JP2013258213A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板20上に形成された被研磨膜23に対してCMP法を行う工程を具備する。前記CMP法は、前記研磨布の表面にドレッサー15を当接させて、前記研磨布をコンディショニングする工程と、前記被研磨膜の表面を負のRsk値を有する研磨布の表面に当接させて前記被研磨膜を研磨する工程と、を含む。前記研磨布をコンディショニングする工程において、前記研磨布の表面温度は40℃以上である。
【選択図】 図3
Description
図1乃至図6を用いて、第1の実施形態について説明する。第1の実施形態では、半導体装置の製造方法におけるCMP法において、研磨布11の表面に水蒸気を供給することにより研磨布11の表面をRsk値が負になるようにコンディショニングした後、研磨布11と被研磨膜とを当接(摺動)させて被研磨膜を研磨する。これにより、CMP工程後の被研磨膜の表面のスクラッチを低減することができる。以下に、第1の実施形態について詳説する。
以下に、図1および図2を用いて、第1の実施形態に係るCMP装置について説明する。
以下に、図3および図4を用いて、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
以下に、図5および図6を用いて、第1の実施形態におけるCMP条件の根拠について説明する。
ターンテーブル回転数:20rpm
ドレッサー:ダイヤモンド粗さ#100(旭ダイヤモンド社製)
ドレッサー荷重:200hPa
ドレッサー回転数:20rpm
ドレッシング液:23℃(室温)の純水
ここで、水蒸気による加熱をした場合と、水蒸気による加熱をしなかった場合とで、それぞれ60秒間のコンディショニング実験を行った。それぞれのコンディショニング実験において、研磨布温度測定器16で計測された研磨布11の表面温度は、23℃(水蒸気による加熱なし)、60℃(水蒸気による加熱あり)であった。
上記第1の実施形態によれば、半導体装置の製造方法におけるCMP法において、研磨布11の表面に水蒸気を供給することにより、研磨布11の表面を40℃以上80℃以下の範囲のより高い温度でコンディショニングする。その後、コンディショニングされた研磨布11の表面に被研磨膜の表面を当接させて被研磨膜を研磨する。これにより、以下の効果を得ることができる。
図3および図7を用いて、第2の実施形態について説明する。第1の実施形態では、コンディショニングにおいて、水蒸気供給ノズル17から供給される水蒸気を制御することで研磨布11の表面温度を調整した。これに対し、第2の実施形態では、コンディショニングにおいて、加熱機18を制御することで研磨布11の表面温度を調整する。以下に、第2の実施形態について詳説する。なお、第2の実施形態において、第1の実施形態と同様の点については説明を省略し、主に異なる点について説明する。
以下に、図7を用いて、第2の実施形態に係るCMP装置について説明する。
以下に、図3を用いて、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
上記第2の実施形態によれば、半導体装置の製造方法におけるCMP法において、研磨布11の表面を加熱機18で加熱することにより、研磨布11の表面を40℃以上80℃以下の範囲のより高い温度でコンディショニングする。その後、コンディショニングされた研磨布11の表面に被研磨膜の表面を当接させて被研磨膜を研磨する。これにより、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
図3、図8および図9を用いて、第3の実施形態について説明する。第3の実施形態では、コンディショニングにおいて、ドレッサー15自体を加熱して制御することで研磨布11の表面温度を調整する。以下に、第3の実施形態について詳説する。なお、第3の実施形態において、上記第1の実施形態と同様の点については説明を省略し、主に異なる点について説明する。
以下に、図8および図9を用いて、第3の実施形態に係るCMP装置について説明する。
以下に、図3を用いて、第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
上記第3の実施形態によれば、半導体装置の製造方法におけるCMP法において、研磨布11の表面をドレッサー15で加熱することにより、研磨布11の表面を40℃以上80℃以下の範囲のより高い温度でコンディショニングする。その後、コンディショニングされた研磨布11の表面に被研磨膜の表面を当接させて被研磨膜を研磨する。これにより、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
図3、図10乃至図12を用いて、第4の実施形態について説明する。第4の実施形態では、コンディショニングにおいて、研磨布11の表面と0以上(正)のRsk値を有するドレッサー15の表面とを当接する。これにより、研磨布11の表面のRsk値を負にすることができ、CMP工程後の被研磨膜の表面のスクラッチを低減することができる。以下に、第4の実施形態について詳説する。なお、第4の実施形態において、第1の実施形態と同様の点については説明を省略し、主に異なる点について説明する。
以下に、第4の実施形態に係るCMP装置について説明する。
以下に、図3、図10乃至図12を用いて、第4の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
以下に、第4の実施形態におけるCMP条件の根拠について説明する。
研磨布:ポリウレタン(ShoreD硬度が60、弾性率が400MPa)
ターンテーブル回転数:20rpm
ドレッサー:ダイヤモンド粗さ#100(旭ダイヤモンド社製)
ドレッサー荷重:200hPa
ドレッサー回転数:20rpm
ドレッシング液:23℃(室温)の純水
第4の実施形態
研磨布:ポリウレタン(ShoreD硬度が60、弾性率が400MPa)
ターンテーブル回転数:0rpm
ドレッサー:表面コーティングされた金属製、表面のRsk>0
ドレッサー荷重:200hPa
ドレッサー回転数:0rpm
ドレッシング液:23℃(室温)の純水
ここで、比較例においてドレッサー表面のRskを制御していない(ドレッサー表面のRskは、例えば負である)。これに対して、第4の実施形態においてドレッサー表面のRskが正になるように制御している。なお、それぞれのコンディショニング実験において、研磨布11の表面温度は、23℃(室温)であった。
上記第4の実施形態によれば、半導体装置の製造方法におけるCMP法において、ドレッサー15の表面のRsk値を制御して、研磨布11の表面をコンディショニングする。その後、コンディショニングされた研磨布11の表面に被研磨膜の表面を当接させて被研磨膜を研磨する。これにより、以下の効果を得ることができる。
以下に、図13および図14を用いて、各実施形態に係る半導体装置の製造方法の適用例について説明する。ここでは、半導体装置におけるSTI構造の製造方法について説明する。
Claims (10)
- 半導体基板上に形成された被研磨膜に対してCMP法を行う工程を具備し、
前記CMP法は、
回転する前記研磨布の表面に非ダイヤモンドドレッサーを当接させて、前記研磨布をコンディショニングする工程と、
前記被研磨膜の表面を負のRsk値を有する研磨布の表面に当接させて前記被研磨膜を研磨する工程と、
を含み、
前記研磨布をコンディショニングする工程において、前記ドレッサーに対して前記回転方向の上流側の前記研磨布の表面に水蒸気を供給することにより、前記研磨布の表面温度を40℃以上80℃以上にすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に形成された被研磨膜に対してCMP法を行う工程を具備し、
前記CMP法は、
前記研磨布の表面にドレッサーを当接させて、前記研磨布をコンディショニングする工程と、
前記被研磨膜の表面を負のRsk値を有する研磨布の表面に当接させて前記被研磨膜を研磨する工程と、
を含み、
前記研磨布をコンディショニングする工程において、前記研磨布の表面温度は40℃以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記研磨布をコンディショニングする工程において、前記研磨布の表面温度は80℃以下であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記研磨布をコンディショニングする工程において、前記研磨布の表面に水蒸気を供給することを特徴とする請求項2または請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記研磨布をコンディショニングする工程において、前記研磨布を回転させ、前記水蒸気は前記ドレッサーに対して前記回転方向の上流側の前記研磨布の表面に供給されることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記研磨布をコンディショニングする工程において、前記研磨布の表面に加熱機を当接することを特徴とする請求項2または請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記研磨布をコンディショニングする工程において、前記研磨布を回転させ、前記加熱機は前記ドレッサーに対して前記回転方向の上流側の前記研磨布の表面に当接されることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記研磨布をコンディショニングする工程において、前記ドレッサーを加熱することを特徴とする請求項2または請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ドレッサーは、非ダイヤモンドドレッサーであることを特徴とする請求項2乃至請求項8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上に形成された被研磨膜に対してCMP法を行う工程を具備し、
前記CMP法は、
前記研磨布の表面に正のRsk値を有するドレッサーを当接させて前記研磨布をコンディショニングする工程と、
前記被研磨膜の表面を負のRsk値を有する研磨布の表面に当接させて前記被研磨膜を研磨する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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