JP3438383B2 - 研磨方法およびこれに用いる研磨装置 - Google Patents
研磨方法およびこれに用いる研磨装置Info
- Publication number
- JP3438383B2 JP3438383B2 JP04406595A JP4406595A JP3438383B2 JP 3438383 B2 JP3438383 B2 JP 3438383B2 JP 04406595 A JP04406595 A JP 04406595A JP 4406595 A JP4406595 A JP 4406595A JP 3438383 B2 JP3438383 B2 JP 3438383B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing cloth
- grinding
- condition
- cloth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は研磨方法に関し、特に半
導体装置等の製造プロセスにおいて、段差を有する基体
を平坦化するに際して適用される研磨方法に関する。ま
た、この研磨方法を実施するために用いる研磨装置に関
する。
導体装置等の製造プロセスにおいて、段差を有する基体
を平坦化するに際して適用される研磨方法に関する。ま
た、この研磨方法を実施するために用いる研磨装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の分野ではデバイスの
大容量化が進んでおり、チップ面積をなるべく小さくし
て大容量化を図るために多層配線技術が重要なものとな
っている。この多層配線技術においては、下地の平坦化
が必要となる。下地に凹凸があると、これにより段差が
生じ、この段差上に形成される配線が切れる、いわゆる
段切れ等の不都合が発生するからである。
大容量化が進んでおり、チップ面積をなるべく小さくし
て大容量化を図るために多層配線技術が重要なものとな
っている。この多層配線技術においては、下地の平坦化
が必要となる。下地に凹凸があると、これにより段差が
生じ、この段差上に形成される配線が切れる、いわゆる
段切れ等の不都合が発生するからである。
【０００３】ウェハを平坦化するためには、段差の凸部
を化学的機械研磨（以下、ＣＭＰと称す。）することに
よって除去する方法が適用されている。
を化学的機械研磨（以下、ＣＭＰと称す。）することに
よって除去する方法が適用されている。
【０００４】このＣＭＰを行うには、例えば図１の側面
図に示されるような研磨装置が用いられる。この研磨装
置は、主に、研磨布１が張設された回転定盤２、研磨布
１上に研磨剤３を供給する研磨剤供給手段８、ウェハ
（基体）６を密着保持する基体保持台７より構成される
ものである。
図に示されるような研磨装置が用いられる。この研磨装
置は、主に、研磨布１が張設された回転定盤２、研磨布
１上に研磨剤３を供給する研磨剤供給手段８、ウェハ
（基体）６を密着保持する基体保持台７より構成される
ものである。
【０００５】上記回転定盤２は、その中心に設けられた
軸部２ｓを介して図示しないモータに接続されることに
より、図中Ａ方向に回転可能となされている。
軸部２ｓを介して図示しないモータに接続されることに
より、図中Ａ方向に回転可能となされている。
【０００６】また、上記基体保持台７は、その中心に設
けられた軸部７ｓを介して図示しない駆動機構に接続さ
れることにより、図中Ｄ方向に回転可能となされると共
に、図中Ｅ方向にも移動可能となされ、基体６を研磨布
１に摺接／離間させることができるようになされてい
る。
けられた軸部７ｓを介して図示しない駆動機構に接続さ
れることにより、図中Ｄ方向に回転可能となされると共
に、図中Ｅ方向にも移動可能となされ、基体６を研磨布
１に摺接／離間させることができるようになされてい
る。
【０００７】上述の研磨装置によって実際に研磨を行う
には、先ず、基体保持台７に基体６を保持させた状態に
て回転させる。また、回転定盤２を回転させながら、研
磨剤供給手段８より研磨布１上に研磨剤３を供給する。
そして、この研磨剤３を介して基体６の被研磨面と研磨
布１とを摺接させることによって、この基体６を研磨す
る。
には、先ず、基体保持台７に基体６を保持させた状態に
て回転させる。また、回転定盤２を回転させながら、研
磨剤供給手段８より研磨布１上に研磨剤３を供給する。
そして、この研磨剤３を介して基体６の被研磨面と研磨
布１とを摺接させることによって、この基体６を研磨す
る。
【０００８】このとき、基体６は、基体保持台７の回転
により自転しながら、回転定盤２の回転により公転する
ことになるため、基体６の被研磨面のある１点が研磨布
１上に描く軌跡は自公転軌跡となり、高度に均一な研磨
が可能となる。
により自転しながら、回転定盤２の回転により公転する
ことになるため、基体６の被研磨面のある１点が研磨布
１上に描く軌跡は自公転軌跡となり、高度に均一な研磨
が可能となる。
【０００９】通常、上述の研磨装置には、ダイヤモンド
等の研削砥粒４が埋設させた回転研削ヘッド５も配設さ
れる。この回転研削ヘッド５は、その中心に設けられた
軸部５ｓを介して図示しない駆動機構に接続されること
により、所望の回転数にて図中Ｂ方向に回転可能となさ
れるとともに、図中Ｃ方向にも移動可能とされ、上記研
磨布１への摺接／離間を制御できるようになされてい
る。
等の研削砥粒４が埋設させた回転研削ヘッド５も配設さ
れる。この回転研削ヘッド５は、その中心に設けられた
軸部５ｓを介して図示しない駆動機構に接続されること
により、所望の回転数にて図中Ｂ方向に回転可能となさ
れるとともに、図中Ｃ方向にも移動可能とされ、上記研
磨布１への摺接／離間を制御できるようになされてい
る。
【００１０】この回転研削ヘッド５の研削砥粒４を、前
記基体６に対する研磨によって摩耗した研磨布１の表面
に摺接させると、該研磨布１の表面が研削されて表面粗
度が回復する。
記基体６に対する研磨によって摩耗した研磨布１の表面
に摺接させると、該研磨布１の表面が研削されて表面粗
度が回復する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、研磨布１と
しては、基体６にダメージを与えないために、例えば、
その表面が所定の粗度に制御されたポリウレタン等の可
撓性材料が用いられる。
しては、基体６にダメージを与えないために、例えば、
その表面が所定の粗度に制御されたポリウレタン等の可
撓性材料が用いられる。
【００１２】このような研磨布１は、基体保持台７の押
し付け圧力によって弾性的に変形するため、全体的な厚
みの差やうねりを有するような基体６の形状にも追従す
る。しかしながら、その一方で、除去すべき段差凸部の
みならず段差凹部にも研磨布１が入り込んでしまうとい
う問題も有している。
し付け圧力によって弾性的に変形するため、全体的な厚
みの差やうねりを有するような基体６の形状にも追従す
る。しかしながら、その一方で、除去すべき段差凸部の
みならず段差凹部にも研磨布１が入り込んでしまうとい
う問題も有している。
【００１３】特に、表面粗度が大きく、長い毛足にけば
立てされた研磨布１を用いると、研磨剤３を大量に保持
できるため、研磨速度に優れるが、段差凹部まで研磨し
やすく、段差凸部との研磨速度差が確保しにくくなるた
めに、十分な平坦化が困難となる。
立てされた研磨布１を用いると、研磨剤３を大量に保持
できるため、研磨速度に優れるが、段差凹部まで研磨し
やすく、段差凸部との研磨速度差が確保しにくくなるた
めに、十分な平坦化が困難となる。
【００１４】一方、研磨布１表面のけば立ての毛足を短
くして表面粗度を小さくすれば、段差凸部と段差凹部と
の研磨速度差を確保でき、平坦性に優れた研磨が可能と
なるが、その反面、研磨速度が大幅に劣化してしまう。
くして表面粗度を小さくすれば、段差凸部と段差凹部と
の研磨速度差を確保でき、平坦性に優れた研磨が可能と
なるが、その反面、研磨速度が大幅に劣化してしまう。
【００１５】但し、研磨布１は研磨がなされている間に
摩耗してしまうものであるため、上述したような研磨速
度や達成可能な平坦性といった研磨特性も経時的に変化
してしまう。このために、上述したような回転研削ヘッ
ド５を用いて、研磨布１の表面粗度を管理する必要があ
るわけだが、所定量の研磨が終了してから研削を行う方
法では、研磨中における研磨特性の変化に対応できない
ことから、研磨を行いながら同時に研削を行う（同時研
削）方法が提案されている。
摩耗してしまうものであるため、上述したような研磨速
度や達成可能な平坦性といった研磨特性も経時的に変化
してしまう。このために、上述したような回転研削ヘッ
ド５を用いて、研磨布１の表面粗度を管理する必要があ
るわけだが、所定量の研磨が終了してから研削を行う方
法では、研磨中における研磨特性の変化に対応できない
ことから、研磨を行いながら同時に研削を行う（同時研
削）方法が提案されている。
【００１６】しかしながら、同時研削により研磨布１の
表面粗度を大きく一定に維持すると、安定した研磨特性
が得られる反面、段差凸部と段差凹部との研磨速度差を
確保しにくくなり、十分な平坦化が困難になる。
表面粗度を大きく一定に維持すると、安定した研磨特性
が得られる反面、段差凸部と段差凹部との研磨速度差を
確保しにくくなり、十分な平坦化が困難になる。
【００１７】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、研磨布の表面粗度を適切な条
件に制御することにより、研磨速度を低下させることな
く、且つ、平坦性に優れた研磨が行える研磨方法を提供
することを目的とする。また、このような研磨を実現可
能とする研磨装置を提供することを目的とする。
て提案されたものであり、研磨布の表面粗度を適切な条
件に制御することにより、研磨速度を低下させることな
く、且つ、平坦性に優れた研磨が行える研磨方法を提供
することを目的とする。また、このような研磨を実現可
能とする研磨装置を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の目的を達
成するために提案されたものであり、本発明に係る研磨
方法は、回転定盤に張設された研磨布上に研磨剤を供給
しながら、該研磨布に基体の被研磨面を摺接させること
により、該基体に対する研磨を行う研磨方法において、
前記研磨布の表面粗度が前記研磨開始前の表面粗度と略
等しく一定に維持される第１の条件下で前記研磨を途中
まで行った後、前記表面粗度が相対的に小さく一定に維
持される第２の条件下で残余の研磨を行い、前記研磨布
に対する研削は、回転研削ヘッドをその研削砥粒保持面
を回転させながら該研磨布に摺接させることにより行
い、前記第２の条件は、前記第１の条件の研削よりも、
前記回転研削ヘッドの押し付け圧力、回転数、研削砥粒
の硬度、研削砥粒の粒径の少なくともいずれかを減じて
行うことにより生成されることを特徴とする。
成するために提案されたものであり、本発明に係る研磨
方法は、回転定盤に張設された研磨布上に研磨剤を供給
しながら、該研磨布に基体の被研磨面を摺接させること
により、該基体に対する研磨を行う研磨方法において、
前記研磨布の表面粗度が前記研磨開始前の表面粗度と略
等しく一定に維持される第１の条件下で前記研磨を途中
まで行った後、前記表面粗度が相対的に小さく一定に維
持される第２の条件下で残余の研磨を行い、前記研磨布
に対する研削は、回転研削ヘッドをその研削砥粒保持面
を回転させながら該研磨布に摺接させることにより行
い、前記第２の条件は、前記第１の条件の研削よりも、
前記回転研削ヘッドの押し付け圧力、回転数、研削砥粒
の硬度、研削砥粒の粒径の少なくともいずれかを減じて
行うことにより生成されることを特徴とする。
【００１９】ここで、前記第１の条件は、前記研磨布に
対する所定条件の研削を前記研磨と同時に行うことによ
り生成させ、前記第２の条件は、該研削を停止すること
によって生成させればよい。
対する所定条件の研削を前記研磨と同時に行うことによ
り生成させ、前記第２の条件は、該研削を停止すること
によって生成させればよい。
【００２０】また、次の基体に対して同様の研磨を行う
には、研磨布の表面粗度を研磨開始前の表面粗度と略等
しくなるように回復させておく必要があることから、前
記研磨が終了し、前記基体を前記研磨布から離間させた
後、前記表面粗度が漸減した研磨布に対して、所定条件
の研削を行って好適である。
には、研磨布の表面粗度を研磨開始前の表面粗度と略等
しくなるように回復させておく必要があることから、前
記研磨が終了し、前記基体を前記研磨布から離間させた
後、前記表面粗度が漸減した研磨布に対して、所定条件
の研削を行って好適である。
【００２１】
【００２２】さらに、前記第１の条件は、ある回転定盤
に張設されたある研磨布に対して所定条件の検索を行う
ことにより生成させ、前記第２の条件は、別の回転定盤
に張設された別の研磨布に対して異なる条件の研削を行
うことにより生成させればよい。
に張設されたある研磨布に対して所定条件の検索を行う
ことにより生成させ、前記第２の条件は、別の回転定盤
に張設された別の研磨布に対して異なる条件の研削を行
うことにより生成させればよい。
【００２３】または、前記第１の条件は、単一の回転定
盤に張設された研磨布に対して、ある所定地点において
所定条件の研削を行うことにより生成させ、前記第２の
条件は、同一の研磨布に対して、別の所定地点において
異なる条件の研削を行うことにより生成させてもよい。
盤に張設された研磨布に対して、ある所定地点において
所定条件の研削を行うことにより生成させ、前記第２の
条件は、同一の研磨布に対して、別の所定地点において
異なる条件の研削を行うことにより生成させてもよい。
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【００２８】上記の研磨方法を実現するための研磨装置
は、研磨布が張設された単一の回転定盤と、該研磨布上
に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、該研磨布に対向
する２カ所以上の所定地点にそれぞれ配設され、その研
削砥粒保持面をそれぞれ回転させながら該研磨布に摺接
させることによって、各所定地点の各下流側領域におい
て該研磨布に異なる表面粗度を与えるごとく研削を行う
回転研削ヘッドと、基体を密着保持し、これを回転させ
ながら該研磨布に摺接させるための基体保持台と、該基
体を前記各下流側領域間にて移動させる移動手段とを備
えるものである。
は、研磨布が張設された単一の回転定盤と、該研磨布上
に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、該研磨布に対向
する２カ所以上の所定地点にそれぞれ配設され、その研
削砥粒保持面をそれぞれ回転させながら該研磨布に摺接
させることによって、各所定地点の各下流側領域におい
て該研磨布に異なる表面粗度を与えるごとく研削を行う
回転研削ヘッドと、基体を密着保持し、これを回転させ
ながら該研磨布に摺接させるための基体保持台と、該基
体を前記各下流側領域間にて移動させる移動手段とを備
えるものである。
【００２９】ここで、研磨布に対して互いに異なる表面
粗度を与えるためには、回転研削ヘッドのそれぞれが、
研磨布への押し付け圧力および／または回転数を互いに
異なるものとなるように制御されて好適である。また、
該回転研削ヘッドにおける研削砥粒の硬度および／また
は粒径もそれぞれ異なるものとなされて好適である。
粗度を与えるためには、回転研削ヘッドのそれぞれが、
研磨布への押し付け圧力および／または回転数を互いに
異なるものとなるように制御されて好適である。また、
該回転研削ヘッドにおける研削砥粒の硬度および／また
は粒径もそれぞれ異なるものとなされて好適である。
【００３０】
【作用】本発明に係る研磨方法を適用して、途中まで
は、研磨布の表面粗度が研磨開始前の表面粗度と略等し
く一定に維持される、あるいは、表面粗度が相対的に大
きく一定に維持される条件（第１の条件）で基体の研磨
を行うと、ある程度の平坦性を短時間で達成することが
できる。その後、研磨布の表面粗度が漸減する条件、あ
るいは、表面粗度が相対的に小さく一定に維持される条
件（第２の条件）で基体の研磨を行うと、平坦性をさら
に向上させることができる。
は、研磨布の表面粗度が研磨開始前の表面粗度と略等し
く一定に維持される、あるいは、表面粗度が相対的に大
きく一定に維持される条件（第１の条件）で基体の研磨
を行うと、ある程度の平坦性を短時間で達成することが
できる。その後、研磨布の表面粗度が漸減する条件、あ
るいは、表面粗度が相対的に小さく一定に維持される条
件（第２の条件）で基体の研磨を行うと、平坦性をさら
に向上させることができる。
【００３１】本発明に係る研磨装置を適用すると、異な
る研磨布に互いに異なる表面粗度を与えること、あるい
は、同一の研磨布に互いに異なる表面粗度を有する領域
を形成することができるため、研磨の途中で基体を各研
磨布間または各領域間で移動させることにより、上述し
た第１の条件下での研磨と第２の条件下での研磨とを逐
次的に行うことができる。
る研磨布に互いに異なる表面粗度を与えること、あるい
は、同一の研磨布に互いに異なる表面粗度を有する領域
を形成することができるため、研磨の途中で基体を各研
磨布間または各領域間で移動させることにより、上述し
た第１の条件下での研磨と第２の条件下での研磨とを逐
次的に行うことができる。
【００３２】
【実施例】以下、本発明に係る研磨方法およびこれに用
いる研磨装置について、具体的な実施例を挙げて説明す
る。
いる研磨装置について、具体的な実施例を挙げて説明す
る。
【００３３】実施例１
本実施例の研磨方法は、研磨布の表面粗度が研磨開始前
の表面粗度と略等しく一定に維持される第１の条件下で
研磨を途中まで行った後、表面粗度が漸減する第２の条
件下で残余の研磨を連続的に行うものである。
の表面粗度と略等しく一定に維持される第１の条件下で
研磨を途中まで行った後、表面粗度が漸減する第２の条
件下で残余の研磨を連続的に行うものである。
【００３４】この研磨方法は、従来型の研磨装置にて対
応可能である。この研磨装置の構成例について、図１の
側面図を参照しながら説明する。
応可能である。この研磨装置の構成例について、図１の
側面図を参照しながら説明する。
【００３５】この研磨装置は、平均粗さ７μｍなる表面
粗度を有する研磨布１が張設された回転定盤２と、研磨
布１上にスラリー状の研磨剤３を供給する研磨剤供給手
段８と、粒径１００μｍのダイヤモンドよりなる研削砥
粒４が埋設されこれを研磨布１に摺接させる回転研削ヘ
ッド５と、基体６を密着保持しこれを研磨布１に摺接さ
せる基体保持台７とから構成される。
粗度を有する研磨布１が張設された回転定盤２と、研磨
布１上にスラリー状の研磨剤３を供給する研磨剤供給手
段８と、粒径１００μｍのダイヤモンドよりなる研削砥
粒４が埋設されこれを研磨布１に摺接させる回転研削ヘ
ッド５と、基体６を密着保持しこれを研磨布１に摺接さ
せる基体保持台７とから構成される。
【００３６】ここで、上記回転定盤２は、その中心に設
けられた軸部２ｓを介して図示しないモータに接続され
ることにより、図中Ａ方向に回転可能となされている。
けられた軸部２ｓを介して図示しないモータに接続され
ることにより、図中Ａ方向に回転可能となされている。
【００３７】また、上記回転研削ヘッド５は、その中心
に設けられた軸部５ｓを介して図示しない駆動機構に接
続され、これにより、所望の回転数にて図中Ｂ方向に回
転可能となされるとともに、図中Ｃ方向にも移動可能と
され、上記研磨布１に対する研削砥粒４の摺接／離間お
よび押し付け圧力を制御できるようになされている。
に設けられた軸部５ｓを介して図示しない駆動機構に接
続され、これにより、所望の回転数にて図中Ｂ方向に回
転可能となされるとともに、図中Ｃ方向にも移動可能と
され、上記研磨布１に対する研削砥粒４の摺接／離間お
よび押し付け圧力を制御できるようになされている。
【００３８】さらに、上記基体保持台７も、その中心に
設けられた軸部７ｓを介して図示しない駆動機構に接続
されることにより、基体６を図中Ｄ方向に回転可能とす
るとともに、図中Ｅ方向にも移動可能とされ、上記研磨
布１への摺接／離間を制御できるようになされている。
設けられた軸部７ｓを介して図示しない駆動機構に接続
されることにより、基体６を図中Ｄ方向に回転可能とす
るとともに、図中Ｅ方向にも移動可能とされ、上記研磨
布１への摺接／離間を制御できるようになされている。
【００３９】このような研磨装置を用いれば、研磨布１
に回転研削ヘッド５の研削砥粒４を摺接させると同時
に、基体保持台７に保持された基体６の被研磨面を摺接
させて同時研削を行うことにより、研磨布１の表面粗度
が研磨開始前の表面粗度を略等しく維持された条件（第
１の条件）下での基体６に対する研磨を行える。また、
回転研削ヘッド５における研削砥粒４を研磨布１から離
間させた状態で基体６の被研磨面を該研磨布１に摺接さ
せることにより、研磨布１の表面粗度が漸減する条件
（第２の条件）下での基体６に対する研磨を連続的に行
うこともできる。
に回転研削ヘッド５の研削砥粒４を摺接させると同時
に、基体保持台７に保持された基体６の被研磨面を摺接
させて同時研削を行うことにより、研磨布１の表面粗度
が研磨開始前の表面粗度を略等しく維持された条件（第
１の条件）下での基体６に対する研磨を行える。また、
回転研削ヘッド５における研削砥粒４を研磨布１から離
間させた状態で基体６の被研磨面を該研磨布１に摺接さ
せることにより、研磨布１の表面粗度が漸減する条件
（第２の条件）下での基体６に対する研磨を連続的に行
うこともできる。
【００４０】以下、上述のような研磨装置を用い、半導
体装置の製造プロセスにおける層間平坦化膜の形成工程
を行った例について説明する。
体装置の製造プロセスにおける層間平坦化膜の形成工程
を行った例について説明する。
【００４１】先ず、図２に示されるような、シリコン基
板５１上に酸化シリコンよりなる下層絶縁膜５２、Ａｌ
系材料よりなる配線パターン５３、該配線パターン５３
を被覆する層間絶縁膜５４が順に形成されてなるウェハ
（基体）６を用意した。ここで、層間絶縁膜５４は以下
の成膜条件によって成膜されたものである。
板５１上に酸化シリコンよりなる下層絶縁膜５２、Ａｌ
系材料よりなる配線パターン５３、該配線パターン５３
を被覆する層間絶縁膜５４が順に形成されてなるウェハ
（基体）６を用意した。ここで、層間絶縁膜５４は以下
の成膜条件によって成膜されたものである。
【００４２】層間絶縁膜５４の成膜条件
原料ガス ： ＴＥＯＳ 流量 ３５０ ｓｃｃｍ
Ｏ2 流量 ３５０ ｓｃｃｍ
圧力 ： １３３０ Ｐａ （１０ Ｔｏｒｒ）
温度 ： ４００ ℃
ＲＦ電力 ： ３６０ Ｗ
但し、ＴＥＯＳとはテトラエトキシシランである。
【００４３】そして、上述のような構成を有する基体６
に対して、以下のような研磨を行うことによって、層間
絶縁膜５４の段差の凸部を除去して平坦化を行った。
に対して、以下のような研磨を行うことによって、層間
絶縁膜５４の段差の凸部を除去して平坦化を行った。
【００４４】具体的には、先ず、上述の基体６における
層間絶縁膜５４が研磨布１に対向するように基体保持台
７に保持させて１７ｒｐｍにて回転させる一方、回転定
盤２を３７ｒｐｍにて回転させ、研磨布１上にシリカ／
水酸化カリウム／水よりなるスラリー上の研磨剤３を供
給した。また、該研磨布１には、回転研削ヘッド５にお
ける研削砥粒４の保持面を５０ｒｐｍにて回転させなが
ら３０ｋｇｆなる押し付け圧力にて摺接させた。そし
て、上記回転研削ヘッド５による研削が行われている研
磨布１に対して基体６を摺接させた。このような同時研
削により、研磨布１の表面粗度が平均粗さ７μｍに維持
された条件（第１の条件）下で基体６の研磨が行われ
た。
層間絶縁膜５４が研磨布１に対向するように基体保持台
７に保持させて１７ｒｐｍにて回転させる一方、回転定
盤２を３７ｒｐｍにて回転させ、研磨布１上にシリカ／
水酸化カリウム／水よりなるスラリー上の研磨剤３を供
給した。また、該研磨布１には、回転研削ヘッド５にお
ける研削砥粒４の保持面を５０ｒｐｍにて回転させなが
ら３０ｋｇｆなる押し付け圧力にて摺接させた。そし
て、上記回転研削ヘッド５による研削が行われている研
磨布１に対して基体６を摺接させた。このような同時研
削により、研磨布１の表面粗度が平均粗さ７μｍに維持
された条件（第１の条件）下で基体６の研磨が行われ
た。
【００４５】そして、図３に示されるように、基体６に
おける層間絶縁膜５４の所定除去量の約９０％を除去
し、該基体６の表面段差を３００ｎｍまで低減させた
ら、研磨布１から回転研削ヘッド５における研削砥粒４
を離間させて、研削を停止した状態とした以外は上述し
たと同様の条件にて、該基体６に対する研磨を続けた。
これにより、研磨布１の表面粗度が漸減する条件（第２
の条件）下にて基体６における残余の研磨が行われ、図
４に示されるように、層間絶縁膜５４が平坦化され、基
体６の表面段差が１００ｎｍとなった。
おける層間絶縁膜５４の所定除去量の約９０％を除去
し、該基体６の表面段差を３００ｎｍまで低減させた
ら、研磨布１から回転研削ヘッド５における研削砥粒４
を離間させて、研削を停止した状態とした以外は上述し
たと同様の条件にて、該基体６に対する研磨を続けた。
これにより、研磨布１の表面粗度が漸減する条件（第２
の条件）下にて基体６における残余の研磨が行われ、図
４に示されるように、層間絶縁膜５４が平坦化され、基
体６の表面段差が１００ｎｍとなった。
【００４６】その後、上述のようにして基体６の被研磨
面に対する研磨が終了したら、該基体６を研磨布１から
離間させ、該基体６をフッ化水素（ＨＦ）水溶液にて洗
浄し、該基体６の被研磨面に付着した研磨剤３を除去し
た。
面に対する研磨が終了したら、該基体６を研磨布１から
離間させ、該基体６をフッ化水素（ＨＦ）水溶液にて洗
浄し、該基体６の被研磨面に付着した研磨剤３を除去し
た。
【００４７】一方、研磨布１を再び回転研削ヘッド５を
用いて研削することにより、表面粗度を研磨を行う前の
ものと略等しくなるように回復させた。これにより、次
の基体に対して同様の研磨を行うことが可能となる。
用いて研削することにより、表面粗度を研磨を行う前の
ものと略等しくなるように回復させた。これにより、次
の基体に対して同様の研磨を行うことが可能となる。
【００４８】即ち、研磨布の表面粗度は図５に示される
ように、同時研削が行われるとき（研磨を開始してから
の時間が０〜Ｔ1 のとき）にはＲ1 に保たれ、研削を停
止した状態で研磨が行われるとき（研磨を開始してから
の時間がＴ1 〜Ｔ2 のとき）にＲ2 まで低下し、研磨終
了後に研削のみを行うことによりＲ1 まで回復する、と
いうように変化する。ここでは、Ｒ1 は平均粗さ７μｍ
であり、Ｒ2 は平均粗さ４μｍである。
ように、同時研削が行われるとき（研磨を開始してから
の時間が０〜Ｔ1 のとき）にはＲ1 に保たれ、研削を停
止した状態で研磨が行われるとき（研磨を開始してから
の時間がＴ1 〜Ｔ2 のとき）にＲ2 まで低下し、研磨終
了後に研削のみを行うことによりＲ1 まで回復する、と
いうように変化する。ここでは、Ｒ1 は平均粗さ７μｍ
であり、Ｒ2 は平均粗さ４μｍである。
【００４９】また、達成される基体６表面の平坦度は、
図６の曲線Ａのように変化する。同図には、比較のた
め、研磨布１の表面粗度が同時研削により平均粗さ７μ
ｍに維持された条件（第１の条件）下で最後まで研磨を
行った場合における平坦度の変化を曲線Ｂ、研磨布１の
表面粗度が漸減するに任せた条件（第２の条件）下で最
初から研磨を行った場合における平坦度の変化を曲線Ｃ
として示す。但し、図６では、縦軸の上方ほど平坦度に
劣ることを示す。
図６の曲線Ａのように変化する。同図には、比較のた
め、研磨布１の表面粗度が同時研削により平均粗さ７μ
ｍに維持された条件（第１の条件）下で最後まで研磨を
行った場合における平坦度の変化を曲線Ｂ、研磨布１の
表面粗度が漸減するに任せた条件（第２の条件）下で最
初から研磨を行った場合における平坦度の変化を曲線Ｃ
として示す。但し、図６では、縦軸の上方ほど平坦度に
劣ることを示す。
【００５０】図６に示されるように、第１の条件下で最
後まで研磨を行った場合（曲線Ｂ）は、研磨を開始して
からの時間がＴ1 のとき、平坦度がＳ1 まで達成される
が、その後研磨を続けても、それ以上平坦度を向上させ
ることができない。また、第２の条件下で最初から研磨
を行った場合（曲線Ｃ）は、平坦度がＳ2 まで達成でき
るが、このためにＴ3 なる長時間を要する。これに対し
て、本実施例の研磨方法によって研磨を行った場合（曲
線Ａ）は、第１の条件下での研磨により、Ｔ1なる短時
間で平坦度がＳ1 まで達成された後、第２の条件下での
研磨を行うことにより、研磨を開始してからの時間がＴ
2 のときには平坦度をＳ2 まで向上させることができ
る。ここでは、Ｓ1 は表面段差３００ｎｍであり、Ｓ2
は表面段差１００ｎｍである。
後まで研磨を行った場合（曲線Ｂ）は、研磨を開始して
からの時間がＴ1 のとき、平坦度がＳ1 まで達成される
が、その後研磨を続けても、それ以上平坦度を向上させ
ることができない。また、第２の条件下で最初から研磨
を行った場合（曲線Ｃ）は、平坦度がＳ2 まで達成でき
るが、このためにＴ3 なる長時間を要する。これに対し
て、本実施例の研磨方法によって研磨を行った場合（曲
線Ａ）は、第１の条件下での研磨により、Ｔ1なる短時
間で平坦度がＳ1 まで達成された後、第２の条件下での
研磨を行うことにより、研磨を開始してからの時間がＴ
2 のときには平坦度をＳ2 まで向上させることができ
る。ここでは、Ｓ1 は表面段差３００ｎｍであり、Ｓ2
は表面段差１００ｎｍである。
【００５１】実施例２
本実施例では、研磨布の表面粗度が相対的に大きく一定
に維持される第１の条件下で研磨を途中まで行った後、
該表面粗度が相対的に小さく一定に維持される第２の条
件下で残余の研磨を行うことが可能な研磨装置について
説明する。この研磨装置においては、前記第１の条件
を、ある回転定盤に張設されたある研磨布に対して所定
条件の研削を行うことにより生成させ、前記第２の条件
を、別の回転定盤に張設された別の研磨布に対して異な
る条件の研削を行うことにより生成させることが可能で
ある。
に維持される第１の条件下で研磨を途中まで行った後、
該表面粗度が相対的に小さく一定に維持される第２の条
件下で残余の研磨を行うことが可能な研磨装置について
説明する。この研磨装置においては、前記第１の条件
を、ある回転定盤に張設されたある研磨布に対して所定
条件の研削を行うことにより生成させ、前記第２の条件
を、別の回転定盤に張設された別の研磨布に対して異な
る条件の研削を行うことにより生成させることが可能で
ある。
【００５２】具体的には、図７の側面図に示されるよう
に、この研磨装置は、平均粗さ８μｍなる表面粗度を有
する第１の研磨布１１、平均粗さ３μｍなる表面粗度を
有する第２の研磨布２１がそれぞれ張設された第１の回
転定盤１２および第２の回転定盤２２と、各研磨布１
１，２１上にスラリー状の研磨剤１３，２３をそれぞれ
供給する第１の研磨剤供給手段１８および第２の研磨剤
供給手段２８と、各回転定盤１２，２２のそれぞれに対
応して設けられ各研磨布１１，２１にそれぞれ摺接させ
て研削を行う第１の回転研削ヘッド１５および第２の回
転研削ヘッド２５と、基体１６を密着保持しこれを各研
磨布１１，２１にそれぞれ摺接させる第１の基体保持台
１７および第２の基体保持台２７と、基体１６を各基体
保持台１７，２７間で移動させるハンドラー（移動手
段）１９とを備える。
に、この研磨装置は、平均粗さ８μｍなる表面粗度を有
する第１の研磨布１１、平均粗さ３μｍなる表面粗度を
有する第２の研磨布２１がそれぞれ張設された第１の回
転定盤１２および第２の回転定盤２２と、各研磨布１
１，２１上にスラリー状の研磨剤１３，２３をそれぞれ
供給する第１の研磨剤供給手段１８および第２の研磨剤
供給手段２８と、各回転定盤１２，２２のそれぞれに対
応して設けられ各研磨布１１，２１にそれぞれ摺接させ
て研削を行う第１の回転研削ヘッド１５および第２の回
転研削ヘッド２５と、基体１６を密着保持しこれを各研
磨布１１，２１にそれぞれ摺接させる第１の基体保持台
１７および第２の基体保持台２７と、基体１６を各基体
保持台１７，２７間で移動させるハンドラー（移動手
段）１９とを備える。
【００５３】このような研磨装置において、上記第１の
回転定盤１２，第２の回転定盤２２は、それぞれその中
心に設けられた軸部１２ｓ，２２ｓを介して図示しない
モータにそれぞれ接続されることにより、図中Ａ方向へ
それぞれ回転可能となされている。
回転定盤１２，第２の回転定盤２２は、それぞれその中
心に設けられた軸部１２ｓ，２２ｓを介して図示しない
モータにそれぞれ接続されることにより、図中Ａ方向へ
それぞれ回転可能となされている。
【００５４】上記第１の回転研削ヘッド１５は、第１の
研磨布１１との摺接面に粒径１００μｍのダイヤモンド
よりなる研削砥粒１４を保持し、上記第２の回転研削ヘ
ッド２５は、第２の研磨布２１との摺接面に粒径３０μ
ｍのダイヤモンドよりなる研削砥粒２４を保持してお
り、各研磨布１１，２１に互いに異なる表面粗度を与え
るものである。また、該各回転研削ヘッド１５，２５
は、それぞれの中心に設けられた軸部１５ｓ，２５ｓを
介して、図示しない駆動機構に接続され、これにより、
