JPH10193260A - ウエーハ保持治具 - Google Patents
ウエーハ保持治具Info
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- JPH10193260A JPH10193260A JP35798196A JP35798196A JPH10193260A JP H10193260 A JPH10193260 A JP H10193260A JP 35798196 A JP35798196 A JP 35798196A JP 35798196 A JP35798196 A JP 35798196A JP H10193260 A JPH10193260 A JP H10193260A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 本発明は、半導体ウエーハを研削又は研磨す
る際使用されるウエーハ保持治具において、異物の挟み
込み、加工圧によって保持するウエーハが変形するのを
防止することを目的とする。 【解決手段】 ウエーハＷを真空保持するための多孔質
の保持面を中央の中央領域Ａとその外側の外側領域Ｂに
区分し、中央領域Ａの気孔率より外側領域Ｂの気孔率を
小さくする。また、中央領域Ａの外径をウエーハＷの外
径未満とし、また外側領域Ｂの外径をウエーハＷの外径
以上とするとともに、中央領域Ａに真空引き路５を連通
させる。
る際使用されるウエーハ保持治具において、異物の挟み
込み、加工圧によって保持するウエーハが変形するのを
防止することを目的とする。 【解決手段】 ウエーハＷを真空保持するための多孔質
の保持面を中央の中央領域Ａとその外側の外側領域Ｂに
区分し、中央領域Ａの気孔率より外側領域Ｂの気孔率を
小さくする。また、中央領域Ａの外径をウエーハＷの外
径未満とし、また外側領域Ｂの外径をウエーハＷの外径
以上とするとともに、中央領域Ａに真空引き路５を連通
させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエーハを
研削又は研磨する際ウエーハを真空保持しておくウエー
ハ保持治具の改良に関する。
研削又は研磨する際ウエーハを真空保持しておくウエー
ハ保持治具の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えばシリコンウエーハ、又はＧ
ａＡｓウエーハ等のウエーハを研削又は研磨する際、加
工面を高平坦面に精度良く加工するため、ウエーハの保
持治具として加工圧力によって変形することのない高剛
性の微粒子焼結体が用いられることがある。
ａＡｓウエーハ等のウエーハを研削又は研磨する際、加
工面を高平坦面に精度良く加工するため、ウエーハの保
持治具として加工圧力によって変形することのない高剛
性の微粒子焼結体が用いられることがある。
【０００３】また、このような保持治具として、性質の
異なる複数領域を有する保持治具も知られており、例え
ば図５に示すように、このような保持治具５１では、ウ
エーハＷを保持するウエーハ保持面に、微粒子をポーラ
ス状に焼結した多孔質微粒子焼結体５２を用い、その外
側には微粒子を緻密に焼結した緻密質微粒子焼結体５３
を用いるようにしている。そして、多孔質微粒子焼結体
５２領域に真空引き路５４を連通させて真空引きするこ
とでウエーハＷを真空保持するようにしているが、真空
領域を形成するため、多孔質微粒子焼結体５２の外径
を、ウエーハＷの外径より小さくするのが一般的であ
り、外側の緻密質微粒子焼結体５３とウエーハＷによっ
て真空領域を確保するようにしている。
異なる複数領域を有する保持治具も知られており、例え
ば図５に示すように、このような保持治具５１では、ウ
エーハＷを保持するウエーハ保持面に、微粒子をポーラ
ス状に焼結した多孔質微粒子焼結体５２を用い、その外
側には微粒子を緻密に焼結した緻密質微粒子焼結体５３
を用いるようにしている。そして、多孔質微粒子焼結体
５２領域に真空引き路５４を連通させて真空引きするこ
とでウエーハＷを真空保持するようにしているが、真空
領域を形成するため、多孔質微粒子焼結体５２の外径
を、ウエーハＷの外径より小さくするのが一般的であ
り、外側の緻密質微粒子焼結体５３とウエーハＷによっ
て真空領域を確保するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、一般に保持
治具でウエーハを保持した場合、保持治具の保持面が平
滑であっても、ウエーハと保持面の間にゴミ等の異物が
挟まれると、ウエーハが変形して保持されるため加工精
度が悪化する要因となる。そして、前記のような真空式
のウエーハ保持治具の場合、多孔質微粒子焼結体５２と
ウエーハＷの間に挟まったゴミは、多孔質表面の穴から
吸引されて問題は生じないが、ウエーハＷの外周部が保
持される緻密質微粒子焼結体５３とウエーハＷの間に挟
まったゴミは吸引されないため、ウエーハＷが変形して
保持されることとなる。そしてこのような状態でウエー
ハが加工されると、その平坦度が悪化する要因となって
いた。
治具でウエーハを保持した場合、保持治具の保持面が平
滑であっても、ウエーハと保持面の間にゴミ等の異物が
挟まれると、ウエーハが変形して保持されるため加工精
度が悪化する要因となる。そして、前記のような真空式
のウエーハ保持治具の場合、多孔質微粒子焼結体５２と
ウエーハＷの間に挟まったゴミは、多孔質表面の穴から
吸引されて問題は生じないが、ウエーハＷの外周部が保
持される緻密質微粒子焼結体５３とウエーハＷの間に挟
まったゴミは吸引されないため、ウエーハＷが変形して
保持されることとなる。そしてこのような状態でウエー
ハが加工されると、その平坦度が悪化する要因となって
いた。
【０００５】また、多孔質微粒子焼結体５２で保持した
部分と、緻密質微粒子焼結体５３で保持した部分とでは
ウエーハＷに加工圧がかかった時の変形量が異なり、一
般的に、多孔質微粒子焼結体５２部分での荷重変形量の
方が大きいため、中央部の加工量が少なくなり、加工後
のウエーハの形状は中央凸状（以下、平坦度不良とい
う）になるという問題もあった。
部分と、緻密質微粒子焼結体５３で保持した部分とでは
ウエーハＷに加工圧がかかった時の変形量が異なり、一
般的に、多孔質微粒子焼結体５２部分での荷重変形量の
方が大きいため、中央部の加工量が少なくなり、加工後
のウエーハの形状は中央凸状（以下、平坦度不良とい
う）になるという問題もあった。
【０００６】そこで、このようなゴミ等の挟み込みによ
る変形、或いはウエーハに加工圧が加わった時の変形量
の違い等に起因する加工精度の低下を防止する技術が望
まれていた。
る変形、或いはウエーハに加工圧が加わった時の変形量
の違い等に起因する加工精度の低下を防止する技術が望
まれていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
本発明は、請求項１において、半導体ウエーハを研削又
は研磨する際、該ウエーハを真空保持しておくための多
孔質の保持面を備えた保持治具において、この保持面の
中央部に形成される中央領域とその外側に形成される外
側領域とで気孔率を異ならせるとともに、中央領域の気
孔率より外側領域の気孔率を小さくし、また中央領域の
外径をウエーハの外径未満とし、且つ外側領域の外径を
ウエーハの外径以上とした。
本発明は、請求項１において、半導体ウエーハを研削又
は研磨する際、該ウエーハを真空保持しておくための多
孔質の保持面を備えた保持治具において、この保持面の
中央部に形成される中央領域とその外側に形成される外
側領域とで気孔率を異ならせるとともに、中央領域の気
孔率より外側領域の気孔率を小さくし、また中央領域の
外径をウエーハの外径未満とし、且つ外側領域の外径を
ウエーハの外径以上とした。
【０００８】そしてこのように外側領域の外径をウエー
ハの外径以上にして、ウエーハ全体を多孔質表面で保持
することで、ウエーハに加工圧がかかった際の変形量の
差を少なくすることが出来、しかもゴミ等の異物は多孔
質表面の穴から吸引されやすくなって変形しにくくな
る。また、中央領域の外径をウエーハの外径未満にする
ことで、中央領域を真空領域として形成出来る。
ハの外径以上にして、ウエーハ全体を多孔質表面で保持
することで、ウエーハに加工圧がかかった際の変形量の
差を少なくすることが出来、しかもゴミ等の異物は多孔
質表面の穴から吸引されやすくなって変形しにくくな
る。また、中央領域の外径をウエーハの外径未満にする
ことで、中央領域を真空領域として形成出来る。
【０００９】また請求項２では、中央領域に真空配管を
連通させ、外側領域には真空配管を連通させないように
した。そしてこのように気孔率の大きい中央領域だけに
真空配管を連通させて真空引きすることで、真空領域の
真空度を高めることが出来、保持能力が向上する。
連通させ、外側領域には真空配管を連通させないように
した。そしてこのように気孔率の大きい中央領域だけに
真空配管を連通させて真空引きすることで、真空領域の
真空度を高めることが出来、保持能力が向上する。
【００１０】また請求項３では、中央領域の気孔の平均
径を６０〜３００μｍとし、また外側領域の気孔の平均
径を２〜５０μｍとした。ここで、中央領域の気孔の平
均径を６０〜３００μｍとしたのは、この範囲であれば
ゴミ等の吸引能力が高く、しかも真空引きが確実に行わ
れるからであり、また外側領域の気孔の平均径を２〜５
０μｍとしたのは、真空領域の確保が充分で且つ加工時
の平坦度不良を避けることが出来るからである。すなわ
ち、外側領域の気孔の平均径を５０μｍ以上にすれば、
真空領域の確保が不十分となって保持力が低下し、２μ
ｍ以下にすれば平坦度不良が増大する。
径を６０〜３００μｍとし、また外側領域の気孔の平均
径を２〜５０μｍとした。ここで、中央領域の気孔の平
均径を６０〜３００μｍとしたのは、この範囲であれば
ゴミ等の吸引能力が高く、しかも真空引きが確実に行わ
れるからであり、また外側領域の気孔の平均径を２〜５
０μｍとしたのは、真空領域の確保が充分で且つ加工時
の平坦度不良を避けることが出来るからである。すなわ
ち、外側領域の気孔の平均径を５０μｍ以上にすれば、
真空領域の確保が不十分となって保持力が低下し、２μ
ｍ以下にすれば平坦度不良が増大する。
【００１１】また請求項４では、中央領域の外径を、ウ
エーハの外径の５０〜９９％とし、また外側領域の外径
を、ウエーハの外径の１００〜２００％とした。そして
中央領域の外径をこのような範囲にすることで、真空保
持能力が充分となり、外側領域の外径をこのような範囲
にすることで、装置の大型化を避けることが出来る。
エーハの外径の５０〜９９％とし、また外側領域の外径
を、ウエーハの外径の１００〜２００％とした。そして
中央領域の外径をこのような範囲にすることで、真空保
持能力が充分となり、外側領域の外径をこのような範囲
にすることで、装置の大型化を避けることが出来る。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について添付
した図面に基づき説明する。ここで図１は本発明のウエ
ーハ保持治具の縦断面図、図２は本発明のウエーハ保持
治具を研磨工程に適用した説明図、図３は本発明のウエ
ーハ保持治具を研削工程に適用した説明図、図４は本発
明の保持治具を研削工程に適用した場合のウエーハ形状
を従来例と比較して示す研削結果図である。
した図面に基づき説明する。ここで図１は本発明のウエ
ーハ保持治具の縦断面図、図２は本発明のウエーハ保持
治具を研磨工程に適用した説明図、図３は本発明のウエ
ーハ保持治具を研削工程に適用した説明図、図４は本発
明の保持治具を研削工程に適用した場合のウエーハ形状
を従来例と比較して示す研削結果図である。
【００１３】本発明のウエーハ保持治具は、シリコンウ
エーハ、ＧａＡｓウエーハ等の脆弱なウエーハの表面研
削又は表面研磨を行う際、ウエーハを保持しておくため
の治具であり、ウエーハを精度良く保持することでウエ
ーハ平坦度の加工精度を向上させることが出来るように
されている。
エーハ、ＧａＡｓウエーハ等の脆弱なウエーハの表面研
削又は表面研磨を行う際、ウエーハを保持しておくため
の治具であり、ウエーハを精度良く保持することでウエ
ーハ平坦度の加工精度を向上させることが出来るように
されている。
【００１４】すなわち、図１に示すように、本発明の保
持治具１は、中央部から外側に向けて第１多孔質微粒子
焼結体２、第２多孔質微粒子焼結体３、緻密質微粒子焼
結体４からなる同心円状の各領域Ａ、Ｂ、Ｃに区分され
ており、中央領域Ａとその外側領域Ｂは、気孔率の異な
る多孔質として構成され、一番外側の領域Ｃは緻密質と
して構成されている。
持治具１は、中央部から外側に向けて第１多孔質微粒子
焼結体２、第２多孔質微粒子焼結体３、緻密質微粒子焼
結体４からなる同心円状の各領域Ａ、Ｂ、Ｃに区分され
ており、中央領域Ａとその外側領域Ｂは、気孔率の異な
る多孔質として構成され、一番外側の領域Ｃは緻密質と
して構成されている。
【００１５】そして中央領域Ａの気孔の平均径は６０〜
３００μｍとされて気孔率は比較的大きくされるととも
に、外側領域Ｂの気孔の平均径は２〜５０μｍとされて
気孔率は領域Ａよりも小さくされ、また中央領域Ａの外
径はウエーハＷの外径より小さく（ウエーハ径の５０〜
９９％）、且つ外側領域Ｂの外径はウエーハＷの外径よ
り大きく（ウエーハ径の１００〜２００％）されてい
る。
３００μｍとされて気孔率は比較的大きくされるととも
に、外側領域Ｂの気孔の平均径は２〜５０μｍとされて
気孔率は領域Ａよりも小さくされ、また中央領域Ａの外
径はウエーハＷの外径より小さく（ウエーハ径の５０〜
９９％）、且つ外側領域Ｂの外径はウエーハＷの外径よ
り大きく（ウエーハ径の１００〜２００％）されてい
る。
【００１６】そして、中央領域Ａには、真空配管として
の真空引き路５を連通させており、この真空引き路５か
ら真空引きして中央領域Ａを真空領域にすることでウエ
ーハＷを吸着保持するようにしている。ここで、外側領
域Ｂには真空引き路５を連通させず、中央領域Ａの真空
度を高めることが出来るようにしている。
の真空引き路５を連通させており、この真空引き路５か
ら真空引きして中央領域Ａを真空領域にすることでウエ
ーハＷを吸着保持するようにしている。ここで、外側領
域Ｂには真空引き路５を連通させず、中央領域Ａの真空
度を高めることが出来るようにしている。
【００１７】ところで、このような真空式の保持治具の
場合、ウエーハＷと吸着面の間にゴミ等が入り込んで
も、真空引きによって多孔質表面の穴からゴミ等が吸込
まれ、ウエーハＷの変形を招かないという利点がある。
かかる点から、本案の保持治具１は、ウエーハＷ全体を
多孔質表面で保持するため、上記利点を活かすことが出
来る。
場合、ウエーハＷと吸着面の間にゴミ等が入り込んで
も、真空引きによって多孔質表面の穴からゴミ等が吸込
まれ、ウエーハＷの変形を招かないという利点がある。
かかる点から、本案の保持治具１は、ウエーハＷ全体を
多孔質表面で保持するため、上記利点を活かすことが出
来る。
【００１８】また、中央領域Ａと外側領域Ｂの気孔率を
異ならして、外側領域Ｂの気孔率を小さくしているた
め、中央領域Ａを効率的に真空域として形成出来る。こ
れに対して、両方の領域Ａ、Ｂの気孔率を同じにした場
合には、気孔の平均径を大きくすると真空領域が形成出
来ずに保持力が低下し、気孔の平均径を小さくするとゴ
ミ等の吸引能力が低下してウエーハＷの変形を招きやす
いものとなる。
異ならして、外側領域Ｂの気孔率を小さくしているた
め、中央領域Ａを効率的に真空域として形成出来る。こ
れに対して、両方の領域Ａ、Ｂの気孔率を同じにした場
合には、気孔の平均径を大きくすると真空領域が形成出
来ずに保持力が低下し、気孔の平均径を小さくするとゴ
ミ等の吸引能力が低下してウエーハＷの変形を招きやす
いものとなる。
【００１９】このような本発明にかかる保持治具を製造
する方法としては、一般に市販されているアルミナ・セ
ラミックからなる気孔率が極めて少ない緻密質微粒子焼
結体を砕いて粒径を分別し、粒径の大きい方を第１多孔
質微粒子焼結体の原料とし、粒径の小さい方を第２多孔
質微粒子焼結体の原料とする。そして、それぞれをバイ
ンダーとガラスを接着剤にして焼結させると、バインダ
ーとガラスの一部が気化して気孔ができる。こうして粒
径および焼結条件の違いにより気孔率の異なった第１多
孔質微粒子焼結体、第２多孔質微粒子焼結体が形成され
る。その後、緻密質微粒子焼結体、第１多孔質微粒子焼
結体、第２多孔質微粒子焼結体をガラス溶着で接着し、
最後に保持面を機械加工により平面に仕上げることによ
って製造することができる。
する方法としては、一般に市販されているアルミナ・セ
ラミックからなる気孔率が極めて少ない緻密質微粒子焼
結体を砕いて粒径を分別し、粒径の大きい方を第１多孔
質微粒子焼結体の原料とし、粒径の小さい方を第２多孔
質微粒子焼結体の原料とする。そして、それぞれをバイ
ンダーとガラスを接着剤にして焼結させると、バインダ
ーとガラスの一部が気化して気孔ができる。こうして粒
径および焼結条件の違いにより気孔率の異なった第１多
孔質微粒子焼結体、第２多孔質微粒子焼結体が形成され
る。その後、緻密質微粒子焼結体、第１多孔質微粒子焼
結体、第２多孔質微粒子焼結体をガラス溶着で接着し、
最後に保持面を機械加工により平面に仕上げることによ
って製造することができる。
【００２０】以上のような本発明に係る保持治具１を研
磨工程に適用した構成例が図２の通りである。すなわ
ち、研磨ヘッド６に取付けられた保持治具１によってウ
エーハＷを吸着保持し、このウエーハＷを、研磨定盤７
に取付けた研磨布８で研磨するが、保持治具１の保持面
とウエーハＷの間にゴミ等が入り込んでもゴミ等は吸引
されるためウエーハＷの変形等の悪影響がなく、しか
も、ウエーハＷに加工圧がかかっても両領域Ａ、Ｂの変
形量に大きな差がないためウエーハ平坦度が悪化しな
い。
磨工程に適用した構成例が図２の通りである。すなわ
ち、研磨ヘッド６に取付けられた保持治具１によってウ
エーハＷを吸着保持し、このウエーハＷを、研磨定盤７
に取付けた研磨布８で研磨するが、保持治具１の保持面
とウエーハＷの間にゴミ等が入り込んでもゴミ等は吸引
されるためウエーハＷの変形等の悪影響がなく、しか
も、ウエーハＷに加工圧がかかっても両領域Ａ、Ｂの変
形量に大きな差がないためウエーハ平坦度が悪化しな
い。
【００２１】また、この保持治具１を研削工程に適用し
た構成例は図３の通りである。すなわち、この場合は、
研削ヘッド１０に取付けられた保持治具１によってウエ
ーハＷを吸着保持し、このウエーハＷを、研削用砥石１
１で研削するが、この場合も前記と同様に高平坦度の加
工が可能である。しかも両者共、異物を除去するための
クリーンエア設備、保持治具の洗浄システム等の付帯設
備が不要であるという利点もある。
た構成例は図３の通りである。すなわち、この場合は、
研削ヘッド１０に取付けられた保持治具１によってウエ
ーハＷを吸着保持し、このウエーハＷを、研削用砥石１
１で研削するが、この場合も前記と同様に高平坦度の加
工が可能である。しかも両者共、異物を除去するための
クリーンエア設備、保持治具の洗浄システム等の付帯設
備が不要であるという利点もある。
【００２２】
（実施例・比較例）本案の保持治具として、中央領域Ａ
の外径を１３０ｍｍ、気孔の平均径を１００μｍとし、
外側領域Ｂの外径を１６０ｍｍ、気孔の平均径を１０μ
ｍにし、直径１５０ｍｍのシリコンウエーハＷを研削加
工した。また比較例として、従来の保持治具を使用し、
中央の多孔質微粒子焼結体５２の外径を１４０ｍｍ、気
孔の平均径を１００μｍにし、外側の緻密質微粒子焼結
体５３の外径を１６０ｍｍにして、同じシリコンウエー
ハＷを研削加工した。
の外径を１３０ｍｍ、気孔の平均径を１００μｍとし、
外側領域Ｂの外径を１６０ｍｍ、気孔の平均径を１０μ
ｍにし、直径１５０ｍｍのシリコンウエーハＷを研削加
工した。また比較例として、従来の保持治具を使用し、
中央の多孔質微粒子焼結体５２の外径を１４０ｍｍ、気
孔の平均径を１００μｍにし、外側の緻密質微粒子焼結
体５３の外径を１６０ｍｍにして、同じシリコンウエー
ハＷを研削加工した。
【００２３】そして、本案の保持治具を使用した時の加
工精度と従来の保持治具を使用した時の加工精度を比較
した。結果として、図４に研削後のウエーハ厚みの分布
を示したように、本発明では平坦度不良がなくなって高
平坦度に加工出来ていることが判る。また、本案の場合
は、例えば１００枚加工しても平坦度不良がなかったの
に対し、従来の場合は例えば１００枚加工して１５枚の
平坦度不良が認められた。
工精度と従来の保持治具を使用した時の加工精度を比較
した。結果として、図４に研削後のウエーハ厚みの分布
を示したように、本発明では平坦度不良がなくなって高
平坦度に加工出来ていることが判る。また、本案の場合
は、例えば１００枚加工しても平坦度不良がなかったの
に対し、従来の場合は例えば１００枚加工して１５枚の
平坦度不良が認められた。
【００２４】尚、以上の実施形態では中央領域Ａと外側
領域Ｂのそれぞれの気孔率は同一にしているが、各領域
Ａ、Ｂを更に細かい領域に細区分して気孔率を段階的に
変化させるようにしても良い。また、本発明は、上記実
施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例
示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的
思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏
するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範
囲に包含される。
領域Ｂのそれぞれの気孔率は同一にしているが、各領域
Ａ、Ｂを更に細かい領域に細区分して気孔率を段階的に
変化させるようにしても良い。また、本発明は、上記実
施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例
示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的
思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏
するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範
囲に包含される。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明は、保持面を中央領
域とその外側の外側領域に区分し、中央領域の気孔率よ
り外側領域の気孔率を小さくするとともに、中央領域の
外径をウエーハの外径未満とし、且つ外側領域の外径を
ウエーハの外径以上としたため、ウエーハ全体を多孔質
表面で保持することが出来、ウエーハに加工圧がかかっ
た際の変形量の差を少なく出来る。しかもゴミ等の異物
は多孔質表面の穴から吸引されやすくなるため、これら
の影響を排除してウエーハは変形しにくくなって加工精
度を高めることが出来る。また、異物の付着を防止する
ためのクリーンエア設備、保持治具の洗浄システム等が
不要となって設備の簡素化が可能である。
域とその外側の外側領域に区分し、中央領域の気孔率よ
り外側領域の気孔率を小さくするとともに、中央領域の
外径をウエーハの外径未満とし、且つ外側領域の外径を
ウエーハの外径以上としたため、ウエーハ全体を多孔質
表面で保持することが出来、ウエーハに加工圧がかかっ
た際の変形量の差を少なく出来る。しかもゴミ等の異物
は多孔質表面の穴から吸引されやすくなるため、これら
の影響を排除してウエーハは変形しにくくなって加工精
度を高めることが出来る。また、異物の付着を防止する
ためのクリーンエア設備、保持治具の洗浄システム等が
不要となって設備の簡素化が可能である。
【図１】本発明のウエーハ保持治具の縦断面図である。
【図２】本発明のウエーハ保持治具を研磨工程に適用し
た説明図である。
た説明図である。
【図３】本発明のウエーハ保持治具を研削工程に適用し
た説明図である。
た説明図である。
【図４】本発明の保持治具を研削工程に適用した場合の
ウエーハ形状を従来例と比較して示す研削結果図であ
る。
ウエーハ形状を従来例と比較して示す研削結果図であ
る。
【図５】従来のウエーハ保持治具の縦断面図である。
１…保持治具、 ２…第１多孔質
微粒子焼結体、３…第１多孔質微粒子焼結体、
４…緻密質微粒子焼結体、５…真空引き路、
６…研磨ヘッド、７…研磨定盤、
８…研磨布、１０…研削ヘッド、
１１…研削用砥石、５１…保持治具、
５２…多孔質微粒子焼結体、５３…緻密
質微粒子焼結体、 ５４…真空引き路。Ａ…中
央領域、 Ｂ…外側領域、Ｃ…一
番外側の領域、 Ｗ…ウエーハ。
微粒子焼結体、３…第１多孔質微粒子焼結体、
４…緻密質微粒子焼結体、５…真空引き路、
６…研磨ヘッド、７…研磨定盤、
８…研磨布、１０…研削ヘッド、
１１…研削用砥石、５１…保持治具、
５２…多孔質微粒子焼結体、５３…緻密
質微粒子焼結体、 ５４…真空引き路。Ａ…中
央領域、 Ｂ…外側領域、Ｃ…一
番外側の領域、 Ｗ…ウエーハ。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ウエーハを研削又は研磨する際、
該ウエーハを真空保持するための多孔質の保持面を備
え、この保持面の中央部に形成される中央領域とその外
側に形成される外側領域とで気孔率が異なるようにした
ウエーハ保持治具であって、前記中央領域の気孔率より
外側領域の気孔率を小さくし、また中央領域の外径をウ
エーハの外径未満とし、且つ外側領域の外径をウエーハ
の外径以上としたことを特徴とするウエーハ保持治具。 - 【請求項２】 請求項１に記載のウエーハ保持治具にお
いて、前記中央領域には真空配管を連通させ、前記外側
領域には真空配管を連通させないことを特徴とするウエ
ーハ保持治具。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載のウエーハ
保持治具において、前記中央領域の気孔の平均径は６０
〜３００μｍであり、また外側領域の気孔の平均径は２
〜５０μｍであることを特徴するウエーハ保持治具。 - 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれか１項に
記載のウエーハ保持治具において、前記中央領域の外径
は、ウエーハの外径の５０〜９９％であり、また外側領
域の外径は、ウエーハの外径の１００〜２００％である
ことを特徴とするウエーハ保持治具。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35798196A JPH10193260A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | ウエーハ保持治具 |
| TW086119006A TW387110B (en) | 1996-12-27 | 1997-12-16 | Wafer holding jig |
| US08/991,492 US5938512A (en) | 1996-12-27 | 1997-12-16 | Wafer holding jig |
| DE69717238T DE69717238T2 (de) | 1996-12-27 | 1997-12-19 | Wafer-Haltevorrichtung |
| EP97310308A EP0850723B1 (en) | 1996-12-27 | 1997-12-19 | Wafer holding jig |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35798196A JPH10193260A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | ウエーハ保持治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10193260A true JPH10193260A (ja) | 1998-07-28 |
Family
ID=18456943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35798196A Pending JPH10193260A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | ウエーハ保持治具 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5938512A (ja) |
| EP (1) | EP0850723B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10193260A (ja) |
| DE (1) | DE69717238T2 (ja) |
| TW (1) | TW387110B (ja) |
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