JP3772946B2 - ドレッシング装置及び該ドレッシング装置を備えたポリッシング装置 - Google Patents
ドレッシング装置及び該ドレッシング装置を備えたポリッシング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3772946B2 JP3772946B2 JP6571099A JP6571099A JP3772946B2 JP 3772946 B2 JP3772946 B2 JP 3772946B2 JP 6571099 A JP6571099 A JP 6571099A JP 6571099 A JP6571099 A JP 6571099A JP 3772946 B2 JP3772946 B2 JP 3772946B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dresser
- polishing
- dressing
- posture
- turntable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 114
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 19
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 43
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B47/00—Drives or gearings; Equipment therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/12—Dressing tools; Holders therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ表面、特に半導体ウエハの上面に形成されたデバイスパターンを研磨クロス面に接触させて研磨して平坦化するポリッシング装置に係り、特にポリッシング装置におけるターンテーブルに貼付られた研磨クロスのドレッシングを行うドレッシング装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭くなりつつある。特に0.5μm以下の光リソグラフィの場合、焦点深度が浅くなるためステッパの結像面の平坦度を必要とする。そこで、半導体ウエハの表面を平坦化することが必要となるが、この平坦化の一手段として所定成分の研磨液を供給しながら機械的研磨を行なう化学的機械的研磨処理(CMP)など処理方法が実用化されている。
【0003】
半導体ウエハ表面、特に半導体ウエハの上面に形成されたデバイスパターンを研磨し平坦化するポリッシング装置においては、ターンテーブル上面に貼付られた研磨クロスには、従来、不織布からなる研磨クロスを用いていた。
しかしながら、近年、ICやLSIの集積度が高くなるに従って、研磨後の研磨面の段差がより小さいことが要望されている。この段差の小さい研磨の要望に応えるため、研磨クロスに硬い材質のもの、例えば発泡ポリウレタンからなる研磨クロスを用いるようになってきた。
【0004】
研磨クロスに半導体ウエハを接触させて、ターンテーブルを回転することによりポリッシングを行うと、研磨クロスには砥粒や研磨くずが付着し、また、研磨クロスの特性が変化して研磨性能が劣化してくる。このため、同一の研磨クロスを用いて半導体ウエハの研磨を繰り返すと研磨速度が低下し、また、研磨ムラが生じる等の問題がある。そこで、半導体ウエハの研磨の前後、または最中に研磨クロス面の表面状態を回復するドレッシングと称されるコンディショニングが行われている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
発泡ポリウレタン等からなる硬い研磨クロスをドレッシングする場合、通常、ダイヤモンド等の硬度の高い材質の工具を具備したドレッサーによって研磨クロスの表面をドレッシングしている。例えば、ダイヤモンドのドレッサーを使用する場合、研磨クロスはドレッシングのたびに削られていく。例えばIC1000(ロデール社製)などの発泡ポリウレタン製の研磨クロスは、毎回1μm以下の精度を要求されながら削られていく。このときの削られた研磨クロスの上面の形状(即ち、研磨面の形状)と、ポリッシングを行ったときの被研磨物の削れ形状には相関があり、研磨クロスが平坦な研磨面を形成していれば被研磨物は均一性よく研磨されていく。ところが、ドレッサーの姿勢が悪い場合や、ドレッサーから研磨クロスに加わる押圧力の分布が不均一の場合は研磨クロスが平坦に削られず、被研磨物が均一性よく研磨されないという問題があった。
【0006】
上述のダイヤモンドのドレッサーで研磨クロスをドレッシングする場合、ドレッサーを研磨クロスに押付ける押圧力を小さくするほど研磨クロスの削れ量が小さくなり、研磨クロスの寿命の点から好ましいことが知られている。しかしながら、ドレッサーの押圧力を小さくするとドレッサーの姿勢が不安定になり、研磨クロスが平坦に削られず、研磨面にうねりが形成されるという問題点があった。本発明は、上述の事情に鑑みなされたもので、ドレッサー本体の姿勢を電磁気力によって制御しながらターンテーブルの研磨面のドレッシングを行うことにより、ターンテーブルの研磨面の平坦度を高めることができるドレッシング装置及び該ドレッシング装置を備えたポリッシング装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するため、本発明のドレッシング装置は、ポリッシング対象物と摺接するターンテーブル上の研磨面のドレッシングを行うドレッシング装置において、前記研磨面に接触して研磨面のドレッシングを行うドレッサー本体と、該ドレッサー本体に押圧力と駆動力を与えるドレッサー駆動軸と、該ドレッサー駆動軸からドレッサー本体へ互いの傾動を許容しつつ押圧力を伝達する自在継手部と、前記ドレッサー本体の前記ドレッサー駆動軸に対する姿勢を電磁気力により制御する姿勢制御手段とを設けたことを特徴とするものである。前記姿勢制御手段は、電磁気力により前記ドレッサー本体の姿勢を制御することができる。
【0008】
また本発明のポリッシング装置は、ポリッシング対象物と摺接する研磨面を有するターンテーブルと、前記研磨面のドレッシングを行うドレッシング装置とを備えたポリッシング装置において、前記研磨面に接触して研磨面のドレッシングを行うドレッサー本体と、該ドレッサー本体に押圧力と駆動力を与えるドレッサー駆動軸と、該ドレッサー駆動軸からドレッサー本体へ互いの傾動を許容しつつ押圧力を伝達する自在継手部と、前記ドレッサー本体の前記ドレッサー駆動軸に対する姿勢を電磁気力により制御する姿勢制御手段とを設けたことを特徴とするものである。
【0009】
本発明によれば、電磁気力を応用して研磨クロスの上面等の研磨面をドレッシングするドレッサーの姿勢を制御することにより、ドレッサーから研磨面に加わる押圧力の面圧分布を最適の状態にしてドレッシングを行い、平坦度の高い研磨面を得ることができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るドレッシング装置およびポリッシング装置の実施の形態を図1乃至図11を参照して説明する。
図1はポリッシング装置の第1の実施形態の全体構成を示す縦断面図であり、図2はドレッシング装置の要部断面図である。
図1および図2に示すように、ポリッシング装置は、上面に研磨クロス2を貼ったターンテーブル1と、研磨クロス2のドレッシングを行うためのドレッシング装置5とを備えている。ドレッシング装置5は、研磨クロス2のドレッシングをするためのドレッサー6と、ドレッサー6を支持しかつドレッサー6に押圧力と回転駆動力とを与えるドレッサー駆動軸7と、ドレッサー駆動軸7からドレッサー6へ互いの傾動を許容しつつ押圧力を伝達する自在継手部8と、ドレッサー6の姿勢を制御する姿勢制御装置11とから構成されている。また、ターンテーブル1の上方にはドレッシング液供給ノズル60が設置されており、ドレッシング液供給ノズル60によってターンテーブル1上の研磨クロス2上にドレッシング液が供給されるようになっている。研磨クロス2の上面は半導体ウエハの被研磨面と摺接する研磨面を構成している。
【0011】
ドレッサー6は、図2に示すように、下部の保持板9Aと上部の上部板9Bとからなるドレッサー本体9と、ドレッサー本体9の下面の凸部に形成されたダイヤモンド電着リング10とからなっている。
【0012】
前記ドレッサー駆動軸7は、図1に示すように、ドレッサーヘッド21に固定されたドレッサー用エアシリンダ22に連結されており、このドレッサー用エアシリンダ22によってドレッサー駆動軸7は上下動し、ドレッサー6の下端面のダイヤモンド電着リング10をターンテーブル1に押圧するようになっている。
【0013】
また、ドレッサー駆動軸7はキー(図示せず)を介して回転筒23に連結されており、この回転筒23はその外周部にタイミングプーリ24を有している。そして、タイミングプーリ24は、タイミングベルト25を介して、ドレッサーヘッド21に固定されたドレッサー用モータ26に設けられたタイミングプーリ27に接続されている。したがって、ドレッサー用モータ26を回転駆動することによってタイミングプーリ27、タイミングベルト25およびタイミングプーリ24を介して回転筒23およびドレッサー駆動軸7が一体に回転し、ドレッサー6が回転する。ドレッサーヘッド21は、フレームに固定支持されたドレッサーヘッドシャフト29によって支持されている。
【0014】
一方、ドレッサー駆動軸7からドレッサー6へ互いの傾動を許容しつつ押圧力を伝達する自在継手部8は、ドレッサー6とドレッサー駆動軸7の互いの傾動を可能とする球面軸受機構40と、ドレッサー駆動軸7の回転をドレッサー本体9に伝達する回転伝達機構45とを有している。球面軸受機構40は、ドレッサー駆動軸7の下端に固定された駆動フランジ41の下面の中央に形成された球面状凹部41aと、上部板9Bの上面の中央に形成された球面状凹部9aと、両凹部41a,9a間に介装されたセラミックスのような高硬度材料からなるベアリングボール42とから構成されている。
【0015】
回転伝達機構45は、駆動フランジ41に固定された駆動ピン(図示せず)と上部板9Bに固定された被駆動ピン(図示せず)とから構成され、ドレッサー本体9が傾いても、被駆動ピンと駆動ピンは相対的に上下方向に移動可能であるため、互いの接触点をずらして係合し、ドレッサー駆動軸7の回転トルクをドレッサー本体9に確実に伝達する。
【0016】
次に、ドレッサー6の姿勢を制御する姿勢制御装置11を図2乃至図6を参照して説明する。図2は前述したようにドレッシング装置の要部断面図であり、図3は図2のIII−III線矢視図であり、図4は図3のIV−IV線断面図である。
図2および図3に示すように、姿勢制御装置11は、ドレッサーヘッド21に固定された電磁石コア12と、電磁石コア12より半径方向の外方に向けて突出する4つの磁極12a,12b,12c,12dと、これら磁極12a〜12dに巻装された4つの電磁コイル13a,13b,13c,13dと、磁極12a〜12dにギャップを有して対向した円筒状のターゲット14とから構成されている。ターゲット14はドレッサー本体9に固定されている。
【0017】
図4に示すように、各磁極12a〜12dは、コ字形断面を有し、コ字形部の上部側に電磁コイル13a〜13dが巻装されている。磁極12a〜12dおよびターゲット14はパーマロイ等の磁性材によって構成されている。図3に示すように、電磁コイル13aはX軸正方向側に配置され、電磁コイル13bはX軸負方向側に配置されている。また電磁コイル13cはY軸正方向側に配置され、電磁コイル13dはY軸負方向側に配置されている。またX軸およびY軸に対して45゜傾いた2つの軸P,Q上には、上下2個の変位センサが対となった4対の変位センサ15a1,15a2;15b1,15b2;15c1,15c2;15d1,15d2が配置されている。各変位センサ対は、センサホルダ17により保持されている。
【0018】
図5は、姿勢制御装置11を制御する制御部の機能構成を示すブロック図である。図示するように、制御部は、減算器30及びコントローラ31を具備し、該減算器30にはドレッサーの姿勢の目標値と、センサ(変位センサ15a1,15a2;15b1,15b2;15c1,15c2;15d1,15d2)15で検出され、座標変換部35で変換された制御対象(ドレッサー6)の変位値α,βが入力され、その差が誤差信号eα,eβとしてコントローラ31に入力される。ここでα,βはそれぞれ図6に示すように,X軸回りの傾き、Y軸回りの傾きを示す。X軸、Y軸は水平面内に位置している。この場合、ドレッサー6はベアリングボール42を中心としてX軸回りの傾動およびY軸回りの傾動の複合運動となる。
【0019】
誤差信号eα,eβ はPID+局部位相進み処理部31−1で傾き制御及び減衰処理を受け、さらに振動除去のためノッチフィルタ31−2を通って電圧指令信号Vα,Vβ に変換される。そして座標変換部31−3で姿勢制御装置用の制御信号Vxu,Vyuに変換されて駆動部32に供給される。
【0020】
駆動部32は電磁コイル13a,13b,13c,13dとこれらを励磁する駆動回路24で構成されている。上記信号Vxu,Vyuのそれぞれは各駆動回路24に供給され、該各駆動回路24でターゲット14を図3に示すX,Y軸の正負の方向へ変位させるための励磁電流Ixu+,Ixu−,Iyu+,Iyu−に変換され、電磁コイル13a,13b,13c,13dに供給され、制御対象物(ドレッサー6)の姿勢を制御する。この場合、ドレッサー6の回転中心(ベアリングボール42)と図3に示すターゲット14のX,Y軸とは所定の高さ(L)離間しているため、ターゲット14を図3に示すX,Y軸の正負の方向に変位させると、ドレッサー本体9、すなわちドレッサー6はベアリングボール42を中心として水平面に対して任意の方向に傾動することができる。
【0021】
図7はドレッサー本体9の詳細構造を示す図であり、図7(a)は底面図、図7(b)はa−a断面図、図7(c)はb部分の拡大図である。ドレッサー本体9は円板状で下面の周端部に所定の幅で微粒のダイヤモンドを電着させる帯状の凸部9aが形成されてなり、該凸部9aの表面に微粒のダイヤモンドを電着させて形成したダイヤモンド電着リング10が設けられている。
【0022】
次に、図1乃至図7に示すように構成されたポリッシング装置の作用を説明する。従来のポリッシング装置と同様にトップリング(図示せず)の下面に半導体ウエハ(図示せず)を保持させ、トップリングを回転しているターンテーブル1に向かって押圧し、回転しているターンテーブル1の上面の研磨クロス2に半導体ウエハを押圧する。一方、砥液供給ノズル(図示せず)から研磨砥液を流すことにより、研磨クロス2に研磨砥液が保持されており、半導体ウエハの被研磨面(下面)と研磨クロス2の間に研磨砥液が存在した状態でポリッシングが行われる。このポリッシング作業を所定時間継続すると、研磨クロスには砥粒や研磨くずが付着し、また、研磨クロスの特性が変化して研磨性能が劣化している。このため、半導体ウエハの研磨の前後、または最中に研磨クロス2の上面、即ち研磨面の状態を回復するドレッシングをドレッシング装置5を用いて行う。即ち、ターンテーブル1およびドレッサー6を回転させ、さらに純水等のドレッシング液をドレッシング液供給ノズル60から研磨クロス2の略回転中心部分に向かって供給させた状態で、ダイヤモンド電着リング面を研磨クロス面に当接させて、研磨クロス表面を薄く削り取りドレッシングを行う。ダイヤモンド電着リング10は凸部9aの表面に微粒のダイヤモンドを付着させ、ダイヤモンド付着部にニッケルメッキを施すことにより、ニッケルメッキ層により微粒のダイヤモンドを固着した構造である。
【0023】
本ドレッサー6の寸法構成は、一例としてドレッサー本体9の直径が250mmで、その下面の周端部に幅6mmのダイヤモンド電着リング10を形成した構成である。また、ダイヤモンド電着リング10は複数個(図では8個)に分割して形成している。ドレッサー本体9の直径は、研磨対象物である半導体ウエハの直径に対して大きくなっており、半導体ウエハの研磨時には研磨クロスのドレスアップされた面が半導体ウエハの研磨面に対して、テーブルの半径方向の内周側及び外周側に余裕を持つようになっている。なお、ダイヤモンド電着リングからなるダイヤモンドドレッサーに代えて複数のSiCセクターからなるリングを使用したSiCドレッサーとしてもよい。この場合、SiCドレッサーは、図7に示す構造と同様のものであり、表面に数十μmの角錐状の多数の突起を有したものからなっている。
【0024】
上記ドレッシング中に、ドレッサー本体9の姿勢を姿勢制御装置11により制御する。この場合、上述したように、ドレッサー本体9の傾きを変位センサ15(15a1,15a2;15b1,15b2;15c1,15c2;15d1,15d2)の出力を処理して検知し、ドレッサー本体9の傾きを水平面に合致させるか、又は水平面に対して任意の方向に任意の角度に制御することができ、ドレッサー本体9のドレッシング面、即ちダイヤモンド電着リング10の下面と研磨クロス2の上面、即ち研磨面との平行度を維持し、ドレッシングを行うことができる。
【0025】
本実施形態によれば、ドレッサー本体9をターンテーブル1の研磨面に対して押し付ける押圧力は、エアシリンダの押圧力をそのままドレッサー6に伝達することにより得るようにしている。そして、ドレッサー6の傾きの制御のみを電磁気力を用いた姿勢制御装置11により行うようにしている。そのため、姿勢制御装置11が小型になり、簡易な構造になる。ドレッサー6の姿勢を制御する際には、予めターンテーブル1の上面の研磨面の状態(うねり等)を計測してコントローラに入力しておき、この入力値に基づきドレッサー6の最適な姿勢を求めておく。そして、変位センサ15によりドレッサー6の姿勢を検知しつつ、姿勢制御装置11により、ドレッサー6の姿勢を最適な状態に制御する。
【0026】
次に、本発明のドレッシング装置及びポリッシング装置の第2の実施の形態を図8乃至図11を参照して説明する。図8はポリッシング装置の縦断面図であり、図9は図8のIX−IX線断面図であり、図10は図9のX−X線断面図である。
第2の実施形態においては、ドレッサー6および姿勢制御装置11を含むドレッサーユニットの構成は第1の実施形態と同一であるが、ターンテーブルの構成、即ちターンテーブルの姿勢を制御することができるようになっている点が異なっている。
【0027】
図8に示すように、研磨クロス2を上面に有したターンテーブル101とモータ(図示せず)の回転軸102とは、上下のカップリング部材103,104を介して連結されている。下部カップリング部材104はモータの回転軸102の上端に固定され、上部カップリング部材103はターンテーブル101の下面に固定されている。そして、下部カップリング部材104と上部カップリング部材103との間には自動調芯ころ軸受105が配設されており、ターンテーブル101と上部カップリング部材103とが自動調芯ころ軸受105を中心として下部カップリング部材104に対して全方向に傾くことができるようになっている。また下部カップリング部材104には短柱状のピン106が植設されており、このピン106は上部カップリング部材103の係合孔103aに係合してターンテーブル101が回転するようになっている。なお係合孔103aとピン106との間には、ターンテーブル101の傾きを吸収できるように所定の隙間が形成されるようになっている。
【0028】
本実施の形態においては、ターンテーブル101の姿勢を制御する姿勢制御装置111が設けられている。姿勢制御装置111は、フレーム28に固定された電磁石コア112と、電磁石コア112に設けられた4つの磁極112a,112b,112c,112dと、これら磁極112a〜112dに巻装された4つの電磁コイル113a,113b,113c,113dと、磁極112a〜112dにギャップを有して対向した環状でかつ円盤状のターゲット114とから構成されている。ターゲット114はターンテーブル101に固定されている。
【0029】
図10に示すように、各磁極112a〜112dは、逆U字形断面を有し、逆U字形部の内部側に電磁コイル113a〜113dが巻装されている。磁極112a〜112dおよびターゲット114はパーマロイ等の磁性材によって構成されている。図9に示すように、電磁コイル113aはX軸正方向側に配置され、電磁コイル113bはX軸負方向側に配置されている。また電磁コイル113cはY軸正方向側に配置され、電磁コイル113dはY軸負方向側に配置されている。またX軸およびY軸に対して45゜傾いた2つの軸R,S上には、4個の変位センサ115a,115b,115c,115dが配置されている。
【0030】
図11は、姿勢制御装置111を制御する制御部の機能構成を示すブロック図である。図示するように、ターンテーブル、ドレッサーそれぞれの制御部は図5に示す制御部と同様の構成であり、両者の信号を入力し両者の相対位置を精密に出すための演算部が付加された構成となっている。
図11に示すようにドレッサーの制御部は、減算器30及びコントローラ31を具備し、減算器30には、ドレッサーの姿勢の目標値と、センサ15で検出され、座標変換器35で変換され、さらに演算器36によりターンテーブルの傾き情報により修正された制御対象の変位値α,βとが入力され、その差が誤差信号eα,eβとしてコントローラ31に入力される。
【0031】
一方、ターンテーブルの制御部では減算器30’及びコントローラ31’を具備し、減算器30’には、ターンテーブルの姿勢の目標値と、センサ115(変位センサ115a,115b,115c,115d)で検出され座標変換器35’で変換され、さらに演算器36によりドレッサーの傾き情報により修正された制御対象の変位値α’,β’とが入力され、その差が誤差信号eα’,eβ’としてコントローラ31’に入力される。
【0032】
演算器36では、ドレッサー、ターンテーブルの傾き情報から相対的な誤差を演算し、それぞれの目標値を修正することにより精度の高い制御が可能となる。通常はターンテーブルの傾きを基準としてドレッサーの目標位置を修正することで精度を上げられるため、ドレッサーへのフィードバックR1は省略できる。もちろん、演算器がない構成でもそれぞれの制御は可能である。ここでα’,β’はそれぞれ図9において、X軸回りの傾き、Y軸回りの傾きを示す。この場合、ターンテーブル101は自動調芯ころ軸受105を中心としてX軸回りの傾動およびY軸回りの傾動の複合運動となる。
【0033】
誤差信号eα’,eβ’はPID+局部位相進み処理部31’−1で傾き制御及び減衰処理を受け、さらに振動除去のためノッチフィルタ31’−2を通って電圧指令信号Vα’,Vβ’に変換される。そして座標変換部31’−3で姿勢制御装置用の制御信号Vx1,Vy1 に変換されて駆動部32’に供給される。
【0034】
駆動部32’は電磁コイル113a,113b,113c,113dとこれらを励磁する駆動回路24’で構成されている。上記信号Vx1,Vy1のそれぞれは各駆動回路24’に供給され、該各駆動回路24’でターゲット114を図8に示すX,Y軸の正負の方向へ変位させるための励磁電流Ix1+,Ix1−,Iy1+,Iy1−に変換され、電磁コイル113a,113b,113c,113dに供給され、制御対象物(ターンテーブル101)33’の姿勢を制御する。
【0035】
図8乃至図11に示す実施形態によれば、ドレッサー6の姿勢制御に加え、ターンテーブル101の姿勢制御をすることができる。従って、ドレッサー本体9のドレッシング面とターンテーブル101上の研磨面との両者を最適な状態に維持して研磨面のドレッシングを行うことができる。
【0036】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、電磁気力を応用してドレッサーの姿勢を制御することにより、ドレッサーから研磨面に加わる面圧分布を最適の状態にしてドレッシングを行い、平坦度の高い研磨面を得ることができる。
また本発明によれば、ドレッサー本体のドレッシング面をターンテーブルの研磨面に対して押し付ける押圧力は、エアシリンダの押圧力をそのままドレッサーに伝達することにより得るようにしている。そして、ドレッサーの傾きの制御のみを電磁力を用いた姿勢制御装置により行うようにしている。そのため、姿勢制御装置が小型になり、簡易な構造になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るポリッシング装置の第1実施形態の全体構成を示す縦断面図である。
【図2】本発明に係るドレッシング装置の要部断面図である。
【図3】図2のIII−III線断面図である。
【図4】図3のIV−IV線断面図である。
【図5】ドレッサーの姿勢制御装置を制御する制御部の機能構成を示すブロック図である。
【図6】ドレッサーのX軸回りの傾きα、Y軸回りの傾きβの関係を説明する図である。
【図7】ドレッサー本体の詳細構造を示す図であり、図7(a)は底面図、図7(b)はa−a断面図、図7(c)はb部分の拡大図である。
【図8】本発明に係るポリッシング装置の第2実施形態の全体構成を示す縦断面図である。
【図9】図8のIX−IX線断面図である。
【図10】図9のX−X線断面図である。
【図11】ターンテーブルの姿勢制御装置を制御する制御部の機能構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
1,56,101 ターンテーブル
2,57 研磨クロス
5 ドレッシング装置
6 ドレッサー
7 ドレッサー駆動軸
8 自在継手部
9 ドレッサー本体
10 ダイヤモンド電着リング
11,111 姿勢制御装置
12,112 電磁石コア
12a,12b,12c,12d,112a,112b,112c,112d磁極
13a,13b,13c,13d,113a,113b,113c,113d電磁コイル
14,114 ターゲット
15,15a1,15a2;15b1,15b2;15c1,15c2;15d1,15d2,115a,115b,115c,115d 変位センサ
21 ドレッサーヘッド
22 ドレッサー用エアシリンダ
23 回転筒
24 タイミングプーリ、駆動回路
25 タイミングベルト
26 ドレッサー用モータ
27 タイミングプーリ
29 ドレッサーヘッドシャフト
30 減算器
31 コントローラ
31−1 処理部
31−2 ノッチフィルタ
31−3 座標変換部
32 駆動部
40 球面軸受機構
41 フランジ
42 ベアリングボール
60 ドレッシング液供給ノズル
102 回転軸
103 下部カップリング部材
104 上部カップリング部材
104a 係合孔
105 自動調芯ころ軸受
106 ピン
Claims (5)
- ポリッシング対象物と摺接するターンテーブル上の研磨面のドレッシングを行うドレッシング装置において、
前記研磨面に接触して研磨面のドレッシングを行うドレッサー本体と、該ドレッサー本体に押圧力と駆動力を与えるドレッサー駆動軸と、該ドレッサー駆動軸からドレッサー本体へ互いの傾動を許容しつつ押圧力を伝達する自在継手部と、前記ドレッサー本体の前記ドレッサー駆動軸に対する姿勢を電磁気力により制御する姿勢制御手段とを設けたことを特徴とするドレッシング装置。 - 前記姿勢制御手段は、前記研磨面の状態を計測した結果に基づいて前記ドレッサー本体の姿勢を制御することを特徴とする請求項1に記載のドレッシング装置。
- 前記姿勢制御手段は、電磁石コアと、該電磁石コアより半径方向の外方に向けて突出する磁極と、該磁極にギャップを有して対向した前記ドレッサー本体に固定されている円筒状のターゲットとから構成されていることを特徴とする請求項1に記載のドレッシング装置。
- ポリッシング対象物と摺接する研磨面を有するターンテーブルと、前記研磨面のドレッシングを行うドレッシング装置とを備えたポリッシング装置において、
前記研磨面に接触して研磨面のドレッシングを行うドレッサー本体と、該ドレッサー本体に押圧力と駆動力を与えるドレッサー駆動軸と、該ドレッサー駆動軸からドレッサー本体へ互いの傾動を許容しつつ押圧力を伝達する自在継手部と、前記ドレッサー本体の前記ドレッサー駆動軸に対する姿勢を電磁気力により制御する姿勢制御手段とを設けたことを特徴とするポリッシング装置。 - 前記姿勢制御手段は、前記研磨面の状態を計測した結果に基づいて前記ドレッサー本体の姿勢を制御することを特徴とする請求項4に記載のポリッシング装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6571099A JP3772946B2 (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | ドレッシング装置及び該ドレッシング装置を備えたポリッシング装置 |
KR1020000012140A KR100679329B1 (ko) | 1999-03-11 | 2000-03-10 | 드레싱장치용 자세제어기를 포함하는 폴리싱장치 |
US09/522,704 US6322434B1 (en) | 1999-03-11 | 2000-03-10 | Polishing apparatus including attitude controller for dressing apparatus |
TW089104397A TW434090B (en) | 1999-03-11 | 2000-03-10 | Polishing apparatus including attitude controller for dressing apparatus |
EP00104556A EP1034886B1 (en) | 1999-03-11 | 2000-03-13 | Polishing apparatus including attitude controller for dressing apparatus |
DE60020760T DE60020760T2 (de) | 1999-03-11 | 2000-03-13 | Poliereinrichtung enthaltend eine Einstellkontrolle für eine Abziehvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6571099A JP3772946B2 (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | ドレッシング装置及び該ドレッシング装置を備えたポリッシング装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000263416A JP2000263416A (ja) | 2000-09-26 |
JP2000263416A5 JP2000263416A5 (ja) | 2004-12-09 |
JP3772946B2 true JP3772946B2 (ja) | 2006-05-10 |
Family
ID=13294859
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6571099A Expired - Fee Related JP3772946B2 (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | ドレッシング装置及び該ドレッシング装置を備えたポリッシング装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6322434B1 (ja) |
EP (1) | EP1034886B1 (ja) |
JP (1) | JP3772946B2 (ja) |
KR (1) | KR100679329B1 (ja) |
DE (1) | DE60020760T2 (ja) |
TW (1) | TW434090B (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001274122A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-10-05 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェハ研磨装置 |
US20030220051A1 (en) * | 2002-05-21 | 2003-11-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Conditioning disk actuating system |
US20030220049A1 (en) * | 2002-05-21 | 2003-11-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Conditioning disk actuating system |
US20040144160A1 (en) * | 2003-01-29 | 2004-07-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Pad conditioning head offline testing kit |
KR100562498B1 (ko) * | 2003-02-12 | 2006-03-21 | 삼성전자주식회사 | 씨엠피 설비의 패드 컨디셔너 |
US7210981B2 (en) * | 2005-05-26 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Smart conditioner rinse station |
JP4839720B2 (ja) | 2005-08-04 | 2011-12-21 | トヨタ自動車株式会社 | 精密加工装置 |
JP2008178957A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Fujitsu Ltd | 研磨加工装置および研磨加工方法 |
JP2008305875A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
WO2010110834A1 (en) | 2009-03-24 | 2010-09-30 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Abrasive tool for use as a chemical mechanical planarization pad conditioner |
TW201350267A (zh) * | 2012-05-04 | 2013-12-16 | Saint Gobain Abrasives Inc | 用於同雙側化學機械平坦化墊修整器一起使用之工具 |
JP5919157B2 (ja) * | 2012-10-01 | 2016-05-18 | 株式会社荏原製作所 | ドレッサー |
JP6121795B2 (ja) | 2013-05-15 | 2017-04-26 | 株式会社荏原製作所 | ドレッシング装置、該ドレッシング装置を備えた研磨装置、および研磨方法 |
JP5954293B2 (ja) * | 2013-10-17 | 2016-07-20 | 信越半導体株式会社 | 研磨用の発泡ウレタンパッドのドレッシング装置 |
JP6216686B2 (ja) | 2014-05-30 | 2017-10-18 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
CN104400622A (zh) * | 2014-10-17 | 2015-03-11 | 成都泰美克晶体技术有限公司 | 一种双工位研磨机 |
KR20200127328A (ko) * | 2019-05-02 | 2020-11-11 | 삼성전자주식회사 | 컨디셔너, 이를 포함하는 화학 기계적 연마 장치 및 이 장치를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0911115B1 (en) | 1992-09-24 | 2003-11-26 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
DE69413589T2 (de) * | 1993-04-22 | 1999-04-08 | Nippon Telegraph & Telephone | Polierscheibe für die Endfläche einer optischen Faserverbindung und Poliervorrichtung |
US5486131A (en) * | 1994-01-04 | 1996-01-23 | Speedfam Corporation | Device for conditioning polishing pads |
JP2914166B2 (ja) | 1994-03-16 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 研磨布の表面処理方法および研磨装置 |
JPH08168953A (ja) * | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Ebara Corp | ドレッシング装置 |
US5951368A (en) | 1996-05-29 | 1999-09-14 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
JPH1058308A (ja) | 1996-05-29 | 1998-03-03 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
US5885147A (en) * | 1997-05-12 | 1999-03-23 | Integrated Process Equipment Corp. | Apparatus for conditioning polishing pads |
US5904615A (en) * | 1997-07-18 | 1999-05-18 | Hankook Machine Tools Co., Ltd. | Pad conditioner for chemical mechanical polishing apparatus |
JP3615931B2 (ja) | 1998-03-26 | 2005-02-02 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置および該ポリッシング装置におけるコンディショニング方法 |
-
1999
- 1999-03-11 JP JP6571099A patent/JP3772946B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-03-10 US US09/522,704 patent/US6322434B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-10 KR KR1020000012140A patent/KR100679329B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-03-10 TW TW089104397A patent/TW434090B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-03-13 EP EP00104556A patent/EP1034886B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-13 DE DE60020760T patent/DE60020760T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW434090B (en) | 2001-05-16 |
DE60020760T2 (de) | 2006-05-18 |
KR20010006781A (ko) | 2001-01-26 |
US6322434B1 (en) | 2001-11-27 |
JP2000263416A (ja) | 2000-09-26 |
EP1034886A2 (en) | 2000-09-13 |
EP1034886A3 (en) | 2001-03-21 |
KR100679329B1 (ko) | 2007-02-05 |
EP1034886B1 (en) | 2005-06-15 |
DE60020760D1 (de) | 2005-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3772946B2 (ja) | ドレッシング装置及び該ドレッシング装置を備えたポリッシング装置 | |
JP4658182B2 (ja) | 研磨パッドのプロファイル測定方法 | |
US8382558B2 (en) | Apparatus for dressing a polishing pad, chemical mechanical polishing apparatus and method | |
US6517414B1 (en) | Method and apparatus for controlling a pad conditioning process of a chemical-mechanical polishing apparatus | |
KR100298823B1 (ko) | 연마장치및방법 | |
US6165058A (en) | Carrier head for chemical mechanical polishing | |
US6390903B1 (en) | Precise polishing apparatus and method | |
US9199354B2 (en) | Flexible diaphragm post-type floating and rigid abrading workholder | |
JP2002509811A (ja) | ケミカルメカニカルポリシングコンディショナ | |
JP2000015557A (ja) | 研磨装置 | |
US6609950B2 (en) | Method for polishing a substrate | |
US7097545B2 (en) | Polishing pad conditioner and chemical mechanical polishing apparatus having the same | |
JP3862920B2 (ja) | 基板保持装置の姿勢制御装置を備えたポリッシング装置 | |
US6949016B1 (en) | Gimballed conditioning apparatus | |
JP2001237206A (ja) | 平坦化加工方法 | |
WO2001058644A1 (en) | Method and apparatus for controlling a pad conditioning process of a chemical-mechanical polishing apparatus | |
JPH10264011A (ja) | 精密研磨装置及び方法 | |
JP2000000757A (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
US7175515B2 (en) | Static pad conditioner | |
US7166013B2 (en) | Polishing apparatus and method for producing semiconductors using the apparatus | |
JP3872629B2 (ja) | ターンテーブル装置の姿勢制御装置を備えたポリッシング装置 | |
JP2001239457A (ja) | ポリッシング装置 | |
JPH1177520A (ja) | 研磨方法及び研磨装置 | |
JPH11291166A (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
JPH10151563A (ja) | 化学機械研磨装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050915 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050920 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051118 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060207 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060207 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100224 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110224 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |