JP2010125588A

JP2010125588A - 半導体研磨布用コンディショナー及びその製造方法

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Publication number: JP2010125588A
Application number: JP2008306245A
Authority: JP
Inventors: Masato Nakamura; 正人中村; Masakuni Takahashi; 正訓高橋
Original assignee: Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 2008-12-01
Filing date: 2008-12-01
Publication date: 2010-06-10

Abstract

【課題】切刃の研削効率が高められるとともに、工具寿命が長期に亘り安定して確保される半導体研磨布用コンディショナー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１に形成された複数の切刃を用いて、前記基板１１に対向配置された半導体研磨布に研削加工を施す半導体研磨布用コンディショナーであって、前記基板１１には、前記半導体研磨布側へ突出する台座部１１Ａが複数形成され、前記切刃は、前記基板１１の表面から突出して形成された第１切刃１と、前記台座部１１Ａの表面から突出して形成された第２切刃２とを有し、前記基板１１の表面、前記台座部１１Ａの表面及び前記第１、第２切刃１，２がダイヤモンド膜で被覆されており、前記第２切刃２の前記基板１１の表面からの高さＨ２が、前記第１切刃１の前記基板１１の表面からの高さＨ１よりも高く設定されていることを特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体ウェーハ等の研磨を行う半導体研磨装置において半導体研磨布のコンディショニングに用いられる半導体研磨布用コンディショナー及びその製造方法に関する。

近年、半導体産業の進展とともに、金属、半導体、セラミックスなどの表面を高精度に仕上げる加工方法の必要性が高まっており、特に、半導体ウェーハでは、その集積度の向上とともにナノメーターオーダーの表面仕上げが要求されている。このような高精度の表面仕上げに対応するために、半導体ウェーハに対して、多孔性の半導体研磨布を用いたＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシュ）研磨が一般に行われている。

半導体ウェーハ等の研磨に用いられる半導体研磨布は、研磨時間が経過していくにつれ目詰まりや圧縮変形を生じ、その表面状態が次第に変化していく。すると、研磨速度の低下や不均一研磨等の好ましくない現象が生じるので、半導体研磨布の表面を定期的に研削加工することにより、半導体研磨布の表面状態を一定に保って、良好な研磨状態を維持する工夫が行われている。

半導体研磨布を研削加工するために用いられる半導体研磨布用コンディショナーとしては、例えば、特許文献１〜３に開示されたものが知られている。特許文献１、２の半導体研磨布用コンディショナーでは、基板の表面に同じ高さの切刃が複数形成され、これらの切刃及び基板の表面を化学気相蒸着（ＣＶＤ）法により形成したダイヤモンド膜でコーティングしている。

また、特許文献３に記載された半導体研磨布用コンディショナーは、基板の表面に互いに大きさの異なる人造ダイヤモンド粒子（切刃）を夫々飛散させニッケル薄膜で接着して形成されている。このように基板の表面に大きさの異なる人造ダイヤモンド粒子を夫々形成することで、コンディショニング能力を高めるようにしている。
特許第３８２９０９２号公報特許第２９５７５１９号公報特開２００５−４０９４６号公報

しかしながら、特許文献１、２のような半導体研磨布用コンディショナーでは、基板の表面から突出する切刃の高さが全て同じ設定とされているので、下記のような課題があった。すなわち、切刃全体が、半導体研磨布の研削加工及び半導体研磨布から受ける荷重分散を行うことから、半導体研磨布を切り込んで研削効率を高めることが難しく、半導体研磨布のウェーハリムーバルレート（ＷＲＲ）を高めパッドウェアレート（ＰＷＲ）を抑制することが難しかった。

一方、特許文献３の半導体研磨布用コンディショナーのように、大きさの異なる切刃を基板の表面に形成すれば、基板の表面から突出する高さが比較的高い切刃を用いて主として半導体研磨布に切り込んでいき、前記高さが比較的低い切刃を用いて主として荷重を分散させることができる。しかしながら、特許文献３のように、人造ダイヤモンド粒子を基板の表面に飛散させるような手法では、切刃の前記高さが精度よく設定されないことから、半導体研磨布を研削加工する性能が半導体研磨布用コンディショナーを交換する毎に変動して、半導体研磨布のＷＲＲやＰＷＲを安定させることができなかった。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、切刃の研削効率が高められるとともに、工具寿命が長期に亘り安定して確保される半導体研磨布用コンディショナー及びその製造方法を提供することを目的とする。

前記目的を達成するために、本発明は以下の手段を提案している。
すなわち本発明は、基板に形成された複数の切刃を用いて、前記基板に対向配置された半導体研磨布に研削加工を施す半導体研磨布用コンディショナーであって、前記基板には、前記半導体研磨布側へ突出する台座部が複数形成され、前記切刃は、前記基板の表面から突出して形成された第１切刃と、前記台座部の表面から突出して形成された第２切刃とを有し、前記基板の表面、前記台座部の表面及び前記第１、第２切刃がダイヤモンド膜で被覆されており、前記第２切刃の前記基板の表面からの高さが、前記第１切刃の前記基板の表面からの高さよりも高く設定されていることを特徴とする。

本発明に係る半導体研磨布用コンディショナーによれば、基板の表面から突出する高さが互いに異なる第１切刃及び第２切刃を有しているので、半導体研磨布を研削する際、第１、第２切刃のうち前記高さが高い第２切刃が主として半導体研磨布に切り込んでいき、前記高さが低い第１切刃が主として半導体研磨布に押し付けられて生じた荷重を受けて分散させる。すなわち、従来のように、前記高さが同じ複数の切刃を用いた場合には、切刃全体が研削加工及び荷重分散を行うため、半導体研磨布に切り込んで研削効率を高めることが難しく、半導体研磨布のＷＲＲを高めＰＷＲを抑制することが難しかった。一方、本発明では、前記高さが異なる第１、第２切刃が、研削加工と荷重分散とを夫々分担するように形成されているので、研削する半導体研磨布のＷＲＲが高められるとともにＰＷＲが抑制される。また、このように前記高さの低い第１切刃に荷重分散させることで、例えば、前記台座部の表面の第２切刃以外の部分において荷重分散させる場合に対比して、研削効率が大幅に高められている。

また、本発明に係る半導体研磨布用コンディショナーにおいて、前記第２切刃の数が、前記切刃の全数に対して１％〜２０％の範囲内に設定されていることとしてもよい。

本発明に係る半導体研磨布用コンディショナーによれば、基板の表面から突出する高さが第１切刃よりも高い第２切刃の数が、切刃全数の１％〜２０％の範囲内に設定されているので、第２切刃が確実に半導体研磨布に切り込んで研削する。すなわち、第２切刃の数が切刃全数の２０％を超えて設定された場合には、第２切刃が半導体研磨布に押し付けられて生じた荷重を受けやすくなるとともに、第１切刃が半導体研磨布に押し当てられにくくなって、研削効率を高めにくくなる。また、第２切刃の数が切刃全数の１％よりも少なく設定された場合には、第２切刃を用いて半導体研磨布を充分に切り込むことが難しくなる。従って、第２切刃の数が上記範囲内とされることで、研削効率がより確実に高められている。

また、本発明に係る半導体研磨布用コンディショナーにおいて、前記第２切刃の前記高さが、前記第１切刃の前記高さの１５０％〜３００％の範囲内に設定されていることとしてもよい。

本発明に係る半導体研磨布用コンディショナーによれば、第２切刃の前記高さが、第１切刃の前記高さの１５０％〜３００％の範囲内に設定されているので、第２切刃が確実に半導体研磨布を切り込んでいき、第１切刃が、半導体研磨布に押し付けられて生じた荷重を確実に受けて分散させる。すなわち、第２切刃の前記高さが第１切刃の前記高さの１５０％よりも低く設定された場合には、第２切刃が半導体研磨布に比較的浅く切り込むこととなり、研削効率を高めにくくなる。また、第２切刃の前記高さが第１切刃の前記高さの３００％を超えて設定された場合には、第２切刃が半導体研磨布に押し付けられて生じた荷重を受けやすくなるとともに、第１切刃が半導体研磨布に押し当てられにくくなって、研削効率を高めにくくなる。従って、第２切刃の前記高さが上記範囲内とされることで、研削効率がさらに確実に高められる。

また、本発明は、前述の半導体研磨布用コンディショナーの製造方法であって、前記基板の表面に、該表面から突出する突起部を形成する工程と、前記突起部をレーザ加工して、前記台座部及び前記第２切刃を形成する工程と、前記基板の表面のうち前記台座部及び前記第２切刃以外の部分をレーザ加工して、前記第１切刃を形成する工程と、前記基板の表面、前記台座部の表面及び前記第１切刃及び前記第２切刃にダイヤモンド膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする。

本発明に係る半導体研磨布用コンディショナーの製造方法によれば、基板の表面から突出する高さが互いに異なる第１切刃及び第２切刃を比較的容易に形成することができる。また、第１切刃及び第２切刃の前記高さを夫々精度よく設定できる。また、このように形成された第１、第２切刃、基板の表面及び台座部の表面をダイヤモンド膜で被覆するので、第１、第２切刃の強度が充分に確保され、工具寿命が延長する。

本発明に係る半導体研磨布用コンディショナーによれば、切刃の研削効率が高められるとともに、工具寿命が長期に亘り安定して確保される。
また、本発明に係る半導体研磨布用コンディショナーの製造方法によれば、このような半導体研磨布用コンディショナーを比較的容易に製造することができる。

図１は本発明の一実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナーを示す概略斜視図、図２は本発明の一実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナーの切刃を拡大して示す概略斜視図、図３は本発明の一実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナーの製造手順を説明する図である。

図１に示すように、本実施形態の半導体研磨布用コンディショナー１０は、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）等のセラミックス材料からなる円板状の基板１１を有している。また、基板１１の表面には、円板状の台座部１１Ａが複数設けられている。また、基板１１の前記表面とは反対側を向く面には、例えばステンレス等からなる円板状の台金（不図示）が接合される。

台座部１１Ａは、基板１１の表面における外周縁部に配置され、周方向に互いに間隔を開けリング状に配列している。また、台座部１１Ａは、径方向にも互いに間隔を開け配列していることとしてもよい。図示の例では、台座部１１Ａは基板１１の表面の周縁に略等間隔を開けて複数（４つ）配置されている。また、本実施形態では、台座部１１Ａは基板１１と一体に形成されている。

また、基板１１の表面及び台座部１１Ａの表面には、切刃が複数形成されている。切刃は、基板１１の表面及び台座部１１Ａの表面から突出して形成されており、例えば、多角柱状、多角錐状、円錐状又は切頭円錐状等に形成される。半導体研磨布用コンディショナー１０は、基板１１の表面及び台座部１１Ａの表面に対向配置される半導体研磨布（不図示）に押し付けられ研削加工を施す際に、これらの切刃を半導体研磨布に切り込んでいく。また、切刃は、基板１１の表面から突出する高さが互いに異なる夫々複数の第１切刃１及び第２切刃２を有している。

図２に示すように、第１切刃１は基板１１の表面に配置され、四角柱状又は横置きされた台形柱状に形成されており、基板１１の表面に対し傾斜する頂面１Ａと、この頂面１Ａの周囲に交差して連なり該頂面１Ａと前記表面とを繋ぎ前記表面に垂直な複数の壁面１Ｂとを備えている。また、第２切刃２は台座部１１Ａの表面に配置され、横置きされた三角柱状に形成されており、基板１１の表面に対し傾斜する頂面２Ａと、この頂面２Ａの周囲に交差して連なり該頂面２Ａと台座部１１Ａの表面とを繋ぎ前記表面に垂直な複数の壁面２Ｂとを備えている。

また、これらの第１、第２切刃１，２の幅Ｗは夫々３０μｍ程度に設定され、奥行きＤは夫々３０μｍ程度に設定されている。また、第１、第２切刃１，２の、基板１１の表面とは反対側を向く先端（刃先）において、頂面１Ａ，２Ａと壁面１Ｂ，２Ｂとがなす刃先角θは、夫々４５°程度に設定されている。

また、第２切刃２は、その基板１１の表面から突出する高さＨ２が、第１切刃１の前記表面から突出する高さＨ１よりも高く設定されている。詳しくは、第２切刃２の高さＨ２は、第１切刃１の高さＨ１の１５０％〜３００％の範囲内に設定されている。また、第１切刃１の高さＨ１は、台座部１１Ａの高さ（すなわち基板１１の表面から台座部１１Ａの表面までの高さ）よりも高く設定されている。また、第２切刃２の数は、切刃の全数（すなわち第１切刃１及び第２切刃２の和）に対して１％〜２０％の範囲内に設定されている。尚、複数の第１切刃１の高さＨ１同士、及び、複数の第２切刃２の高さＨ２同士は、夫々互いに略等しくされている。また、図示の例では、第２切刃２は台座部１１Ａの表面に１つ形成されているが、第２切刃２は前記表面に複数形成されていても構わない。

また、基板１１の表面において、台座部１１Ａが形成されている部分以外の部分には、第１切刃１が周方向及び径方向に互いに間隔を開け複数形成されている。図示の例では、第１切刃１同士の間隔は、台座部１１Ａの第２切刃２同士の間隔より小さくされている。

また、基板１１の表面、台座部１１Ａの表面及び第１、第２切刃１，２は、ＣＶＤ法により形成された多結晶ダイヤモンドからなるダイヤモンド膜（不図示）で被覆されている。また、前記ダイヤモンド膜は、基板１１の表面、台座部１１Ａの表面及び第１、第２切刃１，２以外の台座部１１Ａの側面にも形成されている。尚、本実施形態では、ダイヤモンド膜の膜厚は１０μｍ程度に設定されている。

次に、基板１１の表面と台座部１１Ａの表面に第１切刃１と第２切刃２を形成する手順について説明する。
まず、図３（ａ）に示すように、基板１１の表面に、該表面から突出する円柱状の突起部Ｐを複数形成する。突起部Ｐは、例えば、レーザ加工、プレス成形、機械加工、ブラスト加工等により形成される。

次いで、レーザ光を照射し、突起部Ｐをレーザ加工して、図３（ｂ）に示すように、台座部１１Ａ及び第２切刃２を形成する。
次いで、基板１１の表面のうち台座部１１Ａ及び第２切刃２以外の部分をレーザ加工して、第１切刃１を形成する。このように、図３（ｃ）に示す第１切刃１及び第２切刃２が形成される。

また、第１、第２切刃１，２を形成した後、ＣＶＤ法を用いて基板１１の表面、台座部１１Ａの表面及び第１、第２切刃１，２をダイヤモンド膜で被覆する。また、この際、台座部１１Ａの側面にも前記ダイヤモンド膜が形成される。
このようにして、半導体研磨布用コンディショナー１０が製造される。

以上説明したように、本実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナー１０によれば、基板１１の表面から突出する高さが互いに異なる第１切刃１及び第２切刃２を有しているので、半導体研磨布を研削する際、第１、第２切刃１，２のうち前記高さが高い第２切刃２が主として半導体研磨布に切り込んでいき、前記高さが低い第１切刃１が主として半導体研磨布に押し付けられて生じた荷重を受けて分散させる。

すなわち、従来のように、前記高さが同じ複数の切刃を用いた場合には、切刃全体が研削加工及び荷重分散を行うため、半導体研磨布に切り込んで研削効率を高めることが難しく、半導体研磨布のＷＲＲを高めＰＷＲを抑制することが難しかった。一方、本実施形態の半導体研磨布用コンディショナー１０では、前記高さが異なる第１、第２切刃１，２が、研削加工と荷重分散とを夫々分担するように形成されているので、研削する半導体研磨布のＷＲＲが高められるとともにＰＷＲが抑制される。また、このように前記高さの低い第１切刃１に荷重分散させることで、例えば、台座部１１Ａの表面の第２切刃２以外の部分において荷重分散させる場合に対比して、研削効率が大幅に高められている。

また、前記高さが第１切刃１よりも高い第２切刃２の数が、切刃全数の１％〜２０％の範囲内に設定されているので、第２切刃２が確実に半導体研磨布に切り込んで研削する。すなわち、第２切刃２の数が切刃全数の２０％を超えて設定された場合、第２切刃２が半導体研磨布に押し付けられて生じた荷重を受けやすくなるとともに、第１切刃１が半導体研磨布に押し当てられにくくなって、研削効率を高めにくくなる。また、第２切刃２の数が切刃全数の１％よりも少なく設定された場合、第２切刃２を用いて半導体研磨布を充分に切り込むことが難しくなる。従って、第２切刃２の数が上記範囲内とされることで、研削効率がより確実に高められる。

また、第２切刃２の前記高さが、第１切刃１の前記高さの１５０％〜３００％の範囲内に設定されているので、第２切刃２が確実に半導体研磨布を切り込んでいき、第１切刃１が、半導体研磨布に押し付けられて生じた荷重を確実に受けて分散させる。すなわち、第２切刃２の前記高さが第１切刃１の前記高さの１５０％よりも低く設定された場合、第２切刃２が半導体研磨布に比較的浅く切り込むこととなり、研削効率を高めにくくなる。また、第２切刃２の前記高さが第１切刃１の前記高さの３００％を超えて設定された場合、第２切刃２が半導体研磨布に押し付けられて生じた荷重を受けやすくなるとともに、第１切刃１が半導体研磨布に押し当てられにくくなって、研削効率を高めにくくなる。従って、第２切刃２の前記高さが上記範囲内とされることで、研削効率がさらに確実に高められる。

また、本実施形態の半導体研磨布用コンディショナー１０の製造方法によれば、前記高さが互いに異なる第１切刃１及び第２切刃２を比較的容易に形成することができる。また、第１切刃１及び第２切刃２の前記高さを夫々精度よく設定できる。また、このように形成された第１、第２切刃１，２、基板１１の表面及び台座部１１Ａの表面をダイヤモンド膜で被覆するので、第１、第２切刃１，２の強度が充分に確保され、工具寿命が延長する。

尚、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、本実施形態では、第１切刃１が四角柱状又は台形柱状に形成され、第２切刃２が三角柱状に形成されていることとして説明したが、これらに限定されるものではない。また、図２に示した第１、第２切刃１，２は概略図であり、実際には厳密な四角柱状、台形柱状又は三角柱状に形成されずに多少変形していてもよい。
また、第１、第２切刃１，２の幅Ｗ、奥行きＤ、刃先角θ等の説明で示した具体的数値は一例であり、本実施形態に限定されるものではない。

また、本実施形態では、ダイヤモンド膜の膜厚が１０μｍ程度に形成されることとして説明したが、これに限定されるものではない。ただし、前記膜厚が、１μｍ〜３０μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。

また、第２切刃２の高さＨ２は、第１切刃１の高さＨ１の１５０％〜３００％の範囲内に設定されることが望ましいが、これに限定されるものではなく、また、互いに同一の高さに設定されていなくとも構わない。

また、本実施形態では、突起部Ｐが基板１１の表面にレーザ加工、プレス成形、機械加工、ブラスト加工等により形成され、基板と一体に形成されていることとして説明したが、突起部Ｐは、基板１１とは別体にペレットとして形成された後、基板１１に接合されていてもよい。この場合、突起部Ｐを基板１１に接合してから台座部１１Ａ及び第２切刃２を形成してもよく、また、予め台座部１１Ａ及び第２切刃２を形成した突起部Ｐを基板１１に接合してからダイヤモンド膜を被覆してもよい。

また、本実施形態では、突起部Ｐが円柱状に形成され、台座部１１Ａが円板状に形成されていることとして説明したが、突起部Ｐや台座部１１Ａの形状は、それ以外の多角形柱状や多角形板状等であっても構わない。

以下、本発明を実施例により具体的に説明する。ただし本発明はこの実施例に限定されるものではない。

[実施例１]
実施例１として、直径φ１００ｍｍのＳｉＣからなる基板１１を用い、基板１１の表面に、図２に示す第１、第２切刃１，２を形成した。尚、第２切刃２は、前述のように台座部１１Ａの表面に形成した。第１、第２切刃１，２は、幅Ｗ＝３０μｍ、奥行きＤ＝３０μｍ、刃先角θ＝４５°に夫々形成し、第１切刃１の高さＨ１＝４２μｍ、第２切刃２の高さＨ２＝Ｈ１×１４０％≒５９μｍとした。また、第２切刃２の数が、切刃全数の０．９％、１％、５％、１０％、１５％、２０％、２１％に設定された基板１１を夫々用意した。尚、第１、第２切刃１，２の全数は、１０８００個に設定した。

また、これらの基板１１の表面、台座部１１Ａの表面及び第１、第２切刃１，２をダイヤモンド膜で被覆して、半導体研磨布用コンディショナー１０を夫々形成した。尚、ダイヤモンド膜は、気相合成法熱フィラメント炉を用いたＣＶＤ法によって、原料ガス（流速）：Ｈ_２（１０００ｍｌ／ｍ）、ＣＨ_４（２０ｍｌ／ｍ）、チャンバー圧：２５Ｔｏｒｒ、フィラメント温度：２２００℃、電圧：１８０Ｖ、合成速度：１．０μｍ／ｈの条件下で成膜し、膜厚を１０μｍに形成した。

このように製造した半導体研磨布用コンディショナー１０を半導体研磨装置に取り付け、半導体研磨布（パッド）を用いてウェーハの研磨加工を行い、ＷＲＲ及びＰＷＲを夫々測定した。尚、ウェーハの研磨加工は、パッド：ニッタハース社製ＩＣ１０００、ウェーハ荷重：３５ｋＰａ、半導体研磨布用コンディショナー荷重：６ポンド、スラリー：キャボット社製ＳＳ２５、の条件下で行った。また、ＷＲＲ及びＰＷＲの測定は、ウェーハＰの研磨処理枚数（以下「Ｒｕｎ」）が１Ｒｕｎ（初期）、８００Ｒｕｎ（２４時間研磨相当）に達した時点で夫々行った。

[実施例２]
実施例２として、第２切刃２の高さＨ２＝Ｈ１×１５０％＝６３μｍとした。それ以外は、実施例１と同様の条件として測定を行った。

[実施例３]
実施例３として、第２切刃２の高さＨ２＝Ｈ１×２００％＝８４μｍとした。それ以外は、実施例１と同様の条件として測定を行った。

[実施例４]
実施例４として、第２切刃２の高さＨ２＝Ｈ１×３００％＝１２６μｍとした。それ以外は、実施例１と同様の条件として測定を行った。

[実施例５]
実施例５として、第２切刃２の高さＨ２＝Ｈ１×３１０％≒１３０μｍとした。それ以外は、実施例１と同様の条件として測定を行った。

[比較例]
また、比較例として、切刃が基板１１の表面に形成され、第１、第２切刃１，２の前記高さが同一（すなわち切刃が一種類のみ）とされた基板１１を用意した。また、切刃の前記高さを、１０μｍ、２０μｍ、３０μｍ、５０μｍ、７０μｍとした基板１１を夫々用意した。それ以外は、実施例１と同様の条件として測定を行った。

表１に示す通り、実施例１〜５においては、比較例に比べＷＲＲの安定性が改善されており、また初期（１Ｒｕｎ）からＷＲＲが充分に確保されることがわかった。また、実施例２〜４においては、ＷＲＲが全て２０００Å／分以上に確保されており、研削性能が大幅に高められていることが確認された。
また、実施例１〜５においては、ＷＲＲを改善しつつ、ＰＷＲも実用可能なレベルであることがわかった。

本発明の一実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナーを示す概略斜視図である。本発明の一実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナーの切刃を拡大して示す概略斜視図である。本発明の一実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナーの製造手順を説明する図である。

符号の説明

１第１切刃
２第２切刃
１０半導体研磨布用コンディショナー
１１基板
１１Ａ台座部
Ｈ１第１切刃が基板の表面から突出する高さ
Ｈ２第２切刃が基板の表面から突出する高さ
Ｐ突起部

Claims

基板に形成された複数の切刃を用いて、前記基板に対向配置された半導体研磨布に研削加工を施す半導体研磨布用コンディショナーであって、
前記基板には、前記半導体研磨布側へ突出する台座部が複数形成され、
前記切刃は、前記基板の表面から突出して形成された第１切刃と、前記台座部の表面から突出して形成された第２切刃とを有し、
前記基板の表面、前記台座部の表面及び前記第１、第２切刃がダイヤモンド膜で被覆されており、
前記第２切刃の前記基板の表面からの高さが、前記第１切刃の前記基板の表面からの高さよりも高く設定されていることを特徴とする半導体研磨布用コンディショナー。
請求項１に記載の半導体研磨布用コンディショナーであって、
前記第２切刃の数が、前記切刃の全数に対して１％〜２０％の範囲内に設定されていることを特徴とする半導体研磨布用コンディショナー。
請求項１又は２に記載の半導体研磨布用コンディショナーであって、
前記第２切刃の前記高さが、前記第１切刃の前記高さの１５０％〜３００％の範囲内に設定されていることを特徴とする半導体研磨布用コンディショナー。
請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体研磨布用コンディショナーの製造方法であって、
前記基板の表面に、該表面から突出する突起部を形成する工程と、
前記突起部をレーザ加工して、前記台座部及び前記第２切刃を形成する工程と、
前記基板の表面のうち前記台座部及び前記第２切刃以外の部分をレーザ加工して、前記第１切刃を形成する工程と、
前記基板の表面、前記台座部の表面及び前記第１切刃及び前記第２切刃にダイヤモンド膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体研磨布用コンディショナーの製造方法。