JPH11138429A - 研磨装置 - Google Patents
研磨装置Info
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- JPH11138429A JPH11138429A JP30864897A JP30864897A JPH11138429A JP H11138429 A JPH11138429 A JP H11138429A JP 30864897 A JP30864897 A JP 30864897A JP 30864897 A JP30864897 A JP 30864897A JP H11138429 A JPH11138429 A JP H11138429A
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- JP
- Japan
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- polishing
- semiconductor wafer
- polished
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- polishing head
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25B—TOOLS OR BENCH DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, FOR FASTENING, CONNECTING, DISENGAGING OR HOLDING
- B25B11/00—Work holders not covered by any preceding group in the subclass, e.g. magnetic work holders, vacuum work holders
- B25B11/005—Vacuum work holders
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハの研磨に当たって、研磨した面
が面内均一性よく研磨できる研磨装置を得ること。 【構成】 本発明の研磨装置１Ａは、回転研磨ヘッド５
０により保持された薄板状被研磨物Ｓの被研磨面Ｓａを
回転研磨定盤２の表面に装着された研磨パッド３により
研磨を行うに当たって、研磨ヘッド５０には吸引溝５
１、貫通孔６１などの吸引手段が設けられており、そし
て前記研磨ヘッドの被研磨物の保持面に複数の貫通孔８
１が開けられた弾力性のある保持フィルム８０が取り付
けられていて、この保持フィルム８０を介して研磨ヘッ
ド５０に被研磨物Ｓを真空吸引力により吸着、保持して
研磨するものである。
が面内均一性よく研磨できる研磨装置を得ること。 【構成】 本発明の研磨装置１Ａは、回転研磨ヘッド５
０により保持された薄板状被研磨物Ｓの被研磨面Ｓａを
回転研磨定盤２の表面に装着された研磨パッド３により
研磨を行うに当たって、研磨ヘッド５０には吸引溝５
１、貫通孔６１などの吸引手段が設けられており、そし
て前記研磨ヘッドの被研磨物の保持面に複数の貫通孔８
１が開けられた弾力性のある保持フィルム８０が取り付
けられていて、この保持フィルム８０を介して研磨ヘッ
ド５０に被研磨物Ｓを真空吸引力により吸着、保持して
研磨するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、Ｌ
ＣＤ用ガラス板のような薄板状被研磨物の被研磨面積の
広い被研磨面を理想的な表面基準に出来るだけ近い状態
で面内均一性良く研磨できる研磨装置に関するものであ
る。
ＣＤ用ガラス板のような薄板状被研磨物の被研磨面積の
広い被研磨面を理想的な表面基準に出来るだけ近い状態
で面内均一性良く研磨できる研磨装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】先ず、図２を参照しながら、従来技術の
研磨装置を説明する。図２は研磨状態における従来技術
の研磨装置の一部を示した断面図である。薄板状被研磨
物、例えば、半導体ウエハ（以下、研磨しようとする薄
板状被研磨物として「半導体ウエハ」を例示して説明す
る）を研磨する場合には、図２に示した構成の研磨装置
１を用いて行われている。この研磨装置１は、大別し
て、研磨定盤２、研磨ヘッド５、研磨剤供給ホース１０
とから構成されている。
研磨装置を説明する。図２は研磨状態における従来技術
の研磨装置の一部を示した断面図である。薄板状被研磨
物、例えば、半導体ウエハ（以下、研磨しようとする薄
板状被研磨物として「半導体ウエハ」を例示して説明す
る）を研磨する場合には、図２に示した構成の研磨装置
１を用いて行われている。この研磨装置１は、大別し
て、研磨定盤２、研磨ヘッド５、研磨剤供給ホース１０
とから構成されている。
【０００３】前記研磨定盤２は、例えば、半導体ウエハ
Ｓの直径の２倍以上の直径からなる面積の平面を備え、
その平面には、例えば、ポリエステル樹脂製の不織布な
どの研磨パッド３が両面接着テープなどの接着剤などで
貼着、固定されていて、回転軸４を中心に、例えば、３
０ｒｐｍで矢印Ｒａの方向に回転するように構成されて
いる。前記研磨ヘッド５は回転軸６を介してシリンダ７
に固定されており、そして前記研磨定盤２の上方に位置
し、研磨定盤２の回転軸４から外れた、例えば、研磨定
盤２の半径の中央部に回転軸６を中心にして、例えば、
前記研磨定盤２の回転数と同数の３０ｒｐｍで、かつ同
一の回転方向（矢印Ｒｂ）に回転する。
Ｓの直径の２倍以上の直径からなる面積の平面を備え、
その平面には、例えば、ポリエステル樹脂製の不織布な
どの研磨パッド３が両面接着テープなどの接着剤などで
貼着、固定されていて、回転軸４を中心に、例えば、３
０ｒｐｍで矢印Ｒａの方向に回転するように構成されて
いる。前記研磨ヘッド５は回転軸６を介してシリンダ７
に固定されており、そして前記研磨定盤２の上方に位置
し、研磨定盤２の回転軸４から外れた、例えば、研磨定
盤２の半径の中央部に回転軸６を中心にして、例えば、
前記研磨定盤２の回転数と同数の３０ｒｐｍで、かつ同
一の回転方向（矢印Ｒｂ）に回転する。
【０００４】この研磨ヘッド５の下面には、半導体ウエ
ハＳを保持するための、そして緩衝材でもある吸着フィ
ルム８が固定されている。更に吸着フィルム８の外周面
に半導体ウエハＳの飛び出しを防止するための内径が半
導体ウエハＳの外径より僅かに大きい寸法のエポキシ樹
脂、ポリアセタール樹脂製リテーナーリング９が固定さ
れている。また、前記研磨剤供給ホース１０は研磨液供
給装置に接続されており、前記研磨定盤２の回転中心部
付近で研磨パッド３と半導体ウエハＳとの間に研磨液Ｌ
を供給する。
ハＳを保持するための、そして緩衝材でもある吸着フィ
ルム８が固定されている。更に吸着フィルム８の外周面
に半導体ウエハＳの飛び出しを防止するための内径が半
導体ウエハＳの外径より僅かに大きい寸法のエポキシ樹
脂、ポリアセタール樹脂製リテーナーリング９が固定さ
れている。また、前記研磨剤供給ホース１０は研磨液供
給装置に接続されており、前記研磨定盤２の回転中心部
付近で研磨パッド３と半導体ウエハＳとの間に研磨液Ｌ
を供給する。
【０００５】前記吸着フィルム８は、厚さが０．５ｍｍ
程度のポリウレタンまたはポリエステル樹脂製のシート
が用いられ、半導体ウエハＳとの接触面に微小な吸盤状
の穴８Ａが形成されており、半導体ウエハＳを吸着、保
持し、研磨中に半導体ウエハＳが研磨ヘッド５の中で移
動しないようにする機能を備えている。また、弾性を備
えているため、半導体ウエハＳの厚みむらがあったり、
半導体ウエハＳの裏面に塵埃などが付着しても、それら
による凹凸を吸収し、半導体ウエハＳの被研磨面が均一
に研磨できるようになされている。
程度のポリウレタンまたはポリエステル樹脂製のシート
が用いられ、半導体ウエハＳとの接触面に微小な吸盤状
の穴８Ａが形成されており、半導体ウエハＳを吸着、保
持し、研磨中に半導体ウエハＳが研磨ヘッド５の中で移
動しないようにする機能を備えている。また、弾性を備
えているため、半導体ウエハＳの厚みむらがあったり、
半導体ウエハＳの裏面に塵埃などが付着しても、それら
による凹凸を吸収し、半導体ウエハＳの被研磨面が均一
に研磨できるようになされている。
【０００６】被研磨物である半導体ウエハＳを研磨する
に当たっては、半導体ウエハＳを、その被研磨面Ｓａを
外側、即ち、下側にして吸着フィルム８に水吸着で保持
させ、図２に示したように、その保持状態で研磨ヘッド
５をシリンダ７を作動させて矢印Ｚ方向に下降させ、前
記回転軸６を介して研磨定盤２の研磨パッド３面に所定
の押圧力で加圧し、研磨定盤２を前記回転数で矢印Ｒａ
の方向に回転させ、そして研磨パッド３の表面に研磨剤
供給ホース１０から研磨液Ｌを供給し、また、前記半導
体ウエハＳを保持した研磨ヘッド５を前記回転数で矢印
Ｒｂの方向に回転させながら、半導体ウエハＳの被研磨
面Ｓａを研磨パッド３と研磨液Ｌとでケミカルメカニカ
ルポリッシュ（以下、単に「研磨」と略記する）する。
研磨中、半導体ウエハＳは研磨ヘッド５及び研磨定盤２
の回転により研磨面から飛び出そうとするが、前記リテ
ーナーリング９は研磨中の半導体ウエハＳの飛び出しを
防止している。
に当たっては、半導体ウエハＳを、その被研磨面Ｓａを
外側、即ち、下側にして吸着フィルム８に水吸着で保持
させ、図２に示したように、その保持状態で研磨ヘッド
５をシリンダ７を作動させて矢印Ｚ方向に下降させ、前
記回転軸６を介して研磨定盤２の研磨パッド３面に所定
の押圧力で加圧し、研磨定盤２を前記回転数で矢印Ｒａ
の方向に回転させ、そして研磨パッド３の表面に研磨剤
供給ホース１０から研磨液Ｌを供給し、また、前記半導
体ウエハＳを保持した研磨ヘッド５を前記回転数で矢印
Ｒｂの方向に回転させながら、半導体ウエハＳの被研磨
面Ｓａを研磨パッド３と研磨液Ｌとでケミカルメカニカ
ルポリッシュ（以下、単に「研磨」と略記する）する。
研磨中、半導体ウエハＳは研磨ヘッド５及び研磨定盤２
の回転により研磨面から飛び出そうとするが、前記リテ
ーナーリング９は研磨中の半導体ウエハＳの飛び出しを
防止している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、研磨中、特
に研磨開始直後には、半導体ウエハＳと研磨パッド３と
の間に研磨摩擦抵抗が生じ、それに伴い半導体ウエハＳ
と吸着フィルム８との間にもズレ応力が発生する。吸着
フィルム８の半導体ウエハＳの保持力は吸盤状の穴８Ａ
の大きさ、数のむらなどにより面内で必ずしも均一では
なく、保持力の強い部分と弱い部分とがあり、ずれ応力
が大きくなればなるほど吸着フィルム８の保持力の強い
所に応力が集中し、微小な歪み（凹凸）が生じ、それら
により半導体ウエハＳの被研磨面に研磨むらが生じる。
に研磨開始直後には、半導体ウエハＳと研磨パッド３と
の間に研磨摩擦抵抗が生じ、それに伴い半導体ウエハＳ
と吸着フィルム８との間にもズレ応力が発生する。吸着
フィルム８の半導体ウエハＳの保持力は吸盤状の穴８Ａ
の大きさ、数のむらなどにより面内で必ずしも均一では
なく、保持力の強い部分と弱い部分とがあり、ずれ応力
が大きくなればなるほど吸着フィルム８の保持力の強い
所に応力が集中し、微小な歪み（凹凸）が生じ、それら
により半導体ウエハＳの被研磨面に研磨むらが生じる。
【０００８】更に研磨抵抗が大きくなり、吸着フィルム
８の保持力を越えると、半導体ウエハＳが移動し、半導
体ウエハＳがリテーナーリング９に衝突する。衝突によ
り半導体ウエハＳの表面に微小な凹凸が生じ、研磨の均
一性を悪化させたり、衝撃により半導体ウエハＳが割れ
たり、更にはリテーナーリング９が衝突による疲労破壊
により壊れ、半導体ウエハＳは研磨ヘッド５外に飛び出
し、研磨が不可能な状態になる。
８の保持力を越えると、半導体ウエハＳが移動し、半導
体ウエハＳがリテーナーリング９に衝突する。衝突によ
り半導体ウエハＳの表面に微小な凹凸が生じ、研磨の均
一性を悪化させたり、衝撃により半導体ウエハＳが割れ
たり、更にはリテーナーリング９が衝突による疲労破壊
により壊れ、半導体ウエハＳは研磨ヘッド５外に飛び出
し、研磨が不可能な状態になる。
【０００９】それ故、本発明はこのような課題を解決し
ようとするものであって、半導体ウエハなどの被研磨物
を保持する吸着力を高め、その被研磨面が面内均一性よ
く研磨できる研磨装置を得ることを目的とするものであ
る。
ようとするものであって、半導体ウエハなどの被研磨物
を保持する吸着力を高め、その被研磨面が面内均一性よ
く研磨できる研磨装置を得ることを目的とするものであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】このため、本発明の研磨
装置は、研磨ヘッドにより保持された薄板状基板の被研
磨面を研磨定盤の表面に装着された研磨パッドにより研
磨を行う研磨装置において、前記研磨ヘッドに吸引手段
を設け、そして前記研磨ヘッドの薄板状基板の保持面に
弾力性があり、通気性の保持フィルムを取り付けて構成
し、前記課題を解決している。
装置は、研磨ヘッドにより保持された薄板状基板の被研
磨面を研磨定盤の表面に装着された研磨パッドにより研
磨を行う研磨装置において、前記研磨ヘッドに吸引手段
を設け、そして前記研磨ヘッドの薄板状基板の保持面に
弾力性があり、通気性の保持フィルムを取り付けて構成
し、前記課題を解決している。
【００１１】従って、本発明の研磨装置によれば、薄板
状基板、前記の例では半導体ウエハは真空の吸引力によ
り保持され、半導体ウエハが研磨ヘッドの中で移動する
ことがない。
状基板、前記の例では半導体ウエハは真空の吸引力によ
り保持され、半導体ウエハが研磨ヘッドの中で移動する
ことがない。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、図１を参照しながら、本発
明の研磨装置の一実施形態を説明する。図１は研磨状態
における本発明の研磨装置の一部を示した断面図であ
る。なお、図２に示した従来技術の研磨装置の構成部分
と同一の構成部分には同一の符号を付して説明する。
明の研磨装置の一実施形態を説明する。図１は研磨状態
における本発明の研磨装置の一部を示した断面図であ
る。なお、図２に示した従来技術の研磨装置の構成部分
と同一の構成部分には同一の符号を付して説明する。
【００１３】図１において、符号１Ａは本発明の研磨装
置を指す。この研磨装置１Ａの研磨定盤２側の構成は従
来技術のそれと同一の構成であるので、この部分の説明
は省略する。本発明の研磨装置１Ａにおける研磨ヘッド
５０は、従来技術の研磨ヘッド５と同様に、前記研磨定
盤２の上方に位置し、そして研磨定盤２の回転軸４から
外れた、例えば、研磨定盤２の半径の中央部に回転中心
があり、回転軸方向に貫通孔６１が開けられた回転軸６
０と前記貫通孔６１と整合した貫通孔（不図示）が形成
されているロータリージョイント１１を介してシリンダ
７に接続されている。このロータリージョイント１１は
回転する研磨ヘッド５０の真空系統を外部の真空ポンプ
などへ接続するために設けられたものである。そして研
磨ヘッド５０は回転軸６０を中心にして、例えば、前記
研磨定盤２の回転数と同数の３０ｒｐｍで、かつ同様の
回転方向（矢印Ｒｂ）で回転する。
置を指す。この研磨装置１Ａの研磨定盤２側の構成は従
来技術のそれと同一の構成であるので、この部分の説明
は省略する。本発明の研磨装置１Ａにおける研磨ヘッド
５０は、従来技術の研磨ヘッド５と同様に、前記研磨定
盤２の上方に位置し、そして研磨定盤２の回転軸４から
外れた、例えば、研磨定盤２の半径の中央部に回転中心
があり、回転軸方向に貫通孔６１が開けられた回転軸６
０と前記貫通孔６１と整合した貫通孔（不図示）が形成
されているロータリージョイント１１を介してシリンダ
７に接続されている。このロータリージョイント１１は
回転する研磨ヘッド５０の真空系統を外部の真空ポンプ
などへ接続するために設けられたものである。そして研
磨ヘッド５０は回転軸６０を中心にして、例えば、前記
研磨定盤２の回転数と同数の３０ｒｐｍで、かつ同様の
回転方向（矢印Ｒｂ）で回転する。
【００１４】従来技術と同様に、前記研磨ヘッド５０の
被研磨物である半導体ウエハＳを保持する下面には、複
数の吸引溝５１が形成されており、そしてこれらの吸引
溝５１は前記回転軸６０の貫通孔６１に接続されてい
る。また、研磨ヘッド５０の下面には緩衝材でもある孔
開き保持フィルム８０が貼り付けられ、固定されてい
る。この保持フィルム８０にも多数の貫通孔８１が開け
られており、前記吸引溝５１及び貫通孔６１に連通する
ものである。この吸着フィルム８にも、厚さが１．５ｍ
ｍ程度のポリウレタンまたはポリエステル樹脂製或いは
合成ゴム製のシートが用いられている。保持フィルム８
０は硬すぎると半導体ウエハＳの厚みむらや裏面に付着
した塵埃などの悪影響を受け、半導体ウエハＳの被研磨
面の均一な研磨仕上げに悪い影響を与える。また柔らか
過ぎると、吸着力に圧縮され、厚みむらが生じたり、繰
り返し受ける圧縮力により疲労破壊するために寿命が短
くなる。従って、縦弾性係数が０．２〜１００Ｋｇｒ／
ｃｍ2 の材質を使うことが望ましい。
被研磨物である半導体ウエハＳを保持する下面には、複
数の吸引溝５１が形成されており、そしてこれらの吸引
溝５１は前記回転軸６０の貫通孔６１に接続されてい
る。また、研磨ヘッド５０の下面には緩衝材でもある孔
開き保持フィルム８０が貼り付けられ、固定されてい
る。この保持フィルム８０にも多数の貫通孔８１が開け
られており、前記吸引溝５１及び貫通孔６１に連通する
ものである。この吸着フィルム８にも、厚さが１．５ｍ
ｍ程度のポリウレタンまたはポリエステル樹脂製或いは
合成ゴム製のシートが用いられている。保持フィルム８
０は硬すぎると半導体ウエハＳの厚みむらや裏面に付着
した塵埃などの悪影響を受け、半導体ウエハＳの被研磨
面の均一な研磨仕上げに悪い影響を与える。また柔らか
過ぎると、吸着力に圧縮され、厚みむらが生じたり、繰
り返し受ける圧縮力により疲労破壊するために寿命が短
くなる。従って、縦弾性係数が０．２〜１００Ｋｇｒ／
ｃｍ2 の材質を使うことが望ましい。
【００１５】更にまた、前記研磨ヘッド５０の下面の外
周部には、従来技術と同様に、内径が半導体ウエハＳの
外径より僅かに大きい寸法のエポキシ樹脂製の環状のリ
テーナーリング２４が形成されていて、前記研磨ヘッド
５０の下面に保持された半導体ウエハＳが研磨中に飛び
出すことを防止している。研磨剤供給ホース１０は研磨
液供給装置であって、前記研磨定盤２の回転中心部付近
で研磨パッド３と半導体ウエハＳとの間に研磨液Ｌを供
給する。
周部には、従来技術と同様に、内径が半導体ウエハＳの
外径より僅かに大きい寸法のエポキシ樹脂製の環状のリ
テーナーリング２４が形成されていて、前記研磨ヘッド
５０の下面に保持された半導体ウエハＳが研磨中に飛び
出すことを防止している。研磨剤供給ホース１０は研磨
液供給装置であって、前記研磨定盤２の回転中心部付近
で研磨パッド３と半導体ウエハＳとの間に研磨液Ｌを供
給する。
【００１６】次に、本発明の研磨装置１Ａの動作を説明
する。先ず、図１に示したように、半導体ウエハＳを研
磨するに当たっては、真空ポンプを作動させ、ロータリ
ージョイント１１、回転軸６０の貫通孔６１、研磨ヘッ
ド５０の吸引溝５１を通じて発生する吸引力により、研
磨ヘッド５０の下面に取り付けられている保持フィルム
８０に研磨しようとする半導体ウエハＳを真空吸引し、
保持する。半導体ウエハＳは、その被研磨面Ｓａが外
側、即ち、下側にして保持する。次に、その保持状態で
シリンダ７により研磨ヘッド装置２を矢印Ｚ方向に下降
させて、前記ロータリージョイント１１、回転軸６０を
介して研磨定盤２の研磨パッド３面に所定の押圧力で加
圧する。この時、同時に研磨定盤２を前記回転数で矢印
Ｒａの方向に回転させ、研磨パッド３の表面に研磨剤供
給ホース１０から研磨液Ｌを供給し、また、前記半導体
ウエハＳを保持した研磨ヘッド５０を前記回転数で矢印
Ｒｂの方向に回転させながら、半導体ウエハＳの被研磨
面Ｓａを研磨パッド３と研磨液Ｌとで研磨する。
する。先ず、図１に示したように、半導体ウエハＳを研
磨するに当たっては、真空ポンプを作動させ、ロータリ
ージョイント１１、回転軸６０の貫通孔６１、研磨ヘッ
ド５０の吸引溝５１を通じて発生する吸引力により、研
磨ヘッド５０の下面に取り付けられている保持フィルム
８０に研磨しようとする半導体ウエハＳを真空吸引し、
保持する。半導体ウエハＳは、その被研磨面Ｓａが外
側、即ち、下側にして保持する。次に、その保持状態で
シリンダ７により研磨ヘッド装置２を矢印Ｚ方向に下降
させて、前記ロータリージョイント１１、回転軸６０を
介して研磨定盤２の研磨パッド３面に所定の押圧力で加
圧する。この時、同時に研磨定盤２を前記回転数で矢印
Ｒａの方向に回転させ、研磨パッド３の表面に研磨剤供
給ホース１０から研磨液Ｌを供給し、また、前記半導体
ウエハＳを保持した研磨ヘッド５０を前記回転数で矢印
Ｒｂの方向に回転させながら、半導体ウエハＳの被研磨
面Ｓａを研磨パッド３と研磨液Ｌとで研磨する。
【００１７】研磨中、本発明の研磨装置１Ａは、研磨ヘ
ッド５０が保持フィルム８０を介して真空吸引力により
半導体ウエハＳを保持するため、従来技術の研磨装置１
における保持力以上に吸着力が高まり、その結果、保持
した半導体ウエハＳが研磨ヘッドの中で移動することが
無くなる。また、従来技術に見受けられたような移動に
よるフィルムのストレスが無くなり、保持フィルムの寿
命が延びる。更にまた、半導体ウエハＳが研磨ヘッド５
０内で移動し難いため、リテーナーリングに衝突するこ
とが少なく、リテーナーリング９の寿命が保てる。
ッド５０が保持フィルム８０を介して真空吸引力により
半導体ウエハＳを保持するため、従来技術の研磨装置１
における保持力以上に吸着力が高まり、その結果、保持
した半導体ウエハＳが研磨ヘッドの中で移動することが
無くなる。また、従来技術に見受けられたような移動に
よるフィルムのストレスが無くなり、保持フィルムの寿
命が延びる。更にまた、半導体ウエハＳが研磨ヘッド５
０内で移動し難いため、リテーナーリングに衝突するこ
とが少なく、リテーナーリング９の寿命が保てる。
【００１８】前記実施形態の研磨ヘッド５０には複数の
吸引溝５１を形成したが、これは溝である必要はなく、
複数の孔を開けてもよく、また、研磨ヘッド５０自体を
気体が通過できるポーラスな物質で形成してもよい。ま
た、保持フィルム８０は半導体ウエハＳと研磨ヘッド５
０との間が貫通していればよく、必ずしも貫通孔８１で
ある必要はなく、貫通した複数本のスリットなどを開け
ておいてもよいことを付言しておく。
吸引溝５１を形成したが、これは溝である必要はなく、
複数の孔を開けてもよく、また、研磨ヘッド５０自体を
気体が通過できるポーラスな物質で形成してもよい。ま
た、保持フィルム８０は半導体ウエハＳと研磨ヘッド５
０との間が貫通していればよく、必ずしも貫通孔８１で
ある必要はなく、貫通した複数本のスリットなどを開け
ておいてもよいことを付言しておく。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の研磨装置によれば、被研磨物は真空吸引力により強固
に保持されているため研磨ヘッドの中で移動することが
無く、従って、保持フィルムにもストレスが発生せず、
この結果、被研磨物の被研磨面の研磨による面内均一性
が改善される。また、被研磨物が移動し難いため、被研
磨物がリテーナーリングに当たって損傷を受けることが
ない。
の研磨装置によれば、被研磨物は真空吸引力により強固
に保持されているため研磨ヘッドの中で移動することが
無く、従って、保持フィルムにもストレスが発生せず、
この結果、被研磨物の被研磨面の研磨による面内均一性
が改善される。また、被研磨物が移動し難いため、被研
磨物がリテーナーリングに当たって損傷を受けることが
ない。
【図１】 研磨状態における本発明の研磨装置の一部を
示した断面図である。
示した断面図である。
【図２】 研磨状態における従来技術の研磨装置の一部
を示した断面図である。
を示した断面図である。
１Ａ…本発明の研磨装置、２…研磨定盤、３…研磨パッ
ド、４，６０…回転軸、５０…研磨ヘッド、５１…吸引
溝、６１，８１…貫通孔、７…シリンダ、９…リテーナ
ーリング、１０…研磨剤供給ホース、Ｌ…研磨液、Ｓ…
被研磨物（半導体ウエハ）、Ｓａ…被研磨物の被研磨面
ド、４，６０…回転軸、５０…研磨ヘッド、５１…吸引
溝、６１，８１…貫通孔、７…シリンダ、９…リテーナ
ーリング、１０…研磨剤供給ホース、Ｌ…研磨液、Ｓ…
被研磨物（半導体ウエハ）、Ｓａ…被研磨物の被研磨面
Claims (4)
- 【請求項１】 研磨ヘッドにより保持された薄板状被研
磨物の被研磨面を研磨定盤の表面に装着された研磨パッ
ドにより研磨を行う研磨装置において、 前記研磨ヘッドには吸引手段が設けられており、そして
前記研磨ヘッドの被研磨物の保持面に弾力性があり、通
気性の保持フィルムが取り付けられていることを特徴と
する研磨装置。 - 【請求項２】 前記研磨ヘッドの吸引手段が吸引溝で構
成されていることを特徴とする請求項１に記載の研磨装
置。 - 【請求項３】 前記研磨ヘッドの吸引手段が吸引孔で構
成されていることを特徴とする請求項１に記載の研磨装
置。 - 【請求項４】 前記研磨ヘッドの吸引手段が多孔質物質
で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の研
磨装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30864897A JPH11138429A (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | 研磨装置 |
| US09/188,354 US6425810B2 (en) | 1997-11-11 | 1998-11-10 | Polishing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30864897A JPH11138429A (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | 研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11138429A true JPH11138429A (ja) | 1999-05-25 |
Family
ID=17983606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30864897A Pending JPH11138429A (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | 研磨装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6425810B2 (ja) |
| JP (1) | JPH11138429A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1997
- 1997-11-11 JP JP30864897A patent/JPH11138429A/ja active Pending
-
1998
- 1998-11-10 US US09/188,354 patent/US6425810B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002170796A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ研磨装置 |
Also Published As
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| US20010044270A1 (en) | 2001-11-22 |
| US6425810B2 (en) | 2002-07-30 |
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