JP4482243B2 - ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置 - Google Patents

ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4482243B2
JP4482243B2 JP2001069919A JP2001069919A JP4482243B2 JP 4482243 B2 JP4482243 B2 JP 4482243B2 JP 2001069919 A JP2001069919 A JP 2001069919A JP 2001069919 A JP2001069919 A JP 2001069919A JP 4482243 B2 JP4482243 B2 JP 4482243B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
die
adhesive
picked
tape
suction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2001069919A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002270542A (ja
Inventor
力 巳亦
康平 鈴木
隆行 田口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinkawa Ltd
Original Assignee
Shinkawa Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinkawa Ltd filed Critical Shinkawa Ltd
Priority to JP2001069919A priority Critical patent/JP4482243B2/ja
Priority to TW091102772A priority patent/TW527671B/zh
Priority to KR10-2002-0012137A priority patent/KR100451479B1/ko
Priority to US10/095,721 priority patent/US20020129899A1/en
Publication of JP2002270542A publication Critical patent/JP2002270542A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4482243B2 publication Critical patent/JP4482243B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52Mounting semiconductor bodies in containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1126Using direct fluid current against work during delaminating
    • Y10T156/1132Using vacuum directly against work during delaminating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1928Differential fluid pressure delaminating means
    • Y10T156/1944Vacuum delaminating means [e.g., vacuum chamber, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、接着テープに貼り付けられたダイを吸着ノズルで前記接着テープから剥離してピックアップするダイのピックアップ方法及びピックアップ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
接着テープに貼り付けられたダイの分離方法として、突き上げ針による方法が一般的に行われている。しかし、この方法は、ダイの厚みが約100μm以下と薄い場合には、ダイが破損するという問題があった。そこで、突き上げ針を用いないでダイを接着テープより分離させる方法が、例えば特公平7−32190号公報(以下、公知例1という)、特開2000−195877号公報(以下、公知例2という)として提案されている。
【0003】
公知例1は、吸着ノズルのダイを吸引するための吸着穴が開口する吸着面をダイの上面より大きく形成し、かつ、前記吸着面に該吸着面の周縁をダイ側に該ダイの厚さ以上に突出させた剥離用側壁部を形成させている。これによって、前記吸着面と剥離用側壁部とでダイよりも容積が大きくかつダイ側が開口しているペレット収納空間を形成している。
【0004】
そこで、ダイをピックアップする時には、吸着ノズルを下降させて接着テープに貼り付けられたピックアップすべきダイを前記ペレット収納空間内に入れる。次に吸着ノズルと接着テープとを該接着テープに平行な方向に相対的に移動させ、前記剥離用側壁部でダイの側面を押圧してダイを接着テープ上で移動させることによって粘着力を弱め、前記吸着面にダイを吸着している。
【0005】
公知例2は、吸着ステージにダイの寸法に対応した複数の真空吸引用の溝を形成している。そこで、ダイをピックアップする時には、前記溝を通して接着テープを真空吸着することにより、接着テープが前記溝の中に引き込まれて変形し、接着テープが剥がれて分離したダイを吸着ノズルでピックアップする。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
公知例1は、吸着ノズルの剥離用側壁部でダイの側面を押圧するので、この押圧によってダイにダメージを与える恐れがある。またダイの厚さが薄い場合には、ダイを確実に押圧できなく、ダイの上面に乗り上がって傷を付ける恐れがある。
【0007】
公知例2は、公知例1のようにダイに不要の力を加えないので、公知例1のような問題は生じない。しかし、この方法は、接着テープを真下に吸引して変形させている。ところで、一般に、接着されたダイと接着テープを分離させる場合、接着面に垂直な方向に力を加えて分離させると、非常に大きな力を要することは経験則の通りである。そこで、例えばダイの厚みが50μm以下と極薄厚の場合には、接着力が強いと、吸着ステージの吸引力によって接着テープと共にダイが変形及び破損する恐れがある。接着力を弱くすると、ピックアップ位置への接着テープの供給等の移動により、ダイが位置ずれする恐れがある。
【0008】
本発明の課題は、ダイに余分な力を加えることなく、かつ容易に接着テープからダイを剥離させることができるダイのピックアップ方法及びピックアップ装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明の第1の方法は、接着テープに貼り付けられたダイを吸着ノズルで前記接着テープから剥離してピックアップするダイのピックアップ方法において、ピックアップするダイに対応した接着テープ部分を支持するテープ剥離ステージと、ピックアップするダイの周辺の接着テープ部分を真空吸着する吸着穴が形成された吸着ステージとを備え、前記吸着ノズルがピックアップするダイを真空吸着した状態で、前記テープ剥離ステージを上昇又は前記吸着ステージを下降させ、次に前記テープ剥離ステージをピックアップされるダイより離れる方向に水平移動させることにより、ダイと接着テープ間に空気層を形成してダイを接着テープより剥離させ、ダイをピックアップすることを特徴とする。
【0010】
上記課題を解決するための本発明の第1の装置は、 接着テープに貼り付けられたダイを吸着ノズルで前記接着テープから剥離してピックアップするダイのピックアップ装置において、ピックアップするダイに対応した接着テープ部分を支持するテープ剥離ステージと、ピックアップするダイの周辺の接着テープ部分を真空吸着する吸着穴が形成された吸着ステージと、前記吸着ノズルがピックアップするダイを真空吸着した状態で、前記テープ剥離ステージを上昇又は前記吸着ステージを下降させる上下駆動手段と、前記テープ剥離ステージをピックアップされるダイより離れる方向に水平移動させる水平駆動手段とを備えたことを特徴とする。
【0011】
上記課題を解決するための本発明の第2の方法及び装置は、上記第1の方法及び装置において、前記吸着ステージの吸着穴は、ピックアップされるダイの3辺に対応して形成されていることを特徴とする。
【0012】
上記課題を解決するための本発明の第3の方法及び装置は、上記第1の方法及び装置において、前記テープ剥離ステージの水平移動は、テープ剥離ステージの端部が次にピックアップされるダイの内側まで移動することを特徴とする。
【0013】
上記課題を解決するための本発明の第4の方法及び装置は、上記第1の方法及び装置において、前記接着テープは、少なくとも基材と熱収縮性接着剤と紫外線硬化性接着剤とからなり、ピックアップ前に予め紫外線等を照射して紫外線硬化性接着剤の接着力を弱めてあることを特徴とする。
【0014】
上記課題を解決するための本発明の第5の方法及び装置は、上記第1の方法及び装置において、前記接着テープは、少なくとも基材と熱収縮性接着剤と紫外線硬化性接着剤とからなり、ピックアップするダイに対応する熱収縮性接着剤を熱収縮させると共に紫外線硬化性接着剤のダイとの接着面積を小さくする加熱処理が行われたものであることを特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態を図1及び図2により説明する。ダイ1A、1B・・・が貼り付けられた接着テープ2の外周は、図示しないウェーハリングに固定されている。ウェーハリングは、平面方向のXY軸方向に駆動される図示しないウェーハ支持枠に固定される。ダイ1A、1B・・・は、吸着穴3aが形成された吸着ノズル3によって真空吸着されてピックアップされる。以上は周知の技術である。
【0016】
本実施の形態は、ピックアップするダイ1Aに対応した接着テープ2の部分を支持するテープ剥離ステージ5と、ピックアップするダイ1Aの周辺の接着テープ2部分を真空吸着して保持する吸着ステージ6とからなっている。
【0017】
吸着ステージ6には、テープ剥離ステージ5を配設するための溝6aが形成されている。また吸着ステージ6には、テープ剥離ステージ5の3方を囲うように吸着穴6b、6c、6dが形成されている。即ち、吸着ステージ6は、ピックアップするダイ1Aの3辺に対応した接着テープ2部分を吸着穴6b、6c、6dによって真空吸着されるようになっている。吸着穴6b、6c、6dは吸着穴6eに連通し、吸着穴6eは図示しない真空源に接続されている。
【0018】
テープ剥離ステージ5は、図示しない水平駆動手段により吸着ステージ6の溝6aに沿って水平移動12又は反対方向に水平移動させられ、また図示しない上下駆動手段によって上昇11又は反対方向に上下移動させられる。
【0019】
次に作用について説明する。図1(a)において、吸着ノズル3はピックアップ位置の上方に位置した状態にある。またテープ剥離ステージ5は、吸着ステージ6の溝6a内に配設された状態にある。この状態で、図示しないウェーハリングに固定された接着テープ2は図示しないXY軸駆動手段でXY軸方向に移動させられ、ピックアップするダイ1Aがピックアップ位置に位置決めされる。
【0020】
次に図1(b)に示すように、吸着ステージ6の吸着穴6b、6c、6dによって、ピックアップされるダイ1Aの周辺の接着テープ2部分が真空吸着される。また同時に吸着ノズル3が下降10し、ダイ1Aを吸着ノズル3の吸着穴3aによって真空吸着する。
【0021】
次に図2(a)に示すように、テープ剥離ステージ5が図示しない上下駆動手段で数mm上昇11させられ、ダイ1Aは吸着ノズル3と一体となって上昇する。これにより、ダイ1Aの周辺の接着テープ2の部分が前記上昇11の分伸びる。
【0022】
続いてテープ剥離ステージ5が、図2(b)の状態を経て図2(c)に示すように、図示しない水平駆動手段で水平移動12させられる。テープ剥離ステージ5を水平移動12すると、図2(b)に示すように溝6aが拡大し、ダイ1Aと接着テープ2の間に空気層13が形成される。
【0023】
更に、図2(c)に示すように、テープ剥離ステージ5を次にピックアップするダイ1Bの下方まで水平移動12させると、ダイ1Aは、接着テープ2より完全に剥離される。これにより、ダイ1Aは、吸着ノズル3に真空吸着されてピックアップされる。ダイ1Aを真空吸着した吸着ノズル3は、図示しない移送手段により上昇15及びXY軸方向に移動させられ、次工程、例えばダイボンディング、ダイ詰め等の工程を行う。
【0024】
ダイ1Aがピックアップされると、テープ剥離ステージ5は、矢印11及び矢印12と反対方向に移動して図1に示す初期状態となる。また接着テープ2が固定された図示しないウェーハリングがXY軸方向に移動させられ、次にピックアップされるダイ1Bが吸着ステージ6の上方のピックアップ位置に位置決めされる。そして、以後、前記した工程を行う。
【0025】
このように、テープ剥離ステージ5を上昇11させてピックアップするダイ1Aの周辺の接着テープ2を引伸し、テープ剥離ステージ5を水平移動12させてダイ1Aと接着テープ2間に空気層13を形成してダイ1Aを剥離させる。即ち、ダイ1Aには余分な力を加えないので、ダイ1Aに損傷を与えない。また従来のように接着テープ2を下方に吸引して剥離させるのではなく、ダイ1Aと接着テープ2間に空気層13を形成して剥離させるので、容易に接着テープ2からダイ1Aを剥離させることができる。
【0026】
また図2(c)に示すように、テープ剥離ステージ5を次にピックアップするダイ1Bの下方まで水平移動12させると、ダイ1Bの周辺に空気層14が形成されるので、次にピックアップされるダイ1Bの剥離はより容易となる。
【0027】
なお、上記実施の形態においては、図1(b)の状態より図2(a)の状態にするのに、テープ剥離ステージ5を上昇11させたが、吸着ステージ6を下降させるようにしてもよい。
【0028】
なお、本実施の形態においては、接着テープ2の材質は特に限定されるものではない。しかし、接着テープ2としては、図3に示すような、ポリエチレンフィルムよりなる基材20と、この基材20上に設けられた熱収縮性接着剤21と、熱収縮性接着剤21上に設けられた紫外線硬化性接着剤22とで構成されるものを使用するとダイ1の剥離が容易となり、より効果的である。
【0029】
図3(a)に示すように、接着テープ2の紫外線硬化性接着剤22上にウェーハ23が固定されている。そして、図3(b)に示すように、紫外線硬化性接着剤22上に貼り付けられたウェーハ23をダイシングしてダイシング溝24を形成し、個々に分離されたダイ1群が水平方向のXY軸方向に整列して形成されている。なお、接着テープ2の構成として、例えば特許第3073239号公報が挙げられる。
【0030】
そこで、図3(c)に示すように、ダイ1のピックアップ前に予め紫外線等を照射して紫外線硬化性接着剤22の接着力を弱め、かつピックアップするダイ1に対応する熱収縮性接着剤21を熱収縮させると共に紫外線硬化性接着剤22のダイ1との接着面積を小さくする加熱処理を行っておくと、一層ダイ1の剥離は容易となる。
【0031】
また本発明においては、予めピックアップ前にダイ1に対応する熱収縮性接着剤21は熱収縮させずに、即ち紫外線硬化性接着剤22のダイとの接着面積は変えずに、紫外線硬化性接着剤22の接着力のみを弱める紫外線の照射処理のみ行っておくか、又はピックアップするダイに対応する熱収縮性接着剤21を熱収縮させることにより、紫外線硬化性接着剤22のダイ1との接着面積を小さくする加熱処理のみを行っておく場合でも効果がある。即ち、上記照射処理及び加熱処理は、単独で行っても、併用しても、或いは処理の加減を行っても良いことは言うまでもない。
【0032】
【発明の効果】
本発明は、ピックアップするダイに対応した接着テープ部分を支持するテープ剥離ステージと、ピックアップするダイの周辺の接着テープ部分を真空吸着する吸着穴が形成された吸着ステージとを備え、前記吸着ノズルがピックアップするダイを真空吸着した状態で、前記テープ剥離ステージを上昇又は前記吸着ステージを下降させ、次に前記テープ剥離ステージをピックアップされるダイより離れる方向に水平移動させることにより、ダイと接着テープ間に空気層を形成してダイを接着テープより剥離させ、ダイをピックアップするので、ダイに余分な力を加えることなく、かつ容易に接着テープからダイを剥離させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のピックアップ装置の一実施の形態の要部を示し、(a)は平面図、(b)は断面図である。
【図2】ダイのピックアップ動作を示す説明図である。
【図3】(a)はウェーハの状態を示す正面説明図、(b)はダイシングした状態の正面説明図、(c)は熱収縮性接着剤が熱収縮した状態を示す説明図である。
【符号の説明】
1A、1B、1C・・・ ダイ
2 接着テープ
3 吸着ノズル
5 テープ剥離ステージ
6 吸着ステージ
6a 溝
6b、6c、6d、6e 吸着穴
10 下降
11 上昇
12 水平移動
13、14 空気層
15 上昇
20 基材
21 熱収縮性接着剤
22 紫外線硬化性接着剤
23 ウェーハ
24 ダイシング溝

