TWI280630B - Semiconductor substrate jig and method of manufacturing a semiconductor device - Google Patents

Description

1280630 五、發明説明（1 ) 本申請案請求細年则19日向日本㈣局提 請之第讓-32則號日本專射請案的料，該案内容併 此附送。 本發明概有關於半導體基材的固定夾具，及使用該夹 具來製造半導體元件的方法，尤有關於_種製造半導元件 的方法，包含一研磨該半導體基材（晶圓）之背面的步驟’ 一切分為半導體元件的步驟’及―黏接步驟包括撿取切分 的半導體元件並將它們固貼於安裝器件上；並有關於供該 方法使用之半導體元件的固定夾具。 近來’隨著半導體封裝物之輕、帛、短、小的需求， 故相關於晶圓亦變得更為細薄。 在各製程步驟中，例如背面研磨步驟，當晶圓的厚度 小於100/zm時’該晶圓的傳送及半導體的製程若仍使用傳 統的方法技術上將會非常困難。因此，乃亟須—種能夠安 王地傳达磨薄的晶圓，及執行半導體製程的方法。 傳統上，在包括背部研磨該半導體基材（以下稱為晶 圓)一，藉切割來將該晶圓分成半導體元件，及將切分的半導 體:件黏貼於例如安裝基材等之製造步驟中，該等傳送及 預疋的處理程序，係將該晶圓貼設一黏帶而來進行。各製 造步驟乃參照第1圖來說明。 百先，在第1A圖中，一電路形成表面將會被 護帶2(貼合帶）。職，如第_所示，該晶叫被置於 持秸4上，而其为面會被以一旋轉的磨件3來研磨（背面 研磨步驟）。因此，該晶圓1將會被磨薄。 本紙張尺度適财_家標準(CNS) A4規格

訂丨 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（2 ) ^其次，一晶粒黏貼膜（未示出）會被黏設於磨薄後的晶 圓1背面（晶粒貼膜佈設步驟）。 、然後，如第lc圖所示，當貼設於該晶圓1的保護帶2被 剝除後，该晶圓1的背面會再被貼附一切割帶6(換帶步 驟）。該切割帶6係事先被設置在具有一框形之一框5中。 嗣，如第1D圖所示，該晶圓丨會被使用一切鋸7沿著預 疋的切割線來切開，而分成許多個別的半導體元件1〇(切分 步驟）。 孩等切勿線的半導體元件1 0會被使用一上推銷1 1透過 切割帶6來頂抵於它們的背面，因此，該等半導體元件1〇 將會由該切割帶6剝離，如第1E圖所示。有一收集器8係設 在相對於該上推銷U的頂部，故已剝離的半導體元件1〇將 會被该收集器8所吸住並固持（檢取步驟）。 被該收集器8所固持的半導體元件1〇在該收集器8移 動日寸，將會被傳送至安裝基板9，並被該晶粒黏貼膜貼附於 女衣基板9上的預定位置（黏接步驟）。經由該等步驟，形成 於該晶圓1上之半導體元件10將會被磨薄及切分，並被貼設 在安裝基板9上。 被該背面研磨步驟磨得極薄的晶圓1將會彎曲，而對 具有傳統厚度的晶圓應無此問題。該晶圓1的彎薄並非其絕 對強度減少的唯一直接原因。當該晶圓丨彎曲時，在其背面 研磨步驟之後的各製造步驟的效能都會變差，且隨著該晶 圓的移送將會造成破裂的因素。 此在該換帶步驟中更會特別嚴重。換言之，當在換貼 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公董） 1280630 五、發明説明（3 黏帶時，若該晶圓1太薄，則氧 割帶6之間。 Μ將易於進人該晶圓1與切 當有氣泡進入時，該晶圓！與士刀割帶6將不會在有氣泡 存在的地方黏接，因此，該晶圓1與切割帶6之間的黏接強 度會減低。又，當被加熱時，氣泡會膨服，故晶I與切割 帶6會更互相分開。因此’當有氣泡進人時，將可能會使一 後續步驟（例如切分步驟）不能順利地完成，故該半導體製 程的良率會降低’且在最糟的情況下，該晶圓i可能會因氣 泡的膨脹而破裂。 另方面，在考慮剝除該保護帶時，該晶圓丨亦可能 在該保護帶2被剝離時破裂’或者晶圓i亦可能在開始剝離 時由邊緣處剝離，然後破裂。 有見於上述各問題，故本發明之概括目的即為提供一 種可供固持該半導體基材的夾具，俾使磨薄半導體基材的 影響幾乎能被消除，並抑止該半導體基材因強度不足而受 損的可能性，及提供使用該夾具來製造半導體元件的方法。 本發明的上述目的係可藉以下的手段來達成。 本發明的目的係可藉使用一半導體基材夾具之半導 體元件製造方法來達成，該方法包含將一半導體基材平坦 地固定於一夾具中，而來防止該半導體基材發生彎曲的步 驟，及在該半導體基材被固定於該夾具中時，將之切割成 多數半導體元件的步驟。 依據本發明，由於該半導體基材係被固定於該夾具中 而不會彎曲，故其切割步驟將能順利地進行。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •、可| 1280630 A7 I----- B7 五、發明説明（4 ) " '~— _本發明的目的，亦可藉❹-半導體基材夾具的半導 冑疋件製造方法來達成，其包含下列步驟：將-半導體基 材平i一地固疋在—半導體基材夾具中，來防止該基材彎 *，而當該基材被固定於該夾具中時，對該基材進行背部 研磨。 &據本發明，由於該半導體基材係被固定在失具中而 不會彎曲，故其背面研磨步驟將可順利進行。 纟發明之目的，係可藉一用來將-薄膜佈設在-半導 體土材上的半^體基材夾具而來達成，其中該夾具乃具有 才匡’⑽脹TL件設在該框Μ，而可於其内供入流體來 減其體積使之變形；當該體積增加時，其變形會使該可 雜元件與該薄膜的接觸部份由該薄财央往外地擴大， 錢被設在該半導體基材與可膨脹元件之㈣薄膜壓抵於 I 該半導體基材上。 依據本發明，當該可膨脹元件的體積增大時，設在半 «基材與可膨脹元件之間的薄膜，將會由中央往外地朝 肖該半導體基材逐漸壓抵，故t該可膨脹元件變形時，在 胃半導體基材與薄膜之間的空氣（氣泡）會由中央往外地被 迫出。 因此，將可防止氣泡留存於該半導體基材與薄膜之 I，而使後續的製造步驟得能順利進行，並能避免由該等 | 氣體所造成的半導體基材破裂問題。 本發明之前述目的，亦可藉使用上述之半導體基材夾 具的半導體元件製造方法來達成，該方法包含下列步驟：

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(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .、可· 五、發明説明（5 ) 使用第黏讀為該薄膜，來將該半導體基材的電 路形成表面固貼在該半導體基材夾具上； 當該半導體基材固貼於該夾具上時，對該基材的背面 進行背面研磨； 將該半導體基材重貼固定於一第二半導體基材夾具 上，而曝現其電路形成表面； 藉切割將被固定在該第二夾具上的半導體基材切分 成多數的半導體元件，·及 由该第二夾具上檢取出切分的半導體元件。 依據本發明之上述方法，由於使用該半導體基材夾 具。故可防止氣泡存留於該基材與第—黏帶之間，且在背 面研磨步射，該基材會被固持於該夾具上。&，該背面 研磨步驟將可順利進行。 本發明的㈣，亦可藉使用—轉體基材夾具的半導 體疋件製造方法來達成，該方法包含下列步驟： 使用一第一黏帶作為該薄膜，而將該半導體基材的電 路形成表面固貼於該半導體基材夾具上； 當該半導體基材被固貼於該夾具上時，對該基材的背 面進行研磨； 藉切割而將固定在該夾具上之背面研磨過的半導體 基材切分成多數的半導體元件； 將所有的半導體元件重貼固定在一第二半導體基材 失具上，而一起地曝現該電路形成表面·，及 由該第二夾具上撿取出各切分的半導體元件。 五、發明説明（6 ) 如上所述，在完成背面研磨步驟之後，其換帶步驟係 可在進行切分步驟之前或者之後來進行。 本發明之目的，又可藉使用上述之半導體基材夾具的 +導體元件製造方法而㈣成，該方法包含下列步驟： 使用-第-黏帶作為該薄膜，而將半導體基材的電路 形成表面固貼於該半導體基材夾具上； 當該半導體基材被固貼於該夾具上時，對該基材的背 面進行研磨； 藉切割將被固定於一第二半導體基材夾具上之背面 研磨過的基材’切分成多數的半導體元件；及 由該第二纽上撿取出該各切分的半導體元件，並將之倒轉。 依據本發明的上述方法，由於該換帶步驟並不存在， 故乃可避免該半㈣㈣受損，且氣泡沒有機會在黏帶換 設時進入該基材與黏帶之間。 本發明的目的，亦可藉使用上述之半導體基材夹具的 半導體元件製造方法而來達成，該方法包含下列步驟： 使用一第一黏帶作為該薄膜，而將該半導體基材的電 路形成表面固貼於該半導體基材夾具上； 藉切割而將固定在該夾具上之半導體基材切分成多 數的半導體元件； 將固定於該夾具上之該等半導體元件的背面一起來 進行背面研磨； 將該等半導體元件一起地重貼固定於一第二半導體 基材夾具上，而曝現該電路形成表面；及 1280630 五、發明説明丨， 由該第二夾具上撿取出該各半導體元件。 本發明的目的亦可藉使用上述半導體基材夾具之半 導體元件製造方法來達成，該方法包含下列步驟： 使用一第一黏帶作為該薄膜，來將該半導體基材的電 路形成表面固貼在該半導體基材夾具上； 藉切割而將固定在該夾具上的半導體基材切分成多 數的半導體元件； 對固定於該夾具上之該等切分的半導體元件之背面 進行背面研磨；及 由第二半導體基材夾具上撿取出該各切分的半導體 元件，並將之倒轉。 當使用上述方法時，藉著在完成切分步驟之後才進行 背面研磨步驟，故可增加半導體元件的強度。又，由於換 帶步驟係被略除，故可避免該半導體元件受損，且無氣泡 進入該半導體元件與黏帶之間。 本發明的目的係可藉一用來將一薄膜佈設在一半導 體基材上的半導體基材夾具而來達成，該夾具包含： 一框具有一底部； 一組多數的環狀物同心地列設在該框内，而可沿垂直 於該半導體基材的方向個別地移動，該各環狀物沿前述垂 直方向的高度，係由最外周緣朝向内部逐漸地增加； 一彈壓件可朝向該框的底部來彈抵該各環狀物；及 一操作件可藉在談框内的操作動作來接觸該等環狀 物’並可對抗該彈壓件的彈力而推抵該等環狀物，使其朝 (請先閲讀背面之注意事^再填寫本頁) 訂丨

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五、發明説明（ 著與該框之底部分開的方向來移動；盆中 …該各環狀物可藉該操作件_作，而由中練外地朝向該 半導體土材[著被⑨在該基材與該組環狀物H薄膜。 據本♦月之上述方法，利用該操作件的操作，各環 狀物將可獨立地移動，而由中心往外逐漸地朝向該半導體 土材來[著垓溥臊。故，在該基材與薄膜之間的空氣(氣 泡）’將可藉該等環狀物的動作而由中央往外地被迫出。 因此’能防止氣泡存留於半導體基材與該薄膜之間， 而得順利地進行後續的製程步驟，且因氣泡的進入所造成 之該半導體基材的損害亦可被防止。 、本發明的目的又可藉-使用-半導體基材夾具的半 導體元件製造方法來達成，該方法包含下列步驟： 使用一第一黏帶作為該薄膜，而將半導體基材的電 形成表面固貼於該半導體基材夾具上， 當該半導體基材固貼於該夾具上時，對該基材的背 進行研磨； 佈δ又晶粒貼膜而將晶粒黏貼材料佈設在該半導體基材的背面； 將該半導體基材重貼固定在一第二半導體基材夾具 上，而曝現其電路形成表面； 藉切割而將固定在該第二夾具上的半導體基材切分 成多數的半導體元件；及 由该第二夾具上撿取出該各切分的半導體元件。 依據本發明之上述方法’乃可防止氧泡進入該半導體 基材與第一黏帶之間，且在背面研磨步驟中該基材會被夾 路 面 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) MW. .、可| 11 1280630 A7 --------B7 _ 五、發明説明（9 ) 具所固持。故’將能順利地進行該背面研磨步驟。 本發明的目的係可藉一用來將一薄膜佈設在一半導 體基材上的半導體基材夾具而來達成；該夾具包含： 一框； 一孔板設在該框内，而可對向於該薄膜；及 一真空孔設在該框中，而可對該孔板施加負壓。 利用上述的半導體基材夾具，乃可防止氣泡進入該薄 膜與基材之間，因為該薄膜會被施加於該孔板的負壓吸住 於該夾具上，故該薄膜會形成平坦的。 本發明的目的亦可藉一半導體基材之製造方法來達 成’该方法包含下列步驟： 使用一兩面皆塗設具有紫外線處理性質之黏劑的雙 面膠帶，來將該半導體基材的電路形成表面固貼於一透光 的半導體基材夾具上； 對被固貼於該夾具上的半導體基材進行背面研磨； 透過該夾具而將紫外線照射於該具有紫外線處理性 質的黏劑上； 將晶粒貼膜佈設於該基材的背面，並將該基材重貼固 疋在一第一半導體基材夾具上，而曝現該電路形成表面； 藉切割而將固定在該第二夾具上的半導體基材切分 成多數的半導體元件；及 由δ亥苐二夾具上撿取出該各切分的半導體元件。 依據本發明之上述方法，因可透光的材料係被選來作 為該半導體基材夾具，故即使該基材係黏接於該夾具上來

五 、發明説明（10 ) 進行月面研磨步驟，但在換帶步驟中，紫外線亦能穿過該 失具而照射在具有紫外線處理性質的黏劑上。 本發明的目的又能藉一半導體基材夾具來達成，其係包含： 一第一夾具具有一第一抽吸機構可吸住該半導體基 材；及 一第二夾具具有一第二抽吸機構亦可吸住該半導體基材； 该第一與第二夾具係可卸除的，並能獨立地吸住該半 導體基材。 依據本發明之上述夾具，因該第一與第二抽吸機構能 獨立個別地吸住該半導體基材，故該基材能被分別裝在該 第一或第二夾具中。而，當該第一與第二夾具組合時，該 半導體基材可使用第一抽吸機構或第二抽吸機構來吸住。 因此，假使該抽吸操作係由第一抽吸機構轉換至第二 抽吸機構，則當第一抽取機構仍在抽吸時，該第二抽吸機 構即會啟動，然後才中止第一抽取機構的抽吸，故該半導 體基材會被牢固地吸持。即使該半導體基材已被磨薄，但 仍可避免f曲，因為其會被該第_夾具或第二夾具所固持。 圖式之簡單說明： 本發明之較佳實施例等現將參照所附圖式來說明，其中·· 第1A〜1E圖為製造半導體元件之習知方法的流程說明圖； 第2A圖為本發明第—實施例之半導體基材夾具的頂視圖； 第2B圖為該第一實施例之夾具的剖視圖； 第3A〜3G圖為本發明第一實施例之半導體元件製造方 法的流程說明圖； 1280630 at B7 五、發明説明（） 一 11 第4A〜4D圖為本發明第一實施例之半導體元件製造方 法的詳細流程說明圖， 第5A〜5C圖為將一晶圓貼設於夾具之詳細步驟的流程說明圖； 第6A〜6G圖為本發明第二實施例之半導體元件製造方 法的詳細流程說明圖； 第7A〜71圖為本發明第二實施例之半導體元件製造方 法的詳細流程說明圖， 第8A〜81圖為本發明第四實施例之半導體元件製造方 法的詳細流程說明圖； 第9A圖為本發明之半導體夾具第二實施例的頂視圖； 第9B圖為本發明之半導體夾具第二實施例的剖視圖； 第9C圖為本發明之半導體夾具第二實施例的右側視圖； 第10A〜10E圖為該半導體夾具第二實施例的操作示意圖； 第11A〜11H圖為本發明第五實施例之半導體元件製造 方法的詳細流程說明圖； 第12A〜12H圖為本發明第六實施例之半導體元件製造 方法的詳細流程說明圖； 經濟部口 ：夭緣工消費合作社印製 智慧財產局 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第13A亂為本發明之半導體基材夾具第三實施例的頂視圖； 第13B圖為該半導體基材夾具第三實施例的剖視圖； 第14A圖為本發明之半導體基材夾具第四實施例的頂視圖； 第14P圖為該半導體基材夾具第四實施例的剖視圖；· 第15A〜Γ5Η圖為本發明第七實施例之半導體元件製造 方法的詳細流程說明圖； 第16A圖為本發明之半導體基材夾具第五實施例的頂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐〉 ： " ! -14 - 1280630 A7 B7 五、發明説明（12 視圖； 第16B圖為該半導體基材夾具第五實施例的剖視圖； 第16C圖示出該第五實施例之夾具其上下夾具分開的 剖視圖；及 第17A〜17J圖為本發明第八實施例之半導體元件製造 方法的詳細流程說明圖。 第2圖乃示出本發明第一實施例的晶圓固定夾具2〇。 第2A圖為該晶圓固定夾具2〇的頂視圖，第2B圖為其剖視 圖。其中與第1圖中所示者具有相同構造的構件，將會以相 同標號來表示。 該晶圓固定夾具20大體上包含一橡膠膜22 , 一固定枱 23 ,及一孔板24。其外框21係由金屬（陶瓷及樹脂亦可）製 成的圓筒狀物，而底板25被置設在其内（見第2B圖）。該外 框21的大小（即頂視圖的直徑）係被設成稍大於晶圓1的 型。該橡膠膜22係被置設在該夾具2〇内的底板25頂面上 該橡膠膜22係可於其内注入流體（在本實施例中係 空氣，但其它的氣體或液體亦皆可用）而具有彈性。該橡膠 膜22的厚度係在〇.2〜〇.8mm之間，而考慮到強度及所使用 的環境，故其材料係以例如丁基橡膠、氟化橡膠、乙丙烯 橡膠等為較佳。 空氣會由一設在底板25中的第一氣孔接頭26來被 入该膠膜22的内部，或由其中排出。該膠膜22的底部係 氣密地固接於該底板25。且，一碟狀的固定枱23其直徑係 與晶圓1相同，會被設在該膠膜22内部。 外 用 注 呈 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) t .、可| 本紙張尺度翻巾81 ®家標準（CNS) A4規格（210X297公3 15 1280630 A7 I五、發明説明^^ 在该固定枱23的底面，乃設有四支導桿27及一第二氣 孔接頭28。該各導桿27與第二氣孔接頭28係可移動地套裝 於該底板2 5中。 該等導桿27與第二氣孔接頭28係被製成可穿過該底 板25，但由於在該底板25與導桿27之間，及底板25與氣孔 ㈣28之間等皆設有密封物，故不會在該等導桿與接頭貫 穿之處造成空氣洩漏。 一孔板24被設在該固定枱23的頂面上。該孔板以係連 接於第二氣孔接頭28，而能夠進行抽氣或充氣操作。 一空氣供應/排出裝置（未示出）係連接於第一與第二 1孔接頭26與28。-升降機構（未*出）係可升降該固定枱 23，而連接於導桿27等。 再來，一使用該等構造之晶圓固定夾具2〇來製造半導 體元件的方法將被說明如丁。 本發明的特點’將能在例如貼設步驟、背面研磨步 n、換帶步驟、切分步驟及撿取步驟中來被發現；而其它 ㈣程步驟仍為該領域中的f知方法。故，以下的說明係 僅有關上述各步驟，其它習知的製程步驟則不再冗述。 第3 A至3 G圖為該第-實施例之半導體元件製造方法 ㈣程示意圖。首先保護帶2會利用該晶圓固定夹具 20A來貼設在晶圓1上，如第3A圖所示。該保護帶2亦會被 貼設於該央具20A的膠膜22A上。雖該夾具肅係與前於第 | 2圖t所示的夾具20相同，但因有二個夾具會被使用於本實 施於咖—Μ叫⑽互相區分: _ 1 丨…. - 本紙張尺度適用中國國家標準(⑽)A4規格--------

·· (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 、\1T— 16 l28〇63〇 A7 五、發明説明（14 ) 利用該晶圓固定央具2〇來將保護帶2貼設於晶圓1的 方法’將參照第4A〜4D圖來說明。 第4A圖係示出該保護帶2被貼設於晶圓1之前的狀態 (以下稱為預貼狀態）。在該預貼狀態中，晶圓i會被晶圓臂 29所吸住並固持，而使其電路形成表面朝下，如第圖所 不。刖述之該晶圓固定夾具2〇A係被置於該晶圓i底下。該 保濩帶2會被一未示出的裝置來佈設在該晶圓i與夾具2〇A 之間。 該保護帶2係為一種雙面膠帶，其兩面皆塗設有黏性 材料。而其黏劑具有一特性，即加熱時將會減低其黏性強 度。因此，若該保護膜2的加熱溫度形成：（下表面溫度）>(上 表面溫度）的關係時，則若溫度升高其下表面的黏性強度將 會先行減降，然後上表面的黏性強度才會降低。 在該預貼狀態中，空氣會經由設在該底板5中的第一氣 孔接頭26A來被加壓送入該橡膠膜22A的内部，故該橡膠膜 22A會由於其性質，而從其中央往外地膨脹變形（參見第4b 圖）。該膠膜22A的變形將會使該保護帶2朝向晶圓！推壓。 如上所述’該保護帶2的兩面皆設有黏劑。因此，該 保護帶2將會同時黏貼於該晶圓！及該夾具2〇a的膠膜 22 A。此等黏貼最好係由中央朝向周邊地來進行，俾使氣 泡沒有機會進入該保護帶2與晶圓1之間。 當該晶圓1的頂面及底面完全夾合於該晶圓臂29與膠 膜22A之間時，（如第4C圖所示狀態），該升降機構會作動 以使該固定枱23A上升，並被鎖固而透過該膠膜22A及保護 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐）

、可| (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 17 1280630 A7 B7 五、發明説明（l5 帶2來抵住該晶圓}。 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 硐，一空氣供應/排出裝置將會啟動，而經由第二氣孔 28A來進行抽氣操作。故，將會在該孔板24A中產生一負 壓，且該膠模22A會被吸住而固定於該孔板24A上。 經由該等操作，該保護帶2將會貼附於該夾具2〇a上， 嗣該晶圓臂29會由晶圓丨上移除。最後，該保護帶2會被切 成與晶圓1相同的直徑。故該晶圓丨透過保護帶2來貼附於該 夾具20A的操作可被輕易地完成，而且即使並非在真空環 /兄下來進行黏貼，氣泡亦不會進入它們之間。 请回參第3圖，將該晶圓貼附於夾具之後的步驟將被 說明。 -、τ 在上述之貼設步驟完成後，即會進行下一步驟，該晶 圓1會與夾具20A—起被移送至背面研磨裝置（未示出），來 磨薄該晶圓的背面。在該背面研磨裝置中，該晶圓i的背面 會被研磨處理。該程序係可為一機械式處理，一化學處理 或任何其它的處理製程。 該固定枱23A會被固鎖在其頂部位置，且該膠膜22A 會由於该負壓而被孔板24A所吸持。故，因為膠膜22固定 於孔膜24A，因此透過保護帶2來貼附於膠膜22的晶圓1亦 會被固定於該夾具20A。 但是，有時更好能有一機構來吸收在背面研磨處理時 的振動至某種程度，此乃視被研磨的晶圓1之厚度而定。 嗣’大約0.01〜〇.〇5Mpa的空氣壓力會被供入該膠膜22A内 部，而稍微降低該固定枱23A。該膠膜22A即形如一空氣懸

五、發明説明（丨6 ) 2衣置。由於該晶圓1將可在一具有空氣懸撐功能的夾具上 來被加工，故其拋光品質將能更為穩定。 田忒月面研磨步驟完成之後，該晶圓i會變薄而且彎 二，=此彎曲乃微不足道，因為該晶圓i係被該保護帶2固 疋於夾具20A上。又，雖該晶圓i的強度亦會因彎薄而減 低，但該晶圓1並不會破裂，因為該夾具2〇A會形成該晶圓 1的補強物。 在上述背面研磨步驟完成後，將會進行下一步驟，即 佈設切割帶的換帶步驟。該換帶步驟將參照第5圖來說明。 於本實施例中，除了上述晶圓固定夾具2〇A外，另又 使用一晶圓固定夾具20B來進行該換帶步驟。換言之，在 本只施例中，有二個（相同構造的）晶圓固定夾具20A、20B 會被用來進行該換帶步驟。 如第5Α圖所示，前述夾具2〇Α上貼附著已完成背面研 磨步驟的晶圓1，將會被倒轉向下而置放在另一夾具2〇β的 頂部。嗣會以一圖式中未示出的方式，來對該保護帶2進行 一加熱處理，使其接觸該晶圓丨之表面的黏性強度，會由於 該所用之保護帶2的特性而減低。而，該保護帶2觸接夾具 20Α之另一面的黏性強度，因須要較高的加熱溫度，故仍 尚未減低（即其黏性強度仍保持不變）。 另方面’ 5亥夾具20Β會被置設在前述的夾具2〇α底 下。且，有一要被貼設於該晶圓1背面的切割帶ό，會被置 設在該二夾具20Α與20Β之間。 有一加熱會降低黏性強度的黏劑，係被塗設於該切割 1280630 A7 ------- B7 五、發明説明（丨7 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 帶6的兩面。供降低該黏劑之黏性強度的加熱溫度係被設 為’底面（面向膠膜22B的表面）之加熱溫度須要比頂面（面 向晶圓1的表面）之加熱溫度更高。 當該貼有晶圓1的夾具20A，及另一夾具20B被置放在 上下位置，而使其兩者相對並被該切割帶6所貼合時，在底 下位置的夾具20B會如同第4A至4D圖的說明來操作。 一般而言，由第一氣孔26來注入空氣會使膠膜22B的 體積增加’而該切割帶6將會由中央往外地貼附在晶圓1的 背面。且該切割帶6亦會貼附於該膠模22B上。 然後，該固定枱23B會上升，而膠膜22B將會透過該切 割帶6來壓抵晶圓1。嗣，有一負壓會施於該第二氣孔28B， 使該膠膜22B能被固定於孔板24B上。在上述操作完成後， 該晶圓1即會被固夾於該二夾具2〇A與2〇b之間，如第5B圖 所示。 然後’設在位於上方位置之夾具20A中的固定枱23A 會移動（於圖中之朝上方向），而與晶圓1分開，同時在膠膜 22A内的空氣會由第一氣孔26A排出。因此，該膠膜22A的 體積將會由於其彈性回復力而變小（收縮）。 由於該膠膜22A收縮，故該保護帶2會由被加熱而減低 黏性強度之晶圓1的界面剝離，如前所述。當該保護帶2由 晶圓1剝離時，其操作將會與貼合時反向地來進行，故該保 護帶2將會由周邊朝向中心地來剝離該晶圓1，而會較容易 剝離（參見第5C圖）。

當該保護帶2完全地由該晶圓1剝離之後，該夾具2〇A 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2ι〇χ297公爱） 20 A7 B7 1280630

五、發明説明（IS 曰被移除然後，貼附在下方位置之夾具20B上的切割帶6 會被切成相同於晶圓丨的直徑，而來完成該換帶步驟。第3D 圖即不出換帶步驟完成時的狀態。 貝矛力上’為將貼設在具有剛性本體的夾具上之黏帶剝 除該夾具必須被升高且使黏帶的黏性強度變成為零，或 必須、、呈由特別的方法來側向滑移。但是，該兩者在技術 上皆非常困難。 然而’使用本實施例的晶圓固定夾具20A、20B等，乃 可容易且安全地來完成該換帶操作，因為該保護2及切割帶 6的換帶重貼，係利用膠膜22A、22B在體積增減時的變形 而來進行者。又，由於前述之原因，當將各黏帶2、ό貼設 於晶圓1或膠膜22Α、22Β上時，亦可避免氣泡進入。 明再回參第3圖，在換帶步驟之後的各步驟將被說明。 當換帶步驟完成後，該晶圓1會以第3D圖中所示的狀 悲被移迗至一切割裝置，換言之，即以該晶圓1被固定於夾 具2〇Β上的狀態來移送，而將該晶圓1切分成半導體元件1〇 的切分步驟將會被進行。 該晶圓1會被切割成半導體元件10，但如第3Ε圖所 示，即使在該切分步驟之後，各半導體元件1〇仍會排列整 齊，因它們仍被切割帶6固定於夾具2〇Β上。在該切分步驟 中，其切割晶圓1的方法，係可為機械式、光學式或任何其 它的方法。 在完成切分步驟之後，將會進行一撿取步驟來由該夾 具20Β(切割帶6)上撿取該等半導體元件1〇，及一晶粒黏接 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、可I MW,

1280630 A7 B7 五、發明説明（l9 步驟來將該等半導體元件難設在安裝基板9上，如第3F 及3G圖所示。 在該撿取步驟中，切割帶6會被以一未示出的加熱裝 置來加熱處理，使該切割帶6接觸各半導體元件的表面之黏 性強度減少。由於該切割帶6接觸該膠帶22B(夾具2〇b)的一 面係被塗設一種黏劑，其黏性強度會在一較高的溫度才會 降低，故在此加熱點時，與膠膜22B黏接面上的黏性強度 並不會減降。 當該切割帶6與半導體元件10之間的黏性強度減低 時，有一收集器8會移動而以真空來吸住半導體元件，並由 該切割帶6上將該等元件取出。於此，由於黏性強度已減 低，故即使該等變薄的半導體元件10之強度會減少，但仍 可被安全地取出，而不會損壞。 被取出的各元件10，將會被傳送至例如該安裝基板9 的預定位置上，並被黏接於該安全基板9上。當所有貼附於 切軎彳帶6上的半導體元件1 〇之撿取步驟與晶粒黏接步驟全 部完成之後，該保護帶2及切割帶6將會另外進行更高溫度 的加熱處理，而分別來由橡膠膜22A、22B上剝除。該等夾 具20A、20B可以重複使用。 如上所述，依據本實施例，被磨薄之晶圓1的彎曲會 很微小，且該各步驟的效能不會變差。又，雖該晶圓1因被 磨薄而具有較低的強度，但該晶圓1所貼附的夾具20A、20B 等將會補強該晶圓，故其不會發生破裂瑕疵。且，利用該 等夾具20A、20B，其乃可不必進行特殊的處理，而來完成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公董） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、可 22 本紙張尺度適财_家群（⑽）A4規格⑵GX297公釐） 1280630

五、發明説明（2〇 ) 該保護帶2與切割帶6的換帶步驟。 本發明之第二實施例的半導體元件製造方法現將被 說明。 -立第6圖為該第二實施例的半導體元件製造方法之流程 圖在本實施例中，同樣地其各步驟亦使用第2圖所示 的晶圓固定夾具2〇來進行。 在第6圖中，與第3至5圖所示之構件相同者，將會具 有相同標號，而其說明會被省略。且與第_實施例相同的 步驟，其說明將會省略以免冗複。此原則對第二實施例以 後之各實施例皆亦相同。 在本實施例中，其貼設步驟與背面研磨步驟皆會以和 第一實施例相同的方式來進行。但是，本實施例的特點係 在忒月面研磨步驟之後的換帶步驟，有一設有切割帶6的習 之忙5會被用來作為該晶圓固定夾具，而取代前述的夾 具20〇 在本實施例的結構中，必須將晶圓丨貼附於設在該框5 中的切割帶6上。於此，氣泡將有可能進入晶圓1與切割帶6 之間’但雖未能完全相比於第一實施例，該等氣泡的進入 將可採用一種以滾輪下壓的貼設方法，或在真空下的貼設 方法來防止。 依據本實施例，由於不須要使該切割帶6貼設於夾具 上’故在後續的撿取步驟之前，乃可進行一紫外線照射 步驟’而繞性的紫外線處理帶乃可被用來作為該切割帶6， 故能減少其製造成本。 23

1280630 A7 ---------- -__^___ 五、發明説明（21 ) /、 衣仏"亥半導體元件之方法的第三實施例將被說 明。 第7A至7：[圖乃示出該第三實施例之方法的流程示意 圖同樣地在本貫施例中，各製程步驟亦使用第2圖所示的 夾具20來進行。在本圖式中，為了方便起見，有兩種製造 方法乃被-起示出，其一之流程為第H7c—7D— 7E 7F 7G圖（製造方法丨）；而另一之流程為第7b — 7C—7H-7I—7G圖等（製造方法2)。 在本實施例中，該貼設步驟及背面研磨步驟係與第一 ^例(參見第3圖)所示者相同。但在第一實施例中，、該換 V步驟係於背面研磨步驟之後來進行，而本實施例的特 徵，係在背面研磨步之後即進行切分步驟。 在該製造方法1中，其切分步驟並不一定要在換帶步 驟之後來進行，而係可以任意地改變該切分步驟與換帶步 驟的順序：故，可增加其製程步驟的設計自由度，使其設 備能更有效地運用。在本實例的方法β，有二個晶圓固定 夾具20Α與20會被用來進行換帶步驟，但如第6圖所示，亦 可使用設在該框5中的切割帶6。 在本實施例的方法2中，係可緊接於切分步驟之後立 即進行。撿取步驟及晶粒黏接步驟。換言之，依據該方法2, 乃可省略該換帶步驟。故，相較於習知技術，其將可減少 製程步驟數目，並降低成本及縮短製造時間，同時便於移 送該等變薄又f曲的晶圓丨，及補強該強度減低的晶圓工。 但疋，在該等半導體元件10如第7H圖所示被收集器8a 本紙張尺度適财關家轉（CNS) A4規格（2Κ)Χ297公楚)

-、可— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 24 1280630

五、發明説明（a 吸住取出之後，因必須進行該晶粒黏接步驟，故會被以二 收集為8 A、8B來倒轉，如第71圖所示，因為在晶粒黏接步 驟日寸’ 5亥半導體兀件10必須以其背面來對向安裝基板9。該 倒轉所須的時間相較於換帶的時間係非常地短。 再來’本發明第四實施例之半導體元件的製造方法將被說明。 一第8A至8G圖乃示出該第四實施例之製造方法的流程 八u圖在该圖式中，同樣地為了方便起見，乃有二個方 法起來被不出，其一係沿第8A—8B48C—8D-~>8E 圖（製Xe方法1) ’另一係沿第8C— 8H— 81—8J 等各圖

8F 圖 /本實施例的特徵係在於：該切分步驟係在貼設步驟〜 後卩進行。而且，本實施例係被設成，在該切分步驟完成 後才來進行背部研磨步驟及換帶步驟。 7在該製造方法1中，心分步驟不一定要在換帶步驟 之後才來進行，而係可任意地改變背面研磨步驟、切分步 驟、及換帶步驟等的順序。故，該各步驟的設計自由度二 可增加，而使其設備能更有效地操作。 又 雖在本實施例的方法，有二夾具2〇Α與2〇Β會被 來進订換帶步驟，但其亦可使用設在該框5中的切割帶6 如第6圖中所示。 在該製造方法2中，乃可將撿取步驟與晶粒黏接步 移換至緊接於該切分步驟與背面研磨步驟完成之後。 之，在此方法2中，該換帶步驟亦可被省略。 本紙張尺^賴㈣^獻297公楚） 之 用 驟 換言 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

I28〇63〇 五、發明説明（μ 因此’相較於習知技術，n i 丁具i私步驟數目乃可減少， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 曰^ θ ^低’ ^'製造時間會縮短，而變薄又彎曲的 傳送會更方便’且強度減低的晶_補強。又， 面研磨步驟係在該等半導體元件職切分之後來 仃’故在切分步驟中該等半導體元件1〇的邊緣部份所形 的、’田叫片’將可藉該背面研磨程序而來除去，故其強 度乃可增強。 雖然，在本方法中，必須如第81圖所示先以收集器 8Α、8Β來倒轉該半導體元件1〇之後，才能進行晶粒黏接步 驟。然而，該倒轉所須的時間，相較於前述之換帶時間乃 是非常地短。 再來，本發明之該晶圓固定夾具的第二實施例將會被 說明。 第9Α至9C圖乃示出該第二實施例的晶圓固定夾具 3〇。第9Α圖為該夾具3〇的頂視圖，第卯圖為沿第9Α圖中 之夾具30的Α-Α線之剖視圖，而第9C圖為該爽具3〇的右側 視圖。 該晶圓固定夾具30係可用來將保護帶2與切割帶6貼 設於晶圓1，並能以如前述夾具2〇(參見第2圖）之相同方式 來固持貼附於黏帶的晶圓i。該夾具3〇大體上係由一外框 31，一組階環32，及一推35(示於第1〇圖中）所構成。 該外框31係為一筒狀體具有一底部，而由金屬（陶瓷及 樹脂亦可）。當由頂部視之，該外框的直徑係被設成比晶圓 1的直徑稍大。又，一組階環32(環狀物）會被設在該外框31

1280630 hi Γ-------— B7_____ 五、發明説明（24 ) 内。又，有一對凹槽34設在該外框31的側壁上，而該推桿 〜35(操作件）係可由該等凹槽插入，將說明於後。 该組階環32包含多數的環狀階環32a至32i等（僅有階 裒32i係呈圓形）。该等階環32a〜32i係被同心地設在該外框 3 1内。換吕之’该各階環的直徑會以π!為中心，而按3^ —32g— ^ 32a等之順序來逐漸增大。 又，該各階環32a〜32i於上下方向的高度（即垂直於晶 圓1的方向，在第9B圖中的上下方向），乃被設成會由最外 周緣的階環32a朝向最内部的階環32i而逐漸增加。故，如 第9B圖所示，在最外緣的階環32&沿上下方向會具有最小 的高度ha，而在最内部的階環32i會具有最大的高度Ηι。 又，各階環32a〜32i係被製成可沿上下方向來個別地移 動。但是，多個拉力彈簧33(彈壓件）其一端係連接於該外 框31的底部，將會被連接於各階環32a〜32i。故，在非操作 狀L日守G亥推桿3 5未插入）’如第9B圖所示，各階環32a〜32i 會被拉向該外框31的底部，而位於一下移位置。在此狀態 時’各階環32a〜32i的頂面將會形成平坦的。 该推桿35係為一桿狀體，如前所述係可由凹槽34中插 、、入外框31的内部。又，該推桿35的末梢具有一斜坡部，如 第10圖所示。 .再來，上述結構的晶圓固定夾具3〇之操作將參照第 圖來說明。 第10A圖係不出一非操作狀態。在該非操作狀態中， 物皆環32之各階環32a〜32i的頂面係呈平坦的，如前所述 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（21〇χ297公楚） (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 、?τ— 27 五、發明説明（25 ) 述。 當該推桿35由凹槽34插入該外框31的内部時，如第 10B圖所不’在推桿35末端的斜坡部將會逐—頂抵該各 環32a〜32i，而使之向上移動。 四此時，由於各階環32a〜32i之間的高度不同，故當某一 階環向上移動時，則所有與該階環交接的其它階環亦會全 邛向上移動。通常，如第1〇B圖所示，當該推桿^將在最 外緣的階壤32a上移0夺，則交換於該階環仏的其它階環 亦會同時地上移，而仍保持平坦狀態。 然後，如第10C圖所示，當該推桿35進一步致使交接 於第一 P皆環32a之第二階環32b上移時，則該第二階環32b 以下之各階壞32c〜32i皆會同時上移，而仍保持平坦狀態。 又，如第10D圖所示，當該推桿35致使與階環32b交接的階 環32c上移時，則交接於該階環32〇的其它階環32私32丨亦會 同時上移，而仍保持平坦狀態。 當該推桿35被插入時，類似的操作將會重複進行許多 -人，而當推桿35完全插入後（以下稱此狀況為操作完成狀 態），如第10E圖所示，該整組階環32將會形成山形，而使 其中央階％321在最高點（高度Ηι)，而階環32a在最低點（高 度HA)。虽a亥推桿35由該外框31縮回時，各階環32a〜32i將 會以上述狀態相反的方式來操作。各階環32a〜32i的材料係 可為金屬、陶瓷、樹脂等，而各階環32a〜32i之間的適當高 度差係約為0.5至2mm，而寬度係約為2至i〇mm。 其次，使用上述構造之晶圓固定夾具3〇的半導體元件 1280630 A7

製造方法將被說明。 本實例的特點，將可在該貼設步驟、背面研磨步驟、 換帶步驟、切分步驟、及撿取步驟中被看出，而其它的製 程步驟係使用習知方法。因此，以下的說明係僅針對該各 上述步驟，而有關習知製程步驟的說明將予省略。 第11A至11H圖係示出一第五實施例之半導體元件的

製造方法。首先，如第UA圖所示，保護帶2會使用夾具3〇A 來貼設於晶圓1(將晶圓固貼於夾具之步驟）。於此，該保護 帶2亦會被貼設在該晶圓固定夾具3〇A的整組階環32之頂 面上。該夾具30A係相同於第9圖所示的夾具3〇，但因會有 一個火具被使用於本貫施例中，故乃以’’a”與”B”來區分。 為將該保護帶2貼附於晶圓1上，該夾具3〇八必須呈先 前所述的操作完成狀態。而該保護帶2係被置於該晶圓1與 夾具30A之間，且該夾具3〇八會有部份透過該保護帶2來接 觸該晶圓1 〇 在第11A圖所示的狀態中，該組階環32只有中央的階 環32i會部份地接觸該保護膜2，因為該夾具3〇a係呈前述的 操作兀成狀悲。具有加熱會降低其黏性強度之性質的黏 劑，會被塗設在該保護帶2的兩面上。在本實施例中;塗設 在該保護帶2之頂面及底面上的黏劑，其溫度特性是相同 的。 嗣，該推桿35會被以第11A圖中所示的方向來拉出。 該夾具30A的每一階環32a〜32i將會由中央向外逐一 低0 1280630

發明説明 該晶圓臂29會固持著晶圓1，但隨著各階環32a〜奶的降 低動作，亦會下降對應於該降低行程的量。故，即使在該各 階環 32a 〜 嗣，該推桿35會被進-步拉出，而#該桿被完全拉出該外框 31時（即呈非操作狀態），該組階環32的頂面將會形成平坦的。 由晶圓1的方向視之，該阻階環32(即各階環32a〜32i) 的一連串動作，係從中央向外逐一地升高。利用該組階環 32a 32ι的此等動作，該保護膜2將會貼附於該晶圓】及該組 階環32的頂面。 其中，a亥保濩帶2會由該晶圓1的中央往外地擴張來貼 附，因為該等階環32a〜32i係由中央向外接續地相對升高。 故，即使有氣泡存在於晶圓1與保護帶2之間，該等氣泡亦 會由於該等階環32a〜32i的上述動作，而被向外逼出，故實 際上不會有氣泡存在於晶圓1與保護帶2之間。因此，在本 實施例的貼設步驟中，該貼設操作亦能理想地由中央向外 來疋成，故氣泡幾乎沒有機會進入該保護帶2與晶圓丨之間。 當該保護帶2貼附於晶圓1及該組階環32的頂面時，該 晶圓臂29會由晶圓1上移除，且該保護帶2會被切成大致相 同於晶圓1的直徑。然後，該貼設步驟即告完成。如上所述， 在本實施例中同樣地，該晶圓丨與保護帶2之間的黏接將可 谷易地70成’而藉著使用該夾具3 〇 A ,即使該黏接並非於 真空環境中來進行’亦不會有氣泡進入其間。 在该貼設步驟完成後，如第丨1B圖所示，將會進行背 部研磨步驟。該背部研磨步驟將會實施於被固定在該夾具

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____Β7 五、發明説明（28 ) 3〇A的晶圓1上。一般該研磨處理的方法乃可為機械式處 理’式化學式處理，或者任何其它的處理方法。 當該背部研磨步驟完成後，該晶圓1會變薄而且彎 曲，但因其係被保護帶2固定於夾具30A上，故其彎曲並不 嚴重。該晶圓1的強度會因被磨薄而減少，但由於該灸具 30A會補強該晶圓1，故晶圓不會破裂。 在該背面研磨步驟完成後，將會進行晶粒貼膜佈設步 驟’如第11C圖所示。在該晶粒貼膜佈設步驟中，有一晶 粒貼設膜37會被佈設於該晶圓1的背面上。 該晶粒貼設膜係利用例如未示於圖中之滾輪下壓的 方法來佈設。如將於後說明，該晶粒貼設膜係為一種材料， 在當將該半導體元件1〇裝設於該安裝基板9上後，乃可固接 該半導體元件10與該安裝基板9。 當該晶粒貼設膜37被佈設在晶圓1背面時，若有因為 該膜37的種類而必須改變溫度的情況，一加熱機構將可被 設在該夾具30A中，而以之來加熱該晶粒貼設膜37。 在該晶粒貼膜佈設步驟完成後，將會進行換帶步驟。 在本實施例中，除了夾具30A之外另有一夾具3〇3會被用來 進行該換帶步驟。換言之，在本實施例中，該換帶步驟係 使用二個晶圓固定夾具30A與30B(結構相同）來進行。 如第11D圖所示，其上貼有已完成背面研磨步驟的晶 圓1之夾具3 0 A，將會被倒轉而置放在另一夾具％b的頂面 上。然後以一未示於圖中的方法來對該保護帶2加熱處理， 使塗設在該保護帶2兩面上的黏劑之黏性強度皆減降。 1280630 A7 ____B7 五、發明説明（29 ) 而在底下位置的夾具30B中，有一雙面膠帶36會被設 在該組階環32B的頂面上。一黏劑其黏性強度會因加熱而 減降’係被塗设在该雙面膠帶3 6的兩面上。該黏劑的溫度 特性係被設成：要降低塗在該雙面膠帶36頂面（即對向晶圓 1的表面）之黏劑的黏性強度之溫度，係比供降低塗在該雙 面膠帶36底面（即對向夾具30B的表面）之黏劑的黏性強度 之溫度更高。 被固疋於夾具30A上的晶圓1會貼附於該雙面膠帶％ 上。此時，該夾具30B上的各階環32卜32丨將會進行一如同 前述之動作，因此該雙面膠帶36與晶圓i的貼合將會由中央 朝外地來進行。此將可防止氣泡進入該雙面膠帶36與晶圓 1(即指該晶粒貼設膜37)之間。在一連串的程序完成之後， 该晶圓1將會被夾合於二夾具3〇a與30B之間。 J後，在上方位置的夾具3 〇 a會被操作，使推桿3 5插 入外框31内部。利用此動作，該等階環32a〜32i將會逐一地 從外緣朝向中央降低（此降低係指朝該等階環32a〜32i與晶 圓1分開的方向來移動）。 藉該各階環32a〜32i的移動，整個夾具3〇八將會上升（在 第11圖中向上移動）。 由於此等動作，故該夾具3〇A與保護帶2之間的界面將 會剝離。此係為先前貼設動作的反向動作，故該剝離會以 一較容易進行的方向，由外緣開始而朝向中央地來完成。 最後，该保護帶2會完全地由該夾具3〇A剝離。 如第ΙΙΕϋ所示，該保護帶2的存餘部份會被由該晶圓 本紙張尺度適用中國國家標準（OJS) A4規格（210X297公楚） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

S 32 1280630 A7 _____ _B7 _ 五、發明説明（3〇 ) 1上剝除。該等保護帶2的剝離過程是很容易的，因為加熱 會減低塗在該保護帶2上之黏劑的黏性強度，而且該帶體是 柔軟的。在剝離之後，該雙面膠帶36會被切成與晶圓1相同 的直徑，最後該一連串的換帶步驟即告完成。 該換帶步驟完成之後，將會進行使晶圓1切分為多個 半導體元件1 〇的切分步驟、撿取步驟、及晶粒黏接步驟等， 但由於該晶圓1(即各半導體元件10)係被固定在夾具30^ 上’所以各步驟均與第3圖所示之第一實施例的製法相同， 故不再冗述說明。藉著將該雙面膠帶36由該組階環32剝 除’則該夾具3 0B將可回收再用。 再來，一第六實施例的半導體元件製造方法將被示 出。 苐12 A至12H圖為咸弟六實例之製造方法的流程說明 圖。在本實施例中，同樣地各製程步驟亦使用第9圖所示之 爽具30來進行。 於第12A〜12H圖中，與第9〜丨丨圖中所示者相同的構件 會具有相同的標號，而其說明將予省略以免冗複。 在本實施例中，該貼設步驟及背面研磨步驟係以和第 五實施例相同的方式來完成。但，本實施例的特點係，習 用之叙没该切割帶6的框5會被用來作為晶圓固定失具，而 來取代該夾具30。 八 纟本貫施例的結構中，於換帶步驟時，必須將晶 貼附於設在該框5中的切割帶6。故，其將可能會有氧泡進 4晶圓1與切割帶6之間’但藉著採用以滾輪下壓的方 家標準---_ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) s 、訂| 1280630 五、發明説明（31 ) 或在真空％境中來進行貼設操作，將可防止氣泡進 雖可此不會像第五實施例所示那般地完全。 在本實施例中，由於不必將切割帶36貼附於炎具3〇, 故在後續進行撿取步驟之前，將可進行紫外線照射步驟， 而習時所用的撓性紫外線處理帶亦可用來作為該切割帶 6，故可減少製造成本。 在第五及第六實施例所述的製造方法中，係使用第9 圖=示的晶圓固定夾具3〇。但是，分別於第u^2圖所示 的第五及第六實施例之製造方法’亦可不必使用該爽具％ 而來進行。 第13A與13B圖係不出一種第三實施例的晶圓固定夾 具40，該夾具40係可取代夾具3〇來供選擇使用。 該夾具40包含-外框41，及一孔件42。該外框“的直 經係比所製的晶圓1稍大。一真空孔4 3設在該外框4丨的底部 中央，而連接於一未示出的真空裝置。該外框41係由金屬、 陶瓷、或樹脂所製成。 该孔件42係設在外框41内，並具有與晶圓1相同的直 徑，該孔件42係連接於設在該外框41中的真空孔43，而會 吸住置於其頂部的晶圓1。 藉著使用上述結構的晶圓固定夾具4〇，乃可防止氣泡 進入該夾具40與各黏帶2、36之間，其係在將該等保護帶2 及雙面膠f36貼設於該夾具40時抽吸真空而來達成。藉著 注入空氣，又可使該等黏帶2、36能容易地由該夾具4〇剝離。 再來’本發明之半導體元件製造方法的第七實施例將 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •、一吞· 34 1280630 A7 _ B7 五、發明説明（32 ) 被示出。 第15A至15H圖係示出該第七實施例之製造方法的流 程示意圖。在本實施例中，乃使用第14圖中所示的碟片45。 該碟）W5具有H1相同的直#。該碟的適當厚度係 在1至5mm之間，而較佳的材料為可透光的石英玻璃。 如第15A圖所示’晶圓！會被以雙面膠帶仏貼附於上述 構造的碟片45上。該雙面勝帶46亦可為一種撓性紫外線處 理雙面黏性帶。將該晶圓丨貼設該雙面膠帶扑上的方法，乃 可利用例如以滾輪來下壓的方法，或者在真空環境中將該 雙面膠帶46貼設於該晶圓丨上的方法。該雙面膠帶私在貼設 於晶圓1上之後，將會被貼附於該碟片45上。 在該貼設步驟完成後，該晶圓1會被固定在該碟片45 上來接受背部研磨處理（背部研磨步驟），如第15B圖所示。 在該背部研磨步驟完成後’將會進行第—紫外線照射步 驟，如第15C圖所示。 在該第一紫外線照射步驟中，紫外線會穿過具有透光 性質的碟片45來照射被塗在該雙面膠帶仏上的黏劑。故， 塗在該雙面膠帶46上的黏劑會被處理而使其黏性強度減 低。 在該第一紫外線照射步驟完成後，即會進行換帶步 驟。於換帶步驟時，固定在該碟片45上的晶_會被倒轉， 而使其背面貼附於設在該框5内的切割帶6，如第i5D圖所 示，該晶圓1的背面亦可在黏上晶粒貼設膜37之後，才來貼 附於切割帶6上。 本準(⑽Μ規格⑵ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、tr— 35 五、發明説明（33 ) 該等紫外線處理黏劑係可事先塗在該切割帶6上，再 來將晶圓m附在該㈣帶6上。藉著以滾輪下㈣黏貼方 嫌乂及在真工&境下來進行黏貼的方式，該晶圓！與切割 π 6將會互相貼合而不會有氣泡進入其間。 在該換帶步驟完成後，該碟片45會被除去，並進行切 分步驟’該晶圓1會被分割成各半導體元件ι〇。然後，會進 行第二紫外線照射步驟，該紫外線會由切割帶6的背面（即 由圖式中的底側）來照射。故塗在切割帶6上之紫外線處理 式黏劑的黏性強度將會減低。而撿取步驟及晶粒黏接步驟 嗣會以先前所述之相同方式來進行，俾將半導體元件難 設在該安裝基材9上。 依據本實施例，由於使用具有透光性質的碟片45來取 代晶圓的si定夾具，故其可在後續步驟中由碟片45底面來 進打紫外線照射。因此，以往習用的挽性紫外線照射帶仍 可被使用’且其操作成本得能減低。 再來，本發明之半導體元件製造方法的第八實施例將 被示出。 第16A至16C圖乃示出一種使用於該第八實施例之製 造方法的晶圓固定夾具50，而第17A至17J圖為該第八實施 例之製造方法的流程示意圖。 該晶圓固定夾具50係參照第16圖來說明。該夾具5〇大 體上包含一下夾具51及一上夾具52。該等上下夾具51與52 係被製成可以互相組合。組合後的上下夾具可被以一扣鈎 59來固定，而形成一體。 1280630 A7 B7 五、發明説明（Μ ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 該下夾具51係由金屬（不銹鋼）或陶瓷所製成，而有一 供安裝該晶圓1的晶圓裝設部61 (其直徑與晶圓直徑w相 等），乃被設在該下夾具52中。有一可供保護電路形成表面 的保護件54會被設在該晶圓裝設部61上。該保護件54係由 一多孔保護件（橡膠）所構成。 下真空孔53係被設在該下夾具51中。該下真空孔53的 一端係連接於設在該下夾具51側緣的下氣孔接頭56。一未 示出的抽吸裝置會連接於該下氣孔接頭56。而該下真空孔 53的另一端會分岔成多數支道，並向上開口於該晶圓裝設 部61 〇 當驅動該抽吸裝置而將負壓供入該下氣孔接頭56 時，裝在該晶圓裝設部61中的晶圓“冬會被下真空孔53吸 住。該晶圓1即會被該下夾具51所固持。一卡銷55在當該下 夾具與上夾具52結合時，會形如一定位銷，並可在該等上 下夾具5 1與52組合之後防止其旋轉。 夕數的切割谷避槽5 8係被設在上夾具5 2中。該等開槽 係被設成可使切割鋸不會損及上夾具52，因為該晶圓丨係在 被上夾具52固持時來接受切割處理，此將於後說明。一上 真空孔57會設在上夾具52中。 該上夾具57的一端係連接於設在該上夾具52之側緣 的上氣孔接頭60。一未示出的抽吸裝置會連接於該上氣孔 接頭60。該上真空孔57的另一端將會分岔成數條支道，而 向下開口於該晶圓1的裝設位置（該等開口會朝向各切割容 避槽58之間的位置）。 而 夾 關 地 1280630 五、發明説明（35 當驅動該抽吸裝置而將—負壓供入上氣孔接頭6〇 時’設在上夾具52的晶圓i會被該上真空㈣所吸住。故晶 I會被該上爽具52所固持。其中，該下氣孔接料與上= 孔接頭60係連接於不同的抽吸裝置’故下真空孔幻及上真 空孔57能夠個別獨立地對該晶圓丨進行抽吸操作。 再來，使用上述夾具50之半導體元件製造方法，將參 照苐17圖來說明。 在本實施例中，晶圓丨將被裝在下夾具51中，因此其 背面會朝上’同時，該負壓會施於下真空孔53，使該晶圓i 被下夾具51所固持，如第17A圖所示。而，該保護件以會 被佈設在晶圓1的電路形成表面接觸下夾具51的部位，俾使 該表面不會因被抽吸而受損。 如第17Β圖所示’當該晶圓峨下夾具51所固持時，其 背面將會進行背面研磨步驟。該背面研磨處理係可為一機 材處理…化學處理，或任何其它的處理方法。在此時， 該晶圓1可能會彎曲，但不會很嚴重，因為其係被下夾具51 所吸持固定。 如第17C圖所示，該下夹具51會與上夾具52組合 晶圓1則被中夾於其間。此時，該晶圓㈣被裝在該整組 具5〇内部，並被各夾具51、52所固持，該抽吸負壓乃可 閉。惟若該抽吸操作仍繼續運作，則該晶圓丨將可更牢固 被夾持，且將能更確實可靠地避免彎曲。 當該晶圓1被中夾於該等夾具51、52中時（即被裝在該 組夾具5G内的狀態），會被由背面研磨裝置中拉出，然後進 本紙張尺度適财關家鮮（CNS) Μ規格（21GX297公董）

_、"- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

38 1280630 A7 --------B7 ___ 五、發明説明（36 ) 行晶粒貼設膜37佈設步驟。於此步驟中，為上夾具52由下 夾具5 1上移除後，該晶粒貼設膜3 7會被以未示出的滾輪來 塗佈在晶圓1的背面，如第17D圖所示。若依據該膜37的種 類而需要加熱，則加熱機構可被設在供固定下夾具5丨之裝 置（晶粒貼膜佈設裝置）側邊的枱面上。 在該晶粒貼膜佈設處理完成後，該上夾具52會由頂部 再與下夾具51組合，而形成可被移送的狀態。該晶圓丨會在 此狀態下被移送至切割裝置，再被置於該切割裝置中的枱 面上。 如第17F圖所示，該夾具5〇會被倒轉，並置於該切割 裝置内的枱面上，而使晶圓的電路形成表面朝上。該上夾 具52的抽吸操作將被啟動，故該晶圓1會被上夾具52所固 持。當晶圓1被上夾具52牢固地吸持時，該下夾具5丨會由該 上夾具52移除。 晶圓1會在此狀態中來接受切割處理，如第17G圖所 示。該晶圓1會被切分成各半導體元件1〇。當切割時，該晶 圓1會被使用一切鋸來逐一地切分成小片塊，但因為各切割 谷避槽58被設在該上夾具52中對應於切割位置處，如前所 述，故該上夾具52將不會被該切鋸所損壞。且，由於上真 空孔57的開口係被設成相對於該等半導體元件ι〇，故即使 忒各元件ίο已被切分成小塊，亦仍會被上夾具52所吸持。 如第17H圖所示，該下夾具51與上夾具52會再度組 合，而將晶圓1移送至下一步驟之晶粒黏接機處。當該夾具 5〇被置於晶粒黏接機的枱面上時，負壓會被供至上夾具” 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

S 、可| 39 且 1280630 五、發明説明（37 ) 的上真空孔57中，使各半導體元件10能被上夾具52所固 持。在該各元件1〇被上夾具52所固持之後，該一夾具51會 被移除。 该撿取/黏接處理會在該晶粒黏接機中來對各半導體 元件10個別地進行，如第171及17J圖所示。當該等半導體 元件10被撿取時，上夾具52的抽吸即會停止，而只有該收 集器8的抽吸在啟動。 在本實施例中，由於不必將半導體元件10由黏帶上剝 離，故不需要以-針銷來由半導體元件的底面將其推高的 特殊處理。因此，將不會有因該等推銷對磨薄的半導體元 件10造成傷害的可能性，故乃可避免該等元件1〇受損。 在本實施例中，如上所述，當晶圓i接受各步驟的處 理時，其會被該下夾具51或者上夾具52所固持而在被移 运於各製程之間時，該晶I係被中失於上下爽具52、51 。因此’即使是針對已變薄的晶圓卜也不會有太大的 二不會=效能將可改善。又’因移轉傳送所造成的損害 2於上述各製造步驟中的晶圓"夾㈣、30、 時皆可以互相上下堆疊，而在各步驟之間的移送 該等夾4要==的個別載具。故，當在存放及取出 不^ 不僅所需的間接工具之成本得以減少，而 〇，將能夠控管有關晶圓1的資訊。 依據本發明’乃可得到以下所述的各種優點。 、張尺度適用中國國家標準(⑽)A4規格(210X297公釐、

、可I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

S 40 由 1280630 五、發明説明（％ 依據本發明之一絲外 , 特诚，由於該半導體基材係被固定於 灭具上，而不會發生彎 . x x t 者 、 〶田現象，故其切分步驟乃可順利妥 §地完成。 6又’依據本發明的另—特徵，由於半導體基材係被固 具上，而不會發生彎曲現象，故其背面研磨步驟將 可順利地完成。 ⑯據本發明之又—特徵，乃可避免氣泡存留在半導體 基材與黏月果之間，故後續的步驟將可順利地進行，同時可 防止因氣泡的進入而造成之半導體基材的損害。 依據本發明之又另-特徵，乃可避免氣泡存留在半導 體基材與第一黏帶之間，且因在背面研磨步驟時，該半導 體基材可被夾具所固持，故能順利地進行該背面研磨步驟。 依據本發明之另一特徵，在完成背面研磨步驟之後， 該換帶步驟可在該切分步驟之前或者之後來進行。故其製 程步驟的設計自由度乃可增加。 依據本發明之又另一特徵，由於塗佈步驟並不存在， 且同時在換帶時氣泡幾乎沒有機會進入該半導體基材與黏 帶之間，·故可避免該基材受損。 依據本發明之又另一特徵，該背面研磨步驟可在切分 步驟之後才來進行。故以此順序，於切分步驟中在半導體 元件的邊緣所造成的碎屑，將可於背面研磨步驟中被除 去。因此，該半導體元件的強度乃可增加。 依據本發明之又另一特徵，乃可避免氣泡存留在該半 導體基材與黏膜之間，因為該環狀件會個別地移動，而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

S •、一^11 41 1280630 五、發明説明（％ 中央向外逐漸地將該黏膜壓著於半導體基材上。故，後續 Y驟將可順利進仃’且可避免氣泡進入而造成半導體基材 的損害。 依據本發明之又另一特徵，乃可防止氣泡存留於半導 體土材人第# f之間，且在背面研磨步驟中會保持使該 半導體基材被該夾具所固持的狀態。故，該背面研磨步驟 乃可順利進行。 依據本發明之又另一特徵，紫外線係可穿過該爽具來 照射具有紫外線處理性質的黏劑，而一般習用的紫外線處 里式站d亦可被使用於該半導體製程中，故該半導體元件 的製造成本將可減少。 依據本發明之又另一特徵，即使針對變薄的半導體基 材，其彎曲現象亦能被確實可靠地防止，因為該基材會被 第一夾具或者第二夾具所固持。 依據本發明之又另一特徵，當將半導體基材夾合於第 一夾具與第二夾具之間來移送時，將可防止該基材彎曲， 而且旎避免該基材破裂，並使後續的製程步驟可順利地進 行。 雖本發明的較佳實施例等已被說明如上，惟應可瞭解 本發明並不受限於該等實施例，各種變化修正仍可被實施 而不超出本發明的範圍。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公變） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 42 1280630 A7 B7 五、發明説明（4〇 ) 元件標號對照 1···晶圓 32··· 階環 2…保護帶 33"· 拉力彈簧 3…磨件 34···凹槽 4…固持枱 35"· 推桿 5···框 36,46…雙面膠帶 6…切割帶 37··· 晶粒貼設膜 7···切鋸 42··· 孔件 8…收集器 43". 真空孔 9…安裝基材 45··· 碟片 10…半導體元件 50··· 晶圓固定爽具 11…上推銷 51··· 下夾具 20,30,40···晶圓固定夾具 52··· 上夾具 21，31，41…外框 53··· 下真空孔 22…橡膠膜 54··· 保護件 23…固定枱 55"· 卡銷 24…孔板 56… 下氣孔接頭 2 5…底板 57… 上真空孔 26…第一氣孔接頭 58"· 切割容避槽 27…導桿 59". 扣鈎 2 8…第二氣孔接頭 60··· 上氣孔接頭 29…晶圓臂. 61··· 晶圓裝設部 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） 43

Claims (1)

1. /4， /4，

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印絜 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 第091105359號專利申請案申請專利範圍修正本 修正曰期：93年〇3月 1· 種使用半導體基#爽具來製造半導體元件的方法， 包含下列步驟： 將一半導體基材平坦地固定於該半導體基材夾具 中，以便防止該半導體基材弯曲，該半導體夾具係具有 一為可變形形狀之可膨脹構件；及 當該半導體基材被固定於該夾具中時，將之切分成 多數的半導體單元。 2. 種使用半導體基材夾具來製造半導體元件的方法， 包含下列步驟： 將一半導體基材平坦地固定於該半導體基材夾具 中，以便防止該半導體基材彎曲，該半導體夾具係具有 一為可變形形狀之可膨脹構件；及 當該半導體基材被固定於該夾具中時進.行背部研 磨。 3· 一種使用一第一半導體基材夾具來製造半導體元件的 方法’該第一半導體基材夾具包含·· 一框，及 一可膨脹構件設在該框内，乃可將流體供入該可膨 脹構件中增減其體積而使其變形；其中 當該體積增加時，其變形會使可膨脹構件接觸薄膜 的一部份由薄膜的中央往外擴大，而使被設在該半導體 基材與該可膨脹構件之間的薄膜被壓抵於該半導體基 材上，其中該方法係包含下列步驟： (锖先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 裝 1280630

   六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使用一第一黏，作為該薄膜來將半導體基材的電 路形成表面固貼;該半導體基材失具上； 當該半導體基材固定於該夾具上時，對該基材的背 面進行研磨； ，· 將該半導體基材，重貼固定在一第二半導體基材夾 具上，而曝現該基材的電路形成表面； 藉切割而將固定在第二夾具上半導體基材切分成 多數的半導體單元；及 由該第二半導體基材夾具上撿取出各切分的半導 體單元。 4·如申請專利範11第3項之方法，其中係使用該第一半導 體基材夾具作為該第二半導體基材夾具。 5· 一種使用一第一半導體基材夾具來製造半導體元件的 方法，該第一半導體基材夾具包含·· 一框，及 一可膨脹構件設在該框内，乃可將流體供入該可膨 脹構件中增減其體積而使其變形；其中 當該體積增加時，其變形會使可膨脹構件接觸薄膜 的一部份由_的中央往外擴Α，而使被設在該半導體 基材與該可膨脹構件之間的薄膜被壓抵於該半導體基 材上， 其中該方法係包含下列步驟： 使用一第一黏帶作為該薄膜來將半導體基材的電 路形成表面固貼於該半導體基材夾具上； (請先閱讀背面之注音W事項再填寫本頁) 裝 . Φ 本紙張尺度適同令國舀 ο 3 06 8 2 8 889? ABCD 六、申請專利範圍 當該半導體基材固定於該夾具上時，對該基材的背 面進行研磨； ‘'； 將背面研磨過之固定在該夾具上的半導體基材藉 分割來切分成多數的·半導體單元； 將該失具上之一或多個半導體單元重貼固定在一 〜 第二半導體基材夾具上，而來曝現其電路形成表面；及 由該第二半導體基材夾具上撿取出各切分的半導 體單元。 6· —種使用一第一半導體基材夾具來製造半導體元件的 方法，該第一半導體基材夾具包含： 一框，及 一可膨脹構件設在該框内，乃可將流體供入該可膨 脹構件中增減其體積而使其變形；其中 當该體積增加時，其變形會使可膨㈣件接觸薄膜 的。P伤由薄臈的中央往外擴大，而使被設在該半導體 基材與該可膨脹構件之間的薄膜被壓抵於該半導體基 材上， 其中該方法係包含下列步驟·· 使用一第一黏帶作為該薄膜來將半導體基材的電 路形成表面固貼於該半導體基材夾具上； 當該半導體基材固定於該夾具上時，對該基材的背 面進行研磨； 將背面研磨過而被固定在一第二半導體基材夾具 々半導體基材藉分割來切分成多數的半導體單元；及 (請先Bati背面之注意事項再填寫本頁) --裝 n I— n l I-''· I— n n n .1 LI · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

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   六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由該第二夾具撿取出各切分的半導體單元，並將該 取出的半導體單先.上下倒轉。 7· 一種使用一第一半導體基材夾具來製造半導體元件的 方法，該第一半導體.棊材夾具包含： 一框，及‘ 一可膨脹構件設在該框内，乃可將流體供入該可膨 脹構件中增減其體積两使其變形；其中 當該體積增加時，其變形會使可膨脹構件接觸薄膜 的一部份由薄膜的中央往外擴大，而使被設在該半導體 基材與该可膨脹構件之間的薄膜被壓抵於該半導體基 材上， _ 、 其中該方法係包含下列步驟： 使用一第一“帶作為該薄膜來將半導體基材的電 路形成表面固貼於該半導體基材夾具上； 藉切割而將固定於該夾具上的半導體基材切分成 多數的半導體單元； 對固定在該夾具上的一或多個半導體單元的背面 一起來進行背面研磨； 將该一或多個半導體單元一起重貼固定在一第二 丰導體基材夾具上，而來>曝現其電路形成表面；及 由該第二半導體基材夾具上撿取出各半導體單元。 8·種使用一第一半導體基材夾具來製造半導體元件的 方法，該第一半導體基材夾具包含： 一框，及 本紙張尺度適3令國g家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公发） -----------.--up-* 裝 (请先flati背面之注音？事項再填寫本頁) ----訂--------_φ· &8 &8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 C請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁)

   1280630 _____ C8 ~---— D8 —V I ._ — … ·- . /、、申請專利範圍 可膨脹構件巧在該框内，乃可將流體供入該可膨 脹構件中增減其艟S»而使其變形；.其中 S该體積增加時，其變形會使可膨脹構件接觸薄膜 的部份由薄膜的中·,央往外擴大，而使被設在該半導體 基材與該可膨脹構件之間的薄膜被壓抵於該半導體基 材上，其中該方法係包含下列步驟： 使用一第一黏帶作為該薄膜來將半導體基材的電 路形成表面固貼於該半導體基材夾具上； 藉切割而將固定在該夾具上的半導體基材切分成 多數的半導體單元； 對固定在該夾具上的一或多個半導體單元的背面 進行背面研磨；及 由該夾具上撿取出該各被切分的半導體單元，並將 該取出的半導體上下倒轉。 9· 種使用一第一半導體基材夾具來製造半導體元件的 方法，該第一半導體基材夾具包含： 一具有底部之框； 一組多數的環狀物同心地列設在該框中，而可沿垂 直於一半導體基材的方向來個別地移動，該各環狀物沿 刖述垂直方向的南度’係由最外周緣朝向内部中心而逐 漸地增加。 一彈壓件可將該各環狀物朝向該框的底部彈壓；及 一操作件可藉在該框中的操作動作來接觸該等環 狀物，並對抗該彈壓件的彈壓力而推抵該等環狀物，使 本纸張尺度適周令國！家標準（CNS)A4規格（210 X 297公发) ----_ 1280630 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 其朝著與該框之底，分開的方向移動；其中 忒各％狀物會被該操作件的操作動作所推抵移 動，而由一中心往外地朝向該半導體基材來逐漸壓著並 移動該被設在半導體(基材與該組環狀物之間的薄膜，其 中該方法係包含下列涉驟·· 使用一第一黏帶作為該薄膜來將半導體基材的電 路形成表面固貼於該半導體基材夾号上； 當該半導體基材固定於該夾具上時，對該基材的背 面進行研磨； 對該基材的背面進行晶粒貼膜佈設來塗佈晶粒黏 貼材料； 將該基材重貼固定在一第二半導體基材夾具上，而 曝現其電路形成表面； 藉切割而將固定在該第二夾具上的半導體元件切 分成多數的半導體單元；及 由該第二夾具上撿取出該等切分的半導體單元。 10·如申請專利範圍第9項之方法，其中係使用該第一半導 體基材夾具作為該第二半導體基材夾具。 11·種製造半導體基材的方法，包含下列步驟： 使用一兩面皆塗佈具有紫外線處理性質之黏劑的 雙面膠帶，來將該半導體基材的電路形成表面貼設於一 可透光的半導體基材夾具上； 當該半導體基材被固定於該夾具上時，對該基材的 背面進行研磨； k張尺度適⑼g g家標準（cns)A4規格（21Q x 2S7 ------------I - ! I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1280630

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 穿過該夾具而,將紫外線照射於該等具有紫外線處 理性質的黏劑；、，♦ 對該基材的背面佈設晶粒貼膜，並將該基材重貼固 定於一第二半導體基.材夾具上，而曝現其電路形成表 面； / 藉切割而將被固定在該第二夾具上之半導體基材 切分成多數的半導體單元；及 由該第二夾具中撿取出切分的半導體單元。 12· 一種使用半導體基材夾具來製造半導體元件的方法， 該半導體基材夾具係包含 一設有一第一抽吸機構之第一夾具，該第一抽吸機 構係吸住一半導體基材，及 一設有一第二抽吸機構之第二夾具，該第二抽吸機 構係吸住該半導體基材， U玄第一及第二夾具係被建構成可卸除的，並能個別 獨立地吸住該半導體基材，其令該方法係包含·· 一第一步驟可藉該第一夾具吸住半導體基材來進 行一半導體製程； 一第二步驟可藉該第二夾具吸住該半導體基材來 進行另一半導體製程； 一移送步驟可將該第二夾具組合於第一夾具，並在 該半導體基材被該第-與第二夾具所夾合固持時，來移 送該半導體基材。 本紙張尺度適標準（CNS)A4規格⑵Q χ 297公£^· 50 ------------------β 峰 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)