JPH0911117A - 平坦化方法及び平坦化装置 - Google Patents
平坦化方法及び平坦化装置Info
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- JPH0911117A JPH0911117A JP15333795A JP15333795A JPH0911117A JP H0911117 A JPH0911117 A JP H0911117A JP 15333795 A JP15333795 A JP 15333795A JP 15333795 A JP15333795 A JP 15333795A JP H0911117 A JPH0911117 A JP H0911117A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 常に研磨布の形状を安定化することで、ウエ
ハー等の被研磨材に対する研磨速度の均一性向上、安定
化並びに制御性の向上を図った平坦化方法及び平坦化装
置を提供する。 【構成】 被研磨材1を研磨布15を用いて研磨して平
坦化を行う際、研磨布15は研磨プレート14に支持し
て被研磨材1に対して相対的に駆動(回転等)するとと
もに、該研磨布15は研磨布ドレッサー20を用いてド
レスし、該研磨布ドレッサー20は研磨プレート14の
半径方向に設置する。
ハー等の被研磨材に対する研磨速度の均一性向上、安定
化並びに制御性の向上を図った平坦化方法及び平坦化装
置を提供する。 【構成】 被研磨材1を研磨布15を用いて研磨して平
坦化を行う際、研磨布15は研磨プレート14に支持し
て被研磨材1に対して相対的に駆動(回転等)するとと
もに、該研磨布15は研磨布ドレッサー20を用いてド
レスし、該研磨布ドレッサー20は研磨プレート14の
半径方向に設置する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、被研磨材の研磨によ
る平坦化方法及び平坦化装置に関する。本発明は、例え
ば、高度に微細化かつ集積化した半導体メモリー素子等
の半導体集積回路の製造において、被研磨基体である半
導体ウエハ上の層間絶縁膜などのグローバル(全面)平
坦化を行う工程に適用して好適なものである。
る平坦化方法及び平坦化装置に関する。本発明は、例え
ば、高度に微細化かつ集積化した半導体メモリー素子等
の半導体集積回路の製造において、被研磨基体である半
導体ウエハ上の層間絶縁膜などのグローバル(全面)平
坦化を行う工程に適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】平坦化技術を要する分野では、被研磨材
の微細化・高集積化の進行が著しい。例えば電子材料の
分野では、半導体装置の高集積化に伴って、その配線
は、益々微細化、多層化の方向に進んでいる。しかしな
がら、配線の高集積化は、一方では半導体装置の信頼性
を低下させる要因になる場合がある。なぜなら、配線の
微細化及び多層化の進展に伴い、層間絶縁膜の段差は大
きく、かつ急崚となり、その上に形成される配線の加工
精度や信頼性を低下させているからである。
の微細化・高集積化の進行が著しい。例えば電子材料の
分野では、半導体装置の高集積化に伴って、その配線
は、益々微細化、多層化の方向に進んでいる。しかしな
がら、配線の高集積化は、一方では半導体装置の信頼性
を低下させる要因になる場合がある。なぜなら、配線の
微細化及び多層化の進展に伴い、層間絶縁膜の段差は大
きく、かつ急崚となり、その上に形成される配線の加工
精度や信頼性を低下させているからである。
【0003】このため、配線材料特に例えばAlによる
配線の段差被覆性の大幅な改善が困難な現在では、層間
絶縁膜の平坦性を向上させる必要がある。これは、フォ
トリソグラフィー技術に用いられる露光用の光の短波長
化に伴う焦点深度の低下という観点からも、重要になり
つつある。
配線の段差被覆性の大幅な改善が困難な現在では、層間
絶縁膜の平坦性を向上させる必要がある。これは、フォ
トリソグラフィー技術に用いられる露光用の光の短波長
化に伴う焦点深度の低下という観点からも、重要になり
つつある。
【0004】絶縁膜の平坦化を例にとって言えば、これ
までに、種々の絶縁膜の形成技術及び平坦化技術が開発
されてきているが、微細化、多層化した配線の層間絶縁
膜にこれらの技術を適用した場合、配線間隔が大きい場
合の平坦化の不足や、配線間の部分における層間絶縁膜
での「す(鬆)」(ボイド)の発生による配線間の接続
不良等が問題となっている。
までに、種々の絶縁膜の形成技術及び平坦化技術が開発
されてきているが、微細化、多層化した配線の層間絶縁
膜にこれらの技術を適用した場合、配線間隔が大きい場
合の平坦化の不足や、配線間の部分における層間絶縁膜
での「す(鬆)」(ボイド)の発生による配線間の接続
不良等が問題となっている。
【0005】そこで、この問題を解決する手段として最
近、従来のシルコンウエハーの鏡面研磨法を応用した化
学的機械研磨(ケミカルメカニカルポリッシュ;CM
P)法と呼ばれる方法を層間絶縁膜の平坦化に用いるこ
とが提案されている。この方法を簡単に説明すると以下
のようになる。
近、従来のシルコンウエハーの鏡面研磨法を応用した化
学的機械研磨(ケミカルメカニカルポリッシュ;CM
P)法と呼ばれる方法を層間絶縁膜の平坦化に用いるこ
とが提案されている。この方法を簡単に説明すると以下
のようになる。
【0006】図7及び図8にこの方法に用いられる一般
的なCMP研磨装置を示す。この研磨装置においては、
被研磨材11(図8、図7では被研磨材として符号11
A,11Bで示す2枚のウエハーを示す)であるウエハ
ーをセットした支持台(ウエハー支持台)12を、被研
磨材(ウエハー)11がプラテンと呼ばれる研磨プレー
ト14に対向するようにセットし、スラリー供給管16
から研磨プレート14上のパッドと呼ばれる研磨布15
の上にスラリー溶液17を供給し、研磨プレート回転軸
18の回転数及びウエハー支持台回転軸13の回転数を
調整して被研磨材(ウエハー)11の研磨を行う。この
とき、絶縁膜のエッチングを行う意味で、スラリー溶液
17にKOH等の化学物質を添加して塩基性雰囲気で研
磨を行う。
的なCMP研磨装置を示す。この研磨装置においては、
被研磨材11(図8、図7では被研磨材として符号11
A,11Bで示す2枚のウエハーを示す)であるウエハ
ーをセットした支持台(ウエハー支持台)12を、被研
磨材(ウエハー)11がプラテンと呼ばれる研磨プレー
ト14に対向するようにセットし、スラリー供給管16
から研磨プレート14上のパッドと呼ばれる研磨布15
の上にスラリー溶液17を供給し、研磨プレート回転軸
18の回転数及びウエハー支持台回転軸13の回転数を
調整して被研磨材(ウエハー)11の研磨を行う。この
とき、絶縁膜のエッチングを行う意味で、スラリー溶液
17にKOH等の化学物質を添加して塩基性雰囲気で研
磨を行う。
【0007】このCMP平坦化方法において大きな問題
となるのが、研磨布表面の管理である。即ち、ウエハー
等の被研磨材11の研磨を行うにつれて研磨布15の表
面もけずられ、研磨布の表面形状が変化する。この結果
研磨布15のマクロな形状がウエハー面内の均一性に、
ミクロな形状が研磨速度に影響を及ぼし、プロセスの管
理を難しくするという問題を生じる。
となるのが、研磨布表面の管理である。即ち、ウエハー
等の被研磨材11の研磨を行うにつれて研磨布15の表
面もけずられ、研磨布の表面形状が変化する。この結果
研磨布15のマクロな形状がウエハー面内の均一性に、
ミクロな形状が研磨速度に影響を及ぼし、プロセスの管
理を難しくするという問題を生じる。
【0008】通常この対策として、図7及び図8に示す
ようにダイヤモンドペレット19(図8参照)を接着し
たドレッサー20を用いる。このドレッサー20の回転
軸21の回転数を制御して、研磨布の性能維持であるド
レス(目立て)を行い、研磨布の表面を一定に保とうと
する。例えば、ドレス条件として以下の条件が挙げられ
る。 研磨プレート回転数 =20RPM ドレッサー回転数 =20RPM ドレッサー加重 =40kgf(40×9.8N)
ようにダイヤモンドペレット19(図8参照)を接着し
たドレッサー20を用いる。このドレッサー20の回転
軸21の回転数を制御して、研磨布の性能維持であるド
レス(目立て)を行い、研磨布の表面を一定に保とうと
する。例えば、ドレス条件として以下の条件が挙げられ
る。 研磨プレート回転数 =20RPM ドレッサー回転数 =20RPM ドレッサー加重 =40kgf(40×9.8N)
【0009】しかしこのドレスを行うことで、逆に研磨
布の断面が、図9(a)に示すように正しく平滑にドレ
スされるのでなく、図9(b)のように凹面に削られた
り、図9(c)のように凸面に削られたりすることがあ
る。また研磨布表面形状を安定して再現できないため、
ウエハー研磨の制御性が悪化するという問題が生じる。
布の断面が、図9(a)に示すように正しく平滑にドレ
スされるのでなく、図9(b)のように凹面に削られた
り、図9(c)のように凸面に削られたりすることがあ
る。また研磨布表面形状を安定して再現できないため、
ウエハー研磨の制御性が悪化するという問題が生じる。
【0010】
【発明の目的】本発明は上記の問題点を解決し、常に研
磨布の形状を安定化することで、ウエハー等の被研磨材
に対する研磨速度の均一性向上、安定化並びに制御性の
向上を図った平坦化方法及び平坦化装置を提供しようと
するものである。
磨布の形状を安定化することで、ウエハー等の被研磨材
に対する研磨速度の均一性向上、安定化並びに制御性の
向上を図った平坦化方法及び平坦化装置を提供しようと
するものである。
【0011】
【問題点を解決するための手段及び作用】本発明の平坦
化方法は、被研磨材を研磨布を用いて研磨して平坦化を
行う平坦化方法において、研磨布は研磨プレートに支持
して被研磨材に対して相対的に駆動するとともに、該研
磨布は研磨布ドレッサーを用いてドレスする構成とし、
該研磨布ドレッサーは研磨プレートの半径方向に設置す
ることを特徴とする平坦化方法であって、これにより上
記目的を達成するものである。
化方法は、被研磨材を研磨布を用いて研磨して平坦化を
行う平坦化方法において、研磨布は研磨プレートに支持
して被研磨材に対して相対的に駆動するとともに、該研
磨布は研磨布ドレッサーを用いてドレスする構成とし、
該研磨布ドレッサーは研磨プレートの半径方向に設置す
ることを特徴とする平坦化方法であって、これにより上
記目的を達成するものである。
【0012】本発明の平坦化装置は、被研磨材を研磨布
を用いて研磨して平坦化を行う平坦化装置において、研
磨布は研磨プレートに支持して被研磨材に対して相対的
に駆動するとともに、該研磨布は研磨布ドレッサーを用
いてドレスする構成とし、該研磨布ドレッサーは研磨プ
レートの半径方向に設置する構成としたことを特徴とす
る平坦化装置であって、これにより上記目的を達成する
ものである。
を用いて研磨して平坦化を行う平坦化装置において、研
磨布は研磨プレートに支持して被研磨材に対して相対的
に駆動するとともに、該研磨布は研磨布ドレッサーを用
いてドレスする構成とし、該研磨布ドレッサーは研磨プ
レートの半径方向に設置する構成としたことを特徴とす
る平坦化装置であって、これにより上記目的を達成する
ものである。
【0013】本発明の好ましい態様にあっては、CMP
装置において、研磨布ドレッサーを研磨プレートの半径
方向に設置することで、ドレス中に発生する研磨布の表
面形状の変化をなくすようにする。
装置において、研磨布ドレッサーを研磨プレートの半径
方向に設置することで、ドレス中に発生する研磨布の表
面形状の変化をなくすようにする。
【0014】また好ましくは、ドレッサーを研磨プレー
トの半径方向に揺動させることで、ドレッサーの表面に
一般に付いているダイヤモンドペレットと呼ばれる研磨
体によるミクロな凹凸を解消することで、上述した問題
を解決するものである。
トの半径方向に揺動させることで、ドレッサーの表面に
一般に付いているダイヤモンドペレットと呼ばれる研磨
体によるミクロな凹凸を解消することで、上述した問題
を解決するものである。
【0015】また好ましくは、研磨プレートとドレッサ
ーの相対速度の遅い中心方向でドレッサーの幅を変える
ことにより、ドレス速度を均一化させるようにする。
ーの相対速度の遅い中心方向でドレッサーの幅を変える
ことにより、ドレス速度を均一化させるようにする。
【0016】また好ましくは、研磨プレートとドレッサ
ーの相対速度の遅い中心方向でドレッサーと研磨プレー
トとの接触圧力を増加させることで、ドレス速度を均一
化する。
ーの相対速度の遅い中心方向でドレッサーと研磨プレー
トとの接触圧力を増加させることで、ドレス速度を均一
化する。
【0017】
【実施例】本発明の実施例について、図面を参照して説
明する。但し当然のことではあるが、本発明は以下に述
べる実施例により限定されるものではない。
明する。但し当然のことではあるが、本発明は以下に述
べる実施例により限定されるものではない。
【0018】実施例1 図1に本発明の第1の実施例を示す。この実施例は、本
発明をCMP技術として具体化するとともに、研磨布ド
レッサー20として、棒状のものを、研磨定盤である研
磨プレート14の半径方向に設置し、研磨布表面状の安
定化を図るようにしたものである。
発明をCMP技術として具体化するとともに、研磨布ド
レッサー20として、棒状のものを、研磨定盤である研
磨プレート14の半径方向に設置し、研磨布表面状の安
定化を図るようにしたものである。
【0019】図1(a)は本実施例のCMP装置を上か
ら見た概略図である。図1(b)は、研磨プレート14
と研磨布15及びドレッサー20との相互関係を示す側
断面図である。
ら見た概略図である。図1(b)は、研磨プレート14
と研磨布15及びドレッサー20との相互関係を示す側
断面図である。
【0020】本実施例においては、被研磨材1(ここで
は2枚の半導体ウエハー1A,1B)を研磨布15を用
いて研磨して平坦化を行う平坦化方法において、研磨布
15は研磨プレート14に支持して被研磨材1に対して
相対的に駆動(ここでは相対的に回転)するとともに、
該研磨布15は研磨布ドレッサー20を用いてドレスす
る構成とし、該研磨布ドレッサー20は研磨プレート1
4の半径方向に設置して研磨を行う平坦化方法を行う。
は2枚の半導体ウエハー1A,1B)を研磨布15を用
いて研磨して平坦化を行う平坦化方法において、研磨布
15は研磨プレート14に支持して被研磨材1に対して
相対的に駆動(ここでは相対的に回転)するとともに、
該研磨布15は研磨布ドレッサー20を用いてドレスす
る構成とし、該研磨布ドレッサー20は研磨プレート1
4の半径方向に設置して研磨を行う平坦化方法を行う。
【0021】また、本実施例の平坦化装置は、被研磨材
を研磨布を用いて研磨して平坦化を行う平坦化装置にお
いて、研磨布15は研磨プレート14に支持して被研磨
材1に対して相対的に駆動(回転)するとともに、該研
磨布15は研磨布ドレッサー20を用いてドレスする構
成とし、該研磨布ドレッサー20は研磨プレート14の
半径方向に設置する構成としたものである。
を研磨布を用いて研磨して平坦化を行う平坦化装置にお
いて、研磨布15は研磨プレート14に支持して被研磨
材1に対して相対的に駆動(回転)するとともに、該研
磨布15は研磨布ドレッサー20を用いてドレスする構
成とし、該研磨布ドレッサー20は研磨プレート14の
半径方向に設置する構成としたものである。
【0022】本実施例によれば、図1(b)に示すよう
に、研磨布ドレッサー20を研磨プレート14の半径に
対応する位置に配置したことにより、ウエハー研磨によ
り生じる研磨布15表面の凹形状を、ドレッサー20に
より安定に制御して平坦にできる。またドレスを繰り返
してもこの状態を安定して再現することが可能である。
に、研磨布ドレッサー20を研磨プレート14の半径に
対応する位置に配置したことにより、ウエハー研磨によ
り生じる研磨布15表面の凹形状を、ドレッサー20に
より安定に制御して平坦にできる。またドレスを繰り返
してもこの状態を安定して再現することが可能である。
【0023】なおこの実施例では、図示のようにドレッ
サー20を直方体としているが、他の形でもよい。ま
た、ドレッサー20が有するドレス要素である研磨体1
9としては、ダイアモンドペレットが代表的であるが、
他のものでもよい。
サー20を直方体としているが、他の形でもよい。ま
た、ドレッサー20が有するドレス要素である研磨体1
9としては、ダイアモンドペレットが代表的であるが、
他のものでもよい。
【0024】上記詳述したように、本実施例によれば、
CMPによるグローバル平坦化法において、研磨布15
のドレス方法を改善し、研磨布表面形状を再現性良く任
意の形状(ここでは平坦面)に加工することで、ウエハ
ー研磨を安定して、制御性良く行うことが可能となる。
CMPによるグローバル平坦化法において、研磨布15
のドレス方法を改善し、研磨布表面形状を再現性良く任
意の形状(ここでは平坦面)に加工することで、ウエハ
ー研磨を安定して、制御性良く行うことが可能となる。
【0025】実施例2 図2に本発明の第2の実施例を示す。この実施例は、ド
レッサー20表面についている研磨体であるダイヤモン
ドペレット19によるミクロ凹凸が研磨プレートの回転
方向の定位置に生じることを、ドレッサー20を半径方
向に揺動させることで解決する。
レッサー20表面についている研磨体であるダイヤモン
ドペレット19によるミクロ凹凸が研磨プレートの回転
方向の定位置に生じることを、ドレッサー20を半径方
向に揺動させることで解決する。
【0026】図2は、本実施例を用いたCMP装置を上
から見た概略図である。
から見た概略図である。
【0027】図3(a)は揺動が無い場合、ダイヤモン
ドペレット19によりけずられる研磨布15の表面のミ
クロな凹凸が研磨プレート14円周方向の定位置に出る
ことを示し、これはミクロな研磨速度の均一性を悪化さ
せる。
ドペレット19によりけずられる研磨布15の表面のミ
クロな凹凸が研磨プレート14円周方向の定位置に出る
ことを示し、これはミクロな研磨速度の均一性を悪化さ
せる。
【0028】これに対し、本実施例では、図3(b)に
矢印で示すように、研磨布ドレッサー20を半径方向に
揺動させることにより、この問題を解決する。
矢印で示すように、研磨布ドレッサー20を半径方向に
揺動させることにより、この問題を解決する。
【0029】本実施例の平坦化装置は、上述の方法をと
るために、研磨布ドレッサー20を半径方向に揺動させ
る機構を備えて構成した。
るために、研磨布ドレッサー20を半径方向に揺動させ
る機構を備えて構成した。
【0030】即ち、図3(b)は本実施例による場合
で、揺動があるため凹凸も均一になり、ミクロな研磨速
度の均一性も改善される。
で、揺動があるため凹凸も均一になり、ミクロな研磨速
度の均一性も改善される。
【0031】本実施例では揺動が研磨プレートの半径方
向のみになされる構成としたが、それに円周方向の動き
を加えてもよい。
向のみになされる構成としたが、それに円周方向の動き
を加えてもよい。
【0032】実施例3 図4に本発明の第3の実施例を示す。この実施例は、研
磨プレート14が回転しているため、研磨プレート14
中心からの半径方向の距離により、ドレッサー20と研
磨布15の相対速度が異なることから生じるドレス速度
の差を、ドレッサー20の幅を変えることで解決する。
磨プレート14が回転しているため、研磨プレート14
中心からの半径方向の距離により、ドレッサー20と研
磨布15の相対速度が異なることから生じるドレス速度
の差を、ドレッサー20の幅を変えることで解決する。
【0033】即ち本実施例においては、研磨プレート1
4と研磨布ドレッサー20の相対速度の遅い中心方向で
ドレッサー20の幅を変えることで、上述した問題を解
決したのである。
4と研磨布ドレッサー20の相対速度の遅い中心方向で
ドレッサー20の幅を変えることで、上述した問題を解
決したのである。
【0034】上述の方法をとるため、本実施例の平坦化
装置は、図4に示すように、研磨プレート14と研磨布
ドレッサー20の相対速度の遅い中心方向でドレッサー
の幅を変えたドレッサー20を用いた。即ち、研磨プレ
ート14の周辺部(相対速度が速い)においてドレッサ
ー20の幅を小さくし、研磨プレート14の中心部(相
対速度が遅い)においてドレッサー20の幅を大きくし
た形状のものを採用した。これによりドレス速度の差に
よる問題が解決された。
装置は、図4に示すように、研磨プレート14と研磨布
ドレッサー20の相対速度の遅い中心方向でドレッサー
の幅を変えたドレッサー20を用いた。即ち、研磨プレ
ート14の周辺部(相対速度が速い)においてドレッサ
ー20の幅を小さくし、研磨プレート14の中心部(相
対速度が遅い)においてドレッサー20の幅を大きくし
た形状のものを採用した。これによりドレス速度の差に
よる問題が解決された。
【0035】なお本実施例では、研磨布表面を平面に加
工しているが、図5に示すようにドレッサー20の研磨
布15との接触部分の形を変える(この図ではドレッサ
ー20を凹面にしている)ことで、研磨布のマクロな形
状を凹面にも凸面にも(ここでは凸面)制御することが
できる。
工しているが、図5に示すようにドレッサー20の研磨
布15との接触部分の形を変える(この図ではドレッサ
ー20を凹面にしている)ことで、研磨布のマクロな形
状を凹面にも凸面にも(ここでは凸面)制御することが
できる。
【0036】実施例4 図6に本発明の第4の実施例を示す。この実施例は、研
磨プレート14が回転しているため、研磨プレート中心
からの半径方向の距離により、ドレッサー20と研磨布
15の相対速度が異なるため生じるドレス速度の差を、
中心方向でのドレッサーと研磨布の接触圧力を変えるこ
とで解決する。
磨プレート14が回転しているため、研磨プレート中心
からの半径方向の距離により、ドレッサー20と研磨布
15の相対速度が異なるため生じるドレス速度の差を、
中心方向でのドレッサーと研磨布の接触圧力を変えるこ
とで解決する。
【0037】即ち本実施例は、研磨プレート14と研磨
布ドレッサー20の相対速度の遅い中心方向でドレッサ
ー20と研磨プレートとの接触圧力を変化させるように
したものである。
布ドレッサー20の相対速度の遅い中心方向でドレッサ
ー20と研磨プレートとの接触圧力を変化させるように
したものである。
【0038】上述の方法をとるために、本実施例の平坦
化装置は、研磨プレート14と研磨布ドレッサー20の
相対速度の遅い中心方向でドレッサーと研磨プレート1
4との接触圧力を変化させる機構を備えるようにした。
図6に示すように、研磨プレート14の周辺部において
ドレッサー圧Pを小さくし、研磨プレート14の中心部
においてドレッサー圧Pを大きくした。本実施例ではこ
のような構成をとることにより、上記実施例3と同様の
効果を得ることができた。
化装置は、研磨プレート14と研磨布ドレッサー20の
相対速度の遅い中心方向でドレッサーと研磨プレート1
4との接触圧力を変化させる機構を備えるようにした。
図6に示すように、研磨プレート14の周辺部において
ドレッサー圧Pを小さくし、研磨プレート14の中心部
においてドレッサー圧Pを大きくした。本実施例ではこ
のような構成をとることにより、上記実施例3と同様の
効果を得ることができた。
【0039】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、常に研磨
布の形状を安定化にすることで、ウエハー等の被研磨材
に対する研磨速度の均一性向上、安定化並びに制御性の
向上を達成することができた。
布の形状を安定化にすることで、ウエハー等の被研磨材
に対する研磨速度の均一性向上、安定化並びに制御性の
向上を達成することができた。
【図1】 実施例1の構成及び作用を示す図である。
【図2】 実施例2の構成を示す図である。
【図3】 実施例2の作用説明図である。
【図4】 実施例3の構成を示す図である。
【図5】 実施例3の作用説明図である。
【図6】 実施例4の作用説明図である。
【図7】 従来技術を示す上面図である。
【図8】 従来技術を示す側面図である。
【図9】 従来技術の問題点(研磨布表面の変形)を示
す図である。
す図である。
1,1A,1B 被研磨材(ウエハー) 14 研磨プレート 15 研磨布 19 研磨体(ダイアモンドペレット) 20 ドレッサー P ドレッサー圧
Claims (9)
- 【請求項1】被研磨材を研磨布を用いて研磨して平坦化
を行う平坦化方法において、 研磨布は研磨プレートに支持して被研磨材に対して相対
的に駆動するとともに、該研磨布は研磨布ドレッサーを
用いてドレスする構成とし、 該研磨布ドレッサーは研磨プレートの半径方向に設置す
ることを特徴とする平坦化方法。 - 【請求項2】研磨布ドレッサーを半径方向に揺動させる
ことを特徴とする請求項1に記載の平坦化方法。 - 【請求項3】研磨プレートと研磨布ドレッサーの相対速
度の遅い中心方向でドレッサーの幅を変えることを特徴
とする請求項1に記載の平坦化方法。 - 【請求項4】研磨プレートと研磨布ドレッサーの相対速
度の遅い中心方向でドレッサーと研磨プレートとの接触
圧力を変化させることを特徴とする請求項1に記載の平
坦化方法。 - 【請求項5】被研磨材を研磨布を用いて研磨して平坦化
を行う平坦化装置において、 研磨布は研磨プレートに支持して被研磨材に対して相対
的に駆動するとともに、該研磨布は研磨布ドレッサーを
用いてドレスする構成とし、 該研磨布ドレッサーは研磨プレートの半径方向に設置す
る構成としたことを特徴とする平坦化装置。 - 【請求項6】研磨布ドレッサーを半径方向に揺動させる
機構を備えたことを特徴とする請求項5に記載の平坦化
装置。 - 【請求項7】研磨プレートと研磨布ドレッサーの相対速
度の遅い中心方向で幅を変えたドレッサーを用いること
を特徴とする請求項5に記載の平坦化装置。 - 【請求項8】研磨プレートと研磨布ドレッサーの相対速
度の遅い中心方向でドレッサーと研磨プレートとの接触
圧力を変化させる機構を備えることを特徴とする請求項
5に記載の平坦化装置。 - 【請求項9】ケミカルメカニカルポリッシュ装置である
請求項5に記載の平坦化装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15333795A JPH0911117A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 平坦化方法及び平坦化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15333795A JPH0911117A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 平坦化方法及び平坦化装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0911117A true JPH0911117A (ja) | 1997-01-14 |
Family
ID=15560274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15333795A Pending JPH0911117A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 平坦化方法及び平坦化装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0911117A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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1995
- 1995-06-20 JP JP15333795A patent/JPH0911117A/ja active Pending
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