JPH09267257A - ウェハ研磨装置 - Google Patents

ウェハ研磨装置

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JPH09267257A
JPH09267257A JP142997A JP142997A JPH09267257A JP H09267257 A JPH09267257 A JP H09267257A JP 142997 A JP142997 A JP 142997A JP 142997 A JP142997 A JP 142997A JP H09267257 A JPH09267257 A JP H09267257A
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JP
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wafer
polishing
guide ring
polishing apparatus
polishing pad
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Application number
JP142997A
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English (en)
Inventor
Hiroyuki Yano
博之 矢野
Katsuya Okumura
勝弥 奥村
Norio Kimura
憲雄 木村
Tomoyuki Yahiro
知行 八尋
Hozumi Yasuda
穂積 安田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Toshiba Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Toshiba Corp
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Publication date
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】ウェハの表面全体を均一に研磨することが困難
であった。 【解決手段】ウェハ支持体２０の下部周縁にはガイドリ
ング３０が連結され、このガイドリング３０の内側部分
には環状板４５が設置される。この環状板４５の内側部
分にはウェハ１０が保持される。環状板４５はウェハ１
０の実質的な直径を拡大し、研磨パッドからの加重を環
状板４５の周縁に集中させ、ウェハ１０の研磨面に対す
る加重の集中を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造プロ
セスに使用される研磨装置、特に半導体ウェハに被覆さ
れている薄膜又は被膜を研磨し、その厚さを均一に減少
する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造は、通常ウェハの研磨を必
要とする。半導体ウェハを準備し、製造する機械はこの
技術分野において知られている。ウェハの準備は、半導
体結晶を薄板に切断する段階、及び切断されたウェハを
研磨して、表面の凹凸を除去し、平坦な表面を得る段階
が含まれる。特に、種々の回路を形成するため、又はウ
ェハを他の用途に供するため、有効面すなわち前面、例
えば上に集積回路が形成されるウェハの表面は、高度に
研磨する必要がある。
【０００３】一般に研磨は、少なくとも２つの段階を経
る。第１の段階は、ラフポリッシングすなわち荒研磨で
ある。この段階は、スラリーラッピングプロセス(slurr
y lapping process)により実施できる。このプロセスに
おいて、回転支持体に取り付けられたウェハは、回転研
磨パッドと接触される。この回転研磨パッドには液体内
に不溶解性研磨粒子が浮遊するスラリーが供給される。
表面物質は、スラリーの機械的研磨作用により除去され
る。第２の段階は、精密研磨である。精密研磨段階は、
荒研磨段階と同様な方法で実施されるが、より少ない研
磨粒子を含むスラリーが使用される。この代わりに、よ
り少ない研磨粒子から成る研磨パッドを使用することも
できる。この精密研磨段階には、化学的−機械的研磨
（ＣＭＰ）プロセスが使用されることが多い。ＣＭＰ
は、機械的研磨と化学的研磨の組合せであり、酸性又は
塩基性のスラリーが用いられる。表面物質は、機械的研
磨と酸又は塩基の作用とによりウェハから除去される。
このような研磨は、半導体ウェハの表面に形成された種
々の薄膜層を平坦化するために、半導体デバイスの製造
において重要である。この薄膜は、例えば２つの金属層
の間に形成された層間絶縁膜、１つの金属層又は１つの
有機層でもよい。
【０００４】通常、研磨装置は、ウェハの研磨すべき表
面を所要の研磨材料、例えばコロイドシリカのスラリー
が塗布された回転研磨パッドの研磨表面のような処理表
面に接触させる。多くの場合、表面が露出したウェハを
保持する研磨ヘッドも回転する。これはウェハと研磨パ
ッドとの間の運動であり、それにより所要の研磨ができ
る。ある例において、研磨は、１つの面を平坦化し、あ
るいは他の面と平行になるように平坦化する。
【０００５】図９は、従来の研磨装置を示している。ウ
ェハ１０は、ガイドリング３０によりウェハ支持体２０
内に保持される。ウェハ１０と支持体２０との間に、裏
当て膜４０が挿入される。この裏当て膜４０を用いるか
否かは任意である。ガイドリング３０と組合せられる裏
当て膜４０により、研磨中、ウェハ１０の垂直移動が最
小となる。裏当て膜４０を使用しない場合、ウェハ１０
は、研磨中に垂直方向に自由に移動できる。裏当て膜４
０又は挿入パッドは、ウェハ１０と研磨パッド５０の表
面との接触を保持し、研磨されたウェハ表面の均一性を
向上させるため、ウェハ支持体２０内に使用されてい
る。
【０００６】研磨パッド５０は、研磨テーブル６０に取
り付けられている。図９において研磨テーブル６０は、
その中心軸６５の回りを回転できる。ウェハ支持体２０
は、その中心軸２５の回りを回転でき、研磨テーブル６
０に対して限定された揺動運動を除き、研磨テーブル６
０の中心軸６５に関して固定される。動作中、研磨テー
ブル６０は、その中心軸６５の回りを第１の所定速度で
回転し、それにより、連続的に進む研磨面、すなわち研
磨パッド５０を平坦化すべき層へ送る。ウェハ支持体２
０がその中心軸２５の回りを第２の所定速度で回転して
いる間に、ウェハ１０は、研磨テーブル６０の環状研磨
領域に沿って研磨される。
【０００７】この研磨プロセスは、ウェハ１０が研磨パ
ッド５０と接触するように、裏当て膜４０とガイドリン
グ３０とによりウェハ支持体２０内に形成された空洞内
にウェハ１０を入れて実施される。研磨テーブル６０が
その中心軸６５の回りを回転している研磨中、研磨パッ
ド５０には、スプレーノズル８０を通して水性スラリー
７０が供給される。研磨テーブル６０、ウェハ支持体２
０及びスラリー７０の材料は汚染がなく、研磨作用を除
き、研磨されるウェハ１０を破壊しないようにする必要
がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ウェハ１０の縁から離
れたウェハ１０の内側部分において、研磨される表面
は、研磨パッド５０と連続的に接触する。したがって、
ウェハ１０の内側部分に研磨パッド５０から加えられる
圧力は殆ど一定である。これに対して、ウェハ１０の周
縁は、ウェハ１０と研磨パッド５０との接触圧が大きい
部分と、少ない部分との境界が構成される。すなわち、
ウェハ１０の研磨面はガイドリング３０の底面より僅か
に突出している。このため、研磨処理において、ウェハ
１０が研磨テーブル６０に載置された場合、ガイドリン
グ３０の底面と研磨パッド５０の表面との間に僅かな間
隙が形成される。ウェハ１０は研磨テーブル６０に載置
されると、研磨パッド５０内に若干沈み込む。したがっ
て、図１０に示すように、ウェハ１０の周縁に研磨パッ
ド５０からの加重が集中する部分Ｐ１と加重が弱い部分
Ｐ２が発生する。このように、ウェハ１０の周縁部分
は、研磨中に加えられる圧力が不規則となり、ウェハか
らの物質の除去が不均一となる。この結果、ウェハ１０
の表面の一部は、過大研磨又は過少研磨されることがあ
る。裏当て膜４０をウェハ支持体２０に使用しない場
合、ウェハ１０が研磨中に自由に移動できるため、周縁
部における加重の集中を軽減でき、研磨表面の凹凸は比
較的小さい。しかしながら、裏当て膜４０を図９に示す
ように使用する場合、ウェハ１０が固定されるため、前
記境界が一定し、研磨表面の凹凸が大きくなる。このよ
うに、裏当て膜は、少なくともウェハの全ての部分に関
して表面の均一性を向上するが、縁に関しては向上しな
い。ウェハの縁と内側部分との間の均一性は、裏当て膜
を使用しないほうが良好となる。
【０００９】過大研磨により、研磨される物質は薄くな
り、ウェハ上の半導体デバイスの性能と信頼性に悪影響
を及ぼす虞れがある。ウェハの一部が過少研磨される場
合、研磨される物質の層は、平坦化が不十分であるか、
又は厚すぎるままである。したがって、続く電気回路を
形成する処理において、十分な接触又は十分な絶縁状態
を確保できず、望まざるオープン回路、又はショート回
路が形成されることがある。
【００１０】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、その目的とするところは、ウェハ全体
を均一に研磨することが可能なウェハ研磨装置を提供し
ようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためウェハ支持体と、前記ウェハ支持体の下部に
設置されたガイドリングと、前記ガイドリングの内側部
分に設置され、ウェハを保持するとともに、前記ウェハ
とともに研磨パッドに圧接される環状板とを具備する。
【００１２】また、この発明は、ウェハ支持体と、前記
ウェハ支持体に設置された圧力吸収部材と、前記ウェハ
支持体の下部に前記圧力吸収部材を介して設置され、内
側部分でウェハを隙間無く保持し、前記ウェハとともに
研磨パッドに圧接されるガイドリングとを具備する。
【００１３】さらに、この発明は、ウェハ支持体と、前
記ウェハ支持体の下部にウェハ支持体の軸方向に沿って
移動自在に設置された第１の部分と、この第１の部分の
内側に設けられた第２の部分とを有し、この第２の部分
の内側でウェハを保持し、前記ウェハとともに研磨パッ
ドに圧接される断面がＬ字形を有するガイドリングとを
具備する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。本発明は、標準的な半導
体ウェハの加工に使用される研磨プロセスを参照して説
明される。しかし、本発明は、均一な研磨面を得るため
の全ての研磨プロセスに適用可能である。
【００１５】本発明の各実施例は、研磨パッドからウェ
ハへ加わる不規則な圧力を避ける装置を提供する。図面
中の同一部分には同一符号を付している。図１は、本発
明に係わるウェハ研磨装置のうち代表的なＣＭＰの支持
体の構造を示している。
【００１６】図１において、ウェハ支持体２０の底部且
つ周縁にはガイドリング３０が設けられている。環状板
４５は、ガイドリング３０の内側に設置される。ウェハ
１０を収容するための空洞領域は、裏当て膜４０及び環
状板４５により形成される。裏当て膜４０は、本発明の
全ての実施例に必要な構成部材ではない。しかし、本発
明の裏当て膜４０を使用することにより、ウェハ全体を
より均一に研磨できる。裏当て膜４０を使用しない場
合、研磨中にウェハが自由に移動できる空間が残る。ウ
ェハ１０は、装置の空洞領域に挿入され、環状板４５の
内側円周部分により保持される。
【００１７】環状板４５は、ウェハ１０の厚さよりも僅
かに薄い厚みに設定され、ウェハ１０よりも高い硬度を
有する材料により構成される。したがって、環状板４５
の材料はウェハ１０のように容易に研磨されないため、
ウェハ１０の縁は、ウェハ１０の他の部分と同様に均一
に研磨される。
【００１８】すなわち、環状板４５は、ウェハ１０の周
囲に当接し、環状板４５及びウェハ１０の下面はガイド
リング３０の下面より若干突出している。このため、図
２に示すように、環状板４５とウェハ１０を研磨パッド
５０に接触させた場合、環状板４５とウェハ１０は共
に、研磨パッド５０に若干沈み込む。このため、研磨パ
ッド５０による加重の集中する位置Ｐ１は、環状板４５
の周縁部となり、ウェハ１０の周縁部には加重が集中し
ない。したがって、ウェハ１０の周縁部を含む研磨面の
全面が研磨パッド５０に均等な圧力で加圧されるため、
ウェハ１０の研磨面全体を均一に研磨できる。この結
果、ウェハ１０の縁において研磨パッドへ圧力が一層加
えられ、またウェハ１０全体に供給される圧力は、従来
技術よりも均一に分布される。
【００１９】環状板４５は、アモルファスカーボン又は
ポリカーボネートを含むが、これらに限定されない。さ
らに環状板の材料は、研磨プロセスを汚染したり、それ
に悪影響を及ぼす材料は使用できない。
【００２０】図３乃至図５は、それぞれ本発明の第２乃
至第４の実施例を示すものであり、本発明に係わるウェ
ハ研磨装置のうち代表的なＣＭＰ支持体の構造を示して
いる。これら実施例は、ガイドリング３１をウェハ支持
体２０へ連結する圧力吸収部材を有する。ウェハ支持体
２０の下部に位置決めされるガイドリング３１は、支持
体２０の底部でウェハ１０を保持する。図３乃至図５に
示す実施例において、ウェハ支持体２０の底部に設けら
れたガイドリング３１の内側面部及び裏当て膜４０によ
りウェハ１０を保持する空洞領域が形成される。
【００２１】図３に示す実施例において、弾性材料３２
は、ガイドリング３１をウェハ支持体２０へ連結する。
図４に示す実施例において、ばね３４は、ガイドリング
３１をウェハ支持体２０へ連結する。図５に示す実施例
において、ウェハ支持体２０は、空気クッション３６に
よりガイドリング３１に連結される。前記弾性材料３
２、ばね３４、空気クッション３６は、それぞれウェハ
支持体２０の周囲に例えば３つずつ配置される。
【００２２】図３乃至図５に示す実施例は、一例であ
り、図示されたものと技術上同等な全ての圧力吸収部材
を適用することが可能である。前記弾性材料３２、ばね
３４、空気クッション３６は、ウェハ１０が研磨パッド
に接する圧力と同様の圧力により、ガイドリング３１を
研磨パッドに加圧できるように、その伸縮方向の長さ及
び圧力が設定される。また、ガイドリング３１は研磨処
理の間研磨パッドに当接しているため、容易に磨耗しな
い高硬度の材料、例えばアモルファスカーボン又はポリ
カーボネートにより構成される。
【００２３】図３乃至図５に示す実施例において、ウェ
ハ１０はガイドリング３１の内側に隙間無く保持され
る。ここで、ウェハ１０をガイドリング３１に対して隙
間なく保持させる理由は、ウェハ１０とガイドリング３
１の相互間に隙間が形成されると、前記圧力吸収材料を
付設したとしても、ウェハ１０の周縁部に加重が集中す
ることになるからである。
【００２４】さらに、ウェハ支持体２０により、ウェハ
１０が研磨パッドに載置されると、ガイドリング３１は
図３に示す実施例の場合、弾性材料３２により、研磨パ
ッドに圧接され、図４に示す実施例の場合、ばね３４に
より、研磨パッドに圧接され、図５に示す実施例の場
合、空気クッション３６により、研磨パッドに圧接され
る。ウェハ１０はウェハ支持体２０及び裏当て膜４０の
圧力と研磨パッドの圧力とが平衡する位置まで、研磨パ
ッド内に若干沈み込み、ガイドリング３１はウェハ支持
体２０の圧力と弾性材料３２、又はばね３４、あるいは
空気クッション３６の圧力、及び研磨パッドからの圧力
とが平衡する位置まで、研磨パッド内に若干沈み込む。
ウェハ１０とガイドリング３１の沈み込む深さは、ほぼ
等しく設定される。このため、研磨パッドからの加重Ｐ
１が集中する位置は、ガイドリング３１の周縁部とな
り、ウェハ１０の周縁部には加重が集中しない。したが
って、ウェハ１０の周縁部を含む研磨面の全面が研磨パ
ッドに均等な圧力で加圧されるため、ウェハ１０の研磨
面全体を均一に研磨できる。
【００２５】尚、特に、圧力吸収部材が弾性材料３２で
ある図３に示す実施例の場合、この弾性材料３２と裏当
て膜４０を同一材料、同一厚さとすれば、ウェハ１０が
研磨パッドに接する圧力とガイドリング３１が研磨パッ
ドに加圧される圧力は殆ど等しくなる。したがって、前
記ウェハ１０及びガイドリング３１が研磨パッド内に沈
み込む深さを容易に略同一とすることができ、ウェハ１
０の全面に供給される圧力を均一に制御する上で有利で
ある。
【００２６】このように、本発明の図３乃至図５に示す
実施例に示す圧力吸収部材を利用すれば、供給される研
磨圧力を、ウェハ１０全体に一層均一に分布できる。図
６は本発明の第５の実施例を示している。この実施例で
は、Ｌ字形の断面を有するガイドリング３５が使用され
る。このガイドリング３５は、ウェハ支持体２０の下部
へ連結される第１の部分３５ａと、この第１の部分３５
ａの内側に設けられた第２の部分３５ｂとを備えてい
る。ガイドリング３５の上端とウェハ支持体２０との間
には空間３７が設けられている。この空間３７により、
Ｌ字形ガイドリング３５はウェハ支持体２０の軸方向に
沿って垂直に移動可能とされている。ウェハ１０を研磨
する際、ウェハ支持体２０は下方へ押されるため、裏当
て膜４０が圧縮される。裏当て膜４０の圧縮に応じて、
ガイドリング３５は垂直に移動する必要がある。第２の
部分３５ｂは、Ｌ字形フランジ部分であり、この第２の
部分３５ｂは、図１の実施例に示した環状板４５と同様
に作用する。ウェハ１０はこの第２の部分３５ｂの内側
に位置する空洞領域に保持される。この空洞領域は、裏
当て膜４０及びガイドリング３５の第２の部分３５ｂに
より形成される。ガイドリング３５の第２の部分３５ｂ
の特性、例えば硬度、厚さ、構成は、図１に示す環状板
４５と実質的に同一であることが好ましい。
【００２７】上記第５の実施例によっても、研磨パッド
からの加重が集中する位置を、ガイドリング３５の周縁
部とすることができ、ウェハ１０の周縁部には加重が集
中しない。したがって、ウェハ１０の周縁部を含む研磨
面の全面が研磨パッドに均等な圧力で加圧されるため、
ウェハ１０の研磨面全体を均一に研磨できる。
【００２８】上記のように、本発明を適用することによ
り、ウェハ１０の直径があたかも実際の直径より大きい
状態として研磨される。このため、ウェハ１０の周縁
は、印加圧力が均一である場合、ウェハ１０の中央位置
と同様に研磨される。したがって、本発明は、ウェハ１
０全域の圧力の不規則性を補償できる。
【００２９】図７は、本発明が適用されない場合におけ
る研磨後のウェハの厚さを示し、図８は、図２に示す実
施例を使用した場合における研磨後のウェハの厚さを示
している。図７と図８とを比較した場合、明らかに、図
８に示す結果は、ウェハの周縁と中央部分に関して厚み
がほぼ等しく、ウェハ全体を通して均一性が顕著に改良
されていることが分かる。尚、本発明は上記実施例に限
定されるものではなく、種々変形実施可能なことは勿論
である。
【００３０】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、ウェハ全体を均一に研磨することが可能なウェハ研
磨装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例に係わる研磨装置を示す
側断面図。
【図２】図１の動作を説明するために示すものであり、
図１の要部を示す側断面図。
【図３】本発明の第２の実施例に係わる研磨装置を示す
側断面図。
【図４】本発明の第３の実施例に係わる研磨装置を示す
側断面図。
【図５】本発明の第４の実施例に係わる研磨装置を示す
側断面図。
【図６】本発明の第５の実施例に係わる研磨装置を示す
側断面図。
【図７】本発明が適用されない場合の研磨結果を示す特
性図。
【図８】本発明の第１の実施例を適用した場合の研磨結
果を示す特性図。
【図９】従来の研磨装置を示す側面図。
【図１０】図９の動作を説明するために示すものであ
り、図９の要部を示す側断面図。
【符号の説明】
１０…ウェハ、 ２０…ウェハ支持体、 ３０、３１、３５…ガイドリング、 ３５ａ…第１の部分、 ３５ｂ…第２の部分、 ３２…弾性材料、 ３４…ばね、 ３６…空気クッション、 ４０…裏当て膜、 ４５…環状板、 ５０…研磨パッド。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 憲雄 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 八尋 知行 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 安田 穂積 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウェハ支持体と、 前記ウェハ支持体の下部に設置されたガイドリングと、 前記ガイドリングの内側部分に設置され、ウェハを保持
    するとともに、前記ウェハとともに研磨パッドに圧接さ
    れる環状板とを具備することを特徴とするウェハ研磨装
    置。
  2. 【請求項２】 前記環状板の厚さは、ウェハの厚さより
    も僅かに薄いことを特徴とする請求項１記載のウェハ研
    磨装置。
  3. 【請求項３】 前記環状板は、研磨されるウェハの硬度
    よりも高い硬度を有する材料から成ることを特徴とする
    請求項１記載のウェハ研磨装置。
  4. 【請求項４】 前記材料は、アモルファスカーボン又は
    ポリカーボネートのうちの一方であることを特徴とする
    請求項３記載のウェハ研磨装置。
  5. 【請求項５】 前記ガイドリングの内側部分とにおける
    前記ウェハ支持体の下部に位置し、前記ウェハ支持体と
    前記ウェハの相互間に設けられた裏当て膜をさらに具備
    することを特徴とする請求項１記載のウェハ研磨装置。
  6. 【請求項６】 前記環状板は、研磨パッドからの圧力を
    その周縁部に集中させ、ウェハの研磨面に対する研磨パ
    ッドからの圧力を均等とすることを特徴とする請求項１
    記載のウェハ研磨装置。
  7. 【請求項７】 ウェハ支持体と、 前記ウェハ支持体に設置された圧力吸収部材と、 前記ウェハ支持体の下部に前記圧力吸収部材を介して設
    置され、内側部分でウェハを隙間無く保持し、前記ウェ
    ハとともに研磨パッドに圧接されるガイドリングとを具
    備することを特徴とするウェハ研磨装置。
  8. 【請求項８】 前記圧力吸収部材は、前記ガイドリング
    が研磨パッド内に沈み込む深さと、前記ウェハが研磨パ
    ッド内に沈み込む深さとを略一致させることを特徴とす
    る請求項７記載のウェハ研磨装置。
  9. 【請求項９】 前記ガイドリングは、研磨パッドからの
    圧力をその周縁部に集中させ、ウェハの研磨面に対する
    研磨パッドからの圧力を均等とすることを特徴とする請
    求項７記載のウェハ研磨装置。
  10. 【請求項１０】 前記圧力吸収部材は弾性材料であるこ
    とを特徴とする請求項７記載のウェハ研磨装置。
  11. 【請求項１１】 前記圧力吸収部材はばねであることを
    特徴とする請求項７記載のウェハ研磨装置。
  12. 【請求項１２】 前記圧力吸収部材は空気クッションで
    あることを特徴とする請求項７記載のウェハ研磨装置。
  13. 【請求項１３】 前記ガイドリングの内側部分とにおけ
    る前記ウェハ支持体の下部に位置し、前記ウェハ支持体
    と前記ウェハの相互間に設けられた裏当て膜をさらに具
    備することを特徴とする請求項７記載のウェハ研磨装
    置。
  14. 【請求項１４】 前記裏当て膜は前記圧力吸収部材と同
    一の弾性材料から成ることを特徴とする請求項１３記載
    のウェハ研磨装置。
  15. 【請求項１５】 前記ガイドリングは研磨されるウェハ
    の硬度よりも高い硬度を有する材料から成ることを特徴
    とする請求項７記載のウェハ研磨装置。
  16. 【請求項１６】 前記材料は、アモルファスカーボン又
    はポリカーボネートのうちの一方であることを特徴とす
    る請求項１５記載のウェハ研磨装置。
  17. 【請求項１７】 ウェハ支持体と、 前記ウェハ支持体の下部にウェハ支持体の軸方向に沿っ
    て移動自在に設置された第１の部分と、この第１の部分
    の内側に設けられた第２の部分とを有し、この第２の部
    分の内側でウェハを保持し、前記ウェハとともに研磨パ
    ッドに圧接される断面がＬ字形を有するガイドリングと
    を具備することを特徴とするウェハ研磨装置。
  18. 【請求項１８】 前記第１の部分の内側部分とにおける
    前記ウェハ支持体の下部に位置し、前記ウェハ支持体と
    前記ウェハの相互間に設けられた裏当て膜をさらに具備
    することを特徴とする請求項１７記載のウェハ研磨装
    置。
  19. 【請求項１９】 前記ガイドリングは、研磨パッドから
    の圧力を前記第１の部分の下部周縁部に集中させ、ウェ
    ハの研磨面に対する研磨パッドからの圧力を均等とする
    ことを特徴とする請求項１７記載のウェハ研磨装置。
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