JP2001009710A - ウエーハ研磨装置 - Google Patents
ウエーハ研磨装置Info
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- JP2001009710A JP2001009710A JP18655199A JP18655199A JP2001009710A JP 2001009710 A JP2001009710 A JP 2001009710A JP 18655199 A JP18655199 A JP 18655199A JP 18655199 A JP18655199 A JP 18655199A JP 2001009710 A JP2001009710 A JP 2001009710A
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- polishing pad
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い均一性を持つウエーハを安定して且つ効
率的に得ることのできるウエーハ研磨装置を提供するこ
と。 【解決手段】 ウエーハ１はパッキングフィルム２、パ
ッキングプレート３、及びガイドリング４を介してトッ
プリング５に保持され、その表面が、ターンテーブル６
上に保持された研磨パッド７の上面に接触するように配
置され、ガイドリング４の外周部には、ドレッサー９が
設置されている。
率的に得ることのできるウエーハ研磨装置を提供するこ
と。 【解決手段】 ウエーハ１はパッキングフィルム２、パ
ッキングプレート３、及びガイドリング４を介してトッ
プリング５に保持され、その表面が、ターンテーブル６
上に保持された研磨パッド７の上面に接触するように配
置され、ガイドリング４の外周部には、ドレッサー９が
設置されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
係り、特に半導体基板の平坦化に用いられている化学機
械研磨装置（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
Ｐｏｌｉｓｈ装置、以下ＣＭＰ装置とする）に関す
る。
係り、特に半導体基板の平坦化に用いられている化学機
械研磨装置（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
Ｐｏｌｉｓｈ装置、以下ＣＭＰ装置とする）に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板の平坦化、即ち半導体
基板表面の研磨に用いられているＣＭＰ装置は、図５に
示すように、ウエーハ１がパッキングフィルム２、パッ
キングプレート３、及びウエーハ１の飛び出し防止のた
めに設けられるガイドリング４を介してトップリング５
により保持され、その表面が、ターンテーブル６上に保
持された研磨パッド７の上面に接触するように配置され
ている。そして、研磨粒子を含む研磨液が研磨パッド７
上に滴下供給され、この研磨パッド７と、トップリング
５により保持されたウエーハ１が、相互に接触した状態
で回転することにより、ウエーハ１の表面が研磨され
る。
基板表面の研磨に用いられているＣＭＰ装置は、図５に
示すように、ウエーハ１がパッキングフィルム２、パッ
キングプレート３、及びウエーハ１の飛び出し防止のた
めに設けられるガイドリング４を介してトップリング５
により保持され、その表面が、ターンテーブル６上に保
持された研磨パッド７の上面に接触するように配置され
ている。そして、研磨粒子を含む研磨液が研磨パッド７
上に滴下供給され、この研磨パッド７と、トップリング
５により保持されたウエーハ１が、相互に接触した状態
で回転することにより、ウエーハ１の表面が研磨され
る。
【０００３】このようにして研磨を行うことにより、徐
々にウエーハの均一性が安定して得られなくなったり、
研磨屑が発生するといった不具合が生じてくる。そのた
め、図６に示すように、ドレッシングプレート８を用い
て、これを研磨パッド７に接触、回転させることによ
り、研磨パッド７をドレッシング処理している。
々にウエーハの均一性が安定して得られなくなったり、
研磨屑が発生するといった不具合が生じてくる。そのた
め、図６に示すように、ドレッシングプレート８を用い
て、これを研磨パッド７に接触、回転させることによ
り、研磨パッド７をドレッシング処理している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このようなＣＭＰ装置
において、ウエーハの研磨と、研磨パッドのドレッシン
グ処理は、別々に行われており、そのためスループット
を落としているという問題があった。
において、ウエーハの研磨と、研磨パッドのドレッシン
グ処理は、別々に行われており、そのためスループット
を落としているという問題があった。
【０００５】本発明は、上述した欠点を解決するもの
で、高い均一性を持つウエーハを安定して且つ効率的に
得ることのできるウエーハ研磨装置を提供することを目
的とする。
で、高い均一性を持つウエーハを安定して且つ効率的に
得ることのできるウエーハ研磨装置を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のウエーハ研磨装
置は、ターンテーブルと、ターンテーブル上に保持され
る研磨パッドと、この研磨パッド上でウエーハを回転さ
せるトップリングと、ウエーハを前記トップリングに支
持するためのガイドリングと、このガイドリングの少な
くとも一部に設置されるドレッサーとを備えることを特
徴とする。
置は、ターンテーブルと、ターンテーブル上に保持され
る研磨パッドと、この研磨パッド上でウエーハを回転さ
せるトップリングと、ウエーハを前記トップリングに支
持するためのガイドリングと、このガイドリングの少な
くとも一部に設置されるドレッサーとを備えることを特
徴とする。
【０００７】また、本発明のウエーハ研磨装置において
は、前記ドレッサーは、少なくとも一部が前記ガイドリ
ングの前記研磨パッドに面した部分に設けられることを
特徴とするものである。
は、前記ドレッサーは、少なくとも一部が前記ガイドリ
ングの前記研磨パッドに面した部分に設けられることを
