JP2008229820A - Cmp加工用のドレッサ及びcmp加工装置並びにcmp加工用の研磨パッドのドレッシング処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】CMP加工装置に備えられた研磨パッドをドレッシング処理するために用いられるドレッサ4であって、研磨パッドに対向する略円形の支持面4bと、支持面4bの中央部4cからほぼ放射状に延びる3以上の帯状の砥粒保持部41A〜41Hと、隣り合う砥粒保持部41A〜41H同士によって挟まれたほぼ扇形の領域Mにあって、いずれか一方の砥粒保持部41A〜41Hと平行に並んで配置される複数の砥粒保持平行部42と、扇形の領域Mにあって、一方の砥粒保持部41A〜41H及び前記複数の砥粒保持平行部42の間にそれぞれ設けられた帯状の砥粒非保持部43と、を具備してなることを特徴とするCMP加工用のドレッサ4を採用する。
【選択図】図2
Description
また、ドレッサの継続的な使用によって、その底面に固定されたダイヤモンド砥粒のエッジが徐々に鈍化し、研磨パッドの切削能力が低下するという問題もある。この場合、ドレッサ圧力を高めれば研磨パッドの切削能力はある程度改善されるが、ドレッサ圧力の上昇は上述のように毛羽立ち保持性とトレードオフの関係にあるため、毛羽立ちと研削能力の向上の両立が難しく、結果的に研磨パッドの切削能力の長寿命化が図れないという問題もある。
本発明のCMP加工用のドレッサは、CMP加工装置に備えられた研磨パッドをドレッシング処理するために用いられるドレッサであって、前記研磨パッドに対向する略円形の支持面と、前記支持面の中央部からほぼ放射状に延びる3以上の帯状の砥粒保持部と、隣り合う砥粒保持部同士によって挟まれたほぼ扇形の領域にあって、いずれか一方の前記砥粒保持部と平行に並んで配置される複数の砥粒保持平行部と、前記扇形の領域にあって、前記一方の砥粒保持部及び前記複数の砥粒保持平行部の間にそれぞれ設けられた帯状の砥粒非保持部と、を具備してなることを特徴とする。
また、本発明のCMP加工用のドレッサにおいては、前記複数の砥粒保持平行部が、前記一方の砥粒保持部から離れるに従ってその長さが順次短く形成されていることが好ましい。
更に、本発明のCMP加工用のドレッサにおいては、前記砥粒保持部が、前記支持面の中央部において相互に同一の角度をもって交差するように配置されていることが好ましい。
更にまた、本発明のCMP加工用のドレッサにおいては、前記砥粒保持部及び前記砥粒保持平行部が、前記支持面上に形成された結合材層と、前記結合材層によって保持された砥粒とから構成されることが好ましい。
また、本発明のCMP加工用の研磨パッドのドレッシング処理方法は、先の何れかに記載のCMP加工用ドレッサを用いて、CMP加工装置に備えられる研磨パッドをドレッシング処理することを特徴とする。
また、砥粒保持平行部の間隔が相互に一定に保たれることで、帯状の砥粒非保持部も同様に等間隔に保たれる。このため研磨パッドの表面においてドレッサを回転させることで、砥粒保持平行部と砥粒非保持部とが研磨パッド上で交互に摺動することになる。これにより、砥粒保持平行部の摺動によって研磨パッドの表面に形成される毛羽が、常に砥粒保持平行部によって押圧力を受けることがなく、砥粒非保持部が当たるときには押圧力が緩和される。これにより、研磨パッドに形成された毛羽が、研磨パッド表面から分断されたり潰されたりすることがなく、研磨パッド表面における毛羽立ちを多くすることができる。なお、毛羽とは、研磨パッドの切削屑が研磨パッドから分離せずにその表面に残留したものである。
更に、隣接する扇形の領域間での砥粒保持平行部の配置方向が相互に非平行になるので、研磨パッドの表面においてドレッサを回転させることによって、研磨パッドにおける毛羽立ちの方向をランダムな方向に配向させることができる。
このように、本発明のドレッサによってドレッシング処理された研磨パッドは、研磨パッド表面における毛羽立ちが多くなり、かつ毛羽立ちの方向が乱雑になるので、研磨パッドのスラリー保持能力を高めることができる。
更にまた、本発明のドレッサは、その回転方向に特に制限がなく、右回転、左回転のいずれの方向にも回転可能なので、砥粒保持部に保持される砥粒のエッジが偏って鈍化することがなく、ドレッサの研削能力を長期間に渡って保持することができる。
更に、上記のCMP加工用のドレッサによれば、砥粒保持部が、支持面の中央部において相互に同一の角度をもって交差するように配置されているので、砥粒保持部同士によって挟まれた複数の扇形の領域をほぼ同じ形にすることができ、これにより、ドレッサの全面において均一な研磨レートを確保することができる。
更にまた、上記のCMP加工用のドレッサによれば、砥粒保持部及び砥粒保持平行部が、結合材層とこの結合材層によって保持された砥粒とから構成されるので、砥粒保持部及び砥粒保持平行部が砥粒を保持する分だけ研磨パッド側に突出する一方、砥粒非保持部は砥粒保持部及び砥粒保持平行部よりも後退することになる。これにより、研磨パッドの毛羽に対する押圧力が、砥粒非保持部が当たるときに確実に緩和され、研磨パッド表面からの毛羽の分断が防止され、毛羽立ちをより多くすることができる。
更に、上記のドレッシング処理方法によれば、研磨パッド表面における毛羽立ちを多くし、かつ毛羽立ちの方向を乱雑することができ、これにより研磨パッドのスラリー保持能力が高められ、被研磨物に対する研磨能力を向上させることができる。
また、研磨面2aのほぼ中央には、研磨面2a上にスラリーを供給する図示略の供給ノズルが配置されている。スラリーは、例えばシリカ系の研磨剤が分散液に分散されてなるものであり、例えば300ml/分の流量で研磨面2a上に供給される。回転する研磨面2a上に供給されたスラリーは、遠心力によって研磨面2aの全面に広げられる。
砥粒保持部41A〜41Hは、上述したように、底面4bの中央部4cからほぼ放射状に延びている。ここで、ほぼ放射状としたのは、砥粒保持部41A〜41Hを長手方向に延長したときに、底面の中心点から外れるように砥粒保持部41A〜41Hを形成する場合もあり、このような場合には厳密に放射状に形成されるとはいえないので、「ほぼ放射状」としたのである。
また、複数の砥粒保持平行部42は、略扇形の領域Mを区画する他方の砥粒保持部41Dの近傍から、底面4bの周縁部に至るまでの間に渡って形成されている。これにより、図2に示す砥粒保持平行部42は、砥粒保持部41Cから離れるに従ってその長さが順次短くなるように形成されている。
また、砥粒保持平行部42の間隔が相互に一定に保たれることで、帯状の砥粒非保持部43も同様に等間隔に保たれる。このため研磨パッド2の研磨面2aにおいてドレッサ4を回転させることで、砥粒保持部41A〜41H及び砥粒保持平行部42と砥粒非保持部43とが研磨パッド2上で交互に摺動することになる。これにより、砥粒保持部41A〜41H及び砥粒保持平行部42の摺動によって研磨パッド2の研磨面2aに形成される毛羽が、常に砥粒保持部41A〜41H及び砥粒保持平行部42によって押圧力を受けることがなく、砥粒非保持部43が当たるときは押圧力が緩和される。これにより、研磨パッド2に形成された毛羽が、研磨面2aから分断されたり潰されることがなくなる。
更に、図2に示すように、隣接する扇形の領域間での砥粒保持平行部42の配置方向が相互に非平行になるので、研磨面2aにおいてドレッサ4を回転させることによって、研磨パッド2における毛羽立ちの方向をランダムな方向に配向させることが可能になる。
更に、砥粒保持部41A〜41Hが、底面4bの中央部4cにおいて相互に同一の角度をもって交差するので、複数の扇形の領域がほぼ同じ形になり、ドレッサの全面において研磨面2aに対する均一な研磨レートが確保される。
更にまた、砥粒保持部41A〜41H及び砥粒保持平行部42が砥粒45を保持する分だけ研磨パッド2側に突出する一方、砥粒非保持部43は相対的に後退することになるので、研磨パッド2の毛羽に対する押圧力が、砥粒非保持部43が当たるときに確実に緩和され、研磨面2aからの毛羽の分断が防止され、毛羽立ちがより多くなる。
上述したように、本実施形態のCMP加工装置1は枚様式の装置であり、複数の半導体ウェハWが入れ替わり供給されてCMP加工が順次施される。本実施形態のドレッシング方法は、この半導体ウェハWの入れ替えの合間に実施されてもよく、半導体ウェハWがCMP加工用のドレッサ加工されるのと同時に実施されてもよい。
例えば、研磨パッド2を30rpmの回転速度で回転させ、ドレッサ4には20Nの押圧力を印加させつつ40rpmの回転速度で回転駆動させながら研磨パッド2の半径方向に沿って揺動駆動させる。
これら以外の構成は、先のドレッサ4の場合とほぼ同じ構成である。
Claims (6)
- CMP加工装置に備えられた研磨パッドをドレッシング処理するために用いられるドレッサであって、
前記研磨パッドに対向する略円形の支持面と、
前記支持面の中央部からほぼ放射状に延びる3以上の帯状の砥粒保持部と、
隣り合う砥粒保持部同士によって挟まれたほぼ扇形の領域にあって、いずれか一方の前記砥粒保持部と平行に並んで配置される複数の砥粒保持平行部と、
前記扇形の領域にあって、前記一方の砥粒保持部及び前記複数の砥粒保持平行部の間にそれぞれ設けられた帯状の砥粒非保持部と、を具備してなることを特徴とするCMP加工用のドレッサ。 - 前記複数の砥粒保持平行部が、前記一方の砥粒保持部から離れるに従ってその長さが順次短く形成されていることを特徴とする請求項1に記載のCMP加工用のドレッサ。
- 前記砥粒保持部は、前記支持面の中央部において相互に同一の角度をもって交差するように配置されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のCMP加工用のドレッサ。
- 前記砥粒保持部及び前記砥粒保持平行部は、前記支持面上に形成された結合材層と、前記結合材層によって保持された砥粒とから構成されることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れかに記載のCMP加工用のドレッサ。
- 請求項1乃至請求項4の何れかに記載のCMP加工用ドレッサが備えられていることを特徴とするCMP加工装置。
- 請求項1乃至請求項4の何れかに記載のCMP加工用ドレッサを用いて、CMP加工装置に備えられる研磨パッドをドレッシング処理することを特徴とするCMP加工用の研磨パッドのドレッシング処理方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190072743A (ko) * | 2017-12-18 | 2019-06-26 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 에지 연마용 드럼 패드의 드레싱 장치 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102304574B1 (ko) * | 2014-03-21 | 2021-09-27 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 세장형 절삭 에지를 갖는 화학 기계 평탄화 패드 컨디셔너 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5035270B1 (ja) * | 1969-01-24 | 1975-11-14 | ||
JPH08243914A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-09-24 | Motorola Inc | 研磨パッドのためのプリコンディショナおよびその使用方法 |
JPH11239979A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-09-07 | Noritake Diamond Ind Co Ltd | 研磨用回転砥石 |
JPH11300601A (ja) * | 1998-04-25 | 1999-11-02 | Samsung Electronics Co Ltd | Cmpパッドコンディショニングディスク及びコンディショナ、そのディスクの製造方法、再生方法及び洗浄方法 |
JP2001157967A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-12 | Mitsubishi Materials Corp | 単層砥石 |
JP2002046072A (ja) * | 2000-08-02 | 2002-02-12 | Goei Seisakusho:Kk | 砥石工具及びその製造方法 |
US20060128288A1 (en) * | 2004-12-13 | 2006-06-15 | Ehwa Diamond Industrial Co., Ltd. | Conditioner for chemical mechanical planarization pad |
JP3123256U (ja) * | 2004-10-12 | 2006-07-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 成形された研磨材パターン及びチャネルを備えた研磨用パッドコンディショナ |
JP2006205314A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Noritake Super Abrasive:Kk | 回転研削砥石 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6439986B1 (en) * | 1999-10-12 | 2002-08-27 | Hunatech Co., Ltd. | Conditioner for polishing pad and method for manufacturing the same |
US6340326B1 (en) * | 2000-01-28 | 2002-01-22 | Lam Research Corporation | System and method for controlled polishing and planarization of semiconductor wafers |
JP2003039322A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Allied Material Corp | ポリシングパッドの修正用工具 |
JP4216025B2 (ja) * | 2002-09-09 | 2009-01-28 | 株式会社リード | 研磨布用ドレッサー及びそれを用いた研磨布のドレッシング方法 |
US6949012B2 (en) * | 2002-12-10 | 2005-09-27 | Intel Corporation | Polishing pad conditioning method and apparatus |
KR100693251B1 (ko) * | 2005-03-07 | 2007-03-13 | 삼성전자주식회사 | 연마 속도와 연마 패드의 조도를 향상시킬 수 있는 패드 컨디셔너 및 이를 이용하는 화학기계적 연마 장치 |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5035270B1 (ja) * | 1969-01-24 | 1975-11-14 | ||
JPH08243914A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-09-24 | Motorola Inc | 研磨パッドのためのプリコンディショナおよびその使用方法 |
JPH11239979A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-09-07 | Noritake Diamond Ind Co Ltd | 研磨用回転砥石 |
JPH11300601A (ja) * | 1998-04-25 | 1999-11-02 | Samsung Electronics Co Ltd | Cmpパッドコンディショニングディスク及びコンディショナ、そのディスクの製造方法、再生方法及び洗浄方法 |
JP2001157967A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-12 | Mitsubishi Materials Corp | 単層砥石 |
JP2002046072A (ja) * | 2000-08-02 | 2002-02-12 | Goei Seisakusho:Kk | 砥石工具及びその製造方法 |
JP3123256U (ja) * | 2004-10-12 | 2006-07-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 成形された研磨材パターン及びチャネルを備えた研磨用パッドコンディショナ |
US20060128288A1 (en) * | 2004-12-13 | 2006-06-15 | Ehwa Diamond Industrial Co., Ltd. | Conditioner for chemical mechanical planarization pad |
JP2006205314A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Noritake Super Abrasive:Kk | 回転研削砥石 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190072743A (ko) * | 2017-12-18 | 2019-06-26 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 에지 연마용 드럼 패드의 드레싱 장치 |
KR102098993B1 (ko) * | 2017-12-18 | 2020-04-08 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 에지 연마용 드럼 패드의 드레싱 장치 |
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