JP2002120142A - 研磨ヘッド構造 - Google Patents
研磨ヘッド構造Info
- Publication number
- JP2002120142A JP2002120142A JP2000314596A JP2000314596A JP2002120142A JP 2002120142 A JP2002120142 A JP 2002120142A JP 2000314596 A JP2000314596 A JP 2000314596A JP 2000314596 A JP2000314596 A JP 2000314596A JP 2002120142 A JP2002120142 A JP 2002120142A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- substrate
- retainer ring
- disc
- platen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 全体的に平坦な研磨加工基板を製
造できる研磨ヘッドの提供。 【解決手段】 回転テ−ブル表面に研磨布が貼着
された研磨プラテン表面に研磨剤スラリ−を供給しつ
つ、キャリア２８とリテイナ−リング２７とで形成され
る基板ポケット３０内に基板を保持する研磨ヘッド１２
を下降させ、キャリア背面３１に加圧空気２２を供給す
ることにより基板を研磨プラテン上に押圧し、該基板を
保持する前記研磨ヘッド１２と研磨プラテンを摺動回転
させて基板面を研磨する研磨装置の研磨ヘッド構造にお
いて、次ぎの（１）と（２）の機能を備えることを特徴
とする研磨ヘッド構造。 （１）環状のリテイナ−リング２７は、研磨プラテンと
相対向する下面に外周縁から内周縁を連結する研磨剤ス
ラリ−通路用溝２７ａを複数有する。 （２）基板研磨中、円盤状キャリア背面３１にかかる圧
力は、リテイナ−リング背面３１'にかかる圧力よりも
大きい。
造できる研磨ヘッドの提供。 【解決手段】 回転テ−ブル表面に研磨布が貼着
された研磨プラテン表面に研磨剤スラリ−を供給しつ
つ、キャリア２８とリテイナ−リング２７とで形成され
る基板ポケット３０内に基板を保持する研磨ヘッド１２
を下降させ、キャリア背面３１に加圧空気２２を供給す
ることにより基板を研磨プラテン上に押圧し、該基板を
保持する前記研磨ヘッド１２と研磨プラテンを摺動回転
させて基板面を研磨する研磨装置の研磨ヘッド構造にお
いて、次ぎの（１）と（２）の機能を備えることを特徴
とする研磨ヘッド構造。 （１）環状のリテイナ−リング２７は、研磨プラテンと
相対向する下面に外周縁から内周縁を連結する研磨剤ス
ラリ−通路用溝２７ａを複数有する。 （２）基板研磨中、円盤状キャリア背面３１にかかる圧
力は、リテイナ−リング背面３１'にかかる圧力よりも
大きい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回転テ−ブル表面
に研磨布が貼着された研磨プラテン表面に研磨剤スラリ
−を供給しつつ、円盤状キャリアと環状のリテイナ−リ
ングとで形成される基板ポケット内に略円盤状基板を保
持する研磨ヘッドを下降させ、円盤状キャリア背面に加
圧空気を供給することにより基板を研磨プラテン上に押
圧し、該基板を保持する前記研磨ヘッドと研磨プラテン
を摺動回転させて基板面を研磨する研磨装置の研磨ヘッ
ド構造において、環状のリテイナ−リングとして下面に
研磨剤スラリ−導入用の溝を多数有するリテイナ−リン
グを用いた場合でも、平坦な研磨基板を与える研磨装置
の研磨ヘッド構造に関する。
に研磨布が貼着された研磨プラテン表面に研磨剤スラリ
−を供給しつつ、円盤状キャリアと環状のリテイナ−リ
ングとで形成される基板ポケット内に略円盤状基板を保
持する研磨ヘッドを下降させ、円盤状キャリア背面に加
圧空気を供給することにより基板を研磨プラテン上に押
圧し、該基板を保持する前記研磨ヘッドと研磨プラテン
を摺動回転させて基板面を研磨する研磨装置の研磨ヘッ
ド構造において、環状のリテイナ−リングとして下面に
研磨剤スラリ−導入用の溝を多数有するリテイナ−リン
グを用いた場合でも、平坦な研磨基板を与える研磨装置
の研磨ヘッド構造に関する。
【０００２】回転テ−ブル表面に研磨布が貼着された研
磨プラテン表面に研磨剤スラリ−を供給しつつ、円盤状
キャリアと環状のリテイナ−リングとで形成される基板
ポケット内に略円盤状基板を保持する研磨ヘッドを下降
させ、円盤状キャリア背面に加圧空気を供給することに
より基板を研磨プラテン上に押圧し、該基板を保持する
前記研磨ヘッドと研磨プラテンを摺動回転させて基板面
を研磨する化学機械研磨装置は知られている（特開平７
−１２４８６２号、同８−３９４４２号、同１０−１８
０６２６号、特許第２５９７４４９号、ＵＳＰ５２０５
０８２号、ＵＳＰ５８２０４４８号）。
磨プラテン表面に研磨剤スラリ−を供給しつつ、円盤状
キャリアと環状のリテイナ−リングとで形成される基板
ポケット内に略円盤状基板を保持する研磨ヘッドを下降
させ、円盤状キャリア背面に加圧空気を供給することに
より基板を研磨プラテン上に押圧し、該基板を保持する
前記研磨ヘッドと研磨プラテンを摺動回転させて基板面
を研磨する化学機械研磨装置は知られている（特開平７
−１２４８６２号、同８−３９４４２号、同１０−１８
０６２６号、特許第２５９７４４９号、ＵＳＰ５２０５
０８２号、ＵＳＰ５８２０４４８号）。
【０００３】例えば、特許第２５９７７４９号公報は、
半導体ウエハ（基板）を位置決めする研磨ヘッド構造１
２として、図２に示すように、（ａ）円盤状をなし、下
端面に基板３０が支持されるキャリア２８と、（ｂ）上
記キャリアの周囲を覆い、かつ、上記基板を研磨してい
る間、研磨プラテン１１と基板の表面との接触によって
基板に作用する横方向の力に抵抗して基板をキャリアの
下端面上に保つリテイナ−２７と、（ｃ）上記キャリア
およびリテイナ−の上端側に水平に張設されて上記キャ
リア２８およびリテイナ−２７を弾性的に支持し、基板
表面が研磨されている間は、上記キャリアを、該キャリ
アに支持された基板および前記リテイナ−とともに前記
研磨プラテン１１面上でフロ−ティングさせ、キャリア
の下方に、前記リテイナ−で囲まれた基板支持用のポケ
ット部を形成可能とする、柔軟性のあるダイヤフラム２
９を備える研磨ヘッド構造１２を開示する。図中、２１
はスピンドル、２２はコンプレッサ−、２３はハウジン
グ、２４はカプラ−、３１はチャンバ−、３９はフラン
ジリング、４９は高さ調整機構である。
半導体ウエハ（基板）を位置決めする研磨ヘッド構造１
２として、図２に示すように、（ａ）円盤状をなし、下
端面に基板３０が支持されるキャリア２８と、（ｂ）上
記キャリアの周囲を覆い、かつ、上記基板を研磨してい
る間、研磨プラテン１１と基板の表面との接触によって
基板に作用する横方向の力に抵抗して基板をキャリアの
下端面上に保つリテイナ−２７と、（ｃ）上記キャリア
およびリテイナ−の上端側に水平に張設されて上記キャ
リア２８およびリテイナ−２７を弾性的に支持し、基板
表面が研磨されている間は、上記キャリアを、該キャリ
アに支持された基板および前記リテイナ−とともに前記
研磨プラテン１１面上でフロ−ティングさせ、キャリア
の下方に、前記リテイナ−で囲まれた基板支持用のポケ
ット部を形成可能とする、柔軟性のあるダイヤフラム２
９を備える研磨ヘッド構造１２を開示する。図中、２１
はスピンドル、２２はコンプレッサ−、２３はハウジン
グ、２４はカプラ−、３１はチャンバ−、３９はフラン
ジリング、４９は高さ調整機構である。
【０００４】該研磨ヘッド構造を有する研磨装置を用い
て基板を研磨するには、回転テ−ブル１１ａ表面に研磨
布１１ｂが貼着された研磨プラテン１１表面に研磨剤ス
ラリ−５０ａを管５０より供給しつつ、円盤状キャリア
２８と環状のリテイナ−リング２７とで形成される基板
ポケット内に略円盤状基板３０を保持する研磨ヘッド１
２をエア−シリンダ（図示されていない）を用いて下降
させ、円盤状キャリア背面に加圧空気２２を供給するこ
とにより基板を研磨プラテン上に押圧し、該基板を保持
する前記研磨ヘッド１２と研磨プラテン１１を摺動回転
させて基板面を研磨する。この際、リテイナ−リング２
７の背面もキャリアの背圧と同じ圧力で加圧される。
て基板を研磨するには、回転テ−ブル１１ａ表面に研磨
布１１ｂが貼着された研磨プラテン１１表面に研磨剤ス
ラリ−５０ａを管５０より供給しつつ、円盤状キャリア
２８と環状のリテイナ−リング２７とで形成される基板
ポケット内に略円盤状基板３０を保持する研磨ヘッド１
２をエア−シリンダ（図示されていない）を用いて下降
させ、円盤状キャリア背面に加圧空気２２を供給するこ
とにより基板を研磨プラテン上に押圧し、該基板を保持
する前記研磨ヘッド１２と研磨プラテン１１を摺動回転
させて基板面を研磨する。この際、リテイナ−リング２
７の背面もキャリアの背圧と同じ圧力で加圧される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、基板の
研磨速度を向上させるために、基板を研磨中、基板の研
磨面と研磨プラテン表面間に研磨剤スラリ−が介在し易
いようにするため、径が２００ｍｍのシリコン基板向け
の市販の内周径２０８ｍｍの環状リテイナ−リング２７
下端面に研磨剤スラリ−通路用の溝２７ａ（深さｈ ８
ｍｍ、幅ｗ ４０ｍｍ、長さｌ ３２ｍｍ）を複数設け
たリテイナ−リング２７（図６参照）を製作し、これを
用いたところ、研磨速度は向上したが、得られる研磨基
板は図７に示されるような外周縁部が中央部に対して高
い山部を有するもので、全体が平坦なものとはならなか
った。
研磨速度を向上させるために、基板を研磨中、基板の研
磨面と研磨プラテン表面間に研磨剤スラリ−が介在し易
いようにするため、径が２００ｍｍのシリコン基板向け
の市販の内周径２０８ｍｍの環状リテイナ−リング２７
下端面に研磨剤スラリ−通路用の溝２７ａ（深さｈ ８
ｍｍ、幅ｗ ４０ｍｍ、長さｌ ３２ｍｍ）を複数設け
たリテイナ−リング２７（図６参照）を製作し、これを
用いたところ、研磨速度は向上したが、得られる研磨基
板は図７に示されるような外周縁部が中央部に対して高
い山部を有するもので、全体が平坦なものとはならなか
った。
【０００６】本発明者等は、この研磨基板の外周縁部に
存在する山部の位置間隔がリテイナ−に設けた研磨剤ス
ラリ−路用の溝２７ａ，２７ａの位置に相関することに
気付き（後述する比較例１参照）、かかる溝の影響がな
い、研磨ヘッド構造を種々検討し、全体が平坦な研磨基
板を与える研磨ヘッド構造を見い出した。
存在する山部の位置間隔がリテイナ−に設けた研磨剤ス
ラリ−路用の溝２７ａ，２７ａの位置に相関することに
気付き（後述する比較例１参照）、かかる溝の影響がな
い、研磨ヘッド構造を種々検討し、全体が平坦な研磨基
板を与える研磨ヘッド構造を見い出した。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の１は、回転テ−
ブル表面に研磨布が貼着された研磨プラテン表面に研磨
剤スラリ−を供給しつつ、円盤状キャリアと環状のリテ
イナ−リングとで形成される基板ポケット内に略円盤状
基板を保持する研磨ヘッドを下降させ、円盤状キャリア
背面に加圧空気を供給することにより基板を研磨プラテ
ン上に押圧し、該基板を保持する前記研磨ヘッドと研磨
プラテンを摺動回転させて基板面を研磨する研磨装置の
研磨ヘッド構造において、次ぎの（１）と（２）の機能
を備えることを特徴とする研磨ヘッド構造を提供するも
のである。 （１）環状のリテイナ−リングは、研磨プラテンと相対
向する下面に外周縁から内周縁を連結する研磨剤スラリ
−通路用溝を複数有する。 （２）基板保持時のリテイナ−リング内周壁と基板外周
縁との距離が７〜１２ｍｍである。
ブル表面に研磨布が貼着された研磨プラテン表面に研磨
剤スラリ−を供給しつつ、円盤状キャリアと環状のリテ
イナ−リングとで形成される基板ポケット内に略円盤状
基板を保持する研磨ヘッドを下降させ、円盤状キャリア
背面に加圧空気を供給することにより基板を研磨プラテ
ン上に押圧し、該基板を保持する前記研磨ヘッドと研磨
プラテンを摺動回転させて基板面を研磨する研磨装置の
研磨ヘッド構造において、次ぎの（１）と（２）の機能
を備えることを特徴とする研磨ヘッド構造を提供するも
のである。 （１）環状のリテイナ−リングは、研磨プラテンと相対
向する下面に外周縁から内周縁を連結する研磨剤スラリ
−通路用溝を複数有する。 （２）基板保持時のリテイナ−リング内周壁と基板外周
縁との距離が７〜１２ｍｍである。
【０００８】従来の市販のリテイナ−リングは、基板の
研磨時移動を小さくするため、リテイナ−リングの内径
Ｌが基板の外径ｌより４〜８ｍｍ大きいもの（基板保持
時のリテイナ−リング内周壁と基板外周縁との距離が２
〜４ｍｍ）であったが、リテイナ−リングの内径Ｌを基
板の外径ｌより１４〜２４ｍｍ大きいもの（基板保持時
のリテイナ−リング内周壁と基板外周縁との距離が７〜
１２ｍｍである。）を用いることにより溝の影響がなく
なり、全体が平坦な研磨基板を得ることが可能となっ
た。
研磨時移動を小さくするため、リテイナ−リングの内径
Ｌが基板の外径ｌより４〜８ｍｍ大きいもの（基板保持
時のリテイナ−リング内周壁と基板外周縁との距離が２
〜４ｍｍ）であったが、リテイナ−リングの内径Ｌを基
板の外径ｌより１４〜２４ｍｍ大きいもの（基板保持時
のリテイナ−リング内周壁と基板外周縁との距離が７〜
１２ｍｍである。）を用いることにより溝の影響がなく
なり、全体が平坦な研磨基板を得ることが可能となっ
た。
【０００９】本発明の請求項２は、回転テ−ブル表面に
研磨布が貼着された研磨プラテン表面に研磨剤スラリ−
を供給しつつ、円盤状キャリアと環状のリテイナ−リン
グとで形成される基板ポケット内に略円盤状基板を保持
する研磨ヘッドを下降させ、円盤状キャリア背面に加圧
空気を供給することにより基板を研磨プラテン上に押圧
し、該基板を保持する前記研磨ヘッドと研磨プラテンを
摺動回転させて基板面を研磨する研磨装置の研磨ヘッド
構造において、次ぎの（１）および（２）の機能を備え
ることを特徴とする研磨ヘッド構造を提供するものであ
る。 （１）環状のリテイナ−リングは、研磨プラテンと相対
向する下面に外周縁から内周縁を連結する研磨剤スラリ
−通路用溝を複数有する。 （２）基板研磨中、円盤状キャリア背面にかかる圧力
は、リテイナ−リング背面にかかる圧力よりも大きい。
研磨布が貼着された研磨プラテン表面に研磨剤スラリ−
を供給しつつ、円盤状キャリアと環状のリテイナ−リン
グとで形成される基板ポケット内に略円盤状基板を保持
する研磨ヘッドを下降させ、円盤状キャリア背面に加圧
空気を供給することにより基板を研磨プラテン上に押圧
し、該基板を保持する前記研磨ヘッドと研磨プラテンを
摺動回転させて基板面を研磨する研磨装置の研磨ヘッド
構造において、次ぎの（１）および（２）の機能を備え
ることを特徴とする研磨ヘッド構造を提供するものであ
る。 （１）環状のリテイナ−リングは、研磨プラテンと相対
向する下面に外周縁から内周縁を連結する研磨剤スラリ
−通路用溝を複数有する。 （２）基板研磨中、円盤状キャリア背面にかかる圧力
は、リテイナ−リング背面にかかる圧力よりも大きい。
【００１０】基板研磨中、円盤状キャリア背面にかかる
圧力は、リテイナ−リング背面にかかる圧力よりも大き
くすることにより、溝の影響がなくなり、全体が平坦な
研磨基板を得ることが可能となった。リテイナ−リング
の内径Ｌは基板の外径ｌより４〜６ｍｍ大きいものおよ
び１４〜２４ｍｍ大きいものいずれでも平坦な研磨基板
を得ることができるが、特にリテイナ−リングの内径Ｌ
が基板の外径ｌより１４〜２４ｍｍ大きいもの（基板保
持時のリテイナ−リング内周壁と基板外周縁との距離が
７〜１２ｍｍである。）を用いる方がより平坦な研磨基
板を得ることができた。
圧力は、リテイナ−リング背面にかかる圧力よりも大き
くすることにより、溝の影響がなくなり、全体が平坦な
研磨基板を得ることが可能となった。リテイナ−リング
の内径Ｌは基板の外径ｌより４〜６ｍｍ大きいものおよ
び１４〜２４ｍｍ大きいものいずれでも平坦な研磨基板
を得ることができるが、特にリテイナ−リングの内径Ｌ
が基板の外径ｌより１４〜２４ｍｍ大きいもの（基板保
持時のリテイナ−リング内周壁と基板外周縁との距離が
７〜１２ｍｍである。）を用いる方がより平坦な研磨基
板を得ることができた。
【００１１】本発明の請求項３は、回転テ−ブル表面に
研磨布が貼着された研磨プラテン表面に研磨剤スラリ−
を供給しつつ、円盤状キャリアと環状のリテイナ−リン
グとで形成される基板ポケット内に略円盤状基板を保持
する研磨ヘッドを下降させ、円盤状キャリア背面に加圧
空気を供給することにより基板を研磨プラテン上に押圧
し、該基板を保持する前記研磨ヘッドと研磨プラテンを
摺動回転させて基板面を研磨する研磨装置の研磨ヘッド
構造において、次ぎの（１）ないし（３）の機能を備え
ることを特徴とする研磨ヘッド構造を提供するものであ
る。 （１）環状のリテイナ−リングは、研磨プラテンと相対
向する下面に外周縁から内周縁を連結する研磨剤スラリ
−通路用溝を複数有する。 （２）基板研磨中、円盤状キャリア背面にかかる圧力
は、リテイナ−リング背面にかかる圧力よりも大きい。 （３）環状のリテイナ−リングと円盤状キャリアは、両
者の上端側に水平に張設された柔軟なダイヤフラムに弾
性的に支持され、基板が研磨されている間は環状のリテ
イナ−リング、円盤状キャリアおよび該円盤状キャリア
に保持されている基板は研磨プラテン上で共にフロ−テ
ィングされる。
研磨布が貼着された研磨プラテン表面に研磨剤スラリ−
を供給しつつ、円盤状キャリアと環状のリテイナ−リン
グとで形成される基板ポケット内に略円盤状基板を保持
する研磨ヘッドを下降させ、円盤状キャリア背面に加圧
空気を供給することにより基板を研磨プラテン上に押圧
し、該基板を保持する前記研磨ヘッドと研磨プラテンを
摺動回転させて基板面を研磨する研磨装置の研磨ヘッド
構造において、次ぎの（１）ないし（３）の機能を備え
ることを特徴とする研磨ヘッド構造を提供するものであ
る。 （１）環状のリテイナ−リングは、研磨プラテンと相対
向する下面に外周縁から内周縁を連結する研磨剤スラリ
−通路用溝を複数有する。 （２）基板研磨中、円盤状キャリア背面にかかる圧力
は、リテイナ−リング背面にかかる圧力よりも大きい。 （３）環状のリテイナ−リングと円盤状キャリアは、両
者の上端側に水平に張設された柔軟なダイヤフラムに弾
性的に支持され、基板が研磨されている間は環状のリテ
イナ−リング、円盤状キャリアおよび該円盤状キャリア
に保持されている基板は研磨プラテン上で共にフロ−テ
ィングされる。
【００１２】基板の研磨中、キャリアおよびリテイナ−
リングをフロ−ティングさせることにより研磨プラテン
のうねりに基板を追従させることができ、全体に平坦な
研磨基板が得られる。
リングをフロ−ティングさせることにより研磨プラテン
のうねりに基板を追従させることができ、全体に平坦な
研磨基板が得られる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明を詳細
に説明する。図１は、本発明の研磨ヘッドに用いられた
リテイナ−リングを示すもので、（ａ）は平面図、
（ｂ）はＩ−Ｉ断面図を示す。図２は研磨ヘッド構造の
断面図、図３は図１で示すリテイナ−リングを図２に示
す研磨ヘッドに用い、研磨された基板の厚さ（ＴＴＶ）
のプロファイルを示す図、図４は本発明の別の態様を示
す研磨ヘッド構造の断面図、図５は図１に示すリテイナ
−リングを図４に示す研磨ヘッドに用い、研磨された基
板の厚さ（ＴＴＶ）のプロファイルを示す図、図６は市
販のリテイナ−リングを示すもので、（ａ）は平面図、
（ｂ）はＩＩ−ＩＩ断面図を示す。図７は図６に示すリ
テイナ−リングを図２に示す研磨ヘッドに用い、研磨さ
れた基板の厚さ（ＴＴＶ）のプロファイルを示す図であ
る。
に説明する。図１は、本発明の研磨ヘッドに用いられた
リテイナ−リングを示すもので、（ａ）は平面図、
（ｂ）はＩ−Ｉ断面図を示す。図２は研磨ヘッド構造の
断面図、図３は図１で示すリテイナ−リングを図２に示
す研磨ヘッドに用い、研磨された基板の厚さ（ＴＴＶ）
のプロファイルを示す図、図４は本発明の別の態様を示
す研磨ヘッド構造の断面図、図５は図１に示すリテイナ
−リングを図４に示す研磨ヘッドに用い、研磨された基
板の厚さ（ＴＴＶ）のプロファイルを示す図、図６は市
販のリテイナ−リングを示すもので、（ａ）は平面図、
（ｂ）はＩＩ−ＩＩ断面図を示す。図７は図６に示すリ
テイナ−リングを図２に示す研磨ヘッドに用い、研磨さ
れた基板の厚さ（ＴＴＶ）のプロファイルを示す図であ
る。
【００１４】図１に示すリテイナ−リング２７は、２０
０ｍｍ径シリコンウエハ（厚み２００μｍ）用のもの
で、図６に示す市販のリテイナ−リング（内径Ｌ ２０
８ｍｍ、溝長さｌ ３２ｍｍ）の山部内側（図１で示す
斜線部分）を高さ０．５ｍｍ、幅７ｍｍ削り取って基板
収納ポケットの内径Ｌを２２２ｍｍ（基板がキャリアに
保持されたときの基板外径とリテイナ−リングの内径と
の距離は１１ｍｍ）としたものである。基板がキャリア
に保持されたときの基板外径とリテイナ−リングの内径
との距離は、７〜１２ｍｍが好ましい。６ｍｍ以下では
得られる研磨基板の外周縁部に低い山部が形成されるこ
とがある。
０ｍｍ径シリコンウエハ（厚み２００μｍ）用のもの
で、図６に示す市販のリテイナ−リング（内径Ｌ ２０
８ｍｍ、溝長さｌ ３２ｍｍ）の山部内側（図１で示す
斜線部分）を高さ０．５ｍｍ、幅７ｍｍ削り取って基板
収納ポケットの内径Ｌを２２２ｍｍ（基板がキャリアに
保持されたときの基板外径とリテイナ−リングの内径と
の距離は１１ｍｍ）としたものである。基板がキャリア
に保持されたときの基板外径とリテイナ−リングの内径
との距離は、７〜１２ｍｍが好ましい。６ｍｍ以下では
得られる研磨基板の外周縁部に低い山部が形成されるこ
とがある。
【００１５】図４は、研磨ヘッド構造１２を示すもの
で、２１は中空スピンドルで、コンプレッサ−２２より
加圧空気が中空軸を経てチャンバ−３１内に供給され
る。また、真空ポンプ２２'によりチャンバ−３１内は
減圧され、セラミック製キャリア２８下端面に基板の吸
着を可能とする。２３はハウジング、２４はカプラ−で
ある。２７はリテイナ−リングで、キャリア２８の周囲
を覆い、かつ、上記基板を研磨している間、研磨プラテ
ンと基板の表面との接触によって基板に作用する横方向
の力に抵抗して基板をキャリアの下端面上に保つ。
で、２１は中空スピンドルで、コンプレッサ−２２より
加圧空気が中空軸を経てチャンバ−３１内に供給され
る。また、真空ポンプ２２'によりチャンバ−３１内は
減圧され、セラミック製キャリア２８下端面に基板の吸
着を可能とする。２３はハウジング、２４はカプラ−で
ある。２７はリテイナ−リングで、キャリア２８の周囲
を覆い、かつ、上記基板を研磨している間、研磨プラテ
ンと基板の表面との接触によって基板に作用する横方向
の力に抵抗して基板をキャリアの下端面上に保つ。
【００１６】上記キャリア２８は円盤状をなし、下端面
に基板が支持される。２９は柔軟性材料でできているダ
イヤフラムで、上記キャリアおよびリテイナ−の上端側
に水平に張設されて前記キャリア２８およびリテイナ−
リング２７を弾性的に支持し、基板表面が研磨されてい
る間は、上記キャリアを、該キャリアに支持された基板
および前記リテイナ−リングとともに研磨プラテン面上
でフロ−ティングさせ、キャリアの下方に、前記リテイ
ナ−リングで囲まれた基板支持用のポケット部３０を形
成する。スピンドル２１の中空管内を通じてチャンバ−
３１内に加圧空気が圧入され、その圧力がキャリア背面
にかかることによりキャリアに保持された基板は３次元
（Ｘ，Ｙ，Ｚ）方向に揺動自在に支えられ、研磨プラテ
ンの研磨布表面のうねりに追従できる。
に基板が支持される。２９は柔軟性材料でできているダ
イヤフラムで、上記キャリアおよびリテイナ−の上端側
に水平に張設されて前記キャリア２８およびリテイナ−
リング２７を弾性的に支持し、基板表面が研磨されてい
る間は、上記キャリアを、該キャリアに支持された基板
および前記リテイナ−リングとともに研磨プラテン面上
でフロ−ティングさせ、キャリアの下方に、前記リテイ
ナ−リングで囲まれた基板支持用のポケット部３０を形
成する。スピンドル２１の中空管内を通じてチャンバ−
３１内に加圧空気が圧入され、その圧力がキャリア背面
にかかることによりキャリアに保持された基板は３次元
（Ｘ，Ｙ，Ｚ）方向に揺動自在に支えられ、研磨プラテ
ンの研磨布表面のうねりに追従できる。
【００１７】ダイヤフラム２９は、リテイナ−リング２
７およびキャリア２８を支持するに１枚のダイヤフラム
で共に支持してもよいし、図４に示すように別々のダイ
ヤフラム２９および２９'で個別に支持してもよい。
７およびキャリア２８を支持するに１枚のダイヤフラム
で共に支持してもよいし、図４に示すように別々のダイ
ヤフラム２９および２９'で個別に支持してもよい。
【００１８】キャリア２８背面のチャンバ−３１とリテ
イナ−リング２７背面のチャンバ−３１'は、仕切壁に
より区分けされ、キャリア２８背面のチャンバ−３１と
リテイナ−リング２７背面のチャンバ−３１'とはハウ
ジング２３上肩部に設けた連通路２３ａ、管２３ｂおよ
びマニホ−ルド型減圧弁６０を経て連通されている。マ
ニホ−ルド型減圧弁６０の作動によりキャリア２８背面
のチャンバ−３１の圧力Ｐoより低くリテイナ−リング
２７背面のチャンバ−３１'圧力Ｐrは調整される。研磨
時、リテイナ−リング２７背面のチャンバ−３１'圧力
Ｐrはキャリア２８背面のチャンバ−３１圧力Ｐoの３〜
５０％低い圧力とされる。一般に、基板保持、研磨時の
キャリア２８背面のチャンバ−３１圧力Ｐoは１００〜
５００ｇ／ｃｍ2である。
イナ−リング２７背面のチャンバ−３１'は、仕切壁に
より区分けされ、キャリア２８背面のチャンバ−３１と
リテイナ−リング２７背面のチャンバ−３１'とはハウ
ジング２３上肩部に設けた連通路２３ａ、管２３ｂおよ
びマニホ−ルド型減圧弁６０を経て連通されている。マ
ニホ−ルド型減圧弁６０の作動によりキャリア２８背面
のチャンバ−３１の圧力Ｐoより低くリテイナ−リング
２７背面のチャンバ−３１'圧力Ｐrは調整される。研磨
時、リテイナ−リング２７背面のチャンバ−３１'圧力
Ｐrはキャリア２８背面のチャンバ−３１圧力Ｐoの３〜
５０％低い圧力とされる。一般に、基板保持、研磨時の
キャリア２８背面のチャンバ−３１圧力Ｐoは１００〜
５００ｇ／ｃｍ2である。
【００１９】３９はフランジリング、４９は高さ調整機
構である。高さ調整機構４９は、米国特許第５８２０４
４８号に開示されるように蛇腹状支持筒に置き換えるこ
とができる。
構である。高さ調整機構４９は、米国特許第５８２０４
４８号に開示されるように蛇腹状支持筒に置き換えるこ
とができる。
【００２０】図４に示す研磨ヘッド、研磨プラテンを備
える研磨装置を用いて基板（ウエハ）を研磨する工程
は、次のように行われる。 １）ウエハは、搬送ロボットのア−ムによりカセットよ
り取り出され仮置台上に研磨される面（例えば金属膜
面）を下向きにして載せられ、位置の割り出しを行う。
える研磨装置を用いて基板（ウエハ）を研磨する工程
は、次のように行われる。 １）ウエハは、搬送ロボットのア−ムによりカセットよ
り取り出され仮置台上に研磨される面（例えば金属膜
面）を下向きにして載せられ、位置の割り出しを行う。
【００２１】２）研磨ヘッド１２を仮置台上に下降さ
せ、キャリアをウエハに当接させ、ついで真空ポンプ２
２'を作動させてチャンバ−室３１を減圧することによ
りウエハをキャリアに保持させた後、研磨ヘッド１２を
上昇させ、研磨プラテン１１上に移動させる。
せ、キャリアをウエハに当接させ、ついで真空ポンプ２
２'を作動させてチャンバ−室３１を減圧することによ
りウエハをキャリアに保持させた後、研磨ヘッド１２を
上昇させ、研磨プラテン１１上に移動させる。
【００２２】（３）水平方向に回転している研磨プラテ
ン１１上に研磨剤スラリ−を供給しつつ、研磨ヘッド１
２を下降させて研磨プラテン面に当接させ、ついで真空
ポンプを止め、コンプレッサ−２２に切り替え、スピン
ドルを経て加圧空気をチャンバ−３１に供給する。ウエ
ハの研磨加工時、管５０より研磨プラテン面に研磨剤ス
ラリ−が１０〜１００ｍｌ／分の割合で供給される。研
磨ヘッド１２のスピンドル回転数は、１０〜１００ｒｐ
ｍ、研磨プラテンの回転数は１０〜１００ｒｐｍ、ウエ
ハにかかる圧力（キャリア２８背面のチャンバ−３１圧
力Ｐo）は１００〜５００ｇ／ｃｍ2である。リテイナ−
リング背面のチャンバ−３１'圧力Ｐrは、上記圧力Ｐo
より３〜５０％低い５０〜４８５ｇ／ｃｍ2である。
ン１１上に研磨剤スラリ−を供給しつつ、研磨ヘッド１
２を下降させて研磨プラテン面に当接させ、ついで真空
ポンプを止め、コンプレッサ−２２に切り替え、スピン
ドルを経て加圧空気をチャンバ−３１に供給する。ウエ
ハの研磨加工時、管５０より研磨プラテン面に研磨剤ス
ラリ−が１０〜１００ｍｌ／分の割合で供給される。研
磨ヘッド１２のスピンドル回転数は、１０〜１００ｒｐ
ｍ、研磨プラテンの回転数は１０〜１００ｒｐｍ、ウエ
ハにかかる圧力（キャリア２８背面のチャンバ−３１圧
力Ｐo）は１００〜５００ｇ／ｃｍ2である。リテイナ−
リング背面のチャンバ−３１'圧力Ｐrは、上記圧力Ｐo
より３〜５０％低い５０〜４８５ｇ／ｃｍ2である。
【００２３】研磨加工中、研磨ヘッド１２を研磨プラテ
ン上で水平方向に１〜５０ｍｍ幅往復移動させてもよ
い。研磨ヘッドの往復移動速さは０．１〜１ｍ／分が好
ましい。
ン上で水平方向に１〜５０ｍｍ幅往復移動させてもよ
い。研磨ヘッドの往復移動速さは０．１〜１ｍ／分が好
ましい。
【００２４】（４）ウエハの研磨加工が終了すると、加
圧空気の弁を閉め、弁を真空ポンプに切り替え、チャン
バ−３１を減圧することによりウエハのキャリアへの固
定を確実としたのち、スピンドル２１を上昇させ、つい
で研磨ヘッド１２を仮置台近傍の洗浄機構上に移動さ
せ、洗浄機構より洗浄水をウエハに吹き付けウエハ面の
研磨屑、残存砥粒を洗い落す。 （５）研磨ヘッド１２を仮置台上に移動させ、ついで下
降させて洗浄ウエハを仮置台に当接させ、真空ポンプの
弁を閉めた後、加圧空気の弁を開に切り替えることによ
りウエハの離れを容易にし、ついで研磨ヘッドを上昇さ
せ、仮置台より遠ざける。
圧空気の弁を閉め、弁を真空ポンプに切り替え、チャン
バ−３１を減圧することによりウエハのキャリアへの固
定を確実としたのち、スピンドル２１を上昇させ、つい
で研磨ヘッド１２を仮置台近傍の洗浄機構上に移動さ
せ、洗浄機構より洗浄水をウエハに吹き付けウエハ面の
研磨屑、残存砥粒を洗い落す。 （５）研磨ヘッド１２を仮置台上に移動させ、ついで下
降させて洗浄ウエハを仮置台に当接させ、真空ポンプの
弁を閉めた後、加圧空気の弁を開に切り替えることによ
りウエハの離れを容易にし、ついで研磨ヘッドを上昇さ
せ、仮置台より遠ざける。
【００２５】（６）搬送ロボットにより仮置台上の研
磨、洗浄されたウエハを収納カセット内へ搬送する。
磨、洗浄されたウエハを収納カセット内へ搬送する。
【００２６】研磨プラテンの研磨布１１ｂ素材として
は、硬質発泡ウレタンシ−ト、ポリ弗化エチレンシ−
ト、ポリエステル繊維不織布、フェルト、ポリビニ−ル
