JPH07254578A - 研磨布の表面処理方法および研磨装置 - Google Patents
研磨布の表面処理方法および研磨装置Info
- Publication number
- JPH07254578A JPH07254578A JP4582694A JP4582694A JPH07254578A JP H07254578 A JPH07254578 A JP H07254578A JP 4582694 A JP4582694 A JP 4582694A JP 4582694 A JP4582694 A JP 4582694A JP H07254578 A JPH07254578 A JP H07254578A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing cloth
- inorganic material
- material plate
- plate
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004744 fabric Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 68
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 50
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 119
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 36
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 27
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 26
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 10
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 abstract 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 27
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 19
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 19
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 6
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- FGHSTPNOXKDLKU-UHFFFAOYSA-N nitric acid;hydrate Chemical compound O.O[N+]([O-])=O FGHSTPNOXKDLKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWFGVMYFCODZRD-UHFFFAOYSA-N oxidanium;hydrogen sulfate Chemical compound O.OS(O)(=O)=O FWFGVMYFCODZRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000012209 synthetic fiber Substances 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 層間絶縁膜の平坦化する研磨方法において、
加工速度を劣化させる加工削りかすや研磨剤粒子を、研
磨布表面を汚染することなく研磨布表面層から除去する
ことで、平坦化研磨工程の歩留まり向上させる。 【構成】 研磨布7に純水11を滴下しながら、表面に
微小凹凸のある石英板1を自転させながら研磨布に押し
あてる。それによって研磨布7の表面層を削り取ると同
時に層間膜の加工削りかすや研磨剤粒子を除去する。
加工速度を劣化させる加工削りかすや研磨剤粒子を、研
磨布表面を汚染することなく研磨布表面層から除去する
ことで、平坦化研磨工程の歩留まり向上させる。 【構成】 研磨布7に純水11を滴下しながら、表面に
微小凹凸のある石英板1を自転させながら研磨布に押し
あてる。それによって研磨布7の表面層を削り取ると同
時に層間膜の加工削りかすや研磨剤粒子を除去する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は平坦化ポリッシング(研
磨)の方法に関するものであり、詳しくは研磨布の目詰
まりを回避する方法とそれに使う研磨布表面処理用無機
材料板および研磨装置に関する。
磨)の方法に関するものであり、詳しくは研磨布の目詰
まりを回避する方法とそれに使う研磨布表面処理用無機
材料板および研磨装置に関する。
【0002】
【従来の技術】配線層が立体的に配置された多層配線層
を有する半導体集積回路を形成するには、多層配線間の
層間絶縁膜(シリコン酸化膜)の表面を平坦にする必要
がある。すなわち、第1層目(最下層)のアルミ配線を
形成した後、CVD法によりシリコン酸化膜を成膜する
と、配線層の存在によりシリコン酸化膜表面に凹凸が生
じてしまう。フォトリソグラフィーおよびドライエッチ
ング工程で、この凹凸の存在する酸化膜上に第2のアル
ミ配線層を形成しようとすると、凹凸部でレジストパタ
ーニングの露光焦点が合わない、あるいは段差部にドラ
イエッチング残りが生じる等の不具合が生じる。このた
め、ポリッシングにより層間絶縁膜表面の凹凸を取り除
いて平坦にしている(特願平4−94677号明細
書)。すなわち、回転研磨定盤上の研磨布に加工液を滴
下し、この研磨布にシリコン基板を押し当てることによ
り、層間絶縁膜表面の凹凸を取り除いている。シリコン
酸化膜のポリッシングは、酸化シリコンの化学的エッチ
ング作用と研磨剤粒子との摩擦による機械的作用により
進行し、通常、加工液には粒径20nm程度のシリカ粒子
(研磨剤粒子)を、アンモニア水溶液に10〜30wt
%程度分散させた加工液が使われている(特願平4−7
5338号明細書)。
を有する半導体集積回路を形成するには、多層配線間の
層間絶縁膜(シリコン酸化膜)の表面を平坦にする必要
がある。すなわち、第1層目(最下層)のアルミ配線を
形成した後、CVD法によりシリコン酸化膜を成膜する
と、配線層の存在によりシリコン酸化膜表面に凹凸が生
じてしまう。フォトリソグラフィーおよびドライエッチ
ング工程で、この凹凸の存在する酸化膜上に第2のアル
ミ配線層を形成しようとすると、凹凸部でレジストパタ
ーニングの露光焦点が合わない、あるいは段差部にドラ
イエッチング残りが生じる等の不具合が生じる。このた
め、ポリッシングにより層間絶縁膜表面の凹凸を取り除
いて平坦にしている(特願平4−94677号明細
書)。すなわち、回転研磨定盤上の研磨布に加工液を滴
下し、この研磨布にシリコン基板を押し当てることによ
り、層間絶縁膜表面の凹凸を取り除いている。シリコン
酸化膜のポリッシングは、酸化シリコンの化学的エッチ
ング作用と研磨剤粒子との摩擦による機械的作用により
進行し、通常、加工液には粒径20nm程度のシリカ粒子
(研磨剤粒子)を、アンモニア水溶液に10〜30wt
%程度分散させた加工液が使われている(特願平4−7
5338号明細書)。
【0003】ところで、表面の微小な凹凸を取り除くこ
とを目的とした研磨布としては、硬くかつ平坦な表面特
性を有している必要がある。研磨布としては、合成繊維
を固めた繊維型研磨布(たとえば、ポリウレタン含浸ポ
リエステル繊維布)と高分子を発泡させた発泡型研磨布
(たとえば、発泡ポリウレタン)がある。
とを目的とした研磨布としては、硬くかつ平坦な表面特
性を有している必要がある。研磨布としては、合成繊維
を固めた繊維型研磨布(たとえば、ポリウレタン含浸ポ
リエステル繊維布)と高分子を発泡させた発泡型研磨布
(たとえば、発泡ポリウレタン)がある。
【0004】繊維型研磨布には、繊維間に微小な隙間が
あり、研磨布全面にこの隙間がチャネル状につながって
いる。したがって、加工液に含まれるシリカ粒子や層間
絶縁膜の加工削りくず等が隙間を通って研磨布外周部か
ら排出され、研磨布表面が目詰まりすることは少ない。
しかしながら、この連続した隙間がある故に、研磨布自
体の硬さが減少し、層間絶縁膜の平坦化ポリッシングに
はあまり適さない。
あり、研磨布全面にこの隙間がチャネル状につながって
いる。したがって、加工液に含まれるシリカ粒子や層間
絶縁膜の加工削りくず等が隙間を通って研磨布外周部か
ら排出され、研磨布表面が目詰まりすることは少ない。
しかしながら、この連続した隙間がある故に、研磨布自
体の硬さが減少し、層間絶縁膜の平坦化ポリッシングに
はあまり適さない。
【0005】一方、発泡型研磨布では、発泡による球状
ポアーの密度を少なくすれば硬くかつ表面の平坦な研磨
布となり、平坦化ポリシングには適している。しかしな
がら、複数枚連続してポリッシングを行うと、表面付近
に存在するポアー内に研磨剤(シリカ粒子)や加工削り
くずがたまり、層間絶縁膜表面にスクラッチ(傷)を発
生させたり、また層間膜の加工速度を低下させてしまう
といった欠点がある。
ポアーの密度を少なくすれば硬くかつ表面の平坦な研磨
布となり、平坦化ポリシングには適している。しかしな
がら、複数枚連続してポリッシングを行うと、表面付近
に存在するポアー内に研磨剤(シリカ粒子)や加工削り
くずがたまり、層間絶縁膜表面にスクラッチ(傷)を発
生させたり、また層間膜の加工速度を低下させてしまう
といった欠点がある。
【0006】そこで、この発泡型研磨布の目詰まりを回
避するため、ポリッシングを行う度に研磨布の極表面層
を削りとって目詰まりのない研磨布面を出させる工程、
すなわち研磨布表面コンディショニング工程を行ってい
る。図7に示すように、従来の方法では、このコンディ
ショニング工程は、1〜100μm のダイアモンド粒子
16をステンレス円盤14に電着させたダイアモンド電
着層15を、純水あるいは加工液を加えながら発泡型研
磨布7に押し付けている。
避するため、ポリッシングを行う度に研磨布の極表面層
を削りとって目詰まりのない研磨布面を出させる工程、
すなわち研磨布表面コンディショニング工程を行ってい
る。図7に示すように、従来の方法では、このコンディ
ショニング工程は、1〜100μm のダイアモンド粒子
16をステンレス円盤14に電着させたダイアモンド電
着層15を、純水あるいは加工液を加えながら発泡型研
磨布7に押し付けている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この従来の
研磨布表面処理法であるところのダイアモンド治具の回
転している研磨布への押し付けを行った場合、図7
(b)に示すようにダイアモンド粒子16の一部が脱落
して研磨布7に食い込み、このダイアモンド粒子16に
よって層間絶縁膜表面に傷(スクラッチ)が発生すると
いう問題があった。また、ステンレス等の金属板14に
ダイアモンド粒子16を電着しているため、研磨布7が
金属汚染されるといった問題もあった。ステンレス板へ
のダイアモンド電着にはNiを用いている。そのため、
ダイアモンド粒子が脱落するとNiが加工液に溶解し半
導体基板を汚染する。またステンレス板の下面にダイア
モンド粒子が電着されているためステンレス板側面から
の金属の溶解あるいは剥離でも半導体基板が汚染され
る。
研磨布表面処理法であるところのダイアモンド治具の回
転している研磨布への押し付けを行った場合、図7
(b)に示すようにダイアモンド粒子16の一部が脱落
して研磨布7に食い込み、このダイアモンド粒子16に
よって層間絶縁膜表面に傷(スクラッチ)が発生すると
いう問題があった。また、ステンレス等の金属板14に
ダイアモンド粒子16を電着しているため、研磨布7が
金属汚染されるといった問題もあった。ステンレス板へ
のダイアモンド電着にはNiを用いている。そのため、
ダイアモンド粒子が脱落するとNiが加工液に溶解し半
導体基板を汚染する。またステンレス板の下面にダイア
モンド粒子が電着されているためステンレス板側面から
の金属の溶解あるいは剥離でも半導体基板が汚染され
る。
【0008】本発明の目的は、粒子による傷の発生と金
属汚染の少ない、研磨布の表面処理方法および研磨装置
を提供することである。
属汚染の少ない、研磨布の表面処理方法および研磨装置
を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の研磨布の表面処
理は、一部あるいは全面に微小な凹凸のある石英、サフ
ァイアなどの無機材料板を、目詰まりした研磨布に押し
当て、目詰まり部分を除去することを特徴とする方法で
ある。この無機材料板には排出物の外部への通路となる
溝が形成されていてもよい。また、研磨布と無機材料板
との間に洗浄水を流しながら目詰まり部分を除去する
際、洗浄水として電解イオン水を使ってもよい。
理は、一部あるいは全面に微小な凹凸のある石英、サフ
ァイアなどの無機材料板を、目詰まりした研磨布に押し
当て、目詰まり部分を除去することを特徴とする方法で
ある。この無機材料板には排出物の外部への通路となる
溝が形成されていてもよい。また、研磨布と無機材料板
との間に洗浄水を流しながら目詰まり部分を除去する
際、洗浄水として電解イオン水を使ってもよい。
【0010】また、研磨布の表面処理機能を具備する研
磨装置において、無機材料板を自転させた状態で回転し
ている研磨布に押し当てる機能と、自転する無機材料板
が研磨布面に対して常に平行となるように無機材料板の
自転軸に自由度があることを特徴とする研磨装置であ
る。さらに、前記研磨装置において、前記研磨布表面処
理時に板の中心部より水を供給する機能を有する研磨装
置である。
磨装置において、無機材料板を自転させた状態で回転し
ている研磨布に押し当てる機能と、自転する無機材料板
が研磨布面に対して常に平行となるように無機材料板の
自転軸に自由度があることを特徴とする研磨装置であ
る。さらに、前記研磨装置において、前記研磨布表面処
理時に板の中心部より水を供給する機能を有する研磨装
置である。
【0011】
【作用】本発明では、ダイアモンド電着粒子のような角
張った粒子の集合体面で研磨布のコンディショニングを
行うのでなく、微小凹凸のある石英、サファイア等の硬
質無機材料板で行うので、研磨布に硬い微粒子が落ちる
ことはない。その結果コンディショニング後層間絶縁膜
をポリッシングしても、傷が発生することはない。ま
た、硬質無機材料を研磨布に押し当てているため、当然
のことながら研磨布が金属汚染されることはない。
張った粒子の集合体面で研磨布のコンディショニングを
行うのでなく、微小凹凸のある石英、サファイア等の硬
質無機材料板で行うので、研磨布に硬い微粒子が落ちる
ことはない。その結果コンディショニング後層間絶縁膜
をポリッシングしても、傷が発生することはない。ま
た、硬質無機材料を研磨布に押し当てているため、当然
のことながら研磨布が金属汚染されることはない。
【0012】また、研磨定盤の回転速度と同じ速度で硬
質無機材料板を自転させることにより、無機材料板と研
磨布との相対速度が無機材料板面内で位置によらず一定
とすることができ、さらに無機材料板が研磨布面に対し
て平行となるように回転軸に自由度を持たせてあること
で、研磨布全面に対して均一に表面処理が可能であり、
その結果層間膜の加工面内均一性が向上する。
質無機材料板を自転させることにより、無機材料板と研
磨布との相対速度が無機材料板面内で位置によらず一定
とすることができ、さらに無機材料板が研磨布面に対し
て平行となるように回転軸に自由度を持たせてあること
で、研磨布全面に対して均一に表面処理が可能であり、
その結果層間膜の加工面内均一性が向上する。
【0013】またコンディショニング時に無機材料板の
中心部から水を供給することにより、研磨布表面に付着
していた削りくずやシリカ粒子が速やかに無機材料板の
外部に流れ出してゆくため、研磨布のコンディショニン
グを効率よく行える。
中心部から水を供給することにより、研磨布表面に付着
していた削りくずやシリカ粒子が速やかに無機材料板の
外部に流れ出してゆくため、研磨布のコンディショニン
グを効率よく行える。
【0014】また無機材料板には溝が彫られているた
め、この溝を通して無機材料板全面に洗浄水がよく行き
渡るとともに、溝がない場合に比べ削りくずやシリカ粒
子が外部に排出される時間を少し短くすることができ
る。従ってコンディショニングに要する時間を少し短縮
できる。ただし溝がなくても無機材料板全面に微小凹凸
があれば充分コンディショニングはできる。
め、この溝を通して無機材料板全面に洗浄水がよく行き
渡るとともに、溝がない場合に比べ削りくずやシリカ粒
子が外部に排出される時間を少し短くすることができ
る。従ってコンディショニングに要する時間を少し短縮
できる。ただし溝がなくても無機材料板全面に微小凹凸
があれば充分コンディショニングはできる。
【0015】さらに、本発明の洗浄装置では、コンディ
ショニング後に無機材料板表面をすぐに洗浄する機構を
備えているため、削りくずやシリカ粒子が無機材料板表
面へ固着するのを防止し、無機材料板の研磨布表面処理
の能力が処理工程回数の増加に伴って劣化することを抑
制できる。
ショニング後に無機材料板表面をすぐに洗浄する機構を
備えているため、削りくずやシリカ粒子が無機材料板表
面へ固着するのを防止し、無機材料板の研磨布表面処理
の能力が処理工程回数の増加に伴って劣化することを抑
制できる。
【0016】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。図1は、本発明による研磨布表面処理用の高
純度石英板の上面図と断面図である。石英板1表面には
格子状に溝2が形成され、溝部以外の突起部3領域表面
には微小な凹凸4が形成されている。研磨布はここでは
発泡ポリウレタンを使った。
説明する。図1は、本発明による研磨布表面処理用の高
純度石英板の上面図と断面図である。石英板1表面には
格子状に溝2が形成され、溝部以外の突起部3領域表面
には微小な凹凸4が形成されている。研磨布はここでは
発泡ポリウレタンを使った。
【0017】石英板1の直径に特に制限はないが、研磨
定盤の直径の半分よりやや小さい程度が適当である。例
えば研磨定盤の径がΦ480mmの場合、石英板1の径は
Φ230mmである。また、その厚さは30〜40mm程度
であれば機械的強度は十分である。溝2の幅やピッチに
も制限はないが、例えば幅1〜10mm、ピッチ10〜2
0mm程度が適当である。石英突起部3表面には段差0.
5〜3mm程度の微小な凹凸4が多数形成されている。
定盤の直径の半分よりやや小さい程度が適当である。例
えば研磨定盤の径がΦ480mmの場合、石英板1の径は
Φ230mmである。また、その厚さは30〜40mm程度
であれば機械的強度は十分である。溝2の幅やピッチに
も制限はないが、例えば幅1〜10mm、ピッチ10〜2
0mm程度が適当である。石英突起部3表面には段差0.
5〜3mm程度の微小な凹凸4が多数形成されている。
【0018】石英板は次のように作製する。
【0019】まず微小な凹凸4を作った後溝2を形成す
る。微小な凹凸を作るには、V字型のダイアモンドカッ
タ−で、石英あるいはサファイア表面に切り込みを入れ
る。切り込みの深さは0.5〜3mm程度で、その幅は2
〜5mm程度である。このV字型カッターで格子状に切り
込み、四角錐状の微小な凹凸を形成する。また横方向に
のみ連続して切り込みを入れれば、三角刃状の微細な凹
凸が形成される。この切り込みをある部分一方向だけに
し他の部分を格子状にしたりすることで、三角刃状と四
角錐状とが混合した微細凹凸のある石英あるいはサファ
イア面ができる。またある領域をV字型カッターで切り
込まなければ、局部的な凹凸のない平面部を残すことも
できる。
る。微小な凹凸を作るには、V字型のダイアモンドカッ
タ−で、石英あるいはサファイア表面に切り込みを入れ
る。切り込みの深さは0.5〜3mm程度で、その幅は2
〜5mm程度である。このV字型カッターで格子状に切り
込み、四角錐状の微小な凹凸を形成する。また横方向に
のみ連続して切り込みを入れれば、三角刃状の微細な凹
凸が形成される。この切り込みをある部分一方向だけに
し他の部分を格子状にしたりすることで、三角刃状と四
角錐状とが混合した微細凹凸のある石英あるいはサファ
イア面ができる。またある領域をV字型カッターで切り
込まなければ、局部的な凹凸のない平面部を残すことも
できる。
【0020】次に、通常のダイアモンドカッターで深さ
3〜10mm程度、幅1〜10mm程度の溝2をピッチ10
〜20mm程度に形成する。この溝以外の領域が突起部3
となる。突起部3の表面には最初に作った四角錐状ある
いは三角刃状の微小凹凸が形成されている。
3〜10mm程度、幅1〜10mm程度の溝2をピッチ10
〜20mm程度に形成する。この溝以外の領域が突起部3
となる。突起部3の表面には最初に作った四角錐状ある
いは三角刃状の微小凹凸が形成されている。
【0021】なお、図2(a)に示すように、石英板1
の外周部にだけ微小凹凸4のある突起部を形成させても
よいし、さらに図2(b)に示すように突起部のうち、
微小凹凸のない平坦な突起部5を混在させてもよい。微
小凹凸部4で研磨布の表面層の一部が削り取られる際に
研磨布表面が毛羽だってしまった場合、平坦な突起部5
はその毛羽を押し倒して平面にする作用がある。研磨布
の性質により、平面突起5と微小凹凸突起4との存在割
合を調整する必要があるが、特に硬い発泡型研磨布の場
合、すべて表面に三角刃状あるいは四角錐状の微細凹凸
のある突起であってもさしつかえない。
の外周部にだけ微小凹凸4のある突起部を形成させても
よいし、さらに図2(b)に示すように突起部のうち、
微小凹凸のない平坦な突起部5を混在させてもよい。微
小凹凸部4で研磨布の表面層の一部が削り取られる際に
研磨布表面が毛羽だってしまった場合、平坦な突起部5
はその毛羽を押し倒して平面にする作用がある。研磨布
の性質により、平面突起5と微小凹凸突起4との存在割
合を調整する必要があるが、特に硬い発泡型研磨布の場
合、すべて表面に三角刃状あるいは四角錐状の微細凹凸
のある突起であってもさしつかえない。
【0022】図3に示すがごとく、まず石英板1を円形
ステンレス板19に固定する。この円形ステンレス板1
9にはトルク伝達部10の凹部とL字型ステンレス板2
1が取り付けてある。モータ8からモータ回転軸9の側
面にはL字型ステンレス板21を挟み込むようなコの字
型ステンレス板20を取り付けてある。モータ8が回転
すると、コの字型ステンレス板20に挟まれたL字型ス
テンレス板21を介して円形板19と石英板1とが回転
する。
ステンレス板19に固定する。この円形ステンレス板1
9にはトルク伝達部10の凹部とL字型ステンレス板2
1が取り付けてある。モータ8からモータ回転軸9の側
面にはL字型ステンレス板21を挟み込むようなコの字
型ステンレス板20を取り付けてある。モータ8が回転
すると、コの字型ステンレス板20に挟まれたL字型ス
テンレス板21を介して円形板19と石英板1とが回転
する。
【0023】なお、回転軸9を介して円形板19と石英
板1には荷重がかかるが、この装置では、回転軸9と円
形板19と石英板1とは球面トルク伝達部10を介して
接続されているため、研磨布面7に対して常に平行とな
るように追従できる自由度を持っている。石英板の圧力
は石英板表面に形成した微小凹凸4の大きさやその密度
によるが、0.05〜0.5Kg/cm2 程度である。
この際、100〜500ml/min程度の純水を純水
供給部12から加える。石英板と研磨布(研磨定盤)の
回転速度は同じであることが望ましく、例えば20〜1
00rpm程度が適当であるが、どちらかの回転速度が
相対的に異なるように設定してもよい。
板1には荷重がかかるが、この装置では、回転軸9と円
形板19と石英板1とは球面トルク伝達部10を介して
接続されているため、研磨布面7に対して常に平行とな
るように追従できる自由度を持っている。石英板の圧力
は石英板表面に形成した微小凹凸4の大きさやその密度
によるが、0.05〜0.5Kg/cm2 程度である。
この際、100〜500ml/min程度の純水を純水
供給部12から加える。石英板と研磨布(研磨定盤)の
回転速度は同じであることが望ましく、例えば20〜1
00rpm程度が適当であるが、どちらかの回転速度が
相対的に異なるように設定してもよい。
【0024】この工程により、研磨布7の表面層の一部
および表面に付着しているシリカ粒子や発泡による研磨
布内ポアー内に堆積した削りかす等が排除される。この
際、石英板の溝2が純水11および排除物の通路とな
る。
および表面に付着しているシリカ粒子や発泡による研磨
布内ポアー内に堆積した削りかす等が排除される。この
際、石英板の溝2が純水11および排除物の通路とな
る。
【0025】また、溝がないと、コンディショニング終
了後石英板と研磨布との間に作用する水の表面張力によ
り、石英板1を研磨布7から引き離すことが困難であっ
たが、溝2の存在により水の表面張力は作用しなくな
る。従って、この発明による装置で研磨布7のコンディ
ショニングをして研磨布7の目詰まり等を除去すること
で、たとえ発泡型研磨布を用いた場合であっても、研磨
布の使用時間の経過とともに層間絶縁膜の加工速度が低
下することはない。さらに、ダイアモンド電着治具15
を用いた際に認められたスクラッチも認められない。当
然のことながら、金属汚染もない。
了後石英板と研磨布との間に作用する水の表面張力によ
り、石英板1を研磨布7から引き離すことが困難であっ
たが、溝2の存在により水の表面張力は作用しなくな
る。従って、この発明による装置で研磨布7のコンディ
ショニングをして研磨布7の目詰まり等を除去すること
で、たとえ発泡型研磨布を用いた場合であっても、研磨
布の使用時間の経過とともに層間絶縁膜の加工速度が低
下することはない。さらに、ダイアモンド電着治具15
を用いた際に認められたスクラッチも認められない。当
然のことながら、金属汚染もない。
【0026】なお、上述した実施例では、石英板1に格
子状の溝パターンを形成したが、溝パターン形状には関
係なく、例えば同心円状と放射状を組み合わせたもの、
放射状のみ、渦巻き状、ランダム状などでも目的とする
効果が得られる。
子状の溝パターンを形成したが、溝パターン形状には関
係なく、例えば同心円状と放射状を組み合わせたもの、
放射状のみ、渦巻き状、ランダム状などでも目的とする
効果が得られる。
【0027】図4は、Φ470mmの研磨布をコンディシ
ョニングするために使用した石英コンディショニング治
具の実施例を示す。この場合、治具の径は230mmとし
ている。まず、Φ230mmの石英板1(厚さ:40mm)
のΦ140mm内部を深さ5mm程度ざぐり取る。次にV字
型カッターを縦横に操作して表面に四角錐状の凹凸4を
形成する。ここでは高さ2mm、幅3.3mmとした。その
後深さ5mm、幅1mmの溝2を格子状に形成する。これら
一連の工程で、石英板外周部に微小凹凸4(この場合四
角錐状)と排水路である溝2を形成する。なお、このよ
うに大口径の石英板をつかったとしても、微小凹凸を外
周部にのみ形成する場合は排水路用溝2の効果は少な
く、必ずしも溝を必要とするものではない。
ョニングするために使用した石英コンディショニング治
具の実施例を示す。この場合、治具の径は230mmとし
ている。まず、Φ230mmの石英板1(厚さ:40mm)
のΦ140mm内部を深さ5mm程度ざぐり取る。次にV字
型カッターを縦横に操作して表面に四角錐状の凹凸4を
形成する。ここでは高さ2mm、幅3.3mmとした。その
後深さ5mm、幅1mmの溝2を格子状に形成する。これら
一連の工程で、石英板外周部に微小凹凸4(この場合四
角錐状)と排水路である溝2を形成する。なお、このよ
うに大口径の石英板をつかったとしても、微小凹凸を外
周部にのみ形成する場合は排水路用溝2の効果は少な
く、必ずしも溝を必要とするものではない。
【0028】図5は、サファイアをコンディショニング
治具として使った場合の実施例である。サファイアは石
英よりも硬く、コンディショニング治具の材料として好
ましいが、大口径のものは非常に高価である。そこで、
小口径のサファイア板18(例えばΦ20から30mm、
厚さ5〜10mm程度)の表面に三角錐状、四角錐状ある
いは三角刃状の微小凹凸4を形成し、複数の小口径サフ
ァイア板を大口径の石英板1(例えばΦ230mm)また
はガラス板に敷き詰めるように張り込む。この場合小口
径サファイア板間に多少の隙間があるため、台座となる
石英板に排水用の溝をあえて作る必要はない。ここで
は、小口径サファイア表面に四角錐状の微小凹凸を設け
たもの(図中のサファイア板A)と、三角刃状の凹凸を
設けたもの(図中のサファイア板B)とで構成される2
種類を張り込んでいる。特に、三角刃状の凹凸の長手方
向を石英板の中心方向に向ける、即ち三角刃の長手方向
が放射状あるいはそれに近い方向に設定されている。こ
れは研磨布とは点接触する四角錐状の凹凸で研磨布表面
を荒削りし、線接触する三角刃状凹凸で仕上げるという
効果がある。発泡ポリウレタン等の硬い研磨布では、点
接触させる四角錐状凹凸の形成されたサファイア板の割
合を多くしたり、また繊維状ポリエステル等の比較的柔
らかい研磨布では、線接触させる三角刃状凹凸の割合を
多くする。当然のことながら、すべて四角錐状でも、す
べて三角刃状でもよい。また小型サファイア板18の形
状は、円、四角あるいはその他の多角形でもよく、また
台座となる石英板全面に敷き詰めるように張り込んでも
よい。またサファイア板を張り込む方法として、小口径
のサファイア板を石英板1に張り込んだ後、サファイア
板18表面に微小凹凸を設けてもよい。この場合、サフ
ァイア板を張り込んだ後、サファイア板を研磨して描く
サファイア板の石英板からの突出量を一定させることが
できる。後工程でサファイア板に微小凹凸を形成するこ
とで、すべての微小凹凸の凸部の先端位置を容易に大口
径石英板内で一定にできるという利点がある。なお、石
英板1表面に彫り込みを形成せず、直接サファイア板1
8を張り込んでも良い。
治具として使った場合の実施例である。サファイアは石
英よりも硬く、コンディショニング治具の材料として好
ましいが、大口径のものは非常に高価である。そこで、
小口径のサファイア板18(例えばΦ20から30mm、
厚さ5〜10mm程度)の表面に三角錐状、四角錐状ある
いは三角刃状の微小凹凸4を形成し、複数の小口径サフ
ァイア板を大口径の石英板1(例えばΦ230mm)また
はガラス板に敷き詰めるように張り込む。この場合小口
径サファイア板間に多少の隙間があるため、台座となる
石英板に排水用の溝をあえて作る必要はない。ここで
は、小口径サファイア表面に四角錐状の微小凹凸を設け
たもの(図中のサファイア板A)と、三角刃状の凹凸を
設けたもの(図中のサファイア板B)とで構成される2
種類を張り込んでいる。特に、三角刃状の凹凸の長手方
向を石英板の中心方向に向ける、即ち三角刃の長手方向
が放射状あるいはそれに近い方向に設定されている。こ
れは研磨布とは点接触する四角錐状の凹凸で研磨布表面
を荒削りし、線接触する三角刃状凹凸で仕上げるという
効果がある。発泡ポリウレタン等の硬い研磨布では、点
接触させる四角錐状凹凸の形成されたサファイア板の割
合を多くしたり、また繊維状ポリエステル等の比較的柔
らかい研磨布では、線接触させる三角刃状凹凸の割合を
多くする。当然のことながら、すべて四角錐状でも、す
べて三角刃状でもよい。また小型サファイア板18の形
状は、円、四角あるいはその他の多角形でもよく、また
台座となる石英板全面に敷き詰めるように張り込んでも
よい。またサファイア板を張り込む方法として、小口径
のサファイア板を石英板1に張り込んだ後、サファイア
板18表面に微小凹凸を設けてもよい。この場合、サフ
ァイア板を張り込んだ後、サファイア板を研磨して描く
サファイア板の石英板からの突出量を一定させることが
できる。後工程でサファイア板に微小凹凸を形成するこ
とで、すべての微小凹凸の凸部の先端位置を容易に大口
径石英板内で一定にできるという利点がある。なお、石
英板1表面に彫り込みを形成せず、直接サファイア板1
8を張り込んでも良い。
【0029】図6は、研磨布表面処理時に石英板1中心
部から純水11が供給される場合の実施例であり、モー
タ回転軸の内部、球面トルク伝達部10のフレキシブル
チューブ13を通って石英板中心部17から純水11が
流れ出す。この様な機構の場合、水流は常に石英板1外
周部へと向かうため、研磨布7の表面層に付着している
シリカ粒子や研磨布内ポアー内に堆積した削りかす等の
排除が促進され、コンディショニング工程がより均一に
行える。
部から純水11が供給される場合の実施例であり、モー
タ回転軸の内部、球面トルク伝達部10のフレキシブル
チューブ13を通って石英板中心部17から純水11が
流れ出す。この様な機構の場合、水流は常に石英板1外
周部へと向かうため、研磨布7の表面層に付着している
シリカ粒子や研磨布内ポアー内に堆積した削りかす等の
排除が促進され、コンディショニング工程がより均一に
行える。
【0030】コンディショニング治具の材質としては、
少なくとも加工液に含まれる研磨剤粒子と同等あるいは
それ以上の硬さの硬質無機材料であればよく、シリカ粒
子を研磨剤として使ったときは、石英板の他にサファイ
ア板、ダイアモンド板、アルミナ焼結体板に微小凹凸を
形成してもよい。
少なくとも加工液に含まれる研磨剤粒子と同等あるいは
それ以上の硬さの硬質無機材料であればよく、シリカ粒
子を研磨剤として使ったときは、石英板の他にサファイ
ア板、ダイアモンド板、アルミナ焼結体板に微小凹凸を
形成してもよい。
【0031】また、上述した実施例ではコンディショニ
ング時に純水を用いたが、石英板などを腐食しない水溶
液であればよく、例えば、パーティクル除去性の高い電
解イオン水(1993年VLSI技術シンポジュウム、
テクニカルダイジェスト、p107)でもよい。この電
解イオン水は、例えば、多孔質の膜で隔てられた水槽に
陰電極および陽電極を設置した連続給水式電界イオン水
生成装置に直流電界を印加して水を電気分解することで
得られる。電解で陰極にH+ イオンが引き寄せられて電
子を受け取ってH2 ガスとなり放出されるが、H+ イオ
ンの減少に対応してOH- イオンが残り、陰極水は弱ア
ルカリ性を示す。同様に陽極では酸素ガス放出でOH-
イオンの減少に対応して陽極水は酸性になる。
ング時に純水を用いたが、石英板などを腐食しない水溶
液であればよく、例えば、パーティクル除去性の高い電
解イオン水(1993年VLSI技術シンポジュウム、
テクニカルダイジェスト、p107)でもよい。この電
解イオン水は、例えば、多孔質の膜で隔てられた水槽に
陰電極および陽電極を設置した連続給水式電界イオン水
生成装置に直流電界を印加して水を電気分解することで
得られる。電解で陰極にH+ イオンが引き寄せられて電
子を受け取ってH2 ガスとなり放出されるが、H+ イオ
ンの減少に対応してOH- イオンが残り、陰極水は弱ア
ルカリ性を示す。同様に陽極では酸素ガス放出でOH-
イオンの減少に対応して陽極水は酸性になる。
【0032】酸化還元電位が−800mV(還元側)の
陰極水である弱アルカリ性イオン水を使った場合、研磨
布と研磨剤粒子(シリカ)の表面にOH- 基が吸着し、
研磨布表面と研磨剤表面が負に帯電することで電気的に
反発しあって、研磨布にめり込んだシリカ粒子が浮き出
てきやすくなる。この効果とコンディショニング治具と
の機械的効果とを利用して、さらに効果的に研磨布のコ
ンディショニングをすることができる。
陰極水である弱アルカリ性イオン水を使った場合、研磨
布と研磨剤粒子(シリカ)の表面にOH- 基が吸着し、
研磨布表面と研磨剤表面が負に帯電することで電気的に
反発しあって、研磨布にめり込んだシリカ粒子が浮き出
てきやすくなる。この効果とコンディショニング治具と
の機械的効果とを利用して、さらに効果的に研磨布のコ
ンディショニングをすることができる。
【0033】なお希アンモニア水、酢酸アンモニア水や
アミン水溶液等化学薬品を純水に添加して弱アルカリ性
とした水溶液を使ってシリカ粒子と研磨布表面にOH-
基吸着させても同様の効果が得られるが、コンディショ
ニング廃液処理時に化学添加物を除去する工程が必要と
なるためコストが大きい。また研磨剤にアルミナ粒子を
用いた場合、陽極イオン水あるいは硝酸等を添加した酸
性水で研磨布とアルミナ粒子にH+ 基を吸着させて、コ
ンディショニングを行ってもよい。
アミン水溶液等化学薬品を純水に添加して弱アルカリ性
とした水溶液を使ってシリカ粒子と研磨布表面にOH-
基吸着させても同様の効果が得られるが、コンディショ
ニング廃液処理時に化学添加物を除去する工程が必要と
なるためコストが大きい。また研磨剤にアルミナ粒子を
用いた場合、陽極イオン水あるいは硝酸等を添加した酸
性水で研磨布とアルミナ粒子にH+ 基を吸着させて、コ
ンディショニングを行ってもよい。
【0034】さらに、炭酸水や希塩酸水、希硫酸水や希
硝酸水などを使った弱酸性水溶液を用いることもでき
る。
硝酸水などを使った弱酸性水溶液を用いることもでき
る。
【0035】なお、無機材料板としてアルミナ焼結多結
晶板を使ってもよいが、研磨布処理中にアルミナ焼結粒
子(グレイン)がこぼれ落ち、これら粒子により層間絶
縁膜表面にスクラッチが生じる恐れがあるため望ましく
ない。サファイア単結晶板を使えば前述の実施例と同様
の効果が得られる。
晶板を使ってもよいが、研磨布処理中にアルミナ焼結粒
子(グレイン)がこぼれ落ち、これら粒子により層間絶
縁膜表面にスクラッチが生じる恐れがあるため望ましく
ない。サファイア単結晶板を使えば前述の実施例と同様
の効果が得られる。
【0036】
【発明の効果】以上述べたように、この従来の研磨布表
面処理法であるところの電着ダイアモンド治具の回転し
ている研磨布への押し付けを行った場合、脱落ダイアモ
ンド粒子による層間絶縁膜表面への傷発生、研磨布の金
属汚染といった問題があった。
面処理法であるところの電着ダイアモンド治具の回転し
ている研磨布への押し付けを行った場合、脱落ダイアモ
ンド粒子による層間絶縁膜表面への傷発生、研磨布の金
属汚染といった問題があった。
【0037】そこで、本発明によるところの加工液に含
まれる研磨剤粒子と同程度あるいはそれ以上の硬さの無
機材料板を研磨布に押し当て、研磨布の目詰まり等を除
去する方法を採用することで、傷や金属汚染なしに層間
絶縁膜の平坦化が可能となり、たとえ硬い発泡型研磨布
を使用した場合であっても、使用時間の経過とともに層
間絶縁膜の加工速度が低下することはない。その結果、
平坦化ポリッシングの歩留まりや処理時間が著しく向上
し、半導体デバイスの製造コストが大幅に削減されると
いった効果がある。
まれる研磨剤粒子と同程度あるいはそれ以上の硬さの無
機材料板を研磨布に押し当て、研磨布の目詰まり等を除
去する方法を採用することで、傷や金属汚染なしに層間
絶縁膜の平坦化が可能となり、たとえ硬い発泡型研磨布
を使用した場合であっても、使用時間の経過とともに層
間絶縁膜の加工速度が低下することはない。その結果、
平坦化ポリッシングの歩留まりや処理時間が著しく向上
し、半導体デバイスの製造コストが大幅に削減されると
いった効果がある。
【図1】本発明による研磨布表面コンディショニング用
の石英板の上面および断面図である。
の石英板の上面および断面図である。
【図2】本発明による研磨布表面コンディショニング用
の石英板の断面図である。
の石英板の断面図である。
【図3】本発明によるコンディショニング用石英板を具
備した研磨装置の概略図である。
備した研磨装置の概略図である。
【図4】本発明による大口径コンディショニング用石英
板である。
板である。
【図5】本発明による小口径サファイア板を埋め込んだ
コンディショニング用治具である。
コンディショニング用治具である。
【図6】本発明によるコンディショニング用石英板を具
備した研磨装置の概略図である。
備した研磨装置の概略図である。
【図7】従来技術を説明する図であり、ステンレス基板
にダイアモンド粒子を電着させた治具を用いた場合の研
磨布コンディショニング工程を示す図である。
にダイアモンド粒子を電着させた治具を用いた場合の研
磨布コンディショニング工程を示す図である。
1 石英板 2 石英板に形成された溝 3 石英の突起部 4 石英突起部に形成された微小な凹凸 5 平坦な石英突起部 6 研磨定盤 7 研磨布 8 モーター 9 モータ回転軸 10 球面トルク伝達部 11 純水 12 純水供給部 13 フレキシブルチューブ 14 金属板(ステンレス板) 15 ダイアモンド粒子電着層 16 ダイアモンド粒子 17 石英板の中心部 18 微小凹凸の形成されたサファイア板 19 円形ステンレス板 20 コの字型ステンレス板 21 L字型ステンレス板
Claims (8)
- 【請求項1】研磨の加工液に含まれる研磨剤粒子と同等
あるいはそれ以上の硬さの無機材料板を、研磨剤粒子で
目詰まりした研磨布に押し当て、目詰まり部分を除去す
る研磨布の表面処理方法において、前記無機材料板の表
面全体あるいは一部に、微小な凹凸を有するガラス、単
結晶あるいは焼結体が設けてあることを特徴とする研磨
布の表面処理方法。 - 【請求項2】無機材料板表面にガラス、単結晶あるいは
焼結体の平坦な部分を設けてある請求項1に記載の研磨
布の表面処理方法。 - 【請求項3】研磨布と無機材料板との間に洗浄水を流し
ながら目詰まり部分を除去する請求項1または2に記載
の研磨布の表面処理方法。 - 【請求項4】洗浄水として電解イオン水を用いる請求項
3に記載の研磨布の表面処理方法。 - 【請求項5】高純度石英、サファイアあるいはアルミナ
焼結体を用いることを特徴とする研磨布表面処理用無機
材料板。 - 【請求項6】排出物の外部への通路となる溝が表面に形
成されていることを特徴とする請求項5に記載の研磨布
表面処理用無機材料板。 - 【請求項7】無機材料板を自転させた状態で、回転して
いる研磨布に押し当てる手段と、自転する無機材料板が
研磨布面に対して常に平行となるよう無機材料板の自転
軸に自由度があることを特徴とする研磨装置。 - 【請求項8】無機材料板の中心部より洗浄水を供給する
機能とを有する請求項7に記載の研磨装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4582694A JP2914166B2 (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | 研磨布の表面処理方法および研磨装置 |
US08/395,310 US5626509A (en) | 1994-03-16 | 1995-02-28 | Surface treatment of polishing cloth |
GB9504950A GB2287422B (en) | 1994-03-16 | 1995-03-10 | Surface treatment of polishing cloth |
KR1019950005411A KR0149238B1 (ko) | 1994-03-16 | 1995-03-16 | 연마천 조절방법 및 표면 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4582694A JP2914166B2 (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | 研磨布の表面処理方法および研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07254578A true JPH07254578A (ja) | 1995-10-03 |
JP2914166B2 JP2914166B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=12730052
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4582694A Expired - Fee Related JP2914166B2 (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | 研磨布の表面処理方法および研磨装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5626509A (ja) |
JP (1) | JP2914166B2 (ja) |
KR (1) | KR0149238B1 (ja) |
GB (1) | GB2287422B (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10296616A (ja) * | 1997-04-08 | 1998-11-10 | Lsi Logic Corp | 化学・機械研磨用研磨パッドの前調整 |
JP2002208575A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Sony Corp | 半導体研磨装置 |
KR100524510B1 (ko) * | 1996-06-25 | 2006-01-12 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마포를드레싱하는방법과장치 |
JP2007160496A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-28 | Shinshu Univ | ワーク研磨装置およびワーク研磨方法 |
JP2008053369A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置およびウエーハ研削方法 |
JP2008110471A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-05-15 | Ebara Corp | 基板研磨装置、基板研磨方法、基板受取方法 |
JP2011056615A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨パッドのドレッシング方法 |
CN110328616A (zh) * | 2012-05-04 | 2019-10-15 | 恩特格里斯公司 | 具有超硬磨料增强的化学机械平坦化修整器衬垫 |
Families Citing this family (66)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3098661B2 (ja) * | 1993-07-28 | 2000-10-16 | キヤノン株式会社 | 研磨剤組成物及びそれを用いる研磨方法 |
US5569062A (en) * | 1995-07-03 | 1996-10-29 | Speedfam Corporation | Polishing pad conditioning |
TW334379B (en) * | 1995-08-24 | 1998-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Compression mechanism for grinding machine of semiconductor substrate |
US5785585A (en) * | 1995-09-18 | 1998-07-28 | International Business Machines Corporation | Polish pad conditioner with radial compensation |
KR970023800A (ko) * | 1995-10-19 | 1997-05-30 | 마에다 시게루 | 폴리싱포의 드레싱방법 및 장치 |
JPH09186116A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-15 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
JP3111892B2 (ja) * | 1996-03-19 | 2000-11-27 | ヤマハ株式会社 | 研磨装置 |
US5868608A (en) * | 1996-08-13 | 1999-02-09 | Lsi Logic Corporation | Subsonic to supersonic and ultrasonic conditioning of a polishing pad in a chemical mechanical polishing apparatus |
US5851138A (en) * | 1996-08-15 | 1998-12-22 | Texas Instruments Incorporated | Polishing pad conditioning system and method |
JP3679882B2 (ja) | 1997-02-07 | 2005-08-03 | 株式会社荏原製作所 | 研磨用クロスのドレッサー及びその製造方法 |
JP3676030B2 (ja) * | 1997-04-10 | 2005-07-27 | 株式会社東芝 | 研磨パッドのドレッシング方法及び半導体装置の製造方法 |
US5868609A (en) * | 1997-04-14 | 1999-02-09 | I C Mic-Process, Inc. | Wafer carrier rotating head assembly for chemical-mechanical polishing apparatus |
US5885147A (en) * | 1997-05-12 | 1999-03-23 | Integrated Process Equipment Corp. | Apparatus for conditioning polishing pads |
US5961373A (en) * | 1997-06-16 | 1999-10-05 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device |
US6036583A (en) | 1997-07-11 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Conditioner head in a substrate polisher and method |
EP1007278A1 (de) * | 1997-08-29 | 2000-06-14 | Infineon Technologies AG | Vorrichtung und verfahren zum bearbeiten von polierpads, insbesondere poliertüchern |
US6027659A (en) * | 1997-12-03 | 2000-02-22 | Intel Corporation | Polishing pad conditioning surface having integral conditioning points |
US6159087A (en) * | 1998-02-11 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | End effector for pad conditioning |
US6135868A (en) * | 1998-02-11 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | Groove cleaning device for chemical-mechanical polishing |
JP3295888B2 (ja) * | 1998-04-22 | 2002-06-24 | 株式会社藤森技術研究所 | ケミカルマシンポリッシャの研磨盤用研磨ドレッサ |
JP3001054B1 (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-17 | 日本電気株式会社 | 研磨装置及び研磨パッドの表面調整方法 |
US6042457A (en) | 1998-07-10 | 2000-03-28 | Aplex, Inc. | Conditioner assembly for a chemical mechanical polishing apparatus |
US6302770B1 (en) | 1998-07-28 | 2001-10-16 | Nikon Research Corporation Of America | In-situ pad conditioning for CMP polisher |
US6033290A (en) * | 1998-09-29 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing conditioner |
US6217430B1 (en) | 1998-11-02 | 2001-04-17 | Applied Materials, Inc. | Pad conditioner cleaning apparatus |
US6358124B1 (en) | 1998-11-02 | 2002-03-19 | Applied Materials, Inc. | Pad conditioner cleaning apparatus |
US6283836B1 (en) * | 1999-03-08 | 2001-09-04 | Speedfam-Ipec Corporation | Non-abrasive conditioning for polishing pads |
JP3772946B2 (ja) | 1999-03-11 | 2006-05-10 | 株式会社荏原製作所 | ドレッシング装置及び該ドレッシング装置を備えたポリッシング装置 |
US6120350A (en) * | 1999-03-31 | 2000-09-19 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for reconditioning polishing pads |
EP1075898A3 (en) * | 1999-08-13 | 2003-11-05 | Mitsubishi Materials Corporation | Dresser and dressing apparatus |
US6509269B2 (en) * | 1999-10-19 | 2003-01-21 | Applied Materials, Inc. | Elimination of pad glazing for Al CMP |
US6386963B1 (en) | 1999-10-29 | 2002-05-14 | Applied Materials, Inc. | Conditioning disk for conditioning a polishing pad |
JP2001212750A (ja) * | 1999-11-25 | 2001-08-07 | Fujikoshi Mach Corp | ポリシングマシンの洗浄装置およびポリシングマシン |
US6857942B1 (en) * | 2000-01-11 | 2005-02-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Apparatus and method for pre-conditioning a conditioning disc |
JP2001196413A (ja) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、該半導体装置の製造方法、cmp装置、及びcmp方法 |
US6254461B1 (en) * | 2000-03-15 | 2001-07-03 | International Business Machines Corporation | Process of dressing glass disk polishing pads using diamond-coated dressing disks |
US6306022B1 (en) * | 2000-06-02 | 2001-10-23 | Promos Technologies, Inc. | Chemical-mechanical polishing device |
US6551176B1 (en) | 2000-10-05 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Pad conditioning disk |
US6514127B2 (en) * | 2000-11-30 | 2003-02-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Conditioner set for chemical-mechanical polishing station |
JP2002273649A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-09-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | ドレッサ−を有する研磨装置 |
SG131737A1 (en) * | 2001-03-28 | 2007-05-28 | Disco Corp | Polishing tool and polishing method and apparatus using same |
KR100468111B1 (ko) * | 2002-07-09 | 2005-01-26 | 삼성전자주식회사 | 연마 패드 컨디셔너 및 이를 갖는 화학적 기계적 연마 장치 |
US7094695B2 (en) * | 2002-08-21 | 2006-08-22 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for conditioning a polishing pad used for mechanical and/or chemical-mechanical planarization |
US7367872B2 (en) * | 2003-04-08 | 2008-05-06 | Applied Materials, Inc. | Conditioner disk for use in chemical mechanical polishing |
US7097542B2 (en) * | 2004-07-26 | 2006-08-29 | Intel Corporation | Method and apparatus for conditioning a polishing pad |
US7077722B2 (en) * | 2004-08-02 | 2006-07-18 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for actuating end effectors to condition polishing pads used for polishing microfeature workpieces |
US7066795B2 (en) * | 2004-10-12 | 2006-06-27 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad conditioner with shaped abrasive patterns and channels |
US20080014845A1 (en) * | 2006-07-11 | 2008-01-17 | Alpay Yilmaz | Conditioning disk having uniform structures |
US20080271384A1 (en) * | 2006-09-22 | 2008-11-06 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Conditioning tools and techniques for chemical mechanical planarization |
CN100537149C (zh) * | 2006-11-28 | 2009-09-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 抛光垫以及化学机械抛光方法 |
TWI473685B (zh) * | 2008-01-15 | 2015-02-21 | Iv Technologies Co Ltd | 研磨墊及其製造方法 |
US20100203811A1 (en) * | 2009-02-09 | 2010-08-12 | Araca Incorporated | Method and apparatus for accelerated wear testing of aggressive diamonds on diamond conditioning discs in cmp |
SG174351A1 (en) | 2009-03-24 | 2011-10-28 | Saint Gobain Abrasives Inc | Abrasive tool for use as a chemical mechanical planarization pad conditioner |
CA2764358A1 (en) | 2009-06-02 | 2010-12-09 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Corrosion-resistant cmp conditioning tools and methods for making and using same |
EP2474025A2 (en) * | 2009-09-01 | 2012-07-11 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Chemical mechanical polishing conditioner |
KR101674058B1 (ko) * | 2010-10-05 | 2016-11-09 | 삼성전자 주식회사 | 패드 컨디셔닝 디스크, 및 프리 컨디셔너 유닛을 포함하는 cmp 장치 |
CN103688343B (zh) | 2011-03-07 | 2016-09-07 | 恩特格里公司 | 化学机械抛光垫修整器 |
CN102794718B (zh) * | 2012-07-30 | 2014-12-17 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 柔性被动适应型光顺盘及其柔性夹层和柔性被动适应型光顺盘的操作方法 |
KR101392401B1 (ko) * | 2012-11-30 | 2014-05-07 | 이화다이아몬드공업 주식회사 | 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링 및 상기 리테이너링 제조방법 |
US9457450B2 (en) * | 2013-03-08 | 2016-10-04 | Tera Xtal Technology Corporation | Pad conditioning tool |
TWI568538B (zh) * | 2013-03-15 | 2017-02-01 | 中國砂輪企業股份有限公司 | 化學機械硏磨修整器及其製法 |
TWI511841B (zh) * | 2013-03-15 | 2015-12-11 | Kinik Co | 貼合式化學機械硏磨修整器及其製法 |
JP5538601B1 (ja) * | 2013-08-22 | 2014-07-02 | ミクロ技研株式会社 | 研磨ヘッド及び研磨処理装置 |
TW201600242A (zh) * | 2014-06-18 | 2016-01-01 | Kinik Co | 拋光墊修整器 |
TWI595973B (zh) * | 2015-06-01 | 2017-08-21 | China Grinding Wheel Corp | Chemical mechanical polishing dresser and its manufacturing method |
US20170008146A1 (en) * | 2015-07-10 | 2017-01-12 | Abrasive Technology, Inc. | Chemical mechanical planarization conditioner |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL7114274A (ja) * | 1970-10-21 | 1972-04-25 | ||
US4316928A (en) * | 1979-11-09 | 1982-02-23 | Milliken Research Corporation | Mechanically surface finished textile material |
US4728552A (en) * | 1984-07-06 | 1988-03-01 | Rodel, Inc. | Substrate containing fibers of predetermined orientation and process of making the same |
US4864729A (en) * | 1987-08-26 | 1989-09-12 | The Perfectrim Limited Partnership | Cutting blade and holder therefor |
JPH01140959A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-06-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 非接触研磨装置の錫定盤 |
US5036630A (en) * | 1990-04-13 | 1991-08-06 | International Business Machines Corporation | Radial uniformity control of semiconductor wafer polishing |
JPH0475338A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-03-10 | Seiko Epson Corp | 機械・化学研磨法 |
US5081051A (en) * | 1990-09-12 | 1992-01-14 | Intel Corporation | Method for conditioning the surface of a polishing pad |
JP3060714B2 (ja) * | 1992-04-15 | 2000-07-10 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路の製造方法 |
US5291693A (en) * | 1992-08-20 | 1994-03-08 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductors structure precision lapping method and system |
EP0589434B1 (en) * | 1992-09-24 | 1998-04-08 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
US5216843A (en) * | 1992-09-24 | 1993-06-08 | Intel Corporation | Polishing pad conditioning apparatus for wafer planarization process |
TW367551B (en) * | 1993-06-17 | 1999-08-21 | Freescale Semiconductor Inc | Polishing pad and a process for polishing |
JP2622069B2 (ja) * | 1993-06-30 | 1997-06-18 | 三菱マテリアル株式会社 | 研磨布のドレッシング装置 |
US5486131A (en) * | 1994-01-04 | 1996-01-23 | Speedfam Corporation | Device for conditioning polishing pads |
-
1994
- 1994-03-16 JP JP4582694A patent/JP2914166B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-02-28 US US08/395,310 patent/US5626509A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-03-10 GB GB9504950A patent/GB2287422B/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-03-16 KR KR1019950005411A patent/KR0149238B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100524510B1 (ko) * | 1996-06-25 | 2006-01-12 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마포를드레싱하는방법과장치 |
JPH10296616A (ja) * | 1997-04-08 | 1998-11-10 | Lsi Logic Corp | 化学・機械研磨用研磨パッドの前調整 |
JP4565674B2 (ja) * | 1997-04-08 | 2010-10-20 | エルエスアイ コーポレーション | 化学・機械研磨用研磨パッドの前調整 |
JP2002208575A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Sony Corp | 半導体研磨装置 |
JP2007160496A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-28 | Shinshu Univ | ワーク研磨装置およびワーク研磨方法 |
US8333882B2 (en) | 2005-11-15 | 2012-12-18 | Fujikoshi Machinery Corp. | Polishing apparatus and method of polishing work |
JP2008053369A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置およびウエーハ研削方法 |
JP2008110471A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-05-15 | Ebara Corp | 基板研磨装置、基板研磨方法、基板受取方法 |
JP2011056615A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨パッドのドレッシング方法 |
CN110328616A (zh) * | 2012-05-04 | 2019-10-15 | 恩特格里斯公司 | 具有超硬磨料增强的化学机械平坦化修整器衬垫 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2914166B2 (ja) | 1999-06-28 |
KR0149238B1 (ko) | 1998-12-01 |
US5626509A (en) | 1997-05-06 |
KR950027995A (ko) | 1995-10-18 |
GB2287422A (en) | 1995-09-20 |
GB2287422B (en) | 1997-08-27 |
GB9504950D0 (en) | 1995-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2914166B2 (ja) | 研磨布の表面処理方法および研磨装置 | |
JP3682379B2 (ja) | Cmpパッドコンディショニングディスク及びそのディスクの製造方法 | |
JP4926351B2 (ja) | ミクロ−テクスチャーを備えた研磨パッド | |
EP3126092B1 (en) | Polishing pads and systems and methods of making and using the same | |
KR100321271B1 (ko) | 연마포표면용드레싱도구및그제조방법 | |
TWI333259B (en) | Edge removal of silicon-on-insulator transfer wafer | |
US5888121A (en) | Controlling groove dimensions for enhanced slurry flow | |
US5645469A (en) | Polishing pad with radially extending tapered channels | |
TW200821092A (en) | Conditioning disk having uniform structures | |
US20020058469A1 (en) | Polishing pad having an advantageous micro-texture and methods relating thereto | |
JP2018535104A (ja) | 研磨パッド及びシステム、並びにその製造方法及び使用方法 | |
US6949012B2 (en) | Polishing pad conditioning method and apparatus | |
KR20060047248A (ko) | 화학 기계 연마 패드 및 그 제조 방법 및 화학 기계 연마방법 | |
JP2008137124A (ja) | 電界下における誘電性砥粒を水に分散させた流体を用いた仕上げ方法及び仕上げ装置 | |
JP2005007520A (ja) | 研磨パッド及びその製造方法並びに研磨方法 | |
JP2005333121A (ja) | 化学機械研磨パッド及びその製造方法並びに化学機械研磨方法 | |
JP2007266547A (ja) | Cmp装置及びcmp装置の研磨パッドコンディショニング処理方法 | |
JP2004167605A (ja) | 研磨パッドおよび研磨装置 | |
JPWO2008114520A1 (ja) | 化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法 | |
JP2010052080A (ja) | Cmpコンディショナ | |
JP3867629B2 (ja) | 研磨パッド及び複層型研磨パッド | |
JP3849593B2 (ja) | 研磨パッド及び複層型研磨パッド | |
JPH10286757A (ja) | Cmp用研磨布の再生仕上治具 | |
CN114986384B (zh) | 多晶硅环的化学机械抛光方法 | |
KR100584043B1 (ko) | 화학적 기계적 연마장치를 위한 컨디셔닝 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |