JP2003133391A - 半導体チップの剥離方法及び装置 - Google Patents
半導体チップの剥離方法及び装置Info
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Abstract
導体チップを薄くしても半導体チップをテープから確実
に剥離させることができるようにすることを目的とす
る。 【解決手段】 外側から内側へ順次に配置された複数の
環状の接触部材54,56,58,60を含む剥離装置
38によってテープ24に貼られた半導体チップ16を
該テープから剥離させる工程を備え、半導体チップ16
が外周部から中心部に向けて段階的にテープ24から剥
離されるように該複数の環状の接触部材を作動させる構
成とする。
Description
程における半導体チップの剥離方法及び装置に関する。
エハ(半導体基板)の第1の表面に複数の半導体素子を
形成し、このシリコンウエハをダイシングして半導体素
子(シリコンチップ)毎に分離することにより形成され
る。シリコンウエハはダイシング前にダイシングテープ
に貼られ、ダイシングされた状態では分離されたシリコ
ンチップはダイシングテープに付着している。シリコン
チップはダイボンディング前に剥離装置によってダイシ
ングテープから剥離される。
離するために、従来は図11に示されるニードル装置3
4が使用されている。ニードル装置34はニードル34
Aを含む。ニードル34Aはダイシングテープ24の下
側からダイシングテープ24に向かって移動され、ダイ
シングテープ24を貫通してシリコンチップ16を持ち
上げるようになっている。また、ニードル34Aがダイ
シングテープ24を貫通しないようにしたニードル装置
もある。
ドルがシリコンチップの4角付近及び中央付近に配置さ
れ、4角付近のニードルを先に作動させ、それから中央
付近のニードルを作動させ、シリコンチップを4角付近
から中央付近に向かって段階的に剥離させるようにした
剥離装置を開示している。
ルを使用することなく、吸引溝を有する剥離装置によっ
てダイシングテープを下側から吸引することにより、シ
リコンチップをダイシングテープから剥離することを開
示している。特開平11−318376号公報は、ダイ
シングテープを下側から吸引溝で吸引し、ステージを平
行移動することにより、シリコンチップをダイシングテ
ープから剥離することを開示している。
及びシリコンチップをますます薄くする要求がある。し
かし、シリコンウエハが薄くなるにつれて、シリコンチ
ップをダイシングテープから剥離することが難しくなっ
てきている。例えば、シリコンチップが薄くなると、ニ
ードルがダイシングテープを貫通した後でシリコンチッ
プに突き刺さったり、傷がついたりする傾向になる。
ンチップは変形しやすくなり、例えば、図12に示され
るように、ニードル34Aが当たった位置においてダイ
シングテープ24及びシリコンチップ16が凹状に変形
する状態になることがある。このため、シリコンチップ
16が傷ついたり、割れたりするようになる。これは、
ダイシングテープを下側から吸引溝で吸引する場合にも
同様である。
テープ24から剥離させるためには、シリコンチップ1
6とダイシングテープ24との間のインターフェースに
空気が入り、空気がインターフェースに沿って拡がるこ
とが必要である。ダイシングテープ24が突き破られな
い場合には、空気はシリコンチップ16の中央部におい
て最初にインターフェースに入ることはなく、空気はシ
リコンチップ16の外周部においてインターフェースに
入るので、剥離はシリコンチップ16の外周部からしか
起こらない。図12に示される状況になると、剥離は生
じにくく、シリコンチップ16が損傷しやすくなる。
半導体チップをテープから確実に剥離させることができ
るようにした半導体チップの剥離方法及び装置を提供す
ることである。
プの剥離方法は、外側から内側へ順次に配置された複数
の環状の接触部材を含む剥離装置によってテープに貼ら
れた半導体チップを該テープから剥離させる工程を備
え、半導体チップが外周部から中心部に向けて段階的に
テープから剥離されるように該複数の環状の接触部材を
作動させることを特徴とする。
置は、テープに貼られた半導体チップを該テープから剥
離させるための剥離装置であって、外側から内側へ順次
に配置された複数の環状の接触部材と、半導体チップが
外周部から中心部に向けて段階的にテープから剥離され
るように該複数の環状の接触部材を作動させる作動装置
とを備えたことを特徴とする。
ら内側へ順次に配置された複数の環状の接触部材を含む
剥離装置によって外周部から中心部に向けて段階的にテ
ープから剥離される。従って、半導体チップを薄くして
も、半導体チップをテープから確実に剥離させることが
できる。
を参照して説明する。図10を参照して半導体装置の製
造方法の典型的な一連の工程の例を説明する。
施されたシリコンウエハ(半導体基板)10を示す図で
ある。シリコンウエハ10の第1の表面12には集積回
路形成プロセスによって複数の半導体素子(シリコンチ
ップ)16が形成されている。図10(B)において、
保護テープ18が半導体素子16の第1の表面12に貼
られる。
シリコンウエハ10の第1の表面12に貼られた状態
で、シリコンウエハ10の第2の表面14が削られる。
この例では、回転支持部材20がシリコンウエハ10の
保護テープ18の側を支持した状態で、機械的な加工工
具であるダイヤモンド砥石22がシリコンウエハ10の
第2の表面14を削る。この間、シリコンウエハ10の
半導体素子16が形成されている第1の表面12は保護
テープ18によって保護される。シリコンウエハ10は
所定の厚さをもつように研削される。
0の第2の表面14がダイシングテープ24に貼られ、
保護テープ18がシリコンウエハ10の第1の表面12
から剥がされる。ダイシングテープ24はウエハリング
26に貼られており、保護テープ18は例えば両面接着
テープ28により剥がされる。保護テープ18を剥がす
前に、保護テープ18にUV照射を行う。
0はダイシングテープ24に貼られた状態でダイサー3
0によってダイシングされる。分離されたシリコンチッ
プ16はダイシングテープ24に接着している。ダイシ
ングの後で、ダイシングテープ24にUV照射を行う。
図10(F)において、シリコンチップ16はリードフ
レーム32にダイボンディングされる。この場合、各シ
リコンチップ16は剥離装置38によってダイシングテ
ープ24から剥がされ、吸着ヘッド36によってリード
フレーム32へ運ばれる。
の剥離方法及び装置を示す断面図である。図1は図10
(F)のダイボンディング工程と同様のダイボンディン
グ工程でニードル装置34の代わりに使用される剥離装
置38を示す。複数のシリコンウエハ10はダイシング
テープ24に貼られており、剥離装置38と吸着ヘッド
36との間に搬送される。
ム40の頂部に配置された吸着キャップ42と、吸着キ
ャップ42の中央開口部から露出するようにフレーム4
0に取り付けられた剥離ヘッド44とを含む。さらに、
剥離装置38は、剥離ヘッド44を作動させるためのカ
ム46と、モータ48とを含む。カム46はプーリ5
0,51及びベルト52によってモータ48に作動連結
される。
ある。図2は剥離ヘッド44の表面を示す平面図であ
る。剥離ヘッド44は外側から内側へ順次に配置された
複数の環状の接触部材54,56,58,60を含む。
環状の接触部材54は最も外側に位置し、環状の接触部
材56は環状の接触部材54の内部に摺動可能に嵌合さ
れ、環状の接触部材58は環状の接触部材56の内部に
摺動可能に嵌合され、環状の接触部材60は環状の接触
部材58の内部に摺動可能に嵌合される。
触部材54,56,58,60の表面(及び断面)は正
方形の形状で形成されている。図3(B)に示す例にお
いては、環状の接触部材54,56,58,60の表面
(及び断面)は矩形の形状で形成されている。しかし、
環状の接触部材54,56,58,60の表面(及び断
面)の形状はこれらの例に限定されるものではない。
4,56,58,60はそれぞれ肩部をもつ段付き形状
に形成されている。環状の接触部材54の内方肩部54
iは環状の接触部材56の外方肩部56oを支持し、環
状の接触部材56の内方肩部56iは環状の接触部材5
8の外方肩部58oを支持し、環状の接触部材58の内
方肩部58iは環状の接触部材60の外方肩部60oを
支持する。全ての肩部が互いに当接しているときに環状
の接触部材54,56,58,60の表面は共通の平面
内に整列する。
に作動されると、全ての環状の接触部材54,56,5
8,60が上昇する。次に外側に位置する環状の接触部
材56が上方に作動されると、環状の接触部材56,5
8,60が上昇する。次に外側に位置する環状の接触部
材58が上方に作動されると、環状の接触部材58,6
0が上昇する。中央の環状の接触部材60が上方に作動
されると、環状の接触部材60のみが上昇する。
置する環状の接触部材54を第1の位置に上昇させた後
でその位置に維持し、次に外側に位置する環状の接触部
材56を第1の位置より高い第2の位置に上昇させた後
でその位置に維持し、次に外側に位置する環状の接触部
材58を第2の位置より高い第3の位置に上昇させた後
でその位置に維持し、次に中央の環状の接触部材60を
第3の位置より高い第4の位置に上昇させるように形成
されている。
部は真空チャンバとして形成され、真空チューブ62が
真空チャンバに接続されている。真空チューブ62は真
空源(図示せず)に接続される。真空チャンバに導入さ
れた真空は吸着キャップ42の上に配置されたダイシン
グテープ24に作用する。真空はダイシングテープ24
を吸着キャップ42に対して、及び環状の接触部材5
4,56,58に対して吸着させる。
する図である。各(B)図においては、ハッチングはシ
リコンチップ16のダイシングテープ24に接着されて
いる領域を示し、ハッチングのない領域ではシリコンチ
ップ16はダイシングテープ24から剥離されている。
触部材54,56,58,60は初期位置にあり、シリ
コンチップ16が接着されているダイシングテープ24
が吸着キャップ42及び環状の接触部材54,56,5
8,60の上に置かれる。真空チューブ62から導入さ
れた真空はダイシングテープ24に作用し、ダイシング
テープ24を吸着ヘッド42に吸着させる。
部材54が第1の位置に上方に作動され、よって全ての
環状の接触部材54,56,58,60が上昇する。全
ての環状の接触部材54,56,58,60の表面はシ
リコンチップ16の面積よりも少し小さい。従って、全
ての環状の接触部材54,56,58,60はシリコン
チップ16の最外周部を除いた大部分を上昇させる。
6の外側の部分には真空が作用しており、ダイシングテ
ープ24は下向きに引っ張られる。そのために、全ての
環状の接触部材54,56,58,60が上昇すると外
側に位置する環状の接触部材54のまわりのシリコンチ
ップ16の最外周部がダイシングテープ24から剥離す
る。つまり、シリコンチップ16の最外周部においてシ
リコンチップ16とダイシングテープ24との間のイン
ターフェースに空気が入る。この場合、シリコンチップ
16の大部分は環状の接触部材54,56,58,60
によって支持されており、シリコンチップ16のダイシ
ングテープ24から剥離する部分の半径方向の幅は比較
的に小さいので剥離に伴なって無理な力はかからず、か
つ、シリコンチップ16のダイシングテープ24から剥
離する部分は周方向に連続しているので剥離に伴った応
力の集中が生じない。そのため、シリコンチップ16が
損傷することがない。
の接触部材54が第1の位置に維持された状態で、次に
外側に位置する環状の接触部材56が第2の位置に上方
に作動され、環状の接触部材56,58,60が上昇す
る。このときには、環状の接触部材56の外側に位置す
る環状の接触部材54に相当するシリコンチップ16の
部分がダイシングテープ24から剥離する。つまり、空
気が外側から内側へインターフェースに入る。このとき
にも、シリコンチップ16には剥離に伴なって無理な力
がかからず、シリコンチップ16の部分はダイシングテ
ープ24から確実に剥離する。
が第2の位置に維持された状態で、次に外側に位置する
環状の接触部材58が第3の位置に上方に作動され、環
状の接触部材58,60が上昇する。このときには、こ
の環状の接触部材58の外側に位置する環状の接触部材
56に相当するシリコンチップ16の部分がダイシング
テープ24から剥離する。つまり、空気が外側から内側
へインターフェースに入る。
の位置に維持された状態で、中央に位置する環状の接触
部材60が第4の位置に上方に作動され、環状の接触部
材60が上昇する。このときには、この環状の接触部材
60の外側に位置する環状の接触部材58に相当するシ
リコンチップ16の部分がダイシングテープ24から剥
離する。つまり、空気が内側から外側へインターフェー
スに入る。
てシリコンチップ16を吸着し、シリコンチップ16を
上昇させる。従って、シリコンチップ16はダイシング
テープ24から最終的に剥離する。シリコンチップ16
とダイシングテープ24とは中央に位置する環状の接触
部材60に相当する小さな部分においてのみ接着してい
たのであるから、最終的な剥離は容易且つ確実に生じ
る。
触部材54,56,58,60は、カム48の上方への
押圧作用を受けなくなるが、真空の作用を受けているダ
イシングテープ24によって下方に押され、初期位置へ
戻る。
ップ16が外周部から中心部に向けて段階的にテープ2
4から剥離されるようになっている。従って、半導体チ
ップ16は損傷することなくテープ24から確実に剥離
する。しかも、環状の接触部材54,56,58,60
は点ではなく連続的な表面で半導体チップ16を受けて
いるので、剥離に伴なう応力の集中は生じず、半導体チ
ップ16が変形したり割れたりすることがない。
半導体チップを薄くしても半導体チップをテープから確
実に剥離させることができる。
及び装置を示す断面図である。
(A)は剥離装置の断面図、(B)はヘッドの平面図で
ある。
(A)は剥離装置の断面図、(B)はヘッドの平面図で
ある。
(A)は剥離装置の断面図、(B)はヘッドの平面図で
ある。
(A)は剥離装置の断面図、(B)はヘッドの平面図で
ある。
(A)は剥離装置の断面図、(B)はヘッドの平面図で
ある。
(A)は剥離装置の断面図、(B)はヘッドの平面図で
ある。
の例を示す図である。
のニードル装置を示す図である。
半導体ウエハを示す図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 外側から内側へ順次に配置された複数の
環状の接触部材を含む剥離装置によってテープに貼られ
た半導体チップを該テープから剥離させる工程を備え、
半導体チップが外周部から中心部に向けて段階的にテー
プから剥離されるように該複数の環状の接触部材を作動
させることを特徴とする半導体チップの剥離方法。 - 【請求項2】 該複数の環状の接触部材を同時に移動さ
せ、それから該複数の環状の接触部材のうちの外側のも
のを停止させて残りのものを同時にさらに移動させるこ
とを特徴とする請求項1に記載の半導体チップの剥離方
法。 - 【請求項3】 テープに貼られた半導体チップを該テー
プから剥離させるための剥離装置であって、外側から内
側へ順次に配置された複数の環状の接触部材と、半導体
チップが外周部から中心部に向けて段階的にテープから
剥離されるように該複数の環状の接触部材を作動させる
作動装置とを備えたことを特徴とする半導体チップの剥
離装置。 - 【請求項4】 該作動装置は該複数の環状の接触部材を
作動させるカムを含むことを特徴とする請求項3に記載
の半導体チップの剥離装置。
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US10/086,729 US6824643B2 (en) | 2001-10-23 | 2002-03-04 | Method and device of peeling semiconductor device using annular contact members |
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KR1020020014454A KR100766512B1 (ko) | 2001-10-23 | 2002-03-18 | 반도체 칩의 박리 방법 및 장치 |
CNB021080585A CN1210760C (zh) | 2001-10-23 | 2002-03-26 | 用可位移接触部件剥离半导体器件的方法和装置 |
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KR (1) | KR100766512B1 (ja) |
CN (1) | CN1210760C (ja) |
TW (1) | TW540089B (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005117019A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-28 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007109936A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップピックアップ装置およびチップピックアップ方法ならびにチップ剥離装置およびチップ剥離方法 |
WO2007078783A1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-07-12 | 3M Innovative Properties Company | Led emitter with radial prismatic light diverter |
WO2008053673A1 (fr) * | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Shibaura Mechatronics Corporation | Dispositif de collecte de puce à semiconducteur |
JP2009289785A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2013214739A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-17 | Vesi Switzerland Ag | 金属箔から半導体チップを剥離する方法 |
JP5717910B1 (ja) * | 2014-02-26 | 2015-05-13 | 株式会社新川 | 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法 |
JP2019121775A (ja) * | 2018-01-09 | 2019-07-22 | 力成科技股▲分▼有限公司 | チップ突き上げニードル装置及びチップ突き上げニードル設備 |
JP2021077686A (ja) * | 2019-11-06 | 2021-05-20 | 株式会社ディスコ | ピックアップ方法、及び、ピックアップ装置 |
Families Citing this family (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100480628B1 (ko) * | 2002-11-11 | 2005-03-31 | 삼성전자주식회사 | 에어 블로잉을 이용한 칩 픽업 방법 및 장치 |
US20060137828A1 (en) * | 2004-05-31 | 2006-06-29 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Die pickup apparatus |
CH697213A5 (de) * | 2004-05-19 | 2008-06-25 | Alphasem Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Ablösen eines auf eine flexible Folie geklebten Bauteils. |
US20050274457A1 (en) * | 2004-05-28 | 2005-12-15 | Asm Assembly Automation Ltd. | Peeling device for chip detachment |
KR100582056B1 (ko) * | 2004-07-05 | 2006-05-23 | 삼성전자주식회사 | 박형 칩 분리 장치 및 그를 이용한 박형 칩 분리 방법 |
JP4624813B2 (ja) | 2005-01-21 | 2011-02-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
US7238258B2 (en) * | 2005-04-22 | 2007-07-03 | Stats Chippac Ltd. | System for peeling semiconductor chips from tape |
US7838997B2 (en) | 2005-06-14 | 2010-11-23 | John Trezza | Remote chip attachment |
US7687400B2 (en) | 2005-06-14 | 2010-03-30 | John Trezza | Side stacking apparatus and method |
US7215032B2 (en) | 2005-06-14 | 2007-05-08 | Cubic Wafer, Inc. | Triaxial through-chip connection |
US7521806B2 (en) | 2005-06-14 | 2009-04-21 | John Trezza | Chip spanning connection |
US8456015B2 (en) | 2005-06-14 | 2013-06-04 | Cufer Asset Ltd. L.L.C. | Triaxial through-chip connection |
US20060278331A1 (en) | 2005-06-14 | 2006-12-14 | Roger Dugas | Membrane-based chip tooling |
US7560813B2 (en) | 2005-06-14 | 2009-07-14 | John Trezza | Chip-based thermo-stack |
US7534722B2 (en) | 2005-06-14 | 2009-05-19 | John Trezza | Back-to-front via process |
US7781886B2 (en) | 2005-06-14 | 2010-08-24 | John Trezza | Electronic chip contact structure |
US7786592B2 (en) | 2005-06-14 | 2010-08-31 | John Trezza | Chip capacitive coupling |
WO2006138493A2 (en) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Cubic Wafer, Inc. | Chip tooling |
US7851348B2 (en) | 2005-06-14 | 2010-12-14 | Abhay Misra | Routingless chip architecture |
JP4616748B2 (ja) * | 2005-10-11 | 2011-01-19 | 株式会社新川 | ダイピックアップ装置 |
US8052824B2 (en) * | 2005-11-04 | 2011-11-08 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Film peeling method and film peeling device |
US7687397B2 (en) | 2006-06-06 | 2010-03-30 | John Trezza | Front-end processed wafer having through-chip connections |
KR20070120319A (ko) * | 2006-06-19 | 2007-12-24 | 삼성전자주식회사 | 한 쌍의 이젝터들을 구비하는 반도체 칩의 탈착 장치 및이를 이용한 반도체 칩의 탈착 방법 |
JP2008103493A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Lintec Corp | チップのピックアップ方法及びピックアップ装置 |
US8221583B2 (en) * | 2007-01-20 | 2012-07-17 | Stats Chippac Ltd. | System for peeling semiconductor chips from tape |
US7670874B2 (en) | 2007-02-16 | 2010-03-02 | John Trezza | Plated pillar package formation |
JP4985513B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2012-07-25 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 電子部品の剥離方法及び剥離装置 |
US8141612B2 (en) * | 2009-04-02 | 2012-03-27 | Asm Assembly Automation Ltd | Device for thin die detachment and pick-up |
TWI395281B (zh) * | 2009-07-23 | 2013-05-01 | Epistar Corp | 晶粒分類裝置 |
US8092645B2 (en) * | 2010-02-05 | 2012-01-10 | Asm Assembly Automation Ltd | Control and monitoring system for thin die detachment and pick-up |
US8801352B2 (en) * | 2011-08-11 | 2014-08-12 | International Business Machines Corporation | Pick and place tape release for thin semiconductor dies |
JP5687647B2 (ja) * | 2012-03-14 | 2015-03-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置 |
KR101397750B1 (ko) * | 2012-07-25 | 2014-05-21 | 삼성전기주식회사 | 칩 이젝터 및 이를 이용한 칩 탈착 방법 |
KR20140107982A (ko) * | 2013-02-28 | 2014-09-05 | 삼성전자주식회사 | 다이 이젝터 및 다이 분리 방법 |
JP2015008191A (ja) * | 2013-06-25 | 2015-01-15 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2015065367A (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-09 | 株式会社テセック | 剥離装置およびピックアップシステム |
SG10201403372SA (en) * | 2014-06-18 | 2016-01-28 | Mfg Integration Technology Ltd | System and method for peeling a semiconductor chip from a tape using a multistage ejector |
KR102336572B1 (ko) * | 2015-01-23 | 2021-12-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 탈착 장치 및 이를 이용한 표시장치의 제조 방법 |
US9553010B2 (en) * | 2015-06-25 | 2017-01-24 | Coreflow Ltd. | Wafer gripper with non-contact support platform |
CN105514301B (zh) * | 2016-01-21 | 2017-10-24 | 武汉华星光电技术有限公司 | 蒸镀装置及蒸镀方法 |
JP2019169516A (ja) * | 2018-03-22 | 2019-10-03 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の突き上げ装置及び突き上げ方法 |
US11062923B2 (en) * | 2018-09-28 | 2021-07-13 | Rohinni, LLC | Apparatus to control transfer parameters during transfer of semiconductor devices |
CH715447B1 (de) * | 2018-10-15 | 2022-01-14 | Besi Switzerland Ag | Chip-Auswerfer. |
JP7274902B2 (ja) * | 2019-03-25 | 2023-05-17 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
KR102178047B1 (ko) * | 2019-05-08 | 2020-11-12 | 세메스 주식회사 | 다이 이젝팅 장치 |
JP7326861B2 (ja) * | 2019-05-17 | 2023-08-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
KR102220340B1 (ko) * | 2019-06-11 | 2021-02-25 | 세메스 주식회사 | 다이 이젝팅 장치 |
US11764098B2 (en) * | 2021-04-16 | 2023-09-19 | Asmpt Singapore Pte. Ltd. | Detaching a die from an adhesive tape by air ejection |
JP2023064405A (ja) * | 2021-10-26 | 2023-05-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3785507A (en) * | 1968-12-19 | 1974-01-15 | Teledyne Inc | Die sorting system |
JPS62166536A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 電子部品の突き上げ装置 |
US4850780A (en) * | 1987-09-28 | 1989-07-25 | Kulicke And Soffa Industries Inc. | Pre-peel die ejector apparatus |
JPH01321650A (ja) * | 1988-06-22 | 1989-12-27 | Kawasaki Steel Corp | 半導体チツプのピツクアツプ装置 |
JPH0266957A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-07 | Nec Corp | 半導体素子のピックアップ装置 |
JPH02113547A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-25 | Mitsubishi Electric Corp | 突出し装置 |
JP3117326B2 (ja) | 1993-05-28 | 2000-12-11 | 株式会社東芝 | 半導体チップ取出装置 |
JPH10189690A (ja) | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Hitachi Ltd | 半導体チップのピックアップ方法及びピックアップ装置 |
JP3817894B2 (ja) * | 1998-04-06 | 2006-09-06 | 三菱電機株式会社 | チップ突き上げ装置及びそれを用いたダイボンディング装置 |
JP2000353710A (ja) * | 1999-06-14 | 2000-12-19 | Toshiba Corp | ペレットピックアップ装置および半導体装置の製造方法 |
JP3209736B2 (ja) | 1999-11-09 | 2001-09-17 | エヌイーシーマシナリー株式会社 | ペレットピックアップ装置 |
JP3892703B2 (ja) * | 2001-10-19 | 2007-03-14 | 富士通株式会社 | 半導体基板用治具及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
-
2001
- 2001-10-23 JP JP2001325113A patent/JP3976541B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-03-04 US US10/086,729 patent/US6824643B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-05 TW TW091104019A patent/TW540089B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-03-18 KR KR1020020014454A patent/KR100766512B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-03-26 CN CNB021080585A patent/CN1210760C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4574251B2 (ja) * | 2003-09-17 | 2010-11-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR101244482B1 (ko) * | 2003-09-17 | 2013-03-18 | 가부시키가이샤 르네사스 히가시 니혼 세미콘덕터 | 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2005117019A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-28 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007109936A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップピックアップ装置およびチップピックアップ方法ならびにチップ剥離装置およびチップ剥離方法 |
KR101218662B1 (ko) | 2005-10-14 | 2013-01-18 | 파나소닉 주식회사 | 칩 픽업 장치, 칩 픽업 방법, 칩 박리 장치 및 칩 박리방법 |
WO2007078783A1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-07-12 | 3M Innovative Properties Company | Led emitter with radial prismatic light diverter |
JP2008117806A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-22 | Shibaura Mechatronics Corp | 半導体チップのピックアップ装置 |
WO2008053673A1 (fr) * | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Shibaura Mechatronics Corporation | Dispositif de collecte de puce à semiconducteur |
TWI423349B (zh) * | 2006-10-31 | 2014-01-11 | Shibaura Mechatronics Corp | Pickup device for semiconductor wafers |
JP2009289785A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2013214739A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-17 | Vesi Switzerland Ag | 金属箔から半導体チップを剥離する方法 |
JP5717910B1 (ja) * | 2014-02-26 | 2015-05-13 | 株式会社新川 | 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法 |
WO2015129105A1 (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-03 | 株式会社新川 | 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法 |
JP2015179813A (ja) * | 2014-02-26 | 2015-10-08 | 株式会社新川 | 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法 |
JP2019121775A (ja) * | 2018-01-09 | 2019-07-22 | 力成科技股▲分▼有限公司 | チップ突き上げニードル装置及びチップ突き上げニードル設備 |
JP2021077686A (ja) * | 2019-11-06 | 2021-05-20 | 株式会社ディスコ | ピックアップ方法、及び、ピックアップ装置 |
JP7486264B2 (ja) | 2019-11-06 | 2024-05-17 | 株式会社ディスコ | ピックアップ方法、及び、ピックアップ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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