JPWO2020027322A1 - 静電チャック装置および静電チャック装置の製造方法 - Google Patents
静電チャック装置および静電チャック装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2020027322A1 JPWO2020027322A1 JP2020534773A JP2020534773A JPWO2020027322A1 JP WO2020027322 A1 JPWO2020027322 A1 JP WO2020027322A1 JP 2020534773 A JP2020534773 A JP 2020534773A JP 2020534773 A JP2020534773 A JP 2020534773A JP WO2020027322 A1 JPWO2020027322 A1 JP WO2020027322A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrostatic chuck
- holding
- holding surface
- chuck device
- point corresponding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 38
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 127
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 31
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 32
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000272525 Anas platyrhynchos Species 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- JAGQSESDQXCFCH-UHFFFAOYSA-N methane;molybdenum Chemical compound C.[Mo].[Mo] JAGQSESDQXCFCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
- B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本願は、2018年8月2日に、日本に出願された特願2018−146324号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
(i)前記保持面は、厚さ方向の断面において、前記保持面の最内周に対応する第1の点と前記保持面の最外周に対応する第2の点を結ぶ直線が、前記最内周に対応する第1の点から前記最外周に対応する第2の点に向かって、正の傾きを有する形状、または負の傾きを有する形状であり、かつ0≦|前記保持面の厚さ方向の断面において、前記最内周に対応する第1の点の高さ−前記最外周に対応する第2の点の高さ|≦10μmを満足する。
(ii)前記内周面のリーク面積および前記外周面のリーク面積が0.7mm2未満である。
(iii)(前記保持面の厚さ方向の断面において、前記最外周に対応する第2の点と、前記内周面と前記外周面から得られる最小二乗直線との最短距離)<4μmである。
より具体的には、第二の態様の静電チャック装置の製造方法は、板状試料を載置する載置面が設けられ、前記載置面の周囲に貫通孔が設けられた焼結体を有する、仮載置台を用意する工程と、前記載置面の周囲に形成される、フォーカスリングを載置するための保持面について、前記保持面の形成前に、保持面の幅方向の長さを決定する工程と、砥石の回転軸方向の長さが、前記保持面の幅方向の長さよりも短い、砥石を選択する工程と、前記砥石を用いて、前記焼結体の表面を、前記載置面の周囲にわたって、円環状に研削し、前記載置面の周囲を囲む、仮保持面を形成する研削工程と、前記焼結体の仮保持面を掘り下げて、前記載置面の周囲を囲む溝部を形成し、前記溝部を有する保持面を形成する工程と、を有する静電チャック装置の製造方法を提供する。
なお、本実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。本発明を逸脱しない範囲で、数や位置や大きさや数値や比率や形状などについて、変更や省略や追加をする事ができる。
<静電チャック装置>
図1は、本実施形態の静電チャック装置を好ましく示すXZ平面での概略断面図である。図2は、図1のαで示す領域を拡大した部分拡大図である。なお図2においては、説明を容易にするために、斜面の角度を大きくして示してある。
図1に示す載置台11は、半導体ウエハ等の板状試料Wを載置する載置面11aが設けられている。載置台11は、吸着部材3と、冷却ベース5と、を備えている。
吸着部材3は、誘電体基板24と、電極層26と、を備えている。
静電チャック部14には、電極層26に通電する給電用端子27が配置されている。給電用端子27から電極層26に通電することにより、誘電体基板24の静電チャック部14は、静電吸着力を発現できる。給電用端子27の一端は、電極層26Aの下面に接続されている。一方、給電用端子27の他端は、外部電源(図示略)に電気的に接続されている。
本実施形態の静電チャック装置10における保持部15は、載置面11aの周囲を囲むように、平面視で円環状に形成されている。
本実施形態の静電チャック装置10における冷却ベース5は、吸着部材3の下面に接して、設けられている。吸着部材3と冷却ベース5とは、任意の方法や材料で結合できる。例えば、シリコーン系等の接着剤により接着されて良い。図1に示す冷却ベース5は、円盤状である。冷却ベース5には、複数の流路29が設けられている。
フォーカスリング12は、半導体製造プロセスにおけるプラズマエッチング等の処理工程において、板状試料Wと略同一の温度になるように好ましく制御される。
本実施形態の静電チャック装置10における冷却手段13は、複数の貫通孔25に冷却ガスを送り込む構造を備えている。複数の貫通孔25の内側は、それぞれガス流路20となっている。
本発明者等が検討を行った結果、保持部15の表面には、研削加工に起因して、内周と外周の高低差や、最外周に発生するダックテイル(アヒルの尻のように、後端が跳ね上がっている形状)や、局所的な凹部が形成される場合があることが分かった。
なお、本実施形態の静電チャック装置10において、保持面15aの厚さ方向の断面とは、保持面15aが円環状であって、その円環の中心を通る断面のことである。
本実施形態の静電チャック装置10において、高低差は、保持面15aの厚さ方向の断面において、保持面15aの最外周15eに対応する第2の点の高さ−保持面15aの最内周15dに対応する第1の点の高さの差を、180箇所を計算し、その測定値の最大値を採用する。前記a点は第1の点に対応し、前記d点は第2の点に対応する。
内周面15bのリーク面積および外周面15cのリーク面積が0.7mm2以上では、保持部15の保持面15aに静電吸着したフォーカスリング12が、保持面15aに追従できない局所的な凹部の面積が大きくなる。フォーカスリング12が保持面15aに追従できない局所的な凹部の面積が大きくなると、保持部15のシールバンド17での隙間が大きくなり、その隙間からの冷却ガスのリーク量が多くなる。
本実施形態において、保持面15aに形成される大きなうねりの周期は60度以上であることが好ましい。うねりの周期が60度以上であることにより、フォーカスリング12が保持面15aの凹凸に十分追従できると考えられる。うねりの周期が60度以上であるとき、うねりのピークとボトムの数はそれぞれ6個以下であってもよい。
本実施形態では、保持面の表面の評価のために、角度の周方向で、任意の数のピークボトム(山と谷)があるサインカーブの和を算出する。その算出結果と、保持部15の保持面15aの形状(寸法)の実測データ(内周面15bの中心と外周面15cの中心の三次元データ)とを比較、すなわち、フィッティングする。保持部15の保持面15aの形状(寸法)の実測データとフィッティングカーブとの差が「フォーカスリング12が追従できない形状」として仮定し、その差をリーク面積と定義する。
(リーク面積の求め方の例)
リーク面積の求め方の例を以下に述べる。
保持部15の保持面15aの表面形状(寸法)を、角度の周方向(保持面15aにおける、載置台11の中心を軸とする、円の周方向)に測定する。具体的には、内周面15bの中心と外周面15cの中心の三次元データを実測して、これを、フィッティングライン1とする。例えば実測では、それぞれの面の中心を180箇所で測定し、実測値から前記ライン1を形成してもよい。
一方で、任意の数の、周期(周期の数:T)が互いに異なる複数のサインカーブ(サイン波)を用いて、最小二乗法でカーブフィッティングを行う(フィッティングライン2を得る)。この算出された凹凸形状の曲線(例:横軸が角度(0〜360度)、縦軸が高さ)は、フォーカスリングが追従できる大きなうねりの形状を示しており、比較として使用される。フィッティングライン1がフィッティングカーブ2に近いほど、保持面のうねりにフォーカスリングが追従でき、すなわちリーク面積が小さいことを意味する。フィッティングライン2は、実測データから得られたフィッティングライン1との距離が、最も小さくなるものを選択できる。なお下記に述べるように、フィッティングライン2は、フィッティングライン1と、1点以上で接触しており、かつ、常にフィッティングライン1より上に配置される。
次に、リーク面積を求める。カーブフィッティングライン2は、常にカーブフィッティングライン1よりも上に位置され、かつ2つのライン間の面積が最小になるように、同じグラフに好ましく並べられる。2つのライン間の面積を、リーク面積とすることができる。
以上のように、保持部15の保持面15aの形状(寸法)の実測データと、フィッティングカーブ2によって示されるデータとの差が、「フォーカスリング12が追従できない形状(寸法)」として仮定され、前記差を、リーク面積と定義できる。
なおフィッティングカーブ2は、フォーカスリング12が追従できる形状であればよい。一例として、「横軸が角度、縦軸が高さをしめすデータにおいて、360度で1周期(T=1、ピークとボトムが1つ)のサインカーブと、2周期(T=2、ピークとボトムが2つの)のサインカーブ、3周期(T=3、ピークとボトムが3つの)のサインカーブを用いて、最小二乗法で、フィッティング」した曲線が好ましく挙げられる。
上述の静電チャック装置10が得られる製造方法の好ましい例を、図4および図5に基づいて説明する。
本実施形態の静電チャック装置の製造方法は、研削工程と、溝部16を形成する工程と、を有する。研削工程および溝部16を形成する工程以外の工程としては、公知の静電チャック装置の製造方法で行われる工程を実施することができる。
円筒状の砥石G1としては、回転軸方向の長さがフォーカスリング12を載置する内周面15bから外周面15cまでの保持面15aの幅方向の長さよりも短い砥石を用いる。
砥石の幅(幅方向の長さ)は必要に応じて任意に選択できるが、例えば、保持面の幅方向の長さに対して、10〜98%であってもよく、20〜90%の範囲が好ましく、20〜70%の範囲であっても良い。これらに限定されず、10〜60%や、20〜40%や、30〜50%などであっても良い。
砥石の周速度も任意に選択できる。例えば、10〜200m/sが好ましく、30〜180m/sがより好ましく、60〜160m/sが更に好ましく、70〜150m/sが特に好ましい。これらに限定されず、5〜80m/sであったり、20〜110m/sであったり、40〜140m/sであっても良い。
砥石の種類や条件は任意に選択できるが、例えば、アルミナより硬度が高くダイアモンドより硬度が低い材料であることが好ましく、例を挙げれば、炭化珪素であることがより好ましい。研磨において砥石の位置は、必要に応じて、径方向に移動させてよい。
(ii)表面150aの内周面150bのリーク面積および表面150aの外周面150cのリーク面積が0.7mm2未満である。
これにより、フォーカスリング12を加熱することにより、フォーカスリング12の温度を板状試料Wと略同一の温度に制御することができる。
<静電チャック装置>
図6は、本実施形態の静電チャック装置を示すXZ平面での断面図である。図7は、図6のβで示す領域を拡大した部分拡大図である。
なお、図6において、図1に示した第1の実施形態の静電チャック装置と同一の構成には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。また、図7において、図2に示した第1の実施形態の静電チャック装置と同一の構成には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
さらに、保持面15aの厚さ方向の断面において、外周面15cの最外周15eに対応する第2の点と、内周面15bの3点と外周面15cの2点(前記第2の点を除いた点)から得られる最小二乗直線Lとの最短距離hを、180箇所測定する。そしてその測定値の最大値を採用する。本実施形態では、ダックテイルが小さい、あるいは有さない、静電チャック装置を提供できる。
上述の静電チャック装置300が得られる製造方法を、図4および図5に基づいて説明する。
本実施形態の静電チャック装置の製造方法は、研削工程と、溝部16を形成する工程と、を好ましく有する。研削工程および溝部16を形成する工程以外の工程は、公知の静電チャック装置の製造方法で行われる工程を実施することができる。
(ii)表面150aの内周面150bのリーク面積および表面150aの外周面150cのリーク面積が0.7mm2未満である。
(iii)(焼結体150の厚さ方向の断面において、外周面150cの最外周150eに対応する点と、内周面150bと外周面150cから得られる最小二乗直線Lとの最短距離h)<4μmである。
以下の実施例および比較例では、冷却ガスとしてHeガスを用いた。
JIS B 6191に準拠し、
三次元測定機(商品名:ザイザックス SVA NEX、株式会社東京精密製)を用いた。まず、保持部の溝部の幅方向の外側の上面(保持面の外周面)、および内側の上面(保持面の内周面)のそれぞれの三次元座標を、保持面(内周面)の最内周から外周側に1mm以内の任意に選択される点(a点)と、保持面(外周面)の最外周から内周側に1mm以内の任意に選択される点(d点)について、測定した。また、同心円周上で2°毎に180箇所を測定した。すなわち、2×180箇所の測定を行った。
実施例および比較例の静電チャック装置において、高低差は、保持面の最外周の高さ(d点)−保持面の最内周の高さ(a点)の差を、180箇所で計算し、その測定値の最大値を採用した。
JIS B 6191に準拠し、三次元測定機(商品名:ザイザックス SVA NEX、株式会社東京精密製)を用いて、保持面の内周面の中心と外周面の中心の三次元座標について、同心円上で2°毎に180箇所を測定した。
角度の周方向で、任意の数の異なるサインカーブ、すなわち、ピークとボトムがある、互いに異なる複数のサインカーブを用いて、最小二乗法で、フィッティングラインを算出した。具体的には、周期が1、2又は3の、互いに異なる3つのサインカーブを用いた。
その算出結果から得たカーブ(フィッティングライン2)と、保持部の保持面の形状(寸法)の実測データ(内周面の中心と外周面の中心の三次元データ)から得たカーブ(フィッティングライン1)とを、フィッティングした。具体的には、保持部の保持面の形状(寸法)の実測データから得たカーブと、フィッティングカーブとの差を、「フォーカスリングが追従できない形状」として仮定し、その差をリーク面積とした。
静電チャック装置をプラズマエッチング装置に搭載し、静電チャック装置の載置面に直径350mmのシリコンウエハ(リング状試料)を、直流2.5kVの印加電圧で吸着固定した。この際、ガス孔よりHeガスを6.66kPaの圧力にて導入し、真空中(<0.5Pa)の条件で、Heガスのリーク量を測定し、評価した。リーク量の測定には、マスフローコントローラ(Fujikin社製)装置を使用し、流量式リークテスト法の条件によって測定した。
この評価において、Heガスのリーク量が3.0sccm以下であるものを「○(良)」とした。
Heガスのリーク量が、3.0sccmより大きく、3.3sccm以下であるものを「△(可)」とした。
また、Heガスのリーク量が3.3sccmを超えるものを不良品とし、「×(不可)」とした。
なお、sccmは、0.1MPa、0℃の条件下における1分間あたりの気体の流量(単位:cm3)を表す。
JIS B 6191に準拠し、三次元測定機(商品名:ザイザックス SVA NEX、株式会社東京精密製)を用いて、保持面のダックテイルを測定した。
この測定において、まず、保持部の溝部の幅方向の外側の上面(保持面の外周面)および内側の上面(保持面の内周面)の三次元座標を、保持面の半径方向に内周面の3箇所と、外周面の3箇所について測定した。
ここでは、内周面について、中心(中心点)、最内周から1mm以内の任意の点(a点)および溝側の周から1mm以内の任意の点(b点)にて、三次元座標を測定した。同様に、外周面について、中心(中心点)、最外周から1mm以内の任意の点(c点)および溝側の周から1mm以内の任意の点(d点)にて、三次元座標を測定した。また、同心円周上で2°毎に180箇所を測定した。すなわち、6×180箇所の測定を行った。
さらに、外周面の最外周から、保持部を厚さ方向の断面で見た場合に、内周面の3点と外周面の2点(d点を除く点)から得られる最小二乗直線Lまでの最短距離hを、180箇所測定し、その測定値の最大値を採用した。
[実施例1]
載置面の周囲に貫通孔が設けられ、静電チャック部に配置された電極層およびを保持部に配置された電極層を備えた焼結体(φ350mm、Al2O3−SiC製)と、焼結体の貫通孔と平面的に重なる位置に貫通孔が設けられた冷却ベース(アルミニウム製)とを、シリコーン系接着剤を介して積層した。この積層体を100℃で5時間加熱することにより、焼結体と、冷却ベースと、を接着した。
理由は定かではないが、凸状に変形する個体と凹状に変形する個体が発生する。実施例1の場合、静電チャック装置は、凸状に変形したものと考えられた。すなわち、加工後、室温にて変形が戻った際に、保持面が内周と比較して、外周が高い形状となった。
実施例1と同様の操作を実施した結果、保持面が内周と比較して、外周が低い形状となった。研削加工の発熱により、吸着部材と冷却ベースの熱膨張差により若干変形した際、凹状に変形したものと推察される。
研削加工における砥石周速度を110m/sとしたこと以外は、実施例1と同様して、実施例3の静電チャック装置を製造した。
研削加工における砥石幅を、内周から外周までの保持面の長さに対して60%としたこと以外は、実施例1と同様して、実施例4の静電チャック装置を製造した。
研削加工における砥石幅を、内周から外周までの保持面の長さに対して60%とし、砥石周速度を140m/sとしたこと以外は、実施例1と同様して、実施例5の静電チャック装置を製造した。
研削加工における砥石幅を、内周から外周までの保持面の長さに対して100%としたこと以外は、実施例1と同様して、比較例1の静電チャック装置を製造した。
研削加工における砥石幅を、内周から外周までの保持面の長さに対して100%とし、砥石周速度を110m/sとしたこと以外は、実施例1と同様して、比較例2の静電チャック装置を製造した。
研削加工における砥石幅を、内周から外周までの保持面の長さに対して100%とし、砥石周速度を140m/sとしたこと以外は、実施例1と同様して、比較例3の静電チャック装置を製造した。
(i)保持面は、厚さ方向の断面で見た場合に、保持面の最内周と保持面の最外周を結ぶ直線が最内周から最外周に向かって正の傾きを有する形状または保持面の最内周と保持面の最外周を結ぶ直線が最内周から最外周に向かって負の傾きを有する形状であり、かつ保持面の最内周と最外周の高低差(絶対値)が0μm以上10μm以下である。
(ii)リーク面積が0.7mm2未満である。
(iii)ダックテイルが4μm未満である。
5・・・冷却ベース
10,300・・・静電チャック装置
11・・・載置台
11a・・・載置面
12・・・フォーカスリング
13・・・冷却手段(冷却部材)
14・・・吸着部材の静電チャック部
15・・・保持部
15a,151a・・・上面(保持面)
15b・・・保持面における、溝部よりも内周側の内周面
15c・・・保持面における、溝部よりも外周側の外周面
15d・・・保持面の最内周
15e・・・保持面の最外周
15f・・・保持面のダックテイル
15g・・・溝の内周面側の周
15i・・・溝の外周面側の周
16・・・溝部
16a・・・底面
17・・・保持部のシールバンド
17A・・・溝部の幅方向の外側部(外側のシールバンド)
17B・・・溝部の幅方向の内側部(内側のシールバンド)
20・・・ガス流路
22・・・冷却ガス供給源
23・・・圧力制御バルブ
24・・・誘電体基板
25・・・貫通孔
26・・・電極層
26A・・・静電チャック部に配置された電極層
26B・・・保持部に配置された電極層
27・・・給電用端子
28・・・絶縁碍子
29・・・冷却ベースの流路
30・・・凹部
41、42・・・溝部の底面に設けられた突起部
41a、42a・・・突起部上面
32,132・・・碍子
150・・・焼結体
150a・・・載置面の周囲にある表面
150b、151b・・・載置面の周囲にある表面の内周面
150c、151c・・・載置面の周囲にある表面の外周面
150d、151d・・・載置面の周囲にある表面の最内周
150e、151e・・・載置面の周囲にある表面の最外周200・・・仮載置台
G1・・・砥石
h・・・最短距離
L・・・最小二乗直線
W・・・板状試料
Claims (8)
- 板状試料を載置する載置面が設けられた載置台と、
円環状のフォーカスリングと、
前記フォーカスリングを冷却する冷却手段と、を備え、
前記載置台は、前記載置面の周囲を囲んで設けられた保持部を有し、
前記保持部には、前記載置面の周囲を囲む円環状の溝部と、前記溝部の底面に開口する貫通孔と、が設けられ、
前記保持部において、前記溝部の幅方向両側の上面は、前記フォーカスリングと接触し前記フォーカスリングを保持する保持面であり、
前記保持面は、前記溝部よりも内周側の内周面と前記溝部よりも外周側の外周面からなり、
前記保持面は、下記条件(i)および(ii)を満たす静電チャック装置;
(i)前記保持面は、厚さ方向の断面において、前記保持面の最内周に対応する第1の点と前記保持面の最外周に対応する第2の点を結ぶ直線が、前記最内周に対応する第1の点から前記最外周に対応する第2の点に向かって正の傾きを有する形状、または負の傾きを有する形状であり、かつ0≦|前記保持面の厚さ方向の断面において、前記最内周に対応する第1の点の高さ−前記最外周に対応する第2の点の高さ|≦10μmを満足する;
(ii)前記内周面のリーク面積および前記外周面のリーク面積が0.7mm2未満である。 - 前記保持面は、下記条件(iii)を満たす、請求項1に記載の静電チャック装置。
(iii)(前記保持面の厚さ方向の断面において、前記最外周に対応する第2の点と、前記内周面と前記外周面から得られる最小二乗直線と、の最短距離)<4μm - 前記溝部の底面に、前記保持部の厚さ方向に延びる複数の突起部が設けられており、
前記保持面の厚さ方向の断面において、
前記突起部の上面の高さが、水平な基準面を基準とするとき、前記最内周に対応する第1の点と、前記最外周に対応する第2の点を結ぶ直線の高さ以下である、
請求項1または2に記載の静電チャック装置。 - 請求項1〜3のいずれ1項に記載の静電チャック装置を製造する方法であって、
板状試料を載置する載置面が設けられ、前記載置面の周囲に貫通孔が設けられた焼結体を有する、仮載置台を用意する工程と、
前記載置面の周囲に形成される、フォーカスリングを載置するための保持面について、前記保持面の形成前に、前記保持面の幅方向の長さを決定する工程と、
砥石の回転軸方向の長さが、前記保持面の幅方向の長さよりも短い砥石を選択する工程と、
前記砥石を用いて、前記焼結体の表面を、前記載置面の周囲にわたって、円環状に研削し、前記載置面の周囲を囲む、仮保持面を形成する研削工程と、
前記焼結体の仮保持面を掘り下げて、前記載置面の周囲を囲む溝部を形成し、前記溝部を有する保持面を形成する工程と、
を有する、静電チャック装置の製造方法。 - 仮載置台を用意する前記工程の前に、前記幅方向の長さを決定する工程と、前記砥石を選択する工程とを行い、
前記幅方向の長さを決定する工程と、前記砥石を選択する工程の間に、
複数の異なる周速度と、複数の異なる幅の砥石を用意して、それぞれの組み合わせで、静電チャック装置の製造と評価を行い、条件(i)と条件(ii)を満たす静電チャックの製造の条件を得る工程を含み、
前記条件が、前記砥石を選択する工程と前記研削工程とで使用される、
請求項4に記載の、静電チャック装置の製造方法。 - 条件(iii)に示される前記最短距離が0μmである、請求項1〜3のいずれ1項に記載の静電チャック装置。
- 条件(i)が、0.1μm≦|前記保持面の厚さ方向の断面において、前記最内周に対応する第1の点の高さ−前記最外周に対応する第2の点の高さ|≦10μmを満足する、請求項1〜3、及び6のいずれ1項に記載の静電チャック装置。
- 前記内周面のリーク面積および前記外周面のリーク面積が0.6mm2以下である、請求項1〜3、6及び7のいずれ1項に記載の静電チャック装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018146324 | 2018-08-02 | ||
JP2018146324 | 2018-08-02 | ||
PCT/JP2019/030485 WO2020027322A1 (ja) | 2018-08-02 | 2019-08-02 | 静電チャック装置および静電チャック装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020027322A1 true JPWO2020027322A1 (ja) | 2021-08-02 |
JP7001165B2 JP7001165B2 (ja) | 2022-01-19 |
Family
ID=69230883
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020534773A Active JP7001165B2 (ja) | 2018-08-02 | 2019-08-02 | 静電チャック装置および静電チャック装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11471987B2 (ja) |
JP (1) | JP7001165B2 (ja) |
KR (1) | KR20210035202A (ja) |
CN (1) | CN112514046B (ja) |
WO (1) | WO2020027322A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112542415B (zh) * | 2019-09-20 | 2022-12-02 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 晶圆处理装置及半导体加工站 |
JP7390880B2 (ja) * | 2019-12-05 | 2023-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | エッジリング及び基板処理装置 |
JP2021166270A (ja) * | 2020-04-08 | 2021-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | エッジリング、載置台及び基板処理装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015062237A (ja) * | 2014-10-29 | 2015-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2017130687A (ja) * | 2014-09-30 | 2017-07-27 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP2018107433A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 東京エレクトロン株式会社 | フォーカスリング及び基板処理装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4559595B2 (ja) | 2000-07-17 | 2010-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の載置装置及びプラズマ処理装置 |
JP5642531B2 (ja) | 2010-12-22 | 2014-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US20180182635A1 (en) * | 2016-12-27 | 2018-06-28 | Tokyo Electron Limited | Focus ring and substrate processing apparatus |
-
2019
- 2019-08-02 US US17/264,705 patent/US11471987B2/en active Active
- 2019-08-02 WO PCT/JP2019/030485 patent/WO2020027322A1/ja active Application Filing
- 2019-08-02 JP JP2020534773A patent/JP7001165B2/ja active Active
- 2019-08-02 CN CN201980049649.3A patent/CN112514046B/zh active Active
- 2019-08-02 KR KR1020217003187A patent/KR20210035202A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017130687A (ja) * | 2014-09-30 | 2017-07-27 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP2015062237A (ja) * | 2014-10-29 | 2015-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2018107433A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 東京エレクトロン株式会社 | フォーカスリング及び基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112514046B (zh) | 2024-02-27 |
CN112514046A (zh) | 2021-03-16 |
US20210308812A1 (en) | 2021-10-07 |
US11471987B2 (en) | 2022-10-18 |
WO2020027322A1 (ja) | 2020-02-06 |
KR20210035202A (ko) | 2021-03-31 |
JP7001165B2 (ja) | 2022-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7001165B2 (ja) | 静電チャック装置および静電チャック装置の製造方法 | |
JP7140183B2 (ja) | 静電チャック装置および静電チャック装置の製造方法 | |
KR101142000B1 (ko) | 정전척 | |
US10068790B2 (en) | Electrostatic chuck device | |
US11328948B2 (en) | Electrostatic chuck device and method of manufacturing electrostatic chuck device | |
JP5011736B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
US20230211452A1 (en) | Wafer polishing head, system thereof, and method using the same | |
JP2022538107A (ja) | 温度制御された基板キャリアと研磨用部品 | |
JP6027140B2 (ja) | 試料保持具 | |
JP4540407B2 (ja) | 静電チャック | |
US11012008B2 (en) | Electrostatic chuck device | |
JP6702526B1 (ja) | 静電チャック装置 | |
JP6782157B2 (ja) | 静電チャック | |
US20160126117A1 (en) | Sample holder | |
TWI817391B (zh) | 降低局部靜電吸附力 | |
JP2010097961A (ja) | 静電吸着装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210319 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20210319 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210706 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20210903 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211102 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211124 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211207 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7001165 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |