JP2002270542A - ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置 - Google Patents

ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置

Info

Publication number
JP2002270542A
JP2002270542A JP2001069919A JP2001069919A JP2002270542A JP 2002270542 A JP2002270542 A JP 2002270542A JP 2001069919 A JP2001069919 A JP 2001069919A JP 2001069919 A JP2001069919 A JP 2001069919A JP 2002270542 A JP2002270542 A JP 2002270542A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
die
adhesive tape
adhesive
stage
tape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001069919A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4482243B2 (ja
Inventor
Tsutomu Mimata
力 巳亦
Kohei Suzuki
康平 鈴木
Takayuki Taguchi
隆行 田口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinkawa Ltd
Original Assignee
Shinkawa Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinkawa Ltd filed Critical Shinkawa Ltd
Priority to JP2001069919A priority Critical patent/JP4482243B2/ja
Priority to TW091102772A priority patent/TW527671B/zh
Priority to KR10-2002-0012137A priority patent/KR100451479B1/ko
Priority to US10/095,721 priority patent/US20020129899A1/en
Publication of JP2002270542A publication Critical patent/JP2002270542A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4482243B2 publication Critical patent/JP4482243B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52Mounting semiconductor bodies in containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1126Using direct fluid current against work during delaminating
    • Y10T156/1132Using vacuum directly against work during delaminating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1928Differential fluid pressure delaminating means
    • Y10T156/1944Vacuum delaminating means [e.g., vacuum chamber, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】ダイに余分な力を加えることなく、かつ容易に
接着テープからダイを剥離させることができる。 【解決手段】ピックアップするダイ1Aに対応した接着
テープ2部分を支持するテープ剥離ステージ5と、ダイ
1Aの周辺の接着テープ2部分を真空吸着する吸着穴6
bが形成された吸着ステージ6とを備え、吸着ノズル3
がダイ1Aを真空吸着した状態で、テープ剥離ステージ
5を上昇11させ、次にテープ剥離ステージ5をダイ1
Aより離れる方向に水平移動12させることにより、ダ
イ1Aと接着テープ2間に空気層13を形成してダイ1
