JP3120280B2 - 機械化学的研摩方法及びその装置 - Google Patents

機械化学的研摩方法及びその装置

Info

Publication number
JP3120280B2
JP3120280B2 JP33670797A JP33670797A JP3120280B2 JP 3120280 B2 JP3120280 B2 JP 3120280B2 JP 33670797 A JP33670797 A JP 33670797A JP 33670797 A JP33670797 A JP 33670797A JP 3120280 B2 JP3120280 B2 JP 3120280B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
wafer
cloth
polishing cloth
pieces
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP33670797A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10189507A (ja
Inventor
キム ヨウン−ソー
Original Assignee
エルジー セミコン カンパニー リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エルジー セミコン カンパニー リミテッド filed Critical エルジー セミコン カンパニー リミテッド
Publication of JPH10189507A publication Critical patent/JPH10189507A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3120280B2 publication Critical patent/JP3120280B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D7/00Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor
    • B24D7/14Zonally-graded wheels; Composite wheels comprising different abrasives

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハ(半導体
基板)の平坦化のための研摩方式に関するもので、特
に、機械化学的研摩装置において研摩に使用する研摩布
を、特性が異なる様々な種類に選択的に若しくは連続的
に使用することにより、被研摩物質の種類に対して適切
な研摩工程を進行することができ、若しくは研摩特性の
向上に適合させるための、機械化学的研摩方法及びその
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般的に、半導体素子の高集積化の傾向
によって、ウェーハ上に多層を積層する工程を通し、限
定された領域に、要望される素子を製造することによっ
て、工程を遂行するための表面の平坦化が、工程上の収
率を増加させる主なパラメータとして作用した。
【0003】それによって、ウェーハの平坦化のために
使用される代表的な方式が、機械化学的研摩(Chemical
Mechanical Polishing ;以下、CMPと称する)によ
る平坦化方式であるが、CMP装置は、キャリアにより
ウェーハを保持し、このウェーハを、研摩板(研摩テー
ブル)の上部に載せた研摩布に圧力を加えながら接触さ
せて、摩擦により研摩を行わせ、この時、研摩布に研摩
液を供給して、容易に研摩されるようになっている。
【0004】上述したごとくCMP装置は、研摩均一度
と研摩率等の向上のために、装置の構造改善と研摩方法
の変化が行われてきたが、実質的に前記の目的を達成す
るに最も重要なパラメータは、ウェーハと接触する研摩
布の構造である。以上のような理由のため、従来の研摩
布に関して、図3を参照して説明すると下記のとおりで
ある。
【0005】図3は、機械化学的研摩装置に使用される
従来の研摩布の断面構造図であり、米国特許第5,21
2,910号では、複合特性を有する物質を積層した形
態の複合研摩布を使用する、研摩布の構造及び研摩方法
に関する技術を示している。従来の研摩布の断面構造を
調べて見ると、研摩板(研摩テーブル)10の上部に
は、研摩布11が載せられており、この研摩布11は下
記のように多くの部分に分けられている。
【0006】すなわち、研摩布11は、スポンジ等の弾
性力を有する物質からなる第1層20と、この第1層2
0の上部に任意の空間29を有して分割されている固い
物質からなる第2層22と、この第2層22の上部の固
い物質からなるが研摩液の移動が行われるように構成さ
れた第3層23と、から構成されている。上記のように
構成された研摩布11を使用したウェーハの研摩工程を
調べて見ると、研摩板10の回転によって、ウェーハと
研摩布11の第3層23間に摩擦が行われ、同時に任意
の研摩液が、前記第3層23の構造的な特徴によって研
摩されるウェーハの表面に供給されつつ、研摩が進行す
るようになる。
【0007】しかし、上述したように動作する従来の研
摩方式では、ウェーハに接触される研摩布の部位が、1
種類の物質特性のみを有するようになることにより、研
摩特性の改善に限界があった。また、ウェーハに形成さ
れている膜が、研摩が進行することによって変化する場
合も、1つの特性を有する研摩布を使用するようになる
ので、ウェーハ上の様々な物質を研摩するのに適切でな
かった。
【0008】このような不適合性を克服するためには、
すなわち被研摩物質の種類により、それに合う研摩工程
を進行するためには、研摩工程の途中で研摩布を交換し
なければならず、これによって発生する作業の繁雑さ
と、作業効率の低下とが問題点として提示された。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上述した問題点を解消
するための本発明の目的は、機械化学的研摩装置におい
て研摩に使用する研摩布を、特性が異なる様々な種類に
選択的に若しくは連続的に使用することにより、被研摩
物質の種類に対して適切な研摩工程が進行可能で、また
研摩特性の向上に適当な機械化学的研摩方法及びその装
置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めの本発明の特徴は、回転可能な研摩板と該研摩板上に
付着される研摩布とを備える一方、研摩対象のウェーハ
を保持し該ウェーハを研摩布に接触させつつ回転させる
キャリアを備える機械化学的研摩装置による研摩方法に
おいて、前記研摩板上に、前記研摩布として、2種類以
上、複数枚の研摩布片を、研摩度若しくは堅度によって
配列・付着する第1段階と、前記第1段階で研摩板上に
付着した研摩布片に、前記キャリアによりウェーハを回
転させつつ接触させて研摩する第2段階と、を含み、前
記第2段階を遂行する時に、研摩対象物質の性質に合わ
せ、不必要な研摩布片を支持している研摩板の部位を下
降させて、不必要な研摩布片が他の研摩布片が維持して
いる均一な高さに比して低くなるようにする段階を更に
含むことにある。
【0011】前記の目的を達成するための本発明の他の
特徴は、回転可能な研摩板と該研摩板上に付着される研
摩布とを備える一方、研摩対象のウェーハを保持し該ウ
ェーハを研摩布に接触させつつ回転させるキャリアを備
える機械化学的研摩装置において、前記研摩布は、複数
枚の研摩布片に分割されていて、各研摩布片に研摩度若
しくは堅度の異なる2種類以上の研摩布を用い、また、
前記研摩板は、前記複数枚の研摩布片に対応して複数個
の区域に分離されて、それぞれが別個の個体から構成さ
れると共に、各個体を上下動させて各区域の高さをそれ
ぞれ調整することができるスライダーを備えることにあ
る。
【0012】ここで、前記研摩板に付着された各研摩布
片の間には、研摩され汚染された物質が、容易にウェー
ハの表面から除去され得るように、小溝を付加的に備え
るとよい。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態を説明する。図1は本発明の一実施例を示す
機械化学的研摩装置の平面図、図2は図1のb−b’
面図である。回転可能な研摩板(研摩テーブル)30が
あり、その上部には研摩布32が載せられている。
【0014】また、研摩板30の円周上の一位置におけ
る研摩布32の上方にはキャリア34があり、このキャ
リア34には、ウェーハ1を保持して回転可能なキャリ
アヘッド35が備えられ、ウェーハ1を回転させつつ研
摩布32に圧力を加えながら接触させて研摩を行わせる
ことができるようになっている。ここで、研摩布32は
複数枚の扇形の研摩布片32a,32b,・・・に分離
されており、各研摩布片には研摩度若しくは堅度の異な
る2種類以上の研摩布が用いられる。具体的には、2種
類の特性の研摩布片を交互に反復的に配置したり、多種
類の特性の研摩布片を連続的に配置したりする。
【0015】すなわち、前記研摩布32として、研摩対
象のウェーハ1の特性に従って、2種類以上、複数枚の
研摩布片を選択し、この後、前記研摩板30上に、選択
された2種類以上、複数枚の研摩布片を、研摩度若しく
は堅度によって配列・付着する。各研摩布片は均一な高
さを有するようにする。尚、前記選択段階は、ウェーハ
研摩のための複数種類の研摩布片を研摩度によって分離
する段階と、ウェーハの研摩のための複数種類の研摩布
片を堅度によって分離する段階と、両段階を通して分離
した研摩布片を研摩対象のウェーハの特性によって選択
する段階とに分けることもできる。
【0016】また、前記研摩板30に付着された各研摩
布片32a,32b,・・・の間には、研摩され汚染さ
れた物質が、容易にウェーハ1の表面から除去され得る
ように、小溝36を付加的に備えるとよい。更に、前記
研摩板30は、複数枚の研摩布片32a,32b,・・
・に対応し て複数個の区域に分離されて、それぞれが別
個の個体から構成されると共に、各個体を上下動させて
各区域の高さをそれぞれ調整することができるスライダ
ー40を備えている。
【0017】次に作用を説明する。回転可能な研摩板3
0の上部に様々な種類の研摩布片からなる研摩布32が
あり、この研摩布32の上方には、ウェーハ1を保持し
ているキャリアヘッド35があるので、このキャリアヘ
ッド35が回転することによって、ウェーハ1は研摩布
32と摩擦されつつ研摩され、また、研摩布32に供給
される研摩液が、ウェーハ1の表面を容易に研摩され得
るようにする。
【0018】このとき、前記研摩布32は多くの研摩布
片に分けられており、各研摩布片の間には、小溝36が
備えられているので、この小溝36を通じて、研摩され
汚染された物質が、容易にウェーハ1の表面から除去さ
れることによって、均一できれいに研摩され得るように
なる。また、多くの研摩布片は、相互に連続的である
か、異なる特性を有する物質からなっているので、下記
のような方法で研摩特性を向上させることができる。
【0019】第1に、研摩度を異ならせ、研摩布の表面
が荒い状態からきれいな状態に、連続的に若しくは反復
的に配列することによって、研摩率を高めると同時に研
摩均一度を向上させることができるようになる。第2
に、堅度を異ならせ、研摩布を堅い物質とやわらかい物
質とに連続的に若しくは反復的に配列することによっ
て、研摩均一度と平坦度とを同時に向上させることがで
きるようになる。
【0020】更に、前記研摩板30は、複数枚の研摩布
片32a,32b,・・・に対応して複数個の区域に分
離されて、それぞれが別個の個体から構成されると共
に、各個体を上下動させて各区域の高さをそれぞれ調整
することができるスライダー40を備えているため、次
のようにすることができる。
【0021】研摩を行う際に、不必要な研摩布片を支持
している研摩板30の部位(図2中30’)を下降させ
て、不必要な研摩布片が他の研摩布片が維持している均
一な高さに比して低くなるようにすることができ、これ
により、不必要な研摩布片を研摩工程から除外すること
ができる。よって、研摩対象物質の性質に合うように、
研摩布の物質を選択的に使用することができて、研摩特
性を向上させることができる。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による機械
化学的研摩方法及びその装置によれば、研摩に使用する
研摩布を、特性が異なる様々な種類に選択的に若しくは
連続的に使用することにより、被研摩物質の種類に対し
て適切な研摩工程が進行可能で、研摩特性の向上に寄与
することができるという効果が得られる。更に、不必要
な研摩布片を除外するように移動させることで、研摩対
象物質の性質に合うように、研摩布の物質を選択的に使
用することができて、研摩特性を向上させることができ
る。
【0023】また、各研摩布片間に小溝を設けること
で、研摩され汚染された物質が、容易にウェーハの表面
から除去されることによって、均一できれいに研摩され
得るようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例を示す機械化学的研摩装置
の平面図
【図2】 図1のb−b’断面図
【図3】 機械化学的研摩装置に使用される従来の研摩
布の断面構造図
【符号の説明】
1 ウェーハ 30 研摩板 32 研摩布 32a,32b,・・・ 研摩布片 34 キャリア 35 キャリアヘッド 36 小溝 40 スライダー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平8−172064(JP,A) 特開 昭61−226272(JP,A) 特開 平8−229805(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 622 B24B 37/00

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】回転可能な研摩板と該研摩板上に付着され
    る研摩布とを備える一方、研摩対象のウェーハを保持し
    該ウェーハを研摩布に接触させつつ回転させるキャリア
    を備える機械化学的研摩装置による研摩方法において、前記研摩板上に、前記研摩布として、 2種類以上、複数
    枚の研摩布片を、研摩度若しくは堅度によって配列・付
    着する第1段階と、 前記第1段階で研摩板上に付着した研摩布片に、前記キ
    ャリアによりウェーハを回転させつつ接触させて研摩す
    第2段階と、を含み、 前記第2段階を遂行する時に、研摩対象物質の性質に合
    わせ、不必要な研摩布片を支持している研摩板の部位を
    下降させて、不必要な研摩布片が他の研摩布片が維持し
    ている均一な高さに比して低くなるようにする段階を更
    に含む ことを特徴とする機械化学的研摩方法。
  2. 【請求項2】回転可能な研摩板と該研摩板上に付着され
    る研摩布とを備える一方、研摩対象のウェーハを保持し
    該ウェーハを研摩布に接触させつつ回転させるキャリア
    を備える機械化学的研摩装置において、 前記研摩布は、複数枚の研摩布片に分割されていて、各
    研摩布片に研摩度若しくは堅度の異なる2種類以上の研
    摩布を用い、 前記研摩板は、前記複数枚の研摩布片に対応して複数個
    の区域に分離されて、それぞれが別個の個体から構成さ
    れると共に、各個体を上下動させて各区域の高さをそれ
    ぞれ調整することができるスライダーを備える ことを特
    徴とする機械化学的研摩装置。
  3. 【請求項3】前記研摩板に付着された各研摩布片の間に
    は、研摩され汚染された物質が、容易にウェーハの表面
    から除去され得るように、小溝を付加的に備えることを
    特徴とする請求項2記載の機械化学的研摩装置。
JP33670797A 1996-12-24 1997-12-08 機械化学的研摩方法及びその装置 Expired - Fee Related JP3120280B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960071486A KR100210840B1 (ko) 1996-12-24 1996-12-24 기계 화학적 연마 방법 및 그 장치
KR71486/1996 1996-12-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10189507A JPH10189507A (ja) 1998-07-21
JP3120280B2 true JP3120280B2 (ja) 2000-12-25

Family

ID=19490703

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33670797A Expired - Fee Related JP3120280B2 (ja) 1996-12-24 1997-12-08 機械化学的研摩方法及びその装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5951380A (ja)
JP (1) JP3120280B2 (ja)
KR (1) KR100210840B1 (ja)
CN (1) CN1071172C (ja)
DE (1) DE19723060C2 (ja)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1080620C (zh) * 1998-09-08 2002-03-13 台湾积体电路制造股份有限公司 化学机械研磨机台
US6390890B1 (en) 1999-02-06 2002-05-21 Charles J Molnar Finishing semiconductor wafers with a fixed abrasive finishing element
US6152806A (en) * 1998-12-14 2000-11-28 Applied Materials, Inc. Concentric platens
US6641463B1 (en) 1999-02-06 2003-11-04 Beaver Creek Concepts Inc Finishing components and elements
US20040072518A1 (en) * 1999-04-02 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Platen with patterned surface for chemical mechanical polishing
US20020077037A1 (en) * 1999-05-03 2002-06-20 Tietz James V. Fixed abrasive articles
US6848970B2 (en) 2002-09-16 2005-02-01 Applied Materials, Inc. Process control in electrochemically assisted planarization
US6616513B1 (en) 2000-04-07 2003-09-09 Applied Materials, Inc. Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile
EP1292428B1 (en) 2000-06-19 2005-04-20 Struers A/S A multi-zone grinding and/or polishing sheet
US6315634B1 (en) * 2000-10-06 2001-11-13 Lam Research Corporation Method of optimizing chemical mechanical planarization process
KR20020038314A (ko) * 2000-11-17 2002-05-23 류정열 충돌방지형 스티어링 칼럼 구조
US6620027B2 (en) 2001-01-09 2003-09-16 Applied Materials Inc. Method and apparatus for hard pad polishing
US6857941B2 (en) * 2001-06-01 2005-02-22 Applied Materials, Inc. Multi-phase polishing pad
US6663472B2 (en) * 2002-02-01 2003-12-16 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Multiple step CMP polishing
US6758726B2 (en) * 2002-06-28 2004-07-06 Lam Research Corporation Partial-membrane carrier head
US7063597B2 (en) 2002-10-25 2006-06-20 Applied Materials Polishing processes for shallow trench isolation substrates
JP2005294412A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド
TWI254354B (en) * 2004-06-29 2006-05-01 Iv Technologies Co Ltd An inlaid polishing pad and a method of producing the same
KR100693251B1 (ko) * 2005-03-07 2007-03-13 삼성전자주식회사 연마 속도와 연마 패드의 조도를 향상시킬 수 있는 패드 컨디셔너 및 이를 이용하는 화학기계적 연마 장치
JP2006324416A (ja) * 2005-05-18 2006-11-30 Sumco Corp ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法
PT2049148T (pt) 2006-07-06 2016-12-30 Daewoong Co Ltd Formulação líquida estável da hormona do crescimento humana
US7526965B2 (en) * 2006-12-30 2009-05-05 General Electric Company Method for evaluating burnishing element condition
US8389099B1 (en) 2007-06-01 2013-03-05 Rubicon Technology, Inc. Asymmetrical wafer configurations and method for creating the same
US8348720B1 (en) 2007-06-19 2013-01-08 Rubicon Technology, Inc. Ultra-flat, high throughput wafer lapping process
US9089943B2 (en) * 2010-01-29 2015-07-28 Ronald Lipson Composite pads for buffing and polishing painted vehicle body surfaces and other applications
CN102229101A (zh) * 2011-06-28 2011-11-02 清华大学 化学机械抛光方法
CN103182676B (zh) * 2011-12-29 2015-10-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 研磨垫、使用该研磨垫的研磨装置及研磨方法
US10513006B2 (en) * 2013-02-04 2019-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High throughput CMP platform
CN103465111A (zh) * 2013-08-01 2013-12-25 浙江工业大学 基于介电泳效应的摆动式研磨/抛光设备
JP6210935B2 (ja) 2013-11-13 2017-10-11 東京エレクトロン株式会社 研磨洗浄機構、基板処理装置及び基板処理方法
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
KR102295988B1 (ko) 2014-10-17 2021-09-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 애디티브 제조 프로세스들을 이용한 복합 재료 특성들을 갖는 cmp 패드 구성
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US10618141B2 (en) * 2015-10-30 2020-04-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for forming a polishing article that has a desired zeta potential
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
CN108733865B (zh) * 2017-04-19 2021-10-22 中国科学院微电子研究所 Cmp仿真方法和装置、研磨去除率的获取方法和装置
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
JP7299970B2 (ja) 2018-09-04 2023-06-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 改良型研磨パッドのための配合物
US11851570B2 (en) 2019-04-12 2023-12-26 Applied Materials, Inc. Anionic polishing pads formed by printing processes
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3731436A (en) * 1971-03-05 1973-05-08 F Krafft Free abrasive machine
US4715150A (en) * 1986-04-29 1987-12-29 Seiken Co., Ltd. Nonwoven fiber abrasive disk
US5020283A (en) * 1990-01-22 1991-06-04 Micron Technology, Inc. Polishing pad with uniform abrasion
US5212910A (en) * 1991-07-09 1993-05-25 Intel Corporation Composite polishing pad for semiconductor process
AU654901B2 (en) * 1992-03-16 1994-11-24 De Beers Industrial Diamond Division (Proprietary) Limited Polishing pad
CN1076883A (zh) * 1992-03-20 1993-10-06 华东工学院 金相试样自动磨制抛光机
MY114512A (en) * 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
EP0619165A1 (en) * 1993-04-07 1994-10-12 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive article
US5534106A (en) * 1994-07-26 1996-07-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for processing semiconductor wafers
JP2616736B2 (ja) * 1995-01-25 1997-06-04 日本電気株式会社 ウエーハ研磨装置
US5558563A (en) * 1995-02-23 1996-09-24 International Business Machines Corporation Method and apparatus for uniform polishing of a substrate
US5609517A (en) * 1995-11-20 1997-03-11 International Business Machines Corporation Composite polishing pad
US5785584A (en) * 1996-08-30 1998-07-28 International Business Machines Corporation Planarizing apparatus with deflectable polishing pad

Also Published As

Publication number Publication date
DE19723060A1 (de) 1998-07-02
JPH10189507A (ja) 1998-07-21
DE19723060C2 (de) 1998-11-26
KR100210840B1 (ko) 1999-07-15
KR19980052483A (ko) 1998-09-25
US5951380A (en) 1999-09-14
CN1186010A (zh) 1998-07-01
CN1071172C (zh) 2001-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3120280B2 (ja) 機械化学的研摩方法及びその装置
US6544373B2 (en) Polishing pad for a chemical mechanical polishing process
US6241581B1 (en) Method for dressing a polishing pad, polishing apparatus, and method for manufacturing a semiconductor apparatus
US8133096B2 (en) Multi-phase polishing pad
US5230184A (en) Distributed polishing head
KR100638289B1 (ko) 구조화된 웨이퍼의 표면 변형 방법
US5534106A (en) Apparatus for processing semiconductor wafers
JP3645528B2 (ja) 研磨方法及び半導体装置の製造方法
JP3438383B2 (ja) 研磨方法およびこれに用いる研磨装置
US6162368A (en) Technique for chemical mechanical polishing silicon
JP2842865B1 (ja) 研磨装置
JP2000511355A (ja) Sof半導体ウェーハの化学・機械的平坦化法
JPH09267257A (ja) ウェハ研磨装置
JP2004503921A (ja) ウェーハからリテーナリングを分離するための溝付きウェーハキャリヤ
US6471566B1 (en) Sacrificial retaining ring CMP system and methods for implementing the same
JPH11347919A (ja) 半導体素子の研磨平坦化装置及び研磨平坦化方法
JP2006324417A (ja) ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法
JPH05277908A (ja) マイクロスクラッチのない平滑面を形成するための半導体ウェハの化学機械的平坦化方法
US6478977B1 (en) Polishing method and apparatus
JP2003053657A (ja) 研磨面構成部材及び該研磨面構成部材を用いた研磨装置
EP0806267A1 (en) Cross-hatched polishing pad for polishing substrates in a chemical mechanical polishing system
JPH09260318A (ja) ウェハ研磨方法
JPH09277159A (ja) 研磨方法及び研磨装置
KR100886603B1 (ko) 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법
JP2001030156A (ja) ドレッシング装置、研磨装置および研磨方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071020

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081020

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091020

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees