TWI445067B - The method of expansion of the workpiece - Google Patents

Description

被加工物的擴張方法 發明領域

本發明係有關於藉將貼附於半導體晶圓裡面之接著薄膜擴張，而分割接著薄膜之擴張方法及適合執行該擴張方法之擴張裝置。

發明背景

在近年之半導體裝置技術中，為實現電子裝置機器之輕薄短小化，稱為MCP(多晶片封裝)或SiP(系統級封裝)之層積複數個裝置晶片之層積型封裝在達成高密度或小型化上有效地利用。對應於此種技術之裝置晶片裡面貼有DAF(Die Attach Film)等黏晶用之接著薄膜，以此接著薄膜進行保持裝置晶片之層積狀態。

在裝置晶片之製造過程中，於形成有複數裝置晶片之半導體晶圓裡面貼附接著薄膜，以切斷刀將該半導體晶圓切斷，將接著薄膜與裝置晶片一同分割。而此時，接著薄膜之黏著材料貼合於切斷刀，而易引起切斷不良。因此，將貼附於半導體晶圓之接著薄膜分割之方法有與半導體晶圓之分割分開，另外分割接著薄膜之方法(參照專利文獻1)。在此方法中，首先沿半導體晶圓之分割預定線分割半導體晶圓後，將接著薄膜貼附於半導體晶圓裡面，接著，將接著薄膜擴張，以對應裝置晶片，分割接著薄膜。又，亦有將接著薄膜與半導體晶圓同時分割之方法(參照專利 文獻2、3)。此方法係於半導體晶圓之分割預定線內部照射雷射光，形成割斷起點後，貼附接著薄膜，將半導體晶圓及接著薄膜擴張，而割斷半導體晶圓，同時，將接著薄膜對應裝置晶片分斷者。

【專利文獻1】日本專利公開公報2007－027562號【專利文獻2】日本專利公開公報2005－251986號【專利文獻3】日本專利公開公報2007－158152號

發明揭示

在記載於上述各專利文獻之接著薄膜之分割方法中，將接著薄膜擴張時，有產生接著薄膜僅延伸，而未斷裂之之處之情形。此時，由於產生接著薄膜與相鄰之諸裝置晶片形成一體之處，故在擴張後進行之黏晶步驟，產生無法拾取半導體晶片之問題。習知進行目視所作之接著薄膜之分割確認，但有確認作業耗費時間，同時，產生確認失誤之虞。

是故，本發明之目的係提供貼附在將形成於表面之複數裝置晶片一個一個地單片化或於已呈單片化狀態之半導體晶圓裡面之接著薄膜擴張時，可確實地確認接著薄膜是否對應裝置晶片分割之擴張方法及擴張裝置。

本發明係將被加工物擴張之擴張方法，該被加工物係藉於貼附在形成於表面之複數裝置晶片可一個一個地單片 化或呈已單片化狀態之晶圓之裡面的接著薄膜貼附周圍，貼附有具較晶圓徑大之開口部之環狀框架構件之黏著帶而形成，該擴張方法具有至少將被加工物之前述接著薄膜擴張之接著薄膜擴張步驟；將接著薄膜已擴張之被加工物移送至具有拍攝機構之拍攝平台之移送步驟；以前述拍攝機構拍攝移送至前述拍攝平台之被加工物之表面之拍攝步驟；及處理以前述拍攝機構拍攝之影像資料，以判斷前述接著薄膜是否對應於前述裝置晶片被分割之影像處理步驟。

本發明之擴張方法係藉將接著薄膜擴張，使接著薄膜對應裝置晶片分割者。當為在裝置晶片擴張前，未單片化之形態時，將接著薄膜擴張，同時，將裝置晶片分割而單片化。當為裝置晶片已單片化之形態時，則將裝置晶片間之接著薄膜擴張而斷裂，接著薄膜對應裝置晶片分割。在本發明中，將接著薄膜擴張後，將被加工物移送至拍攝平台，在此拍攝平台拍攝被加工物表面全體。然後，藉適當處理所拍攝之影像資料，判斷接著薄膜是否對應裝置晶片分割。藉此，可確實地確認接著薄膜是否對應裝置晶片分割。若於所擴張之接著薄膜檢測出未分割之處，便再度執行擴張步驟，分割接著薄膜。結果，可防止拾取時產生之錯誤。

接著，本發明之被加工物之擴張裝置係可適合執行上述本發明之擴張方法之裝置，包含有至少將被加工物之接著薄膜擴張之擴張平台、拍攝被加工物表面之拍攝平台、將已擴張接著薄膜之被加工物移送至拍攝平台之移送機 構。拍攝平台具有具保持被加工物之保持面之被加工物保持台及拍攝被加工物表面之拍攝機構。該擴張裝置更包含有處理以前述拍攝機構拍攝之影像資料，以判斷前述接著薄膜是否對應於前述裝置晶片被分割之影像處理機構。在本發明之擴張裝置中，將擴張平台與拍攝平台分開設置。因此，可同時進行被加工物之擴張與分割之確認，是故，可謀求生產效率之提高。

又，宜於上述擴張裝置之被加工物保持台埋設從裡側照亮前述保持面之光源。藉此，保持於被加工物保持台上之被加工物以從光源發出之光從裡側照射。結果，於擴張接著薄膜，將之分割後，裝置晶片與裝置晶片間之對比清楚，而可更確實地檢測接著薄膜之分割不良處。

本發明之擴張裝置有以下之形態，即，被加工保持台不可旋轉，拍攝機構藉於相對於保持在被加工保持台之被加工物表面平行之2方向直線移動，拍攝被加工物之表面全體。在此形態，在被加工物固定於被加工物保持台之狀態下，移動拍攝機構，以捕捉被加工物之表面全體，而可拍攝被加工物表面全體。藉此，不需使埋設有上述光源之被加工物保持台進行旋轉等動作，而可使被加工物保持台之結構簡單化。

根據本發明，將接著薄膜擴張後，以拍攝機構拍攝被加工物表面，以影像處理機構處理確認所拍攝之影像資料，而可確實地判斷貼附於半導體晶圓之接著薄膜在擴張 步驟是否對應裝置晶片分割。藉此，由於於拾取前可確實地掌握未分割之接著薄膜，故可防止拾取之錯誤，而發揮平順地進行裝置晶片之製造之效果。

用以實施發明之最佳形態 [1]半導體晶圓

第1圖之標號1a係顯示以本發明一實施形態之擴張方法擴張之被加工物。於被加工物1a之中央具有圓盤狀半導體晶圓1(以下簡稱為晶圓)。此晶圓1為矽晶圓等。於此晶圓1之表面以格子狀分割預定線2劃分複數矩形半導體晶片(裝置)3，於該等半導體晶片3之表面形成有IC及LSI等圖中未示之電子電路。於晶圓1周面之預定處形成有顯示半導體之結晶方位之V字形切口(缺口)4。晶圓1預先以切斷裝置等沿分割預定線2切斷，而單片化成半導體晶片3。

於上述已單片化之晶圓1裡面貼附黏晶用接著薄膜5。此接著薄膜5為由聚醯亞胺或環氧構成之薄膜狀黏著材料。再者，於接著薄膜5貼附切割膠帶6。切割膠帶6係以厚度100 μm左右之聚氯乙烯為基材，於其單面塗布厚度5 μm左右之丙烯酸樹脂系黏著劑之黏著膠帶。本發明之切割膠帶6適合使用以熱收縮者。此係因對以後述說明之擴張步驟延伸之切割膠帶6再度給與橫向之張力之故。於切割膠帶6之黏著面(在第1圖為上面)之外周部貼合具有大於晶圓1之直徑之內徑的環狀切割架7。切割架7係由具剛性之金屬板構成者，藉由切割膠帶6及切割架7處理晶圓。

被加工物1a之接著薄膜5以本發明一實施形態之擴張方法擴張，對應半導體晶圓3分割。一實施形態之擴張方法適合使用第2圖所示之擴張裝置10來執行。

[2]擴張裝置之結構及動作

接著，參照第2圖~第4圖，說明適合執行本發明擴張方法之擴張裝置。第2圖係該擴張裝置10之立體圖，第3圖係平面圖。擴張裝置10具有基台11，在此基台11上，從第3圖X方向右下側朝上方，配設供給部20、定位/拍攝平台30、紫外線照射平台100，從X方向左下側朝上方，配設加熱平台90、待機平台70、擴張平台80。以下，說明該等。

(a)供給部 於基台11之長向之一端部(在第3圖為右下側)形成有凹部11a，於該凹部11a配設匣盒升降機21。匣盒升降機21以圖中未示之升降機機構，可於上下方向移動。於此匣盒升降機21之上面以可裝卸之狀態設置可搬運，並可層積複數個被加工物1a而收容之匣盒22。匣盒22具有一對相互分離之平行盒體23，於該等盒體23內側之相對面於上下方向設置複數段齒條24。呈晶圓1之表面朝上之水平姿勢之被加工物1a可滑動地插入於該等齒條24。在基台1之匣盒升降機21，匣盒22以被加工物1a之滑動方向與Y方向平行之狀態而設置。

如第2圖所示，於基台11上面之X方向之一端(在第3圖為右側)設置在匣盒22與紫外線照射平台100間來回之第1Y軸移載機構25。第1Y軸移載機構25之倒L字形第1Y軸框架 26之前端具有第1Y軸氣缸27，第1Y軸夾28升降自如地連接於該第1Y軸氣缸27。第1Y軸夾28夾持定位於預定位置之被加工物1a之切割架7，將被加工物1a夾住。第1Y軸框架26之基端部滑動自如地安裝於設置在於Y方向延伸之引導軌道29。引導軌道29設定成固定於第1Y軸夾28之被加工物1a可從匣盒22移動至紫外線照射平台100之長度。以圖中未示之驅動機構，使第1Y軸框架26沿引導軌道29移動。藉此，可使固定於第1Y軸夾28之被加工物1a在匣盒22與紫外線照射平台100間來回。

以匣盒升降機21使第1Y軸移載機構25移動至調整成最適合被加工物1a之取出之高度之匣盒22，以第1Y軸移載機構25前端具有之第1Y軸夾28從匣盒22拉出匣盒22內之被加工物1a，將之移送至定位/拍攝平台30之定位機構31。

(b)定位/拍攝平台 定位/拍攝平台30之定位機構31構造成於Y方向延伸之一對平行導桿32連結成相互接近或遠離，一面於與Y方向垂直相交之X方向移動。藉將被加工物1a載置於導桿32上，為相互靠近之導桿32夾持，而將被加工物1a定位於一定位置。

拍攝機構33具有呈倒L字形之拍攝框架34及設置於此拍攝架34端之拍攝頭35。拍攝框架34為中空圓筒狀，由軸線於約鉛直方向(在第2圖為Z方向)延伸之圓筒狀拍攝架部34a、從此拍攝架部34a以約水平狀態於夾盤50之方向延伸之拍攝臂部34b構成。軸線於約鉛直方向延伸之圓筒狀拍攝頭35與拍攝框架34呈一體地形成於拍攝臂部34b之前端。

拍攝框架34藉由薄板狀托架36，以沿設置於基台11之引導器37升降自如地狀態安裝。以圖中未示之升降驅動機構沿導件37升降驅動托架36。於此托架36上之拍攝架部34a與對導件37之安裝部間固定馬達38。拍攝框架34之拍攝架部34a以藉由軸承構件39環繞軸旋轉自如之狀態支撐於托架36之前端。於拍攝部34a之外周形成齒輪34A，將帶40繞組於此齒輪34A與馬達38之驅動軸。

當驅動馬達38時，其動力經由帶40及齒輪34A，傳達至架部34a，藉此，拍攝頭35於約水平方向旋轉。又，拍攝頭35與托架36呈一體地升降。導件37之下端滑動自如地安裝於引導軌道41，以圖中未示之驅動機構，沿引導軌道41，於Y方向移動。

將以拍攝機構33拍攝之影像傳送至影像處理機構(省略圖式)，進行影像處理。以業經處理之影像為基礎，判斷接著薄膜5是否已對應半導體晶片3擴張。

夾盤50為一般眾所周知之真空夾頭式，吸附保持載置於上面之被加工物1a。如第4圖所示，夾盤50為圓形，具有形成有凹部51a之框體51。在凹部51a之底面，複數個LED等發光元件52發光面朝向上部而配設。於此發光元件52之上部嵌合由玻璃構成之圓形且透明之透明板53。透明板53上面構成吸附、保持被加工物1a之吸附區域53a，與框體51之上面51b連續構成同一平面。於吸附區域53a以放射狀及同心圓狀形成溝54。此溝54與框架51內之孔55連通，與吸引空氣之真空機構(圖中未示)連接。對吸附、保持於吸附區 域53a之被加工物1a以發光元件52從裡面側照射光。又，夾盤50以設置於基台11內之圖中未示之旋轉驅動機構，於一方向或兩方向單獨旋轉、亦即自轉。

於此夾盤50之周圍設有洗淨噴嘴(省略圖式)。洗淨噴嘴係在後述說明之擴張步驟去除附著於晶圓1之屑者。將擴張步驟結束之被加工物1a吸附保持於夾盤50，而使其旋轉。藉對旋轉之被加工物1a之晶圓1噴射洗淨水或空氣，可去除附著於晶圓1表面之屑等。

如第2圖及第3圖所示，設置於定位/拍攝平台30與待機平台70間之X軸移載機構56以架57、X軸驅動機構58、X軸氣缸59、搬送墊60構成。於配設在裝置10之約略中央之架57上面配設螺桿式X軸驅動機構58，藉由滑動器58a，X軸氣缸59滑動自如地連接於此X軸驅動機構58。滑動器58a以圖中未示之驅動機構，使X軸氣缸59於X方向移動。此X軸氣缸59支撐成升降驅動搬送墊60。由於搬送墊60吸附、保持被加工物1a之切割架7，故以X軸驅動機構58及X軸氣缸，於X及Z方向移動。藉此，將在定位/拍攝平台30或待機平台70待機之被加工物1a舉起，使被加工物1a在定位/拍攝平台30與待機平台70間來回。

(c)待機平台 如第2圖及第3圖所示，於基台11之X方向一端(第3圖之左上)設置在待機平台70與擴張平台80間來回之第2Y軸移載機構71。第2Y軸移載機構71於倒L字形之第2Y軸框架72前端具有第2Y軸氣缸73，於該第2Y軸氣缸73之下部設置第 2Y軸夾74。第2Y軸夾74以第2Y軸氣缸73升降，將定位於預定位置之被加工物1a之切割架7夾住。第2Y軸框架72之基端部滑動自如地安裝於設置在基台11上面，於Y方向延伸之引導軌道75。引導軌道75設定成固定在第2Y軸夾74之被加工物1a可從待機平台70移動至擴張平台80之長度。以圖中未示之驅動機構使第2Y軸框架72沿引導軌道75移動。藉此，可使固定在第2Y軸夾74之被加工物1a在待機平台70與擴張平台80間來回。

(d)擴張平台 於擴張平台80設置將被加工物1a之接著薄膜5擴張之擴張機構81。擴張機構81具有載置被加工物1a之冷凍台(省略圖式)、固定載置於冷凍台上之被加工物1a之夾機構82。於冷凍台上面形成載置被加工物1a之載置面，於此載置面載置被加工物1a。又，於冷凍台具有冷卻載置於載置面之被加工物1a之接著薄膜5的帕耳帖元件。於擴張機構81之側面配設相對之2個夾機構82，按壓載置於冷凍台之被加工物1a之切割架7。夾機構82構造成相對於冷凍台，相對地於鉛直方向接近遠離。藉此，將被加工物1a載置於冷凍台時，或從冷凍台卸除被加工物1a時，2個夾機構82位於載置面上方，而不致撞擊被加工物1a。又，於夾機構82之下部具有升降機構，可從固定被加工物1a之切割架7之地點使夾機構82下降。或者，亦可於冷凍台側具有升降機構，使冷凍台上升

在擴張平台80，於冷凍台上載置被加工物1a，一面冷 卻接著薄膜5，一面將以夾機構82固定之切割架7相對於被加工物1a向下壓。藉此，將切割膠帶6及接著薄膜5擴張，將接著薄膜5沿半導體晶片3分割。由於接著薄膜5以如前述之樹脂材料形成，故藉冷卻，降低延展性，而不易斷裂。使用冷凍台以外之接著薄膜5之冷卻方法有以蓋覆蓋擴張平台80全體，使以熱泵方式等生成之冷空氣充滿其中之方法。

(e)加熱平台 如第2圖及第3圖所示，於拍攝機構33具有之夾盤50與待機平台70及加熱平台90間配設旋轉式移載機構91。旋轉式移載機構91以藉圖中未示之旋轉機構旋轉之臂92、設置於臂92前端之升降氣缸93、以升降氣缸93升降之墊94構成。旋轉式移載機構91在拍攝機構33具有之夾盤50與待機平台70及加熱平台90間旋轉，以使被加工物1a移動。

於加熱平台90設置加熱機構95。於加熱機構95具有加熱器(省略圖式)，將切割膠帶6之晶圓1與框架7間之中間區域6a加熱。藉將中間區域6a加熱，以擴張機構81擴張之切割膠帶6收縮，再度對切割膠帶6給與橫向之張力。結果，可防止因切割膠帶6之鬆弛引起之各半導體晶片3之接觸。

(f)紫外線照射平台 如第2圖及第3圖所示，於紫外線照射平台100設置紫外線照射機構101。於紫外線照射機構101形成圓形凹部101a，於該凹部101a設置複數個紫外線燈102。紫外線燈102係對切割膠帶6照射紫外線，呈使切割膠帶6與呈貼附有接著薄膜5之狀態之晶圓1易剝離之狀態。

[3]擴張方法

接著，說明上述擴張裝置10之動作。

首先，從第1Y軸移載機構25取出層積於匣盒22之被加工物1a。將所取出之被加工物1a載置於定位機構31之導桿32，定位於一定位置。此時，拍攝機構33從定位/拍攝平台30退避。

將定位於一定位置之被加工物1a吸附、保持於以X軸移載機構56之X軸氣缸59下降之搬送墊60。接著，使搬送墊60上升後，使X軸驅動機構58作動，使被加工物1a移動至待機平台70。

移動至待機平台70之被加工物1a之切割架7為第2Y軸移載機構71之第2Y軸夾74所夾住，藉此，將被加工物1a固定於第2Y軸移載機構71。將被加工物1a固定於第2Y軸移載機構71後，解除X軸移載機構56所作之被加工物1a之吸附，使搬送墊60從待機平台70退避。

第2Y軸移載機構71使固定於第2Y軸夾74之被加工物1a移動至擴張平台80。被加工物1a移動至擴張機構81正上方後，停止第2Y軸移載機構71之Y方向之移動，藉第2Y軸氣缸73，使第2Y軸夾74下降，將被加工物1a載置於冷凍台之載置面。此時，擴張機構81之夾機構82從載置面退避，或固定在載置面上方。將被加工物1a載置於載置面後，使夾機構82動作，固定被加工物1a。然後，一面按壓切割架7，一面以升降機構使夾機構82下降，而使切割膠帶6及接著薄膜5擴張(接著薄膜擴張步驟)。此時，接著薄膜5朝向外側拉 伸，而沿半導體晶片3分割。使夾機構82下降至一定位置後，停止下降動作，使夾機構82上升至原來之位置。又，當冷凍台側具有升降機構時，在以夾機構82限制載置於載置面之被加工物1a之切割架7往上方之移動之狀態下，使冷凍台上升，使接著薄膜5擴張。接著，使夾機構82從載置面退避，使第2Y軸移載機構71之第2Y軸夾74下降，而將被加工物1a固定於第2Y軸74。將被加工物74固定於第2Y軸夾74後，使第2Y軸夾74上升，而使被加工物1a移動至待機平台70。

將再定位於待機平台70之被加工物1a保持於旋轉式移載機構91之墊94。將被加工物1a保持於墊94後，解除第2Y軸夾74所作之固定，使第2Y軸移載機構71從待機平台70退避。保持有被加工物1a之旋轉式移載機構91使臂92旋轉，以使被加工物1a移動至加熱機構95之正上方。然後，以升降氣缸93使墊94下降，將被加工物1a載置於加熱機構95上。將被加工物1a載置於加熱機構95上後，加熱器作動，將切割膠帶6之剩餘區域6a加熱。藉此，切割膠帶6熱收縮，而對切割膠帶6再度給與張力。

當加熱器之加熱結束後，再將被加工物1a保持於墊94。旋轉式搬送機構91使保持在墊94之被加工物1a上升後，使臂92旋轉，而使被加工物1a移動至夾盤50之正上方，將被加工物1a載置於吸附區域53a(移送步驟)。所載置之被加工物1a吸附、保持於夾盤50。在此，將晶圓1之表面旋轉洗淨乾燥後，拍攝機構33之拍攝頭35旋轉移動至晶圓1之表面，將托架36適當調整高度等，使焦點對準晶圓1之表面。 接著，使夾盤50適當地間歇旋轉，同時，一面使拍攝頭35旋轉，一面在必要之點拍攝晶圓1之表面(拍攝步驟)。此時，為獲得相鄰之半導體晶片3之間隙之對比，點亮夾盤50之發光元件52，對晶圓1照射光。將所拍攝之影像傳送至影像處理機構。

第5圖係顯示以拍攝機構33拍攝之晶圓1之表面之一部份。在此圖中，相當於幾乎斷裂成與半導晶片3相同形狀之接著薄膜5間之分割預定線2之部份產生間隙。以影像處理機構確認此正常之分割狀態是否形成於晶圓1全面(影像處理步驟)。將業經影像處理機構確認接著薄膜5已沿半導體晶片3分割之被加工物1a搬送至進行下個步驟之紫外線照射平台100。又，檢測出分割不良處後，將被加工物1a再度搬送至擴張機構81，使接著薄膜5擴張。

將切割架7夾至第1Y軸搬送機構25之第1Y軸夾28，而將未檢測出分割不良處之被加工物1a移送至紫外線照射平台100。被加工物1a移動至紫外線照射機構101之正上方後，點亮紫外線燈102，使紫外線照射至被加工物1a之切割膠帶6。藉此，在切割膠帶6與接著薄膜間易剝離。之後，使第1Y軸移載機構25移動至匣盒22，再將被加工物1a收容至匣盒22內。

在上述實施形態中，為切斷晶圓1之狀態，亦可適用於沿分割預定線2以雷射加工裝置形成變質層，未單片化成半導體晶片3之晶圓。此時，以擴張步驟，使接著薄膜5擴張，同時，將晶圓1沿分割預定線2割斷。藉此，可獲得接著薄 膜5沿半導體晶片3分割之半導體晶片3。

本實施形態係藉將接著薄膜5擴張，使接著薄膜5對應半導體晶片3分割者。在半導體晶片3已單片化之形態中，將半導體晶片3間之接著薄膜5擴張後，使其斷裂，使接著薄膜5對應於半導體晶片3分割。在半導體晶片3於擴張前未單化片之形態中，將接著薄膜5擴張，同時，將半導體晶片3分割而單片化。將接著薄膜5擴張後，將被加工物1a移送至定位/拍攝平台30，在此定位/拍攝平台30拍攝晶圓1之表面全體。藉適當處理所拍攝之影像資料，判斷接著薄膜是否對應半導體晶片3分割。藉此，可確實地確認接著薄膜5對應半導體晶片3分割。若於所擴張之接著薄膜5檢測出未分割之處，便再度執行擴張步驟，分割接著薄膜5。結果，可防止拾取時產生之錯誤。

又，在本實施形態之擴張裝置10中，將定位/拍攝平台30與擴張平台80分開設置。因此，可同時進行被加工物1a之擴張與接著薄膜5之分割之確認，是故，可謀求生產效率之提高。

又，於上述擴張裝置10之夾盤50埋設從裡側照亮吸附區域53a之發光元件52。藉此，從裡側以從光源發出之光照射保持於吸附區域53a之晶圓1。結果，於擴張接著薄膜5，分割後，半導體晶片3與半導體晶片3間之對比清楚，而可更確實地檢測接著薄膜5之分割不良處。

[4]其他實施形態

在上述實施形態中，晶圓1之洗淨與晶圓1之表面之拍 攝在同一平台進行，亦可各自在不同之平台進行。使用第6圖，就此實施形態作說明。

第6圖係顯示於待機平台70設置旋轉式洗淨機構120之擴張裝置110。旋轉式洗淨機構120以吸附、保持被加工物1a之保持台121、噴射洗淨水及空氣之洗淨噴嘴122構成。保持台121以設置於基台11內之圖中未示之旋轉驅動機構於一方向或兩方向單獨旋轉、亦即自轉。又，洗淨噴嘴122連接於旋轉機構(省略圖式)，可使洗淨噴嘴122從保持台121上退避。

拍攝平台30之拍攝機構130具有設置於基台11上之Y軸引導軌道131、滑動自如地連接於Y軸引導軌道131之Z軸導件132、連接於Z軸導件之薄板狀托架133、設置於托架133上之X軸引導軌道134、滑動自如地連接於此X軸引導軌道134之X軸滑動器135、設置於X軸滑動器135前端之拍攝頭136。以圖中未示之驅動機構，使Z軸導件132沿Y軸引導軌道131，於Y方向移動。以圖中未示之升降驅動機構使托架133沿Z軸導件132升降自如地移動。又，以圖中未示之驅動機構，使X軸滑動器135沿X軸引導軌道134移動。

在此實施形態中，拍攝平台30之夾盤設定成不可旋轉。因此，拍攝保持於夾盤137之被加工物1a之晶圓1表面時，以各驅動機構使拍攝頭136於XY方向移動，以可拍攝晶圓1表面全面。

此實施形態之擴張方法首先以定位機構31將從匣盒22取出之被加工物1a定位於一定位置。接著，使被加工物1a 移動至待機平台70，以第2Y軸移載機構71移動至擴張平台80。以擴張平台80將接著薄膜5擴張後，再移動至待機平台70。接著，使被加工物1a移動至加熱平台90，將被加工物1a之切割膠帶6加熱。

將切割膠帶6加熱後，將被加工物1a再度移送至待機平台70，吸附、保持於保持台121。此時，由於洗淨噴嘴122從保持台121退避，故使洗淨噴嘴122旋轉，將洗淨噴嘴122定位於保持台121上。接著，使保持台121旋轉，從洗淨噴嘴122對被加工物1a之晶圓1噴射洗淨水、空氣，以洗淨晶圓1。

當洗淨結束後，以X軸移載機構56使被加工物1a移動至拍攝平台30。移動之被加工物1a吸附、保持於夾盤。點亮發光元件52，驅動拍攝機構130。拍攝機構130一面使拍攝頭136於X方向來回移動，一面使Z軸導件132於Y方向移動，以拍攝晶圓1全面。將所拍攝之影像資料傳送至影像處理機構，確認接著薄膜5是否沿半導體晶片3分割。檢測出分割不良處後，與上述實施形態同樣地，再度以擴張機構81擴張。將未測出分割不良處之被加工物1a搬送至紫外線照射平台100，照射紫外線後，收容於匣盒22。

在此形態，在被加工物1a固定於夾盤之狀態，使拍攝機構130移動，以捕捉晶圓1表面全體，以拍攝晶圓1表面全體。藉此，不需使埋設有上述發光元件之夾盤進行旋轉等動作，而可使夾盤之結構簡單化。

1‧‧‧晶圓

1a‧‧‧被加工物

2‧‧‧分割預定線

3‧‧‧半導體晶片

4‧‧‧切口(缺口)

5‧‧‧接著薄膜

6‧‧‧切割膠帶

6a‧‧‧中間區域

7‧‧‧切割架

10‧‧‧擴張裝置

11‧‧‧基台

11a‧‧‧凹部

20‧‧‧供給部

21‧‧‧匣盒升降機

22‧‧‧匣盒

23‧‧‧盒體

24‧‧‧齒條

25‧‧‧第1Y軸移載機構

26‧‧‧第1Y軸框架

27‧‧‧第1Y軸氣缸

28‧‧‧第1Y軸夾

29‧‧‧引導軌道

30‧‧‧定位/拍攝平台

31‧‧‧定位機構

32‧‧‧導桿

33‧‧‧拍攝機構

34‧‧‧拍攝框架

34a‧‧‧拍攝架部

34A‧‧‧齒輪

34b‧‧‧拍攝臂部

35‧‧‧拍攝頭

36‧‧‧托架

37‧‧‧導件

38‧‧‧馬達

39‧‧‧軸承構件

40‧‧‧帶

41‧‧‧引導軌道

50‧‧‧夾盤

51‧‧‧框體

51a‧‧‧凹部

51b‧‧‧上面

52‧‧‧發光元件

53‧‧‧透明板

53a‧‧‧吸附區域

54‧‧‧溝

55‧‧‧孔

56‧‧‧X軸移載機構

57‧‧‧架

58‧‧‧X軸驅動機構

58a‧‧‧滑動器

59‧‧‧X軸氣缸

60‧‧‧搬送墊

70‧‧‧待機平台

71‧‧‧第2Y軸移載機構

72‧‧‧第2Y軸框架

73‧‧‧第2Y軸氣缸

74‧‧‧第2Y軸夾

75‧‧‧引導軌道

80‧‧‧擴張平台

81‧‧‧擴張機構

82‧‧‧夾機構

90‧‧‧加熱平台

91‧‧‧旋轉式移載機構

92‧‧‧臂

93‧‧‧升降氣缸

94‧‧‧墊

95‧‧‧加熱機構

100‧‧‧紫外線照射平台

101‧‧‧紫外線照射平台

101a‧‧‧凹部

102‧‧‧紫外線燈

120‧‧‧旋轉式洗淨機構

121‧‧‧保持台

122‧‧‧洗淨噴嘴

130‧‧‧拍攝機構

131‧‧‧Y軸引導軌道

132‧‧‧Z軸導件

133‧‧‧托架

134‧‧‧X軸引導軌道

135‧‧‧X軸滑動器

136‧‧‧拍攝頭

137‧‧‧夾盤

X‧‧‧方向

Y‧‧‧方向

Z‧‧‧方向

第1圖係顯示以本發明一實施形態之擴張方法擴張之被加工物之(a)立體圖、(b)截面圖。

第2圖係顯示適合執行一實施形態之擴張方法之擴張裝置之立體圖。

第3圖係第2圖所示之擴張裝置之平面圖。

第4圖係第2圖所示之擴張裝置所具有之夾盤之(a)截面圖、(b)平面圖。

第5圖係顯示以第2圖之擴張裝置所具有之拍攝機構拍攝業經擴張之被加工物之影像者。

第6圖係顯示另一實施形態之擴張裝置之平面圖。

2‧‧‧分割預定線

3‧‧‧半導體晶片

5‧‧‧接著薄膜

Claims (2)

1. 一種被加工物的擴張方法，係將被加工物擴張之方法，該被加工物係藉於貼附在形成於表面之複數裝置晶片可一個一個地單片化或呈已單片化狀態之晶圓之裡面的接著薄膜，貼附周圍貼附有具較晶圓徑大之開口部之環狀框架構件之黏著帶而形成，該被加工物的擴張方法具有：接著薄膜擴張步驟，係至少將被加工物之前述接著薄膜在擴張平台上進行擴張；移送步驟，將接著薄膜已擴張之被加工物移送至具有拍攝機構之拍攝平台；保持步驟，以拍攝平台的夾盤(chuck table)吸附保持被加工物；拍攝步驟，以前述拍攝機構拍攝移送至前述拍攝平台之保持在該夾盤的被加工物之表面；及影像處理步驟，處理以前述拍攝機構拍攝之影像資料，以判斷前述接著薄膜是否對應於前述裝置晶片被分割，於該夾盤埋設有從背側照射吸著區域之發光元件，在前述拍攝步驟中藉著從發光元件發出的光從背側照射被加工物並拍攝被加工物的表面。
2. 背側如申請專利範圍第1項之被加工物的擴張方法，其中前述夾盤不可旋轉，且前述拍攝機構藉於相對於保持在夾盤之被加工物表面平行之2方向直線移動，拍攝被 加工物之表面全體。