アルコ−ル繊維不織布、ナイロン繊維不織布、これら不
織布上に発泡性ウレタン樹脂溶液を流延させ、ついで発
泡・硬化させたもの等が使用される。
は、硬質発泡ウレタンシ−ト、ポリ弗化エチレンシ−
ト、ポリエステル繊維不織布、フェルト、ポリビニ−ル
アルコ−ル繊維不織布、ナイロン繊維不織布、これら不
織布上に発泡性ウレタン樹脂溶液を流延させ、ついで発
泡・硬化させたもの等が使用される。
【００２７】研磨剤スラリ−は、基板の種類により異な
るが、金属層と絶縁層を有するデバイス基板のときは
（ａ）コロイダルアルミナ、フ−ムドシリカ、酸化セリ
ウム、チタニア等の固型砥粒を０．０１〜２０重量％、
（ｂ）硝酸銅、クエン酸鉄、過酸化マンガン、エチレン
ジアミンテトラ酢酸、ヘキサシアノ鉄、フッ化水素酸、
フルオロチタン酸、ジペルサルフェ−ト、フッ化アンモ
ニウム、二フッ化水素アンモニウム、過硫酸アンモニウ
ム、過酸化水素、等の酸化剤１〜１５重量％、（ｃ）界
面活性剤０．３〜３重量％、（ｄ）ｐＨ調整剤、（ｅ）
防腐剤、などを含有するスラリ−が使用される（特開平
６−３１３１６４号、特開平８−１９７４１４号、特表
平８−５１０４３７号、特開平１０−６７９８６号、特
開平１０−２２６７８４号、特開２０００−２５６６５
７号等）。
るが、金属層と絶縁層を有するデバイス基板のときは
（ａ）コロイダルアルミナ、フ−ムドシリカ、酸化セリ
ウム、チタニア等の固型砥粒を０．０１〜２０重量％、
（ｂ）硝酸銅、クエン酸鉄、過酸化マンガン、エチレン
ジアミンテトラ酢酸、ヘキサシアノ鉄、フッ化水素酸、
フルオロチタン酸、ジペルサルフェ−ト、フッ化アンモ
ニウム、二フッ化水素アンモニウム、過硫酸アンモニウ
ム、過酸化水素、等の酸化剤１〜１５重量％、（ｃ）界
面活性剤０．３〜３重量％、（ｄ）ｐＨ調整剤、（ｅ）
防腐剤、などを含有するスラリ−が使用される（特開平
６−３１３１６４号、特開平８−１９７４１４号、特表
平８−５１０４３７号、特開平１０−６７９８６号、特
開平１０−２２６７８４号、特開２０００−２５６６５
７号等）。
【００２８】シリコンベアウエハであるときは、シリカ
砥粒を含むスラリ−が一般に使用される。
砥粒を含むスラリ−が一般に使用される。
【００２９】
【実施例】比較例１ 基板として２００ｍｍ径、厚みが約２００μｍのシリコ
ンベアウエハを用い、研磨ヘッドとして図６に示す研磨
剤スラリ−通路用溝を１２個設けた内径が２０８ｍｍの
リテイナ−リングを備える図２に示す研磨ヘッドを用
い、研磨布として米国ロデ−ル社のポリウレタン樹脂製
パッド（商品名ＳＵＢＡ６００）を用い、シリコン砥粒
スラリ−を研磨プラテンに供給しつつ、研磨を行った。
キャリア背面圧力、リテイナ−背面圧力は共に３００ｇ
／ｃｍ2で、研磨ヘッドのスピンドル回転数を５０ｒｐ
ｍ、研磨プラテン回転数を５０ｒｐｍで厚み２μｍ研磨
を行った。得られた研磨ウエハは、図７に示すように基
板の外周縁部に山部１２個が切り立ったものであった。
この山部は前記リテイナ−リングの溝が１２個存在する
ことから、この溝の存在が影響したものと思われる。
ンベアウエハを用い、研磨ヘッドとして図６に示す研磨
剤スラリ−通路用溝を１２個設けた内径が２０８ｍｍの
リテイナ−リングを備える図２に示す研磨ヘッドを用
い、研磨布として米国ロデ−ル社のポリウレタン樹脂製
パッド（商品名ＳＵＢＡ６００）を用い、シリコン砥粒
スラリ−を研磨プラテンに供給しつつ、研磨を行った。
キャリア背面圧力、リテイナ−背面圧力は共に３００ｇ
／ｃｍ2で、研磨ヘッドのスピンドル回転数を５０ｒｐ
ｍ、研磨プラテン回転数を５０ｒｐｍで厚み２μｍ研磨
を行った。得られた研磨ウエハは、図７に示すように基
板の外周縁部に山部１２個が切り立ったものであった。
この山部は前記リテイナ−リングの溝が１２個存在する
ことから、この溝の存在が影響したものと思われる。
【００３０】実施例１ 比較例１において、リテイナ−リングとして図１に示す
ポケット形成内径が２２２ｍｍのリテイナ−リング（図
６に示すリテイナ−リングの山部を内側から７ｍｍ幅
で、高さ方向厚み０．５ｍｍ削り取ったもの）を用いる
外は同様にしてシリコンベアウエハの研磨を行った。得
られた研磨ウエハは、図３に示すように全体に平坦な基
板であった。
ポケット形成内径が２２２ｍｍのリテイナ−リング（図
６に示すリテイナ−リングの山部を内側から７ｍｍ幅
で、高さ方向厚み０．５ｍｍ削り取ったもの）を用いる
外は同様にしてシリコンベアウエハの研磨を行った。得
られた研磨ウエハは、図３に示すように全体に平坦な基
板であった。
【００３１】実施例２ 基板として２００ｍｍ径、厚みが約２００μｍのシリコ
ンベアウエハを用い、リテイナ−リングとして実施例１
で用いた図１に示す溝１２個を有する内径２２２ｍｍの
リテイナ−リングを備える図４に示す研磨ヘッドを用
い、研磨布として米国ロデ−ル社のポリウレタン樹脂製
パッド（商品名ＳＵＢＡ６００）を用い、シリコン砥粒
スラリ−を研磨プラテンに供給しつつ、研磨を行った。
キャリア背面圧力は３００ｇ／ｃｍ2で、リテイナ−背
面圧力は２２５ｇ／ｃｍ2で研磨ヘッドのスピンドル回
転数を５０ｒｐｍ、研磨プラテン回転数を５０ｒｐｍで
厚み２μｍ研磨を行った。得られた研磨ウエハは、図５
に示すように実施例１で得た研磨基板よりも更に全体が
平坦なものであった。
ンベアウエハを用い、リテイナ−リングとして実施例１
で用いた図１に示す溝１２個を有する内径２２２ｍｍの
リテイナ−リングを備える図４に示す研磨ヘッドを用
い、研磨布として米国ロデ−ル社のポリウレタン樹脂製
パッド（商品名ＳＵＢＡ６００）を用い、シリコン砥粒
スラリ−を研磨プラテンに供給しつつ、研磨を行った。
キャリア背面圧力は３００ｇ／ｃｍ2で、リテイナ−背
面圧力は２２５ｇ／ｃｍ2で研磨ヘッドのスピンドル回
転数を５０ｒｐｍ、研磨プラテン回転数を５０ｒｐｍで
厚み２μｍ研磨を行った。得られた研磨ウエハは、図５
に示すように実施例１で得た研磨基板よりも更に全体が
平坦なものであった。
【００３２】
【発明の効果】本発明の研磨ヘッド構造を備える研磨装
置を用いて研磨加工された基板は、リテイナ−リングに
研磨剤スラリ−導入用溝を備えるので、基板加工中、基
板と研磨布間に研磨剤スラリ−の存在が不足することは
ない。また、該研磨剤スラリ−導入用溝を備えるリテイ
ナ−リングを用いても得られる研磨基板は、全体が平坦
な加工基板である。
置を用いて研磨加工された基板は、リテイナ−リングに
研磨剤スラリ−導入用溝を備えるので、基板加工中、基
板と研磨布間に研磨剤スラリ−の存在が不足することは
ない。また、該研磨剤スラリ−導入用溝を備えるリテイ
ナ−リングを用いても得られる研磨基板は、全体が平坦
な加工基板である。
【図１】 本発明の実施に用いるリテイナ−リングを示
すもので、ａは平面図を、ｂはＩ−Ｉ断面図を示す。
すもので、ａは平面図を、ｂはＩ−Ｉ断面図を示す。
【図２】 公知の研磨ヘッドの断面図である。
【図３】 実施例１で得た研磨加工基板の厚み分布プロ
ファイルである。
ファイルである。
【図４】 本発明の別の態様を示す研磨ヘッドの部分断
面図である。
面図である。
【図５】 実施例２で得た研磨加工基板の厚み分布プロ
ファイルである。
ファイルである。
【図６】 市販の２００ｍｍウエハ用リテイナ−リング
にスラリ−導入のための溝を１２個設けたリテイナ−リ
ングを示すもので、ａは平面図を、ｂはＩＩ−ＩＩ断面
図を示す。
にスラリ−導入のための溝を１２個設けたリテイナ−リ
ングを示すもので、ａは平面図を、ｂはＩＩ−ＩＩ断面
図を示す。
【図７】 比較例１で得た研磨加工基板の厚み分布プロ
ファイルである。
ファイルである。
１ 研磨装置 １１ 研磨プラテン １２ 研磨ヘッド構造 ２１ スピンドル ２７ リテイナ−リング ２７ａ 研磨剤スラリ−通路用溝 ２８ キャリア ２９ ダイヤフラム ３０ ポケット ３１，３１' チャンバ− ６０ マニホ−ルド型減圧弁
Claims (3)
- 【請求項１】 回転テ−ブル表面に研磨布が貼着された
研磨プラテン表面に研磨剤スラリ−を供給しつつ、円盤
状キャリアと環状のリテイナ−リングとで形成される基
板ポケット内に略円盤状基板を保持する研磨ヘッドを下
降させ、円盤状キャリア背面に加圧空気を供給すること
により基板を研磨プラテン上に押圧し、該基板を保持す
る前記研磨ヘッドと研磨プラテンを摺動回転させて基板
面を研磨する研磨装置の研磨ヘッド構造において、次ぎ
の（１）と（２）の機能を備えることを特徴とする研磨
ヘッド構造。 （１）環状のリテイナ−リングは、研磨プラテンと相対
向する下面に外周縁から内周縁を連結する研磨剤スラリ
−通路用溝を複数有する。 （２）基板保持時のリテイナ−リング内周壁と基板外周
縁との距離が７〜１２ｍｍである。 - 【請求項２】 回転テ−ブル表面に研磨布が貼着された
研磨プラテン表面に研磨剤スラリ−を供給しつつ、円盤
状キャリアと環状のリテイナ−リングとで形成される基
板ポケット内に略円盤状基板を保持する研磨ヘッドを下
降させ、円盤状キャリア背面に加圧空気を供給すること
により基板を研磨プラテン上に押圧し、該基板を保持す
る前記研磨ヘッドと研磨プラテンを摺動回転させて基板
面を研磨する研磨装置の研磨ヘッド構造において、次ぎ
の（１）および（２）の機能を備えることを特徴とする
研磨ヘッド構造。 （１）環状のリテイナ−リングは、研磨プラテンと相対
向する下面に外周縁から内周縁を連結する研磨剤スラリ
−通路用溝を複数有する。 （２）基板研磨中、円盤状キャリア背面にかかる圧力
は、リテイナ−リング背面にかかる圧力よりも大きい。 - 【請求項３】 回転テ−ブル表面に研磨布が貼着された
研磨プラテン表面に研磨剤スラリ−を供給しつつ、円盤
状キャリアと環状のリテイナ−リングとで形成される基
板ポケット内に略円盤状基板を保持する研磨ヘッドを下
降させ、円盤状キャリア背面に加圧空気を供給すること
により基板を研磨プラテン上に押圧し、該基板を保持す
る前記研磨ヘッドと研磨プラテンを摺動回転させて基板
面を研磨する研磨装置の研磨ヘッド構造において、次ぎ
の（１）ないし（３）の機能を備えることを特徴とする
研磨ヘッド構造。 （１）環状のリテイナ−リングは、研磨プラテンと相対
向する下面に外周縁から内周縁を連結する研磨剤スラリ
−通路用溝を複数有する。 （２）基板研磨中、円盤状キャリア背面にかかる圧力
は、リテイナ−リング背面にかかる圧力よりも大きい。 （３）環状のリテイナ−リングと円盤状キャリアは、両
者の上端側に水平に張設された柔軟なダイヤフラムに弾
性的に支持され、基板が研磨されている間は環状のリテ
イナ−リング、円盤状キャリアおよび該円盤状キャリア
に保持されている基板は研磨プラテン上で共にフロ−テ
ィングされる。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000314596A JP2002120142A (ja) | 2000-10-16 | 2000-10-16 | 研磨ヘッド構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000314596A JP2002120142A (ja) | 2000-10-16 | 2000-10-16 | 研磨ヘッド構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002120142A true JP2002120142A (ja) | 2002-04-23 |
Family
ID=18793821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000314596A Pending JP2002120142A (ja) | 2000-10-16 | 2000-10-16 | 研磨ヘッド構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002120142A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006038259A1 (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Renesas Technology Corp. | 半導体装置の製造方法 |
| WO2009014836A1 (en) * | 2007-06-25 | 2009-01-29 | Tcg International, Inc. | Scratch removal device and method |
| JP2010247301A (ja) * | 2009-04-20 | 2010-11-04 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 研磨装置に用いる基板保持ヘッド |
| JP2016129200A (ja) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| TWI636843B (zh) * | 2015-01-09 | 2018-10-01 | 東京威力科創股份有限公司 | 接合裝置、接合系統、接合方法及電腦記憶媒體 |
-
2000
- 2000-10-16 JP JP2000314596A patent/JP2002120142A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006038259A1 (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Renesas Technology Corp. | 半導体装置の製造方法 |
| JPWO2006038259A1 (ja) * | 2004-09-30 | 2008-07-31 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
| WO2009014836A1 (en) * | 2007-06-25 | 2009-01-29 | Tcg International, Inc. | Scratch removal device and method |
| US8882562B2 (en) | 2007-06-25 | 2014-11-11 | Tcg International Inc. | Scratch removal and device and method |
| JP2010247301A (ja) * | 2009-04-20 | 2010-11-04 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 研磨装置に用いる基板保持ヘッド |
| JP2016129200A (ja) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| TWI636843B (zh) * | 2015-01-09 | 2018-10-01 | 東京威力科創股份有限公司 | 接合裝置、接合系統、接合方法及電腦記憶媒體 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6050882A (en) | Carrier head to apply pressure to and retain a substrate | |
| US6277014B1 (en) | Carrier head with a flexible membrane for chemical mechanical polishing | |
| US7951718B2 (en) | Edge removal of silicon-on-insulator transfer wafer | |
| JP3438383B2 (ja) | 研磨方法およびこれに用いる研磨装置 | |
| US6390905B1 (en) | Workpiece carrier with adjustable pressure zones and barriers | |
| US6165058A (en) | Carrier head for chemical mechanical polishing | |
| JP2842865B1 (ja) | 研磨装置 | |
| US6494774B1 (en) | Carrier head with pressure transfer mechanism | |
| JP3030276B2 (ja) | 表面研磨方法およびその装置 | |
| US6244942B1 (en) | Carrier head with a flexible membrane and adjustable edge pressure | |
| JP2002524281A (ja) | 基板を化学機械的に研磨するためのキャリアヘッド | |
| JP4750250B2 (ja) | 変更された可撓膜を有するキャリアヘッド | |
| US6358121B1 (en) | Carrier head with a flexible membrane and an edge load ring | |
| US7695347B2 (en) | Method and pad for polishing wafer | |
| US20050272348A1 (en) | Polishing pad assembly, apparatus for polishing a wafer including the polishing pad assembly and method for polishing a wafer using the polishing pad assembly | |
| JP2002120142A (ja) | 研磨ヘッド構造 | |
| US7097545B2 (en) | Polishing pad conditioner and chemical mechanical polishing apparatus having the same | |
| JP2001232555A (ja) | 平坦化方法 | |
| US20050236368A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH09246218A (ja) | 研磨方法および装置 | |
| JP2001351884A (ja) | 基板の化学機械研磨装置 | |
| KR20070078439A (ko) | 연마 패드 컨디셔너 및 이를 갖는 화학적 기계적 연마 장치 | |
| JP2002120144A (ja) | 研磨ヘッド構造 | |
| JP3601937B2 (ja) | 表面平坦化方法および表面平坦化装置 | |
| JP2001244222A (ja) | 基板の化学機械研磨装置、半導体デバイス製造方法、および半導体デバイス |