KR102178047B1 - 다이 이젝팅 장치 - Google Patents

다이 이젝팅 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102178047B1
KR102178047B1 KR1020190053653A KR20190053653A KR102178047B1 KR 102178047 B1 KR102178047 B1 KR 102178047B1 KR 1020190053653 A KR1020190053653 A KR 1020190053653A KR 20190053653 A KR20190053653 A KR 20190053653A KR 102178047 B1 KR102178047 B1 KR 102178047B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ejector
members
permanent magnets
die
driving head
Prior art date
Application number
KR1020190053653A
Other languages
English (en)
Inventor
김승호
이희철
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020190053653A priority Critical patent/KR102178047B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102178047B1 publication Critical patent/KR102178047B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

다이 이젝팅 장치가 개시된다. 상기 다이 이젝팅 장치는, 다이싱 테이프 상의 다이를 분리시키기 위한 이젝터 부재와, 상기 다이싱 테이프의 하부면에 밀착되며 상기 다이싱 테이프를 진공 흡착하기 위한 복수의 진공홀들과 상기 이젝터 부재가 통과되는 개구를 갖는 후드와, 상기 이젝터 부재의 하부에 배치되는 구동 헤드와, 상기 이젝터 부재와 상기 구동 헤드 사이에서 척력이 발생되도록 상기 이젝터 부재와 상기 구동 헤드에 장착되는 영구자석들과, 상기 영구자석들이 서로 대응하도록 하여 상기 이젝터 부재를 상승시키고 상기 영구자석들이 서로 어긋나도록 하여 상기 이젝터 부재를 하강시키는 헤드 구동부를 포함한다.

Description

다이 이젝팅 장치{Die ejecting apparatus}
본 발명의 실시예들은 다이 이젝팅 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 반도체 제조 공정에서 인쇄회로기판 또는 리드 프레임 등과 같은 기판 상에 다이들을 본딩하기 위하여 프레임 웨이퍼(framed wafer)의 다이싱 테이프로부터 상기 다이들을 분리하는 다이 이젝팅 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자들은 일련의 제조 공정들을 반복적으로 수행함으로써 반도체 기판으로서 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 형성될 수 있다. 상기 반도체 소자들이 형성된 웨이퍼는 다이싱 공정을 통해 복수의 다이들로 분할될 수 있으며, 상기 다이들은 본딩 공정을 통해 기판 상에 본딩될 수 있다.
상기 다이 본딩 공정을 수행하기 위한 장치는 상기 다이들로 분할된 웨이퍼로부터 상기 다이들을 픽업하여 분리시키기 위한 픽업 모듈과 픽업된 다이를 기판 상에 부착시키기 위한 본딩 모듈을 포함할 수 있다. 상기 픽업 모듈은 상기 웨이퍼를 지지하는 스테이지 유닛과 상기 스테이지 유닛에 지지된 웨이퍼로부터 선택적으로 다이를 분리시키기 위하여 수직 방향으로 이동 가능하게 설치된 다이 이젝팅 장치와 상기 웨이퍼로부터 상기 다이를 픽업하여 기판 상에 부착시키기 위한 픽업 유닛을 포함할 수 있다.
상기 다이 이젝터는, 상기 다이싱 테이프의 하부면을 흡착하기 위한 진공홀들이 형성된 후드와, 상기 후드 내에 배치되며 상기 후드의 상부를 통해 수직 방향으로 이동 가능하게 구성되고 상기 다이싱 테이프 상의 다이를 상기 다이싱 테이프로부터 분리시키기 위해 상기 다이를 상승시키는 이젝터 유닛을 포함할 수 있다. 일 예로서, 대한민국 등록특허공보 제10-1585316호 및 제10-1627906호 등에는 텔레스코프 방식으로 배열된 복수의 이젝터 부재들을 포함하는 다이 이젝팅 장치가 개시되어 있다.
특히, 상기 이젝터 부재들의 하부에는 플레이트 형태, 예를 들면, 원형 디스크 형태를 갖는 서포트 부재들이 각각 연결될 수 있으며, 상기 서포트 부재들 사이에는 탄성 부재들이 배치될 수 있다. 상기 탄성 부재들은 상기 이젝터 부재들이 상승되는 경우 상기 이젝터 부재들이 외측으로부터 내측으로 순서대로 상승되도록 하기 위해 사용될 수 있다. 즉, 상기 이젝터 부재들이 상승되는 경우 상기 이젝터 부재들 중에서 가장 외측의 이젝터 부재가 먼저 상기 다이를 상승시키며, 이어서 내측으로 순서대로 상승하여 상기 다이를 순차적으로 상승시킬 수 있다. 그러나, 상기 서포터 부재들 사이에 코일 스프링과 같은 탄성 부재들을 배치하는 경우 공간적인 제약으로 인해 코일 스프링의 제작이 용이하지 않고, 또한 서포터 부재들과 상기 탄성 부재들의 조립이 매우 어려운 문제점이 있다.
대한민국 등록특허공보 제10-1585316호 (등록일자 2016년 01월 07일) 대한민국 등록특허공보 제10-1627906호 (등록일자 2016년 05월 31일)
본 발명의 실시예들은 제작 및 조립이 용이한 다단 이젝터 부재들을 포함하는 새로운 구조의 다이 이젝팅 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 다이 이젝팅 장치는, 다이싱 테이프 상의 다이를 분리시키기 위한 이젝터 부재와, 상기 다이싱 테이프의 하부면에 밀착되며 상기 다이싱 테이프를 진공 흡착하기 위한 복수의 진공홀들과 상기 이젝터 부재가 통과되는 개구를 갖는 후드와, 상기 이젝터 부재의 하부에 배치되는 구동 헤드와, 상기 이젝터 부재와 상기 구동 헤드 사이에서 척력이 발생되도록 상기 이젝터 부재와 상기 구동 헤드에 장착되는 영구자석들과, 상기 영구자석들이 서로 대응하도록 하여 상기 이젝터 부재를 상승시키고 상기 영구자석들이 서로 어긋나도록 하여 상기 이젝터 부재를 하강시키는 헤드 구동부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 이젝터 부재의 하부에 형성되는 플랜지 부재를 더 포함하며, 상기 영구자석들은 상기 플랜지 부재의 하부면과 상기 구동 헤드의 상부면에 장착되고 상기 구동 헤드의 회전에 의해 서로 대응하거나 어긋나도록 배치될 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 다이 이젝팅 장치는, 상기 이젝터 부재의 상승 높이를 제한하기 위한 스토퍼를 더 포함할 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 다이 이젝팅 장치는, 텔레스코프 형태로 구성되며 다이싱 테이프 상의 다이를 분리시키기 위한 이젝터 부재들과, 상기 다이싱 테이프의 하부면에 밀착되며 상기 다이싱 테이프를 진공 흡착하기 위한 진공홀들과 상기 이젝터 부재들이 통과되는 개구를 갖는 후드와, 상기 이젝터 부재들의 하부에 각각 형성된 플랜지 부재들과, 상기 플랜지 부재들의 하부면들과 각각 마주하는 상부면들을 갖고 상기 플랜지 부재들의 하부에서 회전 가능하도록 구성되는 구동 헤드와, 상기 플랜지 부재들과 상기 구동 헤드 사이에서 척력이 발생되도록 상기 플랜지 부재들 하부면들과 상기 구동 헤드의 상부면들에 장착되는 영구자석들과, 상기 영구자석들이 서로 대응하도록 상기 구동 헤드를 회전시켜 상기 이젝터 부재들을 상승시키고 상기 영구자석들이 서로 어긋나도록 상기 구동 헤드를 회전시켜 상기 이젝터 부재들을 하강시키는 헤드 구동부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 이젝터 부재들은 각각 사각 튜브 형태를 가질 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 다이 이젝팅 장치는, 상기 이젝터 부재들의 상승 높이를 제한하기 위한 스토퍼를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 영구자석들은 상기 구동 헤드의 회전에 의해 상기 이젝터 부재들이 동시에 상승되고 최외측 이젝터 부재로부터 내측으로 하나씩 순차적으로 하강되도록 상기 플랜지 부재들 하부면들과 상기 구동 헤드의 상부면들에 장착될 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 플랜지 부재들은 하방으로 순차적으로 직경이 감소되는 원반 형태를 갖고, 상기 구동 헤드는 상기 플랜지 부재들에 대응하는 계단 형태의 오목부를 가질 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 이젝터 부재들은 제1 및 제2 영구자석들 사이의 척력에 의해 상승될 수 있으며, 상기 구동 헤드의 회전에 의해 외측부터 내측으로 순차적으로 하강될 수 있다. 