割不
良防止に関する。

（ロ）従来の技術 従来の半導体装置の製造方法を、ダイオードの場合を例
に取り、第２図（ａ）〜（ｅ）を参照しながら説明する
。第２図（ａ）では、Ｎ＋のシリコンウェハ１工に、熱
拡散等の手段により、Ｎ層１２ｂ、Ｐ”ＦＪ１２ａを順
に形成し、Ｐ−Ｎ接合を得た状態を示している。１３は
、シリコン酸化膜である。

シリコンウェハ１１の表面１１ａ、ｌ１面１１ｂには、
それぞれ電極１５ａ、１５ｂが形成される〔第２図（ｂ
）参照〕、これら電極１５ａ、１５ｂは、金属材料を真
空蒸着、スパッタ、印刷あるいはめっきにより成膜した
ものである。電極１５ａ、ｆ５ｂの形成されたシリコン
ウェハ１１は、ダイシングラインに沿って、表面１１ａ
より裏面１１ｂに向けてハーフダイシングされる〔第２
図（Ｃ）参照〕、ハーフダイシングとは、シリコンウェ
ハ１１の裏面１１ｂ側を切断しないで少し残すことであ
り、ダイシング溝１６ａにより、ウェハの形態を保った
ままで、各ダイオードが電気的に分離される。従って、
この状態で各ダイオードの特性を順次チエツクして行く
、なお、ハーフダイシングは、上述のように、シリコン
ウェハ裏面側の電極が比較的薄く形成されている場合に
適用されるダイシング方法である。

さらに、シリコンウェハ裏面１１ｂには延伸性を有する
ウェハシート１７が貼着される〔第２図回参照〕、ウェ
ハシート１７を貼着した状態で、シリコンウェハ１１を
クラッキングして、シリコンウェハ１１を各チップ１日
に分割する。そして、ウェハシー１−１７を引き伸ばす
と、各チップ１８が一つ一つ分離する〔第２図（ｅ）参
照〕。こうして分離されたチップ１８を、コレット等で
吸着し、リード上にグイボンディングする。

（ハ）発明が解決しようとする課題 上記従来の半導体装置の製造方法では、シリコンウェハ
１１をクラッキングして、ウェハシート１７を引き伸ば
す際、電極１５ｂを構成する金属のしん性により、チッ
プ１８同志が完全に分離せず、第２図（ｆ）に示すよう
につながった状態となることがある。このようにチップ
１８がつながっていると、グイボンディングの前に手で
切り離す必要があり、製品不良にもつながる。

この発明は、上記に鑑みなされたもので、ウェハの分割
不良を防止できる、半導体装置の製造方法の提供を目的
としている。

（ニ）課題を解決するための手段 上記課題を解決するため、この発明の半導体装置の製造
方法は、ウェハの表面及び裏面のそれぞれに電極を形成
し、このウェハを表面より裏面に向けてハーフダイシン
グし、このウェハ裏面にシートを貼着したのち、このウ
ェハをクラッキングし、前記シートを引き伸ばしてウェ
ハを個々のチップに分離する方法において、前記ウェハ
裏面に電極を形成する前に、゛この裏面にダイシングラ
インに沿ってマスクを形成し、電極形成後シート貼着前
にこのマスクを除去することを特徴とするものである。

（ホ）作用 この発明の半導体装置の製造方法では、マスクがあった
所には電極が形成されない。従って、ウェハ裏面では、
ダイシングラインに沿って電極が形成されていないこと
により、クランキングの際に、電極金属のしん性により
生じる分割不良を防止することが可能となる。

（へ）実施例 この発明の一実施例を第１図に基づいて以下に説明する
。

第１図（ａ）は、シリコンウェハ１の断面を示している
。このシリコンウェハｌは、例えばＮ゛型のシリコンで
、その表面Ｉａ側には、Ｎ層２ｂ、Ｐ”層２ａが熱拡散
層等の手段により形成され、Ｐ−Ｎ接合が構成される。

３は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ冨）であり、２９層２８
表面を除いてシリコンウェハ表面１ａを被覆する。

シリコンウェハ１の表面１ａ、Ｍ面ｌｂには、それぞれ
レジス）４ａ、４ｂが形成される〔第１図（ｂ）参照）
、レジスト４ａは、表面１ａの電極をパターン付けする
ものである。また、レジスト４ｂは、ダイシングライン
ｌに沿って帯状に形成される。これらレジスト４ａ、４
ｂは、例えばホトレジストを表面１ａ、ＪｉＮｌｂにそ
れぞれスピンコードし、ホトマスクを用いて露光した後
、現像して不要部分を除去するホトリソグラフィーを適
用して形成する。

シリコンウェハ表面１ａ、２！Ｎ面ｌｂには、真空蒸着
、スパッタリング、印刷等の手段を通用して、それぞれ
電極５ａ、５ｂが形成される〔第１図（Ｃ）参照〕。

そして、レジスト４ａ、４ｂをそれぞれ剥離する〔第１
図（ｄ）参照〕。シリコンウェハ裏面１ｂでは、ダイシ
ングライン！に沿って、帯状に電極の形成されていない
部分が現れる（第１図（６）参照〕。

なお、レジスト５ａ、５ｂには、その上に電極が形成さ
れにくい材質が好ましい、これはレジスト剥離時に電極
部分が一緒に剥がれるのを防止するためである。

シリコンウェハ１は、表面１ａより裏面１ｂに向けて、
グイシングソウ６を用いてハーフダイシングする。この
ハーフダイシングは、ダイシングライン２に沿って行わ
れ、シリコンウェハ１の裏面１ｂ側の部分１ｃは切断せ
ずに残しておく、ダイシングソウ６によるダイシング溝
６ａによりシリコンウェハ１上のダイオードがそれぞれ
電気的に分離される。この状態で、各ダイオードにプロ
ーブをあてて、その特性を検査し、不良のあるダイオー
ドにはマークを付しておく。

次に、シリコンウェハ裏面１ｂに、延伸性を有するウェ
ハシート７が貼着される〔第１図（ｅ）参照〕、このウ
ェハシート７は、第１図（ｅ）には示していないが、シ
リコンウェハｌの外形よりも大きくされている。

この状態でシリコンウニハエをクランキングして、個々
のチップ８に分割する。すなわち、シリコンウェハ１の
ダイシングせずに残した部分ＩＣにクラックを入れる。

そして、ウェハシート７を引き伸ばせば、シリコンウェ
ハ１がチップ８に分離する〔第１図（ｆ）参照〕。

電極５ｂは、ダイシングラインｌに沿う部分には形成さ
れていないから、電極５ｂにクランクを入れて分割する
必要がなくなり、チップ８がつながったままになる分割
不良は生じない。従って、チップ８を手で分割する手間
が省け、製品不良も生じにくくなる。

分離されたチップ８は、不良のものを除いて、コレ７ト
等に吸着され、図示しないリード等の上にグイポンディ
ングされる。

なお、上記実施例では、ダイオードについて説明してい
るが、この発明はトランジスタ、ＩＣ等、ウェハをチッ
プに分割する工程を要する、すべての半導体装置の製造
に適用可能である。

（ト）発明の詳細 な説明したように、この発明の半導体装置の製造方法は
、ウェハ裏面に電極を形成する前に、この裏面にダイシ
ングラインに沿ってマスクを形成し、電極形成後シート
貼着前にこのマスクを除去することを特徴とするもので
あるから、ウェハの分割不良を有効に防止することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、第１図（ｂ）、第１図（Ｃ）、第１図（
ｄ）、第１図（ｅ）及び第１図げ）は、それぞれこの発
明の一実施例に係るダイオードの製造工程を順に説明す
る図、第２図（ａ）、第２図（ｂ）、第２図（Ｃ）、第
２図（ｄ）及び第２図（ｅ）は、それぞれ従来のダイオ
ードの製造工程を順に説明する図、第２図（ｆ）は、こ
の従来のダイオードの製造工程の問題点を説明する図で
ある。 １：シリコンウェハ、４ａ・４ｂニレジスト、５ａ・５
ｂ：電極、　７：ウェハシート、８：チップ、　　　　
　ｉ、：ダイシングライン。 第２図（ａ） 第２図（ｂ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）ウェハの表面及び裏面のそれぞれに電極を形成し
   、このウェハを表面より裏面に向けてハーフダイシング
   し、このウェハ裏面にシートを貼着したのち、このウェ
   ハをクラッキングし、前記シートを引き伸ばしてウェハ
   を個々のチップに分離する半導体装置の製造方法におい
   て、 前記ウェハ裏面に電極を形成する前に、この裏面にダイ
   シングラインに沿ってマスクを形成し、電極形成後シー
   ト貼着前にこのマスクを除去することを特徴とする半導
   体装置の製造方法。