Claims (10)

  1. 接着テープに貼り付けられたダイを吸着ノズルで前記接着テープから剥離してピックアップするダイのピックアップ方法において、ピックアップするダイに対応した接着テープ部分を支持するテープ剥離ステージと、ピックアップするダイの周辺の接着テープ部分を真空吸着する吸着穴が形成された吸着ステージとを備え、前記吸着ノズルがピックアップするダイを真空吸着した状態で、前記テープ剥離ステージを上昇又は前記吸着ステージを下降させ、次に前記テープ剥離ステージをピックアップされるダイより離れる方向に水平移動させることにより、ダイと接着テープ間に空気層を形成してダイを接着テープより剥離させ、ダイをピックアップすることを特徴とするピックアップ方法。
  2. 接着テープに貼り付けられたダイを吸着ノズルで前記接着テープから剥離してピックアップするダイのピックアップ装置において、ピックアップするダイに対応した接着テープ部分を支持するテープ剥離ステージと、ピックアップするダイの周辺の接着テープ部分を真空吸着する吸着穴が形成された吸着ステージと、前記吸着ノズルがピックアップするダイを真空吸着した状態で、前記テープ剥離ステージを上昇又は前記吸着ステージを下降させる上下駆動手段と、前記テープ剥離ステージをピックアップされるダイより離れる方向に水平移動させる水平駆動手段とを備えたことを特徴とするピックアップ装置。
  3. 前記吸着ステージの吸着穴は、ピックアップされるダイの3辺に対応して形成されていることを特徴とする請求項1記載のダイのピックアップ方法。
  4. 前記テープ剥離ステージの水平移動は、テープ剥離ステージの端部が次にピックアップされるダイの内側まで移動することを特徴とする請求項1記載のダイのピックアップ方法
  5. 前記接着テープは、少なくとも基材と熱収縮性接着剤と紫外線硬化性接着剤とからなり、ピックアップ前に予め紫外線等を照射して紫外線硬化性接着剤の接着力を弱めてあることを特徴とする請求項1記載のダイのピックアップ方法。
  6. 前記接着テープは、少なくとも基材と熱収縮性接着剤と紫外線硬化性接着剤とからなり、ピックアップするダイに対応する熱収縮性接着剤を熱収縮させると共に紫外線硬化性接着剤のダイとの接着面積を小さくする加熱処理が行われたものであることを特徴とする請求項1記載のダイのピックアップ方法。
  7. 前記吸着ステージの吸着穴は、ピックアップされるダイの3辺に対応して形成されていることを特徴とする請求項2記載のダイのピックアップ装置。
  8. 前記テープ剥離ステージの水平移動は、テープ剥離ステージの端部が次にピックアップされるダイの内側まで移動することを特徴とする請求項2記載のダイのピックアップ装置。
  9. 前記接着テープは、少なくとも基材と熱収縮性接着剤と紫外線硬化性接着剤とからなり、ピックアップ前に予め紫外線等を照射して紫外線硬化性接着剤の接着力を弱めてあることを特徴とする請求項2記載のダイのピックアップ装置。
  10. 前記接着テープは、少なくとも基材と熱収縮性接着剤と紫外線硬化性接着剤とからなり、ピックアップするダイに対応する熱収縮性接着剤を熱収縮させると共に紫外線硬化性接着剤のダイとの接着面積を小さくする加熱処理が行われたものであることを特徴とする請求項2記載のダイのピックアップ装置。
JP2001069919A 2001-03-13 2001-03-13 ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置 Expired - Lifetime JP4482243B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001069919A JP4482243B2 (ja) 2001-03-13 2001-03-13 ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置
TW091102772A TW527671B (en) 2001-03-13 2002-02-19 Die pickup method and die pickup apparatus
KR10-2002-0012137A KR100451479B1 (ko) 2001-03-13 2002-03-07 다이 픽업방법 및 픽업장치
US10/095,721 US20020129899A1 (en) 2001-03-13 2002-03-12 Die pickup method and die pickup apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001069919A JP4482243B2 (ja) 2001-03-13 2001-03-13 ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002270542A JP2002270542A (ja) 2002-09-20
JP4482243B2 true JP4482243B2 (ja) 2010-06-16

Family

ID=18927878

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001069919A Expired - Lifetime JP4482243B2 (ja) 2001-03-13 2001-03-13 ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20020129899A1 (ja)
JP (1) JP4482243B2 (ja)
KR (1) KR100451479B1 (ja)
TW (1) TW527671B (ja)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6896762B2 (en) * 2002-12-18 2005-05-24 Industrial Technology Research Institute Separation method for object and glue membrane
JP2005064172A (ja) * 2003-08-11 2005-03-10 Shinkawa Ltd ダイピックアップ方法及びダイピックアップ治具
JP4090416B2 (ja) * 2003-09-30 2008-05-28 日東電工株式会社 粘着テープ付ワークの離脱方法及び離脱装置
JP4130167B2 (ja) * 2003-10-06 2008-08-06 日東電工株式会社 半導体ウエハの剥離方法
EP1587138B1 (de) * 2004-04-13 2007-05-30 Oerlikon Assembly Equipment AG, Steinhausen Einrichtung für die Montage von Halbleiterchips und Verfahren zum Ablösen eines Halbleiterchips von einer Folie
US7240422B2 (en) * 2004-05-11 2007-07-10 Asm Assembly Automation Ltd. Apparatus for semiconductor chip detachment
US7303647B2 (en) * 2004-10-29 2007-12-04 Asm Assembly Automation Ltd. Driving mechanism for chip detachment apparatus
CN101512746B (zh) * 2006-09-29 2010-08-11 佳能机械株式会社 片状器件拾取方法及片状器件拾取装置
TWI463580B (zh) 2007-06-19 2014-12-01 Renesas Electronics Corp Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device
JP2009064938A (ja) * 2007-09-06 2009-03-26 Shinkawa Ltd 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法
US20090075459A1 (en) * 2007-09-06 2009-03-19 Kabushiki Kaisha Shinkawa Apparatus and method for picking-up semiconductor dies
JP2010062472A (ja) * 2008-09-05 2010-03-18 Nec Electronics Corp 半導体チップのピックアップ装置およびこれを用いた半導体チップのピックアップ方法
JP5210060B2 (ja) * 2008-07-02 2013-06-12 東京応化工業株式会社 剥離装置および剥離方法
MY150953A (en) * 2008-11-05 2014-03-31 Esec Ag Die-ejector
WO2010054957A1 (de) * 2008-11-12 2010-05-20 Esec Ag Verfahren zum ablösen und entnehmen eines halbleiterchips von einer folie
KR101033771B1 (ko) 2008-12-30 2011-05-13 에스티에스반도체통신 주식회사 순차적 진공흡착 방식에 의한 다이 접착 장비 및 픽업 방법
SG163493A1 (en) * 2009-01-22 2010-08-30 Esec Ag Die ejector
JP4397429B1 (ja) * 2009-03-05 2010-01-13 株式会社新川 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法
US8141612B2 (en) * 2009-04-02 2012-03-27 Asm Assembly Automation Ltd Device for thin die detachment and pick-up
JP5669137B2 (ja) * 2011-03-01 2015-02-12 富士機械製造株式会社 ダイピックアップ装置
JP5337226B2 (ja) * 2011-11-09 2013-11-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
JPWO2014185446A1 (ja) 2013-05-14 2017-02-23 東レエンジニアリング株式会社 半導体チップのピックアップ装置
JP2015065367A (ja) * 2013-09-26 2015-04-09 株式会社テセック 剥離装置およびピックアップシステム
JP6405200B2 (ja) * 2014-11-14 2018-10-17 アスリートFa株式会社 半導体チップ剥離装置
US9991150B2 (en) * 2014-12-12 2018-06-05 Micro Materials Inc. Procedure of processing a workpiece and an apparatus designed for the procedure
KR102594542B1 (ko) * 2018-10-31 2023-10-26 세메스 주식회사 다이 이젝팅 장치
JP6627001B1 (ja) * 2019-01-21 2019-12-25 株式会社東京精密 ウェーハ剥離洗浄装置
WO2021134255A1 (zh) * 2019-12-30 2021-07-08 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种巨量转移装置及方法
CN111341717B (zh) * 2020-03-10 2023-02-07 长江存储科技有限责任公司 一种拾取装置和拾取方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10233373A (ja) * 1996-12-19 1998-09-02 Lintec Corp チップ体の製造方法および該製造方法に用いられる粘着シート
JPH113875A (ja) * 1997-06-12 1999-01-06 Lintec Corp 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置
JP2001118862A (ja) * 1999-11-09 2001-04-27 Nec Machinery Corp ペレットピックアップ装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5476566A (en) * 1992-09-02 1995-12-19 Motorola, Inc. Method for thinning a semiconductor wafer
US5454900A (en) * 1994-08-10 1995-10-03 Telford Industries Pte Ltd. Detaping apparatus
US5827394A (en) * 1996-07-15 1998-10-27 Vanguard International Semiconductor Corporation Step and repeat exposure method for loosening integrated circuit dice from a radiation sensitive adhesive tape backing
JP3784202B2 (ja) * 1998-08-26 2006-06-07 リンテック株式会社 両面粘着シートおよびその使用方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10233373A (ja) * 1996-12-19 1998-09-02 Lintec Corp チップ体の製造方法および該製造方法に用いられる粘着シート
JPH113875A (ja) * 1997-06-12 1999-01-06 Lintec Corp 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置
JP2001118862A (ja) * 1999-11-09 2001-04-27 Nec Machinery Corp ペレットピックアップ装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100451479B1 (ko) 2004-10-06
TW527671B (en) 2003-04-11
JP2002270542A (ja) 2002-09-20
US20020129899A1 (en) 2002-09-19
KR20020073256A (ko) 2002-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4482243B2 (ja) ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置
JP3955659B2 (ja) 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置
US6319754B1 (en) Wafer-dicing process
US7284941B2 (en) Method and apparatus for picking up a semiconductor chip, method and apparatus for removing a semiconductor chip from a dicing tape, and a method of forming a perforated dicing tape
TWI419213B (zh) 通用晶粒分離裝置
WO2005106937A1 (ja) シート剥離装置及び剥離方法
JP4480926B2 (ja) シリコンウエハに対する保護フィルムの貼着方法及び貼着装置
WO1997008745A1 (fr) Procede et appareil de decollage de la bande de protection adhesive d'une tranche de semi-conducteurs
CN101529575A (zh) 芯片的拾取方法及拾取装置
CN101529577A (zh) 固定夹具及芯片的拾取方法以及拾取装置
WO2004038779A1 (ja) エキスパンド方法及びエキスパンド装置
JP2002280330A (ja) チップ状部品のピックアップ方法
US7863104B2 (en) Method of producing a thin semiconductor chip
JP2009158879A (ja) 基板への接着シートの貼付け装置
JP2010153692A (ja) ワーク分割方法およびテープ拡張装置
JP2009158879A5 (ja)
JP3748375B2 (ja) 半導体チップのピックアップ装置
JP2010050313A (ja) 薄膜転写方法及び薄膜電子デバイスの製造方法
JP2001210701A (ja) 半導体ウエハ保護用フィルムの貼付方法及びその装置
JP2002141392A (ja) 半導体チップのピックアップ方法及び装置、並びに該装置を有するダイボンド装置
JP2003234396A (ja) チップのピックアップ装置、その製造方法、及び半導体製造装置
JP5530203B2 (ja) シート貼付装置およびシート貼付方法
JPH0376139A (ja) 半導体素子突上げ方法
JP4134774B2 (ja) 電子部品供給方法
JP2003068832A (ja) ダイシングテープおよびその使用方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071009

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091117

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091119

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091225

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100125

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100222

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100315

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100319

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150