JP2003133391A - 半導体チップの剥離方法及び装置 - Google Patents

半導体チップの剥離方法及び装置

Info

Publication number
JP2003133391A
JP2003133391A JP2001325113A JP2001325113A JP2003133391A JP 2003133391 A JP2003133391 A JP 2003133391A JP 2001325113 A JP2001325113 A JP 2001325113A JP 2001325113 A JP2001325113 A JP 2001325113A JP 2003133391 A JP2003133391 A JP 2003133391A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
annular contact
peeling
semiconductor chip
tape
contact members
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001325113A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3976541B2 (ja
Inventor
Kazuhiro Yoshimoto
和浩 吉本
Kazuo Teshirogi
和雄 手代木
Eiji Yoshida
英治 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2001325113A priority Critical patent/JP3976541B2/ja
Priority to US10/086,729 priority patent/US6824643B2/en
Priority to TW091104019A priority patent/TW540089B/zh
Priority to KR1020020014454A priority patent/KR100766512B1/ko
Priority to CNB021080585A priority patent/CN1210760C/zh
Publication of JP2003133391A publication Critical patent/JP2003133391A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3976541B2 publication Critical patent/JP3976541B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H01L2221/68322Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/934Apparatus having delaminating means adapted for delaminating a specified article
    • Y10S156/941Means for delaminating semiconductive product
    • Y10S156/943Means for delaminating semiconductive product with poking delaminating means, e.g. jabbing means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/976Temporary protective layer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168Gripping and pulling work apart during delaminating
    • Y10T156/1179Gripping and pulling work apart during delaminating with poking during delaminating [e.g., jabbing, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1978Delaminating bending means
    • Y10T156/1983Poking delaminating means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49815Disassembling
    • Y10T29/49822Disassembling by applying force
    • Y10T29/49824Disassembling by applying force to elastically deform work part or connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体チップの剥離方法及び装置に関し、半
導体チップを薄くしても半導体チップをテープから確実
に剥離させることができるようにすることを目的とす
る。 【解決手段】 外側から内側へ順次に配置された複数の
環状の接触部材54,56,58,60を含む剥離装置
38によってテープ24に貼られた半導体チップ16を
該テープから剥離させる工程を備え、半導体チップ16
が外周部から中心部に向けて段階的にテープ24から剥
離されるように該複数の環状の接触部材を作動させる構
成とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造工
程における半導体チップの剥離方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置は、例えばシリコンウ
エハ(半導体基板)の第1の表面に複数の半導体素子を
形成し、このシリコンウエハをダイシングして半導体素
子(シリコンチップ)毎に分離することにより形成され
る。シリコンウエハはダイシング前にダイシングテープ
に貼られ、ダイシングされた状態では分離されたシリコ
ンチップはダイシングテープに付着している。シリコン
チップはダイボンディング前に剥離装置によってダイシ
ングテープから剥離される。
【0003】シリコンチップをダイシングテープから剥
離するために、従来は図11に示されるニードル装置3
4が使用されている。ニードル装置34はニードル34
Aを含む。ニードル34Aはダイシングテープ24の下
側からダイシングテープ24に向かって移動され、ダイ
シングテープ24を貫通してシリコンチップ16を持ち
上げるようになっている。また、ニードル34Aがダイ
シングテープ24を貫通しないようにしたニードル装置
もある。
【0004】特開平10−189690号公報は、ニー
ドルがシリコンチップの4角付近及び中央付近に配置さ
れ、4角付近のニードルを先に作動させ、それから中央
付近のニードルを作動させ、シリコンチップを4角付近
から中央付近に向かって段階的に剥離させるようにした
剥離装置を開示している。
【0005】特開平6−338527号公報は、ニード
ルを使用することなく、吸引溝を有する剥離装置によっ
てダイシングテープを下側から吸引することにより、シ
リコンチップをダイシングテープから剥離することを開
示している。特開平11−318376号公報は、ダイ
シングテープを下側から吸引溝で吸引し、ステージを平
行移動することにより、シリコンチップをダイシングテ
ープから剥離することを開示している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】最近、シリコンウエハ
及びシリコンチップをますます薄くする要求がある。し
かし、シリコンウエハが薄くなるにつれて、シリコンチ
ップをダイシングテープから剥離することが難しくなっ
てきている。例えば、シリコンチップが薄くなると、ニ
ードルがダイシングテープを貫通した後でシリコンチッ
プに突き刺さったり、傷がついたりする傾向になる。
【0007】また、シリコンチップが薄くなるとシリコ
ンチップは変形しやすくなり、例えば、図12に示され
るように、ニードル34Aが当たった位置においてダイ
シングテープ24及びシリコンチップ16が凹状に変形
する状態になることがある。このため、シリコンチップ
16が傷ついたり、割れたりするようになる。これは、
ダイシングテープを下側から吸引溝で吸引する場合にも
同様である。
【0008】さらに、シリコンチップ16をダイシング
テープ24から剥離させるためには、シリコンチップ1
6とダイシングテープ24との間のインターフェースに
空気が入り、空気がインターフェースに沿って拡がるこ
とが必要である。ダイシングテープ24が突き破られな
い場合には、空気はシリコンチップ16の中央部におい
て最初にインターフェースに入ることはなく、空気はシ
リコンチップ16の外周部においてインターフェースに
入るので、剥離はシリコンチップ16の外周部からしか
起こらない。図12に示される状況になると、剥離は生
じにくく、シリコンチップ16が損傷しやすくなる。
【0009】本発明の目的は半導体チップを薄くしても
半導体チップをテープから確実に剥離させることができ
るようにした半導体チップの剥離方法及び装置を提供す
ることである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体チッ
プの剥離方法は、外側から内側へ順次に配置された複数
の環状の接触部材を含む剥離装置によってテープに貼ら
れた半導体チップを該テープから剥離させる工程を備
え、半導体チップが外周部から中心部に向けて段階的に
テープから剥離されるように該複数の環状の接触部材を
作動させることを特徴とする。
【0011】また、本発明による半導体チップの剥離装
置は、テープに貼られた半導体チップを該テープから剥
離させるための剥離装置であって、外側から内側へ順次
に配置された複数の環状の接触部材と、半導体チップが
外周部から中心部に向けて段階的にテープから剥離され
るように該複数の環状の接触部材を作動させる作動装置
とを備えたことを特徴とする。
【0012】この構成によれば、半導体チップが外側か
ら内側へ順次に配置された複数の環状の接触部材を含む
剥離装置によって外周部から中心部に向けて段階的にテ
ープから剥離される。従って、半導体チップを薄くして
も、半導体チップをテープから確実に剥離させることが
できる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施例について図面
を参照して説明する。図10を参照して半導体装置の製
造方法の典型的な一連の工程の例を説明する。
【0014】図10(A)は集積回路形成プロセスが実
施されたシリコンウエハ(半導体基板)10を示す図で
ある。シリコンウエハ10の第1の表面12には集積回
路形成プロセスによって複数の半導体素子(シリコンチ
ップ)16が形成されている。図10(B)において、
保護テープ18が半導体素子16の第1の表面12に貼
られる。
【0015】図10(C)において、保護テープ18が
シリコンウエハ10の第1の表面12に貼られた状態
で、シリコンウエハ10の第2の表面14が削られる。
この例では、回転支持部材20がシリコンウエハ10の
保護テープ18の側を支持した状態で、機械的な加工工
具であるダイヤモンド砥石22がシリコンウエハ10の
第2の表面14を削る。この間、シリコンウエハ10の
半導体素子16が形成されている第1の表面12は保護
テープ18によって保護される。シリコンウエハ10は
所定の厚さをもつように研削される。
【0016】図10(D)において、シリコンウエハ1
0の第2の表面14がダイシングテープ24に貼られ、
保護テープ18がシリコンウエハ10の第1の表面12
から剥がされる。ダイシングテープ24はウエハリング
26に貼られており、保護テープ18は例えば両面接着
テープ28により剥がされる。保護テープ18を剥がす
前に、保護テープ18にUV照射を行う。
【0017】図10(E)において、シリコンウエハ1
0はダイシングテープ24に貼られた状態でダイサー3
0によってダイシングされる。分離されたシリコンチッ
プ16はダイシングテープ24に接着している。ダイシ
ングの後で、ダイシングテープ24にUV照射を行う。
図10(F)において、シリコンチップ16はリードフ
レーム32にダイボンディングされる。この場合、各シ
リコンチップ16は剥離装置38によってダイシングテ
ープ24から剥がされ、吸着ヘッド36によってリード
フレーム32へ運ばれる。
【0018】図1は本発明の実施例による半導体チップ
の剥離方法及び装置を示す断面図である。図1は図10
(F)のダイボンディング工程と同様のダイボンディン
グ工程でニードル装置34の代わりに使用される剥離装
置38を示す。複数のシリコンウエハ10はダイシング
テープ24に貼られており、剥離装置38と吸着ヘッド
36との間に搬送される。
【0019】剥離装置38は、フレーム40と、フレー
ム40の頂部に配置された吸着キャップ42と、吸着キ
ャップ42の中央開口部から露出するようにフレーム4
0に取り付けられた剥離ヘッド44とを含む。さらに、
剥離装置38は、剥離ヘッド44を作動させるためのカ
ム46と、モータ48とを含む。カム46はプーリ5
0,51及びベルト52によってモータ48に作動連結
される。
【0020】図2は剥離ヘッド44を示す拡大断面図で
ある。図2は剥離ヘッド44の表面を示す平面図であ
る。剥離ヘッド44は外側から内側へ順次に配置された
複数の環状の接触部材54,56,58,60を含む。
環状の接触部材54は最も外側に位置し、環状の接触部
材56は環状の接触部材54の内部に摺動可能に嵌合さ
れ、環状の接触部材58は環状の接触部材56の内部に
摺動可能に嵌合され、環状の接触部材60は環状の接触
部材58の内部に摺動可能に嵌合される。
【0021】図3(A)に示す例においては、環状の接
触部材54,56,58,60の表面(及び断面)は正
方形の形状で形成されている。図3(B)に示す例にお
いては、環状の接触部材54,56,58,60の表面
(及び断面)は矩形の形状で形成されている。しかし、
環状の接触部材54,56,58,60の表面(及び断
面)の形状はこれらの例に限定されるものではない。
【0022】図2に示されるように、環状の接触部材5
4,56,58,60はそれぞれ肩部をもつ段付き形状
に形成されている。環状の接触部材54の内方肩部54
iは環状の接触部材56の外方肩部56oを支持し、環
状の接触部材56の内方肩部56iは環状の接触部材5
8の外方肩部58oを支持し、環状の接触部材58の内
方肩部58iは環状の接触部材60の外方肩部60oを
支持する。全ての肩部が互いに当接しているときに環状
の接触部材54,56,58,60の表面は共通の平面
内に整列する。
【0023】外側に位置する環状の接触部材54が上方
に作動されると、全ての環状の接触部材54,56,5
8,60が上昇する。次に外側に位置する環状の接触部
材56が上方に作動されると、環状の接触部材56,5
8,60が上昇する。次に外側に位置する環状の接触部
材58が上方に作動されると、環状の接触部材58,6
0が上昇する。中央の環状の接触部材60が上方に作動
されると、環状の接触部材60のみが上昇する。
【0024】カム46は、その1回転の間に、外側に位
置する環状の接触部材54を第1の位置に上昇させた後
でその位置に維持し、次に外側に位置する環状の接触部
材56を第1の位置より高い第2の位置に上昇させた後
でその位置に維持し、次に外側に位置する環状の接触部
材58を第2の位置より高い第3の位置に上昇させた後
でその位置に維持し、次に中央の環状の接触部材60を
第3の位置より高い第4の位置に上昇させるように形成
されている。
【0025】さらに、剥離装置38のフレーム40の内
部は真空チャンバとして形成され、真空チューブ62が
真空チャンバに接続されている。真空チューブ62は真
空源(図示せず)に接続される。真空チャンバに導入さ
れた真空は吸着キャップ42の上に配置されたダイシン
グテープ24に作用する。真空はダイシングテープ24
を吸着キャップ42に対して、及び環状の接触部材5
4,56,58に対して吸着させる。
【0026】図4から図9は剥離装置38の作動を説明
する図である。各(B)図においては、ハッチングはシ
リコンチップ16のダイシングテープ24に接着されて
いる領域を示し、ハッチングのない領域ではシリコンチ
ップ16はダイシングテープ24から剥離されている。
【0027】図4において、剥離ヘッド44の環状の接
触部材54,56,58,60は初期位置にあり、シリ
コンチップ16が接着されているダイシングテープ24
が吸着キャップ42及び環状の接触部材54,56,5
8,60の上に置かれる。真空チューブ62から導入さ
れた真空はダイシングテープ24に作用し、ダイシング
テープ24を吸着ヘッド42に吸着させる。
【0028】図5において、外側に位置する環状の接触
部材54が第1の位置に上方に作動され、よって全ての
環状の接触部材54,56,58,60が上昇する。全
ての環状の接触部材54,56,58,60の表面はシ
リコンチップ16の面積よりも少し小さい。従って、全
ての環状の接触部材54,56,58,60はシリコン
チップ16の最外周部を除いた大部分を上昇させる。
【0029】ダイシングテープ24のシリコンチップ1
6の外側の部分には真空が作用しており、ダイシングテ
ープ24は下向きに引っ張られる。そのために、全ての
環状の接触部材54,56,58,60が上昇すると外
側に位置する環状の接触部材54のまわりのシリコンチ
ップ16の最外周部がダイシングテープ24から剥離す
る。つまり、シリコンチップ16の最外周部においてシ
リコンチップ16とダイシングテープ24との間のイン
ターフェースに空気が入る。この場合、シリコンチップ
16の大部分は環状の接触部材54,56,58,60
によって支持されており、シリコンチップ16のダイシ
ングテープ24から剥離する部分の半径方向の幅は比較
的に小さいので剥離に伴なって無理な力はかからず、か
つ、シリコンチップ16のダイシングテープ24から剥
離する部分は周方向に連続しているので剥離に伴った応
力の集中が生じない。そのため、シリコンチップ16が
損傷することがない。
【0030】図6において、次に、外側に位置する環状
の接触部材54が第1の位置に維持された状態で、次に
外側に位置する環状の接触部材56が第2の位置に上方
に作動され、環状の接触部材56,58,60が上昇す
る。このときには、環状の接触部材56の外側に位置す
る環状の接触部材54に相当するシリコンチップ16の
部分がダイシングテープ24から剥離する。つまり、空
気が外側から内側へインターフェースに入る。このとき
にも、シリコンチップ16には剥離に伴なって無理な力
がかからず、シリコンチップ16の部分はダイシングテ
ープ24から確実に剥離する。
【0031】図7において、次に、環状の接触部材56
が第2の位置に維持された状態で、次に外側に位置する
環状の接触部材58が第3の位置に上方に作動され、環
状の接触部材58,60が上昇する。このときには、こ
の環状の接触部材58の外側に位置する環状の接触部材
56に相当するシリコンチップ16の部分がダイシング
テープ24から剥離する。つまり、空気が外側から内側
へインターフェースに入る。
【0032】図8において、環状の接触部材58が第3
の位置に維持された状態で、中央に位置する環状の接触
部材60が第4の位置に上方に作動され、環状の接触部
材60が上昇する。このときには、この環状の接触部材
60の外側に位置する環状の接触部材58に相当するシ
リコンチップ16の部分がダイシングテープ24から剥
離する。つまり、空気が内側から外側へインターフェー
スに入る。
【0033】図9において、吸着ヘッド36が作動され
てシリコンチップ16を吸着し、シリコンチップ16を
上昇させる。従って、シリコンチップ16はダイシング
テープ24から最終的に剥離する。シリコンチップ16
とダイシングテープ24とは中央に位置する環状の接触
部材60に相当する小さな部分においてのみ接着してい
たのであるから、最終的な剥離は容易且つ確実に生じ
る。
【0034】カム46が1回転すると、全ての環状の接
触部材54,56,58,60は、カム48の上方への
押圧作用を受けなくなるが、真空の作用を受けているダ
イシングテープ24によって下方に押され、初期位置へ
戻る。
【0035】このように、本発明においては、半導体チ
ップ16が外周部から中心部に向けて段階的にテープ2
4から剥離されるようになっている。従って、半導体チ
ップ16は損傷することなくテープ24から確実に剥離
する。しかも、環状の接触部材54,56,58,60
は点ではなく連続的な表面で半導体チップ16を受けて
いるので、剥離に伴なう応力の集中は生じず、半導体チ
ップ16が変形したり割れたりすることがない。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体チップを薄くしても半導体チップをテープから確
実に剥離させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例による半導体チップの剥離方法
及び装置を示す断面図である。
【図2】図1の剥離ヘッドを示す拡大断面図である。
【図3】図1の剥離ヘッドの表面を示す平面図である。
【図4】図1の剥離装置の作動を説明する図であり、
(A)は剥離装置の断面図、(B)はヘッドの平面図で
ある。
【図5】図1の剥離装置の作動を説明する図であり、
(A)は剥離装置の断面図、(B)はヘッドの平面図で
ある。
【図6】図1の剥離装置の作動を説明する図であり、
(A)は剥離装置の断面図、(B)はヘッドの平面図で
ある。
【図7】図1の剥離装置の作動を説明する図であり、
(A)は剥離装置の断面図、(B)はヘッドの平面図で
ある。
【図8】図1の剥離装置の作動を説明する図であり、
(A)は剥離装置の断面図、(B)はヘッドの平面図で
ある。
【図9】図1の剥離装置の作動を説明する図であり、
(A)は剥離装置の断面図、(B)はヘッドの平面図で
ある。
【図10】半導体装置の製造方法の典型的な一連の工程
の例を示す図である。
【図11】半導体ウエハの剥離のために使用される従来
のニードル装置を示す図である。
【図12】半導体ウエハが薄い場合に剥離時に変形した
半導体ウエハを示す図である。
【符号の説明】
10…シリコンウエハ 16…半導体チップ 24…ダイシングテープ 38…剥離装置 44…剥離ヘッド 46…カム 54,56,58,60…環状の接触部材
フロントページの続き (72)発明者 吉田 英治 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 Fターム(参考) 5F031 CA13 HA78 LA11 LA13 MA39 MA40 PA20

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 外側から内側へ順次に配置された複数の
    環状の接触部材を含む剥離装置によってテープに貼られ
    た半導体チップを該テープから剥離させる工程を備え、
    半導体チップが外周部から中心部に向けて段階的にテー
    プから剥離されるように該複数の環状の接触部材を作動
    させることを特徴とする半導体チップの剥離方法。
  2. 【請求項2】 該複数の環状の接触部材を同時に移動さ
    せ、それから該複数の環状の接触部材のうちの外側のも
    のを停止させて残りのものを同時にさらに移動させるこ
    とを特徴とする請求項1に記載の半導体チップの剥離方
    法。
  3. 【請求項3】 テープに貼られた半導体チップを該テー
    プから剥離させるための剥離装置であって、外側から内
    側へ順次に配置された複数の環状の接触部材と、半導体
    チップが外周部から中心部に向けて段階的にテープから
    剥離されるように該複数の環状の接触部材を作動させる
    作動装置とを備えたことを特徴とする半導体チップの剥
    離装置。
  4. 【請求項4】 該作動装置は該複数の環状の接触部材を
    作動させるカムを含むことを特徴とする請求項3に記載
    の半導体チップの剥離装置。
JP2001325113A 2001-10-23 2001-10-23 半導体チップの剥離方法及び装置 Expired - Fee Related JP3976541B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001325113A JP3976541B2 (ja) 2001-10-23 2001-10-23 半導体チップの剥離方法及び装置
US10/086,729 US6824643B2 (en) 2001-10-23 2002-03-04 Method and device of peeling semiconductor device using annular contact members
TW091104019A TW540089B (en) 2001-10-23 2002-03-05 Method and device of peeling semiconductor device using annular contact members
KR1020020014454A KR100766512B1 (ko) 2001-10-23 2002-03-18 반도체 칩의 박리 방법 및 장치
CNB021080585A CN1210760C (zh) 2001-10-23 2002-03-26 用可位移接触部件剥离半导体器件的方法和装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001325113A JP3976541B2 (ja) 2001-10-23 2001-10-23 半導体チップの剥離方法及び装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003133391A true JP2003133391A (ja) 2003-05-09
JP3976541B2 JP3976541B2 (ja) 2007-09-19

Family

ID=19141732

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001325113A Expired - Fee Related JP3976541B2 (ja) 2001-10-23 2001-10-23 半導体チップの剥離方法及び装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6824643B2 (ja)
JP (1) JP3976541B2 (ja)
KR (1) KR100766512B1 (ja)
CN (1) CN1210760C (ja)
TW (1) TW540089B (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005117019A (ja) * 2003-09-17 2005-04-28 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2007109936A (ja) * 2005-10-14 2007-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップピックアップ装置およびチップピックアップ方法ならびにチップ剥離装置およびチップ剥離方法
WO2007078783A1 (en) * 2005-12-21 2007-07-12 3M Innovative Properties Company Led emitter with radial prismatic light diverter
WO2008053673A1 (fr) * 2006-10-31 2008-05-08 Shibaura Mechatronics Corporation Dispositif de collecte de puce à semiconducteur
JP2009289785A (ja) * 2008-05-27 2009-12-10 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP2013214739A (ja) * 2012-03-30 2013-10-17 Vesi Switzerland Ag 金属箔から半導体チップを剥離する方法
JP5717910B1 (ja) * 2014-02-26 2015-05-13 株式会社新川 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法
JP2019121775A (ja) * 2018-01-09 2019-07-22 力成科技股▲分▼有限公司 チップ突き上げニードル装置及びチップ突き上げニードル設備
JP7486264B2 (ja) 2019-11-06 2024-05-17 株式会社ディスコ ピックアップ方法、及び、ピックアップ装置

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100480628B1 (ko) * 2002-11-11 2005-03-31 삼성전자주식회사 에어 블로잉을 이용한 칩 픽업 방법 및 장치
US20060137828A1 (en) * 2004-05-31 2006-06-29 Kabushiki Kaisha Shinkawa Die pickup apparatus
CH697213A5 (de) 2004-05-19 2008-06-25 Alphasem Ag Verfahren und Vorrichtung zum Ablösen eines auf eine flexible Folie geklebten Bauteils.
US20050274457A1 (en) * 2004-05-28 2005-12-15 Asm Assembly Automation Ltd. Peeling device for chip detachment
KR100582056B1 (ko) * 2004-07-05 2006-05-23 삼성전자주식회사 박형 칩 분리 장치 및 그를 이용한 박형 칩 분리 방법
JP4624813B2 (ja) 2005-01-21 2011-02-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
US7238258B2 (en) * 2005-04-22 2007-07-03 Stats Chippac Ltd. System for peeling semiconductor chips from tape
US7942182B2 (en) 2005-06-14 2011-05-17 Cufer Asset Ltd. L.L.C. Rigid-backed, membrane-based chip tooling
US7534722B2 (en) 2005-06-14 2009-05-19 John Trezza Back-to-front via process
US7687400B2 (en) 2005-06-14 2010-03-30 John Trezza Side stacking apparatus and method
US7781886B2 (en) 2005-06-14 2010-08-24 John Trezza Electronic chip contact structure
US8456015B2 (en) 2005-06-14 2013-06-04 Cufer Asset Ltd. L.L.C. Triaxial through-chip connection
US7851348B2 (en) 2005-06-14 2010-12-14 Abhay Misra Routingless chip architecture
WO2006138493A2 (en) * 2005-06-14 2006-12-28 Cubic Wafer, Inc. Chip tooling
US7838997B2 (en) 2005-06-14 2010-11-23 John Trezza Remote chip attachment
US7521806B2 (en) 2005-06-14 2009-04-21 John Trezza Chip spanning connection
US7215032B2 (en) 2005-06-14 2007-05-08 Cubic Wafer, Inc. Triaxial through-chip connection
US7786592B2 (en) 2005-06-14 2010-08-31 John Trezza Chip capacitive coupling
US7560813B2 (en) 2005-06-14 2009-07-14 John Trezza Chip-based thermo-stack
JP4616748B2 (ja) * 2005-10-11 2011-01-19 株式会社新川 ダイピックアップ装置
EP1947688A4 (en) * 2005-11-04 2010-10-27 Tokyo Seimitsu Co Ltd FILM-PULLING METHOD AND FILM-PULLING DEVICE
US7687397B2 (en) 2006-06-06 2010-03-30 John Trezza Front-end processed wafer having through-chip connections
KR20070120319A (ko) * 2006-06-19 2007-12-24 삼성전자주식회사 한 쌍의 이젝터들을 구비하는 반도체 칩의 탈착 장치 및이를 이용한 반도체 칩의 탈착 방법
JP2008103493A (ja) * 2006-10-18 2008-05-01 Lintec Corp チップのピックアップ方法及びピックアップ装置
US8221583B2 (en) * 2007-01-20 2012-07-17 Stats Chippac Ltd. System for peeling semiconductor chips from tape
US7670874B2 (en) 2007-02-16 2010-03-02 John Trezza Plated pillar package formation
JP4985513B2 (ja) * 2008-03-26 2012-07-25 富士通セミコンダクター株式会社 電子部品の剥離方法及び剥離装置
US8141612B2 (en) * 2009-04-02 2012-03-27 Asm Assembly Automation Ltd Device for thin die detachment and pick-up
TWI395281B (zh) * 2009-07-23 2013-05-01 Epistar Corp 晶粒分類裝置
US8092645B2 (en) * 2010-02-05 2012-01-10 Asm Assembly Automation Ltd Control and monitoring system for thin die detachment and pick-up
US8801352B2 (en) * 2011-08-11 2014-08-12 International Business Machines Corporation Pick and place tape release for thin semiconductor dies
JP5687647B2 (ja) * 2012-03-14 2015-03-18 株式会社東芝 半導体装置の製造方法、半導体製造装置
KR101397750B1 (ko) * 2012-07-25 2014-05-21 삼성전기주식회사 칩 이젝터 및 이를 이용한 칩 탈착 방법
KR20140107982A (ko) * 2013-02-28 2014-09-05 삼성전자주식회사 다이 이젝터 및 다이 분리 방법
JP2015008191A (ja) * 2013-06-25 2015-01-15 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP2015065367A (ja) * 2013-09-26 2015-04-09 株式会社テセック 剥離装置およびピックアップシステム
SG10201403372SA (en) 2014-06-18 2016-01-28 Mfg Integration Technology Ltd System and method for peeling a semiconductor chip from a tape using a multistage ejector
KR102336572B1 (ko) * 2015-01-23 2021-12-08 삼성디스플레이 주식회사 기판 탈착 장치 및 이를 이용한 표시장치의 제조 방법
US9553010B2 (en) * 2015-06-25 2017-01-24 Coreflow Ltd. Wafer gripper with non-contact support platform
CN105514301B (zh) * 2016-01-21 2017-10-24 武汉华星光电技术有限公司 蒸镀装置及蒸镀方法
JP2019169516A (ja) * 2018-03-22 2019-10-03 東芝メモリ株式会社 半導体装置の突き上げ装置及び突き上げ方法
US11062923B2 (en) * 2018-09-28 2021-07-13 Rohinni, LLC Apparatus to control transfer parameters during transfer of semiconductor devices
JP7274902B2 (ja) * 2019-03-25 2023-05-17 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR102178047B1 (ko) * 2019-05-08 2020-11-12 세메스 주식회사 다이 이젝팅 장치
JP7326861B2 (ja) * 2019-05-17 2023-08-16 三菱電機株式会社 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
KR102220340B1 (ko) * 2019-06-11 2021-02-25 세메스 주식회사 다이 이젝팅 장치
US11764098B2 (en) * 2021-04-16 2023-09-19 Asmpt Singapore Pte. Ltd. Detaching a die from an adhesive tape by air ejection
JP2023064405A (ja) * 2021-10-26 2023-05-11 三菱電機株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3785507A (en) * 1968-12-19 1974-01-15 Teledyne Inc Die sorting system
JPS62166536A (ja) * 1986-01-20 1987-07-23 Sanyo Electric Co Ltd 電子部品の突き上げ装置
US4850780A (en) * 1987-09-28 1989-07-25 Kulicke And Soffa Industries Inc. Pre-peel die ejector apparatus
JPH01321650A (ja) * 1988-06-22 1989-12-27 Kawasaki Steel Corp 半導体チツプのピツクアツプ装置
JPH0266957A (ja) * 1988-08-31 1990-03-07 Nec Corp 半導体素子のピックアップ装置
JPH02113547A (ja) * 1988-10-21 1990-04-25 Mitsubishi Electric Corp 突出し装置
JP3117326B2 (ja) 1993-05-28 2000-12-11 株式会社東芝 半導体チップ取出装置
JPH10189690A (ja) 1996-12-26 1998-07-21 Hitachi Ltd 半導体チップのピックアップ方法及びピックアップ装置
JP3817894B2 (ja) * 1998-04-06 2006-09-06 三菱電機株式会社 チップ突き上げ装置及びそれを用いたダイボンディング装置
JP2000353710A (ja) * 1999-06-14 2000-12-19 Toshiba Corp ペレットピックアップ装置および半導体装置の製造方法
JP3209736B2 (ja) 1999-11-09 2001-09-17 エヌイーシーマシナリー株式会社 ペレットピックアップ装置
JP3892703B2 (ja) * 2001-10-19 2007-03-14 富士通株式会社 半導体基板用治具及びこれを用いた半導体装置の製造方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4574251B2 (ja) * 2003-09-17 2010-11-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
KR101244482B1 (ko) * 2003-09-17 2013-03-18 가부시키가이샤 르네사스 히가시 니혼 세미콘덕터 반도체 장치의 제조 방법
JP2005117019A (ja) * 2003-09-17 2005-04-28 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2007109936A (ja) * 2005-10-14 2007-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップピックアップ装置およびチップピックアップ方法ならびにチップ剥離装置およびチップ剥離方法
KR101218662B1 (ko) 2005-10-14 2013-01-18 파나소닉 주식회사 칩 픽업 장치, 칩 픽업 방법, 칩 박리 장치 및 칩 박리방법
WO2007078783A1 (en) * 2005-12-21 2007-07-12 3M Innovative Properties Company Led emitter with radial prismatic light diverter
JP2008117806A (ja) * 2006-10-31 2008-05-22 Shibaura Mechatronics Corp 半導体チップのピックアップ装置
WO2008053673A1 (fr) * 2006-10-31 2008-05-08 Shibaura Mechatronics Corporation Dispositif de collecte de puce à semiconducteur
TWI423349B (zh) * 2006-10-31 2014-01-11 Shibaura Mechatronics Corp Pickup device for semiconductor wafers
JP2009289785A (ja) * 2008-05-27 2009-12-10 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP2013214739A (ja) * 2012-03-30 2013-10-17 Vesi Switzerland Ag 金属箔から半導体チップを剥離する方法
JP5717910B1 (ja) * 2014-02-26 2015-05-13 株式会社新川 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法
WO2015129105A1 (ja) * 2014-02-26 2015-09-03 株式会社新川 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法
JP2015179813A (ja) * 2014-02-26 2015-10-08 株式会社新川 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法
JP2019121775A (ja) * 2018-01-09 2019-07-22 力成科技股▲分▼有限公司 チップ突き上げニードル装置及びチップ突き上げニードル設備
JP7486264B2 (ja) 2019-11-06 2024-05-17 株式会社ディスコ ピックアップ方法、及び、ピックアップ装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20030075271A1 (en) 2003-04-24
KR20030035763A (ko) 2003-05-09
US6824643B2 (en) 2004-11-30
TW540089B (en) 2003-07-01
KR100766512B1 (ko) 2007-10-15
CN1210760C (zh) 2005-07-13
CN1414602A (zh) 2003-04-30
JP3976541B2 (ja) 2007-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003133391A (ja) 半導体チップの剥離方法及び装置
JP2002050670A (ja) ピックアップ装置及びピックアップ方法
EP1601005A2 (en) Peeling device for chip detachment
US6896760B1 (en) Fabrication of stacked microelectronic devices
JP2001035817A (ja) ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
JP2007042996A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP2003133395A (ja) 半導体基板用治具及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JP2013065757A (ja) 半導体チップのピックアップ方法及び半導体チップのピックアップ装置
JP2006191144A (ja) ピックアップ装置及びピックアップ方法
JP2001093864A (ja) 半導体ウェーハ固定治具及び半導体装置の製造方法
TW200532786A (en) Wafer transcription method
JP2002141392A (ja) 半導体チップのピックアップ方法及び装置、並びに該装置を有するダイボンド装置
JP5222756B2 (ja) 剥離装置及び剥離方法
US20040175903A1 (en) Semiconductor device fabrication method
JPH06295930A (ja) 半導体チップ剥離装置及び剥離方法
JP2015008191A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2013219245A (ja) 半導体装置の製造方法
US20030073264A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device from semiconductor wafer having thick peripheral portion
JP5923876B2 (ja) 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
JP2003243485A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003086540A (ja) 半導体装置の製造方法及びその製造装置
JPH04336448A (ja) 半導体装置の製造方法
WO2010052760A1 (ja) チップ剥離方法、半導体装置の製造方法、及びチップ剥離装置
JP2006237504A (ja) 半導体チップ剥離装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2023114541A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040907

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061219

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070216

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070313

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070425

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070522

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070619

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110629

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110629

Year of fee payment: 4

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110629

Year of fee payment: 4

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110629

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130629

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140629

Year of fee payment: 7

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees