CN111836700A - 用于cmp温度控制的装置及方法 - Google Patents

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CN111836700A CN202080001434.7A CN202080001434A CN111836700A CN 111836700 A CN111836700 A CN 111836700A CN 202080001434 A CN202080001434 A CN 202080001434A CN 111836700 A CN111836700 A CN 111836700A
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S-S·张
H·桑达拉拉贾恩
吴昊晟
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Abstract

一种化学机械抛光装置,包括:平台,用以保持抛光垫;载具,用以在抛光工艺期间保持基板抵靠抛光垫的抛光表面;和温度控制系统,所述温度控制系统包括流体介质的源和一个或多个开口,所述一个或多个开口定位在平台之上并与抛光垫分开,且配置用于使流体介质流至抛光垫上,以加热或冷却抛光垫。

Description

用于CMP温度控制的装置及方法
技术领域
本公开内容涉及化学机械抛光(CMP),且更具体而言,涉及在化学机械抛光期间的温度控制。
背景技术
集成电路通常通过在半导体晶片上依序沉积导电、半导体或绝缘层而在基板上形成。各种制作工艺需要在基板上平坦化层。举例而言,一个制作步骤牵涉在非平坦表面之上沉积填充层,并且平坦化填充层。对于某些应用,平坦化填充层直到暴露图案化的层的顶部表面。举例而言,可在图案化的绝缘层上沉积金属层以填充绝缘层中的沟道及孔洞。在平坦化之后,在图案化的层的沟道及孔洞中的金属的剩余部分形成通孔、插塞及线,以在基板上的薄膜电路之间提供导电路径。作为另一示例,可在图案化的导电层之上沉积介电层,并且接着进行平坦化以实现后续光刻步骤。
化学机械抛光(CMP)为一种被接受的平坦化方法。此平坦化方法通常需要将基板安装在承载头上。基板的暴露的表面通常放置抵靠旋转抛光垫。承载头在基板上提供可控制的负载,以推挤基板抵靠抛光垫。具有研磨颗粒的抛光液通常被供应至抛光垫的表面。
发明内容
在一个方面中,一种化学机械抛光装置,包括:平台,所述平台用以保持抛光垫;载具,所述载具用以在抛光工艺期间保持基板抵靠抛光垫的抛光表面;和温度控制系统,所述温度控制系统包括被加热的流体的源及多个开口,所述多个开口定位在平台之上且与抛光垫分开,并配置用于使被加热的流体流至抛光垫上。
任何以上方面的实施方式可包括以下特征中的一个或多个。
被加热的流体可包括气体,例如蒸汽。
主体可在平台之上延伸,并且多个开口可形成于主体的表面中。开口可沿着平台的径向轴以非均匀的密度设置在主体上。
装置可具有浆料分配端口。开口在与浆料分配端口的径向位置相对应的径向区处可以以较大密度设置。
在另一方面中,一种化学机械抛光装置,包括:平台,所述平台用以保持抛光垫;载具,所述载具用以在抛光工艺期间保持基板抵靠抛光垫的抛光表面;和温度控制系统,所述温度控制系统包括冷却剂流体的源及多个开口,所述多个开口定位在平台之上且与抛光垫分开,并配置用于使冷却剂流体流至抛光垫上。
以上方面中的任何方面的实施方式可包括以下特征中的一个或多个。
多个开口可将冷却剂流体传输至抛光垫的第一区域。抛光液体分配系统可具有端口,以将抛光液体传输至抛光垫的不同的第二区域,冲洗系统可具有端口,以将冲洗液体传输至抛光垫的不同的第三区域。
冷却剂流体可包括液体,例如水。举例而言,冷却剂流体可由水或雾化的水组成。
冷却剂流体可包括液体及气体。多个开口可配置成产生雾化的喷洒。
开口可沿着平台的径向轴以非均匀的密度设置在主体上。
一个或多个阀门和/或泵可控制传输至抛光垫的冷却剂流体中的液体与气体的混合比率。
在另一方面中,一种化学机械抛光的方法,包括:将基板与抛光垫接触;在抛光垫与基板之间造成相对运动;和通过将热控制介质传输至抛光垫上,以提升或降低抛光垫的温度。
在另一方面中,一种化学机械抛光装置,包括:平台,所述平台用以保持抛光垫;载具,所述载具用以在抛光工艺期间保持基板抵靠抛光垫的抛光表面;和温度控制系统,所述温度控制系统包括流体介质的源及一个或多个开口,所述一个或多个开口定位在平台之上且与抛光垫分开,并配置用于使流体介质流至抛光垫上以加热或冷却抛光垫。
可实现以下可能的优点中的一个或多个。抛光垫的温度可被快速且有效地提升或降低。可控制抛光垫的温度而无须使抛光垫与例如热交换板之类的实体主体接触,因此降低垫的污染和缺陷风险。可降低抛光操作上的温度变化。此举可改进抛光工艺的抛光可预测性。可降低从一个抛光操作至另一个抛光操作的温度变化。此举可改进晶片与晶片间的均匀性,且改进抛光工艺的可重复性。可降低横跨基板的温度变化。此举可改进晶片内的均匀性。
在附图及以下说明中阐述一个或多个实施方式的细节。其他方面、特征及优点将从说明书及附图并且从权利要求书而为明显的。
附图说明
图1示出抛光装置的示例的示意性剖面图。
图2示出示例化学机械抛光装置的示意性俯视图。
具体实施方式
化学机械抛光通过在基板、抛光液体及抛光垫之间的界面处的机械研磨及化学蚀刻的组合来操作。在抛光工艺期间,由于基板的表面与抛光垫之间的摩擦而产生大量的热。此外,工艺还包括原位垫调节步骤,其中调节盘(例如以研磨金刚石颗粒涂布的盘)挤压抵靠旋转抛光垫,以调节并纹理化抛光垫表面。调节工艺的研磨也可产生热量。举例而言,在具有2psi的标称下压力及
Figure BDA0002618980230000031
/min的移除速率的通常一分钟的铜CMP工艺中,聚胺酯抛光垫的表面温度可提升约30℃。
在CMP工艺中化学相关的变量(例如,参与反应的初始及速率)及机械相关的变量(例如,抛光垫的表面摩擦系数及粘弹性)两者均强烈与温度相关。结果,在抛光垫的表面温度中的变化可导致移除速率、抛光均匀性、侵蚀、凹陷及残留的改变。通过在抛光期间更严格地控制抛光垫的表面的温度,可降低温度的变化,且可改进抛光性能(例如通过晶片内非均匀性或晶片与晶片间非均匀性所测量出的抛光性能。
已提议一些技术用于温度控制。作为一个示例,冷却剂可穿过平台。作为另一示例,可控制传输至抛光垫的抛光液体的温度。然而,这些技术并不足够。举例而言,平台必须通过抛光垫的主体本身供应或吸取热,以控制抛光表面的温度。抛光垫通常为塑料材料及不良的热导体,使得从平台控制热可为困难的。另一方面,抛光液体可能不具有足够的热质量。
可解决这些问题的技术为具有专用的温度控制系统(与抛光液体供应分开),所述温度控制系统将温度控制的介质(例如液体、蒸气或喷洒)传输至抛光垫的抛光表面上(或抛光垫上的抛光液体)。
额外的问题为在CMP工艺期间沿着旋转抛光垫的半径的温度的增加通常并非均匀的。并非限于任何特定理论,抛光头及垫调节器的不同扫掠轮廓在抛光垫的各个径向区中有时可具有不同的停留时间。此外,介于抛光垫与抛光头和/或垫调节器之间的相对线性速度也沿着抛光垫的半径变化。再者,抛光液体可充当为散热器,在分配抛光液体的区域中冷却抛光垫。这些作用可影响抛光垫表面上的非均匀热量的产生,这可导致晶片内移除速率的变化。
可解决这些问题的技术为具有沿着抛光垫的半径间隔开的多个独立控制的分配器。这允许介质的温度沿着垫的长度变化,因此提供抛光垫的温度的径向控制。可解决这些问题的另一技术为具有沿着抛光垫的半径非均匀地间隔开的分配器。
图1和图2示出化学机械抛光系统的抛光站20的示例。抛光站20包括可旋转盘状平台24,抛光垫30位于可旋转盘状平台24上。平台24可操作以围绕轴25旋转(参见图2中的箭头A)。举例而言,电机22可转动驱动杆28以旋转平台24。抛光垫30可为两层抛光垫,具有外部抛光层34及较软的背层32。
抛光站20可包括供应端口(例如,在浆料供应臂39的端部),以将诸如研磨浆料之类的抛光液体38分配至抛光垫30上。抛光站20可包括垫调节器装置90,垫调节器装置90具有调节盘92(参见图2)以维持抛光垫30的表面粗糙度。调节盘90可定位于可摆动的臂94的端部,以便将盘90扫掠径向横跨抛光垫30。
承载头70可操作以保持基板10抵靠抛光垫30。承载头70从例如转盘或轨道之类的支撑结构72悬吊,并通过驱动杆74连接至承载头旋转电机76,使得承载头可围绕轴71旋转。可选地,承载头70可例如在转盘上的滑动器上通过沿着轨道的移动或通过转盘本身的旋转振荡而横向振荡。
承载头70可包括保持环84以保持基板。在一些实施方式中,保持环84可包括接触抛光垫的下部塑料部分86,和较硬材料的上部部分88。
在操作中,平台围绕其中心轴25旋转,且承载头围绕其中心轴71旋转,且横向平移横跨抛光垫30的顶部表面。
承载头70可包括:弹性膜80,弹性膜80具有基板安装表面以接触基板10的背侧;和多个可加压腔室82,以将不同的压力施加至基板10上的不同的区(例如,不同的径向区)。承载头还可包括保持环84以保持基板。
在一些实施方式中,抛光站20包括温度传感器64,以监控抛光站中的温度或抛光站的/抛光站中的部件的温度,例如,抛光垫的温度和/或抛光垫上的浆料的温度。举例而言,温度传感器64可为红外线(IR)传感器,例如IR相机,定位在抛光垫30上方,且配置成测量抛光垫30和/或抛光垫上的浆料38的温度。具体而言,温度传感器64可配置成沿着抛光垫30的半径在多个点处测量温度,以便产生径向温度轮廓。举例而言,IR相机可具有跨越抛光垫30的半径的视场。
在一些实施方式中,温度传感器是接触传感器而不是非接触传感器。举例而言,温度传感器64可为定位在平台24上或中的热电偶或IR温度计。此外,温度传感器64可与抛光垫直接接触。
在一些实施方式中,多个温度传感器可在横跨抛光垫30的不同径向位置处间隔开,以便沿着抛光垫30的半径提供多个点的温度。此技术可与IR相机替换或额外地使用。
尽管图1中示出定位成监控抛光垫30和/或垫30上的浆料38的温度,但温度传感器64可定位在承载头70内部,以测量基板10的温度。温度传感器64可与基板10的半导体晶片直接接触(即,接触传感器)。在一些实施方式中,多个温度传感器被包括在抛光站22中,例如,以测量抛光站的/抛光站中的不同部件的温度。
抛光系统20还包括温度控制系统100,以控制抛光垫30和/或在抛光垫上的浆料38的温度。温度控制系统100可包括冷却系统102和/或加热系统104。冷却系统102和加热系统104中的至少一者,且在一些实施方式中为两者,通过将温度控制的介质(例如,液体、蒸气或喷洒)传输至抛光垫30的抛光表面36上(或传输至已经存在于抛光垫上的抛光液体上)来操作。
对于冷却系统102,冷却介质可为气体(例如空气)或液体(例如水)。介质可处于室温或冷冻低于室温,例如,处于5-15℃。在一些实施方式中,冷却系统102使用空气及液体的喷洒,例如,液体的雾化的喷洒,例如水。具体而言,冷却系统可具有产生冷冻低于室温的水的雾化的喷洒的喷嘴。在一些实施方式中,固态材料可与气体和/或液体混合。固态材料可为冷冻材料,例如冰或吸收热量(例如当溶解在水中时通过化学反应从而吸收热量)的材料。
冷却介质可通过流动穿过在冷却剂传输臂中于喷嘴中可选地形成的一个或多个孔(例如,孔洞或槽)来传输。孔可通过连接至冷却剂源的歧管来提供。
如图1及图2中所示,示例冷却系统102包括臂110,臂110在平台24及抛光垫30之上从抛光垫的边缘延伸至或延伸至少接近(例如,在抛光垫的总半径的5%内)抛光垫30的中心。臂110可由底座112来支撑,且底座112可被支撑在与平台24相同的框架40上。底座112可包括:一个或多个致动器,例如,线性致动器,以提升或降低臂110;和/或旋转致动器,以在平台24之上横向摆动臂110。臂110经定位以避免与其他硬件部件相撞,诸如抛光头70、垫调节盘92及浆料分配臂39。
示例冷却系统102包括从臂110悬吊的多个喷嘴120。各个喷嘴120配置为将液体冷却介质(例如,水)喷洒至抛光垫30上。臂110可由底座112来支撑,使得喷嘴120通过间隙126与抛光垫30分开。
各个喷嘴120可配置成将喷洒122中的雾化水引导向抛光垫30。冷却系统102可包括液体冷却介质的源130及气源132(参见图2)。来自源130的液体及来自源132的气体可在被引导通过喷嘴120之前于混合腔室134(参见图1)中混合(例如在臂110中或臂110上),以形成喷洒122。
在一些实施方式中,可对于各个喷嘴独立地控制例如流率、压力、温度和/或液体相对于气体的混合比率之类的工艺参数。举例而言,针对各个喷嘴120的冷却剂可流动通过可独立控制的冷冻器,以独立地控制喷洒的温度。作为另一示例,分开的一对泵(一个用于气体且一个用于液体)可连接至各个喷嘴,以使得可对于各个喷嘴独立地控制流率、压力及气体相对于液体的混合比率。
各种喷嘴可喷洒到抛光垫30上的不同的径向区124上。邻接的径向区124可重叠。在一些实施方式中,喷嘴120产生喷洒沿着拉伸的区域128撞击抛光垫30。举例而言,喷嘴可配置成在大致平面的三角形空间中产生喷洒。
拉伸的区域128中的一个或多个(例如,所有的拉伸的区域128)可具有平行于延伸通过区域128的半径(参见区域128a)的纵轴。替代地,喷嘴120产生锥形喷洒。
尽管图1示出喷洒本身重叠,但喷嘴120可定向使得拉伸的区域不重叠。举例而言,至少一些喷嘴120(例如,所有的喷嘴120)可定向使得拉伸的区域128相对于通过拉伸的区域的半径(参见区域128b)为倾斜的角度。
至少一些喷嘴120可定向使得来自喷嘴的喷洒的中心轴(参见箭头A)相对于抛光表面36为倾斜的角度。具体而言,喷洒122可从喷嘴120引导,以在由平台24的旋转而造成的撞击的区域中,在与抛光垫30的运动方向(参见箭头A)相对的方向上具有水平分量。
尽管图1及图2示出喷嘴120以均匀的间隔隔开,但这并非必要。喷嘴120可径向地或成角度地或既径向又成角度地来非均匀地分布。举例而言,喷嘴120可沿着径向方向朝向抛光垫30的边缘更密集地群聚。此外,尽管图1及图2示出九个喷嘴,但可具有更大量或更少量的喷嘴,例如三个至二十个喷嘴。
对于加热系统104,加热介质可为气体(例如蒸气或被加热的空气)或液体(例如被加热的水)或气体及液体的组合。介质为高于室温,例如,在40-120℃下,例如,在90-110℃下。介质可为水,诸如实质上纯的去离子水,或包括添加物或化学物的水。在一些实施方式中,加热系统104使用蒸汽的喷洒。蒸汽可包括添加物或化学物。
加热介质可通过流动穿过孔(例如,通过一个或多个喷嘴所提供的孔洞或沟槽)而在加热传输臂上传输。孔可通过连接至加热介质的源的歧管来提供。
示例加热系统104包括臂140,臂140在平台24及抛光垫30之上从抛光垫的边缘延伸至或延伸至少接近(例如,在抛光垫的总半径的5%内)抛光垫30的中心。臂140可由底座142支撑,且底座142可支撑在与平台24相同的框架40上。底座142可包括:一个或多个致动器,例如,线性致动器,以提升或降低臂140;和/或旋转致动器,以在平台24之上横向摆动臂140。臂140经定位以避免与其他硬件部件相撞,诸如抛光头70、垫调节盘92及浆料分配臂39。
沿着平台24的旋转方向,加热系统104的臂140可定位于冷却系统110的臂110及承载头70之间。沿着平台24的旋转方向,加热系统104的臂140可定位在冷却系统110的臂110及浆料传输臂39之间。举例而言,冷却系统110的臂110、加热系统104的臂140、浆料传输臂39及承载头70可以以此顺序沿着平台24的旋转方向定位。
在臂140的底部表面中形成多个开口144。各个开口144配置成将气体或蒸气(例如蒸汽)引导至抛光垫30上。臂140可由底座142支撑,使得开口144通过间隙与抛光垫30分开。间隙可为0.5mm至5mm。具体而言,间隙可经选择,使得加热流体的热在流体到达抛光垫之前不会显著地逸散。举例而言,间隙可经选择,使得从开口发射的蒸汽在到达抛光垫之前不凝结。
加热系统104可包括蒸汽的源148,源148可通过管路连接至臂140。各个开口144可配置成引导蒸汽朝向抛光垫30。
在一些实施方式中,可对各个喷嘴独立地控制例如流率、压力、温度和/或液体相对于气体的混合比率之类的工艺参数。举例而言,对各个开口144的流体可流动通过可独立控制的加热器,以独立控制加热流体的温度,例如蒸汽的温度。
各种开口144可将蒸汽引导至抛光垫30上不同的径向区上。邻接径向区可重叠。可选地,一些开口144可定向使得从此开口的喷洒的中心轴相对于抛光表面36为倾斜的角度。可从一个或多个开口144引导蒸汽,以在由于平台24的旋转而造成的撞击的区域中,在与抛光垫30的运动方向相对的方向上具有水平分量。
尽管图2示出开口144以平均的间隔隔开,但此举并非必要。喷嘴120可径向地或成角度地任一者或既径向又成角度地来非均匀地分布。举例而言,开口144可朝向抛光垫30的中心更密集地群聚。如另一示例,开口144可在与通过浆料传输臂39将抛光液体39传输至抛光垫30的半径相对应的半径处更密集地群聚。此外,尽管图2示出九个开口,但可具有更大量或更少量的开口。
抛光系统20还可包括高压冲洗系统106。高压冲洗系统106包括多个喷嘴154,例如,三个至二十个喷嘴,来以高强度将清洁流体(例如水)引导至抛光垫30上,以清洗垫30并移除所使用的浆料、抛光碎屑等等。
如图2中所示,示例冲洗系统106包括臂150,臂150在平台24及抛光垫30之上从抛光垫的边缘延伸至或延伸至少接近(例如,在抛光垫的总半径的5%之中)抛光垫30的中心。臂150可由底座152支撑,且底座152可支撑在与平台24相同的框架40上。底座152可包括:一个或多个致动器,例如,线性致动器,以提升或降低臂150;和/或旋转致动器,以在平台24之上横向摆动臂150。臂150经定位以避免与其他硬件部件相撞,诸如抛光头70、垫调节盘92及浆料分配臂39。
沿着平台24的旋转方向,冲洗系统106的臂150可在冷却系统110的臂110及加热系统140的臂140之间。举例而言,冷却系统110的臂、冲洗系统106的臂150、加热系统104的臂140、浆料传输臂39及承载头70可以以此顺序沿着平台24的旋转方向定位。替代地,沿着平台24的旋转方向,冷却系统104的臂140可介于冲洗系统106的臂150及加热系统140的臂140之间。举例而言,冲洗系统106的臂150、冷却系统110的臂110、加热系统104的臂140、浆料传输臂39及承载头70可以以此顺序沿着平台24的旋转方向定位。
多个喷嘴154从臂150悬吊。各个喷嘴150配置成以高压将清洁液体喷洒到抛光垫30上。臂150可由底座152支撑,使得喷嘴120通过间隙与抛光垫30分开。冲洗系统106可包括清洁流体的源156,源156可通过管路连接至臂150。
各种喷嘴154可在抛光垫30上喷洒至不同径向区上。邻接径向区可重叠。在一些实施方式中,喷嘴154经定向使得在抛光垫上清洁液体的撞击的区域不会重叠。举例而言,至少一些喷嘴154可定位并定向,使得撞击的区域成角度地分开。
至少一些喷嘴154可定向使得从此喷嘴的喷洒的中心轴相对于抛光表面36为倾斜的角度。具体而言,可从各个喷嘴154喷洒清洁流体,以具有径向向外(朝向抛光垫的边缘)的水平分量。此举可造成清洁流体更快速地脱离垫30,且在抛光垫30上留下更薄的流体区域。此举可在加热和/或冷却介质及抛光垫30之间热耦合。
尽管图2示出喷嘴154以平均的间隔隔开,但此举并非必要。此外,尽管图1及图2示出九个喷嘴,但可具有更大量或更少量的喷嘴,例如三个至二十个喷嘴。
抛光系统20还可包括控制器90,以控制各种部件的操作,例如温度控制系统100。控制器90配置成从温度传感器64接收抛光垫的各个径向区的温度测量。控制器90可将测量的温度轮廓与所期望的温度轮廓作比较,且产生反馈信号至各个喷嘴或开口的控制机构(例如,致动器、功率源、泵、阀门等等)。反馈信号例如由控制器90基于内部反馈算法进行计算,以造成控制机构对冷却或加热的量进行调整,使得抛光垫和/或浆料达到(或至少移动靠近)所期望的温度轮廓。
图2示出针对各个子系统(例如,加热系统102、冷却系统104及冲洗系统106)的分开的臂,各个子系统可被包括在由共同臂支撑的单个组件中。举例而言,组件可包括冷却模块、冲洗模块、加热模块、浆料传输模块及可选地擦拭模块。各个模块可包括可固定至共同安装板的主体,例如,弓形主体,并且共同安装板可固定于臂的端部,使得组件定位在抛光垫30之上。各种流体传输部件(例如,管路、通道等等)可在各个主体内部延伸。在一些实施方式中,模块从安装板可分开地附接。各个模块可具有类似的部件,以执行以上所述的相关联的系统的臂的功能。
以上所述的抛光装置及方法可在各种抛光系统中应用。抛光垫或承载头中的任一者或两者可移动以提供抛光表面与基板之间的相对运动。举例而言,平台可环绕而非旋转。抛光垫可为固定至平台的圆形(或一些其他形状)的垫。抛光层可为标准的(例如,具有或不具填充物的聚胺酯)抛光材料、软的材料或固定的研磨材料。
相对定位的术语用以指代系统或基板内的相对定位;应理解,在抛光操作期间,抛光表面及基板可以以垂直定向或一些其他定向来保持。
控制器90的功能操作可使用一个或多个计算机程序产品来实施,即被有形地体现在非瞬态计算机可读存储介质中的一个或多个计算机程序,以由数据处理装置(例如,可编程处理器、计算机或多个处理器或计算机)来执行或控制数据处理装置的操作。
已说明本发明的数个实施例。然而,应理解,可在不背离本发明的精神及范围的情况下进行各种修改。
举例而言,尽管以上的说明聚焦在将加热和/或冷却介质传输至抛光垫上,但加热和/或冷却介质可传输到其他部件上以控制这些部件的温度。举例而言,加热和/或冷却介质可喷洒至基板上,同时基板定位在传送站中,例如在装载杯中。作为另一示例,装载杯本身可以加热和/或冷却介质喷洒。作为又一示例,调节盘可以加热和/或冷却介质喷洒。
因此,其他实施例在所附权利要求的范围内。

Claims (15)

1.一种化学机械抛光装置,包括:
平台,所述平台用以保持抛光垫;
载具,所述载具用以在抛光工艺期间保持基板抵靠所述抛光垫的抛光表面;以及
温度控制系统,所述温度控制系统包括被加热的流体的源和多个开口,所述多个开口定位在所述平台之上且与所述抛光垫分开,并且配置用于使所述被加热的流体流到所述抛光垫上。
2.如权利要求1所述的装置,其中所述被加热的流体包括气体。
3.如权利要求2所述的装置,其中所述气体包括蒸汽。
4.如权利要求1所述的装置,其中所述开口经设置以使得流体被分配在沿着所述平台的径向轴重叠的区中。
5.如权利要求1所述的装置,其中所述开口沿着所述平台的径向轴以非均匀的密度设置在所述主体上。
6.如权利要求5所述的装置,进一步包括浆料分配端口,并且其中所述开口在与所述浆料分配端口的径向位置相对应的径向区处以较大密度被设置。
7.如权利要求1所述的装置,其中所述开口中的至少一个经配置以使得从所述开口喷洒的中心轴相对于所述抛光表面为倾斜角度。
8.一种化学机械抛光装置,包括:
平台,所述平台用以保持抛光垫;
载具,所述载具用以在抛光工艺期间保持基板抵靠所述抛光垫的抛光表面;以及
温度控制系统,所述温度控制系统包括冷却剂流体的源和多个开口,所述多个开口定位在所述平台之上并且与所述抛光垫分开,并且配置用于使所述冷却剂流体流到所述抛光垫上。
9.如权利要求8所述的装置,其中所述多个开口将所述冷却剂流体传输至所述抛光垫的第一区域,并且进一步包括抛光液体分配系统,所述抛光液体分配系统具有端口以将抛光液体传输至所述抛光垫的不同的第二区域,并且进一步包括冲洗系统,以将冲洗液体传输至所述抛光垫的不同的第三区域。
10.如权利要求8所述的装置,其中所述冷却剂流体包括水。
11.如权利要求10所述的装置,其中所述多个开口配置成产生雾化的喷洒。
12.如权利要8所述的装置,其中所述开口沿着所述平台的径向轴以非均匀的密度设置在所述主体上。
13.如权利要求8所述的装置,其中所述冷却剂流体包括液体和气体,并且进一步包括一个或多个阀门和/或泵,以控制在传输至所述抛光垫的所述冷却剂流体中的所述液体和所述气体的混合比率。
14.如权利要求13所述的装置,其中所述混合比率对于各个开口来说为能独立控制的。
15.一种化学机械抛光的方法,包括:
将基板与抛光垫接触;
造成所述抛光垫与所述基板之间的相对运动;以及
通过将热控制介质传输到所述抛光垫上,来提升或降低所述抛光垫的温度。
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