KR100331165B1 - 소자 일괄 제조용 지그 및 이를 이용한 소자 일괄 제조방법 - Google Patents
소자 일괄 제조용 지그 및 이를 이용한 소자 일괄 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
광화이버와 광소자를 결합시키기 위한 실리콘 베이스가 놓여지게 되는 경우에 이를 자동정렬시키기 위한 U자형 홈이 상면에 다수개 형성되어 있으며, 하면에는 상기한 실리콘 베이스의 진공흡착을 위한 진공홀이 상기한 U자형 홈과 대응하여 관통형성되어 있는 구조로 이루어지는 지그를 이용하여 다수개의 실리콘 베이스에 대해 작업이 일괄적으로 이루어지도록 함으로써 상대적으로 작업속도를 빠르게 하여 생산성을 높일 수 있는, 소자 일괄 제조용 지그 및 이를 이용한 소자 일괄 제조방법을 제공한다.
Description
본 발명은 광통신용 소자 일괄 제조용 지그 및 이를 이용한 광통신용 소자 일괄 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 말하자면 광통신용 소자를 일괄하여 생산할 수 있는 지그 및 이 지그를 이용하여 다수개의 실리콘 베이스에 대해 일괄 작업을 수행함으로써 광통신용 소자를 대량으로 양산할 수 있는 광통신용 소자 일괄 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 광통신용 소자는 레이저 다이오드나 포토 다이오드와 같은 광소자를 광화이버와 결합시킨 것이다. 이와 같은 광통신용 소자를 제조하기 위하여는 레이저 다이오드나 포토 다이오드와 같은 광소자와 광화이버간의 광전달 효율이 높도록 광소자와 광화이버를 정렬시킨 후에 광소자를 광화이버와 고정결합시킨다. 광소자와 광화이버를 정렬시키는 방법에는 능동적 정렬(active alignment) 방법과 수동적 정렬(passive alignment) 방법이 있다.
능동적 정렬방법은 레이저 다이오드를 액티브시켜서 광화이버에 입사되는 광량이 최대가 되는 위치를 선정하는 것을 말한다. 이와 같이 레이저 다이오드와 광화이버를 위치선정을 한 후에 고가의 레이저 웰더(laser welder)를 사용하여 용접하거나 또는 에폭시 접착제 등으로 고정결합한다. 따라서 능동적 정렬방법은 고도의 기술이 요구될 뿐만 아니라, 제조비용이 최종제품의 70% 정도를 차지할 정도로 비용이 높기 때문에, 이 공정에서의 부품 수를 줄이거나 제조방법을 개선하여 제조비용을 줄이는 것이 절대적으로 필요하다.
수동적 정렬방법은 레이저 다이오드를 구동하지 않고서 레이저 다이오드와 광화이버의 위치를 선정 결합하는 것을 말한다. 수동적 정렬방법은 예컨대 반도체 석판인쇄기술(photolithography)을 이용하여 실리콘 베이스를 제작하고 특별한 결합구조를 가진 V자 형태의 홈에 광화이버를 자동 정렬하는 방법을 사용한다. 따라서 수동적 정렬방법은 고가의 레이저 웰더를 사용하지 않아도 되므로 광통신 소자를 저렴하게 제조하는 방안으로서 근래에 많이 사용되고 있다.
종래의 수동적 정렬방법은 하나의 실리콘 베이스의 상면에 형성된 광화이버용 V홈과 레이저 다이오드용 U홈과 모니터 포토다이오드용 U홈에 각각 광화이버와 레이저 다이오드와 모니터 포토다이오드를 개별적으로 장착 배열하였다.
이와 같이 광소자와 광화이버를 정렬시킨 후에, 각 개별 실리콘 베이스를 다이본더(die bonder)로 이동시켜 레이저 다이오드를 접착하고, 다음에 실리콘 베이스를 와이어 본딩공정으로 이동시켜 금속와이어를 연결하고, 다시 실리콘 베이스를 에폭시 본더(epoxy bonder)로 이동시켜 뚜껑을 덮는 공정을 순차적으로 하게 된다. 이러한 과정은 모두 하나의 실리콘 베이스를 제조공정의 기본단위로 하여 수행된다.
그러나, 상기한 바와 같은 종래의 광통신용 소자의 제조방법은 하나의 실리콘 베이스를 기본단위로 하여 개별적으로 제조되기 때문에 작업속도가 늦어 생산성이 매우 낮으며, 결국 제조단가가 비싸게 되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 지그를 이용하여 다수개의 실리콘 베이스에 대해 일괄적으로 작업을 수행함으로써 작업속도를 빠르게 하여 생산성을 향상시킬 수 있는, 광통신용 소자 일괄 제조용 지그및 이를 이용한 광통신용 소자 일괄 제조방법을 제공하는 데 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 광통신용 소자 일괄 제조용 지그에 안착되는 실리콘 베이스의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 광통신용 소자 일괄 제조용 지그가 사용되는 상태를 나타낸 도면이다.
도 3은 도2의 III-III선에 따른 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 광통신용 소자 일괄 제조용 지그를 이용한 다이본딩 공정을 나타낸 도면이다.
＜도면 주요 부분에 대한 부호의 설명＞
1 : 광화이버 2 : 레이저 다이오드
3 : 모니터 포토 다이오드 4 : 실리콘 베이스
5 : 지그 6 : 다공성판
7 : 진공챔버 8 : 진공통로 `
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일실시예에 따른 광통신용 소자 일괄 제조용 지그는 광화이버와 광소자를 결합시키기 위한 실리콘 베이스가 놓여지게 되는 경우에 이를 자동정렬시키기 위한 U자형 홈이 상면에 다수개 형성되어 있으며, 하면에는 상기한 실리콘 베이스의 진공흡착을 위한 진공홀이 상기한 U자형 홈과 대응하여 관통형성되어 있는 구조로 이루어진다.
또한 전술한 목적을 달성하기 위한 수단으로서 본 발명의 다른 구성은, 전술한 지그를 이용한 광통신용 소자 일괄 제조방법은 상기 지그를 사용하여 다수개의 상기 실리콘 베이스를 각각 상기 U자형 홈에 일괄 안착시키는 단계를 포함하며, 상기 지그에 형성된 진공홀에 진공을 인가하여 다수개의 상기 실리콘 베이스가 동시에 상기 지그에 고정되도록 하는 단계를 더 포함할 수 있다.
첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 바람직한 실시예를 이하 설명한다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 실리콘 베이스(4)는 지그(5)의 상면에 설치된 U자형 홈(51)에 의해 지그(5)에 안착된다. 상기 실리콘 베이스(4)를 진공흡착하기 위하여 상기 지그(5)는 하면에 상기 U자형 홈(51)과 관통되는 진공홀(52)을 구비하고 있다.
여기서 지그(5)는 U자형 홈들(51) 및 진공홀들(52)을 다수개 구비하며, 금속, 세라믹, 플라스틱 그리고 실리콘을 포함하는 반도체 재료 등으로 만들어질 수 있다. 예컨대, 지그(5)는 약 5인치 크기의 실리콘으로 만들어서 그 위에 약 1000여개의 실리콘 베이스(4)를 설치할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
다수개의 실리콘 베이스(4)를 일괄적으로 수용할 수 있는 지그(5)의 상면에 형성된 U자형 홈(51)은 반도체석판인쇄기술(photolithography)과 산화칼륨(KOH) 화학에칭을 사용하여 약 5 마이크론 이내의 정밀도로 형성되는 것이 바람직하다. 실리콘 베이스(4)가 지그(5)의 U자형 홈(51)에 놓이면, 실리콘 베이스(4)는 홈의 경사를 따라 지그(5)에 안착되기 때문에 위치 설정이 정확하게 된다.
지그(5)의 하면에 형성된 진공홀(52) 역시 화학적 식각을 사용하여 형성하는 것이 바람직하다. 실리콘 베이스(4)가 지그(5)에 안착된 상태에서 이 진공홀(52)을 통하여 진공을 가하면 위에 놓인 실리콘 베이스(4)는 지그(5)에 확실하게 고정된다. 진공홀(52)을 통해 전체적으로 균일하게 진공을 가하기 위하여 지그(5)의 밑에 구리재질의 분말을 소결하여 만든 다공성판(6)을 사용하는 것이 바람직하다.
지그(5)에 안착된 실리콘 베이스(4)를 고정 또는 해제하는 것은 진공홀(52)을 통하여 진공상태를 설정하거나 해제하여 줌으로써 용이하게 수행될 수 있다. 즉, 지그(5)가 각 처리공정으로 이동될 때 진공을 제거한 상태에서 이동하고 각 처리공정이 수행될 때에만 진공을 인가할 수 있다.
예컨대, 지그(5)의 위에 다수개의 실리콘 베이스(4)를 전부 안착시킨 후에, 진공을 인가하여 실리콘 베이스(4)가 지그(5)에 고정된 상태에서 레이저 다이오드(2)와 모니터 포토 다이오드(3)를 일괄적으로 올려놓는 픽 앤 플레이스(pick place)공정을 수행할 수 있다. 도1을 참조하여 설명하면 하나의 실리콘 베이스(4)의 상면에 설치되는 소자들은 광화이버(1)와 레이저 다이오드(2)와 모니터 포토다이오드(3)로서 이들은 각각 광화이버용 V홈(41)과 레이저 다이오드용 U홈(42)과 모니터 포토다이오드용 U홈(43)에 안착된다.
따라서 본 발명에서와 같이, 지그(5)를 사용하는 온웨이퍼(On-wafer)공정, 또는 다수의 실리콘 베이스(4)를 실리콘웨이퍼 상에 직접 형성하는 기존의 온웨이퍼 공정을 적용하면, 하나의 지그(5) 또는 웨이퍼 위에 2 mm x 4 mm 크기의 실리콘 베이스(4) 약 1000여 개 정도를 동시에 적재하여 다이본딩, 와이어 본딩, 에폭시 본딩, 그리고 최종적인 검사까지를 일괄적으로 처리하여 양산성을 획기적으로 향상시킬 수가 있고, 또한 투입되는 인력과 장비의 효율성을 증대시킴은 물론, 작업효율을 향상시켜 궁극적으로 광통신용 소자의 생산원가를 대폭 절감할 수 있다.
또한, 본 발명을 적용하는 온웨이퍼 공정과 기존의 온웨이퍼 공정의 차이점은 다음과 같다. 기존의 온웨이퍼 공정의 경우, 모든 공정이 종료된 이후에 실리콘 웨이퍼 상에 각각의 베이스를 자르는(sawing) 공정을 거치게 되므로 각 베이스별로 불량이 발생하더라도 개별적인 제어가 불가능하다. 반면, 본 발명의 지그(5)를 사용하는 경우에는, 각 공정별 처리 후 검사에서 불량이 발생되면 즉시 해당 지그를 제거함으로써 불량이 발생한 베이스(4)에 대한 추가적 공정진행을 막게 되므로, 비용절감 및 최종 수율 향상의 효과를 얻을 수 있다.본 발명에서, 실리콘 베이스(4)의 V자 형태의 홈(41)과 U자 형태의 홈(42)은 플라즈마 화학기상증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)에 의한 마스킹 방법을 사용하여 광화이버 패튼부와 레이저 다이오드 패튼부와 모니터 포토다이오드 패튼부와 스토퍼 패튼부를 형성한다. 그리고 상기 각 패튼부에 수산화칼륨(KOH) 용액을 이용한 에칭처리를 하여 결정방향에 따른 식각속도의 이방성 현상을 이용함으로써 실리콘웨이퍼 수평면과 54.7도의 각도를 갖는 홈들(41)(42)을 얻을 수 있다. 또한 레이저 다이오드(2)도 InP 단결정의 이방성 에칭을 이용한 화학적 식각을 응용하여 원하는 크기로 식각한 후 절단하게 된다. 화학적 식각으로 가공된 레이저 다이오드(2)와 실리콘 베이스(4)는 비접촉식 3차원 측정기로 각 부분의 크기와 위치를 측정하게 되며, 측정결과를 토대로 다시 반도체석판인쇄공정(photolithography)을 거쳐 가공하여 최종적 인정밀도를 1마이크론 이하로 조절하는 것이 필요하다.
이와 같이 제조된 레이저 다이오드(2)를 실리콘 베이스(4)의 위에 올려놓을 때 단순하게 반도체 칩을 실리콘 베이스 위의 U자형 홈 위에 약 10마이크론의 정밀도로 이동시켜 떨어뜨리면 4개의 경사면을 이루는 홈(51)에 의하여 반도체칩이 자동적으로 실리콘 베이스(4)에 정렬되게 된다. 이러한 자동정렬방법은 기존의 플립-칩 본딩(flip-chip bonding)이나 적외선현미경과 인식용 패턴을 이용한 정렬방법보다 공정시간이 단축되고 여러 개의 칩을 동시에 처리할 수 있는 장점이 있다.
상기한 구성에 의한, 본 발명의 실시예에 따른 광통신용 소자 일괄 제조용 지그를 이용한 광통신용 소자 일괄 제조방법은 다음과 같다.
본 발명에 따른 실시예에서는 광화이버(1)를 실리콘 베이스(4) 위의 V자형의 홈(41)에 정렬시키고 레이저 다이오드(2)를 U자형의 홈(42) 위에 정렬시키는 수동적 정렬방법을 사용한다. 상기한 레이저 다이오드(2) 대신에 모니터링 또는 수광 포토 다이오드를 정렬시키는 경우에도 마찬가지로 적용된다. 수동적 정렬방법에 의한 정렬이 이루어지고 난 뒤에, 종래와 같이 실리콘 베이스(4)를 기본단위로 제조공정이 이루어지는 대신에, 양산성을 높이기 위하여 5인치 크기의 지그(5)를 사용하여 약 1000여 개의 실리콘 베이스(4)를 일괄적으로 지그(5)의 위에서 처리하는 온웨이퍼(on-wafer) 제조공정을 수행하게 된다. 즉, 지그(5)의 위에서 다이 본딩(die bonding), 와이어 본딩(wire bonding), 에폭시 본딩(epoxy bonding) 등의 공정을 동시에 처리하여 생산성을 높이고, 양산화를 도모함은 물론, 제조설비를 집적화 함으로써 초기생산장비투자에 소요되는 비용을 획기적으로 낮출 수가 있다. 본 발명에서는 약 1000여 개의 실리콘 베이스(4)가 5 인치 크기의 특별히 제작된 지그(5) 위에 집적되어 일괄적으로 각 공정으로 이동되거나, 또는 지그(5)가 일정한 위치에 고정된 상태에서 다이본더, 와이어 본더, 에폭시 본더가 순차적으로 이동하면서 제조공정이 이루어지게 된다.
지그(5)를 사용하여 약 1000여 개의 광통신용 소자를 일괄적으로 제조하는 온웨이퍼(on-wafer) 공정을 위하여 먼저 실리콘 베이스(4)는 수산화칼륨(KOH) 에칭용액을 사용하여 식각하고, 삼차원 측정기를 사용하여 측정한 후에 다시 식각하는 과정을 통해 소정의 정밀도를 완성한다. 실리콘 베이스(4)는 다이싱 소우를 사용하여 2 x 4 mm 의 크기로 절단한다. 레이저 다이오드(2)와 모니터 포토 다이오드(3)는 1300nm의 파장대역을 가지는 InP 멀티퀀텀월(multi quantum wall)을 사용하였고, 정확한 크기로 절단하기 위하여 염산계열의 에칭용액으로 패턴을 식각한 후 절단한다. 절단된 레이저 다이오드(2) 및 모니터 포토 다이오드(3)는 삼차원 비접촉식 측정기로 외관의 크기를 측정한다. 또한 접합금속으로는 Au-30at% Sn을 금속증착장치를 사용하여 1마이크론 두께로 증착한다. 준비된 실리콘 베이스(4), 레이저 다이오드(2), 모니터 포토 다이오드(3)를 일괄적으로 자외선/오존(UV/Ozone) 처리한 후, 금속표면에 RCA 세정을 한다. 유기물, 무기물과 산화막의 유무를 확인하기 위하여 오제전자 분광기(Auger Electron Spectroscopy)를 사용하여 처리 전후의 샘플을 조사하여, 표면에 미세하게 존재하는 불순물을 확인하고, 각 세정공정의 적합성을 확인한다. 모든 부품의 세정공정이 끝나면, 픽 앤 플레이스(pick place)를 사용하여 지그(5)에 실리콘 베이스(4)를 장착하고, 실리콘 베이스(4)의 위에 모니터 포토 다이오드와 레이저 다이오드를 순차적으로 픽 앤 플레이스(pick place)를 사용하여 일괄적으로 올려놓는다. 이후, 지그(5)를 질소가스 분위기하에서 310 도의 접합온도로 승온, 냉각하여 접합함으로써 다이본딩 공정이 이루어지게 된다. 금속접합된 반도체 칩들의 접합강도를 측정하기 위하여 마이크로 미캐니컬 전단응력 테스트(micro mechanical shear test)를 거쳐서, 밀 스펙(MIL specification) 규정인 전단응력(shear force)이 0.15Kgf/㎠ 이상인 것을 확인한 후, 전기광학적 측정을 한다. 다음에, 와이어 본딩 및 캡 픽 앤 플레이스 공정이 순차적으로 이루어지게 된다.
도 4는 지그(5)를 이용한 다이본딩 공정을 보여주는 것으로서, 지그(5)의 위에 놓여진 실리콘 베이스(4)는 진공챔버(7)에 장착된다. 상기 진공챔버(7)는 금속솔더의 산화를 방지하기 위하여 배관(74)을 이용하여 진공과 질소가스를 교대로 순환시키고, 최종적으로 고순도 질소로 충진된 상태에서 금속솔더의 용융점 이상인 310도 정도의 온도로 승온한 후 상온으로 냉각함으로써 모니터 포토 다이오드(3) 및 레이저 다이오드(2)가 실리콘 베이스(4)에 접합되도록 한다. 여기서 도면번호 72는 단열판이다. 다이본딩(Die bonding) 공정을 마친 지그(5)는 다음 공정인 와이어 본딩(wire bonding) 공정으로 이동된다.
지그(5)를 이용한 와이어 본딩공정은 초음파에너지를 이용하여 금속와이어를 접합하는 냉간접합 방법을 사용한다. 이 공정에서는 접합하고자 하는 모니터 포토 다이오드(3) 및 레이저 다이오드(2)가 기계적인 진동에 따라 움직이지 않도록 실리콘 베이스(4)를 견고하게 고정할 필요가 있다. 이를 위하여 통상적인 와이어 본딩공정에서 사용하는 기계적인 고정 대신에, 진공통로(52)의 공기를 밖으로 펌핑하여 지그(5)에 진공을 인가함으로써 실리콘 베이스(4)를 지그(5)에 고정하는 방법을 사용한다. 이때 다공성판(6)은 저항체 히터(82)를 이용하여 100℃ 까지 가열된다.
와이어 본딩공정을 거친 지그는 다음 공정인 에폭시 본딩(epoxy bonding) 및 캡 픽 앤 플레이스 공정으로 진행된다. 앞의 공정에서와 마찬가지로 지그(5)에 균일하게 진공을 가하여 실리콘 베이스(4)를 고정시키면서 미세하게 양이 조절되는 주사기 끝부분의 노즐을 통하여 분사되는 열경화성 에폭시를 실리콘 베이스(4)에 도포하고, 그 위에 유리 또는 실리콘으로 가공된 뚜껑을 순서대로 덮는다. 이러한 공정은 전 단계와 마찬가지로 지그(5)의 위에서 일괄적으로 이루어지므로 하나의 실리콘 베이스를 기본공정으로 하는 종래의 제조방법에 비교하여 볼 때, 양산성 측면에서 현저한 생산성 향상이 있다.
이상 실시예를 들어 본 발명에 대해 설명하였으나, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상 및 기술범위내에서 각종 변경 및 개량이 가능하며, 본 발명에 따른 효과는 광통신용 소자 제조 분야에서 다양하게 변형되어 이용될 수가 있다.
본 발명은 광통신용 소자를 일괄 제조할 수 있는 지그를 이용하기 때문에 다수개의 실리콘 베이스에 대해 일괄적으로 광소자를 제조할 수 있는 효과가 있다.
따라서 광통신용 소자의 양산성을 획기적으로 향상시킬 수가 있고, 또한 투입되는 인력과 장비의 효율성을 증대시킴은 물론, 작업효율을 향상시켜 광통신용 소자의 생산원가를 대폭 절감하는 현저한 효과가 있다.
Claims (12)
- 광소자가 설치되는 실리콘 베이스를 안착시키는 U자형 홈이 상면에 다수개 형성되고,상기 실리콘 베이스의 진공흡착을 위한 진공홀이 상기 U자형 홈을 관통하도록 대응되는 하면에 형성되고,상기 진공홀에 균일한 진공을 가하기 위해 상기 진공홀 하부에 다공성판이 창작되는 것을 특징으로 하는 광통신용 소자 일괄 제조용 지그.
- 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 다공성판은 구리재질의 분말을 소결하여 만든 것을 특징으로 하는 광통신용 소자 일괄 제조용 지그.
- 제 4항에 있어서,상기 다공성판의 하부에 저항체 히터가 설치된 것을 특징으로 하는 광통신용 소자 일괄 제조용 지그.
- 제 1항에 있어서,상기 광소자는 레이저 다이오드, 포토 다이오드, 또는 모니터링 포토 다이오드인 것을 특징으로 하는 광통신용 소자 일괄 제조용 지그.
- 제 1항의 지그를 사용하여 다수개의 상기 실리콘 베이스를 각각 상기 U자형 홈에 일괄 안착시키는 단계를 포함하는 광통신용 소자 일괄 제조방법.
- 제 7항에 있어서,상기 지그에 형성된 진공홀에 진공을 인가하여 다수개의 상기 실리콘 베이스가 동시에 상기 지그에 고정되도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광통신용 소자 일괄 제조방법.
- 제 7항에 있어서,상기 광소자가 설치된 상기 실리콘 베이스가 다수개 안착된 상기 지그를 질소가스가 충진된 진공챔버에 넣는 단계와,상기 진공챔버를 금속솔더의 용융점 이상으로 가열한 후에 냉각함으로써 상기 광소자를 상기 실리콘 베이스에 일괄 접합시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광통신용 소자 일괄 제조방법.
- 제 7항에 있어서,상기 지그에 형성된 진공홀에 진공을 인가하여 다수개의 상기 실리콘 베이스가 동시에 상기 지그에 고정되도록 하는 단계와,초음파에너지를 가하여 금속와이어를 상기 광소자에 일괄 접합시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광통신용 소자 일괄 제조방법.
- 제 10항에 있어서,상기 지그에 진공을 가하여 고정된 상태에서 미세하게 양이 조절되는 노즐을 통하여 분사되는 열경화성 에폭시를 상기 실리콘 베이스에 도포하고 그 위에 유리 또는 실리콘으로 이루어진 뚜껑을 덮는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광통신용 소자 일괄 제조방법.
- 상면에 반도체 석판인쇄기술과 이방성 수산화칼륨 화학에칭을 사용하여 실리콘 베이스를 정렬시킬 수 있는 U자형 홈을 형성하고 하면에 상기 실리콘 베이스를 진공 흡착하여 고정시킬 수 있는 진공홀이 형성된 지그를 준비하는 단계와,상기 지그 위에 다수개의 실리콘 베이스를 적재시키는 단계와,상기 지그에 진공을 가하여 상기 실리콘 베이스가 상기 지그에 고정된 상태에서 레이저 다이오드와 모니터 포토 다이오드를 일괄적으로 올려놓는 단계와,진공이 제거된 상태에서 상기 지그를 이동시킨 후 다시 진공을 가하여 고정시킨 상태에서 다이본딩 및 와이어 본딩 공정이 순차적으로 이루어지도록 하는 단계와,상기 지그에 균일하게 진공을 가하여 고정된 상태에서 미세하게 양이 조절되는 주사기 끝부분의 노즐을 통하여 분사되는 열경화성 에폭시를 상기 실리콘 베이스에 도포하고 그 위에 유리 또는 실리콘으로 가공된 뚜껑을 순서대로 덮는 단계를 포함하는 광통신용 소자 일괄 제조방법.
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