KR950027995A - 연마천 조절방법 및 표면 처리 장치 - Google Patents

연마천 조절방법 및 표면 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR950027995A
KR950027995A KR1019950005411A KR19950005411A KR950027995A KR 950027995 A KR950027995 A KR 950027995A KR 1019950005411 A KR1019950005411 A KR 1019950005411A KR 19950005411 A KR19950005411 A KR 19950005411A KR 950027995 A KR950027995 A KR 950027995A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
surface treatment
polishing cloth
treatment tool
cloth
polishing
Prior art date
Application number
KR1019950005411A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0149238B1 (ko
Inventor
요시히로 하야시
Original Assignee
가네꼬 히사시
니뽄 덴끼 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 니뽄 덴끼 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR950027995A publication Critical patent/KR950027995A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0149238B1 publication Critical patent/KR0149238B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)

Abstract

연마천의 표면 처리용 장치는 연마천(52)을 부착한 회전천 장착부(50), 및 금속 이외의 재료로 만들어지고 표면상에 불규칙 표면부(16)를 갖는 최소한의 돌출부(14)를 갖는 회전 표면 처리 도구(10)를 구비한다. 그 표면 처리 도구 및 천장착부는 회전되고, 제1회전 장치(32)의 회전축 위치는 제2회전 장치(56)의 회전축 위치와 다르다. 그 회전 표면 처리 도구는 그 표면 처리 및 천 장착부를 회전하는 동안 소정의 입력으로 천 장착부와 반대로 압력을 가한다.

Description

연마천의 조절방법 및 표면 처리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1실시예에 의한 연마천 표면 처리 장치의 도시도,
제6A도는 본 발명의 제2실시예에 따른 표면 처리장치에 이용된 표면 처리 도구의 상부 평면도이고,
제6B도는 제6A도에 도시된 표면 처리도구의 부분 절단도,
제7도는 본 발명의 제3실시예에 따른 연마천 표면 처리 장치의 도시도.

Claims (10)

  1. 연마천을 장착한(mount) 표면 테이블을 회전시키는 단계와, 금속 이외의 재료로 만들고 표면상에 불규칙 표면부를 각각 갖는 돌출부를 포함하는 표면부를 각각 갖는 돌출부를 포함하는 표면 처리 도구를 회전시키는 단계와, 미리 정해진 압력으로 상기 표면 처리 도구 및 표면 테이블이 서로 압력을 가하는 단계 및, 상기 돌출부의 불규칙부에 의해 연마천의 연마하는 단계로 이루어지는데, 상기 제1회전 수단의 회전축 위치는 상기 제2회전 수단의 회전축 위치와 다른 것을 특징으로 하는 연마천 조절방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 연마 단계는 상기 표면 처리 도구에 제공된 평면의 돌출부에 의해 상기 불규칙 표면부에 의해 발생된 보풀(nap)을 넘어뜨리는 것을 특징으로 하는 연마천 조절방법.
  3. 제1항에 있어서, 연마제를 함유하는 공정 용제를 상기 표면 처리 도구 및 연마천의 인터페이스에 제공하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 연마천 조절방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 연마천을 다른 장소로 이동시키지 않고 연마천으로 반도체 기판을 연마할 수 있도록 조절한 후 연마천을 세정(rinsing)하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 연마천 조절방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 압력 단계는 상기 표면 처리 도구의 표면이 상기 연마천의 표면에 항상 평행하도록 미리 정해진 압력으로 상기 회전 표면 처리 도구 및 표면 처리 도구 및 표면 테이블 서로에 압력을 가하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 연마천 조절방법.
  6. 연마천을 장착한 회전 장착부와, 상기 표면상의 불규칙 표면부를 갖는 돌출부를 구비한 표면 처리 도구, 및 상기 표면 처리 도구가 항상 평행하게 상기 장착부 및 처리 도구를 회전하는 동안 상기 장착부 및 표면 처리 도구가 상대적으로 서로 미는 구동 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 연마천 표면 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 불규칙 표면부를 각각 갖는 상기 돌출부는 수정, 사파이어, 실리콘 카바이드 및 알루미나 소결체의 그룹으로부터 선택된 재료로 만들어지는 것을 특징으로 하는 연마천 표면 처리 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 돌출부는 제표면 처리 도구의 표면 주변부에 형성되는 것을 특징으로 하는 연마천 표면 처리 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 연마제를 함유하는 공정 용제를 상기 표면 처리 도구 및 연마천의 인터페이스에 제공하는 공급 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 연마천 표면 처리 장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 압력 수단은 상기 표면 처리 도구가 서로 평행하게 연마천을 접촉하도록 상기 연마천과 반대로 표면 처리 도구에 압력을 가하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 연마천 표면 처리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950005411A 1994-03-16 1995-03-16 연마천 조절방법 및 표면 처리 장치 KR0149238B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP94-045826 1994-03-16
JP4582694A JP2914166B2 (ja) 1994-03-16 1994-03-16 研磨布の表面処理方法および研磨装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950027995A true KR950027995A (ko) 1995-10-18
KR0149238B1 KR0149238B1 (ko) 1998-12-01

Family

ID=12730052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950005411A KR0149238B1 (ko) 1994-03-16 1995-03-16 연마천 조절방법 및 표면 처리 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5626509A (ko)
JP (1) JP2914166B2 (ko)
KR (1) KR0149238B1 (ko)
GB (1) GB2287422B (ko)

Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3098661B2 (ja) * 1993-07-28 2000-10-16 キヤノン株式会社 研磨剤組成物及びそれを用いる研磨方法
US5569062A (en) * 1995-07-03 1996-10-29 Speedfam Corporation Polishing pad conditioning
TW344695B (en) * 1995-08-24 1998-11-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method for polishing semiconductor substrate
US5785585A (en) * 1995-09-18 1998-07-28 International Business Machines Corporation Polish pad conditioner with radial compensation
EP0769350A1 (en) * 1995-10-19 1997-04-23 Ebara Corporation Method and apparatus for dressing polishing cloth
JPH09186116A (ja) * 1995-12-27 1997-07-15 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JP3111892B2 (ja) * 1996-03-19 2000-11-27 ヤマハ株式会社 研磨装置
KR100524510B1 (ko) * 1996-06-25 2006-01-12 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마포를드레싱하는방법과장치
US5868608A (en) * 1996-08-13 1999-02-09 Lsi Logic Corporation Subsonic to supersonic and ultrasonic conditioning of a polishing pad in a chemical mechanical polishing apparatus
US5851138A (en) * 1996-08-15 1998-12-22 Texas Instruments Incorporated Polishing pad conditioning system and method
JP3679882B2 (ja) 1997-02-07 2005-08-03 株式会社荏原製作所 研磨用クロスのドレッサー及びその製造方法
US5990010A (en) * 1997-04-08 1999-11-23 Lsi Logic Corporation Pre-conditioning polishing pads for chemical-mechanical polishing
JP3676030B2 (ja) 1997-04-10 2005-07-27 株式会社東芝 研磨パッドのドレッシング方法及び半導体装置の製造方法
US5868609A (en) * 1997-04-14 1999-02-09 I C Mic-Process, Inc. Wafer carrier rotating head assembly for chemical-mechanical polishing apparatus
US5885147A (en) * 1997-05-12 1999-03-23 Integrated Process Equipment Corp. Apparatus for conditioning polishing pads
US5961373A (en) * 1997-06-16 1999-10-05 Motorola, Inc. Process for forming a semiconductor device
US6036583A (en) * 1997-07-11 2000-03-14 Applied Materials, Inc. Conditioner head in a substrate polisher and method
EP1007278A1 (de) * 1997-08-29 2000-06-14 Infineon Technologies AG Vorrichtung und verfahren zum bearbeiten von polierpads, insbesondere poliertüchern
US6027659A (en) * 1997-12-03 2000-02-22 Intel Corporation Polishing pad conditioning surface having integral conditioning points
US6159087A (en) * 1998-02-11 2000-12-12 Applied Materials, Inc. End effector for pad conditioning
US6135868A (en) * 1998-02-11 2000-10-24 Applied Materials, Inc. Groove cleaning device for chemical-mechanical polishing
JP3295888B2 (ja) * 1998-04-22 2002-06-24 株式会社藤森技術研究所 ケミカルマシンポリッシャの研磨盤用研磨ドレッサ
JP3001054B1 (ja) * 1998-06-29 2000-01-17 日本電気株式会社 研磨装置及び研磨パッドの表面調整方法
US6042457A (en) * 1998-07-10 2000-03-28 Aplex, Inc. Conditioner assembly for a chemical mechanical polishing apparatus
US6302770B1 (en) * 1998-07-28 2001-10-16 Nikon Research Corporation Of America In-situ pad conditioning for CMP polisher
US6033290A (en) 1998-09-29 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing conditioner
US6217430B1 (en) 1998-11-02 2001-04-17 Applied Materials, Inc. Pad conditioner cleaning apparatus
US6358124B1 (en) 1998-11-02 2002-03-19 Applied Materials, Inc. Pad conditioner cleaning apparatus
US6283836B1 (en) * 1999-03-08 2001-09-04 Speedfam-Ipec Corporation Non-abrasive conditioning for polishing pads
JP3772946B2 (ja) 1999-03-11 2006-05-10 株式会社荏原製作所 ドレッシング装置及び該ドレッシング装置を備えたポリッシング装置
US6120350A (en) * 1999-03-31 2000-09-19 Memc Electronic Materials, Inc. Process for reconditioning polishing pads
EP1075898A3 (en) * 1999-08-13 2003-11-05 Mitsubishi Materials Corporation Dresser and dressing apparatus
US6509269B2 (en) * 1999-10-19 2003-01-21 Applied Materials, Inc. Elimination of pad glazing for Al CMP
US6386963B1 (en) 1999-10-29 2002-05-14 Applied Materials, Inc. Conditioning disk for conditioning a polishing pad
JP2001212750A (ja) * 1999-11-25 2001-08-07 Fujikoshi Mach Corp ポリシングマシンの洗浄装置およびポリシングマシン
US6857942B1 (en) * 2000-01-11 2005-02-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Apparatus and method for pre-conditioning a conditioning disc
JP2001196413A (ja) * 2000-01-12 2001-07-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置、該半導体装置の製造方法、cmp装置、及びcmp方法
US6254461B1 (en) * 2000-03-15 2001-07-03 International Business Machines Corporation Process of dressing glass disk polishing pads using diamond-coated dressing disks
US6306022B1 (en) * 2000-06-02 2001-10-23 Promos Technologies, Inc. Chemical-mechanical polishing device
US6551176B1 (en) 2000-10-05 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Pad conditioning disk
US6514127B2 (en) * 2000-11-30 2003-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Conditioner set for chemical-mechanical polishing station
JP2002208575A (ja) * 2001-01-10 2002-07-26 Sony Corp 半導体研磨装置
JP2002273649A (ja) * 2001-03-15 2002-09-25 Oki Electric Ind Co Ltd ドレッサ−を有する研磨装置
SG131737A1 (en) * 2001-03-28 2007-05-28 Disco Corp Polishing tool and polishing method and apparatus using same
KR100468111B1 (ko) * 2002-07-09 2005-01-26 삼성전자주식회사 연마 패드 컨디셔너 및 이를 갖는 화학적 기계적 연마 장치
US7094695B2 (en) * 2002-08-21 2006-08-22 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning a polishing pad used for mechanical and/or chemical-mechanical planarization
US7367872B2 (en) * 2003-04-08 2008-05-06 Applied Materials, Inc. Conditioner disk for use in chemical mechanical polishing
US7097542B2 (en) * 2004-07-26 2006-08-29 Intel Corporation Method and apparatus for conditioning a polishing pad
US7077722B2 (en) * 2004-08-02 2006-07-18 Micron Technology, Inc. Systems and methods for actuating end effectors to condition polishing pads used for polishing microfeature workpieces
US7066795B2 (en) * 2004-10-12 2006-06-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad conditioner with shaped abrasive patterns and channels
JP2007160496A (ja) 2005-11-15 2007-06-28 Shinshu Univ ワーク研磨装置およびワーク研磨方法
US20080014845A1 (en) * 2006-07-11 2008-01-17 Alpay Yilmaz Conditioning disk having uniform structures
JP5025188B2 (ja) * 2006-08-23 2012-09-12 株式会社ディスコ ウエーハ研削方法
US20080271384A1 (en) * 2006-09-22 2008-11-06 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Conditioning tools and techniques for chemical mechanical planarization
JP5009101B2 (ja) * 2006-10-06 2012-08-22 株式会社荏原製作所 基板研磨装置
CN100537149C (zh) * 2006-11-28 2009-09-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 抛光垫以及化学机械抛光方法
TWI473685B (zh) * 2008-01-15 2015-02-21 Iv Technologies Co Ltd 研磨墊及其製造方法
US20100203811A1 (en) * 2009-02-09 2010-08-12 Araca Incorporated Method and apparatus for accelerated wear testing of aggressive diamonds on diamond conditioning discs in cmp
KR101293517B1 (ko) 2009-03-24 2013-08-07 생-고벵 아브라시프 화학적 기계적 평탄화 패드 컨디셔너로 사용되는 연마 공구
CN102484054A (zh) 2009-06-02 2012-05-30 圣戈班磨料磨具有限公司 耐腐蚀性cmp修整工件及其制造和使用方法
CN102612734A (zh) * 2009-09-01 2012-07-25 圣戈班磨料磨具有限公司 化学机械抛光修整器
JP5399829B2 (ja) * 2009-09-09 2014-01-29 株式会社ディスコ 研磨パッドのドレッシング方法
KR101674058B1 (ko) * 2010-10-05 2016-11-09 삼성전자 주식회사 패드 컨디셔닝 디스크, 및 프리 컨디셔너 유닛을 포함하는 cmp 장치
KR101916492B1 (ko) * 2011-03-07 2018-11-07 엔테그리스, 아이엔씨. 화학 및 기계적 평탄화 패드 컨디셔너
SG11201407232YA (en) * 2012-05-04 2014-12-30 Entegris Inc Cmp conditioner pads with superabrasive grit enhancement
CN102794718B (zh) * 2012-07-30 2014-12-17 中国人民解放军国防科学技术大学 柔性被动适应型光顺盘及其柔性夹层和柔性被动适应型光顺盘的操作方法
KR101392401B1 (ko) * 2012-11-30 2014-05-07 이화다이아몬드공업 주식회사 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링 및 상기 리테이너링 제조방법
US9457450B2 (en) * 2013-03-08 2016-10-04 Tera Xtal Technology Corporation Pad conditioning tool
TWI568538B (zh) * 2013-03-15 2017-02-01 中國砂輪企業股份有限公司 化學機械硏磨修整器及其製法
TWI511841B (zh) * 2013-03-15 2015-12-11 Kinik Co 貼合式化學機械硏磨修整器及其製法
JP5538601B1 (ja) * 2013-08-22 2014-07-02 ミクロ技研株式会社 研磨ヘッド及び研磨処理装置
TW201600242A (zh) * 2014-06-18 2016-01-01 Kinik Co 拋光墊修整器
TWI595973B (zh) * 2015-06-01 2017-08-21 China Grinding Wheel Corp Chemical mechanical polishing dresser and its manufacturing method
US20170008146A1 (en) * 2015-07-10 2017-01-12 Abrasive Technology, Inc. Chemical mechanical planarization conditioner

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7114274A (ko) * 1970-10-21 1972-04-25
US4316928A (en) * 1979-11-09 1982-02-23 Milliken Research Corporation Mechanically surface finished textile material
US4728552A (en) * 1984-07-06 1988-03-01 Rodel, Inc. Substrate containing fibers of predetermined orientation and process of making the same
US4864729A (en) * 1987-08-26 1989-09-12 The Perfectrim Limited Partnership Cutting blade and holder therefor
JPH01140959A (ja) * 1987-11-24 1989-06-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 非接触研磨装置の錫定盤
US5036630A (en) * 1990-04-13 1991-08-06 International Business Machines Corporation Radial uniformity control of semiconductor wafer polishing
JPH0475338A (ja) * 1990-07-18 1992-03-10 Seiko Epson Corp 機械・化学研磨法
US5081051A (en) * 1990-09-12 1992-01-14 Intel Corporation Method for conditioning the surface of a polishing pad
JP3060714B2 (ja) * 1992-04-15 2000-07-10 日本電気株式会社 半導体集積回路の製造方法
US5291693A (en) * 1992-08-20 1994-03-08 Texas Instruments Incorporated Semiconductors structure precision lapping method and system
US5216843A (en) * 1992-09-24 1993-06-08 Intel Corporation Polishing pad conditioning apparatus for wafer planarization process
US5384986A (en) * 1992-09-24 1995-01-31 Ebara Corporation Polishing apparatus
TW367551B (en) * 1993-06-17 1999-08-21 Freescale Semiconductor Inc Polishing pad and a process for polishing
JP2622069B2 (ja) * 1993-06-30 1997-06-18 三菱マテリアル株式会社 研磨布のドレッシング装置
US5486131A (en) * 1994-01-04 1996-01-23 Speedfam Corporation Device for conditioning polishing pads

Also Published As

Publication number Publication date
KR0149238B1 (ko) 1998-12-01
GB2287422A (en) 1995-09-20
GB9504950D0 (en) 1995-04-26
JPH07254578A (ja) 1995-10-03
GB2287422B (en) 1997-08-27
US5626509A (en) 1997-05-06
JP2914166B2 (ja) 1999-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950027995A (ko) 연마천 조절방법 및 표면 처리 장치
US5665656A (en) Method and apparatus for polishing a semiconductor substrate wafer
TW471994B (en) System and method for controlled polishing and planarization of semiconductor wafers
KR960033655A (ko) 화학적/기계적 연마방법 및 장치
KR970000448A (ko) 연마 패드를 갖는 회전 연마 휠로 가공품을 연마하는 방법
JPH09267257A (ja) ウェハ研磨装置
KR930008983A (ko) 반도체 웨이퍼의 기계적인 평탄화 작용후 폴리싱 슬러리를 제거하는 방법
KR970008391A (ko) 폴리싱포의 드레싱방법 및 장치
KR970023802A (ko) 화학-기계적 연마 응용을 위해 패드 컨디셔너와 웨이퍼 캐리어를 통합시키는 장치
KR950031381A (ko) 슬러리의 보급이 개선된 기판처리용의 화학적 및 기계적 연마기와 기판의 연마방법
KR960039174A (ko) 연마장치 및 그 보정방법
JPH09103954A (ja) ポリシング装置
TW429462B (en) Manufacturing method and processing device for semiconductor device
TW425337B (en) Apparatus for polishing wafers
US6270397B1 (en) Chemical mechanical polishing device with a pressure mechanism
WO2001028739A8 (fr) Dispositif de polissage pour bord peripherique exterieur de tranche de semi-conducteur
US6471566B1 (en) Sacrificial retaining ring CMP system and methods for implementing the same
WO2003022523A1 (fr) Outil, dispositif et procede de finissage, dispositif de traitement et procede de production de dispositif a semiconducteurs
SG97161A1 (en) Polishing method and polishing apparatus
US6290808B1 (en) Chemical mechanical polishing machine with ultrasonic vibration and method
JPH06208980A (ja) 研磨装置
EP1322449A1 (en) Web-style pad conditioning system and methods for implementing the same
JPH0911117A (ja) 平坦化方法及び平坦化装置
JPH1199471A (ja) 研磨治具およびこれを搭載する研磨装置
JP2001009710A (ja) ウエーハ研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030523

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee