JP2003133395A - 半導体基板用治具及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体基板用治具及びこれを用いた半導体装置の製造方法

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和雄 手代木
Yuzo Shimobetsupu
祐三 下別府
Kazuhiro Yoshimoto
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光久 渡部
Yoshiaki Shinjo
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Eiji Yoshida
英治 吉田
Noboru Hayasaka
昇 早坂
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明はウェハのバックグラインド、ダイシ
ング、ピックアップ、ダイボンディングまでの半導体装
置の製造方法及びこれに用いる半導体基板用治具に関
し、薄型化された半導体基板であってもその影響を軽微
にすると同時に、強度の不足に起因した破損の発生を抑
制することを課題とする。 【解決手段】 外枠２１と、この外枠２１内に配設され
ており内部にエアーが供給されることにより形状変形さ
せつつ体積を増減するゴム膜２２体とを設けており、ゴ
ム膜２２が体積を増大する際に、ウェハ１とゴム膜２２
Ａとの間に配設されたテープ２，６をその中央から外側
に向け漸次ウェハ１に向け押圧するよう形状変形する構
成とされたウェハ固定用治具２０を用いて、貼付け工
程、バックグラインド工程、テープ貼替え工程、ピック
アップ工程、ダイボンディング工程を実施する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板用治具及
びこれを用いた半導体装置の製造方法に係り、特に半導
体基板（ウェハ）の背面のバックグラインドから半導体
素子を個片化するダイシング、更にそれをピックアップ
して実装部に搭載するボンディングまでの半導体装置の
製造方法及びこれに用いる半導体基板用治具に関する。
【０００２】近年、半導体パッケージは軽薄短小が要求
され、それに伴い扱うウェハも薄型化が進みつつある。
【０００３】上記のバックグラインド等の各工程では、
ウェハ厚が100μｍ以下になると従来の方法ではウェハ
の搬送及び半導体製造処理が技術的に非常に困難とな
る。このため、薄型化したウェハに対しても搬送及び半
導体製造処理を確実に行なう方法が望まれている。
【０００４】
【従来の技術】従来、半導体基板（以下、ウェハとい
う）をバックグラインドし、このウェハをダイシングに
より各半導体素子に個片化し、個片化された半導体素子
を実装基板等にボンディングまでの製造工程では、テー
プにウェハを貼着した状態で搬送及び所定の処理が実施
される。この各製造工程について、図１を参照しつつ説
明する。
【０００５】まず初めに、図１（Ａ）に示すように、表
面保護テープ２にウェハ１の回路形成面を貼付ける（貼
り付け工程）。続いて、図１（Ｂ）に示すように、ウェ
ハ１をチャックテーブル４に装着し、回転するグライン
ド砥石３によってウェハ１の背面をバックグラインドす
る（バックグラインド工程）。これにより、ウェハ１は
薄型化される。
【０００６】次に、薄くなったウェハ１の背面にダイア
タッチフィルム（図示せず）を貼り付ける（ダイアタッ
チマウント工程）。尚、この工程は品種によってはない
場合もある。
【０００７】その後、図１（Ｃ）に示すように、ウェハ
１に貼着されていた表面保護テープ２を剥がすと共に、
ダイシング用テープ６にウェハ１の背面を貼着する（テ
ープ貼替え工程）。ダイシング用テープ６は、枠状のフ
レーム５に予め配設されている。
【０００８】次に、図１（Ｄ）に示すように、ダイシン
グソー７を用いてウェハ１を所定のダイシングラインで
切断し、ウェハ１を半導体素子１０に個片化する（個片
化工程）。
【０００９】個片化された半導体素子１０は、図１
（Ｅ）に示すように、突き上げピン１１によりダイシン
グ用テープ６を介してその背面が押圧され、これにより
半導体素子１０はダイシング用テープ６から剥離され
る。突き上げピン１１と対向する上部にはコレット８が
位置しており、剥離された半導体素子１０はコレット８
により吸着され保持される（ピックアップ工程）。
【００１０】コレット８に保持された半導体素子１０
は、コレット８が移動することにより実装基板９に搬送
され、実装基板９上の所定位置にダイアタッチフィルム
を介して接合される（ボンディング工程）。以上の工程
を経ることにより、ウェハ１に形成された半導体素子１
０は、薄型化及び個片化がされた上で、実装基板９に実
装される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、バックグラ
インド工程によって極端に薄くなったウェハ１は、従来
のウェハ厚では問題とならなかった反りが発生する。ウ
ェハ１が薄くなること自体がウェハ１の絶対強度を低下
させる直接的な要因となる上に、更にウェハ１に反りが
発生すると、バックグラインド工程以降の各製造工程及
びウェハ搬送時における作業性が悪化し、また破損障害
の一因となってしまう。
【００１２】この問題は、特にテープ貼替え工程におい
て顕著に表れる。即ち、テープの貼付け時においては、
薄いウェハ１であると、ウェハ１とダイシング用テープ
６との間に気泡が入り易い。
【００１３】気泡が入り込むと、この位置においてはウ
ェハ１とダイシング用テープ６とは接着されていないた
め、両者１，６の接合強度が低下してしまう。更に、熱
印加が行なわれると気泡が膨張し、更にウェハ１とダイ
シング用テープ６が剥離してしまう。このため、気泡が
入り込むと、後に実施される工程（個片化工程等）で適
正な処理が実施されないおそれがあり、半導体製造処理
の歩留りが低下し、また最悪の場合には気泡の膨張等に
よりウェハ１が破損してしまうおそれがある。
【００１４】一方、保護テープを剥がす場合において
も、表面保護テープ２を剥がす時にウェハ１が割れてし
まったり、外周から剥がす初期の段階でウェハ１が同時
にめくれ上がり割れてしまったりすることがある。
【００１５】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、薄型化された半導体基板であってもその影響を軽
微にすると同時に、強度の不足に起因した破損の発生を
抑制しうる半導体基板用治具及びこれを用いた半導体装
置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。
【００１７】請求項１記載の発明は、半導体基板に膜状
部材を配設する時に用いられる半導体基板用治具であっ
て、枠体と、該枠体内に配設されており、内部に流体供
給がされることにより形状変形させつつ体積を増減する
伸縮体とを設けており、前記伸縮体が体積を増大する
際、前記半導体基板と前記伸縮体との間に配設された前
記膜状部材をその中央から外側に向け漸次前記半導体基
板に向け押圧するよう形状変形する構成としたことを特
徴とするものである。
【００１８】上記発明によれば、伸縮体が体積を増大す
る際、半導体基板と伸縮体との間に配設された膜状部材
をその中央から外側に向け漸次半導体基板に向け押圧す
るよう形状変形するため、半導体基板と膜状部材との間
に介在する空気（気泡）は伸縮体の変形に伴い中央から
外側に向け追いやられる。このため、半導体基板と膜状
部材との間に気泡が残存することを防止することがで
き、以降の工程を円滑に行なえると共に気泡侵入に起因
した半導体基板損傷の発生を防止することができる。
【００１９】また、上記発明において、前記収縮体の内
部に移動可能に設けられると共に、前記伸縮体が前記膜
状部材の略全面を前記半導体基板に向け押圧した際、該
伸縮体と当接する位置まで移動する移動板を設け、該移
動板により前記伸縮体が前記膜状部材の略全面を前記半
導体基板に向け押圧した状態を保持する構成とすること
もできる。
【００２０】この構成とした場合には、伸縮体が変形す
る構成であっても、移動板により伸縮体が膜状部材の略
全面を半導体基板に向け押圧した状態が保持されるた
め、半導体基板の保持を確実に行なうことができる。
【００２１】更に、上記発明において、前記移動板に、
前記伸縮体を吸引する吸引機構を設けることもできる。
【００２２】この構成とした場合には、伸縮体が変形す
る構成であっても、吸引機構により移動板に吸引される
ことにより収縮体の変形は規制されるため、半導体基板
の保持を確実に行なうことができる。
【００２３】また、請求項２記載の発明は、請求項１乃
至３のいずれか１項に記載の半導体基板用治具を用いた
半導体装置の製造方法であって、前記膜状部材として第
１の接着テープを用いると共に、前記半導体基板用治具
に前記第１の接着テープを用いて前記半導体基板の回路
形成面側を貼り付ける貼付け工程と、前記半導体基板用
治具に貼り付けられた状態で、前記半導体基板の背面を
バックグラインディングするバックグラインド工程と、
前記半導体基板を前記回路形成面が露出するよう、第２
の接着テープを用いて第２の半導体基板用治具に貼替え
固定する貼替え工程と、前記第２の半導体基板用治具に
固定された前記半導体基板をダイシングすることにより
半導体素子に個片化する個片化工程と、前記個片化され
た前記半導体素子を前記第２の半導体基板用治具からピ
ックアップするピックアップ工程とを有することを特徴
とするものである。
【００２４】上記発明によれば、請求項１乃至３のいず
れか１項に記載の半導体基板用治具を用いているため、
半導体基板と第１の接着テープとの間に気泡が残存する
ことを防止することができ、バックグラインド工程にお
いて半導体基板は半導体基板用治具に確実に保持された
状態を維持しうる。よって、バックグラインド工程を円
滑に行なうことができる。
【００２５】また、上記発明において、前記第２の半導
体基板用治具として、請求項１乃至３のいずれか１項に
記載の半導体基板用治具を用いることができる。
【００２６】この場合には、請求項１乃至３のいずれか
１項に記載の半導体基板用治具を第２の半導体基板用治
具としても用いることにより、第２の接着テープと半導
体基板との間においても気泡が入り込むのを防止でき、
貼替え工程以降の各工程を円滑に行なうことができる。
【００２７】また、請求項３記載の発明は、請求項１乃
至３のいずれか１項に記載の半導体基板用治具を用いた
半導体装置の製造方法であって、前記膜状部材として第
１の接着テープを用いると共に、前記半導体基板用治具
に前記第１の接着テープを用いて前記半導体基板の回路
形成面側を貼り付ける貼付け工程と、前記半導体基板用
治具に貼り付けられた状態で、前記半導体基板の背面を
バックグラインディングするバックグラインド工程と、
前記第２の半導体基板用治具に固定された状態で、バッ
クグラインディングされた前記半導体基板をダイシング
することにより半導体素子に個片化する個片化工程と、
個片化された全ての前記半導体素子を、前記回路形成面
が露出するよう一括的に第２の接着テープを用いて第２
の半導体基板用治具に貼替え固定する貼替え工程と、前
記個片化された前記半導体素子を前記第２の半導体基板
用治具からピックアップするピックアップ工程とを有す
ることを特徴とするものである。
【００２８】上記のように、バックグラインド工程の終
了後は、個片化工程を実施する前にテープ貼替え工程を
実施しても、また個片化工程を実施した後にテープ貼替
え工程を実施してもよい。
【００２９】また、請求項４記載の発明は、請求項１乃
至３のいずれか１項に記載の半導体基板用治具を用いた
半導体装置の製造方法であって、前記膜状部材として第
１の接着テープを用いると共に、前記半導体基板用治具
に前記第１の接着テープを用いて前記半導体基板の回路
形成面側を貼り付ける貼付け工程と、前記半導体基板用
治具に貼り付けられた状態で、前記半導体基板の背面を
バックグラインディングするバックグラインド工程と、
前記第２の半導体基板用治具に固定された状態で、バッ
クグラインディングされた前記半導体基板をダイシング
することにより半導体素子に個片化する個片化工程と、
前記個片化された前記半導体素子を前記半導体基板用治
具からピックアップすると共に、ピックアップされた該
半導体素子を表裏反転処理するピックアップ工程とを有
することを特徴とするものである。
【００３０】上記発明によれば、貼替え工程が存在しな
いため、半導体基板が損傷することを防止できると共
に、貼替え時に半導体基板と接着テープとの間に気泡が
侵入するようなこともない。
【００３１】また、請求項５記載の発明は、請求項１乃
至３のいずれか１項に記載の半導体基板用治具を用いた
半導体装置の製造方法であって、前記膜状部材として第
１の接着テープを用いると共に、前記半導体基板用治具
に前記第１の接着テープを用いて前記半導体基板の回路
形成面側を貼り付ける貼付け工程と、該半導体基板用治
具に固定された前記半導体基板をダイシングすることに
より半導体素子に個片化する個片化工程と、前記半導体
基板用治具に貼り付けられた状態で、個片化された複数
の該半導体素子の背面を一括的にバックグラインディン
グするバックグラインド工程と、前記半導体素子を前記
回路形成面が露出するよう、第２の接着テープを用いて
第２の半導体基板用治具に一括的に貼替え固定する貼替
え工程と、前記半導体素子を前記第２の半導体基板用治
具からピックアップするピックアップ工程とを有するこ
とを特徴とするものである。
【００３２】上記の発明のように、バックグラインド工
程は、個片化工程の終了後に実施することも可能であ
る。この構成とした場合には、個片化工程で半導体素子
のエッジ部に発生した欠けをバックグラインド工程で除
去できる。このため、半導体素子の強度を向上させるこ
とができる。
【００３３】また、請求項１乃至３のいずれか１項に記
載の半導体基板用治具を用いた半導体装置の製造方法で
あって、前記膜状部材として第１の接着テープを用いる
と共に、前記半導体基板用治具に前記第１の接着テープ
を用いて前記半導体基板の回路形成面側を貼り付ける貼
付け工程と、該半導体基板用治具に固定された前記半導
体基板をダイシングすることにより半導体素子に個片化
する個片化工程と、前記半導体基板用治具に貼り付けら
れた状態で、個片化された複数の該半導体素子の背面を
一括的にバックグラインディングするバックグラインド
工程と、前記個片化された前記半導体素子を前記半導体
基板用治具からピックアップすると共に、ピックアップ
された該半導体素子を表裏反転処理するピックアップ工
程とを有する製造方法とすることもできる。
【００３４】この方法を用いた場合には、上記のように
バックグラインド工程を個片化工程の終了後に実施する
ことにより半導体素子の強度を向上させることができる
と共に、貼替え工程が存在しないため半導体素子の損傷
及び半導体素子と接着テープとの間に気泡が侵入するこ
とを防止できる。
【００３５】また、請求項６記載の発明は、半導体基板
に膜状部材を配設する時に用いられる半導体基板用治具
であって、有底の枠体と、該枠体内に同心円的に配設さ
れると共に前記半導体基板と対向する高さ方向に個々移
動可能な構成とされた複数の環状部材を有し、該環状部
材の前記半導体基板と対向する高さ方向の高さが外周よ
り内周に向け漸次高くなるよう構成された環状部材集合
体と、前記環状部材をそれぞれ前記枠体の底部に向け付
勢する付勢部材と、前記枠体内で移動操作されることに
より前記環状部材に接触し、該環状部材を前記付勢部材
の付勢力に抗して前記枠体の底部から離間する方向に移
動付勢する操作部材とを設けており、前記操作部材の操
作に伴い各環状部材が、前記半導体基板と前記環状部材
集合体との間に配設された前記膜状部材を、その中央か
ら外側に向け漸次前記半導体基板に向け押圧するよう移
動する構成としたことを特徴とするものである。
【００３６】上記発明によれば、操作部材の操作に伴
い、各環状部材は個別に移動して膜状部材を半導体基板
に向け、その中央から外側に向け漸次押圧する。これに
より、半導体基板と膜状部材との間に介在する空気（気
泡）は環状部材の移動に伴い中央から外側に向け追いや
られる。従って、半導体基板と膜状部材との間に気泡が
残存することを防止でき、以降の工程を円滑に行なえる
と共に、気泡侵入に起因した半導体基板の損傷の発生を
防止することができる。
【００３７】また、請求項７記載の発明は、請求項１０
記載の半導体基板用治具を用いた半導体装置の製造方法
であって、前記膜状部材として第１の接着テープを用い
ると共に、前記半導体基板用治具に前記第１の接着テー
プを用いて前記半導体基板の回路形成面側を貼り付ける
貼付け工程と、前記半導体基板用治具に貼り付けられた
状態で、前記半導体基板の背面をバックグラインディン
グするバックグラインド工程と、前記半導体基板の背面
にダイアタッチ材を配設するダイアタッチマウント工程
と、前記半導体基板を、第２の接着テープを用いて第２
の半導体基板用治具に貼替え固定すると共に前記回路形
成面を露出させる貼替え工程と、前記第２の半導体基板
用治具に固定された前記半導体基板をダイシングするこ
とにより半導体素子に個片化する個片化工程と、前記個
片化された前記半導体素子を前記第２の半導体基板用治
具からピックアップするピックアップ工程とを有するこ
とを特徴とするものである。
【００３８】上記発明によれば、請求項６記載の半導体
基板用治具を用いているため、半導体基板と第１の接着
テープとの間に気泡が残存することを防止することがで
き、バックグラインド工程において半導体基板は半導体
基板用治具に確実に保持された状態を維持しうる。よっ
て、バックグラインド工程を円滑に行なうことができ
る。
【００３９】また、上記発明において、前記第２の半導
体基板用治具として、請求項６記載の半導体基板用治具
を用いることもできる。
【００４０】この場合には、請求項６記載の半導体基板
用治具を第２の半導体基板用治具としても用いることに
より、第２の接着テープと半導体基板との間においても
気泡が入り込むのを防止でき、貼替え工程以降の各工程
を円滑に行なうことができる。
【００４１】また、半導体基板に膜状部材を配設する時
に用いられる半導体基板用治具を、枠体と、前記膜状部
材と対向するよう前記枠体内に配設された多孔質部材
と、前記枠体に形成されており、前記多孔質部材に対し
負圧を印加するバキューム孔とを有する構成とすること
もできる。
【００４２】この半導体基板用治具を用いても、膜状部
材は多孔質部材に印加された負圧により半導体基板用治
具に吸着されるため膜状部材は平面化するため、膜状部
材と半導体基板との間に気泡が侵入することを防止でき
る。
【００４３】また、請求項８記載の発明は、紫外線硬化
性を有する接着剤が両面に塗布された両面テープを用い
て、透光性を有する半導体基板用治具に前記半導体基板
の回路形成面側を貼り付ける貼付け工程と、前記半導体
基板用治具に貼り付けられた状態で、前記半導体基板の
背面をバックグラインディングするバックグラインド工
程と、前記半導体基板を介して前記紫外線硬化性を有す
る接着剤に紫外線を照射する紫外線照射工程と、前記半
導体基板の背面にダイアタッチ材を配設すると共に、前
記半導体基板を第２の半導体基板用治具に貼替え固定
し、次いで前記回路形成面を露出させる貼替え工程と、
前記第２の半導体基板用治具に固定された前記半導体基
板をダイシングすることにより半導体素子に個片化する
個片化工程と、前記個片化された前記半導体素子を前記
第２の半導体基板用治具からピックアップするピックア
ップ工程とを有することを特徴とするものである。
【００４４】上記発明によれば、半導体基板用治具とし
て透光性を有する材料が選定されているため、この半導
体基板用治具に半導体基板を接着してバックグラインド
工程を実施しても、テープ貼替え工程では半導体基板用
治具を介して紫外線硬化性を有する接着剤に紫外線を照
射することが可能となる。これにより、半導体製造にお
いて広く利用されている紫外線硬化型の接着剤を用いる
ことができるため、半導体素子の製造コストを低減する
ことができる。
【００４５】また、請求項９記載の発明は、半導体基板
を吸着する第１の吸着機構を有した第１の治具と、前記
半導体基板を吸着する第２の吸着機構を有した第２の治
具とを設けてなり、前記第１及び第２の治具を装着脱可
能な構成とすると共に、前記第１及び第２の吸着機構が
それぞれ独立して前記半導体基板を吸着しうる構成とし
たことを特徴とするものである。
【００４６】上記発明によれば、前記第１及び第２の吸
着機構がそれぞれ独立して半導体基板を吸着できるた
め、半導体基板を第１の治具または第２の治具に独立し
て装着することができる。従って、第１の吸着機構と第
２の吸着機構を組み合わせた状態では、第１の吸着機構
と第２の吸着機構のいずれを用いても半導体基板を吸着
することができる。
【００４７】よって、例えば第１の吸着機構から第２の
吸着機構に切り替える場合には、第１の吸着機構による
吸着を維持しつつ、第２の吸着機構の吸着を開始し、続
いて第１の吸着機構による吸着を解除することにより、
半導体基板に常に吸着力を付与した状態を維持できる。
これにより、薄型化された半導体基板であっても、半導
体基板は第１の治具または第２の治具の何れか一方に保
持された構成となるため、半導体基板に反りが発生する
ことを確実に防止することができる。
【００４８】また、請求項１０記載の発明は、請求項９
記載の半導体基板用治具を用いた半導体装置の製造方法
であって、第１の治具により前記半導体基板を吸引して
半導体製造のための処理を行なう第１の工程と、第２の
治具により前記半導体基板を吸引して半導体製造のため
の処理を行なう第２の工程と、前記第１の治具に前記第
２の治具を装着し、該第１及び第２の治具に保持された
状態で前記半導体基板を搬送する第２の搬送工程とを有
することを特徴とするものである。
【００４９】上記発明によれば、請求項９記載の半導体
基板用治具を用いているため、半導体基板を第１の治具
と第２の治具との間で受け渡しを行なう際、半導体基板
に反りが発生することを防止できる。よって、半導体基
板の破損を防止できると共に、その後に実施される半導
体製造工程を円滑に行なうことができる。
【００５０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図２は、本発明の第１実施例で
あるウェハ固定用治具２０を示している。図２（Ａ）は
ウェハ固定用治具２０の平面図であり、図２（Ｂ）はウ
ェハ固定用治具２０の断面図である。尚、先に説明した
図１に示した構成と同一の構成については同一符号を付
して説明するものとする。
【００５１】ウェハ固定用治具２０は、大略すると外枠
２１，ゴム膜２２，セットテーブル２３，及び多孔質板
２４等により構成されている。外枠２１は金属製（セラ
ミック、樹脂でも可能）の円筒状部材であり、その中央
位置には床部２５が設けられている（図２（Ｂ）参
照）。この外枠２１の大きさ（平面視した状態の直径）
は、ウェハ１の外形より若干大きく設定されている。こ
のウェハ固定用治具２０に形成された床部２５の上部に
は、ゴム膜２２が配設されている。
【００５２】ゴム膜２２は、その内部に流体（本実施例
では、エアー。但し、他の気体或いは流体でもよい）を
注入することで伸縮自在な構成とされている。このゴム
膜２２は厚さが0.2mmから0.8mm程度であり、その材質は
強度や使用される環境を考えると、ブチルゴムやフッ素
ゴム、エチレンプロピレンゴム等を使用することが望ま
しい。
【００５３】このゴム膜２２の内部には、床部２５に設
けられた第１のエアジョイント２６を介してエアーが導
入及び排出される。また、ゴム膜２２の下部は床部２５
に気密に接着されている。更に、このゴム膜２２の内部
には、ウェハ１と略同じ直径を有した円板状のセットテ
ーブル２３配設されている。
【００５４】セットテーブル２３の下面には、４本のガ
イドシャフト２７及び第２のエアジョイント２８が設け
られている。各ガイドシャフト２７及び第２のエアジョ
イント２８は、床部２５に移動可能に支承されている。
【００５５】従って、ガイドシャフト２７及び第２のエ
アジョイント２８はゴム膜２２を貫通した構成となる
が、この貫通部位においてエアー漏れが発生しないよ
う、床部２５とガイドシャフト２７との間及び床部２５
と第２のエアジョイント２８との間にはシール部材が配
設されている。
【００５６】また、セットテーブル２３の上面には多孔
質板２４が配設されている。この多孔質板２４は第２の
エアジョイント２８に接続されており、吸引或いはエア
ーの導入が行ないうる構成となっている。
【００５７】尚、上記した第１のエアジョイント２６及
び第２のエアジョイント２８には、エアーの供給／排出
装置（図示せず）が接続されている。また、ガイドシャ
フト２７には、セットテーブル２３を昇降する昇降機構
（図示せず）が接続されている。
【００５８】続いて、上記構成とさたれウェハ固定用治
具２０を用いた半導体装置の製造方法について説明す
る。尚、本実施例の特徴は、貼付け工程，バックグライ
ンド工程、テープ貼替え工程，個片化工程、及びピック
アップ工程等に特徴があり、他の製造工程は周知の方法
を用いている。このため、以下の説明では上記した各工
程についてのみ説明し、他の周知な製造工程についての
説明は省略するものとする。
【００５９】図３は、第１実施例である半導体装置の製
造方法を示している。先ず、図３（Ａ）に示すように、
ウェハ固定用治具２０Ａを用いて表面保護テープ２をウ
ェハ１に貼り付ける。この際、表面保護テープ２は、ウ
ェハ固定用治具２０Ａのゴム膜２２Ａにも貼り付けられ
る。尚、ウェハ固定用治具２０Ａは、先に図２に示した
ウェハ固定用治具２０と同一であるが、後述するように
本実施例ではこれを２個使用するため、各構成を示す符
号に“Ａ，Ｂ”を付して区別するものとする。
【００６０】ここで、ウェハ固定用治具２０Ａを用いて
表面保護テープ２をウェハ１に貼り付ける方法につい
て、図４を用いて説明する。
【００６１】図４（Ａ）は、表面保護テープ２がウェハ
１に貼着される前の状態（以下、貼着前状態という）を
示している。同図に示すように貼着前状態においては、
ウェハ１はウェハハンド２９に回路形成面を下にして吸
着され、これにより保持されている。また、ウェハ１の
下部には、先に説明したウェハ固定用治具２０Ａか゜配
置されている。そして、表面保護テープ２とウェハ固定
用治具２０Ａとの間には、特に図示しない装置によって
表面保護テープ２が引き出された状態となっている。
【００６２】この表面保護テープ２は、両面に粘着材が
塗布された、いわゆる両面テープである。この接着剤
は、熱を加えることでその粘着力が低下する性質を持っ
ている。よって、表面保護テープ２の加熱温度が（下面
温度）＞（上面温度）の関係になっている場合には、ま
ず下面の粘着力が低下し、更に温度が上がる上面の粘着
力も低下することになる。
【００６３】貼着前状態から、先ず床部２５Ａに設けら
れた第１のエアジョイント２６Ａからゴム膜２２Ａ内に
エアー加圧がされると、ゴム膜２２Ａがその特性上、中
心から外側に向かって膨張変形していく（図４（Ｂ）参
照）。このゴム膜２２Ａの変形により、表面保護テープ
２はウェハ１に向け押し付けられる。
【００６４】前記したように、表面保護テープ２の両面
には接着剤が塗布されている。このため、表面保護テー
プ２はウェハ１と貼着し、これと同時にウェハ固定用治
具２０Ａのゴム膜２２Ａとも貼着する。しかも、前記し
たようにその貼付けは、表面保護テープ２とウェハ１と
の間に気泡が入り難いように、中心から外周方向に理想
的に進行していく。
【００６５】やがて、ウェハ１がウェハハンド２９とゴ
ム膜２２Ａとの間に完全に上下から挟み込まれる状態
（図４（Ｃ）に示す状態）が形成されると、続いて昇降
機構が起動して、セットテーブル２３Ａが上昇し、ゴム
膜２２Ａ,表面保護テープ２を介してウェハ１と当接し
た状態でロックされる。
【００６６】続いて、エアーの供給／排出装置が起動し
て、第２のエアジョイント２８Ａから吸引処理が行なわ
れる。これにより、多孔質板２４Ａには負圧が発生し、
ゴム膜２２Ａは多孔質板２４Ａに吸着固定される。
【００６７】以上の動作でウェハ固定用治具２０Ａへの
表面保護テープ２の貼付け工程が完了し、その後ウェハ
ハンド２９がウェハ１からリジェクトされる。最後に表
面保護テープ２は、ウェハ１と略同径にカッティングさ
れる。このように、表面保護テープ２を介したウェハ１
とウェハ固定用治具２０Ａとの貼付けは、真空環境下で
なくても、気泡が入らないように容易に行なうことがで
きる。
【００６８】ここで再び図３に戻り、治具への貼付け工
程以降の工程について説明する。上記した貼付け工程が
終了すると、ウェハ１はウェハ固定用治具２０Ａと共に
次工程である背面を薄くするバックグラインド装置（図
示せず）に搬送される。このバックグラインド装置で
は、ウェハ１の背面をグラインド処理する（バックグラ
インド工程）。これは機械的処理、化学的処理、その他
方法は問わない。
【００６９】この時、セットテーブル２３Ａは上点でロ
ックされており、また多孔質板２４Ａは負圧によりゴム
膜２２Ａを吸着している。これにより、ゴム膜２２は固
定されているため、ゴム膜２２に表面保護テープ２によ
り貼着されたウェハ１もウェハ固定用治具２０Ａに完全
に固定されている。
【００７０】しかしながら、バックグラインド処理する
ウェハ１の薄さによっては、ある程度バックグラインド
時の振動を吸収する機構になっていたほうが良い場合が
ある。その時は、ゴム膜２２Ａ内に0.01Mpa〜0.05Mpa程
度にエアー加圧して、セットテーブル２３Ａを僅かに下
降させる。これにより、ゴム膜２２Ａはエアーサスペン
ションとして機能する。よって、ウェハ１はエアーサス
ペンション機能を持った治具上で加工されることになる
ので、その研磨品質をより安定させることができる。
【００７１】このバックグラインド工程が終了した時点
で、ウェハ１は薄くなり反りが発生しているが、ウェハ
１はウェハ固定用治具２０Ａに表面保護テープ２を介し
て固定されているため、ウェハ１の反りが表面化するこ
とはない。また、ウェハ１は薄くなったことで強度が低
下しているが、ウェハ固定用治具２０Ａがウェハ１の補
強の役割を果たしているため破損することはない。
【００７２】上記したバックグラインド工程が終了する
と、次に個片化に向けてテープを貼替えるテープ貼替え
工程に進む。この貼替え工程の詳細を、図５を参照しつ
つ説明する。本実施例では、貼替え工程を行なうのにウ
ェハ固定用治具２０Ａに加え、ウェハ固定用治具２０Ｂ
を用いる。即ち、本実施例では二つのウェハ固定用治具
２０Ａ，２０Ｂ（それぞれは、同一構成）を用いてテー
プを貼替え処理を実施する構成としている。
【００７３】図５（Ａ）に示すように、バックグライン
ド工程が終了したウェハ１が貼着されたウェハ固定用治
具２０Ａは、上下を反転した上で、ウェハ固定用治具２
０Ｂの上部に配置される。この時、図示しない方法にて
表面保護テープ２には加熱処理が施され、使用する表面
保護テープ２の特性からウェハ１と接する面の粘着力が
低下するようにしている。この際、更に高い加熱温度を
必要とするウェハ固定用治具２０Ａと接する側の面の粘
着力は、まだ低下していない（接着力を維持してい
る）。
【００７４】一方、上記のように配置されたウェハ固定
用治具２０Ａの下部には、ウェハ固定用治具２０Ｂが配
置される。また、ウェハ固定用治具２０Ａとウェハ固定
用治具２０Ｂとの間には、ウェハ１の背面側に貼着され
るダイシング用テープ６が引き出され配置される。
【００７５】このダイシング用テープ６の両面にも、熱
を加えることでその接着力が低下する性質をもつ接着剤
が塗布されている。この接着剤の接着力の低下する加熱
温度は、下面（ゴム膜２２Ｂと対向する面）の加熱温度
が、上面（ウェハ１と対向する面）の加熱温度に対して
高くなるよう設定されている。
【００７６】上記のようにダイシング用テープ６を介し
てウェハ１を貼着したウェハ固定用治具２０Ａとウェハ
固定用治具２０Ｂがダイシング用テープ６を介して上下
に対向配置されると、下部に位置するウェハ固定用治具
２０Ｂは、先に図４（Ａ）〜（Ｄ）を用いて説明したと
同様の動作を行なう。
【００７７】具体的には、ゴム膜２２Ｂは第１のエアジ
ョイント２６Ｂからエアーの導入がされることにより体
積を増大させ、中心から外側に向かってダイシング用テ
ープ６をウェハ１の背面に貼着する。また、これに伴い
ダイシング用テープ６はゴム膜２２Ｂにも貼着される。
【００７８】その後、セットテーブル２３Ｂが上昇し、
ダイシング用テープ６を介してゴム膜２２Ｂをウェハ１
に押圧する。続いて、第２のエアジョイント２８Ｂに負
圧を印加して、ゴム膜２２Ｂを多孔質板２４Ａに固定す
る。以上の処理が終了することにより、図５（Ｂ）に示
すように、ウェハ１はウェハ固定用治具２０Ａとウェハ
固定用治具２０Ｂとの間に挟持された状態となる。
【００７９】次に、上部に位置するウェハ固定用治具２
０Ａに配置されたセットテーブル２３Ａをウェハ１から
離間するように移動（図中、上昇）させ、同時に第１の
エアジョイント２６Ａからゴム膜２２Ａ内のエアーを排
気する。これにより、ゴム膜２２Ａは、自己の有する弾
性復元力により体積が小さくなる（収縮する）。
【００８０】このゴム膜２２Ａの収縮に伴い、上記のよ
うに加熱処理がされることにより接着力が弱くなってい
るウェハ１との界面から、表面保護テープ２は剥離され
ていく。表面保護テープ２がウェハ１から剥離される
際、ゴム膜２２Ａの特性上、貼着時とは逆の動作とな
り、よって表面保護テープ２のウェハ１からの剥離は、
剥離が容易に進む外周から中心に向かって進行していく
（図５（Ｃ）参照）。
【００８１】表面保護テープ２がウェハ１から完全に剥
離すると、ウェハ固定用治具２０Ａはリジェクトされ
る。その後、下部に位置するウェハ固定用治具２０Ｂに
貼着されたダイシング用テープ６は、ウェハ１と略同径
にカッティングされテープ貼替え工程は終了する。図３
（Ｄ）は、テープ貼替え工程が終了した状態を示してい
る。
【００８２】本来、剛体である治具に貼られたテープを
ウェハから剥がすには、テープ接着力を皆無にして治具
を上に持ち上げるか、特別な処理をして横にスライドさ
せるしかない。しかしどちらも技術的に非常に困難であ
る。
【００８３】しかしながら、本実施例のウェハ固定用治
具２０Ａ，２０Ｂを用いることにより、体積の増大及び
減少時のゴム膜２２Ａ，２２Ｂの変形を利用して表面保
護テープ２とダイシング用テープ６の貼替えを行なうた
め、貼替え処理を容易かつ確実に行なうことができる。
更に、前記した理由により、各テープ２，６をウェハ１
或いはゴム膜２２Ａ，２２Ｂに貼着する際、気泡が入り
込むことを防止することができる。
【００８４】ここで、再度図３に戻り、テープ貼替え工
程以降の工程について説明する。テープ貼替え工程が終
了すると、ウェハ１は図３（Ｄ）に示す状態のまま、即
ちウェハ固定用治具２０Ｂに固定された状態を維持した
まま、ダイシング装置に搬送され、ウェハ１を半導体素
子１０に個片化する個片化工程が実施される。
【００８５】これにより、ウェハ１は半導体素子１０に
個片化されるが、図３（Ｅ）に示すように、個片化後も
各半導体素子１０はダイシング用テープ６を介してウェ
ハ固定用治具２０Ｂに固定されているため、整列した状
態を維持している。尚、個片化工程において、ウェハ１
をダイシング（切断）する方法は、機械的、光学的、そ
の他方法は問わない。
【００８６】個片化工程が終了すると、図３（Ｆ），
（Ｇ）に示すように、半導体素子１０をウェハ固定用治
具２０Ｂ（表面保護テープ２）からピックアップするピ
ックアップ工程、及び半導体素子１０を実装基板９に実
装する大ボンディング工程が実施される。
【００８７】ピックアップ工程では、図示しない加熱手
段によりダイシング用テープ６は加熱処理がされ、ダイ
シング用テープ６の各半導体素子１０と接する面の粘着
力は低下するようにしている。尚、ダイシング用テープ
６のゴム膜２２Ｂ（ウェハ固定用治具２０Ｂ）と接する
面は、より高い温度により接着力を低下させる材料より
なる接着剤が塗布されているため、この加熱の時点では
粘着力はまだ低下していない。
【００８８】上記のようにしてダイシング用テープ６と
半導体素子１０との接着力が弱められると、コレット８
が移動して半導体素子１０をバキュームにて吸着し、ダ
イシング用テープ６からピックアップする。この際、上
記のように接着力が低下しているため、薄くなって強度
が低下している半導体素子１０であっても、破損するこ
となく確実にピックアップすることができる。
【００８９】そして、ピックアップされた半導体素子１
０は、例えば実装基板９上の所定実装位置に搬送され、
実装基板９にダイボンディングされる。尚、ダイシング
用テープ６に貼着された全ての半導体素子１０に対する
のピックアップおよびダイボンディングが終了すると、
更に高い加熱処理を行なうことにより、表面保護テープ
２及びダイシング用テープ６はゴム膜２２Ａ，２２Ｂか
ら剥がされる。そしてウェハ固定用治具２０Ａ，２０Ｂ
はリサイクルされる。
【００９０】以上説明したように、本実施例によれば、
薄くなったウェハ１の反りが表面化することはなく、各
工程における作業性が悪化することはない。また、薄く
なることで強度が低下したウェハ１であっても、ウェハ
固定用治具２０Ａ，２０Ｂに装着されることにより補強
されるため、ウェハ１の破損障害が発生するようなこと
もない。更に、表面保護テープ２とダイシング用テープ
６との貼替え工程も、ウェハ固定用治具２０Ａ，２０Ｂ
を用いれば特別な処理なしに容易に行なうことができ
る。
【００９１】次に、本発明の第２実施例である半導体装
置の製造方法について説明する。図６は、第２実施例で
ある半導体装置の製造方法の工程図である。本実施例に
おいても、図２に示したウェハ固定用治具２０を用いて
各製造工程を実施している。
【００９２】尚、図６において、図３乃至図５に示した
構成と同一の構成については同一符号を付してその説明
を省略し、また第１実施例で説明した工程と同一工程に
ついても説明の重複を避けるため説明を省略するものと
する。また、第２実施例の説明以降に説明する各実施例
についても同様とする。
【００９３】本実施例おいては、貼付け工程、バックグ
ラインド工程は、第１実施例で説明した方法と同様に行
なう。しかしながら本実施例では、次工程であるテープ
の貼替え工程では、ウェハ固定用治具２０を用いること
なく、従来使用されているフレーム５にダイシング用テ
ープ６が配設されたものをウェハ固定用治具として用い
ることを特徴としている。
【００９４】本実施例の構成では、テープ貼替え工程に
おいて、ウェハ１をフレーム５に配設されたダイシング
用テープ６に貼り付ける必要がある。この際、ウェハ１
とダイシング用テープ６との間に気泡が侵入するおそれ
があるが、ローラーで押し付けて貼る方法や、真空環境
下で貼る方法を採用することで、第１実施例に比べて完
全ではないものの、気泡の侵入を防止することができ
る。本実施例によれば、ダイシング用テープ６をウェハ
固定用治具２０上に貼るという制約がないので、後に実
施されるピックアップ工程前に紫外線照射を行なう紫外
線照射工程を実施できるため、現在汎用されている紫外
線硬化型テープをダイシング用テープ６として用いるこ
とができるため、製造コストの低減を図ることができ
る。
【００９５】次に、本発明の第３実施例である半導体装
置の製造方法について説明する。図７は、第３実施例で
ある半導体装置の製造方法の工程図である。本実施例に
おいても、図２に示したウェハ固定用治具２０を用いて
各製造工程を実施している。また、同図では図示の便宜
上、図７（Ａ）→（Ｂ）→（Ｃ）→（Ｄ）→（Ｅ）→
（Ｆ）→（Ｇ）で流れる製造方法（製造方法１という）
と、図７（Ａ）→（Ｂ）→（Ｃ）→（Ｈ）→（Ｉ）→
（Ｇ）で流れる製造方法（製造方法２という）との二つ
の製造方法を一つの図として表している。
【００９６】本実施例では、貼付け工程及びバックグラ
インド工程は、前記した第１実施例と同様（図３参照）
である。しかしながら、第１実施例ではバックグライン
ド工程後にテープ貼替え工程を実施したのに対し、本実
施例ではバックグラインド工程後に個片化工程を実施し
ていることを特徴とする。
【００９７】このように製造方法１では、個片化工程は
必ずしもテープ貼替え工程後に実施する必要はなく、個
片化工程とテープ貼替え工程は任意に前後させることが
できる。よって、工程設計の自由度を高めることがで
き、設備を効率的に稼働させることができる。尚、本実
施例の製造方法１では、二つのウェハ固定用治具２０
Ａ，２０Ｂを用いてテープ貼替え工程を実施している
が、図６を用いて説明したように、テープ貼替え工程に
おいてフレーム５に配設されたダイシング用テープ６を
用いることも可能である。
【００９８】また製造方法２では、個片化工程の終了後
に直ちにピックアップ工程及びダイボンディング工程に
移行させることができる。即ち、製造方法２によればテ
ープ貼替え工程を削除することができる。これにより、
薄くなって反ったウェハ１の搬送の容易化及び強度低下
したウェハ１の補強を図りつつ、従来よりも処理工程数
を減らすことができ、コストダウン及び処理時間短縮を
実現することができる。
【００９９】但し、ダイボンディング工程時には、半導
体素子１０の背面が実装基板９と対向した状態する必要
があるため、コレット８Ａ，８Ｂを用いて図７（Ｈ）に
示すようにピックアップされた半導体素子１０を、図７
（Ｉ）に示すように上下反転させた上でダイボンディン
グ工程を実施する必要がある。しかしながら、この反転
に要する時間はテープ貼替えに要する時間に比べ、極め
て短時間である。
【０１００】次に、本発明の第４実施例である半導体装
置の製造方法について説明する。図８は、第４実施例で
ある半導体装置の製造方法の工程図である。同図におい
ても、図示の便宜上、図７（Ａ）→（Ｂ）→（Ｃ）→
（Ｄ）→（Ｅ）→（Ｆ）→（Ｇ）で流れる製造方法（製
造方法１という）と、図７（Ａ）→（Ｂ）→（Ｃ）→
（Ｈ）→（Ｉ）→（Ｇ）で流れる製造方法（製造方法２
という）との二つの製造方法を一つの図として表してい
る。
【０１０１】本実施例では、貼付け工程を終了後に個片
化工程を実施することを特徴としている。そして、この
個片化工程の終了後にバックグラインド工程及びテープ
貼替え工程を実施する構成としている。
【０１０２】このように製造方法１では、個片化工程は
必ずしもバックグラインド工程後に実施する必要はな
く、バックグラインド工程、個片化工程、及びテープ貼
替え工程は任意に前後させることができる。よって、前
記実施例と同様に工程設計の自由度を高めることがで
き、設備を効率的に稼働させることができる。尚、本実
施例の製造方法１では、二つのウェハ固定用治具２０
Ａ，２０Ｂを用いてテープ貼替え工程を実施している
が、図６を用いて説明したように、テープ貼替え工程に
おいてフレーム５に配設されたダイシング用テープ６を
用いることも可能である。
【０１０３】また製造方法２では、個片化工程の終了す
ると共にバックグラインド工程が終了後に、直ちにピッ
クアップ工程及びダイボンディング工程に移行させるこ
とができる。即ち、本実施例の製造方法２によってもテ
ープ貼替え工程を削除することができる。
【０１０４】よって、本実施例の製造方法２によって
も、薄くなって反ったウェハ１の搬送の容易化及び強度
低下したウェハ１の補強を図りつつ、従来よりも処理工
程数を減らすことができ、コストダウン及び処理時間短
縮を実現することができる。また、半導体素子１０を個
片化した後にバックグラインド処理を行なうため、個片
化によって発生する微小な半導体素子１０のエッジ部の
欠けをバックグラインド処理で除去することができ、よ
って半導体素子１０の強度を向上させることが可能とな
る。
【０１０５】但し、この方法では図７（Ｉ）に示すよう
に二つのコレット８Ａ，８Ｂを用いて半導体素子１０を
上下反転させた上でダイボンディング工程を実施する必
要があるが、この反転に要する時間はテープ貼替えに要
する時間に比べ、極めて短時間であることは前述した通
りである。
【０１０６】次に、本発明の第２実施例であるウェハ固
定用治具について説明する。図９は、第２実施例である
ウェハ固定用治具３０を示している。図９（Ａ）はウェ
ハ固定用治具３０の平面図であり、図９（Ｂ）はウェハ
固定用治具３０の図９（Ａ）におけるＡ−Ａ線に沿う断
面図であり、図９（Ｃ）はウェハ固定用治具３０の右側
面図である。
【０１０７】ウェハ固定用治具３０は、前記したウェハ
固定用治具２０（図２参照）と同様に、表面保護テープ
２及びダイシング用テープ６をウェハ１に貼着すると共
に貼着されたウェハ１を保持するのに用いられる治具で
ある。このウェハ固定用治具３０は、大略すると外枠３
１，ステップリング集合体３２，及び突き上げバー３５
（図１０に示す）等により構成されている。
【０１０８】外枠２１は金属製（セラミック、樹脂でも
可能）の有底筒状の部材であり、その平面視したときの
直径は、ウェハ１の直径よりも若干大きく設定されてい
る。また、外枠２１の内部には、ステップリング集合体
３２（環状部材集合体）が装着される。更に、外枠２１
の側壁には一対の溝部３４が形成されており、この溝部
３４からは後述する突き上げバー３５（操作部材）が挿
入される構成とされている。
【０１０９】ステップリング集合体３２は、複数の環状
のステップリング３２ａ〜３２ｉにより構成されている
（ステップリング３２ｉのみ略円柱形状）。このステッ
プリング３２ａ〜３２ｉは、外枠３１内に同心円的に配
設されている。即ち、ステップリング３２ｉを中心とし
て、これよりステップリング３２ｈ→ステップリング３
２ｇ→…→ステップリング３２ａの順で順次直径が大き
くなるよう構成されている。
【０１１０】更に、ステップリング３２ａ〜３２ｉの上
下方向（ウェハ１と対向する方向であり、図９（Ｂ）に
おける上下方向）の高さは、最外周に位置するステップ
リング３２ａより、最内周に位置するステップリング３
２ｉに向け漸次高くなるよう構成されている。よって、
図９（Ｂ）に示すように、最外周に位置するステップリ
ング３２ａの上下方向高さはＨＡと最小となり、最内周
に位置するステップリング３２ｉの上下方向高さはＨＩ
と最大となる。
【０１１１】更に、上記の各ステップリング３２ａ〜３
２ｉは、上記の上下方向に個々移動可能な構成とされて
いる。しかしながら、各ステップリング３２ａ〜３２ｉ
には、一端が外枠３１の底部に接続された引っ張りバネ
３３（付勢部材）がそれぞれ接続されている。このた
め、図９（Ｂ）に示す非操作状態（突き上げバー３５が
挿入されない状態をいう）においては、各ステップリン
グ３２ａ〜３２ｉは外枠３１の底部に付勢されて下動位
置にある。そして、この状態において各ステップリング
３２ａ〜３２ｉの上面は、図９（Ｂ）に示すように略面
一（フラット）となるよう構成されている。
【０１１２】突き上げバー３５は棒状の部材であり、前
記したように溝部３４から外枠３１の内部に挿入し得る
構成されている。また、突き上げバー３５の先端部に
は、図１０に示すようにテーパ部が形成されている。
【０１１３】続いて、上記構成とされたウェハ固定用治
具３０の動作について、図１０を用いて説明する。図１
０（Ａ）は、非操作状態を示している。前記したよう
に、この非操作状態では、ステップリング集合体３２の
各ステップリング３２ａ〜３２ｉの上面はフラットとな
っている。
【０１１４】この状態から、図１０（Ｂ）に示すように
突き上げバー３５を溝部３４から外枠３１の内部に挿入
すると、先端に設けられたテーパ面が順次ステップリン
グ３２ａからステップリング３２ｉに係合し、各ステッ
プリング３２ａ〜３２ｉを上動付勢する。
【０１１５】この時、各ステップリング３２ａ〜３２ｉ
には段差が形成されているため、あるステップリングが
上動された場合、それより内側の全てのステップリング
が同時に上動される。具体的には、図１０（Ｂ）に示す
ように、突き上げバー３５が最外周のステップリング３
２ａを上動させると、これに伴いステップリング３２ａ
より内側のステップリング３２ｂ〜３２ｉはフラットな
状態を維持しつつ同時に上動される。
【０１１６】続いて、図１０（Ｃ）に示すように、突き
上げバー３５がステップリング３２ａより一つ内側のス
テップリング３２ｂを上動させると、これに伴いステッ
プリング３２ｂより内側のステップリング３２ｃ〜３２
ｉはフラットな状態を維持しつつ同時に上動される。更
に、図１０（Ｄ）に示すように、突き上げバー３５がス
テップリング３２ｂより一つ内側のステップリング３２
ｃを上動させると、これに伴いステップリング３２ｃよ
り内側のステップリング３２ｄ〜３２ｉはフラットの状
態を維持しつつ同時に上動される。
【０１１７】その後、突き上げバー３５の挿入に伴い同
様の動作が繰り返し実施され、突き上げバー３５が完全
に挿入された状態（以下、この状態を操作完了状態とい
う）において、図１０（Ｅ）に示すように、ステップリ
ング集合体３２は中心のステップリング３２ｉを最上点
（高さＨＩ）とし、ステップリング３２ａを最下点（高
さ、ＨＡ）の山型形状を形成する。一方、突き上げバー
３５を外枠３１から引き出す時は、各ステップリング３
２ａ〜３２ｉは上記したのと反対の動作をする。尚、各
ステップリング３２ａ〜３２ｉの材質は金属やセラミッ
ク、樹脂からなり、また各ステップリング３２ａ〜３２
ｉの高さの差は0.5〜２mm程度、幅は２〜10ｍｍ程度が
適当である。
【０１１８】続いて、上記構成とさたれウェハ固定用治
具３０を用いた半導体装置の製造方法について説明す
る。尚、本実施例においても、特徴は貼付け工程，バッ
クグラインド工程、テープ貼替え工程，個片化工程、及
びピックアップ工程等に特徴があり、他の製造工程は周
知の方法を用いている。このため、以下の説明では上記
した各工程についてのみ説明し、他の周知な製造工程に
ついての説明は省略するものとする。
【０１１９】図１１は、第５実施例である半導体装置の
製造方法を示している。先ず、図１１（Ａ）に示すよう
に、ウェハ固定用治具３０Ａを用いて表面保護テープ２
をウェハ１に貼り付ける（治具への貼付け工程）。この
際、表面保護テープ２は、ウェハ固定用治具３０Ａのス
テップリング集合体３２の上面にも貼り付けられる。
尚、ウェハ固定用治具３０Ａは、先に図９に示したウェ
ハ固定用治具３０と同一であるが、後述するように本実
施例ではこれを２個使用するため、各構成を示す符号に
“Ａ，Ｂ”を付して区別するものとする。
【０１２０】表面保護テープ２をウェハ１に貼り付ける
には、予めウェハ固定用治具３０Ａを操作完了状態とし
ておく。そして、ウェハ１とウェハ固定用治具３０Ａと
の間に表面保護テープ２を介装した上で、表面保護テー
プ２を介してウェハ固定用治具３０Ａをウェハ１に当接
させる。
【０１２１】前記したように、ウェハ固定用治具３０Ａ
は操作完了状態とされているため、この状態では図１１
（Ａ）に示すように、ステップリング集合体３２の中央
のステップリング３２ｉのみが表面保護テープ２に当接
する。尚、表面保護テープ２は両面には、熱を加えるこ
とでその粘着力が低下する性質をもつ接着剤が塗布され
ている。本実施例では、表面保護テープ２の上面及び下
面に塗布された接着剤の温度特性は等しくされている。
【０１２２】続いて、突き上げバー３５Ａは、図１１
（Ａ）に矢印で示す方向に引き抜かれる。これにより、
ウェハ固定用治具３０Ａの各ステップリング３２ａ〜３
２ｉは、中心から外側に向かって徐々に下降していく。
【０１２３】ウェハ１は、ウェハハンド２９により保持
されているが、このウェハハンド２９は各ステップリン
グ３２ａ〜３２ｉの下降動作に同期し、下降ストローク
分だけ下降するよう構成されている。これにより、ステ
ップリング集合体３２とウェハ１は、各ステップリング
３２ａ〜３２ｉが移動している間も常に接した状態とな
る。そして、突き上げバー３５Ａの引き抜きが進み、完
全に外枠３１から引き抜かれた状態（即ち、非操作状
態）において、ステップリング集合体３２の上面はフラ
ットとなる。
【０１２４】上記したステップリング集合体３２（ステ
ップリング３２ａ〜３２ｉ）の一連の動作は、ウェハ１
からするとステップリング３２ａ〜３２ｉが中心から外
周に向かって徐々に上昇する動作となる。そして、この
ステップリング３２ａ〜３２ｉの動作に伴い、表面保護
テープ２はウェハ１及びステップリング集合体３２の上
面に貼り付けられる。
【０１２５】ここで、ステップリング３２ａ〜３２ｉが
中心から外周に向かって順次上昇することにより、表面
保護テープ２はウェハ１の中心から外側に向け漸次貼着
される。これにより、ウェハ１と表面保護テープ２との
間に気泡が存在しても、ステップリング３２ａ〜３２ｉ
の上記動作により気泡は外側に向け追いやられ、最終的
にはウェハ１と表面保護テープ２との間に気泡が存在し
ない状態となる。このように、本実施例における貼付け
処理も、表面保護テープ２とウェハ１との間に気泡が入
り難いように、中心から外周方向に理想的に進行してい
く。
【０１２６】上記のように表面保護テープ２がウェハ１
及びステップリング集合体３２の上面に貼着されると、
ウェハハンド２９がウェハ１からリジェクトされ、その
後に表面保護テープ２はウェハ１と略同径にカッティン
グされる。以上の処理により、貼付け工程は完了する。
上記したように、本実施例においても、ウェハ固定用治
具３０Ａを用いることにより、ウェハ１と表面保護テー
プ２の貼着は、真空環境下でなくても気泡が入らないよ
うに容易に行なうことが可能となる。
【０１２７】上記した貼付け工程が終了すると、続いて
図１１（Ｂ）に示すように、バックグラインド工程を実
施する。このバックグラインド工程は、ウェハ固定用治
具３０Ａに固定された状態のウェハ１に対して実施され
る。尚、グラインド処理の具体的な方法は、機械的処
理、化学的処理、その他方法は問わない。
【０１２８】このバックグラインド工程が終了した時点
で、ウェハ１は薄くなり反りが発生しているが、ウェハ
１は表面保護テープ２を介してウェハ固定用治具３０Ａ
に固定されているため、この反りが表面化することはな
い。また、薄くなったことでウェハ１の強度は低下して
いるが、ウェハ固定用治具３０Ａがウェハ１を補強する
役割を果たしているため、ウェハ１が破損することはな
い。
【０１２９】バックグラインド工程が終了すると、続い
て図１１（Ｃ）に示すダイアタッチマウント工程が実施
される。このダイアタッチマウント工程では、ウェハ１
の背面にダイアタッチフィルム３７を貼り付ける。
【０１３０】ここでは図示しないローラー等を押し付け
る方法にてダイアタッチフィルムを貼付する。このダイ
アタッチフィルムは、後述するように半導体素子１０を
実装基板９に実装する際、半導体素子１０と実装基板９
とを固定するための材料である。
【０１３１】尚、上記のようにウェハ１の背面にダイア
タッチフィルム３７を貼り付ける際、ダイアタッチフィ
ルム３７の品種によって温度を加える必要がある場合に
は、ウェハ固定用治具３０Ａに加熱機構を設けておき、
この加熱機構によりダイアタッチフィルム３７を加熱す
る構成としてもよい。
【０１３２】上記したダイアタッチマウント工程が終了
すると、続いてテープ貼替え工程が実施される。本実施
例では、テープ貼替え工程を行なうのにウェハ固定用治
具３０Ａに加え、ウェハ固定用治具３０Ｂを用いる。即
ち、本実施例では二つのウェハ固定用治具３０Ａ，３０
Ｂ（それぞれは、同一構成）を用いてテープ貼替え処理
を実施する構成としている。
【０１３３】図１１（Ｄ）に示すように、バックグライ
ンド工程が終了したウェハ１が貼着されたウェハ固定用
治具３０Ａは、上下を反転した上で、ウェハ固定用治具
３０Ｂの上部に配置される。この時、図示しない方法に
て表面保護テープ２には加熱処理が施され、表面保護テ
ープ２の両面に塗布されている各接着剤の粘着力が共に
低下するようにしている。
【０１３４】下部に位置するウェハ固定用治具３０Ｂ
は、ステップリング集合体３２Ｂの上面に両面テープ３
６が貼着される。この両面テープ３６の両面には、それ
ぞれ熱を加えることでその接着力が低下する性質を有し
た接着剤が塗布されている。この接着剤温度特性は、両
面テープ３６の上面（ウェハ１と対向する側の面）に塗
布された接着剤が接着力を低下させる温度は、両面テー
プ３６の下面（ウェハ固定用治具３０Ｂと対向する側の
面）に塗布された接着剤が接着力を低下させる温度に比
べて高く設定されている。
【０１３５】上記のように、この両面テープ３６には、
ウェハ固定用治具３０Ａに固定されたウェハ１が貼着さ
れる。この際、ウェハ固定用治具３０Ｂの各ステップリ
ング３２ａ〜３２ｉは、前記したと同様の動作を行な
い、よって両面テープ３６のウェハ１への貼着は中心か
ら外側に向かって進行する。よって、両面テープ３６と
ウェハ１（具体的には、ダイアタッチフィルム３７）と
の間に気泡が侵入することを防止することきができる。
上記した一連の処理が終了することにより、ウェハ１は
ウェハ固定用治具３０Ａとウェハ固定用治具３０Ｂとの
間に挟持された状態となる。
【０１３６】次に、上部に位置したウェハ固定用治具３
０Ａを操作し、突き上げバー３５Aを外枠３１の内部に
挿入する。この動作に伴い、ステップリング３２ａ〜３
２ｉは外周から中心に向かって漸次下降していく（ここ
でいう下降とは、ステップリング３２ａ〜３２ｉがウェ
ハ１から離間する方向に移動することをいう）。
【０１３７】そして、この各ステップリング３２ａ〜３
２ｉの移動に同期して、ウェハ固定用治具３０Ａ全体を
上昇（図１１における上方に移動）させてやる。
【０１３８】つまりこの動作によって、ウェハ固定用治
具３０Ａと表面保護テープ２の界面で剥離が進行してい
くことになる。これは貼付けとは逆の動作となり、剥離
が容易に進む外周から中心に向かって剥離が進行してい
く。そして最終的には、表面保護テープ２はウェハ固定
用治具３０Ａから完全に剥離される。
【０１３９】続いて、図１１（Ｅ）に示すように、残さ
れた表面保護テープ２をウェハ１から剥がす。この表面
保護テープ２の剥離処理は、既に加熱によって表面保護
テープ２に塗布された接着剤の粘着力が低下しているこ
と、表面保護テープ２のテープ本体は軟体であることか
ら、ピーリングによって容易に剥がすことができる。こ
のピーリングの後、両面テープ３６はウェハ１と略同径
にカッティングされ、以上により一連のテープ貼替え工
程は完了する。
【０１４０】貼替え工程が終了すると、続いてウェハ１
を半導体素子１０に個片化する工程、ピックアップ工
程、及びダイボンディング工程が実施されるが、ウェハ
１（半導体素子１０）がウェハ固定用治具３０Ｂに固定
される以外は、図３を用いて前記した第１実施例に係る
製造方法の各工程と変わるところがないため、その説明
は省略するものとする。尚、ウェハ固定用治具３０Ｂ
は、両面テープ３６をステップリング集合体３２から剥
離することによりリサイクルされる。
【０１４１】続いて、第６実施例である半導体装置の製
造方法を説明する。
【０１４２】図１２は、第６実施例である半導体装置の
製造方法の工程図である。本実施例においても、図９に
示したウェハ固定用治具３０を用いて各製造工程を実施
している。
【０１４３】尚、図１２において、図９乃至図１１に示
した構成と同一の構成については同一符号を付してその
説明を省略し、また第５実施例で説明した工程と同一工
程についても説明の重複を避けるため説明を省略するも
のとする。
【０１４４】本実施例おいては、貼付け工程、バックグ
ラインド工程は、第５実施例で説明した方法と同様に行
なう。しかしながら本実施例では、次工程であるテープ
の貼替え工程では、ウェハ固定用治具３０を用いること
なく、従来使用されているフレーム５にダイシング用テ
ープ６が配設されたものをウェハ固定用治具として用い
ることを特徴としている。
【０１４５】本実施例の構成では、テープ貼替え工程に
おいて、ウェハ１をフレーム５に配設されたダイシング
用テープ６に貼り付ける必要がある。この際、ウェハ１
とダイシング用テープ６との間に気泡が侵入するおそれ
があるが、ローラーで押し付けて貼る方法や、真空環境
下で貼る方法を採用することで、第５実施例に比べて完
全ではないものの、気泡の侵入を防止することができ
る。本実施例によれば、ダイシング用テープ６をウェハ
固定用治具２０上に貼るという制約がないので、後に実
施されるピックアップ工程前に紫外線照射を行なう紫外
線照射工程を実施できるため、現在汎用されている紫外
線硬化型テープをダイシング用テープ６として用いるこ
とができるため、製造コストの低減を図ることができ
る。
【０１４６】ところで、上記した第５及び第６実施例に
係る製造方法では、図９に示すウェハ固定用治具３０を
用いた構成とした。しかしながら、図１１及び図１２に
示す第５及び第６実施例に係る製造方法は、必ずしもウ
ェハ固定用治具３０を用いなくても実施することは可能
である。
【０１４７】図１３は本発明の第３実施例であるウェハ
固定用治具４０を示しており、このウェハ固定用治具４
０はウェハ固定用治具３０に代替して使用可能なもので
ある。
【０１４８】ウェハ固定用治具４０は、外枠４１と多孔
質材４２とにより構成されている。外枠４１は、装着さ
れるウェハ１の直径よりも若干大きな直径を有してい
る。また、外枠４１の中央下部にはバキューム孔４３が
形成されており、このバキューム孔４３は図示しない真
空装置に接続されている。この外枠４１は、金属、セラ
ミック、或いは樹脂から形成されている。
【０１４９】また、多孔質材４２は外枠４１内に配設さ
れており、装着されるウェハ１と略等しい直径を有して
いる。この多孔質材４２は外枠４１に形成されたバキュ
ーム孔４３に接続されており、よって多孔質材４２上に
載置されるウェハ１を吸着しうる構成となっている。
【０１５０】上記構成とされたウェハ固定用治具４０を
用いることにより、表面保護テープ２，両面テープ３６
をウェハ固定用治具４０に貼着する時は、吸引しながら
行なうことでウェハ固定用治具４０と各テープ２，３６
との間に気泡が入るのを防止することができる。またテ
ープ２，３６を剥がす時は、エアーを吹出すことでテー
プ２，３６のウェハ固定用治具４０からの剥離を容易化
することができる。
【０１５１】次に、本発明の第７実施例である半導体装
置の製造方法を説明する。
【０１５２】図１５は、第７実施例である半導体装置の
製造方法を示す工程図である。本実施例では、図１４に
示す円板４５を用いる。この円板４５は、ウェハ１と略
同径の円板からなっている。厚さは１mmから５mm程度が
適当であり、材質は光透過性のよい石英ガラスが好まし
い。
【０１５３】先ず、図１５（Ａ）に示すように、上記構
成とされた円板４５に両面テープ４６を用いてウェハ１
を貼着する。この両面テープ４６は、汎用されている紫
外線硬化型の両面タイプの接着テープを用いることがで
きる。尚、ウェハ１に両面テープ４６を貼着する処理
は、例えばローラーで押し付ける方法、或いは真空環境
下でウェハ１に両面テープ４６を貼着する方法を用いる
ことができる。また、円板４５への両面テープ４６の貼
着は、ウェハ１への貼着が終了した後に実施される。
【０１５４】上記の貼付け工程が終了すると、図１５
（Ｂ）に示すように、ウェハ１は円板４５に固定された
状態でバックグラインド処理が行なわれる（バックグラ
インド工程）。このバックグラインド工程が終了する
と、続いて図１５（Ｃ）に示すように、第１の紫外線照
射工程が実施される。
【０１５５】この第１の紫外線照射工程では、光透過性
を有する円板４５を介して紫外線を両面テープ４６に塗
布された接着剤に照射する。これにより、両面テープ４
６に塗布された接着剤は硬化し、接着力が低下する。
【０１５６】第１の紫外線照射工程が終了すると、続い
てテープ貼替え工程が実施される。このテープ貼替え工
程では、図１５（Ｄ）に示すように、円板４５に固定さ
れたウェハ１が上下反転され、続いてフレーム５に配設
されたダイシング用テープ６上にウェハ１の背面が貼着
される。この際、ウェハ１の背面にダイアタッチフィル
ム３７をマウントした上でダイシング用テープ６に貼着
することとしてもよい。
【０１５７】ダイシング用テープ６には予め紫外線硬化
型の接着剤が塗布されており、この接着剤によりウェハ
１はダイシング用テープ６に貼着される。尚、ローラー
で押し付けて貼る方法や、真空環境下で貼るといった方
法を用いることにより、ウェハ１とダイシング用テープ
６との間に気泡が入ることなく両者１，６を貼着するこ
とができる。
【０１５８】テープ貼替え工程が終了すると、円板４５
を取り除いた上で個片化処理が行なわれる。これによ
り、ウェハ１は半導体素子１０に個片化される。続いて
第２の紫外線照射工程が実施され、ダイシング用テープ
６の背面側（図中、下面側から）から紫外線が照射され
る。これにより、ダイシング用テープ６に塗布されてい
る紫外線硬化型の接着剤の接着力は低下する。そして、
前記と同様のピッアップ工程及びダイボンディング工程
が実施され、半導体素子１０が実装基板９に実装され
る。
【０１５９】本実施例によれば、光透過性を有する円板
４５をウェハ１の固定治具として用いているため、後の
工程で円板４５の下面から紫外線照射を行なうことがで
きる。このため、現在汎用されている紫外線硬化型テー
プがそのまま使用することができ、ランニングコストを
低減することができる。
【０１６０】次に、本発明の第８実施例である半導体装
置の製造方法について説明する。
【０１６１】図１６は第８実施例である半導体装置の製
造方法に用いるウェハ固定用治具５０を示しており、ま
た図１７は第８実施例である半導体装置の製造方法の工
程図である。
【０１６２】先ず、図１６を参照してウェハ固定用治具
５０について説明する。ウェハ固定用治具５０は、大略
すると下部治具５１と上部治具５２とにより構成されて
いる。この下部治具５１と上部治具５２は、組み合わせ
可能な構成とされている。そして、組み合わされた状態
においてフック５９で固定することにより、下部治具５
１と上部治具５２は一体化する。
【０１６３】下部治具５１は、金属（ステンレス）また
はセラミックにより形成されており、その内部にはウェ
ハ１を装着するためのウェハ装着部６１（ウェハ１の径
寸法Ｗと同径）を形成している。また、このウェハ装着
部６１には、ウェハ１の回路形成面を保護するための保
護部材５４が配設されている。この保護部材５４は、多
孔質の保護材（ラバー）により構成されている。
【０１６４】また、下部治具５１の内部には、下部バキ
ューム穴５３が形成されている。この下部バキューム穴
５３の一端は下部治具５１の側面に形成された下部エア
ジョイント５６に接続されている。この下部エアジョイ
ント５６には、図示しない吸引装置が接続されている。
また、下部バキューム穴５３の他端は、複数に分岐され
てウェハ装着部６１に開口している。
【０１６５】よって、吸引装置が駆動して下部エアジョ
イント５６に負圧が印加されることにより、ウェハ装着
部６１に装着されたウェハ１は、下部バキューム穴５３
を介して吸着される。これにより、ウェハ１は下部治具
５１に保持される構成となっている。尚、回り止めピン
５５は、上部治具５２と組み合わされる時の位置決めと
して、また組み合わされた後は各治具５１，５２が回転
しないようにするためのピンである。
【０１６６】一方、上部治具５２は、内部に複数のダイ
シング用逃げ溝５８が形成されている。これは、後述す
るようにウェハ１は上部治具５２に保持された状態でダ
イシング処理が行なわれるため、ダイシングソーにより
上部治具５２が損傷しないよう設けられたものである。
また、上部治具５２の内部には、上部バキューム穴５７
が設けられている。
【０１６７】この上部バキューム穴５７の一端は上部治
具５２の側面に形成された上部エアジョイント６０に接
続されている。この上部エアジョイント６０には、図示
しない吸引装置が接続されている。また、上部バキュー
ム穴５７の他端は、複数に分岐されてウェハ１の装着位
置に開口している（ダイシング用逃げ溝５８の間位置に
開口している）。
【０１６８】よって、吸引装置が駆動して上部エアジョ
イント６０に負圧が印加されることにより、上部治具５
２に装着されたウェハ１は、上部バキューム穴５７を介
して吸着される。これにより、ウェハ１は上部治具５２
に保持される構成となっている。この際、下部エアジョ
イント５６と上部エアジョイント６０は独立した吸引装
置に接続されており、よって下部バキューム穴５３及び
上部バキューム穴５７は独立してウェハ１の吸引処理を
行ないうる構成となっている。
【０１６９】続いて、上記構成とされたウェハ固定用治
具５０を用いた半導体装置の製造方法について、図１７
を用いて説明する。
【０１７０】本実施例では、図１７（Ａ）に示すよう
に、先ずウェハ１の背面が図中上側となる様にウェハ１
を下部治具５１に装着すると共に、下部バキューム穴５
３に負圧を印加してウェハ１を下部治具５１に保持させ
る。この際、前記したように下部治具５１の回路形成面
と接する部位には保護部材５４が貼付してあるので、吸
着により回路形成面にダメージを与えることはない。
【０１７１】続いて、図１７（Ｂ）に示すように、ウェ
ハ１を下部治具５１に保持させた状態で、ウェハ１の背
面をバックグラインド処理する。このグラインド処理
は、機械的処理、化学的処理、その他方法は問わない。
この段階でウェハ１には反りが発生しているが、下部治
具５１の吸着作用によりそれが表面化することはない。
【０１７２】次に、図１７（Ｃ）に示すように、下部治
具５１の上部に上部治具５２を組み合わせ、ウェハ１を
上下から挟み込んだ状態にする。この状態では、ウェハ
１はウェハ固定用治具５０の内部に装着され、各治具５
１，５２に挟持された状態となっているため吸引処理は
オフしてもよい。また、吸引処理をオンにした状態とし
た場合には、ウェハ１の保持をより確実に行なうことが
でき、またウェハ１に反りが生じることも確実に防止で
きる。
【０１７３】次に、各治具５１，５２に挟持された状態
（ウェハ固定用治具５０内に装着された状態）でウェハ
１をバックグラインド装置から取り出し、続いてダイア
タッチフィルム３７を貼り付ける工程に進む。この工程
では、図１７（Ｄ）に示すように、上部治具５２を下部
治具５１から取り外すと共に、ウェハ１の背面に図示し
ないローラー等を用いてダイアタッチフィルム３７を貼
付する。この際、ダイアタッチフィルム３７の品種によ
って温度を加える必要がある場合には、下部治具５１を
セットする装置（ダイアタッチマウント装置）側のテー
ブルに加熱機構を設けた構成としてもよい。
【０１７４】このダイアタッチマウント処理が終了する
と、再び上面から上部治具５２が下部治具５１に組み合
わされて搬送可能な状態とされる。そして、この状態で
ウェハ１はダイシング装置に向け搬送され、ダイシング
装置内のテーブル上に装着される。
【０１７５】この時、図１７（Ｆ）に示すように、ウェ
ハ１の回路回路形成面が上面になるようにウェハ固定用
治具５０を反転させてダイシング装置内のテーブルにセ
ットし、その後に上部治具５２の吸引処理がオンにさ
れ、ウェハ１は上部治具５２に保持される。そして、ウ
ェハ１が確実に上部治具５２に保持されると、下部治具
５１は上部治具５２から取り外される。
【０１７６】この状態において、図１７（Ｇ）に示すよ
うに、ウェハ１に対してダイシング処理が実施される。
これにより、ウェハ１は半導体素子１０に個片化され
る。このダイシングの際、一般にダイシングソーを用い
てウェハ１は切断されるが、前記したように上部治具５
２のダイシング位置と対応する位置にはダイシング用逃
げ溝５８が形成されているため、ダイシングソーにより
上部治具５２が損傷するようなことはない。また、上部
バキューム穴５７の開口部も半導体素子１０と対向する
位置に設けられているため、個片化されても半導体素子
１０は上部治具５２に確実に保持される。
【０１７７】次に、図１７（Ｈ）に示すように、上部治
具５２に下部治具５１を再び組み合わせ、この状態でウ
ェハ１を次工程であるダイボンダーへと搬送し装着す
る。ダイボンダーのテーブル上にウェハ固定用治具５０
が装着されると、上部治具５２の上部バキューム穴５７
に対し負圧が印加され、各半導体素子１０は上部治具５
２に保持される。そして、半導体素子１０が上部治具５
２に確実に保持された後、下部治具５１を上部治具５２
から取り外す。
【０１７８】ダイボンダーでは、図１７（Ｉ）及び図１
７（Ｊ）に示すように、個々の半導体素子１０ごとにピ
ックアップ／ボンディング処理される。この半導体素子
１０のピックアップの際、上部治具５２の吸引をオフさ
せ、コレット８の吸引をオンさせるだけでよい。
【０１７９】この際、本実施例ではテープから半導体素
子１０を剥離するという概念がないため、下面からニー
ドルで半導体素子１０を突上げるといった特別な処置が
不必要となる。よって、薄型化された半導体素子１０に
ニードルによるダメージを皆無とすることができ、半導
体素子１０の破損を防止することができる。
【０１８０】上記したように本実施例では、各工程でウ
ェハ１に処理が実施されるときには、ウェハ１は下部治
具５１または上部治具５２のいずれかに保持された状態
となっており、また各工程間の搬送においては下部治具
５１と上部治具５２に挟持された状態で搬送される。こ
れにより、薄型化されたウェハ１であっても、反りが表
面化することはなく作業性の向上を図ることができ、更
に搬送による破損障害もなくすることができる。
【０１８１】尚、上記した各製造工程で用いたウェハ固
定用治具２０，３０，４０．５０は、いずれもそのまま
積み重ねられるので、工程間の搬送の際には、従来使用
している専用キャリアは不要となる。よって、間接治工
具にかかるコストがカットできるばかりでなく、収納や
取り出しの際の破損もなくなる。また、ウェハ固定用治
具２０，３０，４０．５０にバーコードを付加すること
で、ウェハ１の情報管理ができるようにすることも可能
である。
【０１８２】以上の説明に関し、更に以下の項を開示す
る。
【０１８３】(付記１) 半導体基板に膜状部材を配設す
る時に用いられる半導体基板用治具であって、枠体と、
該枠体内に配設されており、内部に流体供給がされるこ
とにより形状変形させつつ体積を増減する伸縮体とを設
けており、前記伸縮体が体積を増大する際、前記半導体
基板と前記伸縮体との間に配設された前記膜状部材をそ
の中央から外側に向け漸次前記半導体基板に向け押圧す
るよう形状変形する構成としたことを特徴とする半導体
基板用治具。 (付記２) 付記１記載の半導体基板用治具において、前
記収縮体の内部に移動可能に設けられると共に、前記伸
縮体が前記膜状部材の略全面を前記半導体基板に向け押
圧した際、該伸縮体と当接する位置まで移動する移動板
を設け、該移動板により前記伸縮体が前記膜状部材の略
全面を前記半導体基板に向け押圧した状態を保持する構
成としたことを特徴とする半導体基板用治具。
【０１８４】(付記３) 付記２記載の半導体基板用治具
において、前記移動板に、前記伸縮体を吸引する吸引機
構を設けたことを特徴とする半導体基板用治具。
【０１８５】(付記４) 付記１乃至３のいずれか１項に
記載の半導体基板用治具を用いた半導体装置の製造方法
であって、前記膜状部材として第１の接着テープを用い
ると共に、前記半導体基板用治具に前記第１の接着テー
プを用いて前記半導体基板の回路形成面側を貼り付ける
貼付け工程と、前記半導体基板用治具に貼り付けられた
状態で、前記半導体基板の背面をバックグラインディン
グするバックグラインド工程と、前記半導体基板を前記
回路形成面が露出するよう第２の半導体基板用治具に貼
替え固定する貼替え工程と、前記第２の半導体基板用治
具に固定された前記半導体基板をダイシングすることに
より半導体素子に個片化する個片化工程と、前記個片化
された前記半導体素子を前記第２の半導体基板用治具か
らピックアップするピックアップ工程とを有することを
特徴とする半導体装置の製造方法。 (付記５) 付記４記載の半導体装置の製造方法におい
て、前記第２の半導体基板用治具として、付記１乃至３
のいずれか１項に記載の半導体基板用治具を用いたこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１８６】(付記６) 付記１乃至３のいずれか１項に
記載の半導体基板用治具を用いた半導体装置の製造方法
であって、前記膜状部材として第１の接着テープを用い
ると共に、前記半導体基板用治具に前記第１の接着テー
プを用いて前記半導体基板の回路形成面側を貼り付ける
貼付け工程と、前記半導体基板用治具に貼り付けられた
状態で、前記半導体基板の背面をバックグラインディン
グするバックグラインド工程と、前記第２の半導体基板
用治具に固定された状態で、バックグラインディングさ
れた前記半導体基板をダイシングすることにより半導体
素子に個片化する個片化工程と、個片化された全ての前
記半導体素子を、前記回路形成面が露出するよう一括的
に第２の半導体基板用治具に貼替え固定する貼替え工程
と、前記個片化された前記半導体素子を前記第２の半導
体基板用治具からピックアップするピックアップ工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 (付記７) 付記１乃至３のいずれか１項に記載の半導体
基板用治具を用いた半導体装置の製造方法であって、前
記膜状部材として第１の接着テープを用いると共に、前
記半導体基板用治具に前記第１の接着テープを用いて前
記半導体基板の回路形成面側を貼り付ける貼付け工程
と、前記半導体基板用治具に貼り付けられた状態で、前
記半導体基板の背面をバックグラインディングするバッ
クグラインド工程と、前記第２の半導体基板用治具に固
定された状態で、バックグラインディングされた前記半
導体基板をダイシングすることにより半導体素子に個片
化する個片化工程と、前記個片化された前記半導体素子
を前記半導体基板用治具からピックアップすると共に、
ピックアップされた該半導体素子を表裏反転処理するピ
ックアップ工程とを有することを特徴とする半導体装置
の製造方法。 (付記８) 付記１乃至３のいずれか１項に記載の半導体
基板用治具を用いた半導体装置の製造方法であって、前
記膜状部材として第１の接着テープを用いると共に、前
記半導体基板用治具に前記第１の接着テープを用いて前
記半導体基板の回路形成面側を貼り付ける貼付け工程
と、該半導体基板用治具に固定された前記半導体基板を
ダイシングすることにより半導体素子に個片化する個片
化工程と、前記半導体基板用治具に貼り付けられた状態
で、個片化された複数の該半導体素子の背面を一括的に
バックグラインディングするバックグラインド工程と、
前記半導体素子を前記回路形成面が露出するよう第２の
半導体基板用治具に一括的に貼替え固定する貼替え工程
と、前記半導体素子を前記第２の半導体基板用治具から
ピックアップするピックアップ工程とを有することを特
徴とする半導体装置の製造方法。 (付記９) 付記１乃至３のいずれか１項に記載の半導体
基板用治具を用いた半導体装置の製造方法であって、前
記膜状部材として第１の接着テープを用いると共に、前
記半導体基板用治具に前記第１の接着テープを用いて前
記半導体基板の回路形成面側を貼り付ける貼付け工程
と、該半導体基板用治具に固定された前記半導体基板を
ダイシングすることにより半導体素子に個片化する個片
化工程と、前記半導体基板用治具に貼り付けられた状態
で、個片化された複数の該半導体素子の背面を一括的に
バックグラインディングするバックグラインド工程と、
前記個片化された前記半導体素子を前記半導体基板用治
具からピックアップすると共に、ピックアップされた該
半導体素子を表裏反転処理するピックアップ工程とを有
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１８７】(付記１０) 半導体基板に膜状部材を配設
する時に用いられる半導体基板用治具であって、有底の
枠体と、該枠体内に同心円的に配設されると共に前記半
導体基板と対向する高さ方向に個々移動可能な構成とさ
れた複数の環状部材を有し、該環状部材の前記半導体基
板と対向する高さ方向の高さが外周より内周に向け漸次
高くなるよう構成された環状部材集合体と、前記環状部
材をそれぞれ前記枠体の底部に向け付勢する付勢部材
と、前記枠体内で移動操作されることにより前記環状部
材に接触し、該環状部材を前記付勢部材の付勢力に抗し
て前記枠体の底部から離間する方向に移動付勢する操作
部材とを設けており、前記操作部材の操作に伴い各環状
部材が、前記半導体基板と前記環状部材集合体との間に
配設された前記膜状部材を、その中央から外側に向け漸
次前記半導体基板に向け押圧するよう移動する構成とし
たことを特徴とする半導体基板用治具。 (付記１１) 付記１０記載の半導体基板用治具を用いた
半導体装置の製造方法であって、前記膜状部材として第
１の接着テープを用いると共に、前記半導体基板用治具
に前記第１の接着テープを用いて前記半導体基板の回路
形成面側を貼り付ける貼付け工程と、前記半導体基板用
治具に貼り付けられた状態で、前記半導体基板の背面を
バックグラインディングするバックグラインド工程と、
前記半導体基板の背面にダイアタッチ材を配設するダイ
アタッチマウント工程と、前記半導体基板を第２の半導
体基板用治具に貼替え固定すると共に前記回路形成面を
露出させる貼替え工程と、前記第２の半導体基板用治具
に固定された前記半導体基板をダイシングすることによ
り半導体素子に個片化する個片化工程と、前記個片化さ
れた前記半導体素子を前記第２の半導体基板用治具から
ピックアップするピックアップ工程とを有することを特
徴とする半導体装置の製造方法。 (付記１２) 付記１１記載の半導体装置の製造方法にお
いて、前記第２の半導体基板用治具として、付記１０記
載の半導体基板用治具を用いたことを特徴とする半導体
装置の製造方法。
【０１８８】(付記１３) 半導体基板に膜状部材を配
設する時に用いられる半導体基板用治具であって、枠体
と、前記膜状部材と対向するよう前記枠体内に配設され
た多孔質部材と、前記枠体に形成されており、前記多孔
質部材に対し負圧を印加するバキューム孔とを有するこ
とを特徴とする半導体基板用治具。
【０１８９】(付記１４) 紫外線硬化性を有する接着剤
が両面に塗布された両面テープを用いて、透光性を有す
る半導体基板用治具に前記半導体基板の回路形成面側を
貼り付ける貼付け工程と、前記半導体基板用治具に貼り
付けられた状態で、前記半導体基板の背面をバックグラ
インディングするバックグラインド工程と、前記半導体
基板を介して前記紫外線硬化性を有する接着剤に紫外線
を照射する紫外線照射工程と、前記半導体基板の背面に
ダイアタッチ材を配設すると共に、前記半導体基板を第
２の半導体基板用治具に貼替え固定し、次いで前記回路
形成面を露出させる貼替え工程と、前記第２の半導体基
板用治具に固定された前記半導体基板をダイシングする
ことにより半導体素子に個片化する個片化工程と、前記
個片化された前記半導体素子を前記第２の半導体基板用
治具からピックアップするピックアップ工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 (付記１５) 半導体基板を吸着する第１の吸着機構を有
した第１の治具と、前記半導体基板を吸着する第２の吸
着機構を有した第２の治具とを設けてなり、前記第１及
び第２の治具を装着脱可能な構成とすると共に、前記第
１及び第２の吸着機構がそれぞれ独立して前記半導体基
板を吸着しうる構成としたことを特徴とする半導体基板
用治具。 (付記１６) 付記１５記載の半導体基板用治具を用いた
半導体装置の製造方法であって、第１の治具により前記
半導体基板を吸引して半導体製造のための処理を行なう
第１の工程と、第２の治具により前記半導体基板を吸引
して半導体製造のための処理を行なう第２の工程と、前
記第１の治具に前記第２の治具を装着し、該第１及び第
２の治具に保持された状態で前記半導体基板を搬送する
第２の搬送工程とを有することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。
【０１９０】請求項１記載の発明によれば、半導体基板
と膜状部材との間に気泡が残存することを防止すること
ができ、以降の工程を円滑に行なえると共に気泡侵入に
起因した半導体基板損傷の発生を防止することができ
る。
【０１９１】また、請求項２記載の発明によれば、半導
体基板と第１の接着テープとの間に気泡が残存すること
を防止することができ、バックグラインド工程において
半導体基板は半導体基板用治具に確実に保持された状態
を維持できるため、バックグラインド工程を円滑に行な
うことができる。
【０１９２】また、請求項３記載の発明のように、バッ
クグラインド工程の終了後は、個片化工程を実施する前
にテープ貼替え工程を実施しても、また個片化工程を実
施した後にテープ貼替え工程を実施してもよい。よっ
て、半導体製造工程の工程設計の自由度を高めることが
できる。
【０１９３】また、請求項４記載の発明によれば、貼替
え工程が存在しないため半導体基板が損傷することを防
止できると共に、貼替え時に半導体基板と接着テープと
の間に気泡が侵入するようなこともない。
【０１９４】また、請求項５記載の発明のように、バッ
クグラインド工程は、個片化工程の終了後に実施するこ
とも可能である。この構成とした場合には、個片化工程
で半導体素子のエッジ部に発生した欠けをバックグライ
ンド工程で除去できる。このため、半導体素子の強度を
向上させることができる。
【０１９５】また、請求項６記載の発明によれば、環状
部材は個別に移動して膜状部材を半導体基板に向け中央
から外側に向け漸次押圧するため、半導体基板と膜状部
材との間に気泡が残存することを防止できる。これによ
り、以降の工程を円滑に行なえると共に、気泡侵入に起
因した半導体基板の損傷の発生を防止することができ
る。
【０１９６】また、請求項７記載の発明によれば、請求
項６記載の半導体基板用治具を用いているため、半導体
基板と第１の接着テープとの間に気泡が残存することを
防止することができ、バックグラインド工程において半
導体基板は半導体基板用治具に確実に保持された状態を
維持しうる。よって、バックグラインド工程を円滑に行
なうことができる。
【０１９７】また、請求項８記載の発明によれば、テー
プ貼替え工程では半導体基板用治具を介して紫外線硬化
性を有する接着剤に紫外線を照射することが可能である
ため、半導体製造において広く利用されている紫外線硬
化型の接着剤を用いることができるため、半導体素子の
製造コストを低減することができる。
【０１９８】また、請求項９記載の発明によれば、薄型
化された半導体基板であっても、半導体基板は第１の治
具または第２の治具の何れか一方に保持された構成とな
るため、半導体基板に反りが発生することを確実に防止
することができる。
【０１９９】また、請求項１０記載の発明によれば、請
求項９記載の半導体基板用治具を用いているため、半導
体基板を第１の治具と第２の治具との間で受け渡しを行
なう際に半導体基板に反りが発生することを防止できる
ため、半導体基板の破損を防止できると共に、その後に
実施される半導体製造工程を円滑に行なうことができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の一例である半導体装置の製造方法を説明
するための工程図である。
【図２】本発明の第１実施例である半導体基板用治具を
示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図であ
る。
【図３】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための工程図である。
【図４】治具への貼り付け工程の詳細を説明するための
工程図である。
【図５】テープ貼替え工程の詳細を説明するための工程
図である。
【図６】本発明の第２実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための工程図である。
【図７】本発明の第３実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための工程図である。
【図８】本発明の第４実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための工程図である。
【図９】本発明の第２実施例である半導体基板用治具を
示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図であ
る。
【図１０】本発明の第２実施例である半導体基板用治具
の動作を説明するための図である。
【図１１】本発明の第５実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための工程図である。
【図１２】本発明の第６実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための工程図である。
【図１３】本発明の第３実施例である半導体基板用治具
を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図であ
る。
【図１４】本発明の第４実施例である半導体基板用治具
を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は正面図であ
る。
【図１５】本発明の第７実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための工程図である。
【図１６】本発明の第５実施例である半導体基板用治具
を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は正面図、
（Ｃ）は上部治具と下部治具を分離した状態の断面図で
ある。
【図１７】本発明の第８実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための工程図である。
【符号の説明】
１ ウェハ ２ 表面保護テープ ３ グラインド砥石 ４ チャックテーブル ５ フレーム ６ ダイシング用テープ ７ ダイシングソー ８，８Ａ，８Ｂ コレット ９ 実装基板 １０ 半導体素子 １１ 突き上げピン ２０，２０Ａ，２０Ｂ ウェハ固定用治具 ２１，２１Ａ，２１Ｂ 外枠 ２２，２２Ａ，２２Ｂ ゴム膜 ２３，２３Ａ，２３Ｂ セットテーブル ２４，２４Ａ，２４Ｂ 多孔質板 ２６，２６Ａ，２６Ｂ 第１のエアジョイント ２７，２７Ａ，２７Ｂ ガイドシャフト ２８，２８Ａ，２８Ｂ 第２のエアジョイント ３０，３０Ａ，３０Ｂ ウェハ固定用治具 ３１ 外枠 ３２，３２Ａ，３２Ｂ ステップリング集合体 ３２ａ〜３ｉ ステップリング ３３ 引っ張りバネ ３７ ダイアタッチフィルム ４０ ウェハ固定用治具 ４１ 外枠 ４２ 多孔質材 ４３ バキューム孔 ４５ 円板 ４６ 両面テープ ５０ ウェハ固定用治具 ５１ 下部治具 ５２ 上部治具 ５３ 下部バキューム穴 ５６ 下部エアジョイント ５７ 上部バキューム穴 ５８ ダイシング用逃げ溝 ５９ フック ６０ 上部エアジョイント ６１ ウェハ装着部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年２月１９日（２００２．２．１
９）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。請求項１記載の発明に係る半導体装
置の製造方法は、半導体基板の反りの発生を防止するよ
うに該半導体基板を平坦に固定する半導体基板用治具を
用い、該半導体基板用治具に前記半導体基板を固定した
状態で、該半導体基板を半導体素子素子に個片化するこ
とを特徴とするものである。上記発明によれば、半導体
基板は反りのない状態で半導体基板用治具に固定される
ため、半導体素子の個片化処理を良好に行なうことがで
きる。また、請求項２記載の発明に係る半導体装置の製
造方法は、半導体基板の反りの発生を防止するように該
半導体基板を平坦に固定する治具に前記半導体基板を取
り付け、該半導体基板用治具に前記半導体基板を固定し
た状態で、該半導体基板に対してバックグラインドを行
なうことを特徴とするものである。上記発明によれば、
半導体基板は反りのない状態で半導体基板用治具に固定
されるため、半導体基板のバックグラインド処理を良好
に行なうことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】また、請求項３記載の発明は、半導体基板
に膜状部材を配設する時に用いられる半導体基板用治具
であって、枠体と、該枠体内に配設されており、内部に
流体供給がされることにより形状変形させつつ体積を増
減する伸縮体とを設けており、前記伸縮体が体積を増大
する際、前記半導体基板と前記伸縮体との間に配設され
た前記膜状部材をその中央から外側に向け漸次前記半導
体基板に向け押圧するよう形状変形する構成としたこと
を特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】また、請求項４記載の発明は、請求項３記
載の半導体基板用治具を用いた半導体装置の製造方法で
あって、前記膜状部材として第１の接着テープを用いる
と共に、前記半導体基板用治具に前記第１の接着テープ
を用いて前記半導体基板の回路形成面側を貼り付ける貼
付け工程と、前記半導体基板用治具に貼り付けられた状
態で、前記半導体基板の背面をバックグラインディング
するバックグラインド工程と、前記半導体基板を前記回
路形成面が露出するよう、第２の接着テープを用いて第
２の半導体基板用治具に貼替え固定する貼替え工程と、
前記第２の半導体基板用治具に固定された前記半導体基
板をダイシングすることにより半導体素子に個片化する
個片化工程と、前記個片化された前記半導体素子を前記
第２の半導体基板用治具からピックアップするピックア
ップ工程とを有することを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】上記発明によれば、請求項３記載の半導体
基板用治具を用いているため、半導体基板と第１の接着
テープとの間に気泡が残存することを防止することがで
き、バックグラインド工程において半導体基板は半導体
基板用治具に確実に保持された状態を維持しうる。よっ
て、バックグラインド工程を円滑に行なうことができ
る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２５】また、上記発明において、前記第２の半導
体基板用治具として、請求項３記載の半導体基板用治具
を用いることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２６】この場合には、請求項３記載の半導体基板
用治具を第２の半導体基板用治具としても用いることに
より、第２の接着テープと半導体基板との間においても
気泡が入り込むのを防止でき、貼替え工程以降の各工程
を円滑に行なうことができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】また、請求項５記載の発明は、請求項３記
載の半導体基板用治具を用いた半導体装置の製造方法で
あって、前記膜状部材として第１の接着テープを用いる
と共に、前記半導体基板用治具に前記第１の接着テープ
を用いて前記半導体基板の回路形成面側を貼り付ける貼
付け工程と、前記半導体基板用治具に貼り付けられた状
態で、前記半導体基板の背面をバックグラインディング
するバックグラインド工程と、前記第２の半導体基板用
治具に固定された状態で、バックグラインディングされ
た前記半導体基板をダイシングすることにより半導体素
子に個片化する個片化工程と、個片化された全ての前記
半導体素子を、前記回路形成面が露出するよう一括的に
第２の接着テープを用いて第２の半導体基板用治具に貼
替え固定する貼替え工程と、前記個片化された前記半導
体素子を前記第２の半導体基板用治具からピックアップ
するピックアップ工程とを有することを特徴とするもの
である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２９】また、請求項６記載の発明は、請求項３記
載の半導体基板用治具を用いた半導体装置の製造方法で
あって、前記膜状部材として第１の接着テープを用いる
と共に、前記半導体基板用治具に前記第１の接着テープ
を用いて前記半導体基板の回路形成面側を貼り付ける貼
付け工程と、前記半導体基板用治具に貼り付けられた状
態で、前記半導体基板の背面をバックグラインディング
するバックグラインド工程と、前記第２の半導体基板用
治具に固定された状態で、バックグラインディングされ
た前記半導体基板をダイシングすることにより半導体素
子に個片化する個片化工程と、前記個片化された前記半
導体素子を前記半導体基板用治具からピックアップする
と共に、ピックアップされた該半導体素子を表裏反転処
理するピックアップ工程とを有することを特徴とするも
のである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】また、請求項７記載の発明は、請求項３記
載の半導体基板用治具を用いた半導体装置の製造方法で
あって、前記膜状部材として第１の接着テープを用いる
と共に、前記半導体基板用治具に前記第１の接着テープ
を用いて前記半導体基板の回路形成面側を貼り付ける貼
付け工程と、該半導体基板用治具に固定された前記半導
体基板をダイシングすることにより半導体素子に個片化
する個片化工程と、前記半導体基板用治具に貼り付けら
れた状態で、個片化された複数の該半導体素子の背面を
一括的にバックグラインディングするバックグラインド
工程と、前記半導体素子を前記回路形成面が露出するよ
う、第２の接着テープを用いて第２の半導体基板用治具
に一括的に貼替え固定する貼替え工程と、前記半導体素
子を前記第２の半導体基板用治具からピックアップする
ピックアップ工程とを有することを特徴とするものであ
る。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３３】また、請求項３記載の半導体基板用治具を
用いた半導体装置の製造方法であって、前記膜状部材と
して第１の接着テープを用いると共に、前記半導体基板
用治具に前記第１の接着テープを用いて前記半導体基板
の回路形成面側を貼り付ける貼付け工程と、該半導体基
板用治具に固定された前記半導体基板をダイシングする
ことにより半導体素子に個片化する個片化工程と、前記
半導体基板用治具に貼り付けられた状態で、個片化され
た複数の該半導体素子の背面を一括的にバックグライン
ディングするバックグラインド工程と、前記個片化され
た前記半導体素子を前記半導体基板用治具からピックア
ップすると共に、ピックアップされた該半導体素子を表
裏反転処理するピックアップ工程とを有する製造方法と
することもできる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３５】また、請求項８記載の発明は、半導体基板
に膜状部材を配設する時に用いられる半導体基板用治具
であって、有底の枠体と、該枠体内に同心円的に配設さ
れると共に前記半導体基板と対向する高さ方向に個々移
動可能な構成とされた複数の環状部材を有し、該環状部
材の前記半導体基板と対向する高さ方向の高さが外周よ
り内周に向け漸次高くなるよう構成された環状部材集合
体と、前記環状部材をそれぞれ前記枠体の底部に向け付
勢する付勢部材と、前記枠体内で移動操作されることに
より前記環状部材に接触し、該環状部材を前記付勢部材
の付勢力に抗して前記枠体の底部から離間する方向に移
動付勢する操作部材とを設けており、前記操作部材の操
作に伴い各環状部材が、前記半導体基板と前記環状部材
集合体との間に配設された前記膜状部材を、その中央か
ら外側に向け漸次前記半導体基板に向け押圧するよう移
動する構成としたことを特徴とするものである。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３７】また、請求項９記載の発明は、請求項８記
載の半導体基板用治具を用いた半導体装置の製造方法で
あって、前記膜状部材として第１の接着テープを用いる
と共に、前記半導体基板用治具に前記第１の接着テープ
を用いて前記半導体基板の回路形成面側を貼り付ける貼
付け工程と、前記半導体基板用治具に貼り付けられた状
態で、前記半導体基板の背面をバックグラインディング
するバックグラインド工程と、前記半導体基板の背面に
ダイアタッチ材を配設するダイアタッチマウント工程
と、前記半導体基板を、第２の接着テープを用いて第２
の半導体基板用治具に貼替え固定すると共に前記回路形
成面を露出させる貼替え工程と、前記第２の半導体基板
用治具に固定された前記半導体基板をダイシングするこ
とにより半導体素子に個片化する個片化工程と、前記個
片化された前記半導体素子を前記第２の半導体基板用治
具からピックアップするピックアップ工程とを有するこ
とを特徴とするものである。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３８】上記発明によれば、請求項８記載の半導体
基板用治具を用いているため、半導体基板と第１の接着
テープとの間に気泡が残存することを防止することがで
き、バックグラインド工程において半導体基板は半導体
基板用治具に確実に保持された状態を維持しうる。よっ
て、バックグラインド工程を円滑に行なうことができ
る。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３９】また、上記発明において、前記第２の半導
体基板用治具として、請求項８記載の半導体基板用治具
を用いることもできる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４０】この場合には、請求項８記載の半導体基板
用治具を第２の半導体基板用治具としても用いることに
より、第２の接着テープと半導体基板との間においても
気泡が入り込むのを防止でき、貼替え工程以降の各工程
を円滑に行なうことができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４３】また、請求項１０記載の発明は、紫外線硬
化性を有する接着剤が両面に塗布された両面テープを用
いて、透光性を有する半導体基板用治具に前記半導体基
板の回路形成面側を貼り付ける貼付け工程と、前記半導
体基板用治具に貼り付けられた状態で、前記半導体基板
の背面をバックグラインディングするバックグラインド
工程と、前記半導体基板を介して前記紫外線硬化性を有
する接着剤に紫外線を照射する紫外線照射工程と、前記
半導体基板の背面にダイアタッチ材を配設すると共に、
前記半導体基板を第２の半導体基板用治具に貼替え固定
し、次いで前記回路形成面を露出させる貼替え工程と、
前記第２の半導体基板用治具に固定された前記半導体基
板をダイシングすることにより半導体素子に個片化する
個片化工程と、前記個片化された前記半導体素子を前記
第２の半導体基板用治具からピックアップするピックア
ップ工程とを有することを特徴とするものである。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４５】また、請求項１１記載の発明は、半導体基
板を吸着する第１の吸着機構を有した第１の治具と、前
記半導体基板を吸着する第２の吸着機構を有した第２の
治具とを設けてなり、前記第１及び第２の治具を装着脱
可能な構成とすると共に、前記第１及び第２の吸着機構
がそれぞれ独立して前記半導体基板を吸着しうる構成と
したことを特徴とするものである。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４８】また、請求項１２記載の発明は、請求項１
１記載の半導体基板用治具を用いた半導体装置の製造方
法であって、第１の治具により前記半導体基板を吸引し
て半導体製造のための処理を行なう第１の工程と、第２
の治具により前記半導体基板を吸引して半導体製造のた
めの処理を行なう第２の工程と、前記第１の治具に前記
第２の治具を装着し、該第１及び第２の治具に保持され
た状態で前記半導体基板を搬送する搬送工程とを有する
ことを特徴とするものである。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４９】上記発明によれば、請求項１１記載の半導
体基板用治具を用いているため、半導体基板を第１の治
具と第２の治具との間で受け渡しを行なう際、半導体基
板に反りが発生することを防止できる。よって、半導体
基板の破損を防止できると共に、その後に実施される半
導体製造工程を円滑に行なうことができる。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６１】図４（Ａ）は、表面保護テープ２がウェハ
１に貼着される前の状態（以下、貼着前状態という）を
示している。同図に示すように貼着前状態においては、
ウェハ１はウェハハンド２９に回路形成面を下にして吸
着され、これにより保持されている。また、ウェハ１の
下部には、先に説明したウェハ固定用治具２０Ａか゜配
置されている。そして、ウェハ１とウェハ固定用治具２
０Ａとの間には、特に図示しない装置によって表面保護
テープ２が引き出された状態となっている。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００８６】個片化工程が終了すると、図３（Ｆ），
（Ｇ）に示すように、半導体素子１０をウェハ固定用治
具２０Ｂ（ダイシング用テープ６）からピックアップす
るピックアップ工程、及び半導体素子１０を実装基板９
に実装する大ボンディング工程が実施される。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１００】次に、本発明の第４実施例である半導体装
置の製造方法について説明する。図８は、第４実施例で
ある半導体装置の製造方法の工程図である。同図におい
ても、図示の便宜上、図８（Ａ）→（Ｂ）→（Ｃ）→
（Ｄ）→（Ｅ）→（Ｆ）→（Ｇ）で流れる製造方法（製
造方法１という）と、図８（Ａ）→（Ｂ）→（Ｃ）→
（Ｈ）→（Ｉ）→（Ｇ）で流れる製造方法（製造方法２
という）との二つの製造方法を一つの図として表してい
る。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１０５】但し、この方法では図８（Ｉ）に示すよう
に二つのコレット８Ａ，８Ｂを用いて半導体素子１０を
上下反転させた上でダイボンディング工程を実施する必
要があるが、この反転に要する時間はテープ貼替えに要
する時間に比べ、極めて短時間であることは前述した通
りである。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１８３】（付記１） 半導体基板の反りの発生を防
止するように該半導体基板を平坦に固定する半導体基板
用治具を用い、該半導体基板用治具に前記半導体基板を
固定した状態で、該半導体基板を半導体素子素子に個片
化することを特徴とする半導体基板用治具を用いた半導
体装置の製造方法。 （付記２） 半導体基板の反りの発生を防止するように
該半導体基板を平坦に固定する治具に前記半導体基板を
取り付け、該半導体基板用治具に前記半導体基板を固定
した状態で、該半導体基板に対してバックグラインドを
行なうことを特徴とする半導体基板用治具を用いた半導
体装置の製造方法。 (付記３) 半導体基板に膜状部材を配設する時に用いら
れる半導体基板用治具であって、枠体と、該枠体内に配
設されており、内部に流体供給がされることにより形状
変形させつつ体積を増減する伸縮体とを設けており、前
記伸縮体が体積を増大する際、前記半導体基板と前記伸
縮体との間に配設された前記膜状部材をその中央から外
側に向け漸次前記半導体基板に向け押圧するよう形状変
形する構成としたことを特徴とする半導体基板用治具。(付記４) 付記３ 記載の半導体基板用治具において、前
記収縮体の内部に移動可能に設けられると共に、前記伸
縮体が前記膜状部材の略全面を前記半導体基板に向け押
圧した際、該伸縮体と当接する位置まで移動する移動板
を設け、該移動板により前記伸縮体が前記膜状部材の略
全面を前記半導体基板に向け押圧した状態を保持する構
成としたことを特徴とする半導体基板用治具。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１８４】(付記５) 付記４記載の半導体基板用治具
において、前記移動板に、前記伸縮体を吸引する吸引機
構を設けたことを特徴とする半導体基板用治具。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１８５】(付記６) 付記３乃至５のいずれか１項に
記載の半導体基板用治具を用いた半導体装置の製造方法
であって、前記膜状部材として第１の接着テープを用い
ると共に、前記半導体基板用治具に前記第１の接着テー
プを用いて前記半導体基板の回路形成面側を貼り付ける
貼付け工程と、前記半導体基板用治具に貼り付けられた
状態で、前記半導体基板の背面をバックグラインディン
グするバックグラインド工程と、前記半導体基板を前記
回路形成面が露出するよう第２の半導体基板用治具に貼
替え固定する貼替え工程と、前記第２の半導体基板用治
具に固定された前記半導体基板をダイシングすることに
より半導体素子に個片化する個片化工程と、前記個片化
された前記半導体素子を前記第２の半導体基板用治具か
らピックアップするピックアップ工程とを有することを
特徴とする半導体装置の製造方法。(付記７) 付記６ 記載の半導体装置の製造方法におい
て、前記第２の半導体基板用治具として、付記３乃至５
のいずれか１項に記載の半導体基板用治具を用いたこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１８６】(付記８) 付記３乃至５のいずれか１項に
記載の半導体基板用治具を用いた半導体装置の製造方法
であって、前記膜状部材として第１の接着テープを用い
ると共に、前記半導体基板用治具に前記第１の接着テー
プを用いて前記半導体基板の回路形成面側を貼り付ける
貼付け工程と、前記半導体基板用治具に貼り付けられた
状態で、前記半導体基板の背面をバックグラインディン
グするバックグラインド工程と、前記第２の半導体基板
用治具に固定された状態で、バックグラインディングさ
れた前記半導体基板をダイシングすることにより半導体
素子に個片化する個片化工程と、個片化された全ての前
記半導体素子を、前記回路形成面が露出するよう一括的
に第２の半導体基板用治具に貼替え固定する貼替え工程
と、前記個片化された前記半導体素子を前記第２の半導
体基板用治具からピックアップするピックアップ工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。(付記９) 付記３乃至５ のいずれか１項に記載の半導体
基板用治具を用いた半導体装置の製造方法であって、前
記膜状部材として第１の接着テープを用いると共に、前
記半導体基板用治具に前記第１の接着テープを用いて前
記半導体基板の回路形成面側を貼り付ける貼付け工程
と、前記半導体基板用治具に貼り付けられた状態で、前
記半導体基板の背面をバックグラインディングするバッ
クグラインド工程と、前記第２の半導体基板用治具に固
定された状態で、バックグラインディングされた前記半
導体基板をダイシングすることにより半導体素子に個片
化する個片化工程と、前記個片化された前記半導体素子
を前記半導体基板用治具からピックアップすると共に、
ピックアップされた該半導体素子を表裏反転処理するピ
ックアップ工程とを有することを特徴とする半導体装置
の製造方法。(付記１０) 付記３乃至５ のいずれか１項に記載の半導
体基板用治具を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記膜状部材として第１の接着テープを用いると共に、
前記半導体基板用治具に前記第１の接着テープを用いて
前記半導体基板の回路形成面側を貼り付ける貼付け工程
と、該半導体基板用治具に固定された前記半導体基板を
ダイシングすることにより半導体素子に個片化する個片
化工程と、前記半導体基板用治具に貼り付けられた状態
で、個片化された複数の該半導体素子の背面を一括的に
バックグラインディングするバックグラインド工程と、
前記半導体素子を前記回路形成面が露出するよう第２の
半導体基板用治具に一括的に貼替え固定する貼替え工程
と、前記半導体素子を前記第２の半導体基板用治具から
ピックアップするピックアップ工程とを有することを特
徴とする半導体装置の製造方法。(付記１１) 付記３乃至５ のいずれか１項に記載の半導
体基板用治具を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記膜状部材として第１の接着テープを用いると共に、
前記半導体基板用治具に前記第１の接着テープを用いて
前記半導体基板の回路形成面側を貼り付ける貼付け工程
と、該半導体基板用治具に固定された前記半導体基板を
ダイシングすることにより半導体素子に個片化する個片
化工程と、前記半導体基板用治具に貼り付けられた状態
で、個片化された複数の該半導体素子の背面を一括的に
バックグラインディングするバックグラインド工程と、
前記個片化された前記半導体素子を前記半導体基板用治
具からピックアップすると共に、ピックアップされた該
半導体素子を表裏反転処理するピックアップ工程とを有
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１８７】(付記１２) 半導体基板に膜状部材を配設
する時に用いられる半導体基板用治具であって、有底の
枠体と、該枠体内に同心円的に配設されると共に前記半
導体基板と対向する高さ方向に個々移動可能な構成とさ
れた複数の環状部材を有し、該環状部材の前記半導体基
板と対向する高さ方向の高さが外周より内周に向け漸次
高くなるよう構成された環状部材集合体と、前記環状部
材をそれぞれ前記枠体の底部に向け付勢する付勢部材
と、前記枠体内で移動操作されることにより前記環状部
材に接触し、該環状部材を前記付勢部材の付勢力に抗し
て前記枠体の底部から離間する方向に移動付勢する操作
部材とを設けており、前記操作部材の操作に伴い各環状
部材が、前記半導体基板と前記環状部材集合体との間に
配設された前記膜状部材を、その中央から外側に向け漸
次前記半導体基板に向け押圧するよう移動する構成とし
たことを特徴とする半導体基板用治具。(付記１３) 付記１２ 記載の半導体基板用治具を用いた
半導体装置の製造方法であって、前記膜状部材として第
１の接着テープを用いると共に、前記半導体基板用治具
に前記第１の接着テープを用いて前記半導体基板の回路
形成面側を貼り付ける貼付け工程と、前記半導体基板用
治具に貼り付けられた状態で、前記半導体基板の背面を
バックグラインディングするバックグラインド工程と、
前記半導体基板の背面にダイアタッチ材を配設するダイ
アタッチマウント工程と、前記半導体基板を第２の半導
体基板用治具に貼替え固定すると共に前記回路形成面を
露出させる貼替え工程と、前記第２の半導体基板用治具
に固定された前記半導体基板をダイシングすることによ
り半導体素子に個片化する個片化工程と、前記個片化さ
れた前記半導体素子を前記第２の半導体基板用治具から
ピックアップするピックアップ工程とを有することを特
徴とする半導体装置の製造方法。(付記１４) 付記１３ 記載の半導体装置の製造方法にお
いて、前記第２の半導体基板用治具として、付記１２記
載の半導体基板用治具を用いたことを特徴とする半導体
装置の製造方法。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１８８】(付記１５) 半導体基板に膜状部材を配設
する時に用いられる半導体基板用治具であって、枠体
と、前記膜状部材と対向するよう前記枠体内に配設され
た多孔質部材と、前記枠体に形成されており、前記多孔
質部材に対し負圧を印加するバキューム孔とを有するこ
とを特徴とする半導体基板用治具。
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１８９】(付記１６) 紫外線硬化性を有する接着剤
が両面に塗布された両面テープを用いて、透光性を有す
る半導体基板用治具に前記半導体基板の回路形成面側を
貼り付ける貼付け工程と、前記半導体基板用治具に貼り
付けられた状態で、前記半導体基板の背面をバックグラ
インディングするバックグラインド工程と、前記半導体
基板を介して前記紫外線硬化性を有する接着剤に紫外線
を照射する紫外線照射工程と、前記半導体基板の背面に
ダイアタッチ材を配設すると共に、前記半導体基板を第
２の半導体基板用治具に貼替え固定し、次いで前記回路
形成面を露出させる貼替え工程と、前記第２の半導体基
板用治具に固定された前記半導体基板をダイシングする
ことにより半導体素子に個片化する個片化工程と、前記
個片化された前記半導体素子を前記第２の半導体基板用
治具からピックアップするピックアップ工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。(付記１７) 半導体基板を吸着する第１の吸着機構を有
した第１の治具と、前記半導体基板を吸着する第２の吸
着機構を有した第２の治具とを設けてなり、前記第１及
び第２の治具を装着脱可能な構成とすると共に、前記第
１及び第２の吸着機構がそれぞれ独立して前記半導体基
板を吸着しうる構成としたことを特徴とする半導体基板
用治具。(付記１８) 付記１７ 記載の半導体基板用治具を用いた
半導体装置の製造方法であって、第１の治具により前記
半導体基板を吸引して半導体製造のための処理を行なう
第１の工程と、第２の治具により前記半導体基板を吸引
して半導体製造のための処理を行なう第２の工程と、前
記第１の治具に前記第２の治具を装着し、該第１及び第
２の治具に保持された状態で前記半導体基板を搬送する
搬送工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造
方法。
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９０
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１９０】請求項１記載の発明によれば、半導体基板
は反りのない状態で半導体基板用治具に固定されるた
め、半導体素子の個片化処理を良好に行なうことができ
る。また、請求項２記載の発明によれば、半導体基板は
反りのない状態で半導体基板用治具に固定されるため、
半導体基板のバックグラインド処理を良好に行なうこと
ができる。請求項３記載の発明によれば、半導体基板と
膜状部材との間に気泡が残存することを防止することが
でき、以降の工程を円滑に行なえると共に気泡侵入に起
因した半導体基板損傷の発生を防止することができる。
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１９１】また、請求項４記載の発明によれば、半導
体基板と第１の接着テープとの間に気泡が残存すること
を防止することができ、バックグラインド工程において
半導体基板は半導体基板用治具に確実に保持された状態
を維持できるため、バックグラインド工程を円滑に行な
うことができる。
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１９２】また、請求項５記載の発明のように、バッ
クグラインド工程の終了後は、個片化工程を実施する前
にテープ貼替え工程を実施しても、また個片化工程を実
施した後にテープ貼替え工程を実施してもよい。よっ
て、半導体製造工程の工程設計の自由度を高めることが
できる。
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１９３】また、請求項６記載の発明によれば、貼替
え工程が存在しないため半導体基板が損傷することを防
止できると共に、貼替え時に半導体基板と接着テープと
の間に気泡が侵入するようなこともない。
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１９４】また、請求項７記載の発明のように、バッ
クグラインド工程は、個片化工程の終了後に実施するこ
とも可能である。この構成とした場合には、個片化工程
で半導体素子のエッジ部に発生した欠けをバックグライ
ンド工程で除去できる。このため、半導体素子の強度を
向上させることができる。
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１９５】また、請求項８記載の発明によれば、環状
部材は個別に移動して膜状部材を半導体基板に向け中央
から外側に向け漸次押圧するため、半導体基板と膜状部
材との間に気泡が残存することを防止できる。これによ
り、以降の工程を円滑に行なえると共に、気泡侵入に起
因した半導体基板の損傷の発生を防止することができ
る。
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１９６】また、請求項９記載の発明によれば、請求
項８記載の半導体基板用治具を用いているため、半導体
基板と第１の接着テープとの間に気泡が残存することを
防止することができ、バックグラインド工程において半
導体基板は半導体基板用治具に確実に保持された状態を
維持しうる。よって、バックグラインド工程を円滑に行
なうことができる。
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１９７】また、請求項１０記載の発明によれば、テ
ープ貼替え工程では半導体基板用治具を介して紫外線硬
化性を有する接着剤に紫外線を照射することが可能であ
るため、半導体製造において広く利用されている紫外線
硬化型の接着剤を用いることができるため、半導体素子
の製造コストを低減することができる。
【手続補正４０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１９８】また、請求項１１記載の発明によれば、薄
型化された半導体基板であっても、半導体基板は第１の
治具または第２の治具の何れか一方に保持された構成と
なるため、半導体基板に反りが発生することを確実に防
止することができる。
【手続補正４１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１９９】また、請求項１２記載の発明によれば、請
求項１１記載の半導体基板用治具を用いているため、半
導体基板を第１の治具と第２の治具との間で受け渡しを
行なう際に半導体基板に反りが発生することを防止でき
るため、半導体基板の破損を防止できると共に、その後
に実施される半導体製造工程を円滑に行なうことができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/78 Ｑ Ｙ (72)発明者 吉本 和浩 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 渡部 光久 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 新城 嘉昭 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 吉田 英治 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 早坂 昇 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 DA01 DA11 DA13 DA15 EA01 HA06 HA12 HA32 HA34 MA22 MA34 MA38 PA20 5F044 PP05 PP18 5F047 FA31 FA38

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板に膜状部材を配設する時に用
    いられる半導体基板用治具であって、 枠体と、 該枠体内に配設されており、内部に流体供給がされるこ
    とにより形状変形させつつ体積を増減する伸縮体とを設
    けており、 前記伸縮体が体積を増大する際、前記半導体基板と前記
    伸縮体との間に配設された前記膜状部材をその中央から
    外側に向け漸次前記半導体基板に向け押圧するよう形状
    変形する構成としたことを特徴とする半導体基板用治
    具。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体基板用治具を用い
    た半導体装置の製造方法であって、 前記膜状部材として第１の接着テープを用いると共に、
    前記半導体基板用治具に前記第１の接着テープを用いて
    前記半導体基板の回路形成面側を貼り付ける貼付け工程
    と、 前記半導体基板用治具に貼り付けられた状態で、前記半
    導体基板の背面をバックグラインディングするバックグ
    ラインド工程と、 前記半導体基板を前記回路形成面が露出するよう、第２
    の接着テープを用いて第２の半導体基板用治具に貼替え
    固定する貼替え工程と、 前記第２の半導体基板用治具に固定された前記半導体基
    板をダイシングすることにより半導体素子に個片化する
    個片化工程と、 前記個片化された前記半導体素子を前記第２の半導体基
    板用治具からピックアップするピックアップ工程とを有
    することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体基板用治
    具を用いた半導体装置の製造方法であって、 前記膜状部材として第１の接着テープを用いると共に、
    前記半導体基板用治具に前記第１の接着テープを用いて
    前記半導体基板の回路形成面側を貼り付ける貼付け工程
    と、 前記半導体基板用治具に貼り付けられた状態で、前記半
    導体基板の背面をバックグラインディングするバックグ
    ラインド工程と、 前記第２の半導体基板用治具に固定された状態で、バッ
    クグラインディングされた前記半導体基板をダイシング
    することにより半導体素子に個片化する個片化工程と、 個片化された全ての前記半導体素子を、前記回路形成面
    が露出するよう一括的に第２の接着テープを用いて第２
    の半導体基板用治具に貼替え固定する貼替え工程と、 前記個片化された前記半導体素子を前記第２の半導体基
    板用治具からピックアップするピックアップ工程とを有
    することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 請求項１または２記載の半導体基板用治
    具を用いた半導体装置の製造方法であって、 前記膜状部材として第１の接着テープを用いると共に、
    前記半導体基板用治具に前記第１の接着テープを用いて
    前記半導体基板の回路形成面側を貼り付ける貼付け工程
    と、 前記半導体基板用治具に貼り付けられた状態で、前記半
    導体基板の背面をバックグラインディングするバックグ
    ラインド工程と、 前記第２の半導体基板用治具に固定された状態で、バッ
    クグラインディングされた前記半導体基板をダイシング
    することにより半導体素子に個片化する個片化工程と、 前記個片化された前記半導体素子を前記半導体基板用治
    具からピックアップすると共に、ピックアップされた該
    半導体素子を表裏反転処理するピックアップ工程とを有
    することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 請求項１または２記載の半導体基板用治
    具を用いた半導体装置の製造方法であって、 前記膜状部材として第１の接着テープを用いると共に、
    前記半導体基板用治具に前記第１の接着テープを用いて
    前記半導体基板の回路形成面側を貼り付ける貼付け工程
    と、 該半導体基板用治具に固定された前記半導体基板をダイ
    シングすることにより半導体素子に個片化する個片化工
    程と、 前記半導体基板用治具に貼り付けられた状態で、個片化
    された複数の該半導体素子の背面を一括的にバックグラ
    インディングするバックグラインド工程と、 前記半導体素子を、前記回路形成面が露出するよう第２
    の接着テープを用いて第２の半導体基板用治具に一括的
    に貼替え固定する貼替え工程と、 前記半導体素子を前記第２の半導体基板用治具からピッ
    クアップするピックアップ工程とを有することを特徴と
    する半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 半導体基板に膜状部材を配設する時に用
    いられる半導体基板用治具であって、 有底の枠体と、 該枠体内に同心円的に配設されると共に前記半導体基板
    と対向する高さ方向に個々移動可能な構成とされた複数
    の環状部材を有し、該環状部材の前記半導体基板と対向
    する高さ方向の高さが外周より内周に向け漸次高くなる
    よう構成された環状部材集合体と、 前記環状部材をそれぞれ前記枠体の底部に向け付勢する
    付勢部材と、 前記枠体内で移動操作されることにより前記環状部材に
    接触し、該環状部材を前記付勢部材の付勢力に抗して前
    記枠体の底部から離間する方向に移動付勢する操作部材
    とを設けており、 前記操作部材の操作に伴い各環状部材が、前記半導体基
    板と前記環状部材集合体との間に配設された前記膜状部
    材を、その中央から外側に向け漸次前記半導体基板に向
    け押圧するよう移動する構成としたことを特徴とする半
    導体基板用治具。
  7. 【請求項７】 請求項６記載の半導体基板用治具を用い
    た半導体装置の製造方法であって、 前記膜状部材として第１の接着テープを用いると共に、
    前記半導体基板用治具に前記第１の接着テープを用いて
    前記半導体基板の回路形成面側を貼り付ける貼付け工程
    と、 前記半導体基板用治具に貼り付けられた状態で、前記半
    導体基板の背面をバックグラインディングするバックグ
    ラインド工程と、 前記半導体基板の背面にダイアタッチ材を配設するダイ
    アタッチマウント工程と、 前記半導体基板を、第２の接着テープを用いて第２の半
    導体基板用治具に貼替え固定すると共に前記回路形成面
    を露出させる貼替え工程と、 前記第２の半導体基板用治具に固定された前記半導体基
    板をダイシングすることにより半導体素子に個片化する
    個片化工程と、 前記個片化された前記半導体素子を前記第２の半導体基
    板用治具からピックアップするピックアップ工程とを有
    することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 紫外線硬化性を有する接着剤が両面に塗
    布された両面テープを用いて、透光性を有する半導体基
    板用治具に前記半導体基板の回路形成面側を貼り付ける
    貼付け工程と、 前記半導体基板用治具に貼り付けられた状態で、前記半
    導体基板の背面をバックグラインディングするバックグ
    ラインド工程と、 前記半導体基板を介して前記紫外線硬化性を有する接着
    剤に紫外線を照射する紫外線照射工程と、 前記半導体基板の背面にダイアタッチ材を配設すると共
    に、前記半導体基板を第２の半導体基板用治具に貼替え
    固定し、次いで前記回路形成面を露出させる貼替え工程
    と、 前記第２の半導体基板用治具に固定された前記半導体基
    板をダイシングすることにより半導体素子に個片化する
    個片化工程と、 前記個片化された前記半導体素子を前記第２の半導体基
    板用治具からピックアップするピックアップ工程とを有
    することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 半導体基板を吸着する第１の吸着機構を
    有した第１の治具と、 前記半導体基板を吸着する第２の吸着機構を有した第２
    の治具とを設けてなり、 前記第１及び第２の治具を装着脱可能な構成とすると共
    に、前記第１及び第２の吸着機構がそれぞれ独立して前
    記半導体基板を吸着しうる構成としたことを特徴とする
    半導体基板用治具。
  10. 【請求項１０】 請求項９記載の半導体基板用治具を用
    いた半導体装置の製造方法であって、 第１の治具により前記半導体基板を吸引して半導体製造
    のための処理を行なう第１の工程と、 第２の治具により前記半導体基板を吸引して半導体製造
    のための処理を行なう第２の工程と、 前記第１の治具に前記第２の治具を装着し、該第１及び
    第２の治具に保持された状態で前記半導体基板を搬送す
    る第２の搬送工程とを有することを特徴とする半導体装
    置の製造方法。
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