JP3682379B2 - Ｃｍｐパッドコンディショニングディスク及びそのディスクの製造方法 - Google Patents
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- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 title claims description 111
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 82
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 62
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims description 57
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 21
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/12—Dressing tools; Holders therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D18/00—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
- B24D18/0072—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for using adhesives for bonding abrasive particles or grinding elements to a support, e.g. by gluing
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
- B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
- B24D3/04—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially inorganic
- B24D3/06—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially inorganic metallic or mixture of metals with ceramic materials, e.g. hard metals, "cermets", cements
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D7/00—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor
- B24D7/06—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor with inserted abrasive blocks, e.g. segmental
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/959—Mechanical polishing of wafer
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）に係り、さらに詳しくは研磨パッドのコンディショニング効果を向上させるＣＭＰパッドコンディショニングディスク及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、半導体素子は高集積化、高密度化につれ一層微細なパターン形成技術を必要とし、配線の多層化構造を求める領域も広まりつつある。これは半導体素子の表面構造が複雑であり層間膜の段差の程度が激しいということを意味する。前記段差は半導体素子製造工程において多くの工程不良を発生させる時の原因になっている。
【０００３】
特に、写真工程はウェーハ上にフォトレジストを塗布した後、前記フォトレジスト上に回路が形成されたマスクを整列させ光を用いた露光工程を行なってフォトレジストパターンを形成させる工程であって、過去の線幅が大きくて低層構造を有する素子の製造時には問題がなかったが、微細パターンと多層構造により段差が増えることによって、前記段差の上層と下層の露光フォーカスを合わせ難くてパターン形成が難しくなっている。
【０００４】
従って、前記段差を除去するためにウェーハの平坦化技術の重要性が台頭された。前記平坦化技術としてＳＯＧ膜蒸着、エッチバック（Etch Back）またはリフロー（Reflow）などの部分平坦化方法が開発されて工程に使われてきたが、多くの問題点が発生してウェーハ全面にかける平坦化、即ち広域平坦化（Global Planarization）のためにＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）技術が開発された。
【０００５】
ＣＭＰ技術とは化学的物理的な反応を通じてウェーハ表面を平坦化する技術である。ＣＭＰ技術の原理は、ウェーハのパターンが形成されている薄膜を研磨パッド表面に接触させた状態で研磨液（Slurry）を供給して、前記薄膜を化学的で反応させながら同時に回転運動させて物理的にウェーハ上の薄膜の凹凸部を平坦化することである。
【０００６】
図１及び図２を参照すれば、ＣＭＰ装置１はポリウレタン材質の研磨パッド１２が付着された研磨テーブル１０、前記研磨パッド１２と上面したパターンが形成されているパターン薄膜１８を有するウェーハ１６を固定させて研磨液１４が飛散される研磨パッド１２上で回転させるウェーハキャリア２０、前記ウェーハキャリア２０によりＣＭＰ工程がなされる反対側に位置し、前記研磨パッド１２をコンディショニングさせるコンディショニングディスク２４が付着されたコンディショナ２２を含めて構成される。
【０００７】
前記ＣＭＰ装置１を使用するＣＭＰ技術は研磨速度（Removal Rate）と平坦度（Uniformity）が重要であり、これらはＣＭＰ装置１の工程条件、研磨液１４の種類及び研磨パッド１２の種類等により決定される。特に、前記研磨速度に影響を与える要素は研磨パッド１２であって、前記研磨パッド１２をコンディショニングさせるコンディショナ２２のコンディショニングディスク２４は取替周期の適切な選択及び表面状態を管理して工程スペック（Spec）内の研磨速度が保たれるようにすべきである。
【０００８】
図３を参照すれば、前記コンディショニングディスク２４は表面に人造ダイアモンド２６が接着膜２５のニッケル薄膜により付着されていて、材質がポリウレタンであり表面が微細な凹凸部２７の研磨パッド１２の表面を研磨してコンディショニングする。ウェーハ１６が研磨パッド１２上で研磨液１４を供給され、繰り返してＣＭＰ工程を行なえば、研磨液１４を含む膜質副産物２８が前記凹凸部２７の間に積層される。
【０００９】
従って、繰り返されるＣＭＰ工程が行なわれれば前記研磨パッド１２の表面が滑らかになるので、連続工程時後続ウェーハの研磨速度は急激に落ちる。従って、前記コンディショナ２２は後続ウェーハの研磨速度に影響を与えない為、研磨パッド１２が最上の状態を維持するように前記膜質副産物２８を除去するためにコンディショニングを施す。即ち、前記コンディショニングは前記人造ダイアモンド２６が付着された前記コンディショニングディスク２４を研磨パッド１２の表面に接触させた後、一定速度で回転させ研磨パッド１２の表面の粗度を増やしてウェーハのＣＭＰ工程時望みの膜質が一定のスペック（Spec）内に平坦化されるようにする。
【００１０】
金属膜ＣＭＰと酸化膜ＣＭＰ工程時、研磨パッド１２の前記コンディショニング方法は相異なる。前記金属膜ＣＭＰ工程時は、ウェーハのＣＭＰ工程の完了後前記コンディショナ２２が連続して研磨パッド１２の表面のコンディショニングを行なう。前記酸化膜ＣＭＰ工程時はウェーハのＣＭＰ工程と同時に前記コンディショナ２２が研磨パッド１２の表面のコンディショニングを行なう。
【００１１】
図４及び図５を参照すれば、前記コンディショニングディスク２４は所定の大きさを有する人造ダイアモンド２６がニッケル薄膜２５を媒介として表面に付着されている。ＣＭＰ工程が繰り返して行なわれるほど研磨パッド１２と同様に研磨液１４を含む膜質副産物２８が前記人造ダイアモンド２６の間に積層される。前記膜質副産物２８の前記人造ダイアモンド２６間の積層と前記人造ダイアモンド２６それ自体の研磨によって表面が滑らかになって、研磨パッド１２のコンディショニング効果を劣下させる。
即ち、前記研磨パッド１２のコンディショニング効果はコンディショニングディスク２４の人造ダイアモンド２６の状態によって変化される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、現在使用されている人造ダイアモンド２６の大きさは約６８μｍであって、ニッケル薄膜２５の上部に突出した人造ダイアモンド２６の大きさは約３０〜４０μｍしかならなくて寿命が短くて、結局は頻繁なコンディショニングディスク２４の取替によって生産性低下、不良率増加により収率を減少させる問題点があった。
【００１３】
本発明の目的は、寿命が長くて、効率よく研磨パッドをコンディショニングさせるＣＭＰパッドコンディショニングディスク及び製造方法を提供するところにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するための本発明によるＣＭＰパッドコンディショニングディスクは、コンディショニングディスク胴体の表面上に研磨グレーンが付着されてなるＣＭＰパッドコンディショニングディスクであって、コンディショニングディスク胴体の中心部の所定面積が貫通され、前記中心部を基準に十字部をなし、前記十字部のすき間は貫通され、前記十字部は所定の幅を有するリングに囲まれる形状をなし、前記コンディショニングディスク胴体の十字部と前記十字部の端部と面接するリング上には大きさが２００〜３００μｍの人造ダイアモンドが前記研磨グレーンとして付着され、前記コンディショニングディスク胴体の大きさが２００〜３００μｍの人造ダイアモンドが付着される地域以外のリング上には大きさが１００〜２００μｍの人造ダイアモンドが前記研磨グレーンとして付着されることを特徴とする。
【００２１】
本発明によるＣＭＰパッドコンディショニングディスクの製造方法は、
（１）ＣＭＰパッドコンディショニングディスク胴体の表面上に研磨グレーンの接着膜を所定の厚さで形成する１次接着膜形成段階と、（２）前記１次接着膜上に研磨グレーンを付着する段階と、（３）前記１次接着膜上にさらに接着膜を所定の厚さで形成する２次接着膜形成段階と、（４）前記接着膜に不完全に付着された研磨グレーンを除去する段階と、（５）前記２次接着膜上にさらに接着膜を所定の厚さで形成する３次接着膜形成段階とを含めてなされる。
前記研磨グレーンは人造ダイアモンドが望ましく、前記接着膜はニッケル薄膜であっても構わない。
前記接着膜形成は電解研磨方法でメッキすることが望ましく、前記人造ダイアモンドの付着は大きさ別に複数回行ってディスク胴体の半径方向に同心円をなし、区画される内部と外部に付着することが望ましい。
【００２２】
前記接着膜の１次メッキ時の厚さは研磨グレーン大きさの８〜１０％になることができ、前記接着膜の２次及び３次メッキ時の厚さは研磨グレーン大きさの１５〜２０％になることができる。
前記接着膜の３次形成段階後に、前記接着膜に不完全に付着された研磨グレーンを除去する段階をさらに備えることが望ましく、前記３次接着膜形成段階後にさらに接着膜を所定の厚さで形成する４次接着膜形成段階をさらに備えることが望ましい。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面に基づき本発明の望ましい実施例を詳述する。
本発明に係るＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）工程を行う際、パッド表面をコンディショニングさせる金属材質の研磨パッドコンディショニングディスクはディスク胴体の表面上に人造ダイアモンド研磨グレーンが大きさ別に区分される領域が画設されてなされる。
【００２６】
前記コンディショニングディスクの直径は９０〜１１０mmとすることができ、前記人造ダイアモンドは大きさが２００μｍより小さなものと大きいものを使用することが望ましく、前記研磨グレーンの区画は前記ディスク胴体の半径方向に同心円をなし、内部と外部に区画されることが望ましい。
【００２７】
前記ディスク胴体の半径方向に同心円をなす内部領域には大きさが２００〜３００μｍの人造ダイアモンドが付着されることが望ましく、前記ディスク胴体の半径方向に同心円をなす外部領域には大きさが１００〜２００μｍの人造ダイアモンドが付着されることが望ましい。
【００２８】
図６及び図７を参照すれば、前記コンディショニングディスク３０はディスク胴体３１の中心部３６の所定面積が貫通されたリング状でなされている。
前記ディスク胴体３１の貫通された中心部３６を基準に縁部側に所定の幅だけリングをなし、大きさが２００〜３００μｍの人造ダイアモンド３４が付着され、前記ディスク胴体３１の大きさが２００〜３００μｍの人造ダイアモンド３４が付着される地域以外の縁部分は大きさが１００〜２００μｍの人造ダイアモンド３２が付着される。前記ディスク胴体３１の上の前記人造ダイアモンド３２、３４の配列幅の比は１：１が望ましい。
【００２９】
従って、貫通された中心部３６は研磨パッドのコンディショニング時中心部３６に力が偏重されることを防止して、研磨パッドのコンディショニングの均一度を良好にする。また、従来より大きい人造ダイアモンド３２、３４を使用することによって、ニッケル薄膜３３の上部に突出された部分も大きくなって、前記コンディショニングディスク３０の寿命も延ばせ、上記の通り大きさが相異なる人造ダイアモンド３２、３４を使用することによって、コンディショニング能力を向上させうる。そして、前記ディスク胴体３１の角部は図７のＸに示すように２５〜４５゜で面取りして、コンディショニング工程時ディスク胴体３１の角部により研磨パッドが損傷されることを防止した。
【００３０】
図８及び図９を参照すれば、前記コンディショニングディスク４０はディスク胴体４１の所定の中心部４６が貫通され、前記中心部４６を基準に十字状の十字部４５をなし、前記十字部４５のすき間も貫通部４８を持ち、前記十字部４５は所定の幅を有するリングに囲まれている形態を成す。
【００３１】