결과적으로, 상기 다이싱 테이프에 부착된 다이의 가장자리 부위로부터 상기 다이싱 테이프가 분리될 수 있으며, 이에 따라 상기 다이의 픽업이 용이하게 이루어질 수 있다. 특히, 상기 제1 및 제2 영구자석들을 상기 플랜지 부재들의 하부면들과 상기 구동 헤드의 상부면들에 장착한 후 상기 이젝터 부재들을 순차적으로 조립할 수 있으므로 종래 기술과 비교하여 상기 다이 이젝팅 장치의 제작과 조립이 매우 용이해질 수 있으며, 제작 및 조립에 소요되는 비용과 시간이 크게 단축될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 이젝팅 장치를 포함하는 다이 본딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 다이 이젝팅 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 3은 도 2에 도시된 영구자석들의 배치를 설명하기 위한 개략도이다.
도 4 내지 도 8은 도 3에 도시된 구동 헤드의 회전에 따른 이젝터 부재들의 상승 및 하강을 설명하기 위한 개략도들이다.
이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.
본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.
본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.
본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 이젝팅 장치를 포함하는 다이 본딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 다이 이젝팅 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 이젝팅 장치(100)는 반도체 장치의 제조를 위한 다이 본딩 공정에서 반도체 다이(12)를 픽업하기 위하여 사용될 수 있다.
상기 다이 본딩 공정을 수행하기 위한 장치는 도 1에 도시된 바와 같이 다이싱 공정에 의해 개별화된 복수의 다이들(12)로 이루어진 웨이퍼(10)를 지지하는 스테이지 유닛(20)과, 상기 웨이퍼(10)로부터 다이들(12)을 선택적으로 분리하기 위한 다이 이젝팅 장치(100)와, 상기 다이 이젝팅 장치(100)에 의해 분리된 다이(12)를 픽업하기 위한 피커(30)와, 상기 피커(30)를 이동시키기 위한 피커 구동부(40)를 포함할 수 있다.
상기 웨이퍼(10)는 다이싱 테이프(14)에 부착될 수 있으며, 상기 다이싱 테이프(14)는 대략 원형 링 형태의 마운트 프레임(16)에 장착될 수 있다. 상기 스테이지 유닛(20)은 수평 방향으로 이동 가능하게 구성된 웨이퍼 스테이지(22)와, 상기 웨이퍼 스테이지(22) 상에 배치되어 상기 다이싱 테이프(14)의 가장자리 부위를 지지하기 위한 서포트 링(24)과, 상기 마운트 프레임(16)을 하강시킴으로써 상기 다이싱 테이프(14)를 확장시키기 위한 확장 링(26) 등을 포함할 수 있다.
상기 피커(30)는 상기 스테이지 유닛(20)에 의해 지지된 웨이퍼(10)의 상부에 배치될 수 있으며, 상기 피커 구동부(40)에 장착될 수 있다. 상기 피커 구동부(40)는 상기 다이 이젝팅 장치(100)에 의해 상기 다이싱 테이프(14)로부터 분리된 다이(12)를 픽업하기 위하여 상기 피커(30)를 수평 및 수직 방향으로 이동시킬 수 있다.
또한, 상기 스테이지 유닛(20)에 의해 지지된 웨이퍼(10)의 상부에는 상기 다이들(12)의 위치를 확인하기 위한 비전 유닛(50)이 배치될 수 있다. 상기 비전 유닛(50)은 픽업될 다이(12)에 대한 이미지를 획득하고, 상기 획득된 다이 이미지로부터 상기 다이(12)의 위치 좌표를 획득할 수 있다.
상기 다이 이젝팅 장치(100)는 상기 스테이지 유닛(20)에 의해 지지된 다이싱 테이프(14)의 하부에 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 다이 이젝팅 장치(100)와 상기 비전 유닛(50)은 수직 방향으로 서로 마주하도록 배치될 수 있으며, 상기 스테이지 유닛(20)은 상기 다이 이젝팅 장치(100)와 상기 비전 유닛(50) 사이에서 스테이지 구동부(미도시)에 의해 수평 방향으로 이동 가능하게 구성될 수 있다.
추가적으로, 도시되지는 않았으나, 상기 피커(30)에 의해 픽업된 다이(12)는 다이 스테이지(미도시) 상으로 이송될 수 있으며, 이어서 본딩 유닛(미도시)에 의해 픽업된 후 기판(미도시) 상에 본딩될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 다이 이젝팅 장치(100)는, 다이싱 테이프(14) 상의 다이(12)를 분리시키기 위한 이젝터 부재(110)와, 상기 다이싱 테이프(14)의 하부면에 밀착되며 상기 다이싱 테이프(14)를 진공 흡착하기 위한 복수의 진공홀들(122)과 상기 이젝터 부재(110)가 통과되는 개구(124)를 갖는 후드(120)와, 상기 이젝터 부재(110)의 하부에 배치되는 구동 헤드(130)와, 상기 이젝터 부재(110)와 상기 구동 헤드(130) 사이에서 척력이 발생되도록 하는 영구자석들(140, 142)과, 상기 영구자석들(140, 142)이 서로 대응하도록 하여 상기 이젝터 부재(110)를 상승시키고 상기 영구자석들(140, 142)이 서로 어긋나도록 하여 상기 이젝터 부재(110)를 하강시키는 헤드 구동부(150)를 포함할 수 있다. 특히, 상기 이젝터 부재(110)의 하부에는 원반 형태의 플랜지(112)가 형성될 수 있으며, 상기 영구자석들(140, 142)은 상기 플랜지 부재(112)의 하부면과 상기 구동 헤드(130)의 상부면에 장착되고 상기 구동 헤드(130)의 회전에 의해 서로 대응되거나 어긋나도록 배치될 수 있다.
예를 들면, 상기 다이 이젝팅 장치(100)는 상기 다이싱 테이프(14)로부터 상기 다이(12)를 분리시키기 위한 복수의 이젝터 부재들(110)을 포함할 수 있으며, 상기 이젝터 부재들(110)은 텔레스코프 형태로 구성될 수 있다. 특히, 상기 이젝터 부재들(110)은 각각 사각 튜브 형태를 가질 수 있으며, 최외측 이젝터 부재(110)는 상기 다이(12)보다 작은 크기를 가질 수 있다.
상기 후드(120)는 원형 튜브 형태의 후드 본체(126)와 상기 후드 본체(126)의 상부에 장착되며 상기 진공홀들(122)과 개구(124)를 갖는 상부 패널(128)을 포함할 수 있다. 상기 개구(124)는 상기 이젝터 부재들(110)에 대응하여 사각 형태를 가질 수 있으며, 상기 진공홀들(122)은 상기 다이싱 테이프(14)를 진공 흡착하기 위해 상기 개구(124) 주위를 관통하여 형성될 수 있다.
상기 이젝터 부재들(110)은 최외측 이젝터 부재(110)로부터 내측으로 점차 증가되는 길이를 가질 수 있으며, 상기 이젝터 부재들(110)의 하부에는 각각 플랜지 부재들(112)이 형성될 수 있다. 상기 플랜지 부재들(112)은 원반 형태를 가질 수 있으며 도시된 바와 같이 수직 방향으로 배열될 수 있다.
상기 구동 헤드(130)는 상기 플랜지 부재들(112)의 하부면들과 각각 마주하는 상부면들을 갖고 상기 플랜지 부재들(112)의 하부에서 회전 가능하도록 구성될 수 있다. 예를 들면, 도시된 바와 같이, 상기 플랜지 부재들(112)은 하방으로 점차 직경이 감소될 수 있으며, 상기 구동 헤드(130)는 상기 플랜지 부재들(110)에 대응하는 계단 형태의 오목부를 가질 수 있다. 즉, 상기 계단 형태의 오목부는 상기 플랜지 부재들(112)의 하부면들에 대응하는 상부면들을 가질 수 있다.
상기 영구자석들(140, 142)은 상기 플랜지 부재들(112)과 상기 구동 헤드(130) 사이에서 척력이 발생되도록 상기 플랜지 부재들(112)의 하부면들과 상기 구동 헤드(130)의 상부면들에 장착될 수 있다. 예를 들면, 상기 플랜지 부재들(112)의 하부면들에는 복수의 제1 영구자석들(140)이 장착될 수 있으며, 상기 구동 헤드(130)의 상부면들에는 복수의 제2 영구자석들(142)이 장착될 수 있다. 특히, 상기 헤드 구동부(150)는 상기 영구자석들(140, 142)이 서로 대응하도록 상기 구동 헤드(130)를 회전시켜 상기 이젝터 부재들(110)을 상승시킬 수 있으며, 상기 영구자석들(140, 142)이 서로 어긋나도록 상기 구동 헤드(130)를 회전시켜 상기 이젝터 부재들(110)을 하강시킬 수 있다.
한편, 상기 후드(120)의 하부에는 하부가 닫힌 실린더 형태의 이젝터 본체(160)가 결합될 수 있으며, 상기 헤드 구동부(150)는 상기 이젝터 본체(160)의 하부를 관통하여 상기 구동 헤드(130)와 연결되는 구동축(152)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 헤드 구동부(150)는 상기 구동축(152)을 회전시키기 위하여 모터(154)와 상기 모터(154)의 회전력을 상기 구동축(152)에 전달하기 위한 동력 전달 기구(156)를 포함할 수 있다.
또한, 도시되지는 않았으나, 상기 이젝터 본체(160)는 진공 펌프(미도시)와 연결될 수 있으며, 상기 이젝터 본체(160)의 내부를 통해 상기 진공홀들(122) 및 상기 이젝터 부재들(110) 사이 및 내부로 진공압이 인가될 수 있다. 이때, 상기 후드(120)와 이젝터 본체(160) 사이 그리고 상기 구동축(152)과 상기 이젝터 본체(160) 사이에는 진공 누설을 방지하기 위한 밀봉 부재들이 배치될 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 영구자석들의 배치를 설명하기 위한 개략도이다.
도 3을 참조하면, 상기 플랜지 부재들(112)의 하부면들에는 제1 영구자석들(140)이 배치될 수 있다. 일 예로서, 상기 플랜지 부재들(112)의 하부면들에는 도시된 바와 같이 90° 간격으로 제1 영구자석들(140)이 원형 배열될 수 있다. 상기 구동 헤드(130)의 상부면들에는 제2 영구자석들(142)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 영구자석들(142)은 상기 구동 헤드(130)의 회전 각도에 따라 상기 이젝팅 부재들(110)을 모두 상승시키거나 일부 상승시키도록 배치될 수 있다.
일 예로서, 상기 다이 이젝팅 장치(100)는 4개의 이젝터 부재들(110)과 4개의 플랜지 부재들(112)을 포함할 수 있으며, 상기 제2 영구자석들(142)은 상기 구동 헤드(130)를 소정 각도 단위로 회전시키는 경우 상기 이젝터 부재들(110)이 모두 상승한 후 최외측 이젝터 부재(110)로부터 순차적으로 하나씩 하강되도록 배열될 수 있다. 도 3의 경우, 상기 구동 헤드(130)가 상기 헤드 구동부(150)에 의해 상기 제2 영구자석들(142)이 상기 제1 영구자석들(140)과 어긋나도록 회전된 상태이며, 이에 따라 모든 이젝터 부재들(110)이 하강된 상태로 유지될 수 있다. 즉, 상기 모든 이젝터 부재들(110)이 상기 후드(120)로부터 돌출되지 않은 상태가 유지될 수 있다.
도 4 내지 도 8은 도 3에 도시된 구동 헤드의 회전에 따른 이젝터 부재들의 상승 및 하강을 설명하기 위한 개략도들이다.
도 4를 참조하면, 상기 구동 헤드(130)가 소정 각도만큼 회전될 수 있으며, 이에 따라 상기 제1 영구자석들(140) 모두가 상기 제2 영구자석들(142) 일부와 대응할 수 있고, 아울러 상기 이젝터 부재들(110) 모두가 상기 제1 영구자석들(140)과 제2 영구자석들(142) 사이의 척력에 의해 상승될 수 있다. 즉, 상기 이젝터 부재들(110) 모두가 상기 후드(120)로부터 상방으로 돌출될 수 있으며, 이에 따라 상기 이젝터 부재들(110) 상의 다이(12)가 상승될 수 있고, 아울러 상기 다이(12)의 가장자리 부위가 상기 다이싱 테이프(14)로부터 분리될 수 있다. 한편, 상기 이젝터 부재들(110)이 모두 상승되는 경우 상기 상부 패널(128)의 아래에는 상기 이젝터 부재들(110)의 상승 높이를 제한하기 위한 스토퍼(170)가 배치될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 구동 헤드(130)가 소정 각도만큼 회전될 수 있으며, 이에 따라 상기 제1 영구자석들(140) 중 최외측 제1 영구자석들(140)을 제외한 나머지 제1 영구자석들(140)만 상기 제2 영구자석들(142)과 마주하도록 위치될 수 있다. 결과적으로, 도시된 바와 같이 상기 최외측 이젝터 부재(110)만 하강될 수 있으며, 이에 따라 상기 다이싱 테이프(14)로부터 상기 다이(12)가 분리되는 영역이 확장될 수 있다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 구동 헤드(130)는 소정 각도만큼 단계적으로 회전될 수 있으며, 이에 따라 상기 이젝터 부재들(110)이 외측으로부터 내측으로 하나씩 하강될 수 있고, 결과적으로 상기 다이싱 테이프(14)로부터 상기 다이(12)가 분리되는 영역이 점차 증가될 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이 최내측 이젝터 부재(110)만 상승된 상태로 남아있는 동안 상기 다이(12)에 대한 픽업이 수행될 수 있다. 상기와 같이 다이(12)가 픽업된 후 도 8에 도시된 바와 같이 상기 구동 헤드(130)는 소정 각도만큼 회전될 수 있으며, 이에 따라 모든 이젝터 부재들(110)이 모두 하강될 수 있다.
한편, 상기한 바에 따르면, 4개의 이젝터 부재들(110)과 4개의 플랜지 부재들(112)이 사용되고 있으나, 상기 이젝터 부재들(110) 및 플랜지 부재들(112)의 개수는 다양하게 변경 가능하므로 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되지는 않을 것이다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 이젝터 부재들(110)은 제1 및 제2 영구자석들(140, 142) 사이의 척력에 의해 상승될 수 있으며, 상기 구동 헤드(130)의 회전에 의해 외측부터 내측으로 순차적으로 하강될 수 있다. 결과적으로, 상기 다이싱 테이프(14)에 부착된 다이(12)의 가장자리 부위로부터 상기 다이싱 테이프(14)가 분리될 수 있으며, 이에 따라 상기 다이(12)의 픽업이 용이하게 이루어질 수 있다. 특히, 상기 제1 및 제2 영구자석들(140, 142)을 상기 플랜지 부재들(112)의 하부면들과 상기 구동 헤드(130)의 상부면들에 장착한 후 상기 이젝터 부재들(110)을 순차적으로 조립할 수 있으므로 종래 기술과 비교하여 상기 다이 이젝팅 장치(100)의 제작과 조립이 매우 용이해질 수 있으며, 제작 및 조립에 소요되는 비용과 시간이 크게 단축될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10 : 웨이퍼 12 : 다이
14 : 다이싱 테이프 16 : 마운트 프레임
20 : 스테이지 유닛 100 : 다이 이젝팅 장치
110 : 이젝터 부재 112 : 플랜지 부재
120 : 후드 122 : 진공홀
124 : 개구 126 : 후드 본체
128 : 상부 패널 130 : 구동 헤드
140 : 제1 영구자석 142 : 제2 영구자석
150 : 헤드 구동부 152 : 구동축
160 : 이젝터 본체 170 : 스토퍼

Claims (8)

  1. 다이싱 테이프 상의 다이를 분리시키기 위한 이젝터 부재;
    상기 다이싱 테이프의 하부면에 밀착되며 상기 다이싱 테이프를 진공 흡착하기 위한 복수의 진공홀들과 상기 이젝터 부재가 통과되는 개구를 갖는 후드;
    상기 이젝터 부재의 하부에 배치되는 구동 헤드;
    상기 이젝터 부재와 상기 구동 헤드 사이에서 척력이 발생되도록 상기 이젝터 부재와 상기 구동 헤드에 장착되는 영구자석들; 및
    상기 영구자석들이 서로 대응하도록 하여 상기 이젝터 부재를 상승시키고 상기 영구자석들이 서로 어긋나도록 하여 상기 이젝터 부재를 하강시키는 헤드 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 이젝팅 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 이젝터 부재의 하부에 형성되는 플랜지 부재를 더 포함하며,
    상기 영구자석들은 상기 플랜지 부재의 하부면과 상기 구동 헤드의 상부면에 장착되고 상기 구동 헤드의 회전에 의해 서로 대응하거나 어긋나도록 배치되는 것을 특징으로 하는 다이 이젝팅 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 이젝터 부재의 상승 높이를 제한하기 위한 스토퍼를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 이젝팅 장치.
  4. 텔레스코프 형태로 구성되며 다이싱 테이프 상의 다이를 분리시키기 위한 이젝터 부재들;
    상기 다이싱 테이프의 하부면에 밀착되며 상기 다이싱 테이프를 진공 흡착하기 위한 진공홀들과 상기 이젝터 부재들이 통과되는 개구를 갖는 후드;
    상기 이젝터 부재들의 하부에 각각 형성된 플랜지 부재들;
    상기 플랜지 부재들의 하부면들과 각각 마주하는 상부면들을 갖고 상기 플랜지 부재들의 하부에서 회전 가능하도록 구성되는 구동 헤드;
    상기 플랜지 부재들과 상기 구동 헤드 사이에서 척력이 발생되도록 상기 플랜지 부재들 하부면들과 상기 구동 헤드의 상부면들에 장착되는 영구자석들; 및
    상기 영구자석들이 서로 대응하도록 상기 구동 헤드를 회전시켜 상기 이젝터 부재들을 상승시키고 상기 영구자석들이 서로 어긋나도록 상기 구동 헤드를 회전시켜 상기 이젝터 부재들을 하강시키는 헤드 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 이젝팅 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 이젝터 부재들은 각각 사각 튜브 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 다이 이젝팅 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 이젝터 부재들의 상승 높이를 제한하기 위한 스토퍼를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 이젝팅 장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 영구자석들은 상기 구동 헤드의 회전에 의해 상기 이젝터 부재들이 동시에 상승되고 최외측 이젝터 부재로부터 내측으로 하나씩 순차적으로 하강되도록 상기 플랜지 부재들 하부면들과 상기 구동 헤드의 상부면들에 장착되는 것을 특징으로 하는 다이 이젝팅 장치.
  8. 제4항에 있어서, 상기 플랜지 부재들은 하방으로 순차적으로 직경이 감소되는 원반 형태를 갖고, 상기 구동 헤드는 상기 플랜지 부재들에 대응하는 계단 형태의 오목부를 갖는 것을 특징으로 하는 다이 이젝팅 장치.
