KR960033655A - 화학적/기계적 연마방법 및 장치 - Google Patents

화학적/기계적 연마방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 화학적/기계적 연마방법 및 장치는 반도체장치의 제조프로세스에 있어서, 단차(段差)를 가지는 기체(基體)를 평탄화함에 적용된다. 회전정반(定盤)에 팽팽하게 배설된 연마포상에 연마제를 공급하면서, 이 연마포에 기체를 슬라이드 접촉시킴으로써, 이 기체에 대한 연삭을 행하는 연마방법에 있어서, 도중까지는, 연마포에 대하여 회전연삭헤드의 연삭지립(砥粒)을 슬라이드 접촉시켜서 소정 조건으로 연삭함으로써, 이 연마포의 표면조도(組渡)가 연마개시 전의 표면조도와 대략 같고 일정하게 유지되는 조건 (제1의 조건)하에서 연마를 행하고, 그 후, 상기 연마를 정지함으로써, 이 연마포의 표면조도가 점감(漸減)하는 조건 (제2의 조건)하에서 잔여의 연마를 연속적으로 행한다. 높은 연마속도와 우수한 평탄성을 양립시킬 수 있으므로, 평탄성이 우수한 연마를 단시간에 달성할 수 있다.

Description

화학적/기계적 연마방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 관련기술의 연마장치의 모식적 측면도, 제2도는 본 발명의 제1의 실시예에 관한 연마장치를 나타낸 모식적 측면도, 제3도는 본 발명을 적용하여 층간절연막의 평탄화를 행하는 프로세스를 나타낸 것이며, 배선패턴을 피복하는 층간절연막이 형성된 상태의 기체(基體)를 나타낸 모식적 단면도, 제8도는 본 발명의 제2의 실시예에 관한 연마장치를 나타낸 모식적 측면도, 제11도는 본 발명의 제3의 실시예에 관한 연마장치를 나타낸 모식적 상면도.

Claims (14)

  1. 회전정반(定盤)에 팽팽하게 배설된 연마포상에 연마제를 공급하면서, 이 연마포에 기체(基體)의 피연마면을 슬라이드 접촉시킴으로써, 이 기체에 대한 연마를 행하는 연마방법에 있어서, 상기 연마포의 표면조도(粗度)가 상기 연마개시 전의 표면조도와 대략 같고 일정하게 유지되는 제1의 조건하에서 상기 연마를 도중까지 행한 후, 상기 표면조도가 점감(漸減)하는 제2의 조건하에서 잔여의 연마를 상기 제1의 조건하의 상기 연마에 연속하여 행하는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1의 조건은 상기 연마포에 대한 소정 조건의 연삭을 상기 연마돠 동시에 행함으로써 생성시키고, 상기 제2의 조건은 이 연삭을 정지함으로써 생성시키는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 연마가 종료되고, 상기 기체를 상기 연마포로부터 이간시킨 후, 이 연마포에 대하여 소정 조건의 연삭을 행함으로써, 이 연마포의 표면조도를 연마개시 전의 표면조도와 대략 같아지도록 회복시키는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  4. 회전정반에 팽팽하게 배설된 연마포상에 연마제를 공급하면서, 이 연마포에 기체의 피연마면을 슬라이드 접촉시킴으로써, 이 기체에 대한 연마를 행하는 연마방법에 있어서, 상기 연마포의 표면조도가 상대적으로 크고 일정하게 유지되는 제1의 조건하에서 상기 연마를 도중까지 행한 후, 상기 표면조도가 상대적으로 작고 일정하게 유지되는 제2의 조건하에서 잔여의 연마를 상기 제1의 조건하의 상기 연마에 연속하여 행하는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1의 조건은 어떤 회전정반에 팽팽하게 배설된 어떤 연마포에 대하여 소정 조건의 연삭을 행함으로써 생성시키고, 상기 제2의 조건은 다른 회전정반에 팽팽하게 배설된 다른 연마포에 대하여 상이한 조건의 연삭을 행함으로써 생선시키는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 연마포에 대한 연삭은 회전연삭헤드를 그 연삭지립(砥粒) 유지면을 회전시키면서 이 연마포에 슬라이드 접촉시킴으로써 행하고, 상기 상이한 조건의 연삭은 상기 소정 조건의 연삭보다도, 상기 회전연삭헤드의 압압력, 회전수, 연삭지립의 입경, 연삭지립의 경도의 최소한 어느 하나를 감하여 행하는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 제1의 조건은 단일의 회전정반에 팽팽하게 배설된 연마포에 대하여, 어떤 소정 지점에 있어서 소정 조건의 연삭을 행함으로써 생성시키고, 상기 제2의 조건은 동일한 연마포에 대하여, 다른 소정 지점에 있어서 상이한 조건의 연삭을 행함으로써 생성시키는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 연마포에 대한 연삭은 회전연삭헤드를 그 연상지립 유지면을 회전시키면서 이 연마포에 슬라이드 접촉시킴으로써 행하고, 상기 상이한 조건의 연삭은 상기 소정 조건의 연삭보다도, 상기 회전연삭헤드의 압압력, 회전수, 연삭지립의 입경, 연삭지립의 경도의 최소한 어느 하나를 감하여 행하는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  9. 각각 연마포가 팽팽하게 배설된 2 이상의 회전정반과, 상기 각 연마포상에 각각 연마제를 공급하는 연마제공급수단과, 상기 각 회전정반마다 상기 각 연마포에 대향하도록 배설되고, 그 연삭지립유지면을 회전시키면서 이 각 연마포에 슬라이드 접촉시킴으로써, 이 각 연마포에 서로 상이한 표면조도를 부여하도록 연삭을 행하는 회전연삭헤드와, 기체를 밀착지지하고, 이것을 회전시키면서 상기 각 연마포에 슬라이드 접촉시키기 위한 기체지지대와, 상기 기체를 상기 각 회전정반 사이에서 이동시키는 이동수단과를 구비하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 회전연삭헤드의 각각은 그 연마포에의 압압력 및 또는 회전수를 서로 상이하도록 제어가능하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 회전연삭헤드의 각각은 연삭지립의 경도 및 또는 입경이 상이한 것을 특징으로 하는 연마장치.
  12. 연마포가 팽팽하게 배설된 단일의 회전정반과, 상기 연마포상에 연마제를 공급하는 연마제공급수단과, 상기 연마포에 대향하는 2개소 이상의 소정 지점에 각각 배설되고, 그 연삭지립 유지면을 각각 회전시키면서 이 연마포에 슬라이드 접촉시킴으로써, 각 소정 지점의 각 하류측 영역에 있어서 이 연마포에 상이한 표면조도를 부여하도록 연삭을 행하는 복수의 회전연삭헤드와, 기체를 밀착지지하고, 이것을 회전히키면서 상기 연마포에 슬라이드 접촉시키기 위한 기체지지대와, 상기 기체를 상기 각 하류측 영역사이에서 이동시키는 이동수단과를 구비하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 회전연삭헤드의 각각은 그 연마포에의 압압력 및 또는 회전수를 서로 상이하도록 제어가능하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 회전연삭헤드의 각각은 연삭지립의 경도 및 또는 입경이 상이한 것을 특징으로 하는 연마장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100579538B1 (ko) * 1998-06-30 2006-05-15 후지쯔 가부시끼가이샤 반도체 장치의 제조 방법
KR100832768B1 (ko) * 2005-05-18 2008-05-27 가부시키가이샤 사무코 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법
KR100835330B1 (ko) * 2000-10-06 2008-06-04 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 폴리싱 장치로 슬러리를 공급하는 방법

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08281550A (ja) * 1995-04-14 1996-10-29 Sony Corp 研磨装置及びその補正方法
JPH1071571A (ja) * 1996-06-27 1998-03-17 Fujitsu Ltd 研磨布、研磨布の表面処理方法、及び研磨布の洗浄方法
US5990010A (en) * 1997-04-08 1999-11-23 Lsi Logic Corporation Pre-conditioning polishing pads for chemical-mechanical polishing
JP2842865B1 (ja) * 1997-08-22 1999-01-06 九州日本電気株式会社 研磨装置
US5941762A (en) * 1998-01-07 1999-08-24 Ravkin; Michael A. Method and apparatus for improved conditioning of polishing pads
US6159087A (en) * 1998-02-11 2000-12-12 Applied Materials, Inc. End effector for pad conditioning
US6302770B1 (en) 1998-07-28 2001-10-16 Nikon Research Corporation Of America In-situ pad conditioning for CMP polisher
US6439967B2 (en) * 1998-09-01 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Microelectronic substrate assembly planarizing machines and methods of mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies
US20020077037A1 (en) * 1999-05-03 2002-06-20 Tietz James V. Fixed abrasive articles
JP3099002B1 (ja) * 1999-06-25 2000-10-16 茂徳科技股▲ふん▼有限公司 2段階化学機械研磨方法
EP1077108B1 (en) * 1999-08-18 2006-12-20 Ebara Corporation Polishing method and polishing apparatus
US7008301B1 (en) * 1999-08-26 2006-03-07 Advanced Micro Devices, Inc. Polishing uniformity via pad conditioning
US6306008B1 (en) 1999-08-31 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning and monitoring media used for chemical-mechanical planarization
US6517414B1 (en) 2000-03-10 2003-02-11 Appied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling a pad conditioning process of a chemical-mechanical polishing apparatus
US6254461B1 (en) * 2000-03-15 2001-07-03 International Business Machines Corporation Process of dressing glass disk polishing pads using diamond-coated dressing disks
US6616513B1 (en) 2000-04-07 2003-09-09 Applied Materials, Inc. Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile
US6551176B1 (en) 2000-10-05 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Pad conditioning disk
DE10131668B4 (de) * 2001-06-29 2006-05-18 Infineon Technologies Ag Verfahren zur abrasiven Bearbeitung von Oberflächen, auf Halbleiter-Wafern
US6866566B2 (en) * 2001-08-24 2005-03-15 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning a contact surface of a processing pad used in processing microelectronic workpieces
US6736926B2 (en) * 2001-10-09 2004-05-18 Micron Technology, Inc. Inline monitoring of pad loading for CuCMP and developing an endpoint technique for cleaning
CN101817162A (zh) * 2004-01-26 2010-09-01 Tbw工业有限公司 用于化学机械平面化的多步骤、原位垫修整系统
TWI473685B (zh) * 2008-01-15 2015-02-21 Iv Technologies Co Ltd 研磨墊及其製造方法
DE102009030298B4 (de) * 2009-06-24 2012-07-12 Siltronic Ag Verfahren zur lokalen Politur einer Halbleiterscheibe
US10665377B2 (en) 2014-05-05 2020-05-26 3D Glass Solutions, Inc. 2D and 3D inductors antenna and transformers fabricating photoactive substrates
CA3015525C (en) 2016-02-25 2022-04-26 3D Glass Solutions, Inc. 3d capacitor and capacitor array fabricating photoactive substrates
US11161773B2 (en) 2016-04-08 2021-11-02 3D Glass Solutions, Inc. Methods of fabricating photosensitive substrates suitable for optical coupler
KR102524712B1 (ko) 2017-04-28 2023-04-25 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 Rf 서큘레이터
KR102386799B1 (ko) 2017-07-07 2022-04-18 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 패키지 광활성 유리 기판들에서 rf 시스템을 위한 2d 및 3d 집중 소자 디바이스들
AU2018383659B2 (en) 2017-12-15 2021-09-23 3D Glass Solutions, Inc. Coupled transmission line resonate RF filter
JP7226832B2 (ja) 2018-01-04 2023-02-21 スリーディー グラス ソリューションズ,インク 高効率rf回路のためのインピーダンス整合伝導構造
EP3643148A4 (en) 2018-04-10 2021-03-31 3D Glass Solutions, Inc. RF INTEGRATED POWER STATE CAPACITOR
CA3071138C (en) 2018-05-29 2021-05-25 3D Glass Solutions, Inc. Low insertion loss rf transmission line
AU2019344542B2 (en) 2018-09-17 2022-02-24 3D Glass Solutions, Inc. High efficiency compact slotted antenna with a ground plane
WO2020139955A1 (en) * 2018-12-28 2020-07-02 3D Glass Solutions, Inc. Annular capacitor rf, microwave and mm wave systems
CA3107810C (en) 2018-12-28 2024-05-14 3D Glass Solutions, Inc. Heterogenous integration for rf, microwave and mm wave systems in photoactive glass substrates
KR20210147040A (ko) 2019-04-05 2021-12-06 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 유리 기반의 빈 기판 집적 도파관 디바이스
KR102601781B1 (ko) 2019-04-18 2023-11-14 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 고효율 다이 다이싱 및 릴리스
US11908617B2 (en) 2020-04-17 2024-02-20 3D Glass Solutions, Inc. Broadband induction
CN114523340B (zh) * 2022-02-22 2023-02-14 深圳大学 研磨抛光成套装备、研磨抛光方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57149158A (en) * 1981-03-09 1982-09-14 Fujimi Kenmazai Kogyo Kk Method of removing choke in grinding pad and dresser
JPH01187930A (ja) * 1988-01-22 1989-07-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 研磨剤及び研磨方法
US5081051A (en) * 1990-09-12 1992-01-14 Intel Corporation Method for conditioning the surface of a polishing pad
US5216843A (en) * 1992-09-24 1993-06-08 Intel Corporation Polishing pad conditioning apparatus for wafer planarization process
ES2127838T3 (es) * 1992-10-30 1999-05-01 Bbf Yamate Corp Metodo pulidor y aparato para el mismo y rueda pulidora.
US5433650A (en) * 1993-05-03 1995-07-18 Motorola, Inc. Method for polishing a substrate
JP2622069B2 (ja) * 1993-06-30 1997-06-18 三菱マテリアル株式会社 研磨布のドレッシング装置
US5456627A (en) * 1993-12-20 1995-10-10 Westech Systems, Inc. Conditioner for a polishing pad and method therefor
US5547417A (en) * 1994-03-21 1996-08-20 Intel Corporation Method and apparatus for conditioning a semiconductor polishing pad
US5536202A (en) * 1994-07-27 1996-07-16 Texas Instruments Incorporated Semiconductor substrate conditioning head having a plurality of geometries formed in a surface thereof for pad conditioning during chemical-mechanical polish

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100579538B1 (ko) * 1998-06-30 2006-05-15 후지쯔 가부시끼가이샤 반도체 장치의 제조 방법
KR100835330B1 (ko) * 2000-10-06 2008-06-04 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 폴리싱 장치로 슬러리를 공급하는 방법
KR100832768B1 (ko) * 2005-05-18 2008-05-27 가부시키가이샤 사무코 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법
US7717768B2 (en) 2005-05-18 2010-05-18 Sumco Corporation Wafer polishing apparatus and method for polishing wafers

Also Published As

Publication number Publication date
KR100390247B1 (ko) 2003-09-26
JP3438383B2 (ja) 2003-08-18
US5779521A (en) 1998-07-14
JPH08241878A (ja) 1996-09-17

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