TWI616278B - 化學機械研磨修整器 - Google Patents

Abstract

本創作提供一種化學機械研磨修整器，其包含：一基座，其表面劃分為呈同心圓之一中心表面與一外圍表面，中心表面內凹為內凹部，外圍表面環繞中心表面並內凹形成有複數裝設孔；複數修整柱，各修整柱對應地裝設於裝設孔中並包含一柱體與一磨料，該磨料裝設於柱體頂面；複數滑塊設於外圍表面並散布於裝設孔之間，各滑塊具有一滑塊修整面。本創作藉由滑塊可有效的減少拋光墊與基座的接觸，藉此降低基座中金屬離子溶出而造成汙染的機率。

Description

化學機械研磨修整器

本創作係關於一種化學機械研磨修整器，特別係關於一種具有滑塊之化學機械研磨修整器。

化學機械研磨係各領域製程常利用之平坦化技術，因其適合對大面積物品進行平坦化處理，故被廣泛的應用於積體電路的層疊後的矽表面或是銅表面上。

化學機械研磨的設備通常包含一拋光墊與一化學機械研磨修整器，其操作時係先將研磨液利用旋轉塗佈的方式塗佈於拋光墊上，並將待研磨物品的表面壓於拋光墊上，藉由拋光墊對待研磨物品的表面進行研磨拋光加工，從而達到平坦化待研磨物品之目的。

然而，在研磨拋光加工之過程中，因研磨而產生之碎屑會累積於拋光墊的孔隙當中並與研磨液混合形成一硬化層，降低拋光墊的研磨效率，進而縮短拋光墊的使用壽命。因此，在研磨拋光加工之過程中，需利用化學機械研磨修整器持續對拋光墊之表面進行修整，以延長拋光墊的使用時限。

對此，我國專利申請案號103202785揭示一種化學機械研磨修整器，該化學機械研磨修整器中每一磨料具有特定尖端方向、尖端高度或切削刃角以獲得最佳之研 磨性能。然，如圖8所示，於修整時，因該化學機械研磨修整器8的磨料81對拋光墊的刺入深度深，研磨液易與基座82接觸導致基座82腐蝕，致使基座82中金屬成分被溶出而殘留於拋光墊9上，並間接於拋光墊9對晶圓拋光加工製程中造成晶圓之汙染。故，現有之化學機械研磨修整器之結構仍有改良的空間。

本創作之目的係在於對現有技術化學機械研磨修整器之結構進行改良，以減少於修整時基座與拋光墊接觸的機率，進而降低基座中之金屬成分被研磨液溶出並殘留於拋光墊上，而於晶圓拋光加工製程中間接造成晶圓的汙染。

本創作係提供一種化學機械研磨修整器，其包含：一基座，其具有呈同心圓之一中心表面與一外圍表面，該外圍表面環繞該中心表面，該外圍表面內凹形成有複數裝設孔；複數修整柱，各修整柱對應地裝設於前述之裝設孔中，各修整柱包含相組裝之一柱體與一磨料，該柱體具有一柱體頂面，該磨料裝設於該柱體頂面上方，該磨料具有遠離該柱體頂面的一磨料尖端；複數滑塊，其設於該外圍表面並散布於該等裝設孔之間，且各滑塊具有遠離該外圍表面之一滑塊修整面。

本創作之化學機械研磨修整器藉由滑塊可有效的減少拋光墊與基座的接觸，藉此降低基座被研磨液腐 蝕使得金屬離子溶出而殘留於拋光墊並間接汙染晶圓的機率。且分布於外圍表面之修整柱之工作範圍廣，移除效果平均，修整柱使用率佳。

較佳的是，各裝設孔至該中心表面的中心之直線距離均不相等，且任兩相鄰之裝設孔間的距離均不相等。此係避免化學機械研磨修整器於修整拋光墊時產生陰影效應(shadow effect)。

較佳的是，該基座由不銹鋼、陶瓷或工業塑膠所構成；該柱體由不銹鋼所構成；該磨料為人造鑽石、天然鑽石、多晶鑽石或立方氮化硼。更佳的是，該磨料係經一表面加工處理，使該磨料具有特定之切削刃角、晶形結構或尖端方向性，以達最佳之研磨性能。

較佳的是，該磨料尖端係突出於該外圍表面；該柱體頂面係高於該外圍表面，或者，該柱體頂面係低於該外圍表面。

較佳的是，該滑塊之滑塊修整面的高度介於該磨料尖端及該柱體頂面之間，或者，該滑塊修整面的高度切齊該磨料尖端的高度。

較佳的是，該外圍表面更內凹形成有複數裝設槽，該等裝設槽散布於該等裝設孔之間；各滑塊對應地裝設於前述之裝設孔中。更佳的是，該等滑塊沿該外圍表面呈十字排列、放射狀排列或米字形排列。另擇的是，該等滑塊與該基座係一體成形。

較佳的是，以該外圍表面之面積為基準，該等滑塊所佔之面積介於5%至25%之間。若該等滑塊所佔之面 積小於5%，則滑塊將無法有效的作為拋光墊以及基座之表面間的緩衝，若該等滑塊所佔之面積大於25%則會使該等修整柱所能設置之空間受到壓縮。

較佳的是，以該中心表面及該外圍表面之面積總合為基準，該中心表面所佔面積為40%至80%，該外圍表面所占面積為20%至60%；該尖端至該外圍表面的垂直距離為0.12毫米至4.15毫米；該等滑塊之滑塊修整面的高度與該尖端的高度的距離差為0.02毫米至0.15毫米；該等滑塊之滑塊修整面至該外圍表面的垂直距離為0.1毫米至4毫米。若該等滑塊之滑塊修整面至該外圍表面的垂直距離大於5毫米，則該化學機械研磨修整器的整體厚度太厚，除成本增加外，也會因修整柱需相對於該基座露出太多而導致修整柱易脫落。

較佳的是，各滑塊修整面之表面結構係為一平滑表面。另擇的是，各滑塊修整面之表面結構係為一非平滑表面，該非平滑表面係具有凹凸部的微結構。較佳的是，較佳的是，各滑塊之形狀係為圓形、橢圓形、多邊形、長條形、螺旋狀或扇形。

較佳的是，各滑塊修整面由超硬材質、抗腐蝕金屬、立方氮化硼、藍寶石、硬質陶瓷、鑽石、類鑽碳或工業塑膠所構成。更佳的是，超硬材質包含碳化矽、碳化鎢或碳化鉬；抗腐蝕金屬包含金、白銀、鈦合金、鉑銥合金、鉈或釩。

更佳的是，各滑塊修整面上更鍍覆一層鑽石膜。

另擇的是，該等滑塊區分為第一修整滑塊與第二修整滑塊，第一修整滑塊與第二修整滑塊沿該外圍表面間隔排列，各第一修整滑塊具有遠離該外圍表面之一第一滑塊修整面，該第一滑塊修整面之表面結構係為一非平滑表面，該非平滑表面係為具有凹凸部的微結構，而該第一滑塊修整面的高度介於該尖端的高度以及該柱體頂面的高度之間；各第二修整滑塊具有遠離該外圍表面之一第二滑塊修整面，該第二滑塊修整面之表面結構係為一非平滑表面，該非平滑表面係為具有凹凸部的微結構，而該第二滑塊修整面的高度介於該尖端的高度以及該柱體頂面的高度之間。

較佳的是，該第一滑塊修整面及該第二滑塊修整面係具有相同的高度，或者，該第一滑塊修整面及該第二滑塊修整面係具有不同的高度。

較佳的是，該第二滑塊修整面的高度相對低於該第一滑塊修整面之高度，各第二滑塊修整面的高度與各第一滑塊修整面的高度的距離差為20微米至50微米。

較佳的是，該第一修整滑塊及該第二修整滑塊之形狀係為圓形、橢圓形、多邊形、長條形、螺旋狀或扇形。

較佳的是，各第二滑塊修整面由超硬材質、抗腐蝕金屬、立方氮化硼、藍寶石、硬質陶瓷、鑽石、類鑽碳或工業塑膠所構成。更佳的是，超硬材質包含碳化矽、碳化鎢或碳化鉬；抗腐蝕金屬包含金、白銀、鈦合金、鉑銥合金、鉈或釩。

更佳的是，該第二滑塊修整面上更鍍覆一層鑽石膜。

該第二滑塊修整面的高度介於該尖端的高度以及該柱體頂面的高度之間，換言之，其刺入深度相對於該磨料的尖端來得淺，係得以撫平經磨料修整後粗糙度太高的拋光墊表面。又該第二滑塊修整面的高度與該第一滑塊修整面之高度不同，以可增加使用者對於拋光墊表面的粗糙度的控制。

另擇的是，該等滑塊區分為第一修整滑塊與第二修整滑塊，第一修整滑塊與第二修整滑塊沿該外圍表面間隔排列，各第一修整滑塊具有遠離該外圍表面之一第一滑塊修整面，該第一滑塊修整面之表面結構係為一平滑表面，而各第一滑塊修整面的高度介於該尖端的高度以及該柱體頂面的高度之間；各第二修整滑塊具有遠離該外圍表面之一第二滑塊修整面，該第二滑塊修整面之表面結構係為一非平滑表面，該非平滑表面係具有凹凸部的微結構，而該第一修整結構的高度介於該尖端的高度以及該柱體頂面的高度之間。各第一滑塊修整面的高度相對低於各第二滑塊修整面的高度，各第一滑塊修整面的高度與各第二滑塊修整面的高度的垂直距離差為30微米至70微米。

1、1A、1B、1C‧‧‧化學機械研磨修整器

10、10A、10B、10C‧‧‧基座

11、11A、11B‧‧‧中心表面

12、12A、12B、12C‧‧‧外圍表面

13、13A、13B‧‧‧裝設孔

14、14A、14B‧‧‧裝設槽

20‧‧‧修整柱

21‧‧‧柱體

211、211A‧‧‧柱體頂面

22、22A‧‧‧磨料

221、221A‧‧‧尖端

30、30A、30B、30C‧‧‧滑塊

31、31B、31C‧‧‧第一修整滑塊

311、311B、311C‧‧‧第一滑塊修整面

32A、32B、332C‧‧‧第二修整滑塊

321A、321B、321C‧‧‧第二滑塊修整面

8‧‧‧化學機械研磨修整器

81‧‧‧磨料

82‧‧‧基座

9‧‧‧拋光墊

D1‧‧‧厚度

D2‧‧‧垂直距離

D3‧‧‧距離差

D4‧‧‧垂直距離

D5‧‧‧段差

D6‧‧‧距離差

D7‧‧‧垂直距離

D8‧‧‧距離差

D9‧‧‧距離差

圖1為本創作第一實施例之上視圖。

圖2為本創作第一實施例之剖面圖。

圖3為本創作第二實施例之上視圖。

圖4為本創作第二實施例之剖面圖。

圖5為本創作第三實施例之上視圖。

圖6為本創作第三實施例之剖面圖。

圖7為本創作第四實施例之剖面圖。

圖8為現有技術之剖面圖。

附圖1為試驗例中對照例之化學機械研磨修整器進行修整前之照片。

附圖2為試驗例中對照例之化學機械研磨修整器進行修整後之照片。

附圖3為試驗例中第一實施例之化學機械研磨修整器進行修整前之照片。

附圖4為試驗例中第一實施例之化學機械研磨修整器進行修整後之照片。

根據下面說明，本創作的優點和特徵將更清楚的呈現。須要說明的是，圖式均採用簡化的形式且均使用非經準的比例，僅用以方便、清晰地輔助說明本創作實施例的目的。

第一實施例

如圖1、圖2所示，本創作之第一實施例提供一種化學機械研磨修整器1，其包含：一基座10、複數修整柱20與複數滑塊30。

該基座10呈圓盤形並具有一表面，該表面劃分為呈同心圓之一中心表面11與一外圍表面12，該中心表面11內凹形成為一內凹部，該外圍表面12環繞該中心 表面11，該外圍表面12內凹形成有複數裝設孔13與複數裝設槽14，該等裝設槽14散布於該等裝設孔13之間。其中，該內凹部與該外圍表面12之段差為0.5毫米，該基座10之厚度D1為4毫米；而以該中心表面11及該外圍表面12之面積總合為基準，該中心表面11所佔面積為80%，該外圍表面12所占面積為20%；以該外圍表面12之面積為基準，該等裝設孔13所佔之面積為10%；該基座10由不銹鋼所製成。且各裝設孔13至該中心表面11的中心之直線距離均不相等，且任兩相鄰之裝設孔13間的距離均不相等。

各修整柱20對應地裝設於前述之裝設孔13中，各修整柱20包含相組裝之一柱體21與一磨料22，該柱體21具有一柱體頂面211，該柱體頂面211相對高於該外圍表面12，該磨料22裝設於該柱體21之柱體頂面211，該磨料22具有一尖端221，該尖端221位於遠離該柱體頂面211的一端。其中，該尖端221至該外圍表面12的垂直距離D2為0.12毫米；該柱體21由不銹鋼所製成，該磨料22為天然鑽石。

各滑塊30對應地裝設於前述之裝設槽14中，具體的是，該等滑塊30沿該外圍表面12呈十字排列，各滑塊30呈長條形並具有遠離該外圍表面12之一滑塊修整面，具體的是，該等滑塊30係為第一修整滑塊31，而該滑塊修整面為第一滑塊修整面311，該第一滑塊修整面311之表面結構係為一平滑表面，而該第一滑塊修整面311的高度(指第一滑塊修整面311至外圍表面12的垂直距離)介 於該尖端221的高度(指尖端221至外圍表面12的垂直距離)以及該柱體頂面211的高度(指柱體頂面至外圍表面12的垂直距離)之間。其中，該第一滑塊修整面311的高度與該尖端221的高度的距離差D3為0.02毫米；該第一滑塊修整面311至該外圍表面12的垂直距離D4為0.1毫米；而以該外圍表面12之面積為基準，該等第一修整滑塊31之第一滑塊修整面311所占面積為5%；該等第一修整滑塊31之材質包含碳化矽，該第一滑塊修整面311上更鍍覆一層鑽石膜。

第二實施例

如圖3、圖4所示，本創作之第二實施例提供一種化學機械研磨修整器1A，其與第一實施例的化學機械研磨修整器1大致相同，其不同之處在於，該等裝設槽14A沿該外圍表面12A呈放射狀排列；該內凹部與該外圍表面12A之段差D5為1毫米，該基座10A之厚度D1為5.25毫米；而以該中心表面11A及該外圍表面12A之面積總合為基準，該中心表面11A所佔面積為64%，該外圍表面12A所占面積為36%；以該外圍表面12A之面積為基準，該等裝設孔13A所佔之面積為31%；該基座10A由陶瓷所製成。

該尖端221A至該外圍表面12A的垂直距離差D2為0.25毫米；該磨料22A為立方氮化硼。

各滑塊30A係為第二修整滑塊32A，並具有遠離該外圍表面12A之一第二滑塊修整面321A，各第二滑塊修整面321A之表面結構係為一非平滑表面，該非平滑表面係具有凹凸部的微結構，該第二滑塊修整面321A的高度 (指第二滑塊修整面321A至外圍表面12A的垂直距離)介於該尖端221A的高度以及該柱體頂面211A的高度之間。其中，該第一修整結構321A的高度與該尖端221A的高度的距離差D6為0.05毫米；該第二滑塊修整面321A至該外圍表面12A的垂直距離D7為0.2毫米；而以該外圍表面12A之面積為基準，該等第二修整滑塊32A所占面積為10.8%；該等第二修整滑塊32A之材質包含立方氮化硼，第二滑塊修整面321A上更鍍覆一層鑽石膜。

第三實施例

如圖5、圖6所示，本創作之第三實施例提供一種化學機械研磨修整器1B，其與第一實施例的化學機械研磨修整器1大致相同，其不同之處在於，該內凹部與該外圍表面12B之段差為3毫米，該基座10B之厚度D1為7毫米；而以該中心表面11B及該外圍表面12B之面積總合為基準，該中心表面11B所佔面積為40%，該外圍表面12B所占面積為60%；以該外圍表面12B之面積為基準，該等裝設孔13B所佔之面積為50%；該基座10B由工業塑膠所製成。

該尖端至該外圍表面12B的垂直距離為4.15毫米。

該等滑塊30B沿該外圍表面12B呈米字形排列，各滑塊30B係區分為呈圓形之第一修整滑塊31B與呈圓形之第二修整滑塊32B，第一修整滑塊31B與第二修整滑塊32B沿該外圍表面12B間隔排列，各第一修整滑塊31B具有遠離該外圍表面12B之一第一滑塊修整面311B，而該 第一滑塊修整面之表面結構係為一平滑表面，各第一滑塊修整面311B的高度介於該尖端的高度以及該柱體頂面的高度之間；各第二修整滑塊32B具有遠離該外圍表面12B之一第二滑塊修整面321B，該第二滑塊修整面321B之表面結構係為一非平滑表面，該非平滑表面係為具有凹凸部的微結構，而該第二滑塊修整面321B的高度介於該尖端的高度以及該柱體頂面的高度之間。其中，各第二滑塊修整面321B的高度與該尖端的高度的距離差為0.15毫米；各第二滑塊修整面321B至該外圍表面12B之高度的垂直距離D7為4毫米；各第一滑塊修整面311B的高度相對低於各第二滑塊修整面321B的高度，各第一滑塊修整面311B的高度與各第二滑塊修整面321B的高度的距離差D8為50微米；而以該外圍表面12B之面積為基準，該等第二修整滑塊32B所占面積與該等第一修整滑塊31B所占面積之總合為25%；該等第一修整滑塊31B之材質包含藍寶石，該等第二修整滑塊32B之材質包含硬質陶瓷。

第四實施例

如圖7所示，本創作之第四實施例提供一種化學機械研磨修整器1C，其與第一實施例的化學機械研磨修整器1大致相同，其不同之處在於，該基座10C由工業塑膠所製成；該等滑塊30C亦由工業塑膠製成且該等滑塊30C與該基座10C係一體成形；該等滑塊30C區分為第一修整滑塊31C與第二修整滑塊32C，第一修整滑塊31C與第二修整滑塊32C沿該外圍表面12C間隔排列，各第一修整滑塊31C具有遠離該外圍表面12C之一第一滑塊修整面 311C，各第一滑塊修整面311C之表面結構係為一非平滑表面，該非平滑表面係為具有凹凸部的微結構，該第一滑塊修整面311C的高度介於該尖端的高度以及該柱體頂面的高度之間；各第二修整滑塊32C具有遠離該外圍表面12C之一第二滑塊修整面321C，各第二滑塊修整面321C之表面結構係為一非平滑表面，該非平滑表面係為具有凹凸部的微結構，該第二滑塊修整面321C的高度(指第二滑塊修整面321C至外圍表面12C的垂直距離)介於該尖端的高度以及該柱體頂面的高度之間；各第一滑塊修整面311C的高度與該尖端的高度的距離差為0.15毫米；各第一滑塊修整面311C至該外圍表面12C的垂直距離D7為4毫米；各第二滑塊修整面321C的高度相對低於各第一滑塊修整面311C的高度，各第二滑塊修整面321C的高度與各第一滑塊修整面311C的高度的距離差D9為35微米；而以該外圍表面12C之面積為基準，該等第一修整滑塊31C所占面積與該等第二修整滑塊32C所占面積之總合為25%。

該化學機械研磨修整器1C用於修整拋光墊時，磨料係用於修整拋光墊之表面，使拋光墊之表面維持一定之粗糙度，惟因第一滑塊修整面311C與第二滑塊修整面321C的高度介於該尖端的高度以及該柱體頂面的高度之間，意即，該尖端於修整時對拋光墊的刺入深度相對於該第一滑塊修整面311C與第二滑塊修整面321C來得深，故亦使得拋光墊表面粗糙度過高；然配合相對刺入深度較淺的第一滑塊修整面311C與第二滑塊修整面321C，得以移除及撫平拋光墊表面的隆起，降低表面的粗糙度，以獲 得相對平整的拋光墊表面。

對照例

本對照例之化學機械研磨修整器8，其與第一實施例的化學機械研磨修整器1大致相同，其不同之處在於，本對照例之化學機械研磨修整器8未裝設任何滑塊。

試驗例

分別將前述對照例的化學機械研磨修整器(以下簡稱對照例)以及第一實施例的化學機械研磨修整器(以下簡稱實施例)之外圍表面塗佈一色層(即附圖1、附圖3中紅色)，再分別將對照例及實施例對拋光墊進行修整(對化學機械研磨修整器之壓力為3.5公斤)，其結果如附圖1至附圖4所示。

由附圖1、附圖2中可以看出，對照例外圍表面的色層於修整後幾乎消失，其係由於修整過程中，研磨液持續與外圍表面接觸而導致色層於修整過程中被研磨液給沖刷掉；反觀附圖3、附圖4所示，實施例之外圍表面的色層幾乎與修整前相同，其係於修整過程中藉由滑塊有效的減少拋光墊與外圍表面的接觸機會。

本創作之化學機械研磨修整器藉由滑塊可有效的減少拋光墊與基座的接觸，藉此降低基座被研磨液腐蝕使得金屬離子溶出而汙染拋光墊及晶圓的機率。

以上所述僅為說明本創作的例示，並非對本創作做任何形式上的限制，本創作所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本創作技術方案 的範圍內，當可利用上述揭示的技術內容做出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本創作之技術方案的內容，依據本創作的技術實質對以上實施例作任何簡單修改、等同變化與修改，均仍屬於本創作技術方案的範圍內。

1‧‧‧化學機械研磨修整器

10‧‧‧基座

12‧‧‧外圍表面

13‧‧‧裝設孔

14‧‧‧裝設槽

20‧‧‧修整柱

21‧‧‧柱體

211‧‧‧柱體頂面

22‧‧‧磨料

221‧‧‧尖端

30‧‧‧滑塊

31‧‧‧第一修整滑塊

311‧‧‧第一滑塊修整面

D1‧‧‧厚度

D2‧‧‧垂直距離

D3‧‧‧距離差

D4‧‧‧垂直距離

Claims (21)

1. 一種化學機械研磨修整器，其包含：一基座，其具有呈同心圓之一中心表面與一外圍表面，該外圍表面環繞該中心表面，該外圍表面內凹形成有複數裝設孔；複數修整柱，各修整柱對應地裝設於前述之裝設孔中，各修整柱包含相組裝之一柱體與一磨料，該柱體具有一柱體頂面，該磨料裝設於該柱體頂面上方，該磨料具有遠離該柱體頂面的一磨料尖端；複數滑塊，其設於該外圍表面並散布於該等裝設孔之間，且各滑塊具有遠離該外圍表面之一滑塊修整面。
2. 依據請求項1所述的化學機械研磨修整器，該磨料尖端係突出於該外圍表面；該柱體頂面係高於該外圍表面，或者，該柱體頂面係低於該外圍表面。
3. 依據請求項1所述的化學機械研磨修整器，該滑塊修整面的高度介於該磨料尖端及該柱體頂面之間，或者，該滑塊修整面的高度切齊該磨料尖端的高度。
4. 依據請求項1所述的化學機械研磨修整器，該外圍表面更內凹形成有複數裝設槽，該等裝設槽散布於該等裝設孔之間；各滑塊對應地裝設於前述之裝設槽中。
5. 依據請求項1所述的化學機械研磨修整器，該等滑塊與該基座係一體成形。
6. 依據請求項1所述的化學機械研磨修整器，以該外圍表面之面積為基準，該等滑塊所佔之面積介於5%至25%之間。
7. 依據請求項1所述的化學機械研磨修整器，各滑塊修整面之表面結構係為一平滑表面。
8. 依據請求項1所述的化學機械研磨修整器，各滑塊修整面之表面結構係為一非平滑表面，該非平滑表面係具有凹凸部的微結構。
9. 依據請求項1所述之化學機械研磨修整器，該等滑塊係沿該外圍表面呈十字排列、放射狀排列、或米字形排列。
10. 依據請求項1所述的化學機械研磨修整器，各滑塊修整面之組成係為碳化矽、立方氮化硼、藍寶石、硬質陶瓷、鑽石、類鑽碳、或其組合。
11. 依據請求項10所述的化學機械研磨修整器，各滑塊修整面上更鍍覆一層鑽石膜。
12. 依據請求項1所述的化學機械研磨修整器，各滑塊之形狀係為圓形、橢圓形、多邊形、長條形、螺旋狀、或扇形。
13. 依據請求項1所述的化學機械研磨修整器，該等滑塊區分為第一修整滑塊與第二修整滑塊，第一修整滑塊與第二修整滑塊沿該外圍表面間隔排列，各第一修整滑塊具有遠離該外圍表面之一第一滑塊修整面；各第二修整滑塊具有遠離該外圍表面之一第二滑塊修整面。
14. 依據請求項13所述的化學機械研磨修整器，該第一滑塊修整面及該第二滑塊修整面係具有相同的高度。
15. 依據請求項13所述的化學機械研磨修整器，該第一滑塊修整面及該第二滑塊修整面係具有不同的高度。
16. 依據請求項13所述的化學機械研磨修整器，該第一 滑塊修整面及該第二滑塊修整面之表面結構係為一非平滑表面，該非平滑表面係為具有凹凸部的微結構。
17. 依據請求項13所述的化學機械研磨修整器，該第一滑塊修整面之表面結構係為一平滑表面，該第二滑塊修整面之表面結構係為一非平滑表面，該非平滑表面係為具有凹凸部的微結構。
18. 依據請求項13所述之化學機械研磨修整器，該第一修整滑塊及該第二修整滑塊係沿該外圍表面呈十字排列、放射狀排列或米字形排列。
19. 依據請求項13所述的化學機械研磨修整器，該第一滑塊修整面及該第二滑塊修整面之組成係為碳化矽、立方氮化硼、藍寶石、硬質陶瓷、鑽石、類鑽碳或其組合。
20. 依據請求項13所述的化學機械研磨修整器，該第一滑塊修整面及第二滑塊修整面上更鍍覆一層鑽石膜。
21. 依據請求項13所述的化學機械研磨修整器，該第一修整滑塊及該第二修整滑塊之形狀係為圓形、橢圓形、多邊形、長條形、螺旋狀或扇形。