JP2907209B1 - ウェハ研磨装置用裏面パッド - Google Patents
ウェハ研磨装置用裏面パッドInfo
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract
【要約】
【課題】 ウェハの研削量を全面にわたって均一にし、
かつ研削量の向上を図る。 【解決手段】 ヘッド３のベースプレート１１には裏面
パッド１５が固着され、圧縮エアがエア管１３内から研
磨パッド８に押し付けられたウェハ１６の間に供給され
る。そして、裏面パッド１５は外周部１５２が独立気泡
をもつ発泡体によって形成し、中央部１５１を連続気泡
をもつ発泡体で形成する。
かつ研削量の向上を図る。 【解決手段】 ヘッド３のベースプレート１１には裏面
パッド１５が固着され、圧縮エアがエア管１３内から研
磨パッド８に押し付けられたウェハ１６の間に供給され
る。そして、裏面パッド１５は外周部１５２が独立気泡
をもつ発泡体によって形成し、中央部１５１を連続気泡
をもつ発泡体で形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＭＰ（化学的機
械研磨法）によるウェハ研磨装置用裏面パッドに関す
る。
械研磨法）によるウェハ研磨装置用裏面パッドに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の製造工程において、
フォトリソグラフィー工程の精度を高める等の目的で、
半導体ウェハの表面を平坦化する平坦化処理が行われて
おり、この平坦化処理としてはＳＯＧ（スピンオングラ
ス）法が典型的であるが、半導体装置の微細化の進展に
ともなってより平坦化が要求されている。このような要
求に応えるため、近年においては、化学的エッチング液
を含んだ研磨布を用いたＣＭＰ法が注目されており、ダ
マシン法を含めて平坦化のための主力技術となりつつあ
る。
フォトリソグラフィー工程の精度を高める等の目的で、
半導体ウェハの表面を平坦化する平坦化処理が行われて
おり、この平坦化処理としてはＳＯＧ（スピンオングラ
ス）法が典型的であるが、半導体装置の微細化の進展に
ともなってより平坦化が要求されている。このような要
求に応えるため、近年においては、化学的エッチング液
を含んだ研磨布を用いたＣＭＰ法が注目されており、ダ
マシン法を含めて平坦化のための主力技術となりつつあ
る。
【０００３】図３（ａ）は従来のＣＭＰ法を用いた研磨
方法を説明するための概略の構成を示す断面図、（ｂ）
は裏面パッド部の底面図である。以下、同図に基づいて
これを説明する。全体を符号１で示すウェハ用研磨装置
は、平面視大円形の研磨テーブル２と、平面視小円形の
キャリアヘッド３と、スラリー５を滴下するスラリー供
給管４とから概ね構成されている。研磨テーブル２の下
面中央にはスピンドル６が下方に突設されるように固定
され、上面には、軟質の下層パッド７とこの下層パッド
７上に積層された硬質の上層パッド８が固着されてい
る。
方法を説明するための概略の構成を示す断面図、（ｂ）
は裏面パッド部の底面図である。以下、同図に基づいて
これを説明する。全体を符号１で示すウェハ用研磨装置
は、平面視大円形の研磨テーブル２と、平面視小円形の
キャリアヘッド３と、スラリー５を滴下するスラリー供
給管４とから概ね構成されている。研磨テーブル２の下
面中央にはスピンドル６が下方に突設されるように固定
され、上面には、軟質の下層パッド７とこの下層パッド
７上に積層された硬質の上層パッド８が固着されてい
る。
【０００４】キャリアヘッド３は、円環状のリテーナリ
ング１０と、このリテーナリング１０の上部に埋設され
るように固着されたステンレス製のベースプレート１１
と、このベースプレート１１の上部中央に立設するよう
に固定されたスピンドル１２とによって構成されてい
る。ベースプレート１１の下面には、裏面パッド１５が
固着され、これらベースプレート１１と裏面パッド１５
内には、６本のエア管１３が平面視において円状に配置
されるようにして埋設され、このエア管１３には、ベー
スプレート１１の上部側に設けられた図示を省略したエ
ア供給源から圧縮エアが供給されるように構成されてい
る。
ング１０と、このリテーナリング１０の上部に埋設され
るように固着されたステンレス製のベースプレート１１
と、このベースプレート１１の上部中央に立設するよう
に固定されたスピンドル１２とによって構成されてい
る。ベースプレート１１の下面には、裏面パッド１５が
固着され、これらベースプレート１１と裏面パッド１５