特徴とするものである。
【０００８】さらに、本発明のウエーハ研磨装置におい
ては、前記ドレッサーは、ウエーハ研磨時に前記研磨パ
ッドと接していることを特徴とするものである。
ては、前記ドレッサーは、ウエーハ研磨時に前記研磨パ
ッドと接していることを特徴とするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図１乃至図４を参照して説明する。尚、これらの図にお
いて、図５と同一又は対応する構成要素には同一の符号
を付している。 （実施形態１）図１は本発明の半導体基板研磨装置の一
実施形態を示す図である。
図１乃至図４を参照して説明する。尚、これらの図にお
いて、図５と同一又は対応する構成要素には同一の符号
を付している。 （実施形態１）図１は本発明の半導体基板研磨装置の一
実施形態を示す図である。
【００１０】図１に示すように、ウエーハ１はパッキン
グフィルム２、パッキングプレート３、及びガイドリン
グ４を介してトップリング５に保持され、その表面が、
ターンテーブル６上に保持された研磨パッド７の上面に
接触するように配置されている。そしてガイドリング４
の外周部、即ち、研磨パッド７に対向する面の外周部分
と、外壁面の研磨パッドと近接する部分には、ドレッサ
ー９が設置されている。
グフィルム２、パッキングプレート３、及びガイドリン
グ４を介してトップリング５に保持され、その表面が、
ターンテーブル６上に保持された研磨パッド７の上面に
接触するように配置されている。そしてガイドリング４
の外周部、即ち、研磨パッド７に対向する面の外周部分
と、外壁面の研磨パッドと近接する部分には、ドレッサ
ー９が設置されている。
【００１１】このような装置構成により、従来と同様
に、研磨液が研磨パッド７上に滴下供給され、この研磨
パッド７と、ガイドリング４によりトップリング５に保
持されたウエーハ１が相互に接触した状態で回転するこ
とにより、ウエーハ１の表面が研磨される。
に、研磨液が研磨パッド７上に滴下供給され、この研磨
パッド７と、ガイドリング４によりトップリング５に保
持されたウエーハ１が相互に接触した状態で回転するこ
とにより、ウエーハ１の表面が研磨される。
【００１２】同時に、ガイドリング４に設けられたドレ
ッサー９も、ウエーハ１研磨時には研磨パッド７と接触
しており、ウエーハ１が回転すると共に研磨パッド７を
ドレッシングすることができる。
ッサー９も、ウエーハ１研磨時には研磨パッド７と接触
しており、ウエーハ１が回転すると共に研磨パッド７を
ドレッシングすることができる。
【００１３】このように、本実施形態のウエーハ研磨装
置により、ウエーハ研磨工程と研磨パッドをドレッシン
グする工程とを一つのツールで行うことができる。さら
に、従来ドレッサーを設置していた部分にトップリング
を設置することができるため、スループットが向上する
上に、ＣＭＰ装置のコンパクト化を図ることができる。 （実施形態２）図２は本発明の半導体基板研磨装置の一
実施形態を示す図である。
置により、ウエーハ研磨工程と研磨パッドをドレッシン
グする工程とを一つのツールで行うことができる。さら
に、従来ドレッサーを設置していた部分にトップリング
を設置することができるため、スループットが向上する
上に、ＣＭＰ装置のコンパクト化を図ることができる。 （実施形態２）図２は本発明の半導体基板研磨装置の一
実施形態を示す図である。
【００１４】図２に示すように、装置の構成は、実施形
態１と同様であるが、トップリングをターンテーブル上
で左右に動かすことができるという点でのみ異なってい
る。
態１と同様であるが、トップリングをターンテーブル上
で左右に動かすことができるという点でのみ異なってい
る。
【００１５】このような装置構成により、実施形態１と
同様の効果を得ることができる。さらに、トップリング
を左右に動かすことにより、ウエーハの研磨屑を研磨面
から押し出すことができるため、より効果的にドレッシ
ングすることができる。即ち、図３に本実施形態の装
置、図４に従来の装置を用いたときの研磨レートとウエ
ーハ中心からの位置の関係を示すように、従来と比べ
て、より高い研磨レートと良好なウエーハの面内均一性
を得ることができ、スループットも約１．８倍と向上す
る。
同様の効果を得ることができる。さらに、トップリング
を左右に動かすことにより、ウエーハの研磨屑を研磨面
から押し出すことができるため、より効果的にドレッシ
ングすることができる。即ち、図３に本実施形態の装
置、図４に従来の装置を用いたときの研磨レートとウエ
ーハ中心からの位置の関係を示すように、従来と比べ
て、より高い研磨レートと良好なウエーハの面内均一性
を得ることができ、スループットも約１．８倍と向上す
る。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、高い均一性を持つウエ
ーハを安定して且つ効率的に得ることのできるウエーハ
研磨装置を提供することができる。
ーハを安定して且つ効率的に得ることのできるウエーハ
研磨装置を提供することができる。
【図１】本発明の一実施形態を示す半導体基板研磨装置
の断面図である。
の断面図である。
【図２】本発明の一実施形態を示す半導体基板研磨装置
の断面図である。
の断面図である。
【図３】本発明の一実施形態における研磨レートとウエ
ーハ中心からの位置の関係を示す図である。
ーハ中心からの位置の関係を示す図である。
【図４】従来の装置における研磨レートとウエーハ中心
からの位置の関係を示す図である。
からの位置の関係を示す図である。
【図５】従来の半導体基板研磨装置の断面図である。
【図６】従来の半導体基板研磨装置のドレッシング部と
ターンテーブル部を示す断面図である。
ターンテーブル部を示す断面図である。
１ ウエーハ ２ パッキングフィルム ３ パッキングプレート ４ ガイドリング ５ トップリング ６ ターンテーブル ７ 研磨パッド ８ ドレッシングプレート ９ ドレッサー
Claims (3)
- 【請求項１】 ターンテーブルと、ターンテーブル上に
保持される研磨パッドと、この研磨パッド上でウエーハ
を回転させるトップリングと、ウエーハを前記トップリ
ングに支持するためのガイドリングと、このガイドリン
グの少なくとも一部に設置されるドレッサーとを備える
ことを特徴とするウエーハ研磨装置。 - 【請求項２】 前記ドレッサーは、少なくとも一部が前
記ガイドリングの前記研磨パッドに面した部分に設けら
れることを特徴とする請求項１記載のウエーハ研磨装
置。 - 【請求項３】 前記ドレッサーは、ウエーハ研磨時に前
記研磨パッドと接していることを特徴とする請求項１又
は２記載のウエーハ研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18655199A JP2001009710A (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | ウエーハ研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18655199A JP2001009710A (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | ウエーハ研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001009710A true JP2001009710A (ja) | 2001-01-16 |
Family
ID=16190504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18655199A Pending JP2001009710A (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | ウエーハ研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001009710A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6699107B2 (en) | 2002-02-27 | 2004-03-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Polishing head and apparatus with an improved pad conditioner for chemical mechanical polishing |
| JP2005313313A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-10 | Fujikoshi Mach Corp | 研磨装置 |
| WO2013089502A1 (en) * | 2011-12-16 | 2013-06-20 | Lg Siltron Inc. | Apparatus and method for polishing wafer |
| KR101286009B1 (ko) * | 2011-12-16 | 2013-07-15 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마방법 |
| CN108145593A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-12 | 德淮半导体有限公司 | 晶圆加工装置及其工作方法 |
| CN110549242A (zh) * | 2018-05-31 | 2019-12-10 | 许栋梁 | 全向整合式调节装置 |
-
1999
- 1999-06-30 JP JP18655199A patent/JP2001009710A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6699107B2 (en) | 2002-02-27 | 2004-03-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Polishing head and apparatus with an improved pad conditioner for chemical mechanical polishing |
| DE10208414B4 (de) * | 2002-02-27 | 2013-01-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Vorrichtung mit einem verbesserten Polierkissenaufbereiter für das chemisch mechanische Polieren |
| JP2005313313A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-10 | Fujikoshi Mach Corp | 研磨装置 |
| JP4583207B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-11-17 | 不二越機械工業株式会社 | 研磨装置 |
| KR101183783B1 (ko) * | 2004-03-31 | 2012-09-17 | 후지코시 기카이 고교 가부시키가이샤 | 연마 장치 |
| WO2013089502A1 (en) * | 2011-12-16 | 2013-06-20 | Lg Siltron Inc. | Apparatus and method for polishing wafer |
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| CN108145593A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-12 | 德淮半导体有限公司 | 晶圆加工装置及其工作方法 |
| CN110549242A (zh) * | 2018-05-31 | 2019-12-10 | 许栋梁 | 全向整合式调节装置 |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050311 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070206 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070605 |