JP2005001001A - レーザ加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板15を含む平板状のウェハ1aの裏面21に伸張性のエキスパンドテープ23を装着し、ウェハ1aの表面3をレーザ光入射面として基板15の内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを照射することにより多光子吸収による溶融処理領域13を形成し、この溶融処理領域13によって、ウェハ1aの切断予定ライン5に沿ってレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域8を形成し、エキスパンドテープ23を伸張させることにより、切断起点領域8を起点としてウェハ1aを複数の部分に、互いに間隔があくように切断する工程を備えることを特徴とする。
【選択図】 図21
Description
基板(例えばサファイア、ガラス、またはLiTaO3からなる圧電材料)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1μs以下の条件でレーザ光を照射する。このパルス幅の大きさは、多光子吸収を生じさせつつ基板の表面に余計なダメージを与えずに、基板の内部にのみクラック領域を形成できる条件である。これにより、基板の内部には多光子吸収による光学的損傷という現象が発生する。この光学的損傷により基板の内部に熱ひずみが誘起され、これにより基板の内部にクラック領域が形成される。電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns〜200nsが好ましい。
(A)基板:パイレックス(登録商標)ガラス(厚さ700μm)
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10-8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:出力<1mJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)基板が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
基板(例えばシリコンのような半導体材料)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1μs以下の条件でレーザ光を照射する。これにより基板の内部は多光子吸収によって局所的に加熱される。この加熱により基板の内部に溶融処理領域が形成される。溶融処理領域とは一旦溶融後再固化した領域や、まさに溶融状態の領域や、溶融状態から再固化する状態の領域であり、相変化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域ということもできる。つまり、例えば、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味する。基板がシリコン単結晶構造の場合、溶融処理領域は例えば非晶質シリコン構造である。電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns〜200nsが好ましい。
(A)基板:シリコンウェハ(厚さ350μm、外径4インチ)
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10-8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:20μJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
倍率:50倍
N.A.:0.55
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)基板が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
基板(例えばガラス)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1ns以下の条件でレーザ光を照射する。パルス幅を極めて短くして、多光子吸収を基板の内部に起こさせると、多光子吸収によるエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、基板の内部にはイオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns以下が好ましく、1ps以下がさらに好ましい。
Claims (4)
- 基板を含む平板状の加工対象物の一方の面に伸張性のフィルムを装着し、前記加工対象物の他方の面をレーザ光入射面として前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記レーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成し、前記フィルムを伸張させることにより、前記切断起点領域を起点として前記加工対象物を複数の部分に、互いに間隔があくように切断する工程を備える、レーザ加工方法。
- 半導体基板を含む平板状の加工対象物の一方の面に伸張性のフィルムを装着し、前記加工対象物の他方の面をレーザ光入射面として前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより溶融処理領域を形成し、この溶融処理領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記レーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成し、前記フィルムを伸張させることにより、前記切断起点領域を起点として前記加工対象物を複数の部分に、互いに間隔があくように切断する工程を備える、レーザ加工方法。
- 基板を含む平板状の加工対象物の前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記レーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する工程と、
内部に前記改質領域を形成した前記加工対象物に伸張性のフィルムを装着する工程と、
前記フィルムを伸張させることにより、前記切断起点領域を起点として前記加工対象物を複数の部分に、互いに間隔があくように切断する工程と
を備える、レーザ加工方法。 - 半導体基板を含む平板状の加工対象物の前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより溶融処理領域を形成し、この溶融処理領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記レーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する工程と、
内部に前記溶融処理領域を形成した前記加工対象物に伸張性のフィルムを装着する工程と、
前記フィルムを伸張させることにより、前記切断起点領域を起点として前記加工対象物を複数の部分に、互いに間隔があくように切断する工程と
を備える、レーザ加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004280377A JP4509720B2 (ja) | 2002-03-12 | 2004-09-27 | レーザ加工方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002067348 | 2002-03-12 | ||
JP2002067372 | 2002-03-12 | ||
JP2004280377A JP4509720B2 (ja) | 2002-03-12 | 2004-09-27 | レーザ加工方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003067281A Division JP3670267B2 (ja) | 2002-03-12 | 2003-03-12 | レーザ加工方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006013862A Division JP4146863B2 (ja) | 2002-03-12 | 2006-01-23 | 半導体基板の切断方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005001001A true JP2005001001A (ja) | 2005-01-06 |
JP4509720B2 JP4509720B2 (ja) | 2010-07-21 |
Family
ID=34108487
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004280377A Expired - Lifetime JP4509720B2 (ja) | 2002-03-12 | 2004-09-27 | レーザ加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4509720B2 (ja) |
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US10068801B2 (en) | 2002-03-12 | 2018-09-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US9543256B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
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US8889525B2 (en) | 2002-03-12 | 2014-11-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US8361883B2 (en) | 2002-03-12 | 2013-01-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
US8314013B2 (en) | 2002-03-12 | 2012-11-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor chip manufacturing method |
US8304325B2 (en) | 2002-03-12 | 2012-11-06 | Hamamatsu-Photonics K.K. | Substrate dividing method |
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US9287177B2 (en) | 2002-03-12 | 2016-03-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US9142458B2 (en) | 2002-03-12 | 2015-09-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US9711405B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-07-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US8183131B2 (en) | 2002-03-12 | 2012-05-22 | Hamamatsu Photonics K. K. | Method of cutting an object to be processed |
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KR102521229B1 (ko) | 2013-06-12 | 2023-04-12 | 뷰, 인크. | 개선형 전기 접촉부를 위한 투명 전도 옥사이드(tco) 박막 전처리 |
US11762254B2 (en) | 2013-06-12 | 2023-09-19 | View, Inc. | Pretreatment of transparent conductive oxide (TCO) thin films for improved electrical contact |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4509720B2 (ja) | 2010-07-21 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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