Aを接着テープ2より剥離させ、ダイ1Aをピックアッ
プする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、接着テープに貼り
付けられたダイを吸着ノズルで前記接着テープから剥離
してピックアップするダイのピックアップ方法及びピッ
クアップ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】接着テープに貼り付けられたダイの分離
方法として、突き上げ針による方法が一般的に行われて
いる。しかし、この方法は、ダイの厚みが約100μm
以下と薄い場合には、ダイが破損するという問題があっ
た。そこで、突き上げ針を用いないでダイを接着テープ
より分離させる方法が、例えば特公平7−32190号
公報(以下、公知例1という)、特開2000−195
877号公報(以下、公知例2という)として提案され
ている。
【0003】公知例1は、吸着ノズルのダイを吸引する
ための吸着穴が開口する吸着面をダイの上面より大きく
形成し、かつ、前記吸着面に該吸着面の周縁をダイ側に
該ダイの厚さ以上に突出させた剥離用側壁部を形成させ
ている。これによって、前記吸着面と剥離用側壁部とで
ダイよりも容積が大きくかつダイ側が開口しているペレ
ット収納空間を形成している。
【0004】そこで、ダイをピックアップする時には、
吸着ノズルを下降させて接着テープに貼り付けられたピ
ックアップすべきダイを前記ペレット収納空間内に入れ
る。次に吸着ノズルと接着テープとを該接着テープに平
行な方向に相対的に移動させ、前記剥離用側壁部でダイ
の側面を押圧してダイを接着テープ上で移動させること
によって粘着力を弱め、前記吸着面にダイを吸着してい
る。
【0005】公知例2は、吸着ステージにダイの寸法に
対応した複数の真空吸引用の溝を形成している。そこ
で、ダイをピックアップする時には、前記溝を通して接
着テープを真空吸着することにより、接着テープが前記
溝の中に引き込まれて変形し、接着テープが剥がれて分
離したダイを吸着ノズルでピックアップする。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】公知例1は、吸着ノズ
ルの剥離用側壁部でダイの側面を押圧するので、この押
圧によってダイにダメージを与える恐れがある。またダ
イの厚さが薄い場合には、ダイを確実に押圧できなく、
ダイの上面に乗り上がって傷を付ける恐れがある。
【0007】公知例2は、公知例1のようにダイに不要
の力を加えないので、公知例1のような問題は生じな
い。しかし、この方法は、接着テープを真下に吸引して
変形させている。ところで、一般に、接着されたダイと
接着テープを分離させる場合、接着面に垂直な方向に力
を加えて分離させると、非常に大きな力を要することは
経験則の通りである。そこで、例えばダイの厚みが50
μm以下と極薄厚の場合には、接着力が強いと、吸着ス
テージの吸引力によって接着テープと共にダイが変形及
び破損する恐れがある。接着力を弱くすると、ピックア
ップ位置への接着テープの供給等の移動により、ダイが
位置ずれする恐れがある。
【0008】本発明の課題は、ダイに余分な力を加える
ことなく、かつ容易に接着テープからダイを剥離させる
ことができるダイのピックアップ方法及びピックアップ
装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の第1の方法は、接着テープに貼り付けられた
ダイを吸着ノズルで前記接着テープから剥離してピック
アップするダイのピックアップ方法において、ピックア
ップするダイに対応した接着テープ部分を支持するテー
プ剥離ステージと、ピックアップするダイの周辺の接着
テープ部分を真空吸着する吸着穴が形成された吸着ステ
ージとを備え、前記吸着ノズルがピックアップするダイ
を真空吸着した状態で、前記テープ剥離ステージを上昇
又は前記吸着ステージを下降させ、次に前記テープ剥離
ステージをピックアップされるダイより離れる方向に水
平移動させることにより、ダイと接着テープ間に空気層
を形成してダイを接着テープより剥離させ、ダイをピッ
クアップすることを特徴とする。
【0010】上記課題を解決するための本発明の第1の
装置は、接着テープに貼り付けられたダイを吸着ノズル
で前記接着テープから剥離してピックアップするダイの
ピックアップ装置において、ピックアップするダイに対
応した接着テープ部分を支持するテープ剥離ステージ
と、ピックアップするダイの周辺の接着テープ部分を真
空吸着する吸着穴が形成された吸着ステージと、前記テ
ープ剥離ステージを上昇又は前記吸着ステージを下降さ
せる上下駆動手段と、前記テープ剥離ステージをピック
アップされるダイより離れる方向に水平移動させる水平
駆動手段とを備えたことを特徴とする。
【0011】上記課題を解決するための本発明の第2の
方法及び装置は、上記第1の方法及び装置において、前
記吸着ステージの吸着穴は、ピックアップされるダイの
3辺に対応して形成されていることを特徴とする。
【0012】上記課題を解決するための本発明の第3の
方法及び装置は、上記第1の方法及び装置において、前
記テープ剥離ステージの水平移動は、テープ剥離ステー
ジの端部が次にピックアップされるダイの内側まで移動
することを特徴とする。
【0013】上記課題を解決するための本発明の第4の
方法及び装置は、上記第1の方法及び装置において、前
記接着テープは、少なくとも基材と熱収縮性接着剤と紫
外線硬化性接着剤とからなり、ピックアップ前に予め紫
外線等を照射して紫外線硬化性接着剤の接着力を弱めて
あることを特徴とする。
【0014】上記課題を解決するための本発明の第5の
方法及び装置は、上記第1の方法及び装置において、前
記接着テープは、少なくとも基材と熱収縮性接着剤と紫
外線硬化性接着剤とからなり、ピックアップするダイに
対応する熱収縮性接着剤を熱収縮させると共に紫外線硬
化性接着剤のダイとの接着面積を小さくする加熱処理が
行われたものであることを特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図1及び
図2により説明する。ダイ1A、1B・・・が貼り付け
られた接着テープ2の外周は、図示しないウェーハリン
グに固定されている。ウェーハリングは、平面方向のX
Y軸方向に駆動される図示しないウェーハ支持枠に固定
される。ダイ1A、1B・・・は、吸着穴3aが形成さ
れた吸着ノズル3によって真空吸着されてピックアップ
される。以上は周知の技術である。
【0016】本実施の形態は、ピックアップするダイ1
Aに対応した接着テープ2の部分を支持するテープ剥離
ステージ5と、ピックアップするダイ1Aの周辺の接着
テープ2部分を真空吸着して保持する吸着ステージ6と
からなっている。
【0017】吸着ステージ6には、テープ剥離ステージ
5を配設するための溝6aが形成されている。また吸着
ステージ6には、テープ剥離ステージ5の3方を囲うよ
うに吸着穴6b、6c、6dが形成されている。即ち、
吸着ステージ6は、ピックアップするダイ1Aの3辺に
対応した接着テープ2部分を吸着穴6b、6c、6dに
よって真空吸着されるようになっている。吸着穴6b、
6c、6dは吸着穴6eに連通し、吸着穴6eは図示し
ない真空源に接続されている。
【0018】テープ剥離ステージ5は、図示しない水平
駆動手段により吸着ステージ6の溝6aに沿って水平移
動12又は反対方向に水平移動させられ、また図示しな
い上下駆動手段によって上昇11又は反対方向に上下移
動させられる。
【0019】次に作用について説明する。図1(a)に
おいて、吸着ノズル3はピックアップ位置の上方に位置
した状態にある。またテープ剥離ステージ5は、吸着ス
テージ6の溝6a内に配設された状態にある。この状態
で、図示しないウェーハリングに固定された接着テープ
2は図示しないXY軸駆動手段でXY軸方向に移動させ
られ、ピックアップするダイ1Aがピックアップ位置に
位置決めされる。
【0020】次に図1(b)に示すように、吸着ステー
ジ6の吸着穴6b、6c、6dによって、ピックアップ
されるダイ1Aの周辺の接着テープ2部分が真空吸着さ
れる。また同時に吸着ノズル3が下降10し、ダイ1A
を吸着ノズル3の吸着穴3aによって真空吸着する。
【0021】次に図2(a)に示すように、テープ剥離
ステージ5が図示しない上下駆動手段で数mm上昇11
させられ、ダイ1Aは吸着ノズル3と一体となって上昇
する。これにより、ダイ1Aの周辺の接着テープ2の部
分が前記上昇11の分伸びる。
【0022】続いてテープ剥離ステージ5が、図2
(b)の状態を経て図2(c)に示すように、図示しな
い水平駆動手段で水平移動12させられる。テープ剥離
ステージ5を水平移動12すると、図2(b)に示すよ
うに溝6aが拡大し、ダイ1Aと接着テープ2の間に空
気層13が形成される。
【0023】更に、図2(c)に示すように、テープ剥
離ステージ5を次にピックアップするダイ1Bの下方ま
で水平移動12させると、ダイ1Aは、接着テープ2よ
り完全に剥離される。これにより、ダイ1Aは、吸着ノ
ズル3に真空吸着されてピックアップされる。ダイ1A
を真空吸着した吸着ノズル3は、図示しない移送手段に
より上昇15及びXY軸方向に移動させられ、次工程、
例えばダイボンディング、ダイ詰め等の工程を行う。
【0024】ダイ1Aがピックアップされると、テープ
剥離ステージ5は、矢印11及び矢印12と反対方向に
移動して図1に示す初期状態となる。また接着テープ2
が固定された図示しないウェーハリングがXY軸方向に
移動させられ、次にピックアップされるダイ1Bが吸着
ステージ6の上方のピックアップ位置に位置決めされ
る。そして、以後、前記した工程を行う。
【0025】このように、テープ剥離ステージ5を上昇
11させてピックアップするダイ1Aの周辺の接着テー
プ2を引伸し、テープ剥離ステージ5を水平移動12さ
せてダイ1Aと接着テープ2間に空気層13を形成して
ダイ1Aを剥離させる。即ち、ダイ1Aには余分な力を
加えないので、ダイ1Aに損傷を与えない。また従来の
ように接着テープ2を下方に吸引して剥離させるのでは
なく、ダイ1Aと接着テープ2間に空気層13を形成し
て剥離させるので、容易に接着テープ2からダイ1Aを
剥離させることができる。
【0026】また図2(c)に示すように、テープ剥離
ステージ5を次にピックアップするダイ1Bの下方まで
水平移動12させると、ダイ1Bの周辺に空気層14が
形成されるので、次にピックアップされるダイ1Bの剥
離はより容易となる。
【0027】なお、上記実施の形態においては、図1
(b)の状態より図2(a)の状態にするのに、テープ
剥離ステージ5を上昇11させたが、吸着ステージ6を
下降させるようにしてもよい。
【0028】なお、本実施の形態においては、接着テー
プ2の材質は特に限定されるものではない。しかし、接
着テープ2としては、図3に示すような、ポリエチレン
フィルムよりなる基材20と、この基材20上に設けら
れた熱収縮性接着剤21と、熱収縮性接着剤21上に設
けられた紫外線硬化性接着剤22とで構成されるものを
使用するとダイ1の剥離が容易となり、より効果的であ
る。
【0029】図3(a)に示すように、接着テープ2の
紫外線硬化性接着剤22上にウェーハ23が固定されて
いる。そして、図3(b)に示すように、紫外線硬化性
接着剤22上に貼り付けられたウェーハ23をダイシン
グしてダイシング溝24を形成し、個々に分離されたダ
イ1群が水平方向のXY軸方向に整列して形成されてい
る。なお、接着テープ2の構成として、例えば特許第3
073239号公報が挙げられる。
【0030】そこで、図3(c)に示すように、ダイ1
のピックアップ前に予め紫外線等を照射して紫外線硬化
性接着剤22の接着力を弱め、かつピックアップするダ
イ1に対応する熱収縮性接着剤21を熱収縮させると共
に紫外線硬化性接着剤22のダイ1との接着面積を小さ
くする加熱処理を行っておくと、一層ダイ1の剥離は容
易となる。
【0031】また本発明においては、予めピックアップ
前にダイ1に対応する熱収縮性接着剤21は熱収縮させ
ずに、即ち紫外線硬化性接着剤22のダイとの接着面積
は変えずに、紫外線硬化性接着剤22の接着力のみを弱
める紫外線の照射処理のみ行っておくか、又はピックア
ップするダイに対応する熱収縮性接着剤21を熱収縮さ
せることにより、紫外線硬化性接着剤22のダイ1との
接着面積を小さくする加熱処理のみを行っておく場合で
も効果がある。即ち、上記照射処理及び加熱処理は、単
独で行っても、併用しても、或いは処理の加減を行って
も良いことは言うまでもない。
【0032】
【発明の効果】本発明は、ピックアップするダイに対応
した接着テープ部分を支持するテープ剥離ステージと、
ピックアップするダイの周辺の接着テープ部分を真空吸
着する吸着穴が形成された吸着ステージとを備え、前記
吸着ノズルがピックアップするダイを真空吸着した状態
で、前記テープ剥離ステージを上昇又は前記吸着ステー
ジを下降させ、次に前記テープ剥離ステージをピックア
ップされるダイより離れる方向に水平移動させることに
より、ダイと接着テープ間に空気層を形成してダイを接
着テープより剥離させ、ダイをピックアップするので、
ダイに余分な力を加えることなく、かつ容易に接着テー
プからダイを剥離させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のピックアップ装置の一実施の形態の要
部を示し、(a)は平面図、(b)は断面図である。
【図2】ダイのピックアップ動作を示す説明図である。
【図3】(a)はウェーハの状態を示す正面説明図、
(b)はダイシングした状態の正面説明図、(c)は熱
収縮性接着剤が熱収縮した状態を示す説明図である。
【符号の説明】
1A、1B、1C・・・ ダイ 2 接着テープ 3 吸着ノズル 5 テープ剥離ステージ 6 吸着ステージ 6a 溝 6b、6c、6d、6e 吸着穴 10 下降 11 上昇 12 水平移動 13、14 空気層 15 上昇 20 基材 21 熱収縮性接着剤 22 紫外線硬化性接着剤 23 ウェーハ 24 ダイシング溝

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 接着テープに貼り付けられたダイを吸着
    ノズルで前記接着テープから剥離してピックアップする
    ダイのピックアップ方法において、ピックアップするダ
    イに対応した接着テープ部分を支持するテープ剥離ステ
    ージと、ピックアップするダイの周辺の接着テープ部分
    を真空吸着する吸着穴が形成された吸着ステージとを備
    え、前記吸着ノズルがピックアップするダイを真空吸着
    した状態で、前記テープ剥離ステージを上昇又は前記吸
    着ステージを下降させ、次に前記テープ剥離ステージを
    ピックアップされるダイより離れる方向に水平移動させ
    ることにより、ダイと接着テープ間に空気層を形成して
    ダイを接着テープより剥離させ、ダイをピックアップす
    ることを特徴とするピックアップ方法。
  2. 【請求項2】 接着テープに貼り付けられたダイを吸着
    ノズルで前記接着テープから剥離してピックアップする
    ダイのピックアップ装置において、ピックアップするダ
    イに対応した接着テープ部分を支持するテープ剥離ステ
    ージと、ピックアップするダイの周辺の接着テープ部分
    を真空吸着する吸着穴が形成された吸着ステージと、前
    記テープ剥離ステージを上昇又は前記吸着ステージを下
    降させる上下駆動手段と、前記テープ剥離ステージをピ
    ックアップされるダイより離れる方向に水平移動させる
    水平駆動手段とを備えたことを特徴とするピックアップ
    装置。
  3. 【請求項3】 前記吸着ステージの吸着穴は、ピックア
    ップされるダイの3辺に対応して形成されていることを
    特徴とする請求項1又は2記載のダイのピックアップ方
    法及びピックアップ装置。
  4. 【請求項4】 前記テープ剥離ステージの水平移動は、
    テープ剥離ステージの端部が次にピックアップされるダ
    イの内側まで移動することを特徴とする請求項1又は2
    記載のダイのピックアップ方法及びピックアップ装置。
  5. 【請求項5】 前記接着テープは、少なくとも基材と熱
    収縮性接着剤と紫外線硬化性接着剤とからなり、ピック
    アップ前に予め紫外線等を照射して紫外線硬化性接着剤
    の接着力を弱めてあることを特徴とする請求項1又は2
    記載のダイのピックアップ方法及びピックアップ装置。
  6. 【請求項6】 前記接着テープは、少なくとも基材と熱
    収縮性接着剤と紫外線硬化性接着剤とからなり、ピック
    アップするダイに対応する熱収縮性接着剤を熱収縮させ
    ると共に紫外線硬化性接着剤のダイとの接着面積を小さ
    くする加熱処理が行われたものであることを特徴とする
    請求項1又は2記載のダイのピックアップ方法及びピッ
    クアップ装置。
JP2001069919A 2001-03-13 2001-03-13 ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置 Expired - Lifetime JP4482243B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001069919A JP4482243B2 (ja) 2001-03-13 2001-03-13 ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置
TW091102772A TW527671B (en) 2001-03-13 2002-02-19 Die pickup method and die pickup apparatus
KR10-2002-0012137A KR100451479B1 (ko) 2001-03-13 2002-03-07 다이 픽업방법 및 픽업장치
US10/095,721 US20020129899A1 (en) 2001-03-13 2002-03-12 Die pickup method and die pickup apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001069919A JP4482243B2 (ja) 2001-03-13 2001-03-13 ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002270542A true JP2002270542A (ja) 2002-09-20
JP4482243B2 JP4482243B2 (ja) 2010-06-16

Family

ID=18927878

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001069919A Expired - Lifetime JP4482243B2 (ja) 2001-03-13 2001-03-13 ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20020129899A1 (ja)
JP (1) JP4482243B2 (ja)
KR (1) KR100451479B1 (ja)
TW (1) TW527671B (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100373536C (zh) * 2004-05-11 2008-03-05 先进自动器材有限公司 用于半导体芯片分离的装置和方法
JP2010171426A (ja) * 2009-01-22 2010-08-05 Esec Ag 金型排出装置
JP4850916B2 (ja) * 2006-09-29 2012-01-11 キヤノンマシナリー株式会社 ピックアップ方法およびピックアップ装置
JP2012039153A (ja) * 2011-11-09 2012-02-23 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP2012182330A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Fuji Mach Mfg Co Ltd ダイピックアップ装置
US8372665B2 (en) 2007-06-19 2013-02-12 Renesas Electronics Corporation Manufacturing method for semiconductor integrated device
KR20160006790A (ko) 2013-05-14 2016-01-19 토레이 엔지니어링 컴퍼니, 리미티드 반도체 칩의 픽업 장치
JP2016096235A (ja) * 2014-11-14 2016-05-26 アスリートFa株式会社 半導体チップ剥離装置

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6896762B2 (en) * 2002-12-18 2005-05-24 Industrial Technology Research Institute Separation method for object and glue membrane
JP2005064172A (ja) * 2003-08-11 2005-03-10 Shinkawa Ltd ダイピックアップ方法及びダイピックアップ治具
JP4090416B2 (ja) * 2003-09-30 2008-05-28 日東電工株式会社 粘着テープ付ワークの離脱方法及び離脱装置
JP4130167B2 (ja) * 2003-10-06 2008-08-06 日東電工株式会社 半導体ウエハの剥離方法
EP1587138B1 (de) * 2004-04-13 2007-05-30 Oerlikon Assembly Equipment AG, Steinhausen Einrichtung für die Montage von Halbleiterchips und Verfahren zum Ablösen eines Halbleiterchips von einer Folie
US7303647B2 (en) * 2004-10-29 2007-12-04 Asm Assembly Automation Ltd. Driving mechanism for chip detachment apparatus
US20090075459A1 (en) * 2007-09-06 2009-03-19 Kabushiki Kaisha Shinkawa Apparatus and method for picking-up semiconductor dies
JP2009064938A (ja) * 2007-09-06 2009-03-26 Shinkawa Ltd 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法
JP2010062472A (ja) * 2008-09-05 2010-03-18 Nec Electronics Corp 半導体チップのピックアップ装置およびこれを用いた半導体チップのピックアップ方法
JP5210060B2 (ja) * 2008-07-02 2013-06-12 東京応化工業株式会社 剥離装置および剥離方法
MY150953A (en) * 2008-11-05 2014-03-31 Esec Ag Die-ejector
JP2012508460A (ja) * 2008-11-12 2012-04-05 エセック アーゲー フォイルからの半導体チップの剥離及び取外し方法
KR101033771B1 (ko) 2008-12-30 2011-05-13 에스티에스반도체통신 주식회사 순차적 진공흡착 방식에 의한 다이 접착 장비 및 픽업 방법
JP4397429B1 (ja) * 2009-03-05 2010-01-13 株式会社新川 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法
US8141612B2 (en) * 2009-04-02 2012-03-27 Asm Assembly Automation Ltd Device for thin die detachment and pick-up
JP2015065367A (ja) * 2013-09-26 2015-04-09 株式会社テセック 剥離装置およびピックアップシステム
US9991150B2 (en) * 2014-12-12 2018-06-05 Micro Materials Inc. Procedure of processing a workpiece and an apparatus designed for the procedure
KR102594542B1 (ko) * 2018-10-31 2023-10-26 세메스 주식회사 다이 이젝팅 장치
JP6627001B1 (ja) * 2019-01-21 2019-12-25 株式会社東京精密 ウェーハ剥離洗浄装置
US20220336255A1 (en) * 2019-12-30 2022-10-20 Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co., Ltd. Mass Transfer Device and Method
CN111341717B (zh) * 2020-03-10 2023-02-07 长江存储科技有限责任公司 一种拾取装置和拾取方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10233373A (ja) * 1996-12-19 1998-09-02 Lintec Corp チップ体の製造方法および該製造方法に用いられる粘着シート
JPH113875A (ja) * 1997-06-12 1999-01-06 Lintec Corp 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置
JP2001118862A (ja) * 1999-11-09 2001-04-27 Nec Machinery Corp ペレットピックアップ装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5476566A (en) * 1992-09-02 1995-12-19 Motorola, Inc. Method for thinning a semiconductor wafer
US5454900A (en) * 1994-08-10 1995-10-03 Telford Industries Pte Ltd. Detaping apparatus
US5827394A (en) * 1996-07-15 1998-10-27 Vanguard International Semiconductor Corporation Step and repeat exposure method for loosening integrated circuit dice from a radiation sensitive adhesive tape backing
JP3784202B2 (ja) * 1998-08-26 2006-06-07 リンテック株式会社 両面粘着シートおよびその使用方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10233373A (ja) * 1996-12-19 1998-09-02 Lintec Corp チップ体の製造方法および該製造方法に用いられる粘着シート
JPH113875A (ja) * 1997-06-12 1999-01-06 Lintec Corp 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置
JP2001118862A (ja) * 1999-11-09 2001-04-27 Nec Machinery Corp ペレットピックアップ装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100373536C (zh) * 2004-05-11 2008-03-05 先进自动器材有限公司 用于半导体芯片分离的装置和方法
JP4850916B2 (ja) * 2006-09-29 2012-01-11 キヤノンマシナリー株式会社 ピックアップ方法およびピックアップ装置
US8372665B2 (en) 2007-06-19 2013-02-12 Renesas Electronics Corporation Manufacturing method for semiconductor integrated device
US8492173B2 (en) 2007-06-19 2013-07-23 Renesas Electonics Corporation Manufacturing method for semiconductor integrated device
JP2010171426A (ja) * 2009-01-22 2010-08-05 Esec Ag 金型排出装置
JP2012182330A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Fuji Mach Mfg Co Ltd ダイピックアップ装置
JP2012039153A (ja) * 2011-11-09 2012-02-23 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路装置の製造方法
KR20160006790A (ko) 2013-05-14 2016-01-19 토레이 엔지니어링 컴퍼니, 리미티드 반도체 칩의 픽업 장치
JP2016096235A (ja) * 2014-11-14 2016-05-26 アスリートFa株式会社 半導体チップ剥離装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20020129899A1 (en) 2002-09-19
JP4482243B2 (ja) 2010-06-16
KR100451479B1 (ko) 2004-10-06
TW527671B (en) 2003-04-11
KR20020073256A (ko) 2002-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002270542A (ja) ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置
JP3955659B2 (ja) 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置
KR101135903B1 (ko) 박형 다이 분리 및 픽업 장치
KR100480628B1 (ko) 에어 블로잉을 이용한 칩 픽업 방법 및 장치
TWI419213B (zh) 通用晶粒分離裝置
JP2005340839A (ja) チップ分離用剥離装置
KR100549359B1 (ko) 박형의 다이 분리용 장치 및 방법
JP5253996B2 (ja) ワーク分割方法およびテープ拡張装置
KR20110023821A (ko) 보호 테이프 박리 방법 및 그 장치
JP2009044008A (ja) ウエハの保護テープ剥離方法及び装置
JP2009188157A (ja) チップ剥離装置およびチップ剥離方法ならびにチップピックアップ装置
JP2013065757A (ja) 半導体チップのピックアップ方法及び半導体チップのピックアップ装置
JP2002280330A (ja) チップ状部品のピックアップ方法
JP2002164305A (ja) 半導体チップのピックアップ装置
JP2002141392A (ja) 半導体チップのピックアップ方法及び装置、並びに該装置を有するダイボンド装置
JP4369298B2 (ja) ダイピックアップ装置及びダイピックアップ方法
JPH0376139A (ja) 半導体素子突上げ方法
JP2003068832A (ja) ダイシングテープおよびその使用方法
JP2005011836A (ja) ダイピックアップ方法及びダイピックアップ装置
JP2002270628A (ja) ボンディング方法および装置
JPH10335270A (ja) ペレットのピックアップ装置
JPH1092907A (ja) 半導体チップのピックアップユニット及びそのピックア ップ方法
KR102382558B1 (ko) 다이 픽업 장치 및 다이 픽업 장치의 동작방법
JP2004259811A (ja) ダイピックアップ方法及び装置
WO2010052760A1 (ja) チップ剥離方法、半導体装置の製造方法、及びチップ剥離装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071009

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091117

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091119

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091225

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100125

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100222

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100315

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100319

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150