JPH11300608A - 化学機械研磨装置 - Google Patents
化学機械研磨装置Info
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- JPH11300608A JPH11300608A JP10992098A JP10992098A JPH11300608A JP H11300608 A JPH11300608 A JP H11300608A JP 10992098 A JP10992098 A JP 10992098A JP 10992098 A JP10992098 A JP 10992098A JP H11300608 A JPH11300608 A JP H11300608A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハの搬送時における作業性を向上させる
ことができると共に、ウエハの表面を均一に研磨処理す
ることができる化学機械研磨装置を提供する。 【解決手段】 ステージ２には、押圧用孔２ａが円周上
に設けられていると共に、この押圧用孔２ａよりも外周
縁側に吸着用孔２ｂが円周上に設けられている。また、
ステージ２の内部には、これらの押圧用孔２ａ及び吸着
用孔２ｂに接続された空隙部２ｃが設けられている。更
に、押圧用孔２ａと空隙部２ｃとの間には、空隙部２ｃ
側からウエハ保持面側のみへの気体の通流を可能とする
第１のフィルタ８ａが配置されており、吸着用孔２ｂと
空隙部２ｃとの間には、ウエハ保持面側から空隙部２ｃ
側のみへの気体の通流を可能とする第２のフィルタ８ｂ
が配置されている。
ことができると共に、ウエハの表面を均一に研磨処理す
ることができる化学機械研磨装置を提供する。 【解決手段】 ステージ２には、押圧用孔２ａが円周上
に設けられていると共に、この押圧用孔２ａよりも外周
縁側に吸着用孔２ｂが円周上に設けられている。また、
ステージ２の内部には、これらの押圧用孔２ａ及び吸着
用孔２ｂに接続された空隙部２ｃが設けられている。更
に、押圧用孔２ａと空隙部２ｃとの間には、空隙部２ｃ
側からウエハ保持面側のみへの気体の通流を可能とする
第１のフィルタ８ａが配置されており、吸着用孔２ｂと
空隙部２ｃとの間には、ウエハ保持面側から空隙部２ｃ
側のみへの気体の通流を可能とする第２のフィルタ８ｂ
が配置されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウエハを搬送すると
共に、ウエハ表面を研磨するときに使用される化学機械
研磨装置に関し、特に、搬送時の作業性及び研磨の均一
性を向上させることができる化学機械研磨装置に関す
る。
共に、ウエハ表面を研磨するときに使用される化学機械
研磨装置に関し、特に、搬送時の作業性及び研磨の均一
性を向上させることができる化学機械研磨装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ウエハ表面を研磨するための
装置として、種々の化学機械研磨（CMP；Chemical Mech
anical Polishing）装置が使用されている。例えば、圧
力流体によりウエハに対して圧力を印加して、回転する
テーブルに均等な圧力でウエハを押圧することにより、
研磨の加工精度を向上させることができるＣＭＰ装置が
提案されている（特公平７−６７６６５号公報）。
装置として、種々の化学機械研磨（CMP；Chemical Mech
anical Polishing）装置が使用されている。例えば、圧
力流体によりウエハに対して圧力を印加して、回転する
テーブルに均等な圧力でウエハを押圧することにより、
研磨の加工精度を向上させることができるＣＭＰ装置が
提案されている（特公平７−６７６６５号公報）。
【０００３】図５（ａ）は従来のＣＭＰ装置の一部を示
す断面図であり、５（ｂ）はそのウエハ保持面を示す平
面図である。但し、図５（ａ）においては、ウエハホル
ダにウエハが保持されている状態を示している。図５に
示すように、ステージ２２の裏面上には裏面パッド２３
が貼付されている。このステージ２２及び裏面パッド２
３には、裏面パッド２３側からその表面に直交する方向
に延びる第１の通気孔２２ａが設けられていると共に、
これらの第１の通気孔に接続された空隙部２２ｂが設け
られている。また、ステージ２２の上壁部には、空隙部
２２ｂ内の気体を吸引するか又は空隙部２２ｂ内に気体
を供給するための第２の通気孔２２ｃを有する接続部２
６が形成されており、この接続部２６はポンプ（図示せ
ず）に接続されている。なお、図５（ｂ）に示すよう
に、通気孔２２ａは、裏面パッド２３及びステージ２２
の中心からその半径の約１／２の距離を結ぶ円周上に配
列されている。
す断面図であり、５（ｂ）はそのウエハ保持面を示す平
面図である。但し、図５（ａ）においては、ウエハホル
ダにウエハが保持されている状態を示している。図５に
示すように、ステージ２２の裏面上には裏面パッド２３
が貼付されている。このステージ２２及び裏面パッド２
３には、裏面パッド２３側からその表面に直交する方向
に延びる第１の通気孔２２ａが設けられていると共に、
これらの第１の通気孔に接続された空隙部２２ｂが設け
られている。また、ステージ２２の上壁部には、空隙部
２２ｂ内の気体を吸引するか又は空隙部２２ｂ内に気体
を供給するための第２の通気孔２２ｃを有する接続部２
６が形成されており、この接続部２６はポンプ（図示せ
ず）に接続されている。なお、図５（ｂ）に示すよう
に、通気孔２２ａは、裏面パッド２３及びステージ２２
の中心からその半径の約１／２の距離を結ぶ円周上に配
列されている。
【０００４】更に、ステージ２２及び裏面パッド２３の
端面には、これらを取り囲むように保持リング２４が取
り付けられている。この保持リング２４は、裏面パッド
２３の表面から下方に若干突出しており、この保持リン
グ２４によりウエハ２５の周端面が保持されるようにな
っている。このようにして、ＣＭＰ装置のウエハホルダ
２１が構成されている。
端面には、これらを取り囲むように保持リング２４が取
り付けられている。この保持リング２４は、裏面パッド
２３の表面から下方に若干突出しており、この保持リン
グ２４によりウエハ２５の周端面が保持されるようにな
っている。このようにして、ＣＭＰ装置のウエハホルダ
２１が構成されている。
【０００５】ウエハを研磨する場合には、先ず、ウエハ
ホルダ２１の保持リング２４内にウエハ２５を保持した
後、接続部２６に接続された真空ポンプを駆動する。こ
れにより、空隙部２２ｂ及び通気孔２２ａ内が真空とな
り、ウエハ保持面となる裏面パッド２３にウエハ２５が
真空吸着される。次に、ウエハ２５を吸着した状態で回
転するテーブル（図示せず）上にウエハ２５を搬送す
る。次いで、接続部２６に接続された加圧ポンプを駆動
することにより、ウエハ２５を回転するテーブルの表面
に押圧して、ウエハ２５の表面をＣＭＰ処理する。その
後、再度、接続部２６に接続された真空ポンプを駆動す
ることにより、ウエハ２５を真空パッド２３の表面に吸
着させて、ウエハ２５を所定の位置まで搬送する。
ホルダ２１の保持リング２４内にウエハ２５を保持した
後、接続部２６に接続された真空ポンプを駆動する。こ
れにより、空隙部２２ｂ及び通気孔２２ａ内が真空とな
り、ウエハ保持面となる裏面パッド２３にウエハ２５が
真空吸着される。次に、ウエハ２５を吸着した状態で回
転するテーブル（図示せず）上にウエハ２５を搬送す
る。次いで、接続部２６に接続された加圧ポンプを駆動
することにより、ウエハ２５を回転するテーブルの表面
に押圧して、ウエハ２５の表面をＣＭＰ処理する。その
後、再度、接続部２６に接続された真空ポンプを駆動す
ることにより、ウエハ２５を真空パッド２３の表面に吸
着させて、ウエハ２５を所定の位置まで搬送する。
【０００６】このように、従来のＣＭＰ装置において
は、ウエハ２５を吸着する搬送と、ウエハ２５をテーブ
ルに押圧するＣＭＰ処理とを、ウエハホルダ２１に設け
た通気孔２２ａ等を利用して同一ラインで実施してい
る。これにより、ウエハ２５の搬送の作業性及びＣＭＰ
処理の性能、即ち研磨の均一性を向上を図っている。
は、ウエハ２５を吸着する搬送と、ウエハ２５をテーブ
ルに押圧するＣＭＰ処理とを、ウエハホルダ２１に設け
た通気孔２２ａ等を利用して同一ラインで実施してい
る。これにより、ウエハ２５の搬送の作業性及びＣＭＰ
処理の性能、即ち研磨の均一性を向上を図っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ウエハホルダ２１を有するＣＭＰ装置を使用してウエハ
２５の搬送及びＣＭＰ処理を実施する場合に、ウエハ２
５の吸着及び押圧を同一の通気孔２２ａを利用している
ので、搬送時の適切な吸引条件及びＣＭＰ処理時の適切
な加圧条件が狭くなるという問題点がある。この理由を
以下に説明する。
ウエハホルダ２１を有するＣＭＰ装置を使用してウエハ
２５の搬送及びＣＭＰ処理を実施する場合に、ウエハ２
５の吸着及び押圧を同一の通気孔２２ａを利用している
ので、搬送時の適切な吸引条件及びＣＭＰ処理時の適切
な加圧条件が狭くなるという問題点がある。この理由を
以下に説明する。
【０００８】図６（ａ）及び６（ｂ）に示すように、通
気孔２２ｄが図５に示す通気孔２２ａよりもステージの
中心側に形成されていると、ウエハ２５をテーブル２７
に押圧したときには、図７（ｂ）に示すように、押圧さ
れたウエハ２５は中央が下方に湾曲した形状（凹状）と
なる。従って、ＣＭＰ処理時に、テーブル２７とウエハ
２５との間に研磨剤が侵入しやすく、ウエハ２５の中央
部まで均一に研磨することができる。
気孔２２ｄが図５に示す通気孔２２ａよりもステージの
中心側に形成されていると、ウエハ２５をテーブル２７
に押圧したときには、図７（ｂ）に示すように、押圧さ
れたウエハ２５は中央が下方に湾曲した形状（凹状）と
なる。従って、ＣＭＰ処理時に、テーブル２７とウエハ
２５との間に研磨剤が侵入しやすく、ウエハ２５の中央
部まで均一に研磨することができる。
【０００９】一方、ＣＭＰ処理後に再度ウエハ２５を搬
送するためにウエハ２５を吸着したときには、図７
（ａ）に示すように、吸着されたウエハ２５は中央が上
方に湾曲した形状（凸状）になる。このとき、ＣＭＰ処
理によりウエハ２５の表面が平滑になっており、テーブ
ル２７とウエハ２５との密着性が上昇しているので、ウ
エハ保持面とウエハ５との間の吸着力が不足して、ウエ
ハ２５がウエハホルダ２１から外れることがある。これ
により、搬送ミスが発生する。
送するためにウエハ２５を吸着したときには、図７
（ａ）に示すように、吸着されたウエハ２５は中央が上
方に湾曲した形状（凸状）になる。このとき、ＣＭＰ処
理によりウエハ２５の表面が平滑になっており、テーブ
ル２７とウエハ２５との密着性が上昇しているので、ウ
エハ保持面とウエハ５との間の吸着力が不足して、ウエ
ハ２５がウエハホルダ２１から外れることがある。これ
により、搬送ミスが発生する。
【００１０】また、図８（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、通気孔２２ｅが図５に示す通気孔２２ａよりもステ
ージの周縁側に形成されていると、ウエハ２５を吸着し
たときには、図９（ａ）に示すように、吸着されたウエ
ハ２５は周縁部が上方に湾曲した形状（凹状）になる。
従って、ＣＭＰ処理後にウエハ２５の周縁部を吸引する
ので、テーブル２７とウエハ２５との密着力を低減する
ことができ、搬送ミスの発生を抑制することができる。
に、通気孔２２ｅが図５に示す通気孔２２ａよりもステ
ージの周縁側に形成されていると、ウエハ２５を吸着し
たときには、図９（ａ）に示すように、吸着されたウエ
ハ２５は周縁部が上方に湾曲した形状（凹状）になる。
従って、ＣＭＰ処理後にウエハ２５の周縁部を吸引する
ので、テーブル２７とウエハ２５との密着力を低減する
ことができ、搬送ミスの発生を抑制することができる。
【００１１】一方、ウエハ２５をテーブル２７に押圧し
たときには、図９（ｂ）に示すように、押圧されたウエ
ハ２５は周縁部が下方に湾曲した形状（凸状）となる。
そうすると、ＣＭＰ処理時にテーブル２７とウエハ２５
との間に研磨剤が侵入し難くなり、ウエハ２５の表面が
不均一に研磨されることになる。
たときには、図９（ｂ）に示すように、押圧されたウエ
ハ２５は周縁部が下方に湾曲した形状（凸状）となる。
そうすると、ＣＭＰ処理時にテーブル２７とウエハ２５
との間に研磨剤が侵入し難くなり、ウエハ２５の表面が
不均一に研磨されることになる。
【００１２】このように、ウエハ２５をウエハホルダ２
１に吸着する場合と、ウエハ２５をテーブル２７に押圧
する場合とにおいて好ましい条件が異なるものとなる。
従って、一般的には、図５に示すように、通気孔２２ａ
を裏面パッド２３及びステージ２２の中心からその半径
の約１／２の距離を結ぶ円周上に配列することにより、
図６及び７に示す場合の問題点と、図８及び９に示す場
合の問題点とを緩和している。その結果、搬送時の適切
な吸引条件及びＣＭＰ処理時の適切な加圧条件が狭くな
り、搬送時の作業性とＣＭＰ処理時の研磨の均一性を更
に一層向上させることはできない。
１に吸着する場合と、ウエハ２５をテーブル２７に押圧
する場合とにおいて好ましい条件が異なるものとなる。
従って、一般的には、図５に示すように、通気孔２２ａ
を裏面パッド２３及びステージ２２の中心からその半径
の約１／２の距離を結ぶ円周上に配列することにより、
図６及び７に示す場合の問題点と、図８及び９に示す場
合の問題点とを緩和している。その結果、搬送時の適切
な吸引条件及びＣＭＰ処理時の適切な加圧条件が狭くな
り、搬送時の作業性とＣＭＰ処理時の研磨の均一性を更
に一層向上させることはできない。
【００１３】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、ウエハの搬送時における作業性を向上させ
ることができると共に、ウエハの表面を均一にＣＭＰ処
理することができるＣＭＰ装置を提供することを目的と
する。
のであって、ウエハの搬送時における作業性を向上させ
ることができると共に、ウエハの表面を均一にＣＭＰ処
理することができるＣＭＰ装置を提供することを目的と
する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明に係る化学機械研
磨装置は、ウエハ保持面を有するステージと、前記ウエ
ハ保持面に設けられた押圧用孔と、前記ウエハ保持面の
前記押圧用孔よりも外周縁側に設けられた吸着用孔と、
前記押圧用孔及び吸着用孔に接続されたポンプと、前記
押圧用孔内の気体の流路に設けられ前記ポンプによる気
体の排出方向へのコンダクタンスが前記排出方向に反対
の方向へのコンダクタンスよりも高い第１のフィルタ
と、前記吸着用孔内の気体の流路に設けられ前記ポンプ
による気体の吸引方向へのコンダクタンスが前記吸引方
向に反対の方向へのコンダクタンスよりも高い第２のフ
ィルタと、を有することを特徴とする。
磨装置は、ウエハ保持面を有するステージと、前記ウエ
ハ保持面に設けられた押圧用孔と、前記ウエハ保持面の
前記押圧用孔よりも外周縁側に設けられた吸着用孔と、
前記押圧用孔及び吸着用孔に接続されたポンプと、前記
押圧用孔内の気体の流路に設けられ前記ポンプによる気
体の排出方向へのコンダクタンスが前記排出方向に反対
の方向へのコンダクタンスよりも高い第１のフィルタ
と、前記吸着用孔内の気体の流路に設けられ前記ポンプ
による気体の吸引方向へのコンダクタンスが前記吸引方
向に反対の方向へのコンダクタンスよりも高い第２のフ
ィルタと、を有することを特徴とする。
【００１５】第１のフィルタ及び第２のフィルタは複数
の粒子を有し、気体の通流方向上流側の粒子の大きさが
気体の通流方向下流側の粒子の大きさよりも小さいもの
とすることができる。また、前記第１のフィルタは前記
ポンプによる排出方向のみへの気体の通流を可能にする
ものであり、前記第２のフィルタは前記ポンプによる吸
引方向のみへの気体の通流を可能にするものであること
が好ましい。
の粒子を有し、気体の通流方向上流側の粒子の大きさが
気体の通流方向下流側の粒子の大きさよりも小さいもの
とすることができる。また、前記第１のフィルタは前記
ポンプによる排出方向のみへの気体の通流を可能にする
ものであり、前記第２のフィルタは前記ポンプによる吸
引方向のみへの気体の通流を可能にするものであること
が好ましい。
【００１６】更に、前記押圧用孔は前記ウエハ保持面の
中心からその半径の１／２の距離を離間した位置よりも
中心側に設けられていることが好ましく、前記吸着用孔
は前記ウエハ保持面の中心からその半径の１／２の距離
を離間した位置よりも外周縁側に設けられていることが
望ましい。
中心からその半径の１／２の距離を離間した位置よりも
中心側に設けられていることが好ましく、前記吸着用孔
は前記ウエハ保持面の中心からその半径の１／２の距離
を離間した位置よりも外周縁側に設けられていることが
望ましい。
【００１７】本発明においては、押圧用孔内の気体の流
路に設けられた第１のフィルタが、気体の排出方向への
コンダクタンスがこれに反対の方向へのコンダクタンス
よりも高いものであり、吸着用孔内の気体の流路に設け
られた第２のフィルタが、気体の吸着方向へのコンダク
タンスがこれに反対の方向へのコンダクタンスよりも高
いものであるので、研磨処理時においては、気体が押圧
用孔を介してウエハを加圧する力が、吸着用孔を介して
ウエハを加圧する力よりも大きくなる。そして、押圧用
孔は吸着用孔よりもウエハ保持面の中央寄りに設けられ
ているので、押圧されたウエハは中央が下方に湾曲した
形状となり、研磨のための回転テーブルとウエハとの間
に側方から研磨剤が侵入しやすく、ウエハの中央部まで
均一に研磨することができる。
路に設けられた第１のフィルタが、気体の排出方向への
コンダクタンスがこれに反対の方向へのコンダクタンス
よりも高いものであり、吸着用孔内の気体の流路に設け
られた第２のフィルタが、気体の吸着方向へのコンダク
タンスがこれに反対の方向へのコンダクタンスよりも高
いものであるので、研磨処理時においては、気体が押圧
用孔を介してウエハを加圧する力が、吸着用孔を介して
ウエハを加圧する力よりも大きくなる。そして、押圧用
孔は吸着用孔よりもウエハ保持面の中央寄りに設けられ
ているので、押圧されたウエハは中央が下方に湾曲した
形状となり、研磨のための回転テーブルとウエハとの間
に側方から研磨剤が侵入しやすく、ウエハの中央部まで
均一に研磨することができる。
【００１８】また、研磨処理後においては、第１及び第
２のフィルタにより、気体が吸着用孔を介してウエハを
吸引する力が、押圧用孔を介してウエハを吸引する力よ
りも大きくなる。吸着用孔は押圧用孔よりもウエハ保持
面の外周縁側に設けられているので、吸着されたウエハ
はその周縁部が上方に湾曲した形状（凹状）になって、
研磨処理後に回転テーブルとウエハとの密着力を低減す
ることができ、搬送ミスの発生を抑制することができ
る。
２のフィルタにより、気体が吸着用孔を介してウエハを
吸引する力が、押圧用孔を介してウエハを吸引する力よ
りも大きくなる。吸着用孔は押圧用孔よりもウエハ保持
面の外周縁側に設けられているので、吸着されたウエハ
はその周縁部が上方に湾曲した形状（凹状）になって、
研磨処理後に回転テーブルとウエハとの密着力を低減す
ることができ、搬送ミスの発生を抑制することができ
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例に係る化学
機械研磨装置について、添付の図面を参照して具体的に
説明する。図１（ａ）は本発明の実施例に係る化学機械
研磨装置の一部を示す断面図であり、１（ｂ）はそのウ
エハ保持面を示す平面図である。また、図２はウエハを
吸着した状態を示す断面図であり、図３はウエハを押圧
した状態を示す断面図である。但し、図１乃至３は化学
機械研磨装置のウエハホルダを示しており、図１（ａ）
はウエハホルダにウエハが保持されている状態を示して
いる。
機械研磨装置について、添付の図面を参照して具体的に
説明する。図１（ａ）は本発明の実施例に係る化学機械
研磨装置の一部を示す断面図であり、１（ｂ）はそのウ
エハ保持面を示す平面図である。また、図２はウエハを
吸着した状態を示す断面図であり、図３はウエハを押圧
した状態を示す断面図である。但し、図１乃至３は化学
機械研磨装置のウエハホルダを示しており、図１（ａ）
はウエハホルダにウエハが保持されている状態を示して
いる。
【００２０】図１に示すように、ステージ２の裏面上に
は裏面パッド３が貼付されており、裏面パッド３の表面
がウエハ保持面となる。図１（ｂ）に示すように、ステ
ージ２及び裏面パッド３には、その中心から半径の１／
２の距離を離間した位置よりも中心側に押圧用孔２ａが
円周上に設けられていると共に、中心から半径の１／２
の距離を離間した位置よりも外周縁側に吸着用孔２ｂが
円周上に設けられている。即ち、押圧用孔２ａはウエハ
保持面の中央部近傍にウエハ保持面に直交する方向に延
びるように設けられており、吸着用孔２ｂはウエハ保持
面の周縁部近傍に吸着用孔２ａに平行な方向に延びるよ
うに設けられている。
は裏面パッド３が貼付されており、裏面パッド３の表面
がウエハ保持面となる。図１（ｂ）に示すように、ステ
ージ２及び裏面パッド３には、その中心から半径の１／
２の距離を離間した位置よりも中心側に押圧用孔２ａが
円周上に設けられていると共に、中心から半径の１／２
の距離を離間した位置よりも外周縁側に吸着用孔２ｂが
円周上に設けられている。即ち、押圧用孔２ａはウエハ
保持面の中央部近傍にウエハ保持面に直交する方向に延
びるように設けられており、吸着用孔２ｂはウエハ保持
面の周縁部近傍に吸着用孔２ａに平行な方向に延びるよ
うに設けられている。
【００２１】また、ステージ２の内部には、これらの押
圧用孔２ａ及び吸着用孔２ｂに接続された空隙部２ｃが
設けられている。更に、押圧用孔２ａと空隙部２ｃとの
間には、空隙部２ｃ側からウエハ保持面側のみへの気体
の通流を可能とする第１のフィルタ８ａが配置されてお
り、吸着用孔２ｂと空隙部２ｃとの間には、ウエハ保持
面側から空隙部２ｃ側のみへの気体の通流を可能とする
第２のフィルタ８ｂが配置されている。
圧用孔２ａ及び吸着用孔２ｂに接続された空隙部２ｃが
設けられている。更に、押圧用孔２ａと空隙部２ｃとの
間には、空隙部２ｃ側からウエハ保持面側のみへの気体
の通流を可能とする第１のフィルタ８ａが配置されてお
り、吸着用孔２ｂと空隙部２ｃとの間には、ウエハ保持
面側から空隙部２ｃ側のみへの気体の通流を可能とする
第２のフィルタ８ｂが配置されている。
【００２２】更に、ステージ２の上壁面には、空隙部２
ｂ内の気体を吸引するか又は空隙部２ｂ内に気体を供給
するための通気孔２ｄを有する接続部６が形成されてお
り、この接続部６はポンプ（図示せず）に接続されてい
る。更にまた、ステージ２及び裏面パッド３の端面に
は、これらを取り囲むように保持リング４が取り付けら
れている。この保持リング４は、裏面パッド３の表面か
ら下方に若干突出しており、この保持リング４によりウ
エハ５の端面が保持されるようになっている。このよう
にして、化学機械研磨装置のウエハホルダ１が構成され
ている。
ｂ内の気体を吸引するか又は空隙部２ｂ内に気体を供給
するための通気孔２ｄを有する接続部６が形成されてお
り、この接続部６はポンプ（図示せず）に接続されてい
る。更にまた、ステージ２及び裏面パッド３の端面に
は、これらを取り囲むように保持リング４が取り付けら
れている。この保持リング４は、裏面パッド３の表面か
ら下方に若干突出しており、この保持リング４によりウ
エハ５の端面が保持されるようになっている。このよう
にして、化学機械研磨装置のウエハホルダ１が構成され
ている。
【００２３】なお、図４に示すように、例えば、第１の
フィルタ８ａは大きさが異なる複数の粒子９ａ及び９ｂ
からなるものであり、ウエハの押圧方向１０の上流側の
粒子９ｂの大きさが押圧方向１０の下流側の粒子の大き
さよりも小さくなっている。この構造により、空隙部２
ｃ側から押圧用孔２ａを介してウエハ保持面側に気体を
通流させることができるが、その反対の方向へは気体は
通流しないようになっている。
フィルタ８ａは大きさが異なる複数の粒子９ａ及び９ｂ
からなるものであり、ウエハの押圧方向１０の上流側の
粒子９ｂの大きさが押圧方向１０の下流側の粒子の大き
さよりも小さくなっている。この構造により、空隙部２
ｃ側から押圧用孔２ａを介してウエハ保持面側に気体を
通流させることができるが、その反対の方向へは気体は
通流しないようになっている。
【００２４】一方、第２のフィルタ８ｂとしては、図４
に示すフィルタ８ａの上下方向を逆にして配置すればよ
い。即ち、大きさが異なる複数の粒子からなるフィルタ
を使用し、より一層小さい粒子が配列されている面を吸
引方向の上流側、より一層大きい粒子が配列されている
面を吸引方向の下流側となるように、フィルタを配置す
る。これにより、ウエハ保持面側から吸着用孔２ｂを介
して空隙部２ｃ側に気体を通流させ、その反対の方向へ
は気体が通流しないようにすることができる。
に示すフィルタ８ａの上下方向を逆にして配置すればよ
い。即ち、大きさが異なる複数の粒子からなるフィルタ
を使用し、より一層小さい粒子が配列されている面を吸
引方向の上流側、より一層大きい粒子が配列されている
面を吸引方向の下流側となるように、フィルタを配置す
る。これにより、ウエハ保持面側から吸着用孔２ｂを介
して空隙部２ｃ側に気体を通流させ、その反対の方向へ
は気体が通流しないようにすることができる。
【００２５】このように構成されたウエハホルダ１によ
りウエハを保持して、ウエハ５の表面を研磨する場合に
は、先ず、ウエハホルダ１の保持リング４内にウエハ５
を保持した後、接続部６に接続された真空ポンプを駆動
する。このとき、吸着用孔２ｂにおいては、ウエハ保持
面側から空隙部２ｃ側に向かって気体が通流するが、押
圧用孔２ａにおいては、ウエハ保持面側から空隙部２ｃ
側への気体の通流がフィルタ２ａにより阻止されている
ので、図２に示すように、吸着用孔２ｂ内のみが真空と
なり、ウエハ５の周縁部が真空吸着される。次に、ウエ
ハ５を吸着した状態で回転するテーブル（図示せず）上
にウエハ５を搬送する。
りウエハを保持して、ウエハ５の表面を研磨する場合に
は、先ず、ウエハホルダ１の保持リング４内にウエハ５
を保持した後、接続部６に接続された真空ポンプを駆動
する。このとき、吸着用孔２ｂにおいては、ウエハ保持
面側から空隙部２ｃ側に向かって気体が通流するが、押
圧用孔２ａにおいては、ウエハ保持面側から空隙部２ｃ
側への気体の通流がフィルタ２ａにより阻止されている
ので、図２に示すように、吸着用孔２ｂ内のみが真空と
なり、ウエハ５の周縁部が真空吸着される。次に、ウエ
ハ５を吸着した状態で回転するテーブル（図示せず）上
にウエハ５を搬送する。
【００２６】次いで、接続部６に接続された加圧ポンプ
を駆動する。このとき、押圧用孔２ａにおいては、空隙
部２ｃ側からウエハ保持面側に向かって気体が通流する
が、吸着用孔２ｂにおいては、空隙部２ｃ側からウエハ
保持面側への気体の通流がフィルタ８ｂにより阻止され
ているので、空隙部２ｃ内で圧縮された気体は押圧用孔
２ａからのみ排出される。従って、図３に示すように、
ウエハ５の中央部に、その周縁部よりも大きな荷重が印
加されて、ウエハ５が回転するテーブル７の表面に押圧
され、ウエハ５の表面が研磨される。その後、再度、接
続部６に接続された真空ポンプを駆動することにより、
ウエハ５の周縁部を吸着用孔２ｂにより吸着させて、ウ
エハ５を所定の位置まで搬送する。
を駆動する。このとき、押圧用孔２ａにおいては、空隙
部２ｃ側からウエハ保持面側に向かって気体が通流する
が、吸着用孔２ｂにおいては、空隙部２ｃ側からウエハ
保持面側への気体の通流がフィルタ８ｂにより阻止され
ているので、空隙部２ｃ内で圧縮された気体は押圧用孔
２ａからのみ排出される。従って、図３に示すように、
ウエハ５の中央部に、その周縁部よりも大きな荷重が印
加されて、ウエハ５が回転するテーブル７の表面に押圧
され、ウエハ５の表面が研磨される。その後、再度、接
続部６に接続された真空ポンプを駆動することにより、
ウエハ５の周縁部を吸着用孔２ｂにより吸着させて、ウ
エハ５を所定の位置まで搬送する。
【００２７】本実施例においては、ウエハ５をテーブル
７に押圧するときには、図３に示すように、押圧された
ウエハ５は中央が下方に湾曲した形状（凹状）となるの
で、テーブル７とウエハ５との間に側方から研磨剤が侵
入しやすく、ウエハ５の中央部まで均一に研磨すること
ができる。
７に押圧するときには、図３に示すように、押圧された
ウエハ５は中央が下方に湾曲した形状（凹状）となるの
で、テーブル７とウエハ５との間に側方から研磨剤が侵
入しやすく、ウエハ５の中央部まで均一に研磨すること
ができる。
【００２８】また、化学機械研磨処理後に再度ウエハ５
を搬送するためにウエハ５を吸着したときには、図２に
示すように、ウエハ２５の周縁部を吸引するので、その
周縁部が上方に湾曲した形状（凹状）になる。従って、
化学機械研磨処理後にウテーブル２７とウエハ２５との
密着力を低減することができ、搬送ミスの発生を抑制す
ることができる。
を搬送するためにウエハ５を吸着したときには、図２に
示すように、ウエハ２５の周縁部を吸引するので、その
周縁部が上方に湾曲した形状（凹状）になる。従って、
化学機械研磨処理後にウテーブル２７とウエハ２５との
密着力を低減することができ、搬送ミスの発生を抑制す
ることができる。
【００２９】なお、本実施例において使用した第１のフ
ィルタ８ａ及び第２のフィルタ８ｂは、一方の方向のみ
への気体の通流を可能とするものであるが、本発明にお
いては、一方の方向へのコンダクタンスがその方向に反
対（他方）の方向へのコンダクタンスよりも高いフィル
タを使用してもよい。そうすると、このフィルタを介し
て気体を通流させるときに、一方の方向への気体の通流
が他方の方向への通流よりも容易になり、選択性を得る
ことができるので、本実施例と同様の効果を得ることが
できる。
ィルタ８ａ及び第２のフィルタ８ｂは、一方の方向のみ
への気体の通流を可能とするものであるが、本発明にお
いては、一方の方向へのコンダクタンスがその方向に反
対（他方）の方向へのコンダクタンスよりも高いフィル
タを使用してもよい。そうすると、このフィルタを介し
て気体を通流させるときに、一方の方向への気体の通流
が他方の方向への通流よりも容易になり、選択性を得る
ことができるので、本実施例と同様の効果を得ることが
できる。
【００３０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
押圧用孔内及び吸着用孔内の気体の流路にフィルタが設
けられており、このフィルタが気体の通流方向を選択的
に決定するので、研磨処理時においては押圧されたウエ
ハは中央が下方に湾曲した形状となり、ウエハの中央部
まで均一に研磨することができると共に、研磨処理後に
おいては吸着されたウエハはその周縁部が上方に湾曲し
た形状になり、研磨処理後の搬送ミスの発生を抑制する
ことができる。
押圧用孔内及び吸着用孔内の気体の流路にフィルタが設
けられており、このフィルタが気体の通流方向を選択的
に決定するので、研磨処理時においては押圧されたウエ
ハは中央が下方に湾曲した形状となり、ウエハの中央部
まで均一に研磨することができると共に、研磨処理後に
おいては吸着されたウエハはその周縁部が上方に湾曲し
た形状になり、研磨処理後の搬送ミスの発生を抑制する
ことができる。
【図１】（ａ）は本発明の実施例に係る化学機械研磨装
置の一部を示す断面図であり、（ｂ）はそのウエハ保持
面を示す平面図である。
置の一部を示す断面図であり、（ｂ）はそのウエハ保持
面を示す平面図である。
【図２】ウエハを吸着した状態を示す断面図である。
【図３】ウエハを押圧した状態を示す断面図である。
【図４】本実施例において使用するフィルタの構造を示
す模式図である。
す模式図である。
【図５】（ａ）は従来のＣＭＰ装置の一部を示す断面図
であり、（ｂ）はそのウエハ保持面を示す平面図であ
る。
であり、（ｂ）はそのウエハ保持面を示す平面図であ
る。
【図６】（ａ）は図５に示す通気孔よりも中央寄りに通
気孔が設けられたＣＭＰ装置の一部を示す断面図であ
り、（ｂ）はそのウエハ保持面を示す平面図である。
気孔が設けられたＣＭＰ装置の一部を示す断面図であ
り、（ｂ）はそのウエハ保持面を示す平面図である。
【図７】（ａ）は図６に示すＣＭＰ装置を使用してウエ
ハを吸着した状態を示す断面図であり、（ｂ）はウエハ
を押圧した状態を示す断面図である。
ハを吸着した状態を示す断面図であり、（ｂ）はウエハ
を押圧した状態を示す断面図である。
【図８】（ａ）は図５に示す通気孔よりも外周縁側に通
気孔が設けられたＣＭＰ装置の一部を示す断面図であ
り、（ｂ）はそのウエハ保持面を示す平面図である。
気孔が設けられたＣＭＰ装置の一部を示す断面図であ
り、（ｂ）はそのウエハ保持面を示す平面図である。
【図９】（ａ）は図８に示すＣＭＰ装置を使用してウエ
ハを吸着した状態を示す断面図であり、（ｂ）はウエハ
を押圧した状態を示す断面図である。
ハを吸着した状態を示す断面図であり、（ｂ）はウエハ
を押圧した状態を示す断面図である。
１，２１；ウエハホルダ ２，２２；ステージ ２ａ；押圧用孔 ２ｂ；吸着用孔 ２ｃ，２２ｂ；空隙部 ２ｄ，２２ａ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅ；通気孔 ３，２３；パッド ４，２４；保持リング ５，２５；ウエハ ６，２６；接続部 ７，２７；テーブル ８ａ，８ｂ；フィルタ ９ａ，９ｂ；粒子
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１月１１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】第１のフィルタ及び第２のフィルタは複数
の粒子を有し、気体の通流方向上流側の粒子の大きさが
気体の通流方向下流側の粒子の大きさよりも大きいもの
とすることができる。また、前記第１のフィルタは前記
ポンプによる排出方向のみへの気体の通流を可能にする
ものであり、前記第２のフィルタは前記ポンプによる吸
引方向のみへの気体の通流を可能にするものであること
が好ましい。
の粒子を有し、気体の通流方向上流側の粒子の大きさが
気体の通流方向下流側の粒子の大きさよりも大きいもの
とすることができる。また、前記第１のフィルタは前記
ポンプによる排出方向のみへの気体の通流を可能にする
ものであり、前記第２のフィルタは前記ポンプによる吸
引方向のみへの気体の通流を可能にするものであること
が好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】なお、図４に示すように、例えば、第１の
フィルタ８ａは大きさが異なる複数の粒子９ａ及び９ｂ
からなるものであり、ウエハの押圧方向１０の上流側の
粒子９ｂの大きさが押圧方向１０の下流側の粒子の大き
さよりも大きくなっている。この構造により、空隙部２
ｃ側から押圧用孔２ａを介してウエハ保持面側に気体を
通流させることができるが、その反対の方向へは気体は
通流しないようになっている。
フィルタ８ａは大きさが異なる複数の粒子９ａ及び９ｂ
からなるものであり、ウエハの押圧方向１０の上流側の
粒子９ｂの大きさが押圧方向１０の下流側の粒子の大き
さよりも大きくなっている。この構造により、空隙部２
ｃ側から押圧用孔２ａを介してウエハ保持面側に気体を
通流させることができるが、その反対の方向へは気体は
通流しないようになっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】一方、第２のフィルタ８ｂとしては、図４
に示すフィルタ８ａの上下方向を逆にして配置すればよ
い。即ち、大きさが異なる複数の粒子からなるフィルタ
を使用し、より一層小さい粒子が配列されている面を吸
引方向の下流側、より一層大きい粒子が配列されている
面を吸引方向の上流側となるように、フィルタを配置す
る。これにより、ウエハ保持面側から吸着用孔２ｂを介
して空隙部２ｃ側に気体を通流させ、その反対の方向へ
は気体が通流しないようにすることができる。 ─────────────────────────────────────────────────────
に示すフィルタ８ａの上下方向を逆にして配置すればよ
い。即ち、大きさが異なる複数の粒子からなるフィルタ
を使用し、より一層小さい粒子が配列されている面を吸
引方向の下流側、より一層大きい粒子が配列されている
面を吸引方向の上流側となるように、フィルタを配置す
る。これにより、ウエハ保持面側から吸着用孔２ｂを介
して空隙部２ｃ側に気体を通流させ、その反対の方向へ
は気体が通流しないようにすることができる。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年５月６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明に係る化学機械研
磨装置は、ウエハ保持面を有するステージと、前記ステ
ージに設けられた押圧用孔と、前記ステージの前記押圧
用孔よりも外周縁側に設けられた吸着用孔と、前記押圧
用孔及び吸着用孔に前記ウエハ保持面の反対側の面で連
通する空間に接続されてこの空間を加圧又は吸引するポ
ンプと、前記押圧用孔の気体の流路に設けられ前記空間
から前記ウエハ保持面側へのコンダクタンスがその逆方
向へのコンダクタンスよりも高い第１の逆止弁又はフィ
ルタと、前記吸着用孔の気体の流路に設けられ前記ウエ
ハ保持面側から前記空間へのコンダクタンスがその逆方
向へのコンダクタンスよりも高い第２の逆止弁又はフィ
ルタと、を有することを特徴とする。
磨装置は、ウエハ保持面を有するステージと、前記ステ
ージに設けられた押圧用孔と、前記ステージの前記押圧
用孔よりも外周縁側に設けられた吸着用孔と、前記押圧
用孔及び吸着用孔に前記ウエハ保持面の反対側の面で連
通する空間に接続されてこの空間を加圧又は吸引するポ
ンプと、前記押圧用孔の気体の流路に設けられ前記空間
から前記ウエハ保持面側へのコンダクタンスがその逆方
向へのコンダクタンスよりも高い第１の逆止弁又はフィ
ルタと、前記吸着用孔の気体の流路に設けられ前記ウエ
ハ保持面側から前記空間へのコンダクタンスがその逆方
向へのコンダクタンスよりも高い第２の逆止弁又はフィ
ルタと、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】本発明においては、押圧用孔の気体の流路
に設けられた第１のフィルタが、ポンプに接続された空
間からウエハ保持面側へのコンダクタンスがその逆方向
へのコンダクタンスよりも高いものであり、吸着用孔の
気体の流路に設けられた第２のフィルタが、前記ウエハ
保持面側から前記空間へのコンダクタンスがその逆方向
へのコンダクタンスよりも高いものであるので、研磨処
理時においては、気体が押圧用孔を介してウエハを加圧
する力が、吸着用孔を介してウエハを加圧する力よりも
大きくなる。そして、押圧用孔は吸着用孔よりもウエハ
保持面の中央よりに設けられているので、押圧されたウ
エハは中央が下方に湾曲した形状となり、研磨のための
回転テーブルとウエハとの間に側方から研磨剤が侵入し
やすく、ウエハの中央部まで均一に研磨することができ
る。
に設けられた第１のフィルタが、ポンプに接続された空
間からウエハ保持面側へのコンダクタンスがその逆方向
へのコンダクタンスよりも高いものであり、吸着用孔の
気体の流路に設けられた第２のフィルタが、前記ウエハ
保持面側から前記空間へのコンダクタンスがその逆方向
へのコンダクタンスよりも高いものであるので、研磨処
理時においては、気体が押圧用孔を介してウエハを加圧
する力が、吸着用孔を介してウエハを加圧する力よりも
大きくなる。そして、押圧用孔は吸着用孔よりもウエハ
保持面の中央よりに設けられているので、押圧されたウ
エハは中央が下方に湾曲した形状となり、研磨のための
回転テーブルとウエハとの間に側方から研磨剤が侵入し
やすく、ウエハの中央部まで均一に研磨することができ
る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】図１に示すように、ステージ２の裏面上に
は裏面パッド３が貼付されており、裏面パッド３の表面
がウエハ保持面となる。図１（ｂ）に示すように、ステ
ージ２及び裏面パッド３には、その中心から半径の１／
２の距離を離間した位置よりも中心側に押圧用孔２ａが
円周上に設けられていると共に、中心から半径の１／２
の距離を離間した入りよりも外周縁側に吸着用孔２ｂが
円周上に設けられている。即ち、押圧用孔２ａはウエハ
保持面の中央部近傍にウエハ保持面に直交する方向に延
びるように設けられており、吸着用孔２ｂはウエハ保持
面の周縁部近傍に押圧用孔２ａに平行な方向に延びるよ
うに設けられている。
は裏面パッド３が貼付されており、裏面パッド３の表面
がウエハ保持面となる。図１（ｂ）に示すように、ステ
ージ２及び裏面パッド３には、その中心から半径の１／
２の距離を離間した位置よりも中心側に押圧用孔２ａが
円周上に設けられていると共に、中心から半径の１／２
の距離を離間した入りよりも外周縁側に吸着用孔２ｂが
円周上に設けられている。即ち、押圧用孔２ａはウエハ
保持面の中央部近傍にウエハ保持面に直交する方向に延
びるように設けられており、吸着用孔２ｂはウエハ保持
面の周縁部近傍に押圧用孔２ａに平行な方向に延びるよ
うに設けられている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】また、ウエハホルダ１の内部には、これら
の押圧用孔２ａ及び吸着用孔２ｂに接続された空隙部２
ｃが設けられている。更に、押圧用孔２ａと空隙部２ｃ
との間には、空隙部２ｃ側からウエハ保持面側のみへの
気体の通流を可能とする第１のフィルタ８ａが配置され
ており、吸着用孔２ｂと空隙部２ｃとの間には、ウエハ
保持面側から空隙部２ｃ側のみへの気体の通流を可能と
する第２のフィルタ８ｂが配置されている。
の押圧用孔２ａ及び吸着用孔２ｂに接続された空隙部２
ｃが設けられている。更に、押圧用孔２ａと空隙部２ｃ
との間には、空隙部２ｃ側からウエハ保持面側のみへの
気体の通流を可能とする第１のフィルタ８ａが配置され
ており、吸着用孔２ｂと空隙部２ｃとの間には、ウエハ
保持面側から空隙部２ｃ側のみへの気体の通流を可能と
する第２のフィルタ８ｂが配置されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】更に、ステージ２の上壁面には、空隙部２
ｃ内の気体を吸引するか又は空隙部２ｃ内に気体を供給
するための通気孔２ｄを有する接続部６が形成されてお
り、この接続部６はポンプ（図示せず）に接続されてい
る。更にまた、ステージ２及び裏面パッド３の端面に
は、これらを取り囲むように保持リング４が取り付けら
れている。この保持リング４は、裏面パッド３の表面か
ら下方に若干突出しており、この保持リング４によりウ
エハ５の端面が保持されるようになっている。このよう
にして、化学機械研磨装置のウエハホルダ１が構成され
ている。
ｃ内の気体を吸引するか又は空隙部２ｃ内に気体を供給
するための通気孔２ｄを有する接続部６が形成されてお
り、この接続部６はポンプ（図示せず）に接続されてい
る。更にまた、ステージ２及び裏面パッド３の端面に
は、これらを取り囲むように保持リング４が取り付けら
れている。この保持リング４は、裏面パッド３の表面か
ら下方に若干突出しており、この保持リング４によりウ
エハ５の端面が保持されるようになっている。このよう
にして、化学機械研磨装置のウエハホルダ１が構成され
ている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】なお、図４に示すように、例えば、第１の
フィルタ８ａは大きさが異なる複数の粒子９ａ及び９ｂ
からなるものであり、ウエハの押圧方向１０の上流側の
粒子９ａの大きさが押圧方向１０の下流側の粒子９ｂの
大きさよりも大きくなっている。この構造により、空隙
部２ｃ側から押圧用孔２ａを介してウエハ保持面側に気
体を通流させることできるが、その反対の方向へは気体
は通流しないようになっている。
フィルタ８ａは大きさが異なる複数の粒子９ａ及び９ｂ
からなるものであり、ウエハの押圧方向１０の上流側の
粒子９ａの大きさが押圧方向１０の下流側の粒子９ｂの
大きさよりも大きくなっている。この構造により、空隙
部２ｃ側から押圧用孔２ａを介してウエハ保持面側に気
体を通流させることできるが、その反対の方向へは気体
は通流しないようになっている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】一方、第２のフィルタ８ｂとしては、図４
に示すフィルタ８ａの上下方向を逆にして配置すればよ
い。即ち、大きさが異なる複数の粒子からなるフィルタ
を使用し、より一層小さい粒子が配列されている面を吸
引方向（ウエハ保持面側から空隙部２ｃ側）の下流側、
より一層大きい粒子が配列されている面を吸引方向の上
流側となるように、フィルタを配置する。これにより、
ウエハ保持面側から吸着用孔２ｂを介して空隙部２ｃ側
に気体を通流させ、その反対の方向へは気体が通流しな
いようにすることができる。
に示すフィルタ８ａの上下方向を逆にして配置すればよ
い。即ち、大きさが異なる複数の粒子からなるフィルタ
を使用し、より一層小さい粒子が配列されている面を吸
引方向（ウエハ保持面側から空隙部２ｃ側）の下流側、
より一層大きい粒子が配列されている面を吸引方向の上
流側となるように、フィルタを配置する。これにより、
ウエハ保持面側から吸着用孔２ｂを介して空隙部２ｃ側
に気体を通流させ、その反対の方向へは気体が通流しな
いようにすることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２８】また、化学機械研磨処理後に再度ウエハ５
を搬送するためにウエハ５を吸着したときには、図２に
示すように、ウエハ５の周縁部を吸引するので、その周
縁部が上方に湾曲した形状（凹状）になる。従って、化
学機械研磨処理後にウエハテーブル７とウエハ５との密
着力を低減することができ、搬送ミスの発生を抑制する
ことができる。
を搬送するためにウエハ５を吸着したときには、図２に
示すように、ウエハ５の周縁部を吸引するので、その周
縁部が上方に湾曲した形状（凹状）になる。従って、化
学機械研磨処理後にウエハテーブル７とウエハ５との密
着力を低減することができ、搬送ミスの発生を抑制する
ことができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２９】なお、本実施例において使用した第１のフ
ィルタ８ａ及び第２のフィルタ８ｂは、一方の方向のみ
への気体の通流を可能とするものであるが、本発明にお
いては、一方の方向へのコンダクタンスがその方向に反
対（他方）の方向へのコンダクタンスよりも高いフィル
タを使用してもよい。そうすると、このフィルタを介し
て気体を通流させるときに、一方の方向への気体の通流
が他方の方向への通流よりも容易になり、選択性を得る
ことができるので、本実施例と同様の効果を得ることが
できる。また、上記実施例においては、空隙部２ｃから
ウエハ保持面側へのコンダクタンスがその逆方向へのコ
ンダクタンスよりも高い第１の逆止弁又はフィルタと、
前記ウエハ保持面側から空隙部２ｃへのコンダクタンス
がその逆方向へのコンダクタンスよりも高い第２の逆止
弁又はフィルタとして、大きさが異なる複数の粒子を有
するフィルタ８ａ，８ｂを使用したが、本発明はこれに
限らず、一方向への気体の通流のみを可能とする逆止弁
を使用することもできる。この逆止弁を使用することに
より、装置構成が簡易になるという利点がある。
ィルタ８ａ及び第２のフィルタ８ｂは、一方の方向のみ
への気体の通流を可能とするものであるが、本発明にお
いては、一方の方向へのコンダクタンスがその方向に反
対（他方）の方向へのコンダクタンスよりも高いフィル
タを使用してもよい。そうすると、このフィルタを介し
て気体を通流させるときに、一方の方向への気体の通流
が他方の方向への通流よりも容易になり、選択性を得る
ことができるので、本実施例と同様の効果を得ることが
できる。また、上記実施例においては、空隙部２ｃから
ウエハ保持面側へのコンダクタンスがその逆方向へのコ
ンダクタンスよりも高い第１の逆止弁又はフィルタと、
前記ウエハ保持面側から空隙部２ｃへのコンダクタンス
がその逆方向へのコンダクタンスよりも高い第２の逆止
弁又はフィルタとして、大きさが異なる複数の粒子を有
するフィルタ８ａ，８ｂを使用したが、本発明はこれに
限らず、一方向への気体の通流のみを可能とする逆止弁
を使用することもできる。この逆止弁を使用することに
より、装置構成が簡易になるという利点がある。
Claims (7)
- 【請求項１】 ウエハ保持面を有するステージと、前記
ウエハ保持面に設けられた押圧用孔と、前記ウエハ保持
面の前記押圧用孔よりも外周縁側に設けられた吸着用孔
と、前記押圧用孔及び吸着用孔に接続されたポンプと、
前記押圧用孔内の気体の流路に設けられ前記ポンプによ
る気体の排出方向へのコンダクタンスが前記排出方向に
反対の方向へのコンダクタンスよりも高い第１のフィル
タと、前記吸着用孔内の気体の流路に設けられ前記ポン
プによる気体の吸引方向へのコンダクタンスが前記吸引
方向に反対の方向へのコンダクタンスよりも高い第２の
フィルタと、を有することを特徴とする化学機械研磨装
置。 - 【請求項２】 前記第１のフィルタ及び第２のフィルタ
は複数の粒子を有し、気体の通流方向上流側の粒子の大
きさが気体の通流方向下流側の粒子の大きさよりも小さ
いことを特徴とする請求項１に記載の化学機械研磨装
置。 - 【請求項３】 前記第１のフィルタは前記ポンプによる
排出方向のみへの気体の通流を可能にするものであり、
前記第２のフィルタは前記ポンプによる吸引方向のみへ
の気体の通流を可能にするものであることを特徴とする
請求項１又は２に記載の化学機械研磨装置。 - 【請求項４】 前記押圧用孔は前記ウエハ保持面の中心
からその半径の１／２の距離を離間した位置よりも中心
側に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３の
いずれか１項に記載の化学機械研磨装置。 - 【請求項５】 前記吸着用孔は前記ウエハ保持面の中心
からその半径の１／２の距離を離間した位置よりも外周
縁側に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４
のいずれか１項に記載の化学機械研磨装置。 - 【請求項６】 前記ステージは、前記ウエハ保持面側に
設けられたパッドを有することを特徴とする請求項１乃
至５のいずれか１項に記載の化学機械研磨装置。 - 【請求項７】 前記ステージの周端面上に取り付けられ
前記ウエハをその周端面で保持する保持リングを有する
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載
の化学機械研磨装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10992098A JPH11300608A (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 化学機械研磨装置 |
| US09/294,677 US6102788A (en) | 1998-04-20 | 1999-04-19 | Semiconductor wafer carrier stage for chemical mechanical polishing apparatus |
| KR1019990013777A KR19990083307A (ko) | 1998-04-20 | 1999-04-19 | 화학적기계적연마장치 |
| GB9909037A GB2336555B (en) | 1998-04-20 | 1999-04-20 | Polishing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10992098A JPH11300608A (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 化学機械研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11300608A true JPH11300608A (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=14522487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10992098A Pending JPH11300608A (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 化学機械研磨装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6102788A (ja) |
| JP (1) | JPH11300608A (ja) |
| KR (1) | KR19990083307A (ja) |
| GB (1) | GB2336555B (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6645050B1 (en) | 1999-02-25 | 2003-11-11 | Applied Materials, Inc. | Multimode substrate carrier |
| US6276998B1 (en) * | 1999-02-25 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Padless substrate carrier |
| US6431968B1 (en) * | 1999-04-22 | 2002-08-13 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a compressible film |
| ITMI20012014A1 (it) * | 2001-09-27 | 2003-03-27 | Lpe Spa | Utensile per maneggiare fette e stazione per crescita epitassiale |
| KR100649007B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-11-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 화학 기계적 연마 장치 및 이를 만드는 방법 |
| CN102218700A (zh) * | 2011-04-25 | 2011-10-19 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 一种化学机械研磨设备 |
| CN107848863B (zh) * | 2015-07-08 | 2021-02-26 | 康宁股份有限公司 | 玻璃基材支承设备及提供挠性玻璃基材支承的方法 |
| JP6787972B2 (ja) * | 2018-10-31 | 2020-11-18 | ファナック株式会社 | 主軸装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3004766A (en) * | 1959-11-02 | 1961-10-17 | Andrew J Bryant | Vacuum chuck |
| DK172738B1 (da) * | 1983-04-07 | 1999-06-21 | Chiron Corp | Fremgangsmåde til at udtrykke modent insulin og DNA-struktur til anvendelse ved fremgangsmåden |
| EP0250907A3 (de) * | 1986-06-25 | 1988-09-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Einrichtung zur Zugentlastung von Stegleitungen |
| JPH0767665B2 (ja) * | 1986-12-08 | 1995-07-26 | スピ−ドフアム株式会社 | 平面研磨装置 |
| US4811522A (en) * | 1987-03-23 | 1989-03-14 | Gill Jr Gerald L | Counterbalanced polishing apparatus |
| US5443416A (en) * | 1993-09-09 | 1995-08-22 | Cybeq Systems Incorporated | Rotary union for coupling fluids in a wafer polishing apparatus |
| US5423558A (en) * | 1994-03-24 | 1995-06-13 | Ipec/Westech Systems, Inc. | Semiconductor wafer carrier and method |
| US5651724A (en) * | 1994-09-08 | 1997-07-29 | Ebara Corporation | Method and apparatus for polishing workpiece |
| TW400567B (en) * | 1995-04-10 | 2000-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | The polishing device and its polishing method for the substrate |
| US5762539A (en) * | 1996-02-27 | 1998-06-09 | Ebara Corporation | Apparatus for and method for polishing workpiece |
| JP3663728B2 (ja) * | 1996-03-28 | 2005-06-22 | 信越半導体株式会社 | 薄板の研磨機 |
| JP3106418B2 (ja) * | 1996-07-30 | 2000-11-06 | 株式会社東京精密 | 研磨装置 |
| JPH10193260A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハ保持治具 |
-
1998
- 1998-04-20 JP JP10992098A patent/JPH11300608A/ja active Pending
-
1999
- 1999-04-19 KR KR1019990013777A patent/KR19990083307A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-04-19 US US09/294,677 patent/US6102788A/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-04-20 GB GB9909037A patent/GB2336555B/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6102788A (en) | 2000-08-15 |
| GB2336555A (en) | 1999-10-27 |
| KR19990083307A (ko) | 1999-11-25 |
| GB2336555B (en) | 2000-08-30 |
| GB9909037D0 (en) | 1999-06-16 |
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