それぞれ所望の回転数にて図中Ｂ方向へ回転可能となさ
れるとともに、図中Ｃ方向へもそれぞれ移動可能とさ
れ、上記第１の研磨布１１，第２の研磨布２１への摺接
／離間および押し付け圧力をそれぞれ制御できるように
なされている。
研磨布１１との摺接面に粒径１００μｍのダイヤモンド
よりなる研削砥粒１４を保持し、上記第２の回転研削ヘ
ッド２５は、第２の研磨布２１との摺接面に粒径３０μ
ｍのダイヤモンドよりなる研削砥粒２４を保持してお
り、各研磨布１１，２１に互いに異なる表面粗度を与え
るものである。また、該各回転研削ヘッド１５，２５
は、それぞれの中心に設けられた軸部１５ｓ，２５ｓを
介して、図示しない駆動機構に接続され、これにより、
それぞれ所望の回転数にて図中Ｂ方向へ回転可能となさ
れるとともに、図中Ｃ方向へもそれぞれ移動可能とさ
れ、上記第１の研磨布１１，第２の研磨布２１への摺接
／離間および押し付け圧力をそれぞれ制御できるように
なされている。
【００５５】上記第１の基体保持台１７および第２の基
体保持台２７も、それぞれの中心に設けられた軸部１７
ｓ，２７ｓを介して図示しない駆動機構に接続されるこ
とにより、基体１６を図中Ｄ方向へそれぞれ回転可能と
するとともに、図中Ｅ方向へも移動可能となされ、上記
第１の研磨布１１，第２の研磨布２１への摺接／離間を
それぞれ制御できるようになされている。
体保持台２７も、それぞれの中心に設けられた軸部１７
ｓ，２７ｓを介して図示しない駆動機構に接続されるこ
とにより、基体１６を図中Ｄ方向へそれぞれ回転可能と
するとともに、図中Ｅ方向へも移動可能となされ、上記
第１の研磨布１１，第２の研磨布２１への摺接／離間を
それぞれ制御できるようになされている。
【００５６】上記ハンドラー１９は、基体１６の周縁部
を支持可能となされていると共に、図示しない駆動機構
により該基体１６を所定の方向へ移動させることができ
るようになされており、これにより、第１の基体保持台
１７に保持されている基体１６を第２の基体保持台２７
へ移すことができる。
を支持可能となされていると共に、図示しない駆動機構
により該基体１６を所定の方向へ移動させることができ
るようになされており、これにより、第１の基体保持台
１７に保持されている基体１６を第２の基体保持台２７
へ移すことができる。
【００５７】以上のような構成を有する研磨装置を用い
れば、第１の回転研削ヘッド１５による第１の研磨布１
１への研削条件と、第２の回転研削ヘッド２５による第
２の研磨布２１への研削条件とを異ならせることによ
り、基体１６に対して、第１の研磨布１１の表面粗度が
相対的に大きく一定に維持される条件（第１の条件）下
での研磨と、第２の研磨布２１の表面粗度が相対的に小
さく一定に維持される条件（第２の条件）下での研磨と
を逐次的に行うことができる。
れば、第１の回転研削ヘッド１５による第１の研磨布１
１への研削条件と、第２の回転研削ヘッド２５による第
２の研磨布２１への研削条件とを異ならせることによ
り、基体１６に対して、第１の研磨布１１の表面粗度が
相対的に大きく一定に維持される条件（第１の条件）下
での研磨と、第２の研磨布２１の表面粗度が相対的に小
さく一定に維持される条件（第２の条件）下での研磨と
を逐次的に行うことができる。
【００５８】実施例３
実施例２に示された研磨装置を用いた研磨は以下のよう
にして行った。
にして行った。
【００５９】先ず、第１の回転定盤１２を３７ｒｐｍに
て回転させ、第１の研磨布１１上にシリカ／水酸化カリ
ウム／水よりなるスラリー上の研磨剤１３を供給する一
方、該第１の研磨布１１に対して第１の回転研削ヘッド
１５の研削砥粒４を摺接させて、下記の研削条件にて研
削した。
て回転させ、第１の研磨布１１上にシリカ／水酸化カリ
ウム／水よりなるスラリー上の研磨剤１３を供給する一
方、該第１の研磨布１１に対して第１の回転研削ヘッド
１５の研削砥粒４を摺接させて、下記の研削条件にて研
削した。
【００６０】第１の回転研削ヘッド１５による研削条件
研削砥粒の粒径 ： １００ μｍ
回転数 ： ５０ ｒｐｍ
押し付け圧力 ： ３０ ｋｇｆ
ここで、研削砥粒４の材質は実施例２に示したようにダ
イヤモンドである。
イヤモンドである。
【００６１】そして、実施例１と同様の構成を有する基
体１６を第１の基体保持台１７に保持させて１７ｒｐｍ
にて回転させながら、上述の第１の研磨布１１に対して
基体１６を摺接させた。これにより、表面粗度が平均粗
さ８μｍに維持された第１の研磨布１１による基体１６
の研磨（第１の条件下での研磨）が行われた。
体１６を第１の基体保持台１７に保持させて１７ｒｐｍ
にて回転させながら、上述の第１の研磨布１１に対して
基体１６を摺接させた。これにより、表面粗度が平均粗
さ８μｍに維持された第１の研磨布１１による基体１６
の研磨（第１の条件下での研磨）が行われた。
【００６２】このようにして基体１６における所定除去
量の約９０％を除去し、該基体１６の表面段差を３００
ｎｍまで低減させたら、第１の研磨布１１から第１の基
体保持台１７を離間させて、ハンドラー１９により基体
１６を移動させ、第２の基体保持台２７に保持させた。
このとき、第２の回転定盤２２は第１の回転定盤１２と
同様に回転させ、第２の研磨布２１上に研磨剤１３と同
様の研磨剤２３を供給しておくと共に、該第２の研磨布
２１に対して第２の回転研削ヘッド２５の研削砥粒２４
を摺接させて、下記の研削条件して研削しておいた。
量の約９０％を除去し、該基体１６の表面段差を３００
ｎｍまで低減させたら、第１の研磨布１１から第１の基
体保持台１７を離間させて、ハンドラー１９により基体
１６を移動させ、第２の基体保持台２７に保持させた。
このとき、第２の回転定盤２２は第１の回転定盤１２と
同様に回転させ、第２の研磨布２１上に研磨剤１３と同
様の研磨剤２３を供給しておくと共に、該第２の研磨布
２１に対して第２の回転研削ヘッド２５の研削砥粒２４
を摺接させて、下記の研削条件して研削しておいた。
【００６３】第２の回転研削ヘッド２５による研削条件
研削砥粒の粒径 ： ３０ μｍ
回転数 ： ５０ ｒｐｍ
押し付け圧力 ： ３０ ｋｇｆ
ここで、研削砥粒４の材質は実施例２に示したようにダ
イヤモンドである。
イヤモンドである。
【００６４】そして、このような状態の第２の研磨布２
１に対して、基体１６を１７ｒｐｍにて回転させながら
摺接させることにより、残余の研磨を行った。これによ
り、表面粗度が平均粗さ３μｍに維持された第２の研磨
布２１による基体１６の研磨（第２の条件下での研磨）
が行われ、基体１６の表面段差が１００ｎｍまで低減さ
れた。
１に対して、基体１６を１７ｒｐｍにて回転させながら
摺接させることにより、残余の研磨を行った。これによ
り、表面粗度が平均粗さ３μｍに維持された第２の研磨
布２１による基体１６の研磨（第２の条件下での研磨）
が行われ、基体１６の表面段差が１００ｎｍまで低減さ
れた。
【００６５】本実施例に係る研磨方法においては、基体
１６に摺接させる研磨布の表面粗度を図８に示されるよ
うに変化させた。具体的には、第１の条件下での研磨時
（研磨を開始してからの時間が０〜ｔ1 のとき）にはｒ
1 に保たれ、第２の条件下での研磨時（研磨を開始して
からの時間がｔ1'〜ｔ2 のとき）にはｒ2 に保たれてい
る。ここで、研磨を開始してからの時間がｔ1 からｔ1'
のときは、基体１６を第１の研磨布１１上から第２の研
磨布２１上へ移動させている時間である。また、ｒ1 は
平均粗さ８μｍであり、ｒ2 は平均粗さ３μｍである。
１６に摺接させる研磨布の表面粗度を図８に示されるよ
うに変化させた。具体的には、第１の条件下での研磨時
（研磨を開始してからの時間が０〜ｔ1 のとき）にはｒ
1 に保たれ、第２の条件下での研磨時（研磨を開始して
からの時間がｔ1'〜ｔ2 のとき）にはｒ2 に保たれてい
る。ここで、研磨を開始してからの時間がｔ1 からｔ1'
のときは、基体１６を第１の研磨布１１上から第２の研
磨布２１上へ移動させている時間である。また、ｒ1 は
平均粗さ８μｍであり、ｒ2 は平均粗さ３μｍである。
【００６６】また、本実施例の研磨方法によって達成さ
れる基体１６表面の平坦度は、図９に示されるように変
化する。即ち、第１の条件下での研磨により、研磨を開
始してからの時間がｔ1 のとき、平坦度がｓ1 まで達成
された後、第２の条件下での研磨により、研磨を開始し
てからの時間がｔ2 のときには、平坦度をｓ2 まで向上
させることができる。ここでは、ｓ1 は表面段差３００
ｎｍであり、ｓ2 は表面段差１００ｎｍである。
れる基体１６表面の平坦度は、図９に示されるように変
化する。即ち、第１の条件下での研磨により、研磨を開
始してからの時間がｔ1 のとき、平坦度がｓ1 まで達成
された後、第２の条件下での研磨により、研磨を開始し
てからの時間がｔ2 のときには、平坦度をｓ2 まで向上
させることができる。ここでは、ｓ1 は表面段差３００
ｎｍであり、ｓ2 は表面段差１００ｎｍである。
【００６７】本実施例の研磨方法においては、第１の研
磨布１１および第２の研磨布２１のいずれにおいても表
面粗度を回復させるための時間を必要としないため、第
１の研磨布１１を用いた基体１６に対する研磨が終了し
たら、該基体１６に対する第２の研磨布２１を用いた研
磨を行っている間に、第１の研磨布１１を用いた次の基
体に対する研磨を開始することが可能である。
磨布１１および第２の研磨布２１のいずれにおいても表
面粗度を回復させるための時間を必要としないため、第
１の研磨布１１を用いた基体１６に対する研磨が終了し
たら、該基体１６に対する第２の研磨布２１を用いた研
磨を行っている間に、第１の研磨布１１を用いた次の基
体に対する研磨を開始することが可能である。
【００６８】実施例４
本実施例では、研磨布の表面粗度が相対的に大きく一定
に維持される第１の条件を、単一の回転定盤に張設され
た研磨布に対して、ある所定地点において所定条件の研
削を行うことにより生成させ、表面粗度が相対的に小さ
く一定に維持される第２の条件を、同一の研磨布に対し
て、別の所定地点において異なる条件の研削を行うこと
により生成させることが可能な研磨装置について説明す
る。
に維持される第１の条件を、単一の回転定盤に張設され
た研磨布に対して、ある所定地点において所定条件の研
削を行うことにより生成させ、表面粗度が相対的に小さ
く一定に維持される第２の条件を、同一の研磨布に対し
て、別の所定地点において異なる条件の研削を行うこと
により生成させることが可能な研磨装置について説明す
る。
【００６９】この研磨装置は、その上面図が図１０に示
されると共に、該図１０におけるａ−ａ’線断面図が図
１１に示され、ｂ−ｂ’線断面図が図１２に示されるよ
うに、研磨布３１が張設された単一の回転定盤３２と、
該研磨布３１上にスラリー状の研磨剤３３を供給する研
磨剤供給手段３８，４８と、それぞれ研磨布３１に対向
して配設され該研磨布３１に摺接させて研削する第１の
回転研削ヘッド３５および第２の回転研削ヘッド４５
と、基体３６を密着保持しこれを該研磨布３１に摺接さ
せる第１の基体保持台３７および第２の基体保持台４７
と、基体３６を各基体保持台３７，４７間で移動させる
ハンドラー（移動手段）３９とを備える。
されると共に、該図１０におけるａ−ａ’線断面図が図
１１に示され、ｂ−ｂ’線断面図が図１２に示されるよ
うに、研磨布３１が張設された単一の回転定盤３２と、
該研磨布３１上にスラリー状の研磨剤３３を供給する研
磨剤供給手段３８，４８と、それぞれ研磨布３１に対向
して配設され該研磨布３１に摺接させて研削する第１の
回転研削ヘッド３５および第２の回転研削ヘッド４５
と、基体３６を密着保持しこれを該研磨布３１に摺接さ
せる第１の基体保持台３７および第２の基体保持台４７
と、基体３６を各基体保持台３７，４７間で移動させる
ハンドラー（移動手段）３９とを備える。
【００７０】このような研磨装置において、上記開店定
盤３２は、その中心に設けられた軸部３２ｓを介して図
示しないモータに接続されることにより、図中Ａ方向に
回転可能となされている。
盤３２は、その中心に設けられた軸部３２ｓを介して図
示しないモータに接続されることにより、図中Ａ方向に
回転可能となされている。
【００７１】上記第１の回転研削ヘッド３５は、研磨布
３１との摺接面に粒径１００μｍのダイヤモンドよりな
る第１の研削砥粒３４を保持し、上記第２の回転研削ヘ
ッド４５は、研磨布３１との摺接面に粒径３０μｍのダ
イヤモンドよりなる第２の研削砥粒４４を保持してお
り、研磨布３１に対して、各回転研削ヘッド３５，４５
の各研削砥粒３４，４４をそれぞれ摺接させることによ
り、該各回転研削ヘッド３５，４５の下流側に、互いに
異なる表面粗度を有する領域Ｐ，Ｑを形成するようにな
されている。ここで、第１の回転研削ヘッド３５，第２
の回転研削ヘッド４５は、それぞれの中心に設けられた
軸部３５ｓ，４５ｓを介して、図示しない駆動機構にそ
れぞれ接続されることにより、それぞれ所望の回転数に
て図中Ｂ方向に回転可能となされるとともに、図中Ｃ方
向にも移動可能とされ、研磨布３１への摺接／離間およ
び押し付け圧力をそれぞれ制御できるようになされてい
る。
３１との摺接面に粒径１００μｍのダイヤモンドよりな
る第１の研削砥粒３４を保持し、上記第２の回転研削ヘ
ッド４５は、研磨布３１との摺接面に粒径３０μｍのダ
イヤモンドよりなる第２の研削砥粒４４を保持してお
り、研磨布３１に対して、各回転研削ヘッド３５，４５
の各研削砥粒３４，４４をそれぞれ摺接させることによ
り、該各回転研削ヘッド３５，４５の下流側に、互いに
異なる表面粗度を有する領域Ｐ，Ｑを形成するようにな
されている。ここで、第１の回転研削ヘッド３５，第２
の回転研削ヘッド４５は、それぞれの中心に設けられた
軸部３５ｓ，４５ｓを介して、図示しない駆動機構にそ
れぞれ接続されることにより、それぞれ所望の回転数に
て図中Ｂ方向に回転可能となされるとともに、図中Ｃ方
向にも移動可能とされ、研磨布３１への摺接／離間およ
び押し付け圧力をそれぞれ制御できるようになされてい
る。
【００７２】上記第１の基体保持台３７，第２の基体保
持台４７は、第１の回転研削ヘッド３５，第２の回転研
削ヘッド４５のそれぞれ下流側に設けられ、研磨布３１
における上記領域Ｐ，Ｑに対してそれぞれ基体３６を摺
接させることができるようになされている。ここで、第
１の基体保持台３７，第２の基体保持台４７は、その中
心に設けられた軸部３７ｓ，４７ｓを介して図示しない
駆動機構にそれぞれ接続されることにより、基体３６を
図中Ｄ方向に回転可能とするとともに、図中Ｅ方向へも
移動可能となされ、研磨布３１への摺接／離間をそれぞ
れ制御できるようになされている。
持台４７は、第１の回転研削ヘッド３５，第２の回転研
削ヘッド４５のそれぞれ下流側に設けられ、研磨布３１
における上記領域Ｐ，Ｑに対してそれぞれ基体３６を摺
接させることができるようになされている。ここで、第
１の基体保持台３７，第２の基体保持台４７は、その中
心に設けられた軸部３７ｓ，４７ｓを介して図示しない
駆動機構にそれぞれ接続されることにより、基体３６を
図中Ｄ方向に回転可能とするとともに、図中Ｅ方向へも
移動可能となされ、研磨布３１への摺接／離間をそれぞ
れ制御できるようになされている。
【００７３】上記ハンドラー３９は、基体３６の周縁部
を支持可能となされていると共に、図示しない駆動機構
により該基体３６を所定の方向へ移動させることができ
るようになされており、これにより、第１の基体保持台
３７に保持されている基体３６を第２の基体保持台４７
へ移すことができる。
を支持可能となされていると共に、図示しない駆動機構
により該基体３６を所定の方向へ移動させることができ
るようになされており、これにより、第１の基体保持台
３７に保持されている基体３６を第２の基体保持台４７
へ移すことができる。
【００７４】以上のような構成を有する研磨装置を用い
れば、研磨布３１に対する第１の回転研削ヘッド３５に
よる研削条件と、第２の回転研削ヘッド４５による研削
条件とを異ならせることにより、基体３６に対して、研
磨布３１の表面粗度が相対的に大きく一定に維持された
領域Ｐでの研磨（第１の条件下での研磨）と、表面粗度
が相対的に小さく一定に維持された領域Ｑでの研磨（第
２の条件下での研磨）とを逐次的に行うことができる。
れば、研磨布３１に対する第１の回転研削ヘッド３５に
よる研削条件と、第２の回転研削ヘッド４５による研削
条件とを異ならせることにより、基体３６に対して、研
磨布３１の表面粗度が相対的に大きく一定に維持された
領域Ｐでの研磨（第１の条件下での研磨）と、表面粗度
が相対的に小さく一定に維持された領域Ｑでの研磨（第
２の条件下での研磨）とを逐次的に行うことができる。
【００７５】実施例５
実施例４に示される研磨装置を用いた研磨は以下のよう
にして行った。
にして行った。
【００７６】先ず、回転定盤３２を３７ｒｐｍにて回転
させ、研磨剤供給手段３８，４８からそれぞれ研磨布３
１上にシリカ／水酸化カリウム／水よりなるスラリー状
の研磨剤３３を供給した。また、研磨布３１に対して、
第１の回転研削ヘッド３５の第１の研削砥粒３４、第２
の回転研削ヘッド４５の第２の研削砥粒４４を摺接させ
て、それぞれ下記の研削条件にて研削した。
させ、研磨剤供給手段３８，４８からそれぞれ研磨布３
１上にシリカ／水酸化カリウム／水よりなるスラリー状
の研磨剤３３を供給した。また、研磨布３１に対して、
第１の回転研削ヘッド３５の第１の研削砥粒３４、第２
の回転研削ヘッド４５の第２の研削砥粒４４を摺接させ
て、それぞれ下記の研削条件にて研削した。
【００７７】第１の回転研削ヘッド３５による研削条件
研削砥粒の粒径 ： １００ μｍ
回転数 ： ５０ ｒｐｍ
押し付け圧力 ： ３０ ｋｇｆ
第２の回転研削ヘッド４５による研削条件
研削砥粒の粒径 ： ３０ μｍ
回転数 ： ５０ ｒｐｍ
押し付け圧力 ： ３０ ｋｇｆ
但し、各研削砥粒３４，４４の材質は、実施例４にて示
したとおり、いずれもダイヤモンドである。
したとおり、いずれもダイヤモンドである。
【００７８】このような研削を行うことにより、研磨布
３１における第１の回転研削ヘッド３５の下流側に平均
粗さ７．５μｍなる表面粗度を有する領域Ｐを、第２の
回転研削ヘッド４５の下流側に平均粗さ２．５μｍなる
表面粗度を有する領域Ｑが形成された。
３１における第１の回転研削ヘッド３５の下流側に平均
粗さ７．５μｍなる表面粗度を有する領域Ｐを、第２の
回転研削ヘッド４５の下流側に平均粗さ２．５μｍなる
表面粗度を有する領域Ｑが形成された。
【００７９】そして、実施例１と同様の構成を有する基
体３６を、第１の基体保持台３７に保持させて１７ｒｐ
ｍにて回転させながら、研磨布３１における領域Ｐに摺
接させることによって、基体３６の研磨を行った。これ
により、研磨布３１の表面粗度が平均粗さ７．５μｍに
維持された条件（第１の条件）下での研磨が行われた。
体３６を、第１の基体保持台３７に保持させて１７ｒｐ
ｍにて回転させながら、研磨布３１における領域Ｐに摺
接させることによって、基体３６の研磨を行った。これ
により、研磨布３１の表面粗度が平均粗さ７．５μｍに
維持された条件（第１の条件）下での研磨が行われた。
【００８０】このような研磨により、基体３６における
所定除去量の約９０％を除去することによって、該基体
３６の表面段差を３００ｎｍまで低減させたら、領域Ｐ
から第１の基体保持台３７を離間させて、ハンドラー３
９により、基体３６を第１の基体保持台３７から第２の
基体保持台４７へ移した。そして、該基体３６を１７ｒ
ｐｍにて回転させながら、研磨布３１における領域Ｑに
摺接させることによって、残余の研磨を行った。これに
より、研磨布３１の表面粗度が平均粗さ２．５μｍに維
持された条件（第２の条件）下での研磨が行われ、基体
３６の表面段差が１００ｎｍまで低減された。
所定除去量の約９０％を除去することによって、該基体
３６の表面段差を３００ｎｍまで低減させたら、領域Ｐ
から第１の基体保持台３７を離間させて、ハンドラー３
９により、基体３６を第１の基体保持台３７から第２の
基体保持台４７へ移した。そして、該基体３６を１７ｒ
ｐｍにて回転させながら、研磨布３１における領域Ｑに
摺接させることによって、残余の研磨を行った。これに
より、研磨布３１の表面粗度が平均粗さ２．５μｍに維
持された条件（第２の条件）下での研磨が行われ、基体
３６の表面段差が１００ｎｍまで低減された。
【００８１】即ち、本実施例に係る研磨方法において
は、基体３６に摺接させる研磨布の表面粗度を、実施例
３同様、図８に示されるように変化させた。但し、ここ
では、ｒ1 は平均粗さ７．５μｍであり、ｒ2 は平均粗
さ２．５μｍである。
は、基体３６に摺接させる研磨布の表面粗度を、実施例
３同様、図８に示されるように変化させた。但し、ここ
では、ｒ1 は平均粗さ７．５μｍであり、ｒ2 は平均粗
さ２．５μｍである。
【００８２】また、本実施例の研磨方法によって達成さ
れる基体３６表面の平坦度も、実施例３同様、図９に示
されるように変化する。即ち、第１の条件下での研磨に
より、平坦度ｓ1 が短時間で達成された後、第２の条件
下での研磨を行うことにより、より優れた平坦度ｓ2 を
達成することができる。ここでは、ｓ1 は表面粗度３０
０ｎｍであり、ｓ2 は表面粗度１００ｎｍである。
れる基体３６表面の平坦度も、実施例３同様、図９に示
されるように変化する。即ち、第１の条件下での研磨に
より、平坦度ｓ1 が短時間で達成された後、第２の条件
下での研磨を行うことにより、より優れた平坦度ｓ2 を
達成することができる。ここでは、ｓ1 は表面粗度３０
０ｎｍであり、ｓ2 は表面粗度１００ｎｍである。
【００８３】本実施例の研磨方法においては、研磨布３
１における領域Ｐ、領域Ｑのいずれにおいても表面粗度
を回復させるための時間を必要としないため、領域Ｐで
の基体３６に対する研磨が終了したら、該基体３６に対
する領域Ｑでの研磨を行っている間に、領域Ｐにて次の
基体に対する研磨を開始することが可能である。
１における領域Ｐ、領域Ｑのいずれにおいても表面粗度
を回復させるための時間を必要としないため、領域Ｐで
の基体３６に対する研磨が終了したら、該基体３６に対
する領域Ｑでの研磨を行っている間に、領域Ｐにて次の
基体に対する研磨を開始することが可能である。
【００８４】以上、本発明に係る研磨方法およびこれに
用いる研磨装置について説明したが、本発明は上述の実
施例に限定されるものではなく、種々の変形変更が可能
である。例えば、実施例１では、第１の条件下での研磨
後、研磨布１に対する研削を停止して該研磨布１の表面
粗度を漸減させて第２の条件下での研磨を行ったが、該
第２の条件下での研磨を、異なる条件での研削を行うこ
とにより該研磨布１の表面粗度を相対的に小さく一定に
維持した状態で行ってもよい。これは、研磨途中で回転
研削ヘッド５の回転数や研磨布１への押し付け圧力を低
減することにより実現できる。例えば、第１の条件下で
の研磨時には３０ｋｇｆであった研磨布１への押し付け
圧力を、第２の条件したでの研磨時に５ｋｇｆに変更す
ればよい。
用いる研磨装置について説明したが、本発明は上述の実
施例に限定されるものではなく、種々の変形変更が可能
である。例えば、実施例１では、第１の条件下での研磨
後、研磨布１に対する研削を停止して該研磨布１の表面
粗度を漸減させて第２の条件下での研磨を行ったが、該
第２の条件下での研磨を、異なる条件での研削を行うこ
とにより該研磨布１の表面粗度を相対的に小さく一定に
維持した状態で行ってもよい。これは、研磨途中で回転
研削ヘッド５の回転数や研磨布１への押し付け圧力を低
減することにより実現できる。例えば、第１の条件下で
の研磨時には３０ｋｇｆであった研磨布１への押し付け
圧力を、第２の条件したでの研磨時に５ｋｇｆに変更す
ればよい。
【００８５】また、実施例２、実施例４の研磨装置にお
いては、２つの回転研削ヘッドに埋設される研削砥粒の
粒径を互いに異ならせたが、該研削砥粒の粒径および硬
度が互いに等しくても、回転研削ヘッドの回転数や研磨
布への押し付け圧力を異ならせれば、研磨布に互いに異
なる表面粗度を与えることができる。また、実施例２、
実施例４の研磨装置においては、基体の移動手段として
ハンドラーを配設したが、単一の基体保持台が基体を保
持したまま、異なる研磨布間、または、研磨布の異なる
領域間で移動可能となされてもよい。
いては、２つの回転研削ヘッドに埋設される研削砥粒の
粒径を互いに異ならせたが、該研削砥粒の粒径および硬
度が互いに等しくても、回転研削ヘッドの回転数や研磨
布への押し付け圧力を異ならせれば、研磨布に互いに異
なる表面粗度を与えることができる。また、実施例２、
実施例４の研磨装置においては、基体の移動手段として
ハンドラーを配設したが、単一の基体保持台が基体を保
持したまま、異なる研磨布間、または、研磨布の異なる
領域間で移動可能となされてもよい。
【００８６】さらに、実施例３、実施例５の研磨方法に
おいては、第１の条件下での研磨と第２の条件下での研
磨とを、研磨布を研削する研削砥粒の粒径を異ならせる
ことによって変更したが、研磨布への押し付け圧力や回
転数を低減させることにより変更してもよい。例えば、
第２の条件下での研磨を、研削砥粒の粒径を１００μｍ
のままとし、回転研削ヘッドの押し付け圧力を３０ｋｇ
ｆから５ｋｇｆに変更すればよい。
おいては、第１の条件下での研磨と第２の条件下での研
磨とを、研磨布を研削する研削砥粒の粒径を異ならせる
ことによって変更したが、研磨布への押し付け圧力や回
転数を低減させることにより変更してもよい。例えば、
第２の条件下での研磨を、研削砥粒の粒径を１００μｍ
のままとし、回転研削ヘッドの押し付け圧力を３０ｋｇ
ｆから５ｋｇｆに変更すればよい。
【００８７】また、実施例３、実施例５の研磨方法にお
いては、研磨の途中で１回だけ研磨布の表面粗度を異な
らせたが、研磨布の表面粗度の変更を２回以上行って、
段階的に平坦度を向上させてもよい。但し、これを実現
するためには、図７の研磨装置では、さらに別の回転定
盤が必要となり、該回転定盤に対応して回転研削ヘッ
ド、基体保持台も必要となる。また、図１０の研磨装置
では、単一の回転定盤に対してさらに別の回転研削ヘッ
ドが必要となる。
いては、研磨の途中で１回だけ研磨布の表面粗度を異な
らせたが、研磨布の表面粗度の変更を２回以上行って、
段階的に平坦度を向上させてもよい。但し、これを実現
するためには、図７の研磨装置では、さらに別の回転定
盤が必要となり、該回転定盤に対応して回転研削ヘッ
ド、基体保持台も必要となる。また、図１０の研磨装置
では、単一の回転定盤に対してさらに別の回転研削ヘッ
ドが必要となる。
【００８８】なお、本発明は、層間絶縁膜の平坦化に適
用する以外にも、平坦化された素子分離領域を形成する
に際し、溝を有する半導体基板上に形成された埋め込み
絶縁膜の溝内部以外の部分を除去するために適用しても
よい。また、本発明は、貼り合わせＳＯＩ（シリコン・
オン・インシュレーター）基板を用いたシリコン活性層
の形成に適用することもできる。
用する以外にも、平坦化された素子分離領域を形成する
に際し、溝を有する半導体基板上に形成された埋め込み
絶縁膜の溝内部以外の部分を除去するために適用しても
よい。また、本発明は、貼り合わせＳＯＩ（シリコン・
オン・インシュレーター）基板を用いたシリコン活性層
の形成に適用することもできる。
【００８９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
を適用すると、高い研磨速度と優れた平坦性とを両立さ
せることができるため、平坦性に優れた研磨を短時間で
達成することができる。
を適用すると、高い研磨速度と優れた平坦性とを両立さ
せることができるため、平坦性に優れた研磨を短時間で
達成することができる。
【００９０】このため、本発明を例えば半導体装置の製
造プロセスにおける平坦化に適用すると、優れたスルー
プットにて信頼性の高い多層配線構造のデバイスを製造
することが可能となる。
造プロセスにおける平坦化に適用すると、優れたスルー
プットにて信頼性の高い多層配線構造のデバイスを製造
することが可能となる。
【図１】研磨装置の一構成例を示す模式的側面図であ
る。
る。
【図２】本発明を適用して層間絶縁膜の平坦化を行うプ
ロセスを示すものであり、配線パターンを被覆する層間
絶縁膜が形成された状態の基体を示す模式的断面図であ
る。
ロセスを示すものであり、配線パターンを被覆する層間
絶縁膜が形成された状態の基体を示す模式的断面図であ
る。
【図３】図２の基体に対して途中まで研磨を行った状態
を示す模式的断面図である。
を示す模式的断面図である。
【図４】図３の基体に対して最後まで研磨を行った状態
を示す模式的断面図である。
を示す模式的断面図である。
【図５】本発明に係る研磨方法の一例を適用した研磨に
おける研磨布の表面粗度の変化を示すタイムチャートで
ある。
おける研磨布の表面粗度の変化を示すタイムチャートで
ある。
【図６】本発明に係る研磨方法の一例を適用した研磨に
おいて達成される平坦度の変化を示すタイムチャートで
ある。
おいて達成される平坦度の変化を示すタイムチャートで
ある。
【図７】本発明に係る研磨装置の構成例を示す模式的側
面図である。
面図である。
【図８】本発明に係る研磨方法の他の例を適用した研磨
における研磨布の表面粗度の変化を示すタイムチャート
である。
における研磨布の表面粗度の変化を示すタイムチャート
である。
【図９】本発明に係る研磨方法の他の例を適用した研磨
において達成される平坦度の変化を示すタイムチャート
である。
において達成される平坦度の変化を示すタイムチャート
である。
【図１０】本発明に係る研磨装置の他の構成例を示す模
式的上面図である。
式的上面図である。
【図１１】図１０におけるａ−ａ’線断面を示す模式的
断面図である。
断面図である。
【図１２】図１０におけるｂ−ｂ’線断面を示す模式的
断面図である。
断面図である。
１ 研磨布
２ 回転定盤
３ 研磨剤
４ 研削砥粒
５ 回転研削ヘッド
６ 基体
７ 基体保持台
８ 研磨剤供給手段
５１ シリコン基板
５２ 下層絶縁膜
５３ 配線パターン
５４ 層間絶縁膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/304
B24B 37/00
Claims (8)
- 【請求項１】 回転定盤に張設された研磨布上に研磨剤
を供給しながら、該研磨布に基体の被研磨面を摺接させ
ることにより、該基体に対する研磨を行う研磨方法にお
いて、 前記研磨布の表面粗度が前記研磨開始前の表面粗度と略
等しく一定に維持される第１の条件下で前記研磨を途中
まで行った後、前記表面粗度が相対的に小さく一定に維持される第２の
条件下で残余の研磨を行い、 前記研磨布に対する研削は、回転研削ヘッドをその研削
砥粒保持面を回転させながら該研磨布に摺接させること
により行い、 前記第２の条件は、前記第１の条件の研削よりも、前記
回転研削ヘッドの押し付け圧力、回転数、研削砥粒の硬
度、研削砥粒の粒径の少なくともいずれかを減じて行う
ことにより生成される ことを特徴とする研磨方法。 - 【請求項２】 前記第１の条件は、前記研磨布に対する
所定条件の研削を前記研磨と同時に行うことにより生成
させ、前記第２の条件は、該研削を停止することによっ
て生成させることを特徴とする請求項１記載の研磨方
法。 - 【請求項３】 前記研磨が終了し、前記基体を前記研磨
布から離間させた後、該研磨布に対して所定条件の研削
を行うことにより、該研磨布の表面粗度を研磨開始前の
表面粗度と略等しくなるように回復させることを特徴と
する請求項２記載の研磨方法。 - 【請求項４】 前記第１の条件は、ある回転定盤に張設
されたある研磨布に対して所定条件の研削を行うことに
より生成させ、 前記第２の条件は、別の回転定盤に張設された別の研磨
布に対して異なる条件の研削を行うことにより生成させ
ることを特徴とする請求項１記載の研磨方法。 - 【請求項５】 前記第１の条件は、単一の回転定盤に張
設された研磨布に対して、ある所定地点において所定条
件の研削を行うことにより生成させ、 前記第２の条件は、同一の研磨布に対して、別の所定地
点において異なる条件の研削を行うことにより生成させ
ることを特徴とする請求項１記載の研磨方法。 - 【請求項６】 研磨布が張設された単一の回転定盤と、 前記研磨布上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、 前記研磨布に対向する２カ所以上の所定地点にそれぞれ
配設され、その研削砥粒保持面をそれぞれ回転させなが
ら該研磨布に摺接させることによって、各所定地点の各
下流側領域において該研磨布に異なる表面粗度を与える
ごとく研削を行う回転研削ヘッドと、 基体を密着保持し、これを回転させながら前記研磨布に
摺接させるための基体保持台と、 前記基体を前記各下流側領域間にて移動させる移動手段
とを備えることを特徴とする研磨装置。 - 【請求項７】 前記回転研削ヘッドのそれぞれは、その
研磨布への押し付け圧力および／または回転数を互いに
異ならせるように制御可能となされていることを特徴と
する請求項６記載の研磨装置。 - 【請求項８】 前記回転研削ヘッドのそれぞれは、研削
砥粒の硬度および／または粒径が異なるものであること
を特徴とする請求項６記載の研磨装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04406595A JP3438383B2 (ja) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | 研磨方法およびこれに用いる研磨装置 |
| US08/607,558 US5779521A (en) | 1995-03-03 | 1996-02-27 | Method and apparatus for chemical/mechanical polishing |
| KR1019960005461A KR100390247B1 (ko) | 1995-03-03 | 1996-03-02 | 화학적/기계적연마방법및장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04406595A JP3438383B2 (ja) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | 研磨方法およびこれに用いる研磨装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08241878A JPH08241878A (ja) | 1996-09-17 |
| JP3438383B2 true JP3438383B2 (ja) | 2003-08-18 |
Family
ID=12681234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04406595A Expired - Fee Related JP3438383B2 (ja) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | 研磨方法およびこれに用いる研磨装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5779521A (ja) |
| JP (1) | JP3438383B2 (ja) |
| KR (1) | KR100390247B1 (ja) |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08281550A (ja) * | 1995-04-14 | 1996-10-29 | Sony Corp | 研磨装置及びその補正方法 |
| JPH1071571A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-03-17 | Fujitsu Ltd | 研磨布、研磨布の表面処理方法、及び研磨布の洗浄方法 |
| US5990010A (en) * | 1997-04-08 | 1999-11-23 | Lsi Logic Corporation | Pre-conditioning polishing pads for chemical-mechanical polishing |
| JP2842865B1 (ja) * | 1997-08-22 | 1999-01-06 | 九州日本電気株式会社 | 研磨装置 |
| US5941762A (en) * | 1998-01-07 | 1999-08-24 | Ravkin; Michael A. | Method and apparatus for improved conditioning of polishing pads |
| US6159087A (en) * | 1998-02-11 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | End effector for pad conditioning |
| KR100579538B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2006-05-15 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| US6302770B1 (en) * | 1998-07-28 | 2001-10-16 | Nikon Research Corporation Of America | In-situ pad conditioning for CMP polisher |
| US6439967B2 (en) | 1998-09-01 | 2002-08-27 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic substrate assembly planarizing machines and methods of mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies |
| US20020077037A1 (en) * | 1999-05-03 | 2002-06-20 | Tietz James V. | Fixed abrasive articles |
| JP3099002B1 (ja) * | 1999-06-25 | 2000-10-16 | 茂徳科技股▲ふん▼有限公司 | ２段階化学機械研磨方法 |
| DE60032423T2 (de) * | 1999-08-18 | 2007-10-11 | Ebara Corp. | Verfahren und Einrichtung zum Polieren |
| US7008301B1 (en) * | 1999-08-26 | 2006-03-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Polishing uniformity via pad conditioning |
| US6306008B1 (en) | 1999-08-31 | 2001-10-23 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for conditioning and monitoring media used for chemical-mechanical planarization |
| US6517414B1 (en) | 2000-03-10 | 2003-02-11 | Appied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling a pad conditioning process of a chemical-mechanical polishing apparatus |
| US6254461B1 (en) * | 2000-03-15 | 2001-07-03 | International Business Machines Corporation | Process of dressing glass disk polishing pads using diamond-coated dressing disks |
| US6616513B1 (en) * | 2000-04-07 | 2003-09-09 | Applied Materials, Inc. | Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile |
| US6551176B1 (en) | 2000-10-05 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Pad conditioning disk |
| TW541230B (en) * | 2000-10-06 | 2003-07-11 | Ebara Corp | Method for supplying slurry to polishing apparatus |
| DE10131668B4 (de) * | 2001-06-29 | 2006-05-18 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur abrasiven Bearbeitung von Oberflächen, auf Halbleiter-Wafern |
| US6866566B2 (en) * | 2001-08-24 | 2005-03-15 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for conditioning a contact surface of a processing pad used in processing microelectronic workpieces |
| US6736926B2 (en) * | 2001-10-09 | 2004-05-18 | Micron Technology, Inc. | Inline monitoring of pad loading for CuCMP and developing an endpoint technique for cleaning |
| CN101817162A (zh) * | 2004-01-26 | 2010-09-01 | Tbw工业有限公司 | 用于化学机械平面化的多步骤、原位垫修整系统 |
| JP4524643B2 (ja) | 2005-05-18 | 2010-08-18 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | ウェーハ研磨方法 |
| TWI473685B (zh) * | 2008-01-15 | 2015-02-21 | Iv Technologies Co Ltd | 研磨墊及其製造方法 |
| DE102009030298B4 (de) * | 2009-06-24 | 2012-07-12 | Siltronic Ag | Verfahren zur lokalen Politur einer Halbleiterscheibe |
| EP3920200A1 (en) | 2014-05-05 | 2021-12-08 | 3D Glass Solutions, Inc. | 2d and 3d inductors antenna and transformers fabricating photoactive substrates |
| JP7071609B2 (ja) | 2016-02-25 | 2022-05-19 | スリーディー グラス ソリューションズ，インク | ３ｄキャパシタ、及び光活性基板を作製するキャパシタアレイ |
| WO2017177171A1 (en) | 2016-04-08 | 2017-10-12 | 3D Glass Solutions, Inc. | Methods of fabricating photosensitive substrates suitable for optical coupler |
| US11101532B2 (en) | 2017-04-28 | 2021-08-24 | 3D Glass Solutions, Inc. | RF circulator |
| CA3067812C (en) | 2017-07-07 | 2023-03-14 | 3D Glass Solutions, Inc. | 2d and 3d rf lumped element devices for rf system in a package photoactive glass substrates |
| CA3084818C (en) | 2017-12-15 | 2023-01-17 | 3D Glass Solutions, Inc. | Coupled transmission line resonate rf filter |
| KR102600200B1 (ko) | 2018-01-04 | 2023-11-10 | 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 | 고효율 ｒｆ 회로들을 위한 임피던스 정합 도전성 구조 |
| EP3643148A4 (en) | 2018-04-10 | 2021-03-31 | 3D Glass Solutions, Inc. | RF INTEGRATED POWER STATE CAPACITOR |
| WO2019231947A1 (en) | 2018-05-29 | 2019-12-05 | 3D Glass Solutions, Inc. | Low insertion loss rf transmission line |
| CA3112608C (en) | 2018-09-17 | 2021-12-28 | 3D Glass Solutions, Inc. | High efficiency compact slotted antenna with a ground plane |
| AU2019416327B2 (en) * | 2018-12-28 | 2021-12-09 | 3D Glass Solutions, Inc. | Annular capacitor RF, microwave and MM wave systems |
| CA3107810A1 (en) | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 3D Glass Solutions, Inc. | Heterogenous integration for rf, microwave and mm wave systems in photoactive glass substrates |
| WO2020206323A1 (en) | 2019-04-05 | 2020-10-08 | 3D Glass Solutions, Inc. | Glass based empty substrate integrated waveguide devices |
| US11373908B2 (en) | 2019-04-18 | 2022-06-28 | 3D Glass Solutions, Inc. | High efficiency die dicing and release |
| WO2021211855A1 (en) | 2020-04-17 | 2021-10-21 | 3D Glass Solutions, Inc. | Broadband inductor |
| CN114523340B (zh) * | 2022-02-22 | 2023-02-14 | 深圳大学 | 研磨抛光成套装备、研磨抛光方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57149158A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-14 | Fujimi Kenmazai Kogyo Kk | Method of removing choke in grinding pad and dresser |
| JPH01187930A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 研磨剤及び研磨方法 |
| US5081051A (en) * | 1990-09-12 | 1992-01-14 | Intel Corporation | Method for conditioning the surface of a polishing pad |
| US5216843A (en) * | 1992-09-24 | 1993-06-08 | Intel Corporation | Polishing pad conditioning apparatus for wafer planarization process |
| EP0624432B1 (en) * | 1992-10-30 | 1999-01-20 | Bbf Yamate Corporation | Polishing method, apparatus for the same and buff polishing wheel |
| US5433650A (en) * | 1993-05-03 | 1995-07-18 | Motorola, Inc. | Method for polishing a substrate |
| JP2622069B2 (ja) * | 1993-06-30 | 1997-06-18 | 三菱マテリアル株式会社 | 研磨布のドレッシング装置 |
| US5456627A (en) * | 1993-12-20 | 1995-10-10 | Westech Systems, Inc. | Conditioner for a polishing pad and method therefor |
| US5547417A (en) * | 1994-03-21 | 1996-08-20 | Intel Corporation | Method and apparatus for conditioning a semiconductor polishing pad |
| US5536202A (en) * | 1994-07-27 | 1996-07-16 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor substrate conditioning head having a plurality of geometries formed in a surface thereof for pad conditioning during chemical-mechanical polish |
-
1995
- 1995-03-03 JP JP04406595A patent/JP3438383B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-02-27 US US08/607,558 patent/US5779521A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-02 KR KR1019960005461A patent/KR100390247B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08241878A (ja) | 1996-09-17 |
| US5779521A (en) | 1998-07-14 |
| KR960033655A (ko) | 1996-10-22 |
| KR100390247B1 (ko) | 2003-09-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3438383B2 (ja) | 研磨方法およびこれに用いる研磨装置 | |
| JP3645528B2 (ja) | 研磨方法及び半導体装置の製造方法 | |
| US6716087B2 (en) | Method for dressing a polishing pad, polishing apparatus, and method for manufacturing a semiconductor apparatus | |
| US6162368A (en) | Technique for chemical mechanical polishing silicon | |
| US7201636B2 (en) | Chemical mechanical polishing a substrate having a filler layer and a stop layer | |
| TWI303406B (en) | Diamond conditioning of soft chemical mechanical planarization/polishing (cmp) polishing pads | |
| JP2000301454A (ja) | 化学的機械研磨プロセス及びその構成要素 | |
| JP2789153B2 (ja) | マイクロスクラッチのない平滑面を形成するための半導体ウェハの化学機械的平坦化方法 | |
| US6478977B1 (en) | Polishing method and apparatus | |
| JP3360488B2 (ja) | 研磨装置およびこれを用いた研磨方法 | |
| JP3467822B2 (ja) | 研磨方法 | |
| JPH0950974A (ja) | 研磨布及び半導体装置の製造方法 | |
| US6221773B1 (en) | Method for working semiconductor wafer | |
| WO2004109787A1 (ja) | ウエーハの研磨方法 | |
| JP3489272B2 (ja) | 研磨装置およびこれを用いた研磨方法 | |
| JP2004356336A (ja) | 半導体ウェーハの両面研磨方法 | |
| JP3528501B2 (ja) | 半導体の製造方法 | |
| JPH0957587A (ja) | 軟質材の平坦化方法及び装置 | |
| JP2004140130A (ja) | 半導体基板研磨用パッドと研磨方法 | |
| US6676496B2 (en) | Apparatus for processing semiconductor wafers | |
| JP2001030156A (ja) | ドレッシング装置、研磨装置および研磨方法 | |
| JP2002359213A (ja) | 半導体装置の製造方法および化学的機械研磨装置 | |
| JPH10553A (ja) | 化学的・機械的な研磨方法及びその装置並びに半導体装置の製造方法 | |
| JPH10223576A (ja) | 膜平坦化方法および膜平坦化装置 | |
| JPH10109263A (ja) | 化学的機械研磨方法及び化学的機械研磨装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030513 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080613 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090613 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |