JP5253996B2 - ワーク分割方法およびテープ拡張装置 - Google Patents

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本発明は、例えば半導体ウェーハ等のワークを多数の半導体チップに分割する方法と、該方法を好適に実施し得るテープ拡張装置に関する。
半導体デバイス製造工程においては、円板状の半導体ウェーハの表面に格子状の分割予定ラインによって多数の矩形領域を区画し、これら矩形領域の表面にICやLSI等の電子回路を形成し、次いで裏面を研削した後に研磨するなど必要な処理をしてから、全ての分割予定ラインを切断する、すなわちダイシングして、多数の半導体チップを得ている。このようにして得られた半導体チップは、裏面にエポキシ樹脂等からなる厚さが例えば数μm〜100μm程度のDAF(Die Attach Film)と称されるダイボンディング用のフィルム状接着剤が貼着され、このDAFを介して、半導体チップを支持するダイボンディングフレームに対し加熱することによりボンディングされる。
一方、半導体ウェーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、近年にあっては、レーザ光線を、被加工物の内部に集光点を合わせて照射するレーザ加工方法が試みられている。このレーザ加工方法を用いた分割方法は、透過性を有する赤外光領域のパルスレーザ光線を被加工物の一方の面側から内部に集光点を合わせて照射して、被加工物の内部に分割予定ラインに沿った変質層を連続的に形成し、この変質層で強度が低下した分割予定ラインに外力を加えることによって被加工物を分割するものである(特許文献1参照)。外力を加える手段としては、被加工物の裏面に貼着した保護テープ等のテープを拡張することにより半導体ウェーハも同時に拡張させるといった手段が採られている(特許文献2参照)。
特許3408805号公報 特開2007−27250号公報
ところで、研削により薄化されたウェーハは内部に反り成分が含まれる場合がある。反り成分を含んだウェーハは、分割前はテープの粘着層に全面が貼着して保持されていたものが、チップに分割されると粘着層の保持力よりも反り成分の応力の方が強くなってチップに反りが生じ、チップの端部がテープの粘着層から離れてしまうという問題が生じる。このように反りが生じたチップ(以下、反りチップと言う)がテープに貼着した状態では、後の洗浄工程でチップがテープから離脱するチップ飛びといった不都合な現象を招くおそれがある。
また、テープの粘着層を形成する粘着材に紫外線硬化型樹脂を用い、テープからチップをピックアップする際に紫外線をテープに照射して粘着層を硬化させ、チップをテープから剥離しやすくすることが行われている。ところが、紫外線を照射する際にチップが反っていて端部がテープから離れていると紫外線照射時に粘着層が十分に硬化せず、ピックアップ時にチップがテープから剥離しにくくなるといった不具合を招くことがある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、反り成分を含むワークをテープ拡張によってチップに分割しても、チップの全面をテープに貼着された状態として、反りチップのままでは何らかの不具合が起こる分割工程の後の工程でその不具合が起こらず無事にその工程を遂行することができるワーク分割方法およびテープ拡張装置を提供することを目的としている。
本発明のワーク分割方法は、開口部を有するフレームを保持する保持手段と、フレームの開口部に、貼着されたテープを介して支持され、分割予定ラインによって複数のチップが形成された板状のワークを、フレームに対して該ワークの面に直交する方向に相対的に移動させるテープ拡張手段とを含むテープ拡張装置により、該ワークを分割予定ラインに沿って分割するワーク分割方法であって、ワークは内部応力による反り成分を含んでおり、テープ拡張手段によってテープとともにワークを拡張することにより、該ワークを分割予定ラインに沿って複数の反りチップに分割するワーク分割工程と、該反りチップをテープに向けて押圧して該テープに該反りチップのテープ貼着面全面を密着させて貼着させるチップ貼着工程とを含むことを特徴としている。
本発明のワーク分割方法によると、チップ貼着工程で、反りチップを押圧することにより、チップの反りが矯正されてチップが平坦になり、チップのテープ貼着面の全面がテープに密着して貼着した状態となる。したがって反りチップが解消され、この後に行われる工程(例えば洗浄やチップのピックアップ等)では、反りチップであったことによる不具合が起こらない。
本発明では、分割予定ラインに強度を低下させる加工が施されていることにより、テープ拡張によってワークが複数のチップに分割される。強度低下を生じさせる加工としては、ワークの内部に、分割予定ラインに沿って、強度を低下させる変質層を形成する加工が挙げられる。
また、本発明は、上記チップ貼着工程の後に、チップをスピン洗浄するスピン洗浄工程が行われることを含む。本発明では反りチップが解消されるため、このスピン洗浄工程でチップ飛びが起こることを防ぐことができる。
また、本発明は、テープは紫外線硬化型の粘着材によってウェーハに貼着され、上記チップ貼着工程の後に、該テープに紫外線を照射する紫外線照射工程が行われることを含む。本発明では反りチップが解消されるため、この紫外線照射工程でテープの粘着材が確実に硬化してチップが剥離しやすくなり、テープからのピックアップを確実に行うことができる。
次に、本発明のテープ拡張装置は、開口部を有するフレームを保持する保持手段と、フレームの開口部に、貼着されたテープを介して支持され、分割予定ラインによって複数のチップが形成された板状のワークを、フレームに対して該ワークの面に直交する方向に相対的に移動させることにより、該ワークを複数のチップに分割するテープ拡張手段とを含むテープ拡張装置であって、ワークは内部応力による反り成分を含んでおり、拡張手段によって複数のチップに分割された分割済みワークが、テープを介して載置されるワーク載置面を有するワーク載置手段と、ワーク載置面に載置された分割済みワークを、該ワーク載置面に向けて押圧する押圧手段とを含むことを特徴としている。本発明のテープ拡張装置によれば、上記本発明のワーク分割方法を好適に実施し得る。
なお、本発明で言うワークは特に限定はされないが、例えばシリコンウェーハ等の半導体ウェーハであって、多数のチップに区画する分割予定ラインに溝や内部変質層が形成されたもの、またはこのようなウェーハに上記DAFが貼着されたもの、さらにこのようなウェーハであって分割予定ラインがフルカットされていてDAFがハーフカット(厚さの途中までカットされている状態)のものなどが挙げられる。
本発明によれば、反り成分を含むワークをテープ拡張によってチップに分割しても、チップの全面をテープに貼着された状態として、反りチップのままでは何らかの不具合が起こる分割工程の後の工程でその不具合が起こらず無事にその工程を遂行することができるといった効果を奏する。
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
(1)ウェーハ
図1の符号1は一実施形態でのワークである円板状の半導体ウェーハ(以下、ウェーハと略称)を示している。このウェーハ1はシリコンウェーハ等であって、厚さが例えば100〜700μm程度であり、外周部の一部には結晶方位を示すマークとしてオリエンテーションフラット1aが形成されている。ウェーハ1の表面には、格子状に形成された分割予定ライン2により多数の矩形状の半導体チップ(以下、チップと略称)3が区画されている。各チップ3の表面には、図示せぬICやLSI等の電子回路が形成されている。図1(b)に示すように、ウェーハ1の裏面にはダイボンディング用の上記DAF4が貼着されている。
裏面にDAF4が貼着されたウェーハ1は、環状のフレーム5の内側の開口部5aに同心状に配設され、DAF4側に貼着された粘着テープ(以下、テープと略称)6を介してフレーム5に一体に支持されている。テープ6の、ウェーハ1の外縁とフレーム5の内縁との間の環状の領域は、弛み領域6aとされる。ウェーハ1は反り成分を含んでいるが、テープ6に貼着されることにより平坦化されている。なお、以下の説明では、図1で示したようにテープ6を介してウェーハ1を支持しているフレーム5をウェーハ付きフレーム7と称する。ウェーハ1はこのようにフレーム5に支持された状態で、分割予定ライン2にダイシング加工が施されている。ダイシング加工はウェーハ1を個々のチップ3に分割するために行われるもので、レーザ加工が採用される。
上記テープ6は、常温では伸縮性を有し、かつ、所定温度(例えば70℃)以上に加熱されると収縮する性質を有する基材の片面に、粘着層が形成されたものが用いられる。基材としては、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリオレフィン等の合成樹脂シートが挙げられる。また、粘着層を形成する粘着材は、紫外線の照射を受けることにより硬化する紫外線硬化型の樹脂が用いられる。
上記レーザ加工によるダイシング加工は、透過性を有するパルスレーザ光線をウェーハ1の内部に集光点を合わせて照射することにより分割予定ライン2に沿って変質層を形成し、分割予定ライン2の強度を低下させる加工である。
ダイシング加工が施されたウェーハ1は、次に説明するテープ拡張装置でテープ6が拡張されることにより、分割予定ライン2が切断されて個々のチップ3に分割されるとともに、DAF4もチップ3ごとに破断される。これにより、裏面にDAF4が貼着された多数のチップ3(DAF付きチップ)が得られる。
(2)テープ拡張装置の構成および動作
以下、図2〜図6を参照して、テープ拡張装置の構成および動作を説明する。
図2はテープ拡張装置10の全体を示しており、符号15で示す装置台上には、カセット台16、テープ拡張手段20、熱付与手段30、洗浄手段40、押圧手段50、UV(紫外線)照射手段60が所定箇所に配設されている。また、装置台11上には、ウェーハ付きフレーム7を搬送する第1〜第3搬送手段71〜73も配設されている。
上記ウェーハ付きフレーム7は、図2に示すカセット17内に、ウェーハ1を上側にしてチップ3の表面を露出した状態で収納される。カセット17には、多数のウェーハ付きフレーム7が水平、かつ上下方向に積層されて収納される。多数のウェーハ付きフレーム7が収納されたカセット17は、カセット台16にセットされる。カセット台16は昇降可能なエレベータ式であり、昇降することによってカセット17内の1つのウェーハ付きフレーム7が所定の搬出位置に位置付けられるようになっている。
該搬出位置に位置付けられたウェーハ付きフレーム7のフレーム5は第1搬送手段71によってY方向奥側に引き出され、一対のY方向に延びる断面L字状の第1ガイドレール11上に架け渡された状態で載置される。第1搬送手段71はクランプでフレーム5を把持し、Y方向に移動することでウェーハ付きフレーム7を第1ガイドレール11上に搬送する。第1ガイドレール11はX方向に同期して互いに近付いたり離れたりするように動き、ウェーハ付きフレーム7が載置されてから互いに近付くことにより、フレーム5の端縁に係合してウェーハ付きフレーム7を所定の搬送開始位置に位置決めするものである。
第1ガイドレール11で搬送開始位置に位置決めされたウェーハ付きフレーム7は、次いで、水平旋回するアーム72aの先端に負圧吸着式の吸着パッドが取り付けられた第2搬送手段72により、もう一方の一対の第2ガイドレール12上に載置される。第2搬送手段72では、吸着パッドの下面にフレーム5が吸着、保持され、アーム72aが旋回することにより、ウェーハ付きフレーム7が第2ガイドレール12上に移される。第2ガイドレール12上でウェーハ付きフレーム7はX方向の位置決めがなされ、次いでウェーハ付きフレーム7は、第1搬送手段71と同様の構成の第3搬送手段73によって、テープ拡張手段20に搬送される。
(2−1)テープ拡張によるウェーハ分割
テープ拡張手段20は、図2のカバー20A内に配設されており、図3(a)〜(c)に示すように、フレーム押さえプレート21と、フレーム保持台22と、突き上げテーブル23を備えている。フレーム押さえプレート21とフレーム保持台22は、互いに同心状の水平な環状のもので、それぞれの円形状の開口部21a,22aの径は、フレーム5の内径程度に設定されている。フレーム押さえプレート21は固定されており、フレーム保持台22はエアシリンダ等の図示せぬ昇降手段によって昇降させられる。
フレーム保持台22は、図3(a)に示すフレーム押さえプレート21から下方に離れた受け取り位置に位置付けられた状態で、第3搬送手段73からウェーハ付きフレーム7のフレーム5が載置されてウェーハ付きフレーム7を受け取る。次にフレーム保持台22が上昇し、図3(b)に示すように、フレーム5がフレーム保持台22とフレーム押さえプレート21とに挟まれて固定される。次に、図3(c)に示すように、突き上げテーブル23が上昇してウェーハ1をテープ6とともに上方に突き上げる。
突き上げテーブル23は、軸心が上下方向に沿った円筒状のもので、フレーム保持台22にフレーム5が保持されたウェーハ付きフレーム7の下方に、フレーム押さえプレート21やフレーム保持台22の開口部21a,22aと同心状に配設されている。突き上げテーブル23の上面の直径は、拡張後のウェーハ1の直径と同等以上に設定されている。また、突き上げテーブル23の上面の周縁には、突き上げ時にテープ6との摩擦を緩和する複数のコロ部材24が回転自在に取り付けられている。
突き上げテーブル23は、図示せぬ昇降手段によって昇降させられ、突き上げテーブル23が上昇すると、ウェーハ1の裏面に貼着されているテープ6が放射方向に引っ張られる力を受けて拡張する。そしてテープ6が放射方向に拡張するに伴い、ウェーハ1は、ダイシング加工が施されている分割予定ライン2に沿って分断され、個々のチップ3に分割される。また、ウェーハ1の裏面に貼着されているDAF4も、個々のチップ3に貼着した状態で、チップ3ごとに破断される。したがってテープ6上には、多数のDAF付きのチップ3が貼着しており、隣接するチップ3およびDAF4の間には、テープ6の拡張によって隙間が空いた状態となっている。
ところで、ウェーハ1は反り成分を含んでいたことにより、分割されると各チップ3には図3(c)に示すように反りが生じ、この反りチップ3Aの端部はDAF4とともにテープ6から剥離してしまう。各チップ3の反りは、テープ6の粘着層の保持力よりも反り成分の応力の方が強くなるために起こる。また、拡張されたテープ6の上記弛み領域6aは弛みが生じており、次に弛み領域6aの弛みが熱付与手段30によって収縮される。
(2−2)テープの弛み領域の収縮
ウェーハ1が多数のチップ3(反りチップ3A)に分割されたら、突き上げテーブル23が下降し、フレーム保持台22が上記受け取り位置まで下降する。次にウェーハ付きフレーム7は、第3搬送手段73によってフレーム保持台22から上記第2ガイドレール12上に引き出され、次いで第2搬送手段72によって熱付与手段30に搬送される。
熱付与手段30では、図3(d)に示すように、負圧吸着式の吸着テーブル31上に分割済みのウェーハ1がテープ6を介して吸着、保持され、フレーム5は吸着テーブル31の外側のフレーム保持テーブル32上に支持される。そして、環状のヒータ33により弛み領域6aが加熱され、これによって弛み領域6aは収縮し、フレーム5内のウェーハ1の弛みが抑制されてチップ3どうしの接触が防止される。ヒータ33は、上下方向に延びるロッド34の下端に円板状のフランジ35を介して設けられており、ロッド34が下降すると弛み領域に近付き、加熱運転されることにより弛み領域6aが加熱される。ヒータ33は、例えば赤外線を下方に向けて照射して加熱する形式のものが好適に用いられる。
(2−3)チップ貼着工程
テープ6の弛み領域6aを収縮させたら、ウェーハ付きフレーム7は、次に、第2搬送手段72によって洗浄手段40に搬送される。洗浄手段40では、負圧吸着式のスピンナテーブル41の上面41aにテープ6を介してウェーハ1が吸着、保持され、スピンナテーブル41が所定の洗浄速度で回転し、回転するウェーハ1に洗浄水が噴出されてウェーハ1が洗浄される。また、洗浄手段40は、乾燥エアをウェーハ1に吹き付ける機能も有している。
ウェーハ付きフレーム7は、洗浄手段40のスピンナテーブル41上に吸着、保持されるが、ここではまだウェーハ1の洗浄はされず、押圧手段50によって、各反りチップ3Aを上から押圧し、チップ3をテープ6に貼着するチップ貼着工程が行われる。押圧手段50はスピンナテーブル41の上方に配設されており、図4に示すように、シリンダ駆動部51とモータ駆動部52とによって円板状の押圧プレート53が上下動可能に設けられた構成のものである。
シリンダ駆動部51は、シリンダ51aから下方に延びるピストンロッド51bが伸縮するもので、シリンダ51aは図示せぬ固定部に固定されている。ピストンロッド51bの下端には、モータ駆動部52のモータ52aが固定されている。モータ52aの下端からは、軸方向が上下方向に延びる駆動ねじ部52bが突出しており、モータ52aが運転されると駆動ねじ部52bが正転したり逆転したりして押圧プレート53の高さ位置の微調整がなされる。モータ52aは円板状の第1ブラケット54の中心を貫通してこの第1ブラケット54に固定されている。
駆動ねじ部52bは第2ブラケット55に螺合している。第2ブラケット55は、第1ブラケット54の下面に形成された円筒部54aの内面に、上下動ガイド56を介して、回転不能、かつ上下動は可能なように支持されている。そして第2ブラケット55の下面に、押圧プレート53が同心状、かつ、水平に固定されている。押圧プレート53は、ウェーハ1よりも大きい直径を有しており、下面の押圧面53aが、SUSや硬質樹脂等の適度に硬い材質で構成されている。押圧手段50は、押圧プレート53がスピンナテーブル41と同心状になるようにスピンナテーブル41の上方に配設されている。
押圧手段50では、まず、シリンダ駆動部51が作動してピストンロッド51bが下方に伸び、押圧面53aが分割済みのウェーハ1に近接するまで押圧プレート53が下降する。次にモータ52aが運転され、駆動ねじ部52bが、第2ブラケット55が下降する方向に回転させられる。これにより、押圧プレート53は下方に微動し、押圧面53aが反りチップ3Aの表面に接触し、さらに押圧プレート53が下降することにより、図5に示すように、反っていたチップ3が平らになり、DAF4の全面がテープ6に貼着される。この後、モータ52aを逆転させて押圧面53aがチップ3から離れるまで押圧プレート53を上昇させ、次いでピストンロッド51bを縮小させて押圧プレート53を上方の待機位置まで上昇させる。
(2−4)ウェーハのスピン洗浄工程
反りチップ3Aをテープ6側に押圧して平らにし、DAF4の全面をテープ6に貼着したら、チップ3を吸着、保持しているスピンナテーブル41を所定の洗浄速度で回転させ、回転するウェーハ1に洗浄水を噴出してウェーハ1を洗浄する。この時、フレーム5はスピンナテーブル41に設けられた遠心力により作動するクランプ42で保持される(図2参照)。洗浄水による洗浄後、洗浄水の供給を停止してからもスピンナテーブル41の回転を続行し、チップ3から水分を吹き飛ばすとともに乾燥エアを吹き付けてチップ3を乾燥させる。
(2−5)UV照射工程
ウェーハ1(チップ3)の洗浄、乾燥を終えたら、ウェーハ付きフレーム7は、第2搬送手段72によって第1ガイドレール11上に載置されてから、第1搬送手段71によってUV照射手段60に搬送される。UV照射手段60は、図2のカバー60A内に配設されており、図6に示すように、UVランプ61が内蔵された筐体62の上部にガラス製のステージ63が設けられたもので、ウェーハ付きフレーム7は第1搬送手段71で押されてステージ63上に載置される。ウェーハ付きフレーム7がステージ63上に載置されるとテープ6の下面にUVランプ61から紫外線(紫外光)が照射され、テープ6の、紫外線硬化型樹脂からなる粘着層が硬化する。
紫外線照射によりテープ6の粘着層が硬化されたら、ウェーハ付きフレーム7は第1搬送手段71で把持されて第1ガイドレール11上に引き出され、一旦第1ガイドレール11上に載置される。次いで第1搬送手段71がやや上昇してからUV照射手段60側へ戻り、この第1搬送手段71によってウェーハ付きフレーム7は押されて、カセット17内に収納される。
以上の一連の動作が、カセット17内の全てのウェーハ付きフレーム7に対して遂行される。そして、カセット17内のウェーハ1が全て分割済みのものになったら、カセット17が次のチップピックアップ工程に搬送され、テープ6から各チップ3がピックアップされて個々のチップ3を得る。
(3)実施形態の作用効果
上記実施形態では、チップ貼着工程で、反りチップ3Aを表面側からテープ6に向けて押圧することにより、反りが矯正されて反りチップ3が平坦になり、チップ3の裏面全面がDAF4を介してテープ6に密着して貼着した状態となる。このようにして反りチップ3Aが解消されることにより、スピン洗浄工程でチップ飛びは起こらず、全てのチップ3を確実に洗浄することができる。
また、UV照射工程では、テープがDAF4と離れていることによる硬化不良が起こらず、テープ6の粘着層を十分に硬化させることができる。このため、テープ6からチップ3をピックアップする工程でチップ3がテープ6から容易に剥離し、ピックアップ作業を円滑に遂行することができる。
(4)他の実施形態
上記実施形態では、押圧手段50は洗浄手段40に付加されているが、押圧プレート53の荷重を受けるプレート状の部材があれば(洗浄手段40ではスピンナテーブル41である)、そのような部材を備える手段に押圧手段50を付加させることができる。例えば図6はUV照射手段60の上方に押圧手段50を配設し、ステージ63上の反りチップ3Aを押圧プレート53で押圧する構成を示している。この場合には、UV照射手段60を利用しての反りチップ3Aの押圧によるテープ貼着工程の後、スピン洗浄、UV照射によるテープ6の硬化といった手順となる。
このようにUV照射手段60に押圧手段50を付設した場合は、チップ3を押圧した状態でテープ6への紫外線の照射が可能であり、こうすることによりテープ6の粘着層をより確実に硬化させることができる。また、押圧手段50は、洗浄手段40やUV照射手段60のいずれか一方に付設することに限られず、押圧手段50を洗浄手段40とUV照射手段60の双方に付設してもよい。
本発明の一実施形態でのワークである半導体ウェーハがテープを介してフレームに支持されている状態を示す(a)平面図、(b)断面図である。 一実施形態に係るテープ拡張装置の全体斜視図である。 (a)〜(c)はテープ拡張によるウェーハ分割の過程を示す側面図、(d)はテープの弛み領域を収縮する過程を示す側面図である。 一実施形態に係る押圧手段の一部断面側面図である。 押圧手段で反りチップを押圧した状態を示す側面図である。 UV照射手段を示す断面図(上方に押圧手段が配設されている)である。
符号の説明
1…ウェーハ(ワーク)
2…分割予定ライン
3…チップ
3A…反りチップ
5…フレーム
5a…フレームの開口部
6…テープ
10…テープ拡張装置
20…テープ拡張手段
22…フレーム保持台(保持手段)
41…スピンナテーブル(ワーク載置手段)
41a…スピンナテーブルの上面(ワーク載置面)
50…押圧手段

Claims (5)

  1. 開口部を有するフレームを保持する保持手段と、
    前記フレームの前記開口部に、貼着されたテープを介して支持され、分割予定ラインによって複数のチップが形成された板状のワークを、前記フレームに対して該ワークの面に直交する方向に相対的に移動させるテープ拡張手段とを含むテープ拡張装置により、該ワークを前記分割予定ラインに沿って分割するワーク分割方法であって、
    前記ワークは内部応力による反り成分を含んでおり、
    前記テープ拡張手段によって前記テープとともに前記ワークを拡張することにより、該ワークを前記分割予定ラインに沿って複数の反りチップに分割するワーク分割工程と、
    該反りチップを前記テープに向けて押圧して該テープに該反りチップのテープ貼着面全面を密着させて貼着させるチップ貼着工程と、を含むことを特徴とするワーク分割方法。
  2. 前記ワークの内部には、前記分割予定ラインに沿って、強度を低下させる変質層が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のワーク分割方法。
  3. 前記チップ貼着工程の後に、前記チップをスピン洗浄するスピン洗浄工程が行われることを特徴とする請求項1または2に記載のワーク分割方法。
  4. 前記テープは紫外線硬化型の粘着材によって前記ウェーハに貼着され、
    前記チップ貼着工程の後に、該テープに紫外線を照射する紫外線照射工程が行われることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のワーク分割方法。
  5. 開口部を有するフレームを保持する保持手段と、
    前記フレームの前記開口部に、貼着されたテープを介して支持され、分割予定ラインによって複数のチップが形成された板状のワークを、前記フレームに対して該ワークの面に直交する方向に相対的に移動させることにより、該ワークを前記複数のチップに分割するテープ拡張手段とを含むテープ拡張装置であって、
    前記ワークは内部応力による反り成分を含んでおり、
    前記拡張手段によって前記複数のチップに分割された分割済みワークが、前記テープを介して載置されるワーク載置面を有するワーク載置手段と、
    前記ワーク載置面に載置された前記分割済みワークを、該ワーク載置面に向けて押圧する押圧手段と、を含むことを特徴とするテープ拡張装置。
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JP5013148B1 (ja) * 2011-02-16 2012-08-29 株式会社東京精密 ワーク分割装置及びワーク分割方法
CN102646584B (zh) * 2011-02-16 2014-06-25 株式会社东京精密 工件分割装置及工件分割方法
US8802545B2 (en) * 2011-03-14 2014-08-12 Plasma-Therm Llc Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer
CN103056639B (zh) * 2012-12-31 2015-04-22 中国科学院自动化研究所 径向张开装置作用件的定位方法
JP6242163B2 (ja) * 2013-11-06 2017-12-06 株式会社ディスコ テープ拡張装置
JP2016092207A (ja) * 2014-11-05 2016-05-23 株式会社ディスコ フレームユニットの製造方法
JP6407056B2 (ja) * 2015-02-20 2018-10-17 株式会社ディスコ 分割装置と分割方法
JP6966892B2 (ja) * 2017-08-03 2021-11-17 株式会社ディスコ 分割装置
CN108054123A (zh) * 2017-12-25 2018-05-18 普聚智能系统(苏州)有限公司 干冰自动清洗台
KR102563929B1 (ko) 2018-03-09 2023-08-04 삼성전자주식회사 반도체 다이들의 개별화 방법 및 반도체 패키지의 제조 방법
CN110648908B (zh) * 2019-09-25 2022-06-10 武汉驿路通科技股份有限公司 一种芯片的切割方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3618268B2 (ja) * 1995-05-18 2005-02-09 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JP2003100781A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2005150177A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ裏面への粘着テープ貼付方法及び粘着テープ貼付装置
JP2006114691A (ja) * 2004-10-14 2006-04-27 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP4777701B2 (ja) * 2005-06-20 2011-09-21 株式会社ディスコ 接着フィルムの分離方法
JP4848153B2 (ja) * 2005-08-10 2011-12-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2009094126A (ja) * 2007-10-04 2009-04-30 Furukawa Electric Co Ltd:The チップのピックアップ方法

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