JP2002158193A - 半導体発光素子の製造方法およびその製造方法に用いられる定形の透明基板およびその製造方法で製造された半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体発光素子の製造方法およびその製造方法に用いられる定形の透明基板およびその製造方法で製造された半導体レーザ素子Info
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- JP2002158193A JP2002158193A JP2000354604A JP2000354604A JP2002158193A JP 2002158193 A JP2002158193 A JP 2002158193A JP 2000354604 A JP2000354604 A JP 2000354604A JP 2000354604 A JP2000354604 A JP 2000354604A JP 2002158193 A JP2002158193 A JP 2002158193A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】割れを発生させずに、半導体ウェハの厚みを５
０μｍ程度に精度よく加工できるコスト安な半導体発光
素子の製造方法を提供する。 【解決手段】定形の透明な基板７に、両面粘着シート４
を介して、不定形の半導体ウェハ１を貼付け、これを研
削することにより前記半導体ウェハ１の厚みを薄く加工
する半導体発光素子の製造方法であって、前記基板７に
は、両面粘着シート４と基板７との間に介在する気泡９
を取り除くための貫通孔１０を開設し、その貫通孔１０
から前記気泡９を取り除いて後、半導体ウェハ１を研削
加工する。
０μｍ程度に精度よく加工できるコスト安な半導体発光
素子の製造方法を提供する。 【解決手段】定形の透明な基板７に、両面粘着シート４
を介して、不定形の半導体ウェハ１を貼付け、これを研
削することにより前記半導体ウェハ１の厚みを薄く加工
する半導体発光素子の製造方法であって、前記基板７に
は、両面粘着シート４と基板７との間に介在する気泡９
を取り除くための貫通孔１０を開設し、その貫通孔１０
から前記気泡９を取り除いて後、半導体ウェハ１を研削
加工する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハの厚
み加工に用いられる半導体発光素子の製造方法およびそ
の製造方法に用いられる定形の透明基板およびその製造
方法で製造された半導体レーザ素子に関する。
み加工に用いられる半導体発光素子の製造方法およびそ
の製造方法に用いられる定形の透明基板およびその製造
方法で製造された半導体レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハを、例えば、厚み２００μ
ｍ程度に薄く加工する場合、従来では、熱剥離両面粘着
シート等で半導体ウェハを基板に貼り付けて仮固定した
後に、バックグラインド法によって、貼り付けられた半
導体ウェハの裏面を研削（厚み加工）し、厚み加工が終
了した後に、半導体ウェハを基板から取り外すような方
法が採られていた。
ｍ程度に薄く加工する場合、従来では、熱剥離両面粘着
シート等で半導体ウェハを基板に貼り付けて仮固定した
後に、バックグラインド法によって、貼り付けられた半
導体ウェハの裏面を研削（厚み加工）し、厚み加工が終
了した後に、半導体ウェハを基板から取り外すような方
法が採られていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような従来の厚み加工方法では、例えば、図４（Ａ）
（Ｂ）に示すように、両面粘着シート４と基板１７との
間に気泡９…が介在（残留）したままになっていること
があり、そのような場合に、半導体ウェハ１の厚みを更
に薄く５０μｍ程度に加工しようとすると、図４（Ａ）
に示すように、その気泡９と対応する部分１１ａが薄く
削られ過ぎ、研削中又は両面粘着シート４から半導体ウ
ェハ１を取り外す時等に、その薄くなった部分１１ａが
割れてしまうことがあった。
ような従来の厚み加工方法では、例えば、図４（Ａ）
（Ｂ）に示すように、両面粘着シート４と基板１７との
間に気泡９…が介在（残留）したままになっていること
があり、そのような場合に、半導体ウェハ１の厚みを更
に薄く５０μｍ程度に加工しようとすると、図４（Ａ）
に示すように、その気泡９と対応する部分１１ａが薄く
削られ過ぎ、研削中又は両面粘着シート４から半導体ウ
ェハ１を取り外す時等に、その薄くなった部分１１ａが
割れてしまうことがあった。
【０００４】また、厚み加工を終了した後には、通常、
研削時に生じた破砕層を除去するため、エッチングがお
こなわれるが、図４（Ａ）のように気泡９が残留してい
る場合には、エッチング中のエッチャントの温度により
その気泡９が膨張する。気泡９が膨張すると、図４
（Ｂ）に示すように、研削された半導体ウェハ１の薄く
なった部分１１ａにストレスが集中してクラックが入
り、その部分が割れてしまう。
研削時に生じた破砕層を除去するため、エッチングがお
こなわれるが、図４（Ａ）のように気泡９が残留してい
る場合には、エッチング中のエッチャントの温度により
その気泡９が膨張する。気泡９が膨張すると、図４
（Ｂ）に示すように、研削された半導体ウェハ１の薄く
なった部分１１ａにストレスが集中してクラックが入
り、その部分が割れてしまう。
【０００５】このような割れが発生すると、加工枚数が
余分に増加して加工工数が増え、かつ、後工程での作業
性の低下をも招来していた。しかも、小さく割れてしま
った半導体ウェハは修復が困難で再使用できず廃棄しな
ければならなかった。そのため、製品の歩留りが低下
し、製品コストの上昇を招いていた。
余分に増加して加工工数が増え、かつ、後工程での作業
性の低下をも招来していた。しかも、小さく割れてしま
った半導体ウェハは修復が困難で再使用できず廃棄しな
ければならなかった。そのため、製品の歩留りが低下
し、製品コストの上昇を招いていた。
【０００６】本発明は、このような実情に鑑みてなさ
れ、割れを発生させずに、半導体ウェハの厚みを５０μ
ｍ程度に精度よく加工できるコスト安な半導体発光素子
の製造方法およびその製造方法に用いられる定形の透明
基板およびその製造方法で製造された半導体レーザ素子
を提供することを目的とする。
れ、割れを発生させずに、半導体ウェハの厚みを５０μ
ｍ程度に精度よく加工できるコスト安な半導体発光素子
の製造方法およびその製造方法に用いられる定形の透明
基板およびその製造方法で製造された半導体レーザ素子
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決するための手段を以下のように構成している。
解決するための手段を以下のように構成している。
【０００８】（１）定形の基板に、両面粘着シートを介
して、不定形の半導体ウェハを貼付け、これを研削する
ことにより前記半導体ウェハの厚みを薄く加工する半導
体発光素子の製造方法であって、前記定形な基板には、
両面粘着シートと前記定形な基板との間に介在する気泡
を取り除くための貫通孔を開設し、前記気泡を前記貫通
孔から取り除いて後、前記半導体ウェハを研削加工する
ことを特徴とする。
して、不定形の半導体ウェハを貼付け、これを研削する
ことにより前記半導体ウェハの厚みを薄く加工する半導
体発光素子の製造方法であって、前記定形な基板には、
両面粘着シートと前記定形な基板との間に介在する気泡
を取り除くための貫通孔を開設し、前記気泡を前記貫通
孔から取り除いて後、前記半導体ウェハを研削加工する
ことを特徴とする。
【０００９】この構成によれば、不定形の半導体ウェハ
であっても、定形な基板に貼付けることで、厚み加工工
程の自動化が容易になり生産性が向上する。また、両面
粘着シートと定形の基板との間に介在する気泡を貫通孔
から除去した後に、研削加工をおこなうので、従来のよ
うに、気泡の存在によってその部分の半導体ウェハが薄
く削られ過ぎて割れが発生するような不具合の発生を回
避することができ、製品の歩留りが向上し、コスト安
に、半導体ウェハの厚みを均一に精度よく加工すること
ができる。
であっても、定形な基板に貼付けることで、厚み加工工
程の自動化が容易になり生産性が向上する。また、両面
粘着シートと定形の基板との間に介在する気泡を貫通孔
から除去した後に、研削加工をおこなうので、従来のよ
うに、気泡の存在によってその部分の半導体ウェハが薄
く削られ過ぎて割れが発生するような不具合の発生を回
避することができ、製品の歩留りが向上し、コスト安
に、半導体ウェハの厚みを均一に精度よく加工すること
ができる。
【００１０】（２）前記定形の基板は、透明とし、か
つ、前記両面粘着シートと定形の基板との間に介在した
気泡を、外部から目視で確認できるように構成したこと
を特徴とする。
つ、前記両面粘着シートと定形の基板との間に介在した
気泡を、外部から目視で確認できるように構成したこと
を特徴とする。
【００１１】この構成によれば、気泡の存在を研削前に
外部から目視で確認することができるため、気泡が残留
していれば、一旦、半導体ウェハを基板から取り外して
再度貼り直すか、真空オーブンで除去する等して、気泡
のない状態とした後で、研削することができる。
外部から目視で確認することができるため、気泡が残留
していれば、一旦、半導体ウェハを基板から取り外して
再度貼り直すか、真空オーブンで除去する等して、気泡
のない状態とした後で、研削することができる。
【００１２】（３）前記定形の基板は、耐エッチング性
に優れた石英ガラスからなることを特徴とする。
に優れた石英ガラスからなることを特徴とする。
【００１３】半導体ウェハの研削面には、通常、５〜１
０μｍの破砕層が存在するが、これを除去するために
は、酸やアルカリによるエッチングが必要となる。この
構成によれば、耐エッチング性に優れた石英ガラスで定
形の基板を形成しているため、研削工程とエッチング工
程とを連続して処理することができ、半導体ウェハの生
産性が向上する。
０μｍの破砕層が存在するが、これを除去するために
は、酸やアルカリによるエッチングが必要となる。この
構成によれば、耐エッチング性に優れた石英ガラスで定
形の基板を形成しているため、研削工程とエッチング工
程とを連続して処理することができ、半導体ウェハの生
産性が向上する。
【００１４】（４）前記定形の基板は、同時に複数の半
導体ウェハを貼付けできる程度の大きさに設定されたこ
とを特徴とする。
導体ウェハを貼付けできる程度の大きさに設定されたこ
とを特徴とする。
【００１５】この構成によれば、複数の半導体ウェハを
１枚の基板に貼り付けることにより、同時に複数枚の半
導体ウェハを加工することができ、生産性が向上する。
１枚の基板に貼り付けることにより、同時に複数枚の半
導体ウェハを加工することができ、生産性が向上する。
【００１６】（５）前記両面粘着シートは、同時に複数
の半導体ウェハを貼付けできる程度の大きさであり、か
つ、前記定形の基板より小さく設定されていることを特
徴とする。
の半導体ウェハを貼付けできる程度の大きさであり、か
つ、前記定形の基板より小さく設定されていることを特
徴とする。
【００１７】この構成によれば、両面粘着シートを介し
て複数の半導体ウェハを１枚の基板に貼り付けることに
より、同時に複数枚の半導体ウェハを加工することがで
き、生産性が向上する。
て複数の半導体ウェハを１枚の基板に貼り付けることに
より、同時に複数枚の半導体ウェハを加工することがで
き、生産性が向上する。
【００１８】（６）前記貫通孔を複数設けたことを特徴
とする。
とする。
【００１９】この構成によれば、真空オーブンにより、
両面粘着シートと定形の基板との間に介在する気泡を、
複数の貫通孔から効率よく取り除くことができる。
両面粘着シートと定形の基板との間に介在する気泡を、
複数の貫通孔から効率よく取り除くことができる。
【００２０】（７）前記貫通孔同士の間隔は１０ｍｍ未
満であることを特徴とする。
満であることを特徴とする。
【００２１】１つの貫通孔（内径０．７ｍｍφ程度）に
よって気泡を取り除くことができる範囲は直径１０ｍｍ
φ程度であるから、この構成のように、貫通孔同士の間
隔を１０ｍｍ未満としたことにより、気泡を完全に除去
することができる。
よって気泡を取り除くことができる範囲は直径１０ｍｍ
φ程度であるから、この構成のように、貫通孔同士の間
隔を１０ｍｍ未満としたことにより、気泡を完全に除去
することができる。
【００２２】（８）前記貫通孔は前記両面粘着シートを
貼り付ける部分のみに設けたことを特徴とする。
貼り付ける部分のみに設けたことを特徴とする。
【００２３】半導体ウェハを研削する際には、定形の基
板を真空吸着によりウェハチャックテーブルに固定する
必要があるが、この構成によれば、両面粘着シートを貼
り付ける部分以外には貫通孔がないため、基板の真空吸
着が可能となる。
板を真空吸着によりウェハチャックテーブルに固定する
必要があるが、この構成によれば、両面粘着シートを貼
り付ける部分以外には貫通孔がないため、基板の真空吸
着が可能となる。
【００２４】（９）前記請求項１〜８のいずれかに記載
の半導体発光素子の製造方法に用いるための定形の透明
基板であって、気泡を取り除くための貫通孔を開設して
なることを特徴とする。
の半導体発光素子の製造方法に用いるための定形の透明
基板であって、気泡を取り除くための貫通孔を開設して
なることを特徴とする。
【００２５】この構成によれば、簡単な加工で貫通孔を
形成した定形の透明基板を用いることにより、研削過程
に入る前に、両面粘着シートとの間に介在している気泡
を目視で確認し、かつ、これを除去することができ、精
度の高い研削加工が可能となる。
形成した定形の透明基板を用いることにより、研削過程
に入る前に、両面粘着シートとの間に介在している気泡
を目視で確認し、かつ、これを除去することができ、精
度の高い研削加工が可能となる。
【００２６】（１０）前記請求項１〜８のいずれかに記
載の半導体発光素子の製造方法により製作された半導体
レーザ素子であって、厚み加工精度が高く、レーザの発
光点位置を半導体レーザ素子の厚みの中心部に精度良く
設けたことを特徴とする。
載の半導体発光素子の製造方法により製作された半導体
レーザ素子であって、厚み加工精度が高く、レーザの発
光点位置を半導体レーザ素子の厚みの中心部に精度良く
設けたことを特徴とする。
【００２７】この構成によれば、レーザの発光点位置を
半導体レーザ素子の厚みの中心部に精度良く設けるの
で、３ビーム法を用いた光ピックアップに用いることが
できる半導体レーザ素子が得られる。
半導体レーザ素子の厚みの中心部に精度良く設けるの
で、３ビーム法を用いた光ピックアップに用いることが
できる半導体レーザ素子が得られる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の一実施形態に係
る半導体発光素子の製造方法およびその製造方法に用い
られる定形の透明基板およびその製造方法で製造された
半導体レーザ素子について図面を参照しつつ説明する。
る半導体発光素子の製造方法およびその製造方法に用い
られる定形の透明基板およびその製造方法で製造された
半導体レーザ素子について図面を参照しつつ説明する。
【００２９】図１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、半導体発光素
子の製造方法での半導体ウェハの貼り付け方法を段階的
に示す模式的説明図で、まず、図１（Ａ）にて、１は研
削加工の対象となる半導体ウェハ、２は半導体ウェハ１
をセットするためのウェハチャックテーブルで、その中
央に形成された凹部３に、半導体ウェハ１が加工面を下
にして真空吸着等によりセットされる。４は両面粘着シ
ート、５は両面粘着シート４を保持するためのシート保
持ピンで、そのシート保持ピン５の上に両面粘着シート
４がセットされる。
子の製造方法での半導体ウェハの貼り付け方法を段階的
に示す模式的説明図で、まず、図１（Ａ）にて、１は研
削加工の対象となる半導体ウェハ、２は半導体ウェハ１
をセットするためのウェハチャックテーブルで、その中
央に形成された凹部３に、半導体ウェハ１が加工面を下
にして真空吸着等によりセットされる。４は両面粘着シ
ート、５は両面粘着シート４を保持するためのシート保
持ピンで、そのシート保持ピン５の上に両面粘着シート
４がセットされる。
【００３０】６は半球状のゴム体で、図１（Ｂ）に示す
ように、このゴム体６を押し下げることによって、両面
粘着シート４の中心部を押さえ、半導体ウェハ１の中心
部から外側に向けて気泡を押し出すようにして両面粘着
シート４を半導体ウェハ１に貼り付ける。その際に、両
面粘着シート４のシート保持ピン５…は、ゴム体６が下
降し両面粘着シート４に接触すると同時にウェハチャッ
クテーブル２に打ち込まれ、両面粘着シート４の貼り付
けが終了すると、ゴム体６のみが上昇退避する。
ように、このゴム体６を押し下げることによって、両面
粘着シート４の中心部を押さえ、半導体ウェハ１の中心
部から外側に向けて気泡を押し出すようにして両面粘着
シート４を半導体ウェハ１に貼り付ける。その際に、両
面粘着シート４のシート保持ピン５…は、ゴム体６が下
降し両面粘着シート４に接触すると同時にウェハチャッ
クテーブル２に打ち込まれ、両面粘着シート４の貼り付
けが終了すると、ゴム体６のみが上昇退避する。
【００３１】次に、図１（Ｃ）に示すように、石英ガラ
スからなる定形の透明な基板７を、ウェハチャックテー
ブル２にセットされている基板保持ピン８の上にセット
し、上方から、ゴム体６を押し下げて、定形の透明な基
板７を押さえることで、半導体ウェハ１に貼り付けられ
た両面粘着シート４に定形の透明な基板７を貼り付け
る。その際に、基板保持ピン８は、ゴム体６が下降して
定形の透明な基板７に接触すると同時にウェハチャック
テーブル２に打ち込まれる。
スからなる定形の透明な基板７を、ウェハチャックテー
ブル２にセットされている基板保持ピン８の上にセット
し、上方から、ゴム体６を押し下げて、定形の透明な基
板７を押さえることで、半導体ウェハ１に貼り付けられ
た両面粘着シート４に定形の透明な基板７を貼り付け
る。その際に、基板保持ピン８は、ゴム体６が下降して
定形の透明な基板７に接触すると同時にウェハチャック
テーブル２に打ち込まれる。
【００３２】以上のようにして、両面粘着シート４を介
して、半導体ウェハ１が定形（円形状）の透明な基板７
に貼り付けられる。貼り付けが終了すると、半導体ウェ
ハ１の真空吸着が解除され、シート保持ピン５、及び、
基板保持ピン８、更にはゴム体６が同時に上昇し、ウェ
ハチャックテーブル２から、両面粘着シート４と半導体
ウェハ１と一体となった定形の透明な基板７が取出され
る。
して、半導体ウェハ１が定形（円形状）の透明な基板７
に貼り付けられる。貼り付けが終了すると、半導体ウェ
ハ１の真空吸着が解除され、シート保持ピン５、及び、
基板保持ピン８、更にはゴム体６が同時に上昇し、ウェ
ハチャックテーブル２から、両面粘着シート４と半導体
ウェハ１と一体となった定形の透明な基板７が取出され
る。
【００３３】図２（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、両面粘着シー
ト４と定形の透明な基板７との間に介在（残留）する気
泡９…を、真空オーブン（図示省略）によって取り除く
工程を模式的に示す説明図で、両面粘着シート４と定形
の透明な基板６との間に介在する気泡９…を完全に除去
するために、定形の透明な基板７には、直径０．７ｍｍ
程度の貫通孔１０…が１０ｍｍ未満の間隔で形成されて
おり、この定形の透明な基板７と両面粘着シート４と半
導体ウェハ１を真空オーブンに入れ真空引きをおこな
う。
ト４と定形の透明な基板７との間に介在（残留）する気
泡９…を、真空オーブン（図示省略）によって取り除く
工程を模式的に示す説明図で、両面粘着シート４と定形
の透明な基板６との間に介在する気泡９…を完全に除去
するために、定形の透明な基板７には、直径０．７ｍｍ
程度の貫通孔１０…が１０ｍｍ未満の間隔で形成されて
おり、この定形の透明な基板７と両面粘着シート４と半
導体ウェハ１を真空オーブンに入れ真空引きをおこな
う。
【００３４】これにより、両面粘着シート４と定形の透
明な基板７との間の気泡９…が、貫通孔１０…から完全
に吸い出されて除去される。気泡９が完全に除去されな
かった場合には、基板７が透明であるため、外部からこ
れを目視で明確に確認することができ、気泡９が完全に
除去されるまで真空オーブン内での真空引きを継続すれ
ばよい。
明な基板７との間の気泡９…が、貫通孔１０…から完全
に吸い出されて除去される。気泡９が完全に除去されな
かった場合には、基板７が透明であるため、外部からこ
れを目視で明確に確認することができ、気泡９が完全に
除去されるまで真空オーブン内での真空引きを継続すれ
ばよい。
【００３５】この様にして、気泡９が完全に除去された
状態では、図２（Ｃ）に示すように、平坦で定形の透明
な基板７に両面粘着シート４が平坦な密着状態で貼り付
けられ、半導体ウェハ１も、定形の透明な基板７に対し
て平坦な状態で貼り付けられている。このような平坦な
状態で貼り付けられた半導体ウェハ１を上面側として、
研削盤で研削することにより、図３に示すように、その
厚みを６０μｍまで精度よく均一に加工することができ
る。なお、定形の透明な基板７に形成した貫通孔１０…
は全て両面粘着シート４で覆われるものとし、これによ
り、定形の透明な基板７を研削盤のステージに真空吸着
させることが可能となる。
状態では、図２（Ｃ）に示すように、平坦で定形の透明
な基板７に両面粘着シート４が平坦な密着状態で貼り付
けられ、半導体ウェハ１も、定形の透明な基板７に対し
て平坦な状態で貼り付けられている。このような平坦な
状態で貼り付けられた半導体ウェハ１を上面側として、
研削盤で研削することにより、図３に示すように、その
厚みを６０μｍまで精度よく均一に加工することができ
る。なお、定形の透明な基板７に形成した貫通孔１０…
は全て両面粘着シート４で覆われるものとし、これによ
り、定形の透明な基板７を研削盤のステージに真空吸着
させることが可能となる。
【００３６】これに対して、前述したように、従来で
は、図４（Ａ）に示すように、研削段階にて、両面粘着
シート４と基板１７との間に気泡９…が介在したままに
なっていることがあっても、その気泡９…を除去するこ
とができず、また、その気泡９…の存在を確認すること
すらできなかった。
は、図４（Ａ）に示すように、研削段階にて、両面粘着
シート４と基板１７との間に気泡９…が介在したままに
なっていることがあっても、その気泡９…を除去するこ
とができず、また、その気泡９…の存在を確認すること
すらできなかった。
【００３７】このような状態で、半導体ウェハ１の厚み
を５０μｍ程度に加工しようとすると、気泡が大きい場
合には、その気泡９と対応する部分１１ａだけが２０μ
ｍ程度薄く削られてしまい、加工精度が著しく低下する
だけでなく、研削中又は両面粘着シート４から半導体ウ
ェハ１を取り外す時等に、その薄くなった部分が割れて
しまうことがあった。
を５０μｍ程度に加工しようとすると、気泡が大きい場
合には、その気泡９と対応する部分１１ａだけが２０μ
ｍ程度薄く削られてしまい、加工精度が著しく低下する
だけでなく、研削中又は両面粘着シート４から半導体ウ
ェハ１を取り外す時等に、その薄くなった部分が割れて
しまうことがあった。
【００３８】ところで、前述したように、研削による厚
み加工を終了した後には、通常、研削時に生じた破砕層
を除去するため、エッチングがおこなわれる。図４
（Ａ）に示すように、気泡９が残留している場合には、
エッチング中のエッチャントの温度によりその気泡９が
膨張する。
み加工を終了した後には、通常、研削時に生じた破砕層
を除去するため、エッチングがおこなわれる。図４
（Ａ）に示すように、気泡９が残留している場合には、
エッチング中のエッチャントの温度によりその気泡９が
膨張する。
【００３９】気泡９が膨張すると、図４（Ｂ）に示すよ
うに、従来方法によって研削された半導体ウェハ１の薄
くなった部分１１ａにストレスが集中してクラックが入
り、その部分１１ａが割れてしまう。本発明では、この
ような気泡を真空引きによって除去しているため、この
ようなエッチング工程での割れは発生しない。
うに、従来方法によって研削された半導体ウェハ１の薄
くなった部分１１ａにストレスが集中してクラックが入
り、その部分１１ａが割れてしまう。本発明では、この
ような気泡を真空引きによって除去しているため、この
ようなエッチング工程での割れは発生しない。
【００４０】次に、エッチングが終わった半導体ウェハ
１を基板１７から取り外す段階では、両面粘着シート４
が、熱剥離タイプの場合は、ホットプレート等による加
熱処理をおこない、また、紫外線剥離タイプの場合に
は、紫外線ランプの照射をおこなうが、その際にも、従
来のように、気泡９が残留していると、熱によって膨張
し、研削された半導体ウェハ１が変形して割れてしまう
が、本発明では、真空引きによって、気泡９を除去して
いるため、このような割れが発生することはない。
１を基板１７から取り外す段階では、両面粘着シート４
が、熱剥離タイプの場合は、ホットプレート等による加
熱処理をおこない、また、紫外線剥離タイプの場合に
は、紫外線ランプの照射をおこなうが、その際にも、従
来のように、気泡９が残留していると、熱によって膨張
し、研削された半導体ウェハ１が変形して割れてしまう
が、本発明では、真空引きによって、気泡９を除去して
いるため、このような割れが発生することはない。
【００４１】以上のように、本発明の方法では、微細な
貫通孔１０…を形成した定形の透明な基板７を用いるこ
とにより、研削工程に入る前に、予め、気泡９を除去し
ているため、厚み加工中に、半導体ウェハ１が割れるこ
となく、コスト安に、その厚みを５０μｍ程度に精度よ
く加工することができる。特に、レーザの発光点位置を
半導体レーザ素子の厚みの中心部に設け、３ビーム法を
用いた光ピックアップに用いられる高性能な半導体レー
ザ素子を歩留りよく安価に提供することができる。
貫通孔１０…を形成した定形の透明な基板７を用いるこ
とにより、研削工程に入る前に、予め、気泡９を除去し
ているため、厚み加工中に、半導体ウェハ１が割れるこ
となく、コスト安に、その厚みを５０μｍ程度に精度よ
く加工することができる。特に、レーザの発光点位置を
半導体レーザ素子の厚みの中心部に設け、３ビーム法を
用いた光ピックアップに用いられる高性能な半導体レー
ザ素子を歩留りよく安価に提供することができる。
【００４２】
【発明の効果】本発明は、以下のような効果を奏する。
【００４３】請求項１によれば、不定形の半導体ウェハ
であっても、定形な基板に貼付けることで、厚み加工工
程の自動化が容易になり生産性が向上する。また、両面
粘着シートと定形の基板との間に介在する気泡を貫通孔
から除去した後に、研削加工をおこなうので、従来のよ
うに、気泡の存在によってその部分の半導体ウェハが薄
く削られ過ぎて割れが発生するような不具合の発生を回
避することができ、製品の歩留りが向上し、コスト安
に、半導体ウェハの厚みを均一に精度よく加工すること
ができる。
であっても、定形な基板に貼付けることで、厚み加工工
程の自動化が容易になり生産性が向上する。また、両面
粘着シートと定形の基板との間に介在する気泡を貫通孔
から除去した後に、研削加工をおこなうので、従来のよ
うに、気泡の存在によってその部分の半導体ウェハが薄
く削られ過ぎて割れが発生するような不具合の発生を回
避することができ、製品の歩留りが向上し、コスト安
に、半導体ウェハの厚みを均一に精度よく加工すること
ができる。
【００４４】請求項２によれば、気泡の存在を研削前に
外部から目視で確認することができるため、気泡が残留
していれば、一旦、半導体ウェハを基板から取り外して
再度貼り直すか、真空オーブンで除去する等して、気泡
のない状態とした後で、研削することができる。
外部から目視で確認することができるため、気泡が残留
していれば、一旦、半導体ウェハを基板から取り外して
再度貼り直すか、真空オーブンで除去する等して、気泡
のない状態とした後で、研削することができる。
【００４５】請求項３によれば、耐エッチング性に優れ
た石英ガラスで定形の基板を形成しているため、研削工
程とエッチング工程とを連続して処理することができ、
半導体ウェハの生産性が向上する。
た石英ガラスで定形の基板を形成しているため、研削工
程とエッチング工程とを連続して処理することができ、
半導体ウェハの生産性が向上する。
【００４６】請求項４によれば、複数の半導体ウェハを
１枚の基板に貼り付けることにより、同時に複数枚の半
導体ウェハを加工することができ、生産性が向上する。
１枚の基板に貼り付けることにより、同時に複数枚の半
導体ウェハを加工することができ、生産性が向上する。
【００４７】請求項５によれば、両面粘着シートを介し
て複数の半導体ウェハを１枚の基板に貼り付けることに
より、同時に複数枚の半導体ウェハを加工することがで
き、生産性が向上する。
て複数の半導体ウェハを１枚の基板に貼り付けることに
より、同時に複数枚の半導体ウェハを加工することがで
き、生産性が向上する。
【００４８】請求項６によれば、真空オーブンにより、
両面粘着シートと定形の基板との間に介在する気泡を、
複数の貫通孔から効率よく取り除くことができる。
両面粘着シートと定形の基板との間に介在する気泡を、
複数の貫通孔から効率よく取り除くことができる。
【００４９】請求項７によれば、貫通孔同士の間隔を１
０ｍｍ未満としたことにより、気泡を完全に除去するこ
とができる。
０ｍｍ未満としたことにより、気泡を完全に除去するこ
とができる。
【００５０】請求項８によれば、両面粘着シートを貼り
付ける部分以外には貫通孔がないため、基板の真空吸着
が可能となる。
付ける部分以外には貫通孔がないため、基板の真空吸着
が可能となる。
【００５１】請求項９によれば、簡単な加工で貫通孔を
形成した定形の透明基板を用いることにより、研削過程
に入る前に、両面粘着シートとの間に介在している気泡
を目視で確認し、かつ、これを除去することができ、精
度の高い研削加工が可能となる。
形成した定形の透明基板を用いることにより、研削過程
に入る前に、両面粘着シートとの間に介在している気泡
を目視で確認し、かつ、これを除去することができ、精
度の高い研削加工が可能となる。
【００５２】請求項１０によれば、レーザの発光点位置
を半導体レーザ素子の厚みの中心部に精度良く設けるの
で、３ビーム法を用いた光ピックアップに用いることが
できる半導体レーザ素子が得られる。
を半導体レーザ素子の厚みの中心部に精度良く設けるの
で、３ビーム法を用いた光ピックアップに用いることが
できる半導体レーザ素子が得られる。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体ウェハの貼り
付け方法を模式的に示す説明図である。
付け方法を模式的に示す説明図である。
【図２】同両面粘着シートと定形の基板との間に残った
気泡を取り除く方法を模式的に示す説明図である。
気泡を取り除く方法を模式的に示す説明図である。
【図３】同気泡を除去した後に厚み加工をおこなった半
導体ウェハの断面図である。
導体ウェハの断面図である。
【図４】従来方法により気泡が残留した状態で研削され
た半導体ウェハおよびエッチングによって割れが発生し
た状態を示す模式的な断面図。
た半導体ウェハおよびエッチングによって割れが発生し
た状態を示す模式的な断面図。
１−半導体ウェハ ４−両面粘着シート ７−定形の透明な基板 ９−気泡 １０−貫通孔
Claims (10)
- 【請求項１】 定形の基板に、両面粘着シートを介し
て、不定形の半導体ウェハを貼付け、これを研削するこ
とにより前記半導体ウェハの厚みを薄く加工する半導体
発光素子の製造方法であって、 前記定形な基板には、両面粘着シートと前記定形な基板
との間に介在する気泡を取り除くための貫通孔を開設
し、 前記気泡を前記貫通孔から取り除いて後、前記半導体ウ
ェハを研削加工することを特徴とする半導体発光素子の
製造方法。 - 【請求項２】 前記定形の基板は、透明とし、かつ、前
記両面粘着シートと定形の基板との間に介在した気泡
を、外部から目視で確認できるように構成したことを特
徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記定形の基板は、耐エッチング性に優
れた石英ガラスからなることを特徴とする請求項１また
は２に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記定形の基板は、同時に複数の半導体
ウェハを貼付けできる程度の大きさに設定されたことを
特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体
発光素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記両面粘着シートは、同時に複数の半
導体ウェハを貼付けできる程度の大きさであり、かつ、
前記定形の基板より小さく設定されていることを特徴と
する請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体発光素
子の製造方法。 - 【請求項６】 前記貫通孔を複数設けたことを特徴とす
る請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体発光素子
の製造方法。 - 【請求項７】 前記貫通孔同士の間隔は１０ｍｍ未満で
あることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記
載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項８】 前記貫通孔は前記両面粘着シートを貼り
付ける部分のみに設けたことを特徴とする請求項１ない
し７のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項９】 前記請求項１〜８のいずれかに記載の半
導体発光素子の製造方法に用いるための定形の透明基板
であって、気泡を取り除くための貫通孔を開設してなる
ことを特徴とする定形の透明基板。 - 【請求項１０】 前記請求項１〜８のいずれかに記載の
半導体発光素子の製造方法により製作された半導体レー
ザ素子であって、厚み加工精度が高く、レーザの発光点
位置を半導体レーザ素子の厚みの中心部に精度良く設け
たことを特徴とする半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000354604A JP2002158193A (ja) | 2000-11-21 | 2000-11-21 | 半導体発光素子の製造方法およびその製造方法に用いられる定形の透明基板およびその製造方法で製造された半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000354604A JP2002158193A (ja) | 2000-11-21 | 2000-11-21 | 半導体発光素子の製造方法およびその製造方法に用いられる定形の透明基板およびその製造方法で製造された半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002158193A true JP2002158193A (ja) | 2002-05-31 |
Family
ID=18827158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000354604A Pending JP2002158193A (ja) | 2000-11-21 | 2000-11-21 | 半導体発光素子の製造方法およびその製造方法に用いられる定形の透明基板およびその製造方法で製造された半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002158193A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008007455A1 (fr) * | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Procédé d'amincissement de tranche et plaque de support |
| KR100843217B1 (ko) | 2006-12-15 | 2008-07-02 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 후면 액상접착제 도포를 이용한 반도체 패키지 제조용 인라인 시스템 |
| WO2008102548A1 (ja) | 2007-02-21 | 2008-08-28 | Panasonic Corporation | 半導体発光素子および半導体発光装置の製造方法 |
| JP2014217929A (ja) * | 2013-05-10 | 2014-11-20 | 株式会社ディスコ | 定盤ユニット及びシートの密着方法 |
| CN112563166A (zh) * | 2020-12-01 | 2021-03-26 | 中国计量大学 | 一种真空脱泡装置及方法 |
-
2000
- 2000-11-21 JP JP2000354604A patent/JP2002158193A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008007455A1 (fr) * | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Procédé d'amincissement de tranche et plaque de support |
| US8167687B2 (en) | 2006-07-14 | 2012-05-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of thinning wafer and support plate |
| KR100843217B1 (ko) | 2006-12-15 | 2008-07-02 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 후면 액상접착제 도포를 이용한 반도체 패키지 제조용 인라인 시스템 |
| WO2008102548A1 (ja) | 2007-02-21 | 2008-08-28 | Panasonic Corporation | 半導体発光素子および半導体発光装置の製造方法 |
| US7951625B2 (en) | 2007-02-21 | 2011-05-31 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting device |
| JP2014217929A (ja) * | 2013-05-10 | 2014-11-20 | 株式会社ディスコ | 定盤ユニット及びシートの密着方法 |
| CN112563166A (zh) * | 2020-12-01 | 2021-03-26 | 中国计量大学 | 一种真空脱泡装置及方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040713 |