前記ディスク胴体４１の十字部４５と、前記十字部４５の端部と面接するリング上には直径が２００〜３００μｍの人造ダイアモンド４４が付着され、前記ディスク胴体４１の直径が２００〜３００μｍの人造ダイアモンド４４が付着される地域以外のリング上には直径が１００〜２００μｍの人造ダイアモンド４２が付着されている。
【００３２】
従って、研磨パッドのコンディショニング時前記コンディショニングディスク４０の回転力分散を試みて研磨パッドのコンディショニングの均一度を良好にする。また、従来より大きい人造ダイアモンド４２、４４を使用することによって、ニッケル薄膜４３の上部に突出された部分も大きくなって、前記コンディショニングディスク４０の寿命も延ばせる、上記の通り大きさが相異なる人造ダイアモンド４２、４４を使用することによってコンディショニング能力を向上させうる。
【００３３】
前記コンディショニングディスク４０の角部は図９のＹに示す支点のように２５〜４５゜で面取りをしてコンディショニング時角部により前記研磨パッドに損傷を負わせることを防止した。
【００３４】
前記実施例に使われた人造ダイアモンド４２、４４が付着されたコンディショニングディスク３０、４０は従来の約６８μｍ大きさの人造ダイアモンドを有するコンディショニングディスクよりその寿命がコンディショニング時間を基準として約１５０％以上延びることを確認することができた。
【００３５】
前記実施例を応用して他の実施例を製造できることは当業者らにとって自明な事実である。
図１０は本発明によるコンディショナを示す概略的な図面である。
図１０を参照すれば、ＣＭＰパッドコンディショナ５０は一端が特定固定物に回動自在に設置されている棒５２、前記棒５２の一側端部に形成されたディスクホルダ装着部５４、前記ディスクホルダ装着部５４に装着されるディスクホルダ５６及び前記ディスクホルダ５６に装着される表面上に研磨グレーンが大きさ別に区別される領域が画設されているコンディショニングディスク５８を備えてなされる。
【００３６】
前記コンディショニングディスク５８の胴体の材質は金属であり、前記ディスクホルダ５６の内部には磁石（図示せず）が付着されている。したがって、前記ディスク５８が磁力により前記ディスクホルダ５６に付着される。
【００３７】
前記棒５２は上下運動と直線運動が可能であり、前記ディスクホルダ５６は回転運動が可能である。従って、前記棒５２は上下運動と直線運動及び前記ディスクホルダ５６の回転運動により研磨パッド表面を効率よくコンディショニングする。
【００３８】
前記コンディショニングディスク５８はディスク胴体の中心部の所定面積が貫通されたリング状のディスクまたはディスク胴体の中心部の所定面積が貫通され、前記中心部を基準に十字状をなし、前記十字間は貫通され、前記十字は所定の幅を有するリングに囲まれる形状をなすディスクである。
【００３９】
図１１を参照すれば、はじめに（１）ＣＭＰパッドコンディショニングディスク胴体の表面上に接着膜を所定の厚さで形成する１次接着膜形成段階であって、前記コンディショニングディスクの胴体を電解研磨装置に装着して接着膜のニッケル薄膜を研磨グレーンの人造ダイアモンド大きさの概略８〜１０％だけ厚さで前記コンディショニングディスクの胴体の表面上に形成する。前記研磨グレーンは前述した人造ダイアモンド以外の物質を使用することも出来る。
【００４０】
（２）前記１次接着膜上に研磨グレーンを付着する段階であって、大きさが均一な人造ダイアモンドを前記１次接着膜のニッケル薄膜上に飛散して安着させる。（３）前記１次接着膜上にさらに接着膜を所定の厚さで形成する２次接着膜形成段階であって、ニッケル薄膜を人造ダイアモンド大きさの概略１５〜２０％だけ厚さで前記１次で形成したニッケル薄膜上に形成して人造ダイヤモンドを固定させる。
【００４１】
（４）前記接着膜に不完全に付着された研磨グレーンを除去する段階であって、前記人造ダイアモンドの付着は人造ダイヤモンドを一つずつ選んで付着することではなく、均一な大きさを有する人造ダイアモンドをニッケル薄膜に飛散させるので、全ての人造ダイアモンドが均一に固定付着されない。従って、前記不完全に付着された人造ダイアモンドは工程時離脱されてウェーハの表面にスクラッチなどの工程不良を起こす原因になる。前記不完全に付着された人造ダイアモンドの除去は前記人造ダイアモンドをブラシで掃いて弱く付着された人造ダイアモンドを離脱させる。したがって前記段階で予め不完全に付着された人造ダイアモンドを除去して上記の工程不良を未然に防止できる。
【００４２】
（５）前記２次接着膜上にさらに接着膜を所定の厚さで形成する３次接着膜形成段階であって、ニッケル薄膜を人造ダイアモンド大きさの概略１５〜２０％だけ厚さで形成して前記人造ダイアモンドを一層強く固定させる。（６）前記接着膜に不完全に付着された研磨グレーンを除去する段階であって、反復して不完全に付着された研磨グレーンを除去することにより工程不良を確かに未然に防止する。（７）前記コンディショニングディスク全体を接着膜で形成する４次接着膜形成段階であって、コンディショニングディスク全体にニッケル薄膜を人造ダイアモンド大きさの略１〜３％だけの厚さで形成して前記コンディショニングディスク背面及び前記不完全に付着され除去された人造ダイアモンドが剥離された箇所など前記コンディショニングディスクの全体にニッケル薄膜をメッキして完成する。
【００４３】
図１２を参照すれば、はじめに（１）前記コンディショニングディスクをニッケル薄膜除去化学薬品に浸漬して人造ダイアモンドを剥離する段階であって、前記コンディショニングディスクを前記人造ダイアモンドの接着膜役割をするニッケル薄膜を溶解させる強酸である硫酸水溶液に浸漬して、前記コンディショニングディスク胴体の表面に付着された既に使用された人造ダイアモンドを剥離する。（２）前記コンディショニングディスク胴体の表面を洗浄する段階であって、前記コンディショニングディスク胴体の表面の前記人造ダイアモンドの剥離時使われた化学薬品、有機物及び不純物を除去する。次工程以降は、前記コンディショニングディスク製造方法によって新たな人造ダイアモンドを前記コンディショニングディスク胴体に付着して工程に使用する。従来には既に使用した前記コンディショニングディスクを廃棄させたが、上記の通り寿命切れのコンディショニングディスクの人造ダイアモンドを除去した後、新たな人造ダイアモンドを付着して再使用することによって、コストを節減させることができる。
【００４４】
図１３を参照すれば、はじめに（１）ＣＭＰ工程に既に使用したコンディショニングディスクを所定の化学薬品に浸漬して研磨グレーン間に存在する膜質副産物を除去する段階であって、前記コンディショニングディスクを脱イオン水と弗化水素が９０〜１００:１の混合比で混合された弗化水素水溶液またはＢＯＥ溶液に浸漬して、繰り返されるＣＭＰ工程によってコンディショニングディスクの人造ダイアモンドの凹凸状の間に積層された工程種類によって存在する酸化膜質と研磨液の混合物または金属膜質と研磨液の混合物などで構成された膜質副産物を除去する。
前記膜質副産物がたくさん形成されていれば、研磨パッドのコンディショニング能力が低下される。ここで、前記弗化水素水溶液またはＢＯＥ溶液に浸漬する工程時間は全て２０分〜６０分が望ましい。
【００４５】
（２）前記コンディショニングディスクを脱イオン水で洗浄する段階であって、前記コンディショニングディスクをバスに浸して連続してオーバーフロー（Overflow）方式で脱イオン水を供給して、前記コンディショニングディスクの表面に残存する前記弗化水素水溶液またはＢＯＥ溶液を洗浄する。
【００４６】
（３）前記コンディショニングディスクを乾燥させる段階であって、初めて窒素ガスで吹いて表面の水分を除去した後、オーブンを通じて前記コンディショニングディスクに残っている微量の水分を除去する。前記オーブン工程時間は２０分〜４０分が望ましい。
【００４７】
前述したように、洗浄工程を通したコンディショニングディスクはモニターリングウェーハでテストを実施した結果、既に使用後、研磨速度が３２００Å／min未満に低下していたものが、３２００〜３６００Å／minに向上され、約５０％の寿命が延びることを確認した。ここで、１００％の寿命延長が不可能なのは、人造ダイアモンドそれ自体の大きさが反復されるＣＭＰ工程により摩耗されたためである。したがって、この洗浄方法を行うことによりコンディショニングディスクの寿命を延ばしてコストを節減できる。
【００４８】
【発明の効果】
以上述べたように、研磨パッドのコンディショニング能力と寿命の延びによりコストダウンに寄与する。
上述の実施例においては、本発明の具体例についてのみ詳細に説明したが、本発明の技術思想の範囲内で多様な変形及び修正が可能なのは当業者にとって明白なことであり、このような変形及び修正が特許請求の範囲に属することは当然なことである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＣＭＰ装置を示す概略的な図面である。
【図２】図１のＡ部分の拡大断面図である。
【図３】従来のコンディショニングディスクが研磨パッドをコンディショニングすることを示す断面図である。
【図４】従来のコンディショニングディスクを示す図面である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線の断面図である。
【図６】本発明に係る一実施例のコンディショニングディスクを概略的に示す斜視図である。
【図７】図６のVII-VII’線の断面図である。
【図８】本発明に係る他の実施例のコンディショニングディスクを概略的に示す斜視図である。
【図９】図８のIX−IX’線の断面図である。
【図１０】本発明実施例に係るコンディショナを示す概略的な図面である。
【図１１】本発明実施例に係るコンディショニングディスクの製造方法を示す工程順序図である。
【図１２】本発明の一実施例によるコンディショニングディスクの再生方法を示す工程順序図である。
【図１３】本発明の一実施例によるコンディショニングディスクの洗浄方法を示す工程順序図である。
【符号の説明】
１ ＣＭＰ装置
１０ 研磨テーブル
１２ 研磨パッド
１４ 研磨液
１６ ウェーハ
１８ パターン薄膜
２０ ウェーハキャリア
２２、５０ コンディショナ
２４、３０、４０、５８ コンディショニングディスク
２５、３３、４４ ニッケル薄膜
２６、３２、３４、４２、４４ 人造ダイアモンド
２７ 凹凸部
２８ 膜質副産物
３１、４１ 胴体
３６、４６ 中心部
４５ 十字部
４８ 貫通部
５２ 棒
５４ ホルダ装着部
５６ ホルダ
Ｘ、Ｙ 面取り
【発明の属する技術分野】
本発明はＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）に係り、さらに詳しくは研磨パッドのコンディショニング効果を向上させるＣＭＰパッドコンディショニングディスク及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、半導体素子は高集積化、高密度化につれ一層微細なパターン形成技術を必要とし、配線の多層化構造を求める領域も広まりつつある。これは半導体素子の表面構造が複雑であり層間膜の段差の程度が激しいということを意味する。前記段差は半導体素子製造工程において多くの工程不良を発生させる時の原因になっている。
【０００３】
特に、写真工程はウェーハ上にフォトレジストを塗布した後、前記フォトレジスト上に回路が形成されたマスクを整列させ光を用いた露光工程を行なってフォトレジストパターンを形成させる工程であって、過去の線幅が大きくて低層構造を有する素子の製造時には問題がなかったが、微細パターンと多層構造により段差が増えることによって、前記段差の上層と下層の露光フォーカスを合わせ難くてパターン形成が難しくなっている。
【０００４】
従って、前記段差を除去するためにウェーハの平坦化技術の重要性が台頭された。前記平坦化技術としてＳＯＧ膜蒸着、エッチバック（Etch Back）またはリフロー（Reflow）などの部分平坦化方法が開発されて工程に使われてきたが、多くの問題点が発生してウェーハ全面にかける平坦化、即ち広域平坦化（Global Planarization）のためにＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）技術が開発された。
【０００５】
ＣＭＰ技術とは化学的物理的な反応を通じてウェーハ表面を平坦化する技術である。ＣＭＰ技術の原理は、ウェーハのパターンが形成されている薄膜を研磨パッド表面に接触させた状態で研磨液（Slurry）を供給して、前記薄膜を化学的で反応させながら同時に回転運動させて物理的にウェーハ上の薄膜の凹凸部を平坦化することである。
【０００６】
図１及び図２を参照すれば、ＣＭＰ装置１はポリウレタン材質の研磨パッド１２が付着された研磨テーブル１０、前記研磨パッド１２と上面したパターンが形成されているパターン薄膜１８を有するウェーハ１６を固定させて研磨液１４が飛散される研磨パッド１２上で回転させるウェーハキャリア２０、前記ウェーハキャリア２０によりＣＭＰ工程がなされる反対側に位置し、前記研磨パッド１２をコンディショニングさせるコンディショニングディスク２４が付着されたコンディショナ２２を含めて構成される。
【０００７】
前記ＣＭＰ装置１を使用するＣＭＰ技術は研磨速度（Removal Rate）と平坦度（Uniformity）が重要であり、これらはＣＭＰ装置１の工程条件、研磨液１４の種類及び研磨パッド１２の種類等により決定される。特に、前記研磨速度に影響を与える要素は研磨パッド１２であって、前記研磨パッド１２をコンディショニングさせるコンディショナ２２のコンディショニングディスク２４は取替周期の適切な選択及び表面状態を管理して工程スペック（Spec）内の研磨速度が保たれるようにすべきである。
【０００８】
図３を参照すれば、前記コンディショニングディスク２４は表面に人造ダイアモンド２６が接着膜２５のニッケル薄膜により付着されていて、材質がポリウレタンであり表面が微細な凹凸部２７の研磨パッド１２の表面を研磨してコンディショニングする。ウェーハ１６が研磨パッド１２上で研磨液１４を供給され、繰り返してＣＭＰ工程を行なえば、研磨液１４を含む膜質副産物２８が前記凹凸部２７の間に積層される。
【０００９】
従って、繰り返されるＣＭＰ工程が行なわれれば前記研磨パッド１２の表面が滑らかになるので、連続工程時後続ウェーハの研磨速度は急激に落ちる。従って、前記コンディショナ２２は後続ウェーハの研磨速度に影響を与えない為、研磨パッド１２が最上の状態を維持するように前記膜質副産物２８を除去するためにコンディショニングを施す。即ち、前記コンディショニングは前記人造ダイアモンド２６が付着された前記コンディショニングディスク２４を研磨パッド１２の表面に接触させた後、一定速度で回転させ研磨パッド１２の表面の粗度を増やしてウェーハのＣＭＰ工程時望みの膜質が一定のスペック（Spec）内に平坦化されるようにする。
【００１０】
金属膜ＣＭＰと酸化膜ＣＭＰ工程時、研磨パッド１２の前記コンディショニング方法は相異なる。前記金属膜ＣＭＰ工程時は、ウェーハのＣＭＰ工程の完了後前記コンディショナ２２が連続して研磨パッド１２の表面のコンディショニングを行なう。前記酸化膜ＣＭＰ工程時はウェーハのＣＭＰ工程と同時に前記コンディショナ２２が研磨パッド１２の表面のコンディショニングを行なう。
【００１１】
図４及び図５を参照すれば、前記コンディショニングディスク２４は所定の大きさを有する人造ダイアモンド２６がニッケル薄膜２５を媒介として表面に付着されている。ＣＭＰ工程が繰り返して行なわれるほど研磨パッド１２と同様に研磨液１４を含む膜質副産物２８が前記人造ダイアモンド２６の間に積層される。前記膜質副産物２８の前記人造ダイアモンド２６間の積層と前記人造ダイアモンド２６それ自体の研磨によって表面が滑らかになって、研磨パッド１２のコンディショニング効果を劣下させる。
即ち、前記研磨パッド１２のコンディショニング効果はコンディショニングディスク２４の人造ダイアモンド２６の状態によって変化される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、現在使用されている人造ダイアモンド２６の大きさは約６８μｍであって、ニッケル薄膜２５の上部に突出した人造ダイアモンド２６の大きさは約３０〜４０μｍしかならなくて寿命が短くて、結局は頻繁なコンディショニングディスク２４の取替によって生産性低下、不良率増加により収率を減少させる問題点があった。
【００１３】
本発明の目的は、寿命が長くて、効率よく研磨パッドをコンディショニングさせるＣＭＰパッドコンディショニングディスク及び製造方法を提供するところにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するための本発明によるＣＭＰパッドコンディショニングディスクは、コンディショニングディスク胴体の表面上に研磨グレーンが付着されてなるＣＭＰパッドコンディショニングディスクであって、コンディショニングディスク胴体の中心部の所定面積が貫通され、前記中心部を基準に十字部をなし、前記十字部のすき間は貫通され、前記十字部は所定の幅を有するリングに囲まれる形状をなし、前記コンディショニングディスク胴体の十字部と前記十字部の端部と面接するリング上には大きさが２００〜３００μｍの人造ダイアモンドが前記研磨グレーンとして付着され、前記コンディショニングディスク胴体の大きさが２００〜３００μｍの人造ダイアモンドが付着される地域以外のリング上には大きさが１００〜２００μｍの人造ダイアモンドが前記研磨グレーンとして付着されることを特徴とする。
【００２１】
本発明によるＣＭＰパッドコンディショニングディスクの製造方法は、
（１）ＣＭＰパッドコンディショニングディスク胴体の表面上に研磨グレーンの接着膜を所定の厚さで形成する１次接着膜形成段階と、（２）前記１次接着膜上に研磨グレーンを付着する段階と、（３）前記１次接着膜上にさらに接着膜を所定の厚さで形成する２次接着膜形成段階と、（４）前記接着膜に不完全に付着された研磨グレーンを除去する段階と、（５）前記２次接着膜上にさらに接着膜を所定の厚さで形成する３次接着膜形成段階とを含めてなされる。
前記研磨グレーンは人造ダイアモンドが望ましく、前記接着膜はニッケル薄膜であっても構わない。
前記接着膜形成は電解研磨方法でメッキすることが望ましく、前記人造ダイアモンドの付着は大きさ別に複数回行ってディスク胴体の半径方向に同心円をなし、区画される内部と外部に付着することが望ましい。
【００２２】
前記接着膜の１次メッキ時の厚さは研磨グレーン大きさの８〜１０％になることができ、前記接着膜の２次及び３次メッキ時の厚さは研磨グレーン大きさの１５〜２０％になることができる。
前記接着膜の３次形成段階後に、前記接着膜に不完全に付着された研磨グレーンを除去する段階をさらに備えることが望ましく、前記３次接着膜形成段階後にさらに接着膜を所定の厚さで形成する４次接着膜形成段階をさらに備えることが望ましい。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面に基づき本発明の望ましい実施例を詳述する。
本発明に係るＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）工程を行う際、パッド表面をコンディショニングさせる金属材質の研磨パッドコンディショニングディスクはディスク胴体の表面上に人造ダイアモンド研磨グレーンが大きさ別に区分される領域が画設されてなされる。
【００２６】
前記コンディショニングディスクの直径は９０〜１１０mmとすることができ、前記人造ダイアモンドは大きさが２００μｍより小さなものと大きいものを使用することが望ましく、前記研磨グレーンの区画は前記ディスク胴体の半径方向に同心円をなし、内部と外部に区画されることが望ましい。
【００２７】
前記ディスク胴体の半径方向に同心円をなす内部領域には大きさが２００〜３００μｍの人造ダイアモンドが付着されることが望ましく、前記ディスク胴体の半径方向に同心円をなす外部領域には大きさが１００〜２００μｍの人造ダイアモンドが付着されることが望ましい。
【００２８】
図６及び図７を参照すれば、前記コンディショニングディスク３０はディスク胴体３１の中心部３６の所定面積が貫通されたリング状でなされている。
前記ディスク胴体３１の貫通された中心部３６を基準に縁部側に所定の幅だけリングをなし、大きさが２００〜３００μｍの人造ダイアモンド３４が付着され、前記ディスク胴体３１の大きさが２００〜３００μｍの人造ダイアモンド３４が付着される地域以外の縁部分は大きさが１００〜２００μｍの人造ダイアモンド３２が付着される。前記ディスク胴体３１の上の前記人造ダイアモンド３２、３４の配列幅の比は１：１が望ましい。
【００２９】
従って、貫通された中心部３６は研磨パッドのコンディショニング時中心部３６に力が偏重されることを防止して、研磨パッドのコンディショニングの均一度を良好にする。また、従来より大きい人造ダイアモンド３２、３４を使用することによって、ニッケル薄膜３３の上部に突出された部分も大きくなって、前記コンディショニングディスク３０の寿命も延ばせ、上記の通り大きさが相異なる人造ダイアモンド３２、３４を使用することによって、コンディショニング能力を向上させうる。そして、前記ディスク胴体３１の角部は図７のＸに示すように２５〜４５゜で面取りして、コンディショニング工程時ディスク胴体３１の角部により研磨パッドが損傷されることを防止した。
【００３０】
図８及び図９を参照すれば、前記コンディショニングディスク４０はディスク胴体４１の所定の中心部４６が貫通され、前記中心部４６を基準に十字状の十字部４５をなし、前記十字部４５のすき間も貫通部４８を持ち、前記十字部４５は所定の幅を有するリングに囲まれている形態を成す。
【００３１】
前記ディスク胴体４１の十字部４５と、前記十字部４５の端部と面接するリング上には直径が２００〜３００μｍの人造ダイアモンド４４が付着され、前記ディスク胴体４１の直径が２００〜３００μｍの人造ダイアモンド４４が付着される地域以外のリング上には直径が１００〜２００μｍの人造ダイアモンド４２が付着されている。
【００３２】
従って、研磨パッドのコンディショニング時前記コンディショニングディスク４０の回転力分散を試みて研磨パッドのコンディショニングの均一度を良好にする。また、従来より大きい人造ダイアモンド４２、４４を使用することによって、ニッケル薄膜４３の上部に突出された部分も大きくなって、前記コンディショニングディスク４０の寿命も延ばせる、上記の通り大きさが相異なる人造ダイアモンド４２、４４を使用することによってコンディショニング能力を向上させうる。
【００３３】
前記コンディショニングディスク４０の角部は図９のＹに示す支点のように２５〜４５゜で面取りをしてコンディショニング時角部により前記研磨パッドに損傷を負わせることを防止した。
【００３４】
前記実施例に使われた人造ダイアモンド４２、４４が付着されたコンディショニングディスク３０、４０は従来の約６８μｍ大きさの人造ダイアモンドを有するコンディショニングディスクよりその寿命がコンディショニング時間を基準として約１５０％以上延びることを確認することができた。
【００３５】
前記実施例を応用して他の実施例を製造できることは当業者らにとって自明な事実である。
図１０は本発明によるコンディショナを示す概略的な図面である。
図１０を参照すれば、ＣＭＰパッドコンディショナ５０は一端が特定固定物に回動自在に設置されている棒５２、前記棒５２の一側端部に形成されたディスクホルダ装着部５４、前記ディスクホルダ装着部５４に装着されるディスクホルダ５６及び前記ディスクホルダ５６に装着される表面上に研磨グレーンが大きさ別に区別される領域が画設されているコンディショニングディスク５８を備えてなされる。
【００３６】
前記コンディショニングディスク５８の胴体の材質は金属であり、前記ディスクホルダ５６の内部には磁石（図示せず）が付着されている。したがって、前記ディスク５８が磁力により前記ディスクホルダ５６に付着される。
【００３７】
前記棒５２は上下運動と直線運動が可能であり、前記ディスクホルダ５６は回転運動が可能である。従って、前記棒５２は上下運動と直線運動及び前記ディスクホルダ５６の回転運動により研磨パッド表面を効率よくコンディショニングする。
【００３８】
前記コンディショニングディスク５８はディスク胴体の中心部の所定面積が貫通されたリング状のディスクまたはディスク胴体の中心部の所定面積が貫通され、前記中心部を基準に十字状をなし、前記十字間は貫通され、前記十字は所定の幅を有するリングに囲まれる形状をなすディスクである。
【００３９】
図１１を参照すれば、はじめに（１）ＣＭＰパッドコンディショニングディスク胴体の表面上に接着膜を所定の厚さで形成する１次接着膜形成段階であって、前記コンディショニングディスクの胴体を電解研磨装置に装着して接着膜のニッケル薄膜を研磨グレーンの人造ダイアモンド大きさの概略８〜１０％だけ厚さで前記コンディショニングディスクの胴体の表面上に形成する。前記研磨グレーンは前述した人造ダイアモンド以外の物質を使用することも出来る。
【００４０】
（２）前記１次接着膜上に研磨グレーンを付着する段階であって、大きさが均一な人造ダイアモンドを前記１次接着膜のニッケル薄膜上に飛散して安着させる。（３）前記１次接着膜上にさらに接着膜を所定の厚さで形成する２次接着膜形成段階であって、ニッケル薄膜を人造ダイアモンド大きさの概略１５〜２０％だけ厚さで前記１次で形成したニッケル薄膜上に形成して人造ダイヤモンドを固定させる。
【００４１】
（４）前記接着膜に不完全に付着された研磨グレーンを除去する段階であって、前記人造ダイアモンドの付着は人造ダイヤモンドを一つずつ選んで付着することではなく、均一な大きさを有する人造ダイアモンドをニッケル薄膜に飛散させるので、全ての人造ダイアモンドが均一に固定付着されない。従って、前記不完全に付着された人造ダイアモンドは工程時離脱されてウェーハの表面にスクラッチなどの工程不良を起こす原因になる。前記不完全に付着された人造ダイアモンドの除去は前記人造ダイアモンドをブラシで掃いて弱く付着された人造ダイアモンドを離脱させる。したがって前記段階で予め不完全に付着された人造ダイアモンドを除去して上記の工程不良を未然に防止できる。
【００４２】
（５）前記２次接着膜上にさらに接着膜を所定の厚さで形成する３次接着膜形成段階であって、ニッケル薄膜を人造ダイアモンド大きさの概略１５〜２０％だけ厚さで形成して前記人造ダイアモンドを一層強く固定させる。（６）前記接着膜に不完全に付着された研磨グレーンを除去する段階であって、反復して不完全に付着された研磨グレーンを除去することにより工程不良を確かに未然に防止する。（７）前記コンディショニングディスク全体を接着膜で形成する４次接着膜形成段階であって、コンディショニングディスク全体にニッケル薄膜を人造ダイアモンド大きさの略１〜３％だけの厚さで形成して前記コンディショニングディスク背面及び前記不完全に付着され除去された人造ダイアモンドが剥離された箇所など前記コンディショニングディスクの全体にニッケル薄膜をメッキして完成する。
【００４３】
図１２を参照すれば、はじめに（１）前記コンディショニングディスクをニッケル薄膜除去化学薬品に浸漬して人造ダイアモンドを剥離する段階であって、前記コンディショニングディスクを前記人造ダイアモンドの接着膜役割をするニッケル薄膜を溶解させる強酸である硫酸水溶液に浸漬して、前記コンディショニングディスク胴体の表面に付着された既に使用された人造ダイアモンドを剥離する。（２）前記コンディショニングディスク胴体の表面を洗浄する段階であって、前記コンディショニングディスク胴体の表面の前記人造ダイアモンドの剥離時使われた化学薬品、有機物及び不純物を除去する。次工程以降は、前記コンディショニングディスク製造方法によって新たな人造ダイアモンドを前記コンディショニングディスク胴体に付着して工程に使用する。従来には既に使用した前記コンディショニングディスクを廃棄させたが、上記の通り寿命切れのコンディショニングディスクの人造ダイアモンドを除去した後、新たな人造ダイアモンドを付着して再使用することによって、コストを節減させることができる。
【００４４】
図１３を参照すれば、はじめに（１）ＣＭＰ工程に既に使用したコンディショニングディスクを所定の化学薬品に浸漬して研磨グレーン間に存在する膜質副産物を除去する段階であって、前記コンディショニングディスクを脱イオン水と弗化水素が９０〜１００:１の混合比で混合された弗化水素水溶液またはＢＯＥ溶液に浸漬して、繰り返されるＣＭＰ工程によってコンディショニングディスクの人造ダイアモンドの凹凸状の間に積層された工程種類によって存在する酸化膜質と研磨液の混合物または金属膜質と研磨液の混合物などで構成された膜質副産物を除去する。
前記膜質副産物がたくさん形成されていれば、研磨パッドのコンディショニング能力が低下される。ここで、前記弗化水素水溶液またはＢＯＥ溶液に浸漬する工程時間は全て２０分〜６０分が望ましい。
【００４５】
（２）前記コンディショニングディスクを脱イオン水で洗浄する段階であって、前記コンディショニングディスクをバスに浸して連続してオーバーフロー（Overflow）方式で脱イオン水を供給して、前記コンディショニングディスクの表面に残存する前記弗化水素水溶液またはＢＯＥ溶液を洗浄する。
【００４６】
（３）前記コンディショニングディスクを乾燥させる段階であって、初めて窒素ガスで吹いて表面の水分を除去した後、オーブンを通じて前記コンディショニングディスクに残っている微量の水分を除去する。前記オーブン工程時間は２０分〜４０分が望ましい。
【００４７】
前述したように、洗浄工程を通したコンディショニングディスクはモニターリングウェーハでテストを実施した結果、既に使用後、研磨速度が３２００Å／min未満に低下していたものが、３２００〜３６００Å／minに向上され、約５０％の寿命が延びることを確認した。ここで、１００％の寿命延長が不可能なのは、人造ダイアモンドそれ自体の大きさが反復されるＣＭＰ工程により摩耗されたためである。したがって、この洗浄方法を行うことによりコンディショニングディスクの寿命を延ばしてコストを節減できる。
【００４８】
【発明の効果】
以上述べたように、研磨パッドのコンディショニング能力と寿命の延びによりコストダウンに寄与する。
上述の実施例においては、本発明の具体例についてのみ詳細に説明したが、本発明の技術思想の範囲内で多様な変形及び修正が可能なのは当業者にとって明白なことであり、このような変形及び修正が特許請求の範囲に属することは当然なことである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＣＭＰ装置を示す概略的な図面である。
【図２】図１のＡ部分の拡大断面図である。
【図３】従来のコンディショニングディスクが研磨パッドをコンディショニングすることを示す断面図である。
【図４】従来のコンディショニングディスクを示す図面である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線の断面図である。
【図６】本発明に係る一実施例のコンディショニングディスクを概略的に示す斜視図である。
【図７】図６のVII-VII’線の断面図である。
【図８】本発明に係る他の実施例のコンディショニングディスクを概略的に示す斜視図である。
【図９】図８のIX−IX’線の断面図である。
【図１０】本発明実施例に係るコンディショナを示す概略的な図面である。
【図１１】本発明実施例に係るコンディショニングディスクの製造方法を示す工程順序図である。
【図１２】本発明の一実施例によるコンディショニングディスクの再生方法を示す工程順序図である。
【図１３】本発明の一実施例によるコンディショニングディスクの洗浄方法を示す工程順序図である。
【符号の説明】
１ ＣＭＰ装置
１０ 研磨テーブル
１２ 研磨パッド
１４ 研磨液
１６ ウェーハ
１８ パターン薄膜
２０ ウェーハキャリア
２２、５０ コンディショナ
２４、３０、４０、５８ コンディショニングディスク
２５、３３、４４ ニッケル薄膜
２６、３２、３４、４２、４４ 人造ダイアモンド
２７ 凹凸部
２８ 膜質副産物
３１、４１ 胴体
３６、４６ 中心部
４５ 十字部
４８ 貫通部
５２ 棒
５４ ホルダ装着部
５６ ホルダ
Ｘ、Ｙ 面取り
Claims (16)
- コンディショニングディスク胴体の表面上に研磨グレーンが付着されてなるＣＭＰパッドコンディショニングディスクであって、
コンディショニングディスク胴体の中心部の所定面積が貫通され、前記中心部を基準に十字部をなし、前記十字部のすき間は貫通され、前記十字部は所定の幅を有するリングに囲まれる形状をなし、
前記コンディショニングディスク胴体の十字部と前記十字部の端部と面接するリング上には大きさが２００〜３００μｍの人造ダイアモンドが前記研磨グレーンとして付着され、
前記コンディショニングディスク胴体の大きさが２００〜３００μｍの人造ダイアモンドが付着される地域以外のリング上には大きさが１００〜２００μｍの人造ダイアモンドが前記研磨グレーンとして付着されることを特徴とするＣＭＰパッドコンディショニングディスク。 - 前記コンディショニングディスクの直径は９０〜１１０mmであることを特徴とする請求項１に記載のＣＭＰパッドコンディショニングディスク。
- 前記コンディショニングディスク胴体の材質は金属であることを特徴とする請求項１に記載のＣＭＰパッドコンディショニングディスク。
- 前記コンディショニングディスク胴体の角はラウンド処理したり面取りすることを特徴とする請求項１に記載のＣＭＰパッドコンディショニングディスク。
- 前記面取りの角度は２５゜〜４５゜であることを特徴とする請求項４に記載のＣＭＰパッドコンディショニングディスク。
- （１）ＣＭＰパッドコンディショニングディスク胴体の表面上に研磨グレーンの接着膜を所定の厚さで形成する１次接着膜形成段階と、
（２）前記１次接着膜上に研磨グレーンを付着する段階と、
（３）前記１次接着膜上にさらに接着膜を所定の厚さで形成する２次接着膜形成段階と、
（４）前記接着膜に不完全に付着された研磨グレーンを除去する段階と、
（５）前記２次接着膜上にさらに接着膜を所定の厚さで形成する３次接着膜形成段階とを含めてなることを特徴とするＣＭＰパッドコンディショニングディスクの製造方法。 - 前記研磨グレーンは人造ダイアモンドであることを特徴とする請求項６に記載のＣＭＰパッドコンディショニングディスクの製造方法。
- 前記接着膜はニッケル薄膜であることを特徴とする請求項６に記載のＣＭＰパッドコンディショニングディスクの製造方法。
- 前記接着膜形成は電解研磨方法でメッキすることを特徴とする請求項６に記載のＣＭＰパッドコンディショニングディスクの製造方法。
- 前記人造ダイアモンドの付着は大きさ別に複数回行なってコンディショニングディスク胴体の半径方向に同心円をなし、区画される内部領域と外部領域にそれぞれ付着することを特徴とする請求項７に記載のＣＭＰパッドコンディショニングディスクの製造方法。
- 前記接着膜の１次形成時の厚さは研磨グレーン大きさの８〜１０％であることを特徴とする請求項９に記載のＣＭＰパッドコンディショニングディスクの製造方法。
- 前記接着膜の２次及び３次形成時の厚さは研磨グレーン大きさの１５〜２０％であることを特徴とする請求項９に記載のＣＭＰパッドコンディショニングディスクの製造方法。
- 前記接着膜の３次形成段階後に、前記接着膜に不完全に付着された研磨グレーンを除去する段階をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載のＣＭＰパッドコンディショニングディスクの製造方法。
- 前記３次接着膜形成段階後にさらに接着膜を所定の厚さで形成する４次接着膜形成段階をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載のＣＭＰパッドコンディショニングディスクの製造方法。
- 前記接着膜の４次メッキ時の厚さは研磨グレーン大きさの１〜３％であることを特徴とする請求項１４に記載のＣＭＰパッドコンディショニングディスクの製造方法。
- 前記接着膜に不完全に付着された研磨グレーンの除去はブラシで前記コンディショニングディスク胴体の表面を掃いて研磨グレーンを除去することを特徴とする請求項６または１３に記載のＣＭＰパッドコンディショニングディスクの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1998P14858 | 1998-04-25 | ||
| KR1019980014858A KR19990081117A (ko) | 1998-04-25 | 1998-04-25 | 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크 및 컨디셔너, 그 디스크의 제조방법, 재생방법 및 세정방법 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004288276A Division JP2005039293A (ja) | 1998-04-25 | 2004-09-30 | Ｃｍｐパッドコンディショニングディスクの洗浄方法 |
| JP2004288275A Division JP2005040946A (ja) | 1998-04-25 | 2004-09-30 | Ｃｍｐパッドコンディショナ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11300601A JPH11300601A (ja) | 1999-11-02 |
| JP3682379B2 true JP3682379B2 (ja) | 2005-08-10 |
Family
ID=19536715
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33079098A Expired - Fee Related JP3682379B2 (ja) | 1998-04-25 | 1998-11-20 | Ｃｍｐパッドコンディショニングディスク及びそのディスクの製造方法 |
| JP2004288276A Pending JP2005039293A (ja) | 1998-04-25 | 2004-09-30 | Ｃｍｐパッドコンディショニングディスクの洗浄方法 |
| JP2004288275A Pending JP2005040946A (ja) | 1998-04-25 | 2004-09-30 | Ｃｍｐパッドコンディショナ |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004288276A Pending JP2005039293A (ja) | 1998-04-25 | 2004-09-30 | Ｃｍｐパッドコンディショニングディスクの洗浄方法 |
| JP2004288275A Pending JP2005040946A (ja) | 1998-04-25 | 2004-09-30 | Ｃｍｐパッドコンディショナ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US6213856B1 (ja) |
| JP (3) | JP3682379B2 (ja) |
| KR (1) | KR19990081117A (ja) |
| TW (1) | TW383261B (ja) |
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- 1998-11-20 TW TW087119279A patent/TW383261B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-11-20 JP JP33079098A patent/JP3682379B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1999-04-19 US US09/293,946 patent/US6213856B1/en not_active Expired - Lifetime
-
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- 2001-02-06 US US09/776,732 patent/US6494927B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-06 US US09/776,733 patent/US6596087B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-06-04 US US10/453,583 patent/US6740169B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-09-30 JP JP2004288276A patent/JP2005039293A/ja active Pending
- 2004-09-30 JP JP2004288275A patent/JP2005040946A/ja active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020127962A1 (en) | 2002-09-12 |
| US6213856B1 (en) | 2001-04-10 |
| JPH11300601A (ja) | 1999-11-02 |
| JP2005040946A (ja) | 2005-02-17 |
| US20010009844A1 (en) | 2001-07-26 |
| JP2005039293A (ja) | 2005-02-10 |
| US6596087B2 (en) | 2003-07-22 |
| US6740169B2 (en) | 2004-05-25 |
| US6494927B2 (en) | 2002-12-17 |
| US20030205239A1 (en) | 2003-11-06 |
| KR19990081117A (ko) | 1999-11-15 |
| TW383261B (en) | 2000-03-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040701 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040930 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050425 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050523 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090527 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090527 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100527 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100527 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110527 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110527 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120527 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120527 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130527 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |