JPH05114643A - 半導体ウエハのウエハシート保持方法 - Google Patents
半導体ウエハのウエハシート保持方法Info
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- JPH05114643A JPH05114643A JP30102591A JP30102591A JPH05114643A JP H05114643 A JPH05114643 A JP H05114643A JP 30102591 A JP30102591 A JP 30102591A JP 30102591 A JP30102591 A JP 30102591A JP H05114643 A JPH05114643 A JP H05114643A
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- Japan
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- wafer
- semiconductor
- sheet
- wafer sheet
- semiconductor wafer
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
- H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
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- Die Bonding (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 突き上げピンを使用しないで半導体素子をウ
エハシートから容易に取り出すことができる半導体ウエ
ハのウエハシート保持方法を提供すること。 【構成】 半導体ウエハ１を分割してチップ状の半導体
素子１１を形成する工程の間、半導体ウエハ１をウエハ
シート２上に保持する方法において、この半導体ウエハ
１の裏面に磁性体１２を取着し、この磁性体１２をウエ
ハシート２の下面側に配置したマグネット３からの磁力
で吸着することにより、半導体ウエハ１をウエハシート
２上に保持し、この半導体ウエハ１を分割して半導体素
子１１を形成するもの。
エハシートから容易に取り出すことができる半導体ウエ
ハのウエハシート保持方法を提供すること。 【構成】 半導体ウエハ１を分割してチップ状の半導体
素子１１を形成する工程の間、半導体ウエハ１をウエハ
シート２上に保持する方法において、この半導体ウエハ
１の裏面に磁性体１２を取着し、この磁性体１２をウエ
ハシート２の下面側に配置したマグネット３からの磁力
で吸着することにより、半導体ウエハ１をウエハシート
２上に保持し、この半導体ウエハ１を分割して半導体素
子１１を形成するもの。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハをダイシ
ングしてチップ状の半導体素子を形成する工程での半導
体ウエハのウエハシート保持方法に関するものである。
ングしてチップ状の半導体素子を形成する工程での半導
体ウエハのウエハシート保持方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】表面に複数の電気回路が形成された半導
体ウエハは、これらの電気回路を区画するストリートに
沿ってダイシングされた後、ブレイキングを行いチップ
状の半導体素子に分割される。この工程間において、予
め半導体ウエハを伸縮自在な樹脂性のウエハシートに接
着しておき、分割して形成された半導体素子がばらばら
にならないように保持している。ここで、図２（ａ）〜
（ｃ）の断面図に基づいて、従来の半導体ウエハのウエ
ハシート保持方法を説明する。図２（ａ）に示すよう
に、まず、表面に粘着性を有する粘着シートを用いたウ
エハシート２と半導体ウエハ１の裏面とを接着して保持
する。そして、半導体ウエハ１の表面に複数の電気回路
１０を区画するストリートに沿ってダイシングを行う。
このダイシング工程で半導体ウエハ１がウエハシート２
に接着されているので半導体ウエハ１がずれることなく
作業が行える。さらに、この半導体ウエハ１をブレイキ
ングしてチップ状の半導体素子１１に分割しても、各半
導体素子１１がばらばらになることなく保持される。
体ウエハは、これらの電気回路を区画するストリートに
沿ってダイシングされた後、ブレイキングを行いチップ
状の半導体素子に分割される。この工程間において、予
め半導体ウエハを伸縮自在な樹脂性のウエハシートに接
着しておき、分割して形成された半導体素子がばらばら
にならないように保持している。ここで、図２（ａ）〜
（ｃ）の断面図に基づいて、従来の半導体ウエハのウエ
ハシート保持方法を説明する。図２（ａ）に示すよう
に、まず、表面に粘着性を有する粘着シートを用いたウ
エハシート２と半導体ウエハ１の裏面とを接着して保持
する。そして、半導体ウエハ１の表面に複数の電気回路
１０を区画するストリートに沿ってダイシングを行う。
このダイシング工程で半導体ウエハ１がウエハシート２
に接着されているので半導体ウエハ１がずれることなく
作業が行える。さらに、この半導体ウエハ１をブレイキ
ングしてチップ状の半導体素子１１に分割しても、各半
導体素子１１がばらばらになることなく保持される。
【０００３】このウエハシート２に保持された半導体素
子１１を所定位置にダイボンディングするには、まず、
図２（ｂ）に示すように、ウエハシート２を引き延ば
し、半導体素子１１と半導体素子１１との間隔を広げ
る、いわゆる延伸工程を行う。その後、ウエハシート２
の裏面側から突き上げピン４を用いてウエハシート２か
ら半導体素子１１が容易に剥がれる状態にする必要があ
る。すなわち、図２（ｃ）に示すように、ウエハシート
２に接着された半導体素子１１裏面のほぼ中央部を突き
上げピン４により突き上げると、ウエハシート２はこの
突き上げピン４の先端を中心とした凸状に盛り上がる。
これにより、ウエハシート２表面と接着している半導体
素子１１裏面のうち、周縁付近がウエハシート２から剥
がれ、突き上げピン４により突き上げられた半導体素子
１１裏面の中央部分だけがウエハシート２と接着した状
態となる。よって、半導体素子１１とウエハシート２と
の接着強度が弱くなり、吸着コレット６等を用いてウエ
ハシート２から半導体素子１１を容易に剥がすことがで
きる。
子１１を所定位置にダイボンディングするには、まず、
図２（ｂ）に示すように、ウエハシート２を引き延ば
し、半導体素子１１と半導体素子１１との間隔を広げ
る、いわゆる延伸工程を行う。その後、ウエハシート２
の裏面側から突き上げピン４を用いてウエハシート２か
ら半導体素子１１が容易に剥がれる状態にする必要があ
る。すなわち、図２（ｃ）に示すように、ウエハシート
２に接着された半導体素子１１裏面のほぼ中央部を突き
上げピン４により突き上げると、ウエハシート２はこの
突き上げピン４の先端を中心とした凸状に盛り上がる。
これにより、ウエハシート２表面と接着している半導体
素子１１裏面のうち、周縁付近がウエハシート２から剥
がれ、突き上げピン４により突き上げられた半導体素子
１１裏面の中央部分だけがウエハシート２と接着した状
態となる。よって、半導体素子１１とウエハシート２と
の接着強度が弱くなり、吸着コレット６等を用いてウエ
ハシート２から半導体素子１１を容易に剥がすことがで
きる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記説
明した半導体ウエハのウエハシート保持方法には以下に
示す課題がある。すなわち、図２（ｃ）に示すように、
ウエハシート２に接着された半導体素子１１を突き上げ
ピン４にて突き上げると、その衝撃により半導体素子１
１の裏面にマイクロクラック５が発生する場合がある。
このマイクロクラック５が半導体素子１１の裏面に発生
すると、この半導体素子１１を用いて製造される半導体
装置の電気的特性や機械的な耐久性が損なわれてしま
い、半導体装置の生産歩留りが低下することになる。よ
って、本発明はダイシングおよびブレイキング工程では
半導体ウエハや半導体素子をウエハシート上に保持し、
かつダイボンディング工程では、突き上げピンを使用し
ないで、すなわち、マイクロクラックを発生させること
なく半導体素子をウエハシートから容易に取り出すこと
ができる半導体ウエハのウエハシート保持方法を提供す
ることを目的とする。
明した半導体ウエハのウエハシート保持方法には以下に
示す課題がある。すなわち、図２（ｃ）に示すように、
ウエハシート２に接着された半導体素子１１を突き上げ
ピン４にて突き上げると、その衝撃により半導体素子１
１の裏面にマイクロクラック５が発生する場合がある。
このマイクロクラック５が半導体素子１１の裏面に発生
すると、この半導体素子１１を用いて製造される半導体
装置の電気的特性や機械的な耐久性が損なわれてしま
い、半導体装置の生産歩留りが低下することになる。よ
って、本発明はダイシングおよびブレイキング工程では
半導体ウエハや半導体素子をウエハシート上に保持し、
かつダイボンディング工程では、突き上げピンを使用し
ないで、すなわち、マイクロクラックを発生させること
なく半導体素子をウエハシートから容易に取り出すこと
ができる半導体ウエハのウエハシート保持方法を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記説明した課
題を解決するために成された半導体素子のウエハシート
保持方法である。すなわち、半導体ウエハを分割してチ
ップ状の半導体素子を形成する工程の間、半導体ウエハ
をウエハシート上に保持する方法において、この半導体
ウエハの裏面に磁性体を取着し、この磁性体をウエハシ
ートの下面側に配置したマグネットからの磁力で吸着す
ることにより、半導体ウエハをウエハシート上に保持す
るものである。しかも、このマグネットとして磁気シー
トを用いたものである。
題を解決するために成された半導体素子のウエハシート
保持方法である。すなわち、半導体ウエハを分割してチ
ップ状の半導体素子を形成する工程の間、半導体ウエハ
をウエハシート上に保持する方法において、この半導体
ウエハの裏面に磁性体を取着し、この磁性体をウエハシ
ートの下面側に配置したマグネットからの磁力で吸着す
ることにより、半導体ウエハをウエハシート上に保持す
るものである。しかも、このマグネットとして磁気シー
トを用いたものである。
【０００６】
【作用】半導体ウエハの裏面にニッケル等の磁性体を取
着してあるので、ウエハシートの下面側に配置したマグ
ネットから発生した磁力によりこの磁性体が吸引され
る。これにより、半導体ウエハはウエハシート上に保持
され、チップ状の半導体素子に分割してもばらばらにな
らない。また、ダイボンディング工程において、このマ
グネットを除去して磁性体を吸着する磁力をなくすこと
により、チップ状の半導体素子がウエハシート上から容
易に剥がれることになる。
着してあるので、ウエハシートの下面側に配置したマグ
ネットから発生した磁力によりこの磁性体が吸引され
る。これにより、半導体ウエハはウエハシート上に保持
され、チップ状の半導体素子に分割してもばらばらにな
らない。また、ダイボンディング工程において、このマ
グネットを除去して磁性体を吸着する磁力をなくすこと
により、チップ状の半導体素子がウエハシート上から容
易に剥がれることになる。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の半導体ウエハのウエハシート
保持方法の実施例を図面に基づいて説明する。図１
（ａ）〜（ｃ）は本発明の半導体ウエハのウエハシート
保持方法により半導体ウエハを半導体素子に分割する工
程を工程順に説明する断面図である。図１（ａ）に示す
ように、半導体ウエハ１の表面にトランジスタ等からな
る所定の電気回路１０が複数形成されており、図示しな
いストリートで区画されている。この半導体ウエハ１
は、その裏面に薄膜状の磁性体１２が取着しており、ウ
エハシート２の上面に搭載されている。このウエハシー
ト２の下面側にはマグネット３が配置され、半導体ウエ
ハ１裏面の磁性体１２を磁力により吸着している。この
吸着力により半導体ウエハ１はウエハシート２上に保持
される。
保持方法の実施例を図面に基づいて説明する。図１
（ａ）〜（ｃ）は本発明の半導体ウエハのウエハシート
保持方法により半導体ウエハを半導体素子に分割する工
程を工程順に説明する断面図である。図１（ａ）に示す
ように、半導体ウエハ１の表面にトランジスタ等からな
る所定の電気回路１０が複数形成されており、図示しな
いストリートで区画されている。この半導体ウエハ１
は、その裏面に薄膜状の磁性体１２が取着しており、ウ
エハシート２の上面に搭載されている。このウエハシー
ト２の下面側にはマグネット３が配置され、半導体ウエ
ハ１裏面の磁性体１２を磁力により吸着している。この
吸着力により半導体ウエハ１はウエハシート２上に保持
される。
【０００８】半導体ウエハ１の裏面に取着した磁性体１
２は、マグネット３の磁力で吸着される金属であり、例
えばニッケルを用いる。このニッケルを約１０μｍの膜
厚で蒸着したものである。また、マグネット３として、
樹脂性のシートに粉末状の磁石が混入した磁気シートを
用いる。この磁気シートは柔軟性を有しているので、後
述する半導体ウエハ１のブレイクキング工程が容易に行
える。
２は、マグネット３の磁力で吸着される金属であり、例
えばニッケルを用いる。このニッケルを約１０μｍの膜
厚で蒸着したものである。また、マグネット３として、
樹脂性のシートに粉末状の磁石が混入した磁気シートを
用いる。この磁気シートは柔軟性を有しているので、後
述する半導体ウエハ１のブレイクキング工程が容易に行
える。
【０００９】次に、本発明により半導体ウエハ１を分割
して半導体素子１１を形成する工程を工程順に説明す
る。先ず、図１（ａ）に示すように、半導体ウエハ１の
裏面にニッケル等の磁性体１２を蒸着し、ウエハシート
２上に搭載する。そして、このウエハシート２の下面側
に磁気シート等のマグネット３を配置して、このマグネ
ット３の磁力により磁性体１２を吸着し、半導体ウエハ
１をウエハシート２上に保持する。また、このマグネッ
ト３は磁性体１２を吸着する磁力の抗力により、マグネ
ット３自体もウエハシート２の下面に吸着される。この
状態で、半導体ウエハ１の表面に形成された複数の電気
回路１０を区画する図示しないストリートに沿ってハー
フカットの溝を削成する、いわゆるダイシングを行う。
このダイシングが終了した後、マグネット３の下面側か
らローラー等により半導体ウエハ１に圧力を加え、前述
の溝に沿って半導体ウエハ１を分割し、チップ状の半導
体素子１１を形成する、いわゆるブレイキングを行う。
なお、このときマグネット３として柔軟性を有した磁気
シートを用いているので、ローラーによる圧力がこのマ
グネット３により妨げられることなく半導体ウエハ１に
加えられる。
して半導体素子１１を形成する工程を工程順に説明す
る。先ず、図１（ａ）に示すように、半導体ウエハ１の
裏面にニッケル等の磁性体１２を蒸着し、ウエハシート
２上に搭載する。そして、このウエハシート２の下面側
に磁気シート等のマグネット３を配置して、このマグネ
ット３の磁力により磁性体１２を吸着し、半導体ウエハ
１をウエハシート２上に保持する。また、このマグネッ
ト３は磁性体１２を吸着する磁力の抗力により、マグネ
ット３自体もウエハシート２の下面に吸着される。この
状態で、半導体ウエハ１の表面に形成された複数の電気
回路１０を区画する図示しないストリートに沿ってハー
フカットの溝を削成する、いわゆるダイシングを行う。
このダイシングが終了した後、マグネット３の下面側か
らローラー等により半導体ウエハ１に圧力を加え、前述
の溝に沿って半導体ウエハ１を分割し、チップ状の半導
体素子１１を形成する、いわゆるブレイキングを行う。
なお、このときマグネット３として柔軟性を有した磁気
シートを用いているので、ローラーによる圧力がこのマ
グネット３により妨げられることなく半導体ウエハ１に
加えられる。
【００１０】次いで、図１（ｂ）に示すように、ウエハ
シート２を引き延ばし、チップ状の半導体素子１１と半
導体素子１１との間隔を広げる、いわゆる延伸を行う。
この延伸によりウエハシート２を引き延ばしても、磁性
体１２がマグネット３の磁力により吸着されているの
で、個々の半導体素子１１はばらばらになることがな
い。さらに、マグネット３自体もウエハシート２の下面
に吸着しているので外れることがない。なお、この引き
延ばされたウエハシート２の端部は、図示しない支持枠
に固定されており、後述するように半導体素子１１をウ
エハシート２から取り出しやすくしている。
シート２を引き延ばし、チップ状の半導体素子１１と半
導体素子１１との間隔を広げる、いわゆる延伸を行う。
この延伸によりウエハシート２を引き延ばしても、磁性
体１２がマグネット３の磁力により吸着されているの
で、個々の半導体素子１１はばらばらになることがな
い。さらに、マグネット３自体もウエハシート２の下面
に吸着しているので外れることがない。なお、この引き
延ばされたウエハシート２の端部は、図示しない支持枠
に固定されており、後述するように半導体素子１１をウ
エハシート２から取り出しやすくしている。
【００１１】そして、図１（ｃ）に示すように、磁性体
１２を吸着していたマグネット３をウエハシート２の下
面側から取り外し、半導体素子１１とウエハシート２と
の保持力をなくす。この状態で、例えば負圧を利用した
吸着コレット６によりウエハシート２上から半導体素子
１１を取り出して、図示しないリードフレーム等に半導
体素子１１をダイボンディングする。このとき、半導体
素子１１とウエハシート２との保持力は樹脂性のウエハ
シート２とニッケル等の磁性体１２との密着力だけとな
るため、図２（ｃ）に示す突き上げピン４により半導体
素子１１裏面側のウエハシート２を突き上げなくても容
易に取り出すことができる。これにより、突き上げピン
４の衝撃による半導体素子１１裏面のマイクロクラック
５の発生がなくなる。
１２を吸着していたマグネット３をウエハシート２の下
面側から取り外し、半導体素子１１とウエハシート２と
の保持力をなくす。この状態で、例えば負圧を利用した
吸着コレット６によりウエハシート２上から半導体素子
１１を取り出して、図示しないリードフレーム等に半導
体素子１１をダイボンディングする。このとき、半導体
素子１１とウエハシート２との保持力は樹脂性のウエハ
シート２とニッケル等の磁性体１２との密着力だけとな
るため、図２（ｃ）に示す突き上げピン４により半導体
素子１１裏面側のウエハシート２を突き上げなくても容
易に取り出すことができる。これにより、突き上げピン
４の衝撃による半導体素子１１裏面のマイクロクラック
５の発生がなくなる。
【００１２】なお、前述のようにウエハシート２は引き
延ばされた状態で支持枠に固定されているので、ウエハ
シート２の下面からマグネット３を取り外す場合、ウエ
ハシート２の上面に搭載された半導体素子１１がばらば
らになることなく作業が行える。さらに、吸着コレット
６により半導体素子１１をウエハシート２から取り出す
場合、他の半導体素子１１に影響を及ぼすことなく確実
に所望の半導体素子１１を取り出すことができる。
延ばされた状態で支持枠に固定されているので、ウエハ
シート２の下面からマグネット３を取り外す場合、ウエ
ハシート２の上面に搭載された半導体素子１１がばらば
らになることなく作業が行える。さらに、吸着コレット
６により半導体素子１１をウエハシート２から取り出す
場合、他の半導体素子１１に影響を及ぼすことなく確実
に所望の半導体素子１１を取り出すことができる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体ウ
エハのウエハシート保持方法によれば以下のような効果
がある。すなわち、ダイシングおよびブレイキング工程
において、磁力を用いて半導体ウエハや半導体素子をウ
エハシート上に確実に保持することができ、かつダイボ
ンディング工程において、この磁力を取り除くことで半
導体素子とウエハシートとの保持力をなくしているの
で、突き上げピンを使用しないで半導体素子をウエハシ
ート上から容易に取り出すことができる。したがって、
半導体素子の裏面にマイクロクラックが発生しなくなる
ため、製造される半導体装置の生産歩留りが向上する。
エハのウエハシート保持方法によれば以下のような効果
がある。すなわち、ダイシングおよびブレイキング工程
において、磁力を用いて半導体ウエハや半導体素子をウ
エハシート上に確実に保持することができ、かつダイボ
ンディング工程において、この磁力を取り除くことで半
導体素子とウエハシートとの保持力をなくしているの
で、突き上げピンを使用しないで半導体素子をウエハシ
ート上から容易に取り出すことができる。したがって、
半導体素子の裏面にマイクロクラックが発生しなくなる
ため、製造される半導体装置の生産歩留りが向上する。
【図１】本発明の半導体ウエハのウエハシート保持方法
を（ａ）〜（ｃ）の各製造工程順に基づいて説明する断
面図である。
を（ａ）〜（ｃ）の各製造工程順に基づいて説明する断
面図である。
【図２】従来の半導体ウエハのウエハシート保持方法を
（ａ）〜（ｃ）の各製造工程順に基づいて説明する断面
図である。
（ａ）〜（ｃ）の各製造工程順に基づいて説明する断面
図である。
１ 半導体ウエハ ２ ウエハシート ３ マグネット ４ 突き上げピン ５ マイクロクラック １１ 半導体素子 １２ 磁性体
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウエハを分割してチップ状の半導
体素子を形成する工程で、前記半導体ウエハをウエハシ
ート上に保持する方法において、 前記半導体ウエハの裏面に磁性体を取着し、前記磁性体
を前記ウエハシートの下面側に配置したマグネットから
の磁力で吸着することにより、前記半導体ウエハを前記
ウエハシート上に保持することを特徴とする半導体ウエ
ハのウエハシート保持方法。 - 【請求項２】 前記マグネットは磁気シートであること
を特徴とする請求項１記載の半導体ウエハのウエハシー
ト保持方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30102591A JPH05114643A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 半導体ウエハのウエハシート保持方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30102591A JPH05114643A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 半導体ウエハのウエハシート保持方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05114643A true JPH05114643A (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=17891945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30102591A Pending JPH05114643A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 半導体ウエハのウエハシート保持方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05114643A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003092062A3 (en) * | 2002-04-24 | 2004-03-18 | 3M Innovative Properties Co | Surface protection sheet and electronic device package |
| WO2004036642A1 (ja) * | 2002-10-18 | 2004-04-29 | Disco Corporation | 半導体ウエーハ保護ユニット及び半導体ウエーハ処理方法 |
| JP2006245487A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Lintec Corp | レーザーダイシングシートおよびレーザーダイシング方法 |
| CN105489530A (zh) * | 2015-12-02 | 2016-04-13 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | Led芯片及其制作方法 |
-
1991
- 1991-10-21 JP JP30102591A patent/JPH05114643A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2003092062A3 (en) * | 2002-04-24 | 2004-03-18 | 3M Innovative Properties Co | Surface protection sheet and electronic device package |
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| JP2006245487A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Lintec Corp | レーザーダイシングシートおよびレーザーダイシング方法 |
| CN105489530A (zh) * | 2015-12-02 | 2016-04-13 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | Led芯片及其制作方法 |
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