KR1020190053653A 2019-05-08 2019-05-08 다이 이젝팅 장치 KR102178047B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190053653A KR102178047B1 (ko) 2019-05-08 2019-05-08 다이 이젝팅 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190053653A KR102178047B1 (ko) 2019-05-08 2019-05-08 다이 이젝팅 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102178047B1 true KR102178047B1 (ko) 2020-11-12

Family

ID=73398655

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190053653A KR102178047B1 (ko) 2019-05-08 2019-05-08 다이 이젝팅 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102178047B1 (ko)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05315432A (ja) * 1992-05-07 1993-11-26 Nec Yamagata Ltd 半導体素子ピックアップ機構
JPH11330012A (ja) * 1998-05-20 1999-11-30 Rohm Co Ltd 半導体チップ剥離装置
KR20030035763A (ko) * 2001-10-23 2003-05-09 후지쯔 가부시끼가이샤 반도체 칩의 박리 방법 및 장치
KR100865766B1 (ko) * 2007-07-24 2008-10-29 (주) 에스에스피 반도체 다이 이젝팅 장치
JP2012256931A (ja) * 2012-08-24 2012-12-27 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路装置の製造方法
KR101271291B1 (ko) * 2012-08-31 2013-06-04 세메스 주식회사 다이 이젝팅 장치
KR101585316B1 (ko) 2014-01-29 2016-01-13 세메스 주식회사 다이 이젝팅 장치
KR101627906B1 (ko) 2014-04-02 2016-06-07 세메스 주식회사 다이 이젝팅 장치
KR20170137329A (ko) * 2016-06-03 2017-12-13 세메스 주식회사 다이 본딩 장치

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05315432A (ja) * 1992-05-07 1993-11-26 Nec Yamagata Ltd 半導体素子ピックアップ機構
JPH11330012A (ja) * 1998-05-20 1999-11-30 Rohm Co Ltd 半導体チップ剥離装置
KR20030035763A (ko) * 2001-10-23 2003-05-09 후지쯔 가부시끼가이샤 반도체 칩의 박리 방법 및 장치
KR100865766B1 (ko) * 2007-07-24 2008-10-29 (주) 에스에스피 반도체 다이 이젝팅 장치
JP2012256931A (ja) * 2012-08-24 2012-12-27 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路装置の製造方法
KR101271291B1 (ko) * 2012-08-31 2013-06-04 세메스 주식회사 다이 이젝팅 장치
KR101585316B1 (ko) 2014-01-29 2016-01-13 세메스 주식회사 다이 이젝팅 장치
KR101627906B1 (ko) 2014-04-02 2016-06-07 세메스 주식회사 다이 이젝팅 장치
KR20170137329A (ko) * 2016-06-03 2017-12-13 세메스 주식회사 다이 본딩 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102459402B1 (ko) 다이 이젝팅 장치
JP5992552B2 (ja) ダイエジェクティング装置
KR101627906B1 (ko) 다이 이젝팅 장치
US20210060798A1 (en) Die pickup module and die bonding apparatus including the same
KR102284149B1 (ko) 다이 이젝팅 장치
KR200468690Y1 (ko) 다이 이젝팅 장치
KR102512045B1 (ko) 다이 이젝팅 장치
KR200466085Y1 (ko) 다이 이젝팅 장치
KR102178047B1 (ko) 다이 이젝팅 장치
KR102220340B1 (ko) 다이 이젝팅 장치
KR102106567B1 (ko) 다이 이젝팅 장치
KR102656718B1 (ko) 다이 이젝팅 장치
KR20170030336A (ko) 다이 이젝팅 장치
KR101935097B1 (ko) 다이 이젝팅 장치
KR20210009842A (ko) 다이 이젝터 및 이를 포함하는 다이 픽업 장치
KR102594541B1 (ko) 다이 이젝팅 장치
KR102304258B1 (ko) 다이 이젝터 및 이를 포함하는 다이 픽업 장치
KR102244580B1 (ko) 다이 이젝터 및 이를 포함하는 다이 픽업 장치
KR102141201B1 (ko) 다이 이젝팅 장치
KR102221707B1 (ko) 다이 이젝터 및 이를 포함하는 다이 픽업 장치
KR102220339B1 (ko) 다이 이젝팅 장치
KR102189274B1 (ko) 다이 픽업 방법 및 다이 픽업 장치
KR102220344B1 (ko) 다이 이젝터 및 이를 포함하는 다이 픽업 장치
KR101496024B1 (ko) 다이 이젝팅 장치
KR102336914B1 (ko) 다이 이젝터 및 이를 포함하는 다이 이송 장치

Legal Events

Date Code Title Description
GRNT Written decision to grant