内には、６本のエア管１３が平面視において円状に配置
されるようにして埋設され、このエア管１３には、ベー
スプレート１１の上部側に設けられた図示を省略したエ
ア供給源から圧縮エアが供給されるように構成されてい
る。
【０００５】このような構成において、キャリアヘッド
３を下降させ、ウェハ１６を裏面パッド１５の底部によ
って上層パッド８に押し付けた状態とし、図示を省略し
たエア供給源からエア管１３にエアを供給し、裏面パッ
ド１５とウェハ１６との間に空気層を形成する。この状
態としてから、キャリアヘッド３を矢印方向に回転させ
るとともに、研磨テーブル２を反対方向に回転させ、ス
ラリー供給管４からスラリー５を滴下しながら、ウェハ
の下面１６を上層パッド８によって研磨する。
３を下降させ、ウェハ１６を裏面パッド１５の底部によ
って上層パッド８に押し付けた状態とし、図示を省略し
たエア供給源からエア管１３にエアを供給し、裏面パッ
ド１５とウェハ１６との間に空気層を形成する。この状
態としてから、キャリアヘッド３を矢印方向に回転させ
るとともに、研磨テーブル２を反対方向に回転させ、ス
ラリー供給管４からスラリー５を滴下しながら、ウェハ
の下面１６を上層パッド８によって研磨する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図４（ａ）は従来の連
続気泡をもつ発泡体によって形成したウェハ研磨用裏面
パッドを用いたヘッドを断面したものであって、エア圧
の状態を説明するための模式図、（ｂ）は直径が８イン
チのウェハを使用し、ウェハの直径を測定ポイントとし
てウェハの研削量を図表化したものである。図５（ａ）
は従来の独立気泡をもつ発泡体によって形成したウェハ
研磨用裏面パッドを用いたヘッドを断面したものであっ
て、エア圧の状態を説明するための模式図、（ｂ）は直
径が８インチのウェハを使用し、ウェハの直径を測定ポ
イントとしたウェハの研削量を図表化したものである。
続気泡をもつ発泡体によって形成したウェハ研磨用裏面
パッドを用いたヘッドを断面したものであって、エア圧
の状態を説明するための模式図、（ｂ）は直径が８イン
チのウェハを使用し、ウェハの直径を測定ポイントとし
てウェハの研削量を図表化したものである。図５（ａ）
は従来の独立気泡をもつ発泡体によって形成したウェハ
研磨用裏面パッドを用いたヘッドを断面したものであっ
て、エア圧の状態を説明するための模式図、（ｂ）は直
径が８インチのウェハを使用し、ウェハの直径を測定ポ
イントとしたウェハの研削量を図表化したものである。
【０００７】上述した従来の裏面パッド１５において
は、裏面パッド１５を連続気泡をもつ発泡体のみで形成
した場合には、図４（ｂ）に示すように、全体的に略均
一に研削はされるが、研削量は少なく、空気圧を増加さ
せても研削量の低下を改善することができない。また、
ウェハ１６の外周縁部付近の研削量の落ち込みが大き
く、特に、ウェハ１６の外径が８インチを越えると顕著
になることがわかった。これは、連続気泡をもつ発泡体
が横方向への空気の伝達がよいといった特有の性質によ
り、裏面パッド１５とウェハ１６との間に空気層１７が
均一に形成され、このためにウェハ１６を平坦状に研磨
しやすい。しかし、空気層１７が裏面パッド１５の全面
に行き渡ることにより、裏面パッド１５のウェハ１６へ
の押し付けが空気層１７に依存し、このために裏面パッ
ド１５の影響を受けにくくなり、研削量が少なくなるも
のと考えられる。また、ウェハ１６の外周縁部の研削量
の落ち込みが大きくなるのは、図４（ａ）に示すよう
に、空気層１７が裏面パッド１５の外周部から外側に逃
げやすいために、本来研削したいウェハ１６の外周縁部
へ加圧することができないといった理由によるものと考
えられる。
は、裏面パッド１５を連続気泡をもつ発泡体のみで形成
した場合には、図４（ｂ）に示すように、全体的に略均
一に研削はされるが、研削量は少なく、空気圧を増加さ
せても研削量の低下を改善することができない。また、
ウェハ１６の外周縁部付近の研削量の落ち込みが大き
く、特に、ウェハ１６の外径が８インチを越えると顕著
になることがわかった。これは、連続気泡をもつ発泡体
が横方向への空気の伝達がよいといった特有の性質によ
り、裏面パッド１５とウェハ１６との間に空気層１７が
均一に形成され、このためにウェハ１６を平坦状に研磨
しやすい。しかし、空気層１７が裏面パッド１５の全面
に行き渡ることにより、裏面パッド１５のウェハ１６へ
の押し付けが空気層１７に依存し、このために裏面パッ
ド１５の影響を受けにくくなり、研削量が少なくなるも
のと考えられる。また、ウェハ１６の外周縁部の研削量
の落ち込みが大きくなるのは、図４（ａ）に示すよう
に、空気層１７が裏面パッド１５の外周部から外側に逃
げやすいために、本来研削したいウェハ１６の外周縁部
へ加圧することができないといった理由によるものと考
えられる。
【０００８】一方、裏面パッド１５を独立気泡をもつ発
泡体のみで形成した場合には、図５（ｂ）に示すよう
に、ウェハ１６の中心Ｃから離間した測定ポイント
（２，８）の二箇所における研削量が他の測定ポイント
に比べて大きく、全体として研削量のばらつきがみら
れ。しかし、圧縮エアのエア圧を増加させることにより
全体の研削量の改善がみられる。これは、独立気泡をも
つ発泡体が、横方向への空気の伝達量は低くなるが、部
分的に圧力を加えることが可能であるといった特有の性
質により、同図（ａ）に示すように、裏面パッド１５と
ウェハ１６との間で空気層１７が形成される部分と空気
層１７が形成されない部分とが発生する。したがって、
ウェハ１６の全面が空気層１７によって均一に押圧され
ず、このためにウェハ１６の表面を平坦状に研磨するこ
とができないと考えられる。
泡体のみで形成した場合には、図５（ｂ）に示すよう
に、ウェハ１６の中心Ｃから離間した測定ポイント
（２，８）の二箇所における研削量が他の測定ポイント
に比べて大きく、全体として研削量のばらつきがみら
れ。しかし、圧縮エアのエア圧を増加させることにより
全体の研削量の改善がみられる。これは、独立気泡をも
つ発泡体が、横方向への空気の伝達量は低くなるが、部
分的に圧力を加えることが可能であるといった特有の性
質により、同図（ａ）に示すように、裏面パッド１５と
ウェハ１６との間で空気層１７が形成される部分と空気
層１７が形成されない部分とが発生する。したがって、
ウェハ１６の全面が空気層１７によって均一に押圧され
ず、このためにウェハ１６の表面を平坦状に研磨するこ
とができないと考えられる。
【０００９】なお、図４（ｂ）および図５（ｂ）は、直
径が８インチのウェハ１６を使用し、ウェハ１６の中心
Ｃから径方向に１インチの間隔を隔てた位置を測定ポイ
ントとし、この測定ポイントにおけるウェハ１６の研削
量を図表化したものである。
径が８インチのウェハ１６を使用し、ウェハ１６の中心
Ｃから径方向に１インチの間隔を隔てた位置を測定ポイ
ントとし、この測定ポイントにおけるウェハ１６の研削
量を図表化したものである。
【００１０】本発明は上記した従来の問題に鑑みなされ
たものであり、その目的とするところは、ウェハの研削
量を全面にわたって均一にし、かつ研削量の向上を図っ
たウェハ研磨装置用裏面パッドを提供することにある。
たものであり、その目的とするところは、ウェハの研削
量を全面にわたって均一にし、かつ研削量の向上を図っ
たウェハ研磨装置用裏面パッドを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明に係るウェハ研磨装置用裏面パッドは、研磨
パッドに表面が押し付けられたウェハの裏面を圧縮エア
を介して保持するウェハ研磨装置用裏面パッドであっ
て、外周部を独立気泡を有する発泡体によって形成し、
中央部を連続気泡を有する発泡体で形成したものであ
る。したがって、圧縮エアは中央部では連続気泡を有す
る発泡体によって裏面パッドとウェハの間を横方向に均
一に伝達し、外周部の独立気泡を有する発泡体によって
外部への漏出をできるかぎり規制する。
に、本発明に係るウェハ研磨装置用裏面パッドは、研磨
パッドに表面が押し付けられたウェハの裏面を圧縮エア
を介して保持するウェハ研磨装置用裏面パッドであっ
て、外周部を独立気泡を有する発泡体によって形成し、
中央部を連続気泡を有する発泡体で形成したものであ
る。したがって、圧縮エアは中央部では連続気泡を有す
る発泡体によって裏面パッドとウェハの間を横方向に均
一に伝達し、外周部の独立気泡を有する発泡体によって
外部への漏出をできるかぎり規制する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて説明する。図１（ａ）は本発明に係るウェハ研
磨用裏面パッドを用いたヘッドを断面したものであっ
て、エア圧の状態を説明するための模式図、（ｂ）は同
じくウェハ研磨用裏面パッドの底面図である。同図にお
いて、上述した図３および図４で説明した従来技術と同
一または同等の構成については、同一の符号を付し詳細
な説明は適宜省略する。本発明の特徴とするところは、
裏面パッド１５の外周部をリング状の独立気泡を有する
発泡体１５２によって形成するとともに、この独立気泡
を有する発泡体１５２で囲まれた中央部を円柱状の連続
気泡を有する発泡体１５１によって形成した点にある。
基づいて説明する。図１（ａ）は本発明に係るウェハ研
磨用裏面パッドを用いたヘッドを断面したものであっ
て、エア圧の状態を説明するための模式図、（ｂ）は同
じくウェハ研磨用裏面パッドの底面図である。同図にお
いて、上述した図３および図４で説明した従来技術と同
一または同等の構成については、同一の符号を付し詳細
な説明は適宜省略する。本発明の特徴とするところは、
裏面パッド１５の外周部をリング状の独立気泡を有する
発泡体１５２によって形成するとともに、この独立気泡
を有する発泡体１５２で囲まれた中央部を円柱状の連続
気泡を有する発泡体１５１によって形成した点にある。
【００１３】このような構成とすることにより、エア管
１３から裏面パッド１５とウェハ１６との間に圧縮エア
が供給されると、圧縮エアは、上述したように、連続気
泡を有する発泡体１５１が横方向へ空気の伝達がよいと
いった特有の性質を有することにより、裏面パッド１５
とウェハ１６との間に均一な空気層１７が形成される。
したがって、ウェハ１６を全面にわたって平坦状に研磨
しやすくなる。また、裏面パッド１５の外周部に設けた
独立気泡を有する発泡体１５２によって、このウェハ１
６の外周縁部に所定の圧力を加えることができるので、
裏面パッド１５とウェハ１６との間に形成される空気層
１７が裏面パッド１５の外周部から漏出することが規制
される。したがって、従来裏面パッド１５を連続気泡を
有する発泡体によってのみ形成した場合に発生していた
ウェハ１６の外周縁部の研削量の落ち込みを防止し、ウ
ェハ１６を全体的に均一に研削することができる。
１３から裏面パッド１５とウェハ１６との間に圧縮エア
が供給されると、圧縮エアは、上述したように、連続気
泡を有する発泡体１５１が横方向へ空気の伝達がよいと
いった特有の性質を有することにより、裏面パッド１５
とウェハ１６との間に均一な空気層１７が形成される。
したがって、ウェハ１６を全面にわたって平坦状に研磨
しやすくなる。また、裏面パッド１５の外周部に設けた
独立気泡を有する発泡体１５２によって、このウェハ１
６の外周縁部に所定の圧力を加えることができるので、
裏面パッド１５とウェハ１６との間に形成される空気層
１７が裏面パッド１５の外周部から漏出することが規制
される。したがって、従来裏面パッド１５を連続気泡を
有する発泡体によってのみ形成した場合に発生していた
ウェハ１６の外周縁部の研削量の落ち込みを防止し、ウ
ェハ１６を全体的に均一に研削することができる。
【００１４】図２は本発明の第２の実施の形態を示すの
もので、（ａ）はウェハ研磨用裏面パッドを用いたヘッ
ドを断面したものであって、エア圧の状態を説明するた
めの模式図、（ｂ）は同じくウェハ研磨用裏面パッドの
底面図である。この第２の実施の形態では、上述した第
１の実施の形態に加えて、中央部分の連続気泡を有する
発泡体１５１に断面がマトリックス状に配置した独立気
泡を有する発泡体によって形成した仕切り１５３を設
け、これら仕切り１５３に囲まれた部位にエア管１３を
設けたものである。
もので、（ａ）はウェハ研磨用裏面パッドを用いたヘッ
ドを断面したものであって、エア圧の状態を説明するた
めの模式図、（ｂ）は同じくウェハ研磨用裏面パッドの
底面図である。この第２の実施の形態では、上述した第
１の実施の形態に加えて、中央部分の連続気泡を有する
発泡体１５１に断面がマトリックス状に配置した独立気
泡を有する発泡体によって形成した仕切り１５３を設
け、これら仕切り１５３に囲まれた部位にエア管１３を
設けたものである。
【００１５】このような構成とすることにより、仕切り
１５３によってウェハ１６の中央部分の連続気泡を有す
る発泡体１５１内の部分的な研削量の落ち込みを防止す
ることができる。すなわち、仕切り１５３によって部分
的にウェハ１６への圧力を増大させ、この部位における
研削量を増大させることができ、このため、ウェハ１６
の研削量を全体的に均一に増大させることが可能にな
る。
１５３によってウェハ１６の中央部分の連続気泡を有す
る発泡体１５１内の部分的な研削量の落ち込みを防止す
ることができる。すなわち、仕切り１５３によって部分
的にウェハ１６への圧力を増大させ、この部位における
研削量を増大させることができ、このため、ウェハ１６
の研削量を全体的に均一に増大させることが可能にな
る。
【００１６】なお、この第２の実施の形態では、仕切り
１５２をマトリックス状に配置したが、このような形状
に限定されるものではなく、同心円状あるいはハニカム
状に形成してもよく、種々の設計変形が可能である。ま
た、エア管１３は、必ずしも仕切り１５２に囲まれた部
位すべてに設ける必要はない。
１５２をマトリックス状に配置したが、このような形状
に限定されるものではなく、同心円状あるいはハニカム
状に形成してもよく、種々の設計変形が可能である。ま
た、エア管１３は、必ずしも仕切り１５２に囲まれた部
位すべてに設ける必要はない。
【００１７】
【実施例】連続気泡をもつ発泡体１５１および独立気泡
をもつ発泡体１５２を、圧縮率３０％のポリウレタンに
よって形成した。また、研削量を改善するために、独立
気泡を有する発泡体１５２を、圧縮率が１８〜５％のポ
リウレタンによって形成した。
をもつ発泡体１５２を、圧縮率３０％のポリウレタンに
よって形成した。また、研削量を改善するために、独立
気泡を有する発泡体１５２を、圧縮率が１８〜５％のポ
リウレタンによって形成した。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、ウェハの外周縁部の研削量の落ち込みを防
止し、ウェハを全体的に均一に研削することができる。
明によれば、ウェハの外周縁部の研削量の落ち込みを防
止し、ウェハを全体的に均一に研削することができる。
【００１９】また、請求項２ないし４記載の発明によれ
ば、ウェハの研削量を全体的に均一に増大させることが
できる。
ば、ウェハの研削量を全体的に均一に増大させることが
できる。
【図１】 （ａ）は本発明に係るウェハ研磨用裏面パッ
ドを用いたヘッドを断面したものであって、エア圧の状
態を説明するための模式図、（ｂ）は同じくウェハ研磨
用裏面パッドの底面図である。
ドを用いたヘッドを断面したものであって、エア圧の状
態を説明するための模式図、（ｂ）は同じくウェハ研磨
用裏面パッドの底面図である。
【図２】 本発明の第２の実施の形態を示し、（ａ）は
本発明に係るウェハ研磨用裏面パッドを用いたヘッドを
断面したものであって、エア圧の状態を説明するための
模式図、（ｂ）は同じくウェハ研磨用裏面パッドの底面
図である。
本発明に係るウェハ研磨用裏面パッドを用いたヘッドを
断面したものであって、エア圧の状態を説明するための
模式図、（ｂ）は同じくウェハ研磨用裏面パッドの底面
図である。
【図３】 （ａ）は従来のＣＭＰ法を用いた研磨方法を
説明するための概略の構成を示す断面図、（ｂ）は裏面
パッド部の底面図である。
説明するための概略の構成を示す断面図、（ｂ）は裏面
パッド部の底面図である。
【図４】 （ａ）は従来の連続気泡をもつ発泡体によっ
て形成したウェハ研磨用裏面パッドを用いたヘッドを断
面したものであって、エア圧の状態を説明するための模
式図、（ｂ）は直径が８インチのウェハを使用し、ウェ
ハの直径を測定ポイントとしてウェハの研削量を図表化
したものである。
て形成したウェハ研磨用裏面パッドを用いたヘッドを断
面したものであって、エア圧の状態を説明するための模
式図、（ｂ）は直径が８インチのウェハを使用し、ウェ
ハの直径を測定ポイントとしてウェハの研削量を図表化
したものである。
【図５】 （ａ）は従来の独立気泡をもつ発泡体によっ
て形成したウェハ研磨用裏面パッドを用いたヘッドを断
面したものであって、エア圧の状態を説明するための模
式図、（ｂ）は直径が８インチのウェハを使用し、ウェ
ハの直径を測定ポイントとしたウェハの研削量を図表化
したものである。
て形成したウェハ研磨用裏面パッドを用いたヘッドを断
面したものであって、エア圧の状態を説明するための模
式図、（ｂ）は直径が８インチのウェハを使用し、ウェ
ハの直径を測定ポイントとしたウェハの研削量を図表化
したものである。
１５…裏面パッド、１５１…連続気泡をもつ発泡体、１
５２…独立気泡をもつ発泡体、１５３…仕切り、１３…
エア管、１６…ウェハ、１７…空気層。
５２…独立気泡をもつ発泡体、１５３…仕切り、１３…
エア管、１６…ウェハ、１７…空気層。
Claims (4)
- 【請求項１】 研磨パッドに表面が押し付けられたウェ
ハの裏面を圧縮エアを介して保持するウェハ研磨装置用
裏面パッドであって、外周部を独立気泡をもつ発泡体に
よって形成し、中央部を連続気泡をもつ発泡体で形成し
たことを特徴とするウェハ研磨装置用裏面パッド。 - 【請求項２】 請求項１記載のウェハ研磨装置用裏面パ
ッドにおいて、中央部をマトリックス状に配置した独立
気泡をもつ発泡体によって仕切ったことを特徴とするウ
ェハ研磨装置用裏面パッド。 - 【請求項３】 請求項１記載のウェハ研磨装置用裏面パ
ッドにおいて、中央部を同心円状に配置した独立気泡を
もつ発泡体によって仕切ったことを特徴とするウェハ研
磨装置用裏面パッド。 - 【請求項４】 請求項１記載のウェハ研磨装置用裏面パ
ッドにおいて、中央部をハニカム状に配置した独立気泡
をもつ発泡体によって仕切ったことを特徴とするウェハ
研磨装置用裏面パッド。
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|---|---|---|---|
| JP14904498A JP2907209B1 (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | ウェハ研磨装置用裏面パッド |
| EP99110054A EP0960694A1 (en) | 1998-05-29 | 1999-05-21 | Wafer polishing apparatus and backing pad for wafer polishing |
| TW088108793A TW426579B (en) | 1998-05-29 | 1999-05-26 | Wafer polishing apparatus and backing pad for wafer polishing |
| KR1019990019498A KR100310879B1 (ko) | 1998-05-29 | 1999-05-28 | 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마용 이면 패드 |
| CN99107890A CN1237783A (zh) | 1998-05-29 | 1999-05-28 | 晶片抛光设备及晶片抛光用衬垫 |
| US09/323,121 US6139409A (en) | 1998-05-29 | 1999-06-01 | Wafer polishing apparatus and backing pad for wafer polishing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14904498A JP2907209B1 (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | ウェハ研磨装置用裏面パッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2907209B1 true JP2907209B1 (ja) | 1999-06-21 |
| JPH11333713A JPH11333713A (ja) | 1999-12-07 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| EP (1) | EP0960694A1 (ja) |
| JP (1) | JP2907209B1 (ja) |
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1998
- 1998-05-29 JP JP14904498A patent/JP2907209B1/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-05-21 EP EP99110054A patent/EP0960694A1/en not_active Withdrawn
- 1999-05-26 TW TW088108793A patent/TW426579B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-05-28 CN CN99107890A patent/CN1237783A/zh active Pending
- 1999-05-28 KR KR1019990019498A patent/KR100310879B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-06-01 US US09/323,121 patent/US6139409A/en not_active Expired - Fee Related
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