JP2001030156A - ドレッシング装置、研磨装置および研磨方法 - Google Patents
ドレッシング装置、研磨装置および研磨方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 研磨布を長期間に亘って良好にドレッシング
することが可能なドレッシングツールを有するドレッシ
ング装置を提供しようとものである。 【解決手段】 化学機械研磨法に用いられる研磨装置の
研磨布を処理するためのドレッシングツールを備えたド
レッシング装置において、前記ドレッシングツールは、
基材に多数の立方晶窒化硼素粒子が固定された構造を有
することを特徴とする。
することが可能なドレッシングツールを有するドレッシ
ング装置を提供しようとものである。 【解決手段】 化学機械研磨法に用いられる研磨装置の
研磨布を処理するためのドレッシングツールを備えたド
レッシング装置において、前記ドレッシングツールは、
基材に多数の立方晶窒化硼素粒子が固定された構造を有
することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板等の化
学機械研磨（ＣＭＰ；Chemical Mechanical Polishin
g）に用いられる研磨布の処理に使用されるドレッシン
グ装置、研磨装置および半導体基板等をＣＭＰする方法
に関する。
学機械研磨（ＣＭＰ；Chemical Mechanical Polishin
g）に用いられる研磨布の処理に使用されるドレッシン
グ装置、研磨装置および半導体基板等をＣＭＰする方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造において半導体
基板（例えば半導体ウェハ）を鏡面仕上げしたり、半導
体ウェハ上の絶縁膜を平坦化したり、または埋め込み配
線を形成するために金属膜をエッチバックしたりする場
合には、研磨布を有する研磨装置が用いられている。
基板（例えば半導体ウェハ）を鏡面仕上げしたり、半導
体ウェハ上の絶縁膜を平坦化したり、または埋め込み配
線を形成するために金属膜をエッチバックしたりする場
合には、研磨布を有する研磨装置が用いられている。
【０００３】前記研磨装置は、例えば硬質発泡ポリウレ
タンまたはポリウレタン不織布からなる表面に微細な凹
凸を有する研磨布が被覆されたターンテーブルと、前記
研磨布に研磨砥粒等を含む研磨スラリーを供給する供給
管と、前記ターンテーブルの上方に上下動自在でかつ回
転自在に配置された支持軸を有するホルダとを備えた構
造を有する。このような研磨装置により例えば半導体ウ
ェハ上の配線に堆積した絶縁膜を平坦化するには、前記
ホルダにより半導体ウェハをその研磨面である絶縁膜が
前記研磨布に対向するように保持し、前記供給管から研
磨スラリーを供給しながら、前記支持軸により前記半導
体ウェハを前記研磨布に向けて所望の荷重を与え、さら
に前記ホルダおよび前記ターンテーブルを同方向に回転
させることにより前記半導体ウェハ上の絶縁膜をＣＭＰ
により除去して平坦化する。
タンまたはポリウレタン不織布からなる表面に微細な凹
凸を有する研磨布が被覆されたターンテーブルと、前記
研磨布に研磨砥粒等を含む研磨スラリーを供給する供給
管と、前記ターンテーブルの上方に上下動自在でかつ回
転自在に配置された支持軸を有するホルダとを備えた構
造を有する。このような研磨装置により例えば半導体ウ
ェハ上の配線に堆積した絶縁膜を平坦化するには、前記
ホルダにより半導体ウェハをその研磨面である絶縁膜が
前記研磨布に対向するように保持し、前記供給管から研
磨スラリーを供給しながら、前記支持軸により前記半導
体ウェハを前記研磨布に向けて所望の荷重を与え、さら
に前記ホルダおよび前記ターンテーブルを同方向に回転
させることにより前記半導体ウェハ上の絶縁膜をＣＭＰ
により除去して平坦化する。
【０００４】ところで、前述したＣＭＰを行なった後の
研磨装置の研磨布はその表面の微細な凹凸が研磨屑で埋
められること等に起因して研磨性能（特に研磨速度）が
低下する。このような研磨性能が落ちた研磨布は、従来
より多数のダイヤモンド粒子を金属製の基材に電着した
構造のドレッシングツールを有するドレッシング装置に
より処理して再生することが行われている。具体的に
は、前記研磨布表面に前記ドレッシングツールのダイヤ
モンド粒子を数１０〜数１００ｇｆ／ｃｍ2の荷重を加
え、それら部材の接触面に冷却水を供給しながら、前記
研磨布およびドレッシングツールをほぼ同速度、同方向
に回転させるか、もしくは並進運動させることにより前
記研磨布の微細な凹凸に埋め込まれた研磨屑を除去した
り、その研磨布表面を研磨してドレッシングする。
研磨装置の研磨布はその表面の微細な凹凸が研磨屑で埋
められること等に起因して研磨性能（特に研磨速度）が
低下する。このような研磨性能が落ちた研磨布は、従来
より多数のダイヤモンド粒子を金属製の基材に電着した
構造のドレッシングツールを有するドレッシング装置に
より処理して再生することが行われている。具体的に
は、前記研磨布表面に前記ドレッシングツールのダイヤ
モンド粒子を数１０〜数１００ｇｆ／ｃｍ2の荷重を加
え、それら部材の接触面に冷却水を供給しながら、前記
研磨布およびドレッシングツールをほぼ同速度、同方向
に回転させるか、もしくは並進運動させることにより前
記研磨布の微細な凹凸に埋め込まれた研磨屑を除去した
り、その研磨布表面を研磨してドレッシングする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ド
レッシングにおいてドレッシングツールに電着されたダ
イヤモンド粒子と研磨布との接触による摩擦熱によって
ダイヤモンド粒子表面が局所的に高温になるため、ダイ
ヤモンド粒子の鋭い角部が摩耗する。その結果、ツール
のドレッシング性能が短時間で低下するという問題があ
った。
レッシングにおいてドレッシングツールに電着されたダ
イヤモンド粒子と研磨布との接触による摩擦熱によって
ダイヤモンド粒子表面が局所的に高温になるため、ダイ
ヤモンド粒子の鋭い角部が摩耗する。その結果、ツール
のドレッシング性能が短時間で低下するという問題があ
った。
【０００６】本発明は、研磨布を長期間に亘って良好に
ドレッシングすることが可能なドレッシングツールを有
するドレッシング装置を提供しようとするものである。
ドレッシングすることが可能なドレッシングツールを有
するドレッシング装置を提供しようとするものである。
【０００７】本発明は、半導体基板や半導体基板上の被
膜を高い研磨速度で機械化学研磨処理することが可能な
研磨装置およびその方法を提供しようとするものであ
る。
膜を高い研磨速度で機械化学研磨処理することが可能な
研磨装置およびその方法を提供しようとするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係わるドレッシ
ング装置は、化学機械研磨法に用いられる研磨装置の研
磨布を処理するためのドレッシングツールを備えたドレ
ッシング装置において、前記ドレッシングツールは、基
材に多数の立方晶窒化硼素粒子が固定された構造を有す
ることを特徴とするものである。
ング装置は、化学機械研磨法に用いられる研磨装置の研
磨布を処理するためのドレッシングツールを備えたドレ
ッシング装置において、前記ドレッシングツールは、基
材に多数の立方晶窒化硼素粒子が固定された構造を有す
ることを特徴とするものである。
【０００９】本発明に係わる研磨装置は、表面に微細な
凹凸を有する研磨布が被覆されたテーブルと、前記研磨
布に研摩スラリーを供給するための供給管と、前記テー
ブルの上方に上下動自在にかつ回転自在に配置され、基
板をその被研磨面と前記研磨布が対向するように保持す
るためのホルダと、基材に多数の立方晶窒化硼素粒子が
固定された構造を有し、前記研磨布をドレッシングする
ためドレッシングツールとを具備したことを特徴とする
ものである。
凹凸を有する研磨布が被覆されたテーブルと、前記研磨
布に研摩スラリーを供給するための供給管と、前記テー
ブルの上方に上下動自在にかつ回転自在に配置され、基
板をその被研磨面と前記研磨布が対向するように保持す
るためのホルダと、基材に多数の立方晶窒化硼素粒子が
固定された構造を有し、前記研磨布をドレッシングする
ためドレッシングツールとを具備したことを特徴とする
ものである。
【００１０】本発明に係わる研磨方法は、基板の被研磨
面をテーブル上に被覆された表面に微細な凹凸を有する
研磨布に対向するように保持する工程と、前記研磨布上
に研摩スラリーを供給する工程と、前記テーブルと前記
基板を所望の圧力下で相対的に移動させて前記基板の被
研磨面を研磨する工程とを具備した研磨方法において、
前記研磨布の研磨性能が低下した時、基材に多数の立方
晶窒化硼素粒子が固定された構造を有するドレッシング
ツールにより前記研磨布面をドレッシングすることを特
徴とするものである。
面をテーブル上に被覆された表面に微細な凹凸を有する
研磨布に対向するように保持する工程と、前記研磨布上
に研摩スラリーを供給する工程と、前記テーブルと前記
基板を所望の圧力下で相対的に移動させて前記基板の被
研磨面を研磨する工程とを具備した研磨方法において、
前記研磨布の研磨性能が低下した時、基材に多数の立方
晶窒化硼素粒子が固定された構造を有するドレッシング
ツールにより前記研磨布面をドレッシングすることを特
徴とするものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係わるドレッシン
グ装置を図１および図２を参照して詳細に説明する。
グ装置を図１および図２を参照して詳細に説明する。
【００１２】図１は、本発明に係わるドレッシング装置
の斜視図、図２は図１のドレッシング装置に組み込まれ
るドレッシングツールを背面から見た斜視図である。ド
レッシング装置１は、例えば円環状ドレッシングツール
２と、このドレッシングツール２を下面に固定した固定
円板３と、この固定円板３の上面中心に軸着され、前記
固定円板３を回転させるための駆動軸４とを備えてい
る。前記ドレッシングツール２は、図２に示すように金
属からなる円環状の基材５と、この基材５の表面（前記
固定円板３に当接される面と反対側の面）に電着された
多数の立方晶窒化硼素（ｃＢＮ）粒子６と、前記円環状
の基材５に９０°間隔で形成されたｃＢＮ粒子６が電着
されない溝部７とから構成されている。前記溝部７は、
ドレッシング処理に用いる冷却水が前記円環状の基材５
の内側まで良好に循環して効率よく冷却する役目をな
す。
の斜視図、図２は図１のドレッシング装置に組み込まれ
るドレッシングツールを背面から見た斜視図である。ド
レッシング装置１は、例えば円環状ドレッシングツール
２と、このドレッシングツール２を下面に固定した固定
円板３と、この固定円板３の上面中心に軸着され、前記
固定円板３を回転させるための駆動軸４とを備えてい
る。前記ドレッシングツール２は、図２に示すように金
属からなる円環状の基材５と、この基材５の表面（前記
固定円板３に当接される面と反対側の面）に電着された
多数の立方晶窒化硼素（ｃＢＮ）粒子６と、前記円環状
の基材５に９０°間隔で形成されたｃＢＮ粒子６が電着
されない溝部７とから構成されている。前記溝部７は、
ドレッシング処理に用いる冷却水が前記円環状の基材５
の内側まで良好に循環して効率よく冷却する役目をな
す。
【００１３】前記ｃＢＮ粒子は、５０〜２００μｍの粒
径を有することが好ましい。
径を有することが好ましい。
【００１４】なお、前記ドレッシングツールを構成する
基材は円環状のものに限らず、円柱状、球状のものを用
いてもよい。
基材は円環状のものに限らず、円柱状、球状のものを用
いてもよい。
【００１５】前述した図１および図２に示すドレッシン
グ装置による研磨装置の研磨布のドレッシング処理を図
３を参照して説明する。
グ装置による研磨装置の研磨布のドレッシング処理を図
３を参照して説明する。
【００１６】ターンテーブル１１に被覆された例えば硬
質発泡ポリウレタン（ローデルニッタ社製商品名；ＩＣ
１０００）またはポリウレタン不織布からなる研磨布１
２に図１に示すドレッシング装置１のドレッシングツー
ル２を数１０〜数１００ｇｆ／ｃｍ2の荷重を加え、そ
れら部材の接触面に供給管１３から冷却水を供給しなが
ら、前記ターンテーブル１１をその下面に軸着した駆動
軸１４により例えば反時計周り方向に回転し、前記ドレ
ッシングツール２を駆動軸４により同方向（反時計回り
方向）に回転させる。この時、ドレッシングツール２下
面の多数の立方晶窒化硼素粒子６が前記研磨布１２に加
圧下で接触して前記研磨布１２の微細な凹凸に埋め込ま
れた研磨屑を除去したり、その研磨布表面を研磨してド
レッシングがなされる。また、前記立方晶窒化硼素粒子
（ｃＢＮ）６は高温下で優れた耐摩耗性を有するため、
前記研磨布１２のドレッシング時において前記ｃＢＮ粒
子６は摩擦熱により高温に曝されても摩耗することなく
長期間にわたって優れたドレッシング性能を示す。
質発泡ポリウレタン（ローデルニッタ社製商品名；ＩＣ
１０００）またはポリウレタン不織布からなる研磨布１
２に図１に示すドレッシング装置１のドレッシングツー
ル２を数１０〜数１００ｇｆ／ｃｍ2の荷重を加え、そ
れら部材の接触面に供給管１３から冷却水を供給しなが
ら、前記ターンテーブル１１をその下面に軸着した駆動
軸１４により例えば反時計周り方向に回転し、前記ドレ
ッシングツール２を駆動軸４により同方向（反時計回り
方向）に回転させる。この時、ドレッシングツール２下
面の多数の立方晶窒化硼素粒子６が前記研磨布１２に加
圧下で接触して前記研磨布１２の微細な凹凸に埋め込ま
れた研磨屑を除去したり、その研磨布表面を研磨してド
レッシングがなされる。また、前記立方晶窒化硼素粒子
（ｃＢＮ）６は高温下で優れた耐摩耗性を有するため、
前記研磨布１２のドレッシング時において前記ｃＢＮ粒
子６は摩擦熱により高温に曝されても摩耗することなく
長期間にわたって優れたドレッシング性能を示す。
【００１７】なお、前記ドレッシング処理においてドレ
ッシングツール２をターンテーブル１１に対して並進運
動させてもよい。
ッシングツール２をターンテーブル１１に対して並進運
動させてもよい。
【００１８】このような図３に示すドレッシング処理が
なされた研磨装置の研磨布は、図４に示す半導体基板も
しくは半導体基板上の被膜の化学機械研磨に供される。
すなわち、支持軸１５を上面に軸着された円板状のホル
ダ１６により図示しない例えば半導体基板（もしくは被
膜付き半導体基板）をその基板の被研磨面が前記研磨布
１２に対向するように保持し、供給管１７から研磨スラ
リーを前記研磨布１２に供給しながら、前記支持軸１５
により前記基板を前記研磨布１２に向けて所望の荷重を
与え、さらに前記ホルダ１６および前記ターンテーブル
１１を支持軸１５および駆動軸１４により同方向（例え
ば反時計回り方向）に回転させることにより前記基板表
面を研磨する。
なされた研磨装置の研磨布は、図４に示す半導体基板も
しくは半導体基板上の被膜の化学機械研磨に供される。
すなわち、支持軸１５を上面に軸着された円板状のホル
ダ１６により図示しない例えば半導体基板（もしくは被
膜付き半導体基板）をその基板の被研磨面が前記研磨布
１２に対向するように保持し、供給管１７から研磨スラ
リーを前記研磨布１２に供給しながら、前記支持軸１５
により前記基板を前記研磨布１２に向けて所望の荷重を
与え、さらに前記ホルダ１６および前記ターンテーブル
１１を支持軸１５および駆動軸１４により同方向（例え
ば反時計回り方向）に回転させることにより前記基板表
面を研磨する。
【００１９】したがって、本発明に係わるドレッシング
装置によれば基材５に高温下で優れた耐摩耗性を示すｃ
ＢＮ粒子６が電着された構造のドレッシングツール２を
有するため、前述した図３に示す研磨装置に組み込まれ
た研磨性能が低下した研磨布１２のドレッシングを長期
間にわたって良好に行なうことができる。
装置によれば基材５に高温下で優れた耐摩耗性を示すｃ
ＢＮ粒子６が電着された構造のドレッシングツール２を
有するため、前述した図３に示す研磨装置に組み込まれ
た研磨性能が低下した研磨布１２のドレッシングを長期
間にわたって良好に行なうことができる。
【００２０】また、前述した図４に示すように半導体基
板または半導体基板上の被膜を化学機械研磨する際、前
記ドレッシング装置でドレッシングされた研磨布１２を
有する研磨装置を用いることによって、安定かつ高速度
で研磨することができる。
板または半導体基板上の被膜を化学機械研磨する際、前
記ドレッシング装置でドレッシングされた研磨布１２を
有する研磨装置を用いることによって、安定かつ高速度
で研磨することができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の好ましい実施例を図面を参照
しして詳細に説明する。
しして詳細に説明する。
【００２２】（実施例１）まず、図５の（Ａ）に示すよ
うにシリコン基板２１上にＣＶＤ法により第１層間絶縁
膜としての例えば厚さ５００〜６００ｎｍのＳｉＯ2 膜
２２を堆積した後、前記ＳｉＯ2 膜２２にＡｌ膜を真空
蒸着により堆積した。つづいて、このＡｌ膜をフォトエ
ッチング技術によりパターニングして配線層２３を形成
した後、この配線層２３を含む全面にＣＶＤ法により第
２層間絶縁膜としての例えば厚さ５００〜６００ｎｍの
ＳｉＯ2 膜２４を堆積した。
うにシリコン基板２１上にＣＶＤ法により第１層間絶縁
膜としての例えば厚さ５００〜６００ｎｍのＳｉＯ2 膜
２２を堆積した後、前記ＳｉＯ2 膜２２にＡｌ膜を真空
蒸着により堆積した。つづいて、このＡｌ膜をフォトエ
ッチング技術によりパターニングして配線層２３を形成
した後、この配線層２３を含む全面にＣＶＤ法により第
２層間絶縁膜としての例えば厚さ５００〜６００ｎｍの
ＳｉＯ2 膜２４を堆積した。
【００２３】次いで、前述した図４に示す研磨装置のホ
ルダ１６に前記図５の（Ａ）に示す基板２１を逆さにし
て保持し、前記ホルダ１６の支持軸１５により前記基板
をターンテーブル１１上の硬質発泡ポリウレタン（ロー
デル・ニッタ社製商品名；ＩＣ１０００）からなる研磨
布１２に１００〜５００ｇｆ／ｃｍ2 の荷重を与え、前
記ターンテーブル１１およびホルダ１６をそれぞれ１０
０ｒｐｍ、９７ｒｐｍの速度で同方向（反時計回り方
向）に回転させながら、アルミナを含む研磨スラリーを
供給管１７から２０〜１００ｍｌ／分の速度で前記研磨
布１２に供給して前記基板２１に堆積したＳｉＯ2 膜２
４を研磨することによって図５の（Ｂ）に示すようにＳ
ｉＯ2 膜２４表面を平坦化した。
ルダ１６に前記図５の（Ａ）に示す基板２１を逆さにし
て保持し、前記ホルダ１６の支持軸１５により前記基板
をターンテーブル１１上の硬質発泡ポリウレタン（ロー
デル・ニッタ社製商品名；ＩＣ１０００）からなる研磨
布１２に１００〜５００ｇｆ／ｃｍ2 の荷重を与え、前
記ターンテーブル１１およびホルダ１６をそれぞれ１０
０ｒｐｍ、９７ｒｐｍの速度で同方向（反時計回り方
向）に回転させながら、アルミナを含む研磨スラリーを
供給管１７から２０〜１００ｍｌ／分の速度で前記研磨
布１２に供給して前記基板２１に堆積したＳｉＯ2 膜２
４を研磨することによって図５の（Ｂ）に示すようにＳ
ｉＯ2 膜２４表面を平坦化した。
【００２４】次いで、図１、図２に示すステンレス製の
基材５に平均粒径１５０μｍの複数のｃＢＮ粒子６を電
着したドレッシングツール２を有するドレッシング装置
を用いて図３に示すように前記研磨処理後の研磨布１２
にドレッシングツール２を１００〜５００ｇｆ／ｃｍ2
の荷重を加え、それら部材の接触面に供給管１３から冷
却水を供給しながら、駆動軸４、１４により前記ドレッ
シングツール２および前記ターンテーブル１１をそれぞ
れ１３ｒｐｍの速度で同方向（反時計回り方向）に回転
させた。この時、ドレッシングツール２下面の多数の立
方晶窒化硼素粒子６が前記研磨布１２に加圧下で接触し
て前記研磨布１２の微細な凹凸に埋め込まれた研磨屑を
除去したり、その研磨布表面を研磨してドレッシングが
なされた。
基材５に平均粒径１５０μｍの複数のｃＢＮ粒子６を電
着したドレッシングツール２を有するドレッシング装置
を用いて図３に示すように前記研磨処理後の研磨布１２
にドレッシングツール２を１００〜５００ｇｆ／ｃｍ2
の荷重を加え、それら部材の接触面に供給管１３から冷
却水を供給しながら、駆動軸４、１４により前記ドレッ
シングツール２および前記ターンテーブル１１をそれぞ
れ１３ｒｐｍの速度で同方向（反時計回り方向）に回転
させた。この時、ドレッシングツール２下面の多数の立
方晶窒化硼素粒子６が前記研磨布１２に加圧下で接触し
て前記研磨布１２の微細な凹凸に埋め込まれた研磨屑を
除去したり、その研磨布表面を研磨してドレッシングが
なされた。
【００２５】次いで、前記研磨装置による半導体基板上
のＳｉＯ2 膜を研磨、平坦化、ドレッシング装置による
研磨処理後の研磨布のドレッシングを２００回繰り返し
行い、初期の研磨装置による研磨布によるＳｉＯ2 膜の
研磨速度をＶ0、研磨、ドレッシングを２００回繰り返
した後の研磨装置による研磨布によるＳｉＯ2 膜の研磨
速度をＶnを測定し、Ｖn／Ｖ0を求めた。その結果、
０．９であった。
のＳｉＯ2 膜を研磨、平坦化、ドレッシング装置による
研磨処理後の研磨布のドレッシングを２００回繰り返し
行い、初期の研磨装置による研磨布によるＳｉＯ2 膜の
研磨速度をＶ0、研磨、ドレッシングを２００回繰り返
した後の研磨装置による研磨布によるＳｉＯ2 膜の研磨
速度をＶnを測定し、Ｖn／Ｖ0を求めた。その結果、
０．９であった。
【００２６】（比較例）ステンレス製の基材に平均粒径
１５０μｍのダイヤモンド粒子を電着したドレッシング
ツールを有するドレッシング装置を用いたい以外、実施
例と同様に研磨装置による研磨布によるＳｉＯ2 膜の研
磨と前記ドレッシング装置による前記研磨処理後の研磨
布のドレッシングを２００回繰り返し行い、初期の研磨
装置による研磨布によるＳｉＯ2 膜の研磨速度をＶ0、
研磨、ドレッシングを２００回繰り返した後の研磨装置
による研磨布によるＳｉＯ2 膜の研磨速度をＶnを測定
し、Ｖn／Ｖ0を求めた。その結果、０．８であった。
１５０μｍのダイヤモンド粒子を電着したドレッシング
ツールを有するドレッシング装置を用いたい以外、実施
例と同様に研磨装置による研磨布によるＳｉＯ2 膜の研
磨と前記ドレッシング装置による前記研磨処理後の研磨
布のドレッシングを２００回繰り返し行い、初期の研磨
装置による研磨布によるＳｉＯ2 膜の研磨速度をＶ0、
研磨、ドレッシングを２００回繰り返した後の研磨装置
による研磨布によるＳｉＯ2 膜の研磨速度をＶnを測定
し、Ｖn／Ｖ0を求めた。その結果、０．８であった。
【００２７】このような実施例および比較例の結果から
明らかなようにドレッシング装置で研磨処理後の研磨布
を繰り返しドレッシングする場合、ｃＢＮ粒子を電着し
たドレッシングツールを有するドレッシング装置を用い
た実施例では、ダイヤモンド粒子を電着したドレッシン
グツールを有するドレッシング装置を用いた比較例に比
べて前記Ｖn／Ｖ0が大きくなり、繰り返しの使用におい
ても優れたドレッシング性能を示すことがわかる。
明らかなようにドレッシング装置で研磨処理後の研磨布
を繰り返しドレッシングする場合、ｃＢＮ粒子を電着し
たドレッシングツールを有するドレッシング装置を用い
た実施例では、ダイヤモンド粒子を電着したドレッシン
グツールを有するドレッシング装置を用いた比較例に比
べて前記Ｖn／Ｖ0が大きくなり、繰り返しの使用におい
ても優れたドレッシング性能を示すことがわかる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば研
磨布を長期間に亘って良好にドレッシングすることが可
能なドレッシングツールを有し、半導体装置の表面平坦
化、埋め込み配線の形成に際してのエッチバック工程に
有効に適用することが可能なドレッシング装置を提供で
きる。
磨布を長期間に亘って良好にドレッシングすることが可
能なドレッシングツールを有し、半導体装置の表面平坦
化、埋め込み配線の形成に際してのエッチバック工程に
有効に適用することが可能なドレッシング装置を提供で
きる。
【００２９】また、本発明によれば半導体基板や半導体
基板上の被膜を高速度で安定的に機械化学研磨処理する
ことが可能な研磨装置およびその方法を提供できる。
基板上の被膜を高速度で安定的に機械化学研磨処理する
ことが可能な研磨装置およびその方法を提供できる。
【図１】本発明に係わるドレッシング装置の斜視図。
【図２】図１のドレッシング装置に組み込まれるドレッ
シングツールを示す斜視図。
シングツールを示す斜視図。
【図３】本発明のドレッシング装置による研磨装置の研
磨布をドレッシングする状態を示す斜視図。
磨布をドレッシングする状態を示す斜視図。
【図４】本発明のドレッシング装置によりドレッシング
された研磨布を有する研磨装置で半導体基板を研磨処理
する状態を示す斜視図。
された研磨布を有する研磨装置で半導体基板を研磨処理
する状態を示す斜視図。
【図５】本発明の実施例における半導体基板の第２層間
絶縁膜の平坦化処理工程を示す断面図。
絶縁膜の平坦化処理工程を示す断面図。
１…ドレッシング装置、 ２…ドレッシングツール、 ５…基材、 ６…ｃＢＮ粒子、 １１…ターンテーブル、 １２…研磨布、 １６…ホルダ、 ２１…シリコン基板、 ２２、２４…ＳｉＯ2 膜、 ２３…配線層。
Claims (3)
- 【請求項１】 化学機械研磨法に用いられる研磨装置の
研磨布を処理するためのドレッシングツールを備えたド
レッシング装置において、 前記ドレッシングツールは、基材に多数の立方晶窒化硼
素粒子が固定された構造を有することを特徴とするドレ
ッシング装置。 - 【請求項２】 表面に微細な凹凸を有する研磨布が被覆
されたテーブルと、前記研磨布に研摩スラリーを供給す
るための供給管と、 前記テーブルの上方に上下動自在にかつ回転自在に配置
され、基板をその被研磨面と前記研磨布が対向するよう
に保持するためのホルダと、 基材に多数の立方晶窒化硼素粒子が固定された構造を有
し、前記研磨布をドレッシングするためドレッシングツ
ールとを具備したことを特徴とする研磨装置。 - 【請求項３】 基板の被研磨面をテーブル上に被覆され
た表面に微細な凹凸を有する研磨布に対向するように保
持する工程と、 前記研磨布上に研摩スラリーを供給する工程と、 前記テーブルと前記基板を所望の圧力下で相対的に移動
させて前記基板の被研磨面を研磨する工程とを具備した
研磨方法において、 前記研磨布の研磨性能が低下した時、基材に多数の立方
晶窒化硼素粒子が固定された構造を有するドレッシング
ツールにより前記研磨布面をドレッシングすることを特
徴とする研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20956899A JP2001030156A (ja) | 1999-07-23 | 1999-07-23 | ドレッシング装置、研磨装置および研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20956899A JP2001030156A (ja) | 1999-07-23 | 1999-07-23 | ドレッシング装置、研磨装置および研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001030156A true JP2001030156A (ja) | 2001-02-06 |
Family
ID=16574996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20956899A Pending JP2001030156A (ja) | 1999-07-23 | 1999-07-23 | ドレッシング装置、研磨装置および研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001030156A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103817600A (zh) * | 2012-11-16 | 2014-05-28 | 有研半导体材料股份有限公司 | 一种双面抛光用抛光布的修整工艺 |
-
1999
- 1999-07-23 JP JP20956899A patent/JP2001030156A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103817600A (zh) * | 2012-11-16 | 2014-05-28 | 有研半导体材料股份有限公司 | 一种双面抛光用抛光布的修整工艺 |
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