JP5390750B2 - 研磨装置、および研磨パッド再生処理方法 - Google Patents
研磨装置、および研磨パッド再生処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5390750B2 JP5390750B2 JP2007094472A JP2007094472A JP5390750B2 JP 5390750 B2 JP5390750 B2 JP 5390750B2 JP 2007094472 A JP2007094472 A JP 2007094472A JP 2007094472 A JP2007094472 A JP 2007094472A JP 5390750 B2 JP5390750 B2 JP 5390750B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dresser
- polishing
- polishing pad
- support plate
- swinging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B47/00—Drives or gearings; Equipment therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
図6は本発明の他の実施形態によるドレッサの配置構成を示した平面図である。本実施形態では図6に示すように、ダイヤモンド砥粒が底面に固定された第1ドレッサ8および第2ドレッサ9がそれぞれ、ドレッサ揺動板11,12に回転可能に支持されている。第1および第2のドレッサ揺動板11,12は各先端側が対向するように配置されている。そして、夫々のドレッサ揺動板11,12により、ドレッサ8,9を個別に研磨パッド5上の2箇所に移動させ、研磨パッド5上の2箇所で揺動することが可能である。
2 ウェハ
3 リテーナリング
4 メンブレン
5 研磨パッド
6 周辺加工部
7 スラリ供給口
8 第1ドレッサ
9 第2ドレッサ
10 ドレッサ支持板
11 ドレッサ揺動板(第1のドレッサ揺動板)
12 第2のドレッサ揺動板
13 切削開始面
14 切削完了面
15 毛羽(研磨パッドの切削屑が分離されず残ったもの)
16 ゴミ詰り細孔
17 ゴミ無細孔
18 ドレッサ位置制御部
Claims (4)
- 半導体ウェハを保持するヘッドと、該ヘッドに保持された前記半導体ウェハの研磨面を研磨する研磨パッドと、該研磨パッドを切削して再生させるドレッサとを有し、前記ヘッドと前記研磨パッドを回転させながら前記半導体ウェハの研磨面を研磨し、その研磨前後に前記ドレッサで前記研磨パッドを再生する研磨装置において、
少なくとも2つの前記ドレッサを自転可能に支持し、前記研磨パッド上で同時に揺動させるドレッサ揺動部を備え、
各々の前記ドレッサの揺動が同調するように、前記ドレッサ揺動部は、各々の前記ドレッサを自転可能に支持するドレッサ支持板を有し、該ドレッサ支持板は、各々の前記ドレッサの回転軸から離れた位置に別の回転軸を持ち、かつ、その別の回転軸で回転可能であることを特徴とする研磨装置。 - 前記ドレッサ揺動部は、前記ドレッサ支持板を前記研磨パッド上で揺動させる1本のドレッサ揺動板を備えることを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。
- 半導体ウェハの研磨面を研磨する研磨パッドと、該研磨パッドを切削して再生させるドレッサと、少なくとも2つの前記ドレッサを自転可能に支持し、前記研磨パッド上で同時に揺動させるドレッサ揺動部と、を備え、該ドレッサ揺動部は、各々の前記ドレッサを自転可能に支持するドレッサ支持板を有し、該ドレッサ支持板は、各々の前記ドレッサの回転軸から離れた位置に別の回転軸を持ち、かつ、その別の回転軸で回転可能である研磨装置を用い、前記研磨面の研磨前後に前記ドレッサで前記研磨パッドを再生する研磨パッド再生方法であって、
前記ドレッサ支持板を前記研磨パッド上に移動し、各々の前記ドレッサを自転させ、前記ドレッサ支持板を前記別の回転軸で回転させて各々の前記ドレッサを前記研磨パッド上で同時に揺動させる、研磨パッド再生方法。 - 前記ドレッサ支持板を前記研磨パッド上で揺動させることを特徴とする請求項3に記載の研磨パッド再生方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007094472A JP5390750B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 研磨装置、および研磨パッド再生処理方法 |
US12/051,156 US7708621B2 (en) | 2007-03-30 | 2008-03-19 | Polishing apparatus and method of reconditioning polishing pad |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007094472A JP5390750B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 研磨装置、および研磨パッド再生処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008246654A JP2008246654A (ja) | 2008-10-16 |
JP5390750B2 true JP5390750B2 (ja) | 2014-01-15 |
Family
ID=39795258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007094472A Expired - Fee Related JP5390750B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 研磨装置、および研磨パッド再生処理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7708621B2 (ja) |
JP (1) | JP5390750B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100291840A1 (en) * | 2009-05-12 | 2010-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method for conditioning chemical mechanical polishing apparatus using multiple conditioning disks |
US20110296634A1 (en) * | 2010-06-02 | 2011-12-08 | Jingdong Jia | Wafer side edge cleaning apparatus |
CN102528637A (zh) * | 2010-12-30 | 2012-07-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 化学机械研磨设备及其研磨单元 |
US8920214B2 (en) * | 2011-07-12 | 2014-12-30 | Chien-Min Sung | Dual dressing system for CMP pads and associated methods |
US9233452B2 (en) | 2012-10-29 | 2016-01-12 | Wayne O. Duescher | Vacuum-grooved membrane abrasive polishing wafer workholder |
US8998677B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-07 | Wayne O. Duescher | Bellows driven floatation-type abrading workholder |
US8998678B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-07 | Wayne O. Duescher | Spider arm driven flexible chamber abrading workholder |
US9039488B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-05-26 | Wayne O. Duescher | Pin driven flexible chamber abrading workholder |
US8845394B2 (en) | 2012-10-29 | 2014-09-30 | Wayne O. Duescher | Bellows driven air floatation abrading workholder |
US9011207B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-21 | Wayne O. Duescher | Flexible diaphragm combination floating and rigid abrading workholder |
US9604339B2 (en) | 2012-10-29 | 2017-03-28 | Wayne O. Duescher | Vacuum-grooved membrane wafer polishing workholder |
US9199354B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-12-01 | Wayne O. Duescher | Flexible diaphragm post-type floating and rigid abrading workholder |
US10699908B2 (en) * | 2015-05-29 | 2020-06-30 | Globalwafers Co., Ltd. | Methods for processing semiconductor wafers having a polycrystalline finish |
JP7162000B2 (ja) * | 2017-03-06 | 2022-10-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Cmp位置特定研磨(lsp)用に設計された螺旋及び同心運動 |
US10926378B2 (en) | 2017-07-08 | 2021-02-23 | Wayne O. Duescher | Abrasive coated disk islands using magnetic font sheet |
US10857651B2 (en) * | 2017-11-20 | 2020-12-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Apparatus of chemical mechanical polishing and operating method thereof |
US11691241B1 (en) * | 2019-08-05 | 2023-07-04 | Keltech Engineering, Inc. | Abrasive lapping head with floating and rigid workpiece carrier |
US20240051081A1 (en) * | 2022-08-15 | 2024-02-15 | Applied Materials, Inc. | Multiple disk pad conditioner |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3489272B2 (ja) * | 1995-06-16 | 2004-01-19 | ソニー株式会社 | 研磨装置およびこれを用いた研磨方法 |
JP3360488B2 (ja) * | 1995-06-20 | 2002-12-24 | ソニー株式会社 | 研磨装置およびこれを用いた研磨方法 |
KR100202659B1 (ko) * | 1996-07-09 | 1999-06-15 | 구본준 | 반도체웨이퍼의 기계화학적 연마장치 |
US5990010A (en) * | 1997-04-08 | 1999-11-23 | Lsi Logic Corporation | Pre-conditioning polishing pads for chemical-mechanical polishing |
JPH1148122A (ja) | 1997-08-04 | 1999-02-23 | Hitachi Ltd | 化学的機械研磨装置およびこれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH11123658A (ja) * | 1997-10-21 | 1999-05-11 | Speedfam Co Ltd | ドレッサ及びドレッシング装置 |
US5941762A (en) * | 1998-01-07 | 1999-08-24 | Ravkin; Michael A. | Method and apparatus for improved conditioning of polishing pads |
JP3945940B2 (ja) * | 1999-06-02 | 2007-07-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 試料研磨方法及び試料研磨装置 |
US6196899B1 (en) * | 1999-06-21 | 2001-03-06 | Micron Technology, Inc. | Polishing apparatus |
TW495416B (en) * | 2000-10-24 | 2002-07-21 | Ebara Corp | Polishing apparatus |
US6514127B2 (en) * | 2000-11-30 | 2003-02-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Conditioner set for chemical-mechanical polishing station |
US6390902B1 (en) * | 2001-06-06 | 2002-05-21 | United Microelectronics Corp. | Multi-conditioner arrangement of a CMP system |
JP2003179017A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 研磨装置及び研磨装置における研磨パッドのドレッシング方法 |
US6976907B2 (en) * | 2003-01-10 | 2005-12-20 | Intel Corporation | Polishing pad conditioning |
JP2004268149A (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Central Glass Co Ltd | 研磨布の目詰り除去装置およびそれを用いた連続研磨装置 |
US6935938B1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-08-30 | Lam Research Corporation | Multiple-conditioning member device for chemical mechanical planarization conditioning |
US7094134B2 (en) * | 2004-06-22 | 2006-08-22 | Samsung Austin Semiconductor, L.P. | Off-line tool for breaking in multiple pad conditioning disks used in a chemical mechanical polishing system |
-
2007
- 2007-03-30 JP JP2007094472A patent/JP5390750B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-03-19 US US12/051,156 patent/US7708621B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080242199A1 (en) | 2008-10-02 |
US7708621B2 (en) | 2010-05-04 |
JP2008246654A (ja) | 2008-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5390750B2 (ja) | 研磨装置、および研磨パッド再生処理方法 | |
JP6041967B2 (ja) | 研磨パッドのコンディショニング方法及び装置 | |
TWI806985B (zh) | 研磨設備 | |
EP2762272B1 (en) | Wafer polishing apparatus and method | |
US20120083189A1 (en) | Chemical mechanical polishing apparatus having pad conditioning disk and pre-conditioner unit | |
JPH09103955A (ja) | 正常位置での研摩パッドの平坦さ調整方法及び装置 | |
TWM528231U (zh) | 用於基板拋光的裝置 | |
WO2018198583A1 (ja) | シリコンウエーハの研磨方法 | |
JP6535529B2 (ja) | 両面研磨装置の研磨布のドレッシング装置およびドレッシング方法 | |
JP6345988B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2016197690A (ja) | 研磨装置 | |
JP2004050345A (ja) | 薄板状ワーク外周部加工装置 | |
JP2001018161A (ja) | 研磨装置 | |
JP2003179017A (ja) | 研磨装置及び研磨装置における研磨パッドのドレッシング方法 | |
JP2005005315A (ja) | ウエーハの研磨方法 | |
TW201524686A (zh) | 修整方法及修整裝置 | |
KR100506814B1 (ko) | 웨이퍼 연마 장치 | |
JP5257752B2 (ja) | 研磨パッドのドレッシング方法 | |
JP4122800B2 (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
JP5534488B2 (ja) | 研磨装置及び研磨装置における研磨パッドのドレス方法 | |
JP6250459B2 (ja) | ドレッシング装置、及び半導体製造装置 | |
JP2005335016A (ja) | 研磨布用ドレッシングプレート及び研磨布のドレッシング方法並びにワークの研磨方法 | |
JP2004223684A (ja) | ウェーハノッチ研磨用パッド | |
JP2007331093A (ja) | 研磨装置 | |
JP5311178B2 (ja) | 研磨装置及び研磨装置における研磨パッドのドレス方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120223 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120419 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20130610 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130610 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130913 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131011 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |