KR101392401B1 - 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링 및 상기 리테이너링 제조방법 - Google Patents

컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링 및 상기 리테이너링 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 제작공정의 일부인 화학적 기계적 연마(CMP) 공정에서 사용되는 웨이퍼 리테이너 링에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 CMP 공정중에 웨이퍼의 이탈을 방지함과 동시에 패드를 균일하게 컨디셔닝 할 수 있도록 설계된 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링 및 그 제조방법에 관한 것이다.

Description

컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링 및 상기 리테이너링 제조방법{Wafer retaininer ring with a function of pad conditioner and method for producing the same}
본 발명은 반도체 소자 제작공정의 일부인 화학적 기계적 연마(CMP) 공정에서 사용되는 웨이퍼 리테이너 링에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 CMP 공정중에 웨이퍼의 이탈을 방지함과 동시에 패드를 균일하게 컨디셔닝 할 수 있도록 설계된 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링 및 그 제조방법에 관한 것이다.
CMP는 화학-기계적 연마가공으로 연마 제거 가공과 화학액의 용해 작용을 동시에 이용하여 반도체 웨이퍼의 평탄도를 얻게 되는 연마가공이다.
CMP 연마 가공 원리는 연마패드와 웨이퍼를 상호 가압한 상태에서 이들을 상대 운동시키면서 연마패드 위에 연마입자와 화학액이 혼입된 연마액(slurry)을 공급하는 과정으로 이루어지는데, 이때 폴리우레탄 소재로 이루어진 연마패드 표면에 있는 수많은 발포 기공들이 새로운 연마액을 담아두는 역할을 하여 일정한 연마 효율과 웨이퍼 전면에 연마 균일성을 얻을 수 있게 된다.
종래의 CMP 장치의 연마헤드에 대하여 도 1을 참조하여 간략하게 설명하면 다음과 같다.
도 1에 도시된 바와 같이, CMP 장치의 연마헤드(10)는 CMP 공정의 수행 시 웨이퍼(24)를 지지하는 웨이퍼 홀더(22), 상기 웨이퍼(24)가 연마 중에 이탈하는 것을 방지하는 리테이너링(26) 및 이들 부위를 지지하고 연마압력을 가하는 헤드 본체(28)를 구비하여 이루어진다. 상기 연마헤드(10)에는 가압과 회전기능이 필요하므로 중심에 회전구동축(30)을 갖고, 이 축을 따라 하중을 가하는 방식이 일반적이다. 여기서, 상기 리테이너링(26)은 표면장력 또는 진공에 의해 흡착한 웨이퍼(24)의 이탈을 방지하기 위해 설치된 것이다. 또한, 상기 리테이너링(26)은 연마의 균일성을 확보하는 수단으로서의 기능도 한다.
CMP 공정을 간단히 설명하면 다음과 같다. 상기 웨이퍼 홀더(22)에 상기 웨이퍼(24)가 안착되고, 상기 연마패드(32) 상에 상기 웨이퍼(24)가 면접한 상태에서 상기 회전구동축(30)에 의해 상기 웨이퍼 홀더(22)가 회전하는 가운데 슬러리(34)가 상기 연마패드(32) 상에 공급되면서, 상기 슬러리(34)가 상기 리테이너링(26)과 상기 연마패드(32)의 틈새로 상기 웨이퍼(24)에 공급되어 CMP가 수행된다.
상기 리테이너링(26)은 도 2에 도시된 바와 같이, 그 하부면에 링의 외경에서 내경이 관통하도록 소정의 너비와 깊이를 갖는 다수의 홈(Groove)(36)이 일정간격으로 이격되어 형성되어 있다. 이는, 웨이퍼(24)의 화학적 기계적 연마중 웨이퍼홀더(22)에 홀딩된 상기 웨이퍼(24)가 슬립(Slip)되는 것을 방지하며, 상기 연마패드(32)와 마찰하여 상기 웨이퍼(24)로의 슬러리(34) 공급을 균일하도록 한다. 그리고, 상기 웨이퍼(24)의 균일한 연마가 이루어지도록 연마패드(32)의 표면을 조절(condition)하여 준다.
그러나, 연마 중에 압력과 상대 속도가 부가되므로, 가공시간이 지남에 따라 연마패드의 표면은 불균일하게 변형되고, 연마패드상의 기공들이 연마 잔류물들로 막히게 되어 연마패드가 제 역할을 하지 못하게 된다. 이에 의해, 전 가공시간 동안 웨이퍼 전면에서의 광역평탄화 및 웨이퍼간의 연마 균일성 등을 달성할 수 없게 된다.
이러한 CMP 연마패드의 불균일 변형과 기공의 막힘을 해결하기 위하여 CMP 패드 컨디셔너를 사용하여 연마패드의 표면을 미세하게 연마해줌으로써 새로운 마이크로 기공이 형성되도록 CMP 패드 컨디셔닝 작업을 해주게 된다.
따라서, CMP공정에 사용되어지는 대표적인 소모부품으로 패드와 슬러리, 웨이퍼 리테이너링, 컨디셔너를 들 수 있다. 이 중 웨이퍼 리테이너 링은 CMP공정 중 웨이퍼의 이탈을 방지하고 웨이퍼 uniformity를 개선할 수 있도록 도와주는 역할을 한다. 또한 CMP 패드 컨디셔너는 패드에 공급되는 슬러리의 흐름성을 좋게 하고 패드를 조금씩 깍아 초기와 동일한 상태로 유지 시키는 역할을 한다.
이와 같이 기존 CMP 공정에서는 웨이퍼의 이탈 방지를 위하여 웨이퍼 리테이너링이 사용되며, 초기의 패드 상태를 계속 유지하기 위해 패드를 컨디셔닝하는 CMP 패드 컨디셔너가 사용되어지고 있다.
본 발명자들은 연구 노력한 결과 웨이퍼 리테이너링과 CMP 패드 컨디셔너를 결합시킨 구조의 부품을 개발함으로써 본 발명을 완성하였다.
따라서, 본 발명의 목적은 웨이퍼를 폴리싱하는 바로 앞에서 웨이퍼 전면의 패드를 초기 상태로 만들어 줄 수 있어 웨이퍼의 재료 제거율을 높일 수 있는 구조의 컨디셔너기능을 갖는 웨이퍼 리테이너링 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 내화학적으로 불안정한 CMP 패드 컨디셔너를 사용하지 않게 되어 웨이퍼 스크래치, 오염을 줄일 수 있는 구조의 컨디셔너기능을 갖는 웨이퍼 리테이너링 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼 리테이너링에 형성되어 있는 홈의 외경너비를 충분히 넓게 형성하여 슬러리가 웨이퍼에 효율적으로 공급되게 하여 웨이퍼의 연마균일도를 향상시키고, 웨이퍼에 공급되지 않고 낭비되는 슬러리량을 최소화하여 원가절감을 실현할 수 있는 구조의 컨디셔너기능을 갖는 웨이퍼 리테이너링 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 CMP 패드 컨디셔너를 사용하지 않게 되어 소모자재 비용을 줄일 수 있는 구조의 컨디셔너기능을 갖는 웨이퍼 리테이너링 및 상기 리테이너링을 포함하는 CMP장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 CMP 패드 컨디셔너를 구동시키기 위한 장치가 필요 없게 되므로 CMP 장비의 공간 활용이 늘어 웨이퍼 폴리셔를 추가할 수 있기 때문에 웨이퍼 폴리싱 생산성을 높일 수 있는 구조의 컨디셔너기능을 갖는 웨이퍼 리테이너링 및 상기 리테이너링을 포함하는 CMP장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 CMP 장비의 가격을 절감 시킬 수 있어 CMP 공정의 생산성과 비용을 크게 낮출 수 있는 컨디셔너기능을 갖는 웨이퍼 리테이너링 및 상기 리테이너링을 포함하는 CMP장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 CMP 공정시 웨이퍼가 연마중에 이탈하는 것을 방지하는 웨이퍼 리테이너링으로서, 상기 웨이퍼 리테이너링의 표면은 다수의 돌출부가 이격되어 형성된 절삭팁부가 일정 간격을 두고 다수 포함되는 구조로 이루어져 컨디셔너로 작용할 수 있는 것을 특징으로 하는 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링을 제공한다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 리테이너링의 표면에 형성된 다수 절삭팁부 간의 일정 간격은 상기 웨이퍼 리테이너링의 외경에서 내경이 관통하도록 소정의 너비와 깊이를 갖는 홈으로 이루어진다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 홈의 외경너비가 내경너비보다 넓게 형성된다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 리테이너링은 강화 고분자복합소재, 초경합금계 소재, 또는 세라믹계 소재 중 어느 하나의 소재로 형성된다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 절삭팁부를 이루는 다수의 돌출부 표면에 다이아몬드코팅층이 더 형성된다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 절삭팁부를 이루는 돌출부의 측단면 형상은 다각형 단면형상을 갖는다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 절삭팁부를 이루는 돌출부의 평면 형상은 다각형, 원형 또는 타원형 중 어느 하나의 형상을 갖는다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 절삭팁부는 상기 리테이너링의 내경 측으로 일정폭의 간격을 두고 다수의 돌출부가 형성된다.
또한, 본 발명은 일정 두께 및 폭을 갖는 링 형상 기판을 준비하는 단계; 상기 링 형상 기판의 표면에 상기 링 형상 기판의 외경에서 내경이 관통하도록 소정의 너비와 깊이를 갖는 홈을 일정 간격으로 다수 형성하는 홈 형성단계; 및 상기 다수 형성된 홈과 홈 사이의 표면에 다수의 돌출부를 이격시켜 형성하는 절삭팁부 형성단계;를 포함하는 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링 제조방법을 제공한다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 홈 형성단계는 상기 홈의 외경너비가 내경너비보다 넓게 형성되도록 수행된다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 절삭팁부 형성단계는 상기 다수의 돌출부의 측단면 형상이 다각형 단면형상을 갖도록 수행된다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 절삭팁부 형성단계는 상기 다수의 돌출부의 평면 형상이 다각형, 원형 또는 타원형 중 어느 하나의 형상을 갖도록 수행된다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 절삭팁부 형성단계는 상기 링 형상 기판의 내경 측으로 일정폭의 간격을 두고 다수의 돌출부가 형성되도록 수행된다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 절삭팁부를 이루는 다수의 돌출부 표면에 다이아몬드코팅층을 형성하는 다이아몬드층 형성단계를 더 포함한다.
또한, 본 발명은 상술된 어느 하나의 컨디셔너 겸용 리테이너링 또는 상술된 어느 하나의 제조방법으로 제조된 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링을 포함하는 CMP 장치를 제공한다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 CMP 장치는 별도의 컨디셔닝 수단을 구비하지 않는다.
본 발명은 다음과 같은 우수한 효과를 가진다.
먼저, 본 발명에 의하면 웨이퍼를 폴리싱하는 바로 앞에서 웨이퍼 전면의 패드를 초기 상태로 만들어 줄 수 있어 웨이퍼의 재료 제거율을 높일 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면 내화학적으로 불안정한 CMP 패드 컨디셔너를 사용하지 않게 되어 웨이퍼 스크래치, 오염을 줄일 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 웨이퍼 리테이너링에 형성되어 있는 홈의 외경너비를 충분히 넓게 형성하여 슬러리가 웨이퍼에 효율적으로 공급되게 하여 웨이퍼의 연마균일도를 향상시키고, 웨이퍼에 공급되지 않고 낭비되는 슬러리량을 최소화하여 원가절감을 실현할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면 CMP 패드 컨디셔너를 사용하지 않게 되어 소모자재 비용을 줄일 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면 CMP 패드 컨디셔너를 구동시키기 위한 장치가 필요 없게 되므로 CMP 장비의 공간 활용이 늘어 웨이퍼 폴리셔를 추가할 수 있기 때문에 웨이퍼 폴리싱 생산성을 높일 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면 CMP 장비의 가격을 절감 시킬 수 있어 CMP 공정의 생산성과 비용을 크게 낮출 수 있다.
도 1은 종래의 화학적 기계적 연마장치의 연마헤드를 나타내는 구성도,
도 2는 도 1의 웨이퍼 리테이너링을 확대하여 보인 평면도,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링의 평면도 및 일부 확대도,
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 리테이너링의 홈 형태를 보여주는 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링의 일부 평면도.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼 리테이너링의 표면에 형성된 절삭팁부를 이루는 다양한 형태의 다수의 돌출부를 보여주는 일부사시도,
도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 실시예들에 따른 컨디셔너 겸용 리테이너링과 종래 방법에 따라 컨디셔닝된 연마패드의 모폴로지를 보여주는 사진들.
본 발명에서 사용되는 용어는 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어를 선택하였으나, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있는데 이 경우에는 단순한 용어의 명칭이 아닌 발명의 상세한 설명 부분에 기재되거나 사용된 의미를 고려하여 그 의미가 파악되어야 할 것이다.
이하, 첨부한 도면들 및 바람직한 실시예들을 참조하여 본 발명의 기술적 구성을 상세하게 설명한다.
그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐 본 발명을 설명하기 위해 사용되는 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
본 발명의 기술적 특징은 웨이퍼 리테이너링의 표면에 절삭팁부를 형성함으로써 웨이퍼 리테이너링으로 작용하는 동시에 컨디셔너로 작용할 수 있는 구조의 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링에 있다.
따라서, 본 발명의 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링(100)은 도 3에 도시된 바와 같이 CMP 공정시 웨이퍼가 연마중에 이탈하는 것을 방지하는 웨이퍼 리테이너링으로써, 상기 웨이퍼 리테이너링의 표면은 다수의 돌출부가 이격되어 형성된 절삭팁부(110)가 일정 간격을 두고 다수 포함되는 구조로 이루어져 컨디셔너로 작용할 수 있다.
또한, 본 발명의 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링(100)은 그 표면에 형성된 다수 절삭팁부(110) 간의 일정 간격이 웨이퍼 리테이너링(100)의 외경(130)에서 내경(140)이 관통하도록 소정의 너비와 깊이를 갖는 홈(120)으로 이루어진 것을 특징으로 하는데, 특히 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이 홈(120)의 외경(130)너비가 내경(140)너비보다 넓게 형성되는 것이 바람직하다. 홈(120)이 이와 같은 구성을 갖게 되면 슬러리가 웨이퍼에 효율적으로 공급되게 하여 웨이퍼의 연마균일도를 향상시키고, 웨이퍼에 공급되지 않고 낭비되는 슬러리량을 최소화하여 원가절감을 실현할 수 있기 때문이다.
한편, 본 발명의 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링은 내화학적으로 우수한 재질로 이루어지는 것이 바람직한데, 강화 고분자복합소재, 초경합금계 소재, 또는 세라믹계 소재 중 어느 하나의 소재로 형성될 수 있다. 이 때 강화 고분자복합소재는 강화 플라스틱을 포함하여 현저히 강도를 증대시킨 공지된 고분자재료를 포함한다. 초경합금계 물질은 텅스텐카보나이드-코발트(WC-Co)계, 텅스텐카보나이드-탄화티타늄-코발트(WC-TiC-Co)계, 텅스텐카보나이드-탄화티타늄-탄화탄탈륨-코발트(WC-TiC- TaC-Co) 계와 같은 텅스텐카보나이드(WC)계열의 초경합금을 비롯하여 써멧(TiCN), 탄화붕소(B4C)계, 티타늄보라이트(TiB2)계 초경합금으로 마련될 수 있다. 또한, 세라믹계 물질은 질화규소(Si3N4), 실리콘(Si), 산화알루미늄(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 산화티타늄(TiO2), 산화지르코늄(ZrOx), 산화규소(SiO2), 탄화규소(SiC), 실리콘옥시나이트라이드(SiOxNy), 질화텅스텐(WNx), 산화텅스텐(WOx), DLC(Diamond Like Coating), 질화붕소(BN), 또는 산화크롬(Cr2O3) 등을 포함한다.
또한, 본 발명의 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링(100)의 표면에 형성된 절삭팁부(110)를 이루는 다수의 돌출부 표면에 다이아몬드코팅층을 더 형성하여 연마성능 향상은 물론 내화학성, 내마모성 및 내구성을 강화할 수 있다.
이때, 다수의 절삭팁부(110)는 소정의 절삭팁 패턴에 따라 디자인 된 다수의 돌출부를 형성하여 구성할 수 있다. 예를 들면 도3 및 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 상호 이격 간격을 두고 사각 단면 형상으로 형성된 다수의 돌출부로 이루어지거나, 도 5c에 도시된 바와 같이 삼각형 단면 형상으로 형성된 다수의 돌출부로 이루어질 수 있다. 또한, 다수의 절삭팁부(110)를 이루는 다수의 돌출부의 평면 형상은 다각형 또는 원형 또는 타원형 형상으로 형성될 수 있다. 이러한 돌출부의 단면 형상 및 평면 형상은 도시하지 않았지만 돌출부를 입체적으로 볼 때, 돌출부의 형상이 다각형태의 뿔 형상이나 다각 기둥 형상 또는 원뿔이나 타원뿔 형상 또는 원기둥이나 타원 기둥 형상으로 형성될 수 있음을 알 수 있다.
또한, 도 5d에 도시된 바와 같이 다수의 절삭팁부(110)는 웨이퍼 리테이너링(100)의 내경(140) 측으로 일정폭의 간격을 두고 다수의 돌출부가 형성되도록 구현될 수 있는데, 이와 같은 구조를 갖게 되면 절삭팁부(110)에 의해 패드 컨디셔닝 후 발생되는 부산물(sludge)들이 웨이퍼에 들어가는 것을 억제하여 웨이퍼의 스크래치를 줄일 수 있다.
다음으로, 본 발명의 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링 제조방법은 일정 두께 및 폭을 갖는 링 형상 기판을 준비하는 단계; 상기 링 형상 기판의 표면에 상기 링 형상 기판의 외경에서 내경이 관통하도록 소정의 너비와 깊이를 갖는 홈을 일정 간격으로 다수 형성하는 홈 형성단계; 및 상기 다수 형성된 홈과 홈 사이의 표면에 다수의 돌출부를 이격시켜 형성하는 절삭팁부 형성단계;를 포함하는데, 홈 형성단계 및 절삭팁부형성단계는 링 형상의 기판을 기계적 가공 또는 레이저 가공이나 에칭 등의 방법을 이용하여 수행될 수 있다. 이 때, 홈 형성단계에서 형성된 홈의 깊이는 절삭팁부를 이루는 돌출부의 높이보다 더 깊은 것이 바람직하다.
경우에 따라서는 절삭팁부를 이루는 다수의 돌출부 표면에 다이아몬드코팅층을 형성하는 다이아몬드층 형성단계를 더 포함할 수 있는데, 다이아몬드 코팅층은 기상화학증착법(CVD)을 이용하여 절삭팁부(110)에 전체적으로 코팅되거나 절삭팁부(110)를 이루는 다수의 돌출부의 상부에만 코팅되도록 수행될 수도 있다. 이 다이아몬드 코팅층을 형성하기 전에 절삭팁부(110)가 형성된 링 형상 기판을 초음파 전처리하는 것이 바람직한데, 이는 초음파 전처리 과정에서 미세 다이아몬드 입자를 이용하여 절삭팁부(110)상에 미세 스크래치를 형성함으로써, 다이아몬드 코팅층(3의 코팅 상태가 견고하게 이루어지도록 하기 위함이다.
실시예 1
도 3에 도시된 형태의 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링(100)을 도 5a에 도시된 절삭팁부(110)를 갖도록 연마휠 가공 방법으로 다음과 같이 제조하였다. 먼저, 두께 6mm이고, 폭이 24mm인 링 형상의 기판(내경까지 직경 301mm, 외경까지 직경 349mm)을 준비한 후 상기 기판 상에 깊이 3mm, 폭 3mm인 홈(120)을 연마휠 가공으로 형성하였다. 그 후 홈과 홈 사이의 기판 표면에 돌출부의 첨단부는 평면으로 구성되고, 돌출부 사이즈를 200㎛x200㎛, 돌출부 높이를 1000㎛, 돌출부 간 간격을 2000㎛으로 하여 절삭팁부(110)를 연마휠 가공하여 형성하여 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링1을 제조하였다.
실시예 2
절삭팁부(110)를 도 5b에 도시된 형태로 형성한 것을 제외하면 실시예1과 동일한 방법으로 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링2를 제조하였다. 여기서, 절삭팁부(110)는 돌출부의 첨단부는 평면으로 구성되고, 돌출부 사이즈를 100㎛x100㎛, 돌출부 높이를 1000㎛, 돌출부 간 간격을 1000㎛으로 형성하였다.
실시예 3
절삭팁부(110)를 도 5c에 도시된 형태로 형성한 것을 제외하면 실시예1과 동일한 방법으로 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링3을 제조하였다. 여기서, 절삭팁부(110)는 돌출부의 형상이 피라미드 형상을 하고 있고(뿔 형태), 돌출부 하단부의 사이즈를 200㎛x200㎛, 돌출부 높이를 1000㎛, 돌출부 간 간격을 2000㎛으로 형성하였다.
실시예 4
절삭팁부(110)를 도 5d에 도시된 형태로 형성한 것을 제외하면 실시예1과 동일한 방법으로 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링4를 제조하였다. 여기서, 절삭팁부(110)는 실시예1과 동일하게 형성하되, 링 형상 기판의 내경(140)으로부터 3mm의 간격을 두고 돌출부를 형성하였다.
비교예
도 2에 도시된 종래의 웨이퍼 리테이너링을 준비하였다.
실험예1 내지 6
비교예에서 얻어진 종래의 웨이퍼 리테이너링만을 이용하여 CMP공정을 수행한 후의 패드표면에 대한 모폴로지(morphology) 및 비교예에서 얻어진 종래의 웨이퍼 리테이너링과 컨디셔닝 수단을 병용하여 CMP공정을 수행한 후의 패드표면에 대한 모폴로지(morphology)를 관찰하고, 그 결과를 도 6a 및 도 6b 및 표 1에 나타내었다(실험예1 및 2). 또한 별도의 컨디셔닝 수단 없이 실시예 1 내지 실시예 4에서 얻어진 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링을 사용하여 CMP공정을 수행한 후 패드표면에 대한 모폴로지(morphology)를 관찰하고 그 결과를 도 6c 내지 도 6f 및 표 1에 나타내었다(실험예 3 내지 6). 또한, 이 때, 사용된 장비는 300mm CMP tester이며, 슬러리는 silica slurry가 사용되었다.
구분 CMP 공정 패드마모율
(㎛/hr)		 Normalized wafer scratch
실험예1 종래 웨이퍼 리테이너링만 사용 0 100
실험예2 종래 웨이퍼 리테이너링 및 컨디셔너 사용 15 6
실험예3 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링1만 사용 8 4
실험예4 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링2만 사용 16 4
실험예5 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링3만 사용 42 6
실험예6 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링4만 사용 12 2
상기 표 1로부터, 본 발명의 실시예들에서 얻어진 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링1 내지 4를 사용하게 되면 별도의 컨디셔닝수단 없이 CMP공정을 수행하더라도 패드가 마모되는 것을 확인할 수 있었고, 도 6c 내지 도 6f를 참조하게 되면 패드 표면도 도 6b에 도시된 바와 같이 종래의 웨이퍼 리테이너링과 함께 종래의 다이아몬드 컨디셔너를 사용한 CMP공정에서 얻어진 패드와 유사한 패드 morphology를 형성시킬 수 있음을 알 수 있다. 반면 종래 웨이퍼 리테이너링만 사용하고 별도의 컨디셔너를 사용하지 실험예1의 결과를 보여주는 도 6a 및 표 1의 결과는 종래 웨이퍼 리테이너링만 사용하는 경우에는 패드 마모가 전혀 이루어지지 않아 웨이퍼 스크래치가 많이 발생하므로 CMP공정이 제대로 수행될 수 없음을 보여준다.
한편, 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링 4를 이용하는 실험예6의 경우 웨이퍼 리테이너링의 안쪽에 팁을 형성시키지 않음으로써 웨이퍼 스크래치를 줄어드는 결과를 얻었으며, 이는 패드 컨디셔닝 후 발생되는 부산물(sludge)들이 웨이퍼에 들어가는 것을 억제했기 때문인 것으로 예측된다.
위의 실험결과들로부터 종래의 CMP 장비에 별도의 CMP 패드 컨디셔닝 수단을 제외하더라도 웨이퍼 리터이너링에 컨디셔닝 기능을 포함시킨 본 발명의 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링을 채택하게 되면 정상적인 CMP 공정이 가능함을 확인할 수 있다.
따라서, 본 발명의 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링을 채택하게 되면, CMP 패드 컨디셔너가 필요 없을 것으로 예측되므로, CMP 장비의 단순화도 이룰 수 있어 많은 이점을 가져올 수 있다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
100 : 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링 110 : 절삭팁부
120 : 홈 130 : 웨이퍼 리테이너 링의 외경
140 : 웨이퍼 리테이너링의 내경

Claims (16)

  1. CMP 공정시 웨이퍼가 연마중에 이탈하는 것을 방지하는 웨이퍼 리테이너링으로서,
    상기 웨이퍼 리테이너링의 표면은 다수의 돌출부가 이격되어 형성된 절삭팁부가 일정 간격을 두고 다수 포함되는 구조로 이루어져 컨디셔너로 작용할 수 있는 데,
    상기 웨이퍼 리테이너링의 표면에 형성된 다수 절삭팁부 간의 일정 간격은 상기 웨이퍼 리테이너링의 외경에서 내경이 관통하도록 소정의 너비와 깊이를 갖는 홈으로 이루어지고,
    상기 절삭팁부를 이루는 다수의 돌출부 표면에 다이아몬드코팅층이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 홈의 외경너비가 내경너비보다 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 리테이너링은 강화 고분자복합소재, 초경합금계 소재, 또는 세라믹계 소재 중 어느 하나의 소재로 형성된 것을 특징으로 하는 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 절삭팁부를 이루는 돌출부의 측단면 형상은 다각형 단면형상을 갖는 것을 특징으로 하는 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 절삭팁부를 이루는 돌출부의 평면 형상은 다각형, 원형 또는 타원형 중 어느 하나의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링.
  8. CMP 공정시 웨이퍼가 연마중에 이탈하는 것을 방지하는 웨이퍼 리테이너링으로서,
    상기 웨이퍼 리테이너링의 표면은 다수의 돌출부가 이격되어 형성된 절삭팁부가 일정 간격을 두고 다수 포함되는 구조로 이루어져 컨디셔너로 작용할 수 있는 데,
    상기 절삭팁부는 상기 웨이퍼 리테이너링의 내경 측으로 일정폭의 간격을 두고 다수의 돌출부가 형성되는 것을 특징으로 하는 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링.
  9. 일정 두께 및 폭을 갖는 링 형상 기판을 준비하는 단계;
    상기 링 형상 기판의 표면에 상기 링 형상 기판의 외경에서 내경이 관통하도록 소정의 너비와 깊이를 갖는 홈을 일정 간격으로 다수 형성하는 홈 형성단계;
    상기 다수 형성된 홈과 홈 사이의 표면에 다수의 돌출부를 이격시켜 형성하는 절삭팁부 형성단계; 및
    상기 절삭팁부를 이루는 다수의 돌출부 표면에 다이아몬드코팅층을 형성하는 다이아몬드층 형성단계를 포함하는 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 홈 형성단계는 상기 홈의 외경너비가 내경너비보다 넓게 형성되도록 수행되는 것을 특징으로 하는 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링 제조방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 절삭팁부 형성단계는 상기 다수의 돌출부의 측단면 형상이 다각형 단면형상을 갖도록 수행되는 것을 특징으로 하는 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링 제조방법.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 절삭팁부 형성단계는 상기 다수의 돌출부의 평면 형상이 다각형, 원형 또는 타원형 중 어느 하나의 형상을 갖도록 수행되는 것을 특징으로 하는 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링 제조방법.
  13. 일정 두께 및 폭을 갖는 링 형상 기판을 준비하는 단계;
    상기 링 형상 기판의 표면에 상기 링 형상 기판의 외경에서 내경이 관통하도록 소정의 너비와 깊이를 갖는 홈을 일정 간격으로 다수 형성하는 홈 형성단계; 및
    상기 다수 형성된 홈과 홈 사이의 표면에 다수의 돌출부를 이격시켜 형성하는 절삭팁부 형성단계; 를 포함하는데,
    상기 절삭팁부 형성단계는 상기 링 형상 기판의 내경 측으로 일정폭의 간격을 두고 다수의 돌출부가 형성되도록 수행되는 것을 특징으로 하는 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링 제조방법.
  14. 삭제
  15. 제 1 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항의 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링 또는 제 9 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 컨디셔너 겸용 웨이퍼 리테이너링을 포함하는 CMP 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 CMP 장치는 별도의 컨디셔닝 수단을 구비하지 않는 것을 특징으로 하는 CMP 장치.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150129197A (ko) * 2014-05-09 2015-11-19 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 리테이너 링 및 이를 구비한 캐리어 헤드
WO2015182882A1 (ko) * 2014-05-30 2015-12-03 원종수 고강도 합금을 포함하는 씨엠피 장치의 연마헤드
KR20180093368A (ko) 2017-02-13 2018-08-22 성균관대학교산학협력단 씨엠피용 리테이너 링
KR102229886B1 (ko) * 2019-12-26 2021-03-22 주식회사 맥스텍 리테이너링 재생방법 및 그 방법에 따라 재생된 리테이너링, 그리고 리테이너링 재생용 금형

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9604340B2 (en) * 2013-12-13 2017-03-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Carrier head having abrasive structure on retainer ring
JP2016140970A (ja) * 2015-02-05 2016-08-08 株式会社東芝 リテーナリング、研磨装置および半導体装置の製造方法
US10029346B2 (en) * 2015-10-16 2018-07-24 Applied Materials, Inc. External clamp ring for a chemical mechanical polishing carrier head
US20190351527A1 (en) * 2018-05-17 2019-11-21 Entegris, Inc. Conditioner for chemical-mechanical-planarization pad and related methods
KR20200070825A (ko) 2018-12-10 2020-06-18 삼성전자주식회사 연마 균일도를 제어할 수 있는 화학 기계적 연마 장치
CN112621551B (zh) * 2020-12-19 2021-10-08 华中科技大学 一种可快速定位的超精密晶圆磨削设备
KR102518222B1 (ko) * 2020-12-24 2023-04-05 주식회사 에스엠티 리테이너 링, 이를 제조하는 방법 및 이를 포함하는 cmp 장치
CN113352231A (zh) * 2021-07-05 2021-09-07 上海江丰平芯电子科技有限公司 一种化学机械抛光保持环及其加工方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001025963A (ja) * 1999-06-24 2001-01-30 Samsung Electronics Co Ltd 化学的機械的研磨のためのリテーニングリングとそれの使用法
US6245193B1 (en) * 1998-10-19 2001-06-12 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Chemical mechanical polishing apparatus improved substrate carrier head and method of use
JP2004119495A (ja) * 2002-09-24 2004-04-15 Sony Corp 研磨ヘッド、化学機械的研磨装置及び半導体装置の製造方法
JP2010533604A (ja) * 2007-07-19 2010-10-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 成形された断面形状を有するリテイナーリング
JP2011224731A (ja) * 2010-04-20 2011-11-10 Ntn Corp リテーナリングおよびリテーナリングの製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2914166B2 (ja) * 1994-03-16 1999-06-28 日本電気株式会社 研磨布の表面処理方法および研磨装置
US5695392A (en) * 1995-08-09 1997-12-09 Speedfam Corporation Polishing device with improved handling of fluid polishing media
JP3106418B2 (ja) * 1996-07-30 2000-11-06 株式会社東京精密 研磨装置
US6139428A (en) * 1996-12-17 2000-10-31 Vsli Technology, Inc. Conditioning ring for use in a chemical mechanical polishing machine
US6419574B1 (en) * 1999-09-01 2002-07-16 Mitsubishi Materials Corporation Abrasive tool with metal binder phase
TW467802B (en) * 1999-10-12 2001-12-11 Hunatech Co Ltd Conditioner for polishing pad and method for manufacturing the same
US6893327B2 (en) * 2001-06-04 2005-05-17 Multi Planar Technologies, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus and method having a retaining ring with a contoured surface
TW505967B (en) * 2001-10-11 2002-10-11 Macronix Int Co Ltd Wafer carrier structure of chemical mechanical polishing device
DE10208414B4 (de) * 2002-02-27 2013-01-10 Advanced Micro Devices, Inc. Vorrichtung mit einem verbesserten Polierkissenaufbereiter für das chemisch mechanische Polieren
CN1720119A (zh) * 2003-01-15 2006-01-11 三菱麻铁里亚尔株式会社 软质材料加工用切削工具
US7658666B2 (en) * 2004-08-24 2010-02-09 Chien-Min Sung Superhard cutters and associated methods
US7186171B2 (en) * 2005-04-22 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Composite retaining ring
US20080014845A1 (en) * 2006-07-11 2008-01-17 Alpay Yilmaz Conditioning disk having uniform structures
US20090090066A1 (en) * 2007-10-09 2009-04-09 Chia-Pei Chen Grinding tool and manufacturing method thereof
JP2009224680A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Fujitsu Microelectronics Ltd リテーナリングおよび半導体装置の製造方法
KR101091030B1 (ko) * 2010-04-08 2011-12-09 이화다이아몬드공업 주식회사 감소된 마찰력을 갖는 패드 컨디셔너 제조방법
KR101916492B1 (ko) * 2011-03-07 2018-11-07 엔테그리스, 아이엔씨. 화학 및 기계적 평탄화 패드 컨디셔너
JP5954293B2 (ja) * 2013-10-17 2016-07-20 信越半導体株式会社 研磨用の発泡ウレタンパッドのドレッシング装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6245193B1 (en) * 1998-10-19 2001-06-12 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Chemical mechanical polishing apparatus improved substrate carrier head and method of use
JP2001025963A (ja) * 1999-06-24 2001-01-30 Samsung Electronics Co Ltd 化学的機械的研磨のためのリテーニングリングとそれの使用法
JP2004119495A (ja) * 2002-09-24 2004-04-15 Sony Corp 研磨ヘッド、化学機械的研磨装置及び半導体装置の製造方法
JP2010533604A (ja) * 2007-07-19 2010-10-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 成形された断面形状を有するリテイナーリング
JP2011224731A (ja) * 2010-04-20 2011-11-10 Ntn Corp リテーナリングおよびリテーナリングの製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150129197A (ko) * 2014-05-09 2015-11-19 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 리테이너 링 및 이를 구비한 캐리어 헤드
KR101630185B1 (ko) * 2014-05-09 2016-06-15 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 리테이너 링 및 이를 구비한 캐리어 헤드
WO2015182882A1 (ko) * 2014-05-30 2015-12-03 원종수 고강도 합금을 포함하는 씨엠피 장치의 연마헤드
KR20180093368A (ko) 2017-02-13 2018-08-22 성균관대학교산학협력단 씨엠피용 리테이너 링
KR102229886B1 (ko) * 2019-12-26 2021-03-22 주식회사 맥스텍 리테이너링 재생방법 및 그 방법에 따라 재생된 리테이너링, 그리고 리테이너링 재생용 금형

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JP2014110428A (ja) 2014-06-12
JP6332592B2 (ja) 2018-05-30
US20140154956A1 (en) 2014-06-05

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