JPH08243914A - 研磨パッドのためのプリコンディショナおよびその使用方法 - Google Patents
研磨パッドのためのプリコンディショナおよびその使用方法Info
- Publication number
- JPH08243914A JPH08243914A JP2994596A JP2994596A JPH08243914A JP H08243914 A JPH08243914 A JP H08243914A JP 2994596 A JP2994596 A JP 2994596A JP 2994596 A JP2994596 A JP 2994596A JP H08243914 A JPH08243914 A JP H08243914A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing pad
- preconditioning
- plate
- preconditioner
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 125
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 5
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 15
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 abstract description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 23
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 22
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 19
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 10
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 8
- 241001366032 Melamphaes suborbitalis Species 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 241000217377 Amblema plicata Species 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/959—Mechanical polishing of wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板を平坦化するために使用する研磨
パッドを準備するプリコンディショニング用プレートを
再使用可能にするとともに、プリコンディショニングの
サイクルタイムを低減する。 【解決手段】 プリコンディショニング用プレート（１
０）は半導体ウェーハ（２７）の引き続く金属研磨のた
めのパッド面を準備するため研磨パッド（２４）の表面
を準備調整する。プリコンディショニング用プレートは
その表面上に少なくとも３つの交差する放射状の尾根部
（１４）を有しかつ堅いプラスチック材料で作成され
る。該プリコンディショニング用プレートは実際の研磨
の前に研磨パッドの表面に対して回転され一様かつ安定
な研磨面を提供する。
パッドを準備するプリコンディショニング用プレートを
再使用可能にするとともに、プリコンディショニングの
サイクルタイムを低減する。 【解決手段】 プリコンディショニング用プレート（１
０）は半導体ウェーハ（２７）の引き続く金属研磨のた
めのパッド面を準備するため研磨パッド（２４）の表面
を準備調整する。プリコンディショニング用プレートは
その表面上に少なくとも３つの交差する放射状の尾根部
（１４）を有しかつ堅いプラスチック材料で作成され
る。該プリコンディショニング用プレートは実際の研磨
の前に研磨パッドの表面に対して回転され一様かつ安定
な研磨面を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般的には半導体処
理に関し、かつより特定的には機械的研磨のための構造
および半導体基板を平坦化するために該構造を使用する
方法の分野に関する。
理に関し、かつより特定的には機械的研磨のための構造
および半導体基板を平坦化するために該構造を使用する
方法の分野に関する。
【０００２】
【従来の技術】今日の半導体処理は一般的に半導体基板
上に製作された種々の装置を結合するために精巧に作ら
れたメタリゼイション相互接続のシステムを使用する。
通常、アルミニウムまたは何らかの他の金属が被着され
かつ次にパターニングされてシリコン基板の表面に沿っ
た相互接続経路を形成する。大部分の処理においては、
誘電体または絶縁層が次にこの第１の金属層の上に被着
される。ビア開口が前記誘電体層を通ってエッチングさ
れかつ第２の金属層が次に被着される。第２の金属層は
前記誘電体層を覆いかつ前記ビアを充填して下に横たわ
る第１の金属層と電気的コンタクトを形成する。誘電体
層の目的は金属層の間の絶縁を提供することである。従
って、もし第３の金属層が必要であれば、電気的絶縁を
提供するために前記第２の金属層の上に第２の誘電体層
が被着されなければならない。
上に製作された種々の装置を結合するために精巧に作ら
れたメタリゼイション相互接続のシステムを使用する。
通常、アルミニウムまたは何らかの他の金属が被着され
かつ次にパターニングされてシリコン基板の表面に沿っ
た相互接続経路を形成する。大部分の処理においては、
誘電体または絶縁層が次にこの第１の金属層の上に被着
される。ビア開口が前記誘電体層を通ってエッチングさ
れかつ第２の金属層が次に被着される。第２の金属層は
前記誘電体層を覆いかつ前記ビアを充填して下に横たわ
る第１の金属層と電気的コンタクトを形成する。誘電体
層の目的は金属層の間の絶縁を提供することである。従
って、もし第３の金属層が必要であれば、電気的絶縁を
提供するために前記第２の金属層の上に第２の誘電体層
が被着されなければならない。
【０００３】前記異なる被着誘電体層はしばしば高さが
下に横たわる金属ラインに対応する適合（ｃｏｎｆｏｒ
ｍａｌ）層である。従って、おのおのの誘電体層の上面
は望ましくないものと思われる一連の平坦でない高さの
変動によって特徴付けられる。前記誘電体層の表面を平
坦化するために技術的に種々の方法が提供されている。
１つのそのような方法は誘電体層の表面に沿って突出す
る段差部を除去するために研磨仕上げを使用する。この
方法では、シリコン基板がスラリ（ｓｌｕｒｒｙ）また
は研磨剤（ａｂｒａｓｉｖｅ）で被覆された研磨パッド
で覆われたテーブル上に表面を下にして置かれる。基板
およびテーブルは次にお互いに対して相対的に回転され
基板上の突出部を除去する。基板表面を平坦化するこの
プロセスは一般に化学機械研磨（ＣＭＰ）と称される。
下に横たわる金属ラインに対応する適合（ｃｏｎｆｏｒ
ｍａｌ）層である。従って、おのおのの誘電体層の上面
は望ましくないものと思われる一連の平坦でない高さの
変動によって特徴付けられる。前記誘電体層の表面を平
坦化するために技術的に種々の方法が提供されている。
１つのそのような方法は誘電体層の表面に沿って突出す
る段差部を除去するために研磨仕上げを使用する。この
方法では、シリコン基板がスラリ（ｓｌｕｒｒｙ）また
は研磨剤（ａｂｒａｓｉｖｅ）で被覆された研磨パッド
で覆われたテーブル上に表面を下にして置かれる。基板
およびテーブルは次にお互いに対して相対的に回転され
基板上の突出部を除去する。基板表面を平坦化するこの
プロセスは一般に化学機械研磨（ＣＭＰ）と称される。
【０００４】ＣＭＰのために高いかつ安定な研磨速度ま
たは研磨率を達成しかつ維持する上での１つの要因は、
引き続く研磨作業のためにパッド表面が適切な状態に準
備される技術であるパッドの調節またはコンディショニ
ング（ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇ）である。研磨パッド
を調節するために種々の方法が利用できる。１つの方法
はスラリを基板表面とパッドとの間に導くために研磨パ
ッド表面に円周方向のみぞを切り込む。これらのみぞは
研磨するに先立ちフライス盤（ｍｉｌｌｉｎｇｍａｃｈ
ｉｎｅ）、旋盤（ｌａｔｈｅ）、または圧搾機（ｐｒｅ
ｓｓ）によって形成される。この方法に伴う問題はみぞ
を形成する尾根部分（ｒｉｄｇｅｓ）が研磨サイクルの
反復の後にすりへることである。平滑化された研磨面は
基板表面の下のスラリの放出の低減を招く。パッド荒さ
のこの時間による低下により、低い不安定なかつ予測で
きない研磨速度を生じる。
たは研磨率を達成しかつ維持する上での１つの要因は、
引き続く研磨作業のためにパッド表面が適切な状態に準
備される技術であるパッドの調節またはコンディショニ
ング（ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇ）である。研磨パッド
を調節するために種々の方法が利用できる。１つの方法
はスラリを基板表面とパッドとの間に導くために研磨パ
ッド表面に円周方向のみぞを切り込む。これらのみぞは
研磨するに先立ちフライス盤（ｍｉｌｌｉｎｇｍａｃｈ
ｉｎｅ）、旋盤（ｌａｔｈｅ）、または圧搾機（ｐｒｅ
ｓｓ）によって形成される。この方法に伴う問題はみぞ
を形成する尾根部分（ｒｉｄｇｅｓ）が研磨サイクルの
反復の後にすりへることである。平滑化された研磨面は
基板表面の下のスラリの放出の低減を招く。パッド荒さ
のこの時間による低下により、低い不安定なかつ予測で
きない研磨速度を生じる。
【０００５】関連する方法では、単に研磨パッドに前も
って形成した、円周方向の三角形のみぞを設ける。そし
て研磨工程の間に、振動するスタイラス上のダイヤモン
ドチップが研磨パッドに付加的な放射状のみぞを切り込
みさらにパッドおよび基板表面の間にスラリを導く。こ
の方法は前に述べた方法と同じ欠点を有し、それは円周
方向のみぞが最終的に磨損し、かつパッドに切り込まれ
ている放射状のみぞが研磨の間にパッドの寿命を低下さ
せるからである。
って形成した、円周方向の三角形のみぞを設ける。そし
て研磨工程の間に、振動するスタイラス上のダイヤモン
ドチップが研磨パッドに付加的な放射状のみぞを切り込
みさらにパッドおよび基板表面の間にスラリを導く。こ
の方法は前に述べた方法と同じ欠点を有し、それは円周
方向のみぞが最終的に磨損し、かつパッドに切り込まれ
ている放射状のみぞが研磨の間にパッドの寿命を低下さ
せるからである。
【０００６】第３の別の方法はウェーハを研磨する前に
研磨パッドを調節するためダイヤモンドのコンディショ
ニングディスクを使用する。この方法は最終的にダイヤ
モンドが前記コンディショニングディスクから失われか
つスラリと混合されるという欠点を有する。スラリの解
き放たれたダイヤモンド微粒はウェーハの研磨された面
にかき傷を付けることがある。また、ダイヤモンドのコ
ンディショニングディスクはいったん表面からダイヤモ
ンドが失われると、最終的に捨てられなければならな
い。他の不都合は、この方法はまた研磨パッド面の層を
除去することによって研磨パッドの面をすりへらすこと
である。
研磨パッドを調節するためダイヤモンドのコンディショ
ニングディスクを使用する。この方法は最終的にダイヤ
モンドが前記コンディショニングディスクから失われか
つスラリと混合されるという欠点を有する。スラリの解
き放たれたダイヤモンド微粒はウェーハの研磨された面
にかき傷を付けることがある。また、ダイヤモンドのコ
ンディショニングディスクはいったん表面からダイヤモ
ンドが失われると、最終的に捨てられなければならな
い。他の不都合は、この方法はまた研磨パッド面の層を
除去することによって研磨パッドの面をすりへらすこと
である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上に述べたこれらすべ
ての方法は誘電体層を研磨するための知られた方法であ
る。金属層を研磨する必要がある場合には異なるチャレ
ンジが存在する。金属層は、例えば、ビアを満たすため
に１つの層が被着された場合に研磨する必要がある。い
ったんビアが充填されれば、次の装置の製造処理工程の
前に余分の金属が研磨除去される。前に述べた方法は金
属の研磨に対してはうまく機能しない。１つの理由はそ
れらすべてが金属研磨の要件と適合しない方法で研磨パ
ッドをすりへらすことである。パッド表面は研磨パッド
の絶えざる再調節（ｒｅｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇ）な
しには一様な研磨面を生成しない。さらに、研磨面を劇
的にすりへらすことはパッドの有用な寿命を低減し、か
つしばしば交換されなければならず、研磨サイクルの遅
延を生じさせかつ処理のコストを追加する。さらに、前
記ダイヤモンドディスクの方法は基板上の金属がスラリ
中のダイヤモンドにより研磨スラリと反応するため腐食
の問題を引き起こす。
ての方法は誘電体層を研磨するための知られた方法であ
る。金属層を研磨する必要がある場合には異なるチャレ
ンジが存在する。金属層は、例えば、ビアを満たすため
に１つの層が被着された場合に研磨する必要がある。い
ったんビアが充填されれば、次の装置の製造処理工程の
前に余分の金属が研磨除去される。前に述べた方法は金
属の研磨に対してはうまく機能しない。１つの理由はそ
れらすべてが金属研磨の要件と適合しない方法で研磨パ
ッドをすりへらすことである。パッド表面は研磨パッド
の絶えざる再調節（ｒｅｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇ）な
しには一様な研磨面を生成しない。さらに、研磨面を劇
的にすりへらすことはパッドの有用な寿命を低減し、か
つしばしば交換されなければならず、研磨サイクルの遅
延を生じさせかつ処理のコストを追加する。さらに、前
記ダイヤモンドディスクの方法は基板上の金属がスラリ
中のダイヤモンドにより研磨スラリと反応するため腐食
の問題を引き起こす。
【０００８】金属の研磨のために検討された１つの方法
はプリコンディショニング工程として研磨パッドの表面
を粗くするためブラシを使用することを含む。この方法
はいくつかの欠点を有する。第１に、ブラシを形成する
毛（ｂｒｉｓｔｌｅｓ）に累積した残留物は洗浄するの
が困難である。第２に、ブラシの毛は処理中に折れる傾
向があり、スラリにおける望ましくない事態に通じる。
さらに、ブラシは前記毛が折れない場合でも急速にすり
へり、この解決方法を極めて実際的でないものにする。
はプリコンディショニング工程として研磨パッドの表面
を粗くするためブラシを使用することを含む。この方法
はいくつかの欠点を有する。第１に、ブラシを形成する
毛（ｂｒｉｓｔｌｅｓ）に累積した残留物は洗浄するの
が困難である。第２に、ブラシの毛は処理中に折れる傾
向があり、スラリにおける望ましくない事態に通じる。
さらに、ブラシは前記毛が折れない場合でも急速にすり
へり、この解決方法を極めて実際的でないものにする。
【０００９】金属を首尾よく研磨する１つの方法は研磨
パッドのためのプリコンディショニング工程としてダミ
ーまたはブランケットのウェーハを使用することであ
る。この方法は研磨装置においてタングステンの頭部面
層を有するブランクのシリコンウェーハを使用して引き
続く実際の研磨作業のための研磨パッドの面を準備す
る。研磨速度および研磨面の一様性は安定した研磨速度
が達成されるまでおのおののブランケットのウェーハの
後に監視される。その次にのみ研磨される必要がある実
際のウェーハが処理されるべき研磨装置の上に置かれ
る。この方法は時間を浪費し、それは研磨パット面が金
属研磨のために用意ができるまでにほぼ１０のブランケ
ットウェーハが必要なためである。このプリコンディシ
ョニング工程は完了するのにほぼ４０〜５０分必要であ
り、かつ新しい研磨パットが導入されたときかつまた研
磨パッドが短い時間の間、ほぼ１５分間の間、アイドル
状態に留まった場合には常に反復されなければならな
い。
パッドのためのプリコンディショニング工程としてダミ
ーまたはブランケットのウェーハを使用することであ
る。この方法は研磨装置においてタングステンの頭部面
層を有するブランクのシリコンウェーハを使用して引き
続く実際の研磨作業のための研磨パッドの面を準備す
る。研磨速度および研磨面の一様性は安定した研磨速度
が達成されるまでおのおののブランケットのウェーハの
後に監視される。その次にのみ研磨される必要がある実
際のウェーハが処理されるべき研磨装置の上に置かれ
る。この方法は時間を浪費し、それは研磨パット面が金
属研磨のために用意ができるまでにほぼ１０のブランケ
ットウェーハが必要なためである。このプリコンディシ
ョニング工程は完了するのにほぼ４０〜５０分必要であ
り、かつ新しい研磨パットが導入されたときかつまた研
磨パッドが短い時間の間、ほぼ１５分間の間、アイドル
状態に留まった場合には常に反復されなければならな
い。
【００１０】従って、不均一な研磨面を生じさせるスラ
リのポケットを避けるために研磨のための飽和した（ｓ
ａｔｕｒａｔｅｄ）かつ安定な面を迅速に達成する方法
が望まれる。
リのポケットを避けるために研磨のための飽和した（ｓ
ａｔｕｒａｔｅｄ）かつ安定な面を迅速に達成する方法
が望まれる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、１つの実施形
態では、半導体ウェーハの引き続く研磨のためにパッド
の表面を準備するため研磨パッドのためのプリコンディ
ショニング用プレートを提供する。本発明は金属研磨に
使用するのに十分適しており、それは前記プリコンディ
ショニング用プレートの材料はスラリと反応してウェー
ハ上に腐食の問題を生じることはないためである。前記
プリコンディショニング用プレートはその表面上に少な
くとも３つの交差する放射状の尾根部（ｒｉｄｇｅｓ）
を有しかつ堅いプラスチック材料から作られる。前記プ
リコンディショニング用プレートは実際の研磨の前に研
磨パッドの面に対して回転され一様かつ安定な研磨面を
提供する。前記プリコンディショニング用プレートは研
磨パッドをすりへらしあるいは磨損することはなく、か
つそれは研磨パッドにみぞを形成することもない。さら
に、前記プリコンディショニング用プレートは再使用可
能である。プリコンディショニング用プレートを使用す
ることによってパッドの調節時間（ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
ｉｎｇ ｔｉｍｅ）をほぼ９０％低減し、これは実質的
にサイクルタイムを低減する。これらおよび他の特徴、
および利点は、図面とともに以下の詳細な説明を参照す
ることによってより明瞭に理解できるであろう。
態では、半導体ウェーハの引き続く研磨のためにパッド
の表面を準備するため研磨パッドのためのプリコンディ
ショニング用プレートを提供する。本発明は金属研磨に
使用するのに十分適しており、それは前記プリコンディ
ショニング用プレートの材料はスラリと反応してウェー
ハ上に腐食の問題を生じることはないためである。前記
プリコンディショニング用プレートはその表面上に少な
くとも３つの交差する放射状の尾根部（ｒｉｄｇｅｓ）
を有しかつ堅いプラスチック材料から作られる。前記プ
リコンディショニング用プレートは実際の研磨の前に研
磨パッドの面に対して回転され一様かつ安定な研磨面を
提供する。前記プリコンディショニング用プレートは研
磨パッドをすりへらしあるいは磨損することはなく、か
つそれは研磨パッドにみぞを形成することもない。さら
に、前記プリコンディショニング用プレートは再使用可
能である。プリコンディショニング用プレートを使用す
ることによってパッドの調節時間（ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
ｉｎｇ ｔｉｍｅ）をほぼ９０％低減し、これは実質的
にサイクルタイムを低減する。これらおよび他の特徴、
および利点は、図面とともに以下の詳細な説明を参照す
ることによってより明瞭に理解できるであろう。
【００１２】また、各図面は必ずしも一定の比率で描か
れておらず、かつ特に示されていない本発明の他の実施
形態もあり得ることを指摘するのが重要である。
れておらず、かつ特に示されていない本発明の他の実施
形態もあり得ることを指摘するのが重要である。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１においては、本発明の第１の
実施形態としてプリコンディショニング用プレート１０
の平面図が示されている。該プリコンディショニング用
プレート１０はその頭部面上に３つの交差する放射状の
尾根部１４を有する円形のディスクとして示されてい
る。円周方向の尾根部に対して、放射状の尾根部が使用
される１つの理由はプリコンディショニング工程の間に
（この図には示されていない）研磨パッドの面にわたり
一様にスラリを分配するためである。一様な分配が望ま
れるから、交差する放射状尾根部１４はディスク１２の
面をほぼ等しいセクタに分割することが好ましい。引き
続く研磨作業のために研磨パッドを効率的にコンディシ
ョニングするために少なくとも３つの尾根部が必要であ
るものと考えられる。しかしながら、プリコンディショ
ニング用プレート１０は決してたった３つの交差する尾
根部を持つことに限定されるものではなく、より多くの
数の尾根部も使用することができる。後により詳細に説
明する、実際の実施化は３つより多くの放射状交差尾根
部を使用した。図１の２−２線に沿った図２の断面図は
尾根部１４をより詳細に示している。
実施形態としてプリコンディショニング用プレート１０
の平面図が示されている。該プリコンディショニング用
プレート１０はその頭部面上に３つの交差する放射状の
尾根部１４を有する円形のディスクとして示されてい
る。円周方向の尾根部に対して、放射状の尾根部が使用
される１つの理由はプリコンディショニング工程の間に
（この図には示されていない）研磨パッドの面にわたり
一様にスラリを分配するためである。一様な分配が望ま
れるから、交差する放射状尾根部１４はディスク１２の
面をほぼ等しいセクタに分割することが好ましい。引き
続く研磨作業のために研磨パッドを効率的にコンディシ
ョニングするために少なくとも３つの尾根部が必要であ
るものと考えられる。しかしながら、プリコンディショ
ニング用プレート１０は決してたった３つの交差する尾
根部を持つことに限定されるものではなく、より多くの
数の尾根部も使用することができる。後により詳細に説
明する、実際の実施化は３つより多くの放射状交差尾根
部を使用した。図１の２−２線に沿った図２の断面図は
尾根部１４をより詳細に示している。
【００１４】図２に示されるように、尾根部１４は「三
角形の」形状を有する。おのおのの尾根部は頭部におい
て平らにされておりプリコンディショニング工程の間に
研磨パッド面（図示せず）の磨損を防止するために鋭い
エッジを除去している。さらに、尾根部の頭部はプリコ
ンディショニング工程の間に尾根部の一部が壊れまたは
欠ける機会を低減するために平坦にされている。尾根部
の頭部において正確にある量の材料を除去することは重
要ではない。重要なことは頭部が実質的に平坦化されて
鋭いエッジを除去するが研磨パッド面を準備する上でプ
リコンディショニング用プレートの効率を低下させるほ
ど先端があまりにも多く鈍らないことである。図２から
分かるように、三角形の尾根部１４は交差する傾斜面に
よって形成される。これらの尾根の面または側壁はほぼ
３０°〜６０°の範囲の傾斜角を有する。尾根部はプレ
ート１２の厚さが３〜１２ｍｍである場合１．５〜５ｍ
ｍの範囲の推奨される高さを有する。プレートの厚さは
実際には使用される材料の剛性（ｓｔｉｆｆｎｅｓｓ）
の関数であり、その理由は加工処理の間プレートを平坦
にかつ堅く固定して保持する必要があるためである。実
際的な観点から、より薄いプレート上では低い高さの尾
根部が良好に機能し、一方より高い尾根部はより厚いプ
レートとの組合わせで良好に機能することができる。
角形の」形状を有する。おのおのの尾根部は頭部におい
て平らにされておりプリコンディショニング工程の間に
研磨パッド面（図示せず）の磨損を防止するために鋭い
エッジを除去している。さらに、尾根部の頭部はプリコ
ンディショニング工程の間に尾根部の一部が壊れまたは
欠ける機会を低減するために平坦にされている。尾根部
の頭部において正確にある量の材料を除去することは重
要ではない。重要なことは頭部が実質的に平坦化されて
鋭いエッジを除去するが研磨パッド面を準備する上でプ
リコンディショニング用プレートの効率を低下させるほ
ど先端があまりにも多く鈍らないことである。図２から
分かるように、三角形の尾根部１４は交差する傾斜面に
よって形成される。これらの尾根の面または側壁はほぼ
３０°〜６０°の範囲の傾斜角を有する。尾根部はプレ
ート１２の厚さが３〜１２ｍｍである場合１．５〜５ｍ
ｍの範囲の推奨される高さを有する。プレートの厚さは
実際には使用される材料の剛性（ｓｔｉｆｆｎｅｓｓ）
の関数であり、その理由は加工処理の間プレートを平坦
にかつ堅く固定して保持する必要があるためである。実
際的な観点から、より薄いプレート上では低い高さの尾
根部が良好に機能し、一方より高い尾根部はより厚いプ
レートとの組合わせで良好に機能することができる。
【００１５】前記プリコンディショニング用プレートは
スラリとの何らかの反応を防止するため化学的に中性か
つ不活性の材料から形成されるべきである。研磨に使用
されるスラリは、１〜２のｐＨを有し、非常に腐食的で
あり、従って前記材料はこれらのタイプの条件に耐える
ことができるべきである。さらに、前記材料は取扱いの
ためにおよび前記プレート上の尾根部が引き続く研磨作
業のために研磨パッドの面を粗くするプリコンディショ
ニング工程のために十分に堅いプレートを形成するた
め、機械加工に適し、耐久性があり、かつ堅くすべきで
ある。プリコンディショニング用プレートに適した材料
はポリフッ化ビニリデン（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｉｄｉｎ
ｅ ｆｌｕｏｒｉｄｅ：ＰＶＤＦ）およびポリメチルメ
タクリレート（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒ
ｙｌａｔｅ：ＰＭＭＡ）である。ポリビニルクロライド
（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ｃｈｌｏｒｉｄｅｓ）およびポ
リカーボネイト（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅｓ）のよ
うな、他のプラスチック材料も適切である。さらに、プ
リコンディショニング用プレートの上の尾根部はプレー
トそれ自体のバルクと同じ材料であるという要件はない
が、多分プリコンディショニング用ディスク全体を同じ
材料で形成するのが最も好ましいであろう。その場合、
尾根部は機械加工され、レーザエッチングされあるいは
さもなければバルクのディスクから他の方法で形成して
プリコンディショニング用プレート１０を作成すること
ができる。
スラリとの何らかの反応を防止するため化学的に中性か
つ不活性の材料から形成されるべきである。研磨に使用
されるスラリは、１〜２のｐＨを有し、非常に腐食的で
あり、従って前記材料はこれらのタイプの条件に耐える
ことができるべきである。さらに、前記材料は取扱いの
ためにおよび前記プレート上の尾根部が引き続く研磨作
業のために研磨パッドの面を粗くするプリコンディショ
ニング工程のために十分に堅いプレートを形成するた
め、機械加工に適し、耐久性があり、かつ堅くすべきで
ある。プリコンディショニング用プレートに適した材料
はポリフッ化ビニリデン（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｉｄｉｎ
ｅ ｆｌｕｏｒｉｄｅ：ＰＶＤＦ）およびポリメチルメ
タクリレート（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒ
ｙｌａｔｅ：ＰＭＭＡ）である。ポリビニルクロライド
（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ｃｈｌｏｒｉｄｅｓ）およびポ
リカーボネイト（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅｓ）のよ
うな、他のプラスチック材料も適切である。さらに、プ
リコンディショニング用プレートの上の尾根部はプレー
トそれ自体のバルクと同じ材料であるという要件はない
が、多分プリコンディショニング用ディスク全体を同じ
材料で形成するのが最も好ましいであろう。その場合、
尾根部は機械加工され、レーザエッチングされあるいは
さもなければバルクのディスクから他の方法で形成して
プリコンディショニング用プレート１０を作成すること
ができる。
【００１６】図３は、本発明のプリコンディショニング
用プレートの他の実施形態を示す。前に述べたように、
尾根部の数は３つの交差する放射状の尾根部に限定され
るものではなく、より大きな数とすることができる。実
際の実施化においては、ディスクを８つのセクタに分割
する８つの交差する放射状尾根部１４′がＰＶＤＦから
作成された。偶数個の尾根部によって形成される対称の
パターンは決して制限的なものと考えるべきではなく、
奇数個の尾根部も使用できる。実施化においては、前記
プレートは直径が９インチ（２２９ｍｍ）および厚さが
０．１２５インチ（３．１８ｍｍ）であった。前記尾根
部はほぼ３．１８ｍｍの厚さであった。パッドの表面に
わたりスラリを均等に導くために十分に高い尾根部を持
つことが望ましい。さらに、尾根部の間の一様に平坦な
面はスラリがディスク面上のポケットに捕捉されること
を防止する。尾根部は４５°の側壁角度を持つよう形成
され、かつ尾根部の頭部は研磨パッドにみぞを形成する
ことを防止しかつ尾根部の頭部の壊れ／欠けを防止する
ために鋭いエッジを除去するため面取りされた。ＰＶＤ
Ｆから作成されたプリコンディショニング用プレート１
０′は研磨パッドそれ自体に何らかの形式のみぞを形成
または切り込まないことに注目することが重要である。
プレート上の尾根部は単に一様なかつ安定な研磨速度を
達成するため研磨パッド面を調整する働きをなすにすぎ
ない。
用プレートの他の実施形態を示す。前に述べたように、
尾根部の数は３つの交差する放射状の尾根部に限定され
るものではなく、より大きな数とすることができる。実
際の実施化においては、ディスクを８つのセクタに分割
する８つの交差する放射状尾根部１４′がＰＶＤＦから
作成された。偶数個の尾根部によって形成される対称の
パターンは決して制限的なものと考えるべきではなく、
奇数個の尾根部も使用できる。実施化においては、前記
プレートは直径が９インチ（２２９ｍｍ）および厚さが
０．１２５インチ（３．１８ｍｍ）であった。前記尾根
部はほぼ３．１８ｍｍの厚さであった。パッドの表面に
わたりスラリを均等に導くために十分に高い尾根部を持
つことが望ましい。さらに、尾根部の間の一様に平坦な
面はスラリがディスク面上のポケットに捕捉されること
を防止する。尾根部は４５°の側壁角度を持つよう形成
され、かつ尾根部の頭部は研磨パッドにみぞを形成する
ことを防止しかつ尾根部の頭部の壊れ／欠けを防止する
ために鋭いエッジを除去するため面取りされた。ＰＶＤ
Ｆから作成されたプリコンディショニング用プレート１
０′は研磨パッドそれ自体に何らかの形式のみぞを形成
または切り込まないことに注目することが重要である。
プレート上の尾根部は単に一様なかつ安定な研磨速度を
達成するため研磨パッド面を調整する働きをなすにすぎ
ない。
【００１７】図４は、頭部面図で、本発明のプリコンデ
ィショニング用プレート１０のための使用方法を示す研
磨装置２０の概略図である。プリコンディショニング用
プレート１０はエンドイフェクタ（ｅｎｄ ｅｆｆｅｃ
ｔｏｒ）駆動装置２２のフェース面に取り付けられてい
る。この駆動装置２２はプリコンディショニング用プレ
ート１０を、プリコンディショニングを必要とする研磨
パッドである、１次研磨パッド２４の表面の一部の上に
位置させる。実際には、プリコンディショニング工程は
ハーモニック・コンディショニングとして説明され、こ
の場合研磨パッド２４上の同じポイントが再発生の予測
可能性（ｒｅｏｃｃｕｒｒｉｎｇ ｐｒｅｄｉｃｔａｂ
ｉｌｉｔｙ）をもってプリコンディショニング用プレー
ト１０上の同じポイントを通過し、これはプリコンディ
ショニング用プレート１０が研磨パッド２４より小さく
するのが望ましい理由である。プリコンディショニング
用プレート１０の使用方法においては、該プレート１０
はウェーハを研磨する前にほぼ５分間研磨パッド２４に
対して回転される。回転速度は機器に応じて制御可能で
ある。実施化に際しての実際の速度は５分間に対し２８
ｒｐｍであった。プリコンディショニング工程の回転速
度はこれらに制限されるものではなく、その理由はそれ
は容易に変更できるからである。この単純かつ迅速なプ
リコンディショニング工程の後に、研磨パッド２４は準
備されかつ実際の半導体ウェーハの研磨の用意ができ
る。もしパッドの磨損が生じなければ１つの研磨パッド
は多数のウェーハのために使用できる。本方法は研磨パ
ッドをすりへらすことはないから、ほぼ２００のウェー
ハを単一の研磨パッドごとに研磨することができる。お
のおのの新しい研磨パッドについて、５分間のプリコン
ディショニング走行が必要とされる。
ィショニング用プレート１０のための使用方法を示す研
磨装置２０の概略図である。プリコンディショニング用
プレート１０はエンドイフェクタ（ｅｎｄ ｅｆｆｅｃ
ｔｏｒ）駆動装置２２のフェース面に取り付けられてい
る。この駆動装置２２はプリコンディショニング用プレ
ート１０を、プリコンディショニングを必要とする研磨
パッドである、１次研磨パッド２４の表面の一部の上に
位置させる。実際には、プリコンディショニング工程は
ハーモニック・コンディショニングとして説明され、こ
の場合研磨パッド２４上の同じポイントが再発生の予測
可能性（ｒｅｏｃｃｕｒｒｉｎｇ ｐｒｅｄｉｃｔａｂ
ｉｌｉｔｙ）をもってプリコンディショニング用プレー
ト１０上の同じポイントを通過し、これはプリコンディ
ショニング用プレート１０が研磨パッド２４より小さく
するのが望ましい理由である。プリコンディショニング
用プレート１０の使用方法においては、該プレート１０
はウェーハを研磨する前にほぼ５分間研磨パッド２４に
対して回転される。回転速度は機器に応じて制御可能で
ある。実施化に際しての実際の速度は５分間に対し２８
ｒｐｍであった。プリコンディショニング工程の回転速
度はこれらに制限されるものではなく、その理由はそれ
は容易に変更できるからである。この単純かつ迅速なプ
リコンディショニング工程の後に、研磨パッド２４は準
備されかつ実際の半導体ウェーハの研磨の用意ができ
る。もしパッドの磨損が生じなければ１つの研磨パッド
は多数のウェーハのために使用できる。本方法は研磨パ
ッドをすりへらすことはないから、ほぼ２００のウェー
ハを単一の研磨パッドごとに研磨することができる。お
のおのの新しい研磨パッドについて、５分間のプリコン
ディショニング走行が必要とされる。
【００１８】５分間のプリコンディショニング工程の後
に、研磨されるべき半導体基板２７を担持する研磨アー
ム２６がコンディショニングされた研磨パッド２４の上
に配置される。半導体基板２７は次に、典型的にはタン
グステン層に対して３〜５分間である、特定量の時間の
間、基板の表面から余分の金属が除去されるまで、研磨
パッドに対して回転される。最初の研磨工程の後に、基
板２７は最終研磨パッド２８によって最終研磨が行われ
るのが普通である。この最終研磨パッド２８は今日の処
理技術においてはプリコンディショニングを必要としな
いことが見いだされている。いったん１次研磨パッド
が、実際の研磨作業の前に、初期的にプリコンディショ
ニングされると、半導体ウェーハの研磨の間に再びコン
ディショニングする必要はない。しかしながら、処理を
監視しかつ研磨の除去レートが安定になっていることを
保証するため製造プロセスの間に、それぞれのシフトご
とに一度のように、周期的に研磨パッドをコンディショ
ニングするのが望ましいかもしれない。この方法でも技
術的に現在存在する方法に対して実質的に低減されたサ
イクルタイムの処理を可能にする。
に、研磨されるべき半導体基板２７を担持する研磨アー
ム２６がコンディショニングされた研磨パッド２４の上
に配置される。半導体基板２７は次に、典型的にはタン
グステン層に対して３〜５分間である、特定量の時間の
間、基板の表面から余分の金属が除去されるまで、研磨
パッドに対して回転される。最初の研磨工程の後に、基
板２７は最終研磨パッド２８によって最終研磨が行われ
るのが普通である。この最終研磨パッド２８は今日の処
理技術においてはプリコンディショニングを必要としな
いことが見いだされている。いったん１次研磨パッド
が、実際の研磨作業の前に、初期的にプリコンディショ
ニングされると、半導体ウェーハの研磨の間に再びコン
ディショニングする必要はない。しかしながら、処理を
監視しかつ研磨の除去レートが安定になっていることを
保証するため製造プロセスの間に、それぞれのシフトご
とに一度のように、周期的に研磨パッドをコンディショ
ニングするのが望ましいかもしれない。この方法でも技
術的に現在存在する方法に対して実質的に低減されたサ
イクルタイムの処理を可能にする。
【００１９】本発明に対する主要な利点はプリコンディ
ショニングにおけるサイクルタイムの低減である。図５
は本発明のプリコンディショニング用プレートで達成さ
れる除去速度３４および研磨パッドをコンディショニン
グするためにブランケットウェーハが使用されている従
来技術の方法で達成される除去速度３６を比較したグラ
フ３２である。研磨パッドの除去速度は研磨作業のため
のパッドの用意ができていることの尺度であり、ウェー
ハの実際の研磨が行われる前に一様な速度が必要とされ
る。図から明らかなように、除去速度３４は本発明を使
用することによって達成されている。最初の走行シーケ
ンスは研磨パッドを準備するためにプリコンディショニ
ング用プレートを使用する。すべてのその後の走行シー
ケンスは除去速度が一様でありかつ安定であり、従って
実際上、第２の走行シーケンスから研磨パッドが置き換
えられるまで、実際のウェーハが研磨できることを示し
ている。ブランケットまたはダミーのウェーハがパッド
をコンディショニングするために使用される従来技術の
方法の尺度である除去速度３６と比較されたい。安定な
研磨速度が達成される前にほぼ１０個のブランケットウ
ェーハが使用されなければならない。従って、本発明を
使用することにより、使用されるそれぞれの研磨パッド
に対してほぼ４０〜４５分節約できる。
ショニングにおけるサイクルタイムの低減である。図５
は本発明のプリコンディショニング用プレートで達成さ
れる除去速度３４および研磨パッドをコンディショニン
グするためにブランケットウェーハが使用されている従
来技術の方法で達成される除去速度３６を比較したグラ
フ３２である。研磨パッドの除去速度は研磨作業のため
のパッドの用意ができていることの尺度であり、ウェー
ハの実際の研磨が行われる前に一様な速度が必要とされ
る。図から明らかなように、除去速度３４は本発明を使
用することによって達成されている。最初の走行シーケ
ンスは研磨パッドを準備するためにプリコンディショニ
ング用プレートを使用する。すべてのその後の走行シー
ケンスは除去速度が一様でありかつ安定であり、従って
実際上、第２の走行シーケンスから研磨パッドが置き換
えられるまで、実際のウェーハが研磨できることを示し
ている。ブランケットまたはダミーのウェーハがパッド
をコンディショニングするために使用される従来技術の
方法の尺度である除去速度３６と比較されたい。安定な
研磨速度が達成される前にほぼ１０個のブランケットウ
ェーハが使用されなければならない。従って、本発明を
使用することにより、使用されるそれぞれの研磨パッド
に対してほぼ４０〜４５分節約できる。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明および図示は本発明に関連す
る数多くの利点を示している。特に、本発明は従来技術
に対して数多くの利点を有することが明らかになった。
それは単純でありしかも非常に効率的である。プレート
のために使用されるプラスチック材料は金属スラリまた
は半導体ウェーハ上のいずれの金属とも反応しないから
腐食がなくなる。実際の実施化によりプリコンディショ
ニング用プレートの磨損または汚染が生じないことが示
され、それはプラスチック材料が非反応性でありかつ安
定であるためである。さらに、ダイヤモンド粒子が使用
されないから、ダイヤモンドが取れてかつスラリと反応
することがなく、あるいは研磨パッドまたはプリコンデ
ィショニング用プレートの表面上に残留物を残すことも
ない。さらに、ブランケットウェーハからの残留物の集
積もなくなり、それは研磨のための一様な面を得るため
にブランケットウェーハが必要とされないからである。
本発明の他の主要な利点はそれが極めてコスト効率がよ
いことである。前記プリコンディショニング用プレート
は低価格の材料を使用して機械工場で容易に製作され、
かつ単一のプレートが長い期間にわたる研磨のために再
使用できる。同じプレートをそれぞれのプリコンディシ
ョニングサイクルの後に洗浄しかつ次に次の新しい研磨
パッドのために再使用することができる。
る数多くの利点を示している。特に、本発明は従来技術
に対して数多くの利点を有することが明らかになった。
それは単純でありしかも非常に効率的である。プレート
のために使用されるプラスチック材料は金属スラリまた
は半導体ウェーハ上のいずれの金属とも反応しないから
腐食がなくなる。実際の実施化によりプリコンディショ
ニング用プレートの磨損または汚染が生じないことが示
され、それはプラスチック材料が非反応性でありかつ安
定であるためである。さらに、ダイヤモンド粒子が使用
されないから、ダイヤモンドが取れてかつスラリと反応
することがなく、あるいは研磨パッドまたはプリコンデ
ィショニング用プレートの表面上に残留物を残すことも
ない。さらに、ブランケットウェーハからの残留物の集
積もなくなり、それは研磨のための一様な面を得るため
にブランケットウェーハが必要とされないからである。
本発明の他の主要な利点はそれが極めてコスト効率がよ
いことである。前記プリコンディショニング用プレート
は低価格の材料を使用して機械工場で容易に製作され、
かつ単一のプレートが長い期間にわたる研磨のために再
使用できる。同じプレートをそれぞれのプリコンディシ
ョニングサイクルの後に洗浄しかつ次に次の新しい研磨
パッドのために再使用することができる。
【００２１】従って、本発明によれば、前に述べた必要
性および利点に完全に適合する研磨パッドのためのプリ
コンディショニング用プレートおよび該プレートを使用
する方法が提供されたことが明らかである。本発明はそ
の特定の実施形態に関して説明されかつ図示されたが、
本発明はこれらの示された実施形態に限定されるもので
はない。当業者は本発明の精神から離れることなく修正
および変更を行うことができることを認識するであろ
う。例えば、前記プレートは円形でない形状とすること
もできる。さらに、プリコンディショニング用プレート
上の尾根部の数および寸法、ならびにプレートそれ自体
の寸法は説明されたものから変えることができる。さら
に、スラリの種類は本発明を使用して達成できる所望の
除去速度を変更するために変えることができる。また、
プリコンディショニング工程の回転速度も変えることが
できる。従って、本発明は添付の特許請求の範囲に入る
すべてのそのような変形および修正を含むものと考え
る。
性および利点に完全に適合する研磨パッドのためのプリ
コンディショニング用プレートおよび該プレートを使用
する方法が提供されたことが明らかである。本発明はそ
の特定の実施形態に関して説明されかつ図示されたが、
本発明はこれらの示された実施形態に限定されるもので
はない。当業者は本発明の精神から離れることなく修正
および変更を行うことができることを認識するであろ
う。例えば、前記プレートは円形でない形状とすること
もできる。さらに、プリコンディショニング用プレート
上の尾根部の数および寸法、ならびにプレートそれ自体
の寸法は説明されたものから変えることができる。さら
に、スラリの種類は本発明を使用して達成できる所望の
除去速度を変更するために変えることができる。また、
プリコンディショニング工程の回転速度も変えることが
できる。従って、本発明は添付の特許請求の範囲に入る
すべてのそのような変形および修正を含むものと考え
る。
【図１】本発明の第１の実施形態に係わるプリコンディ
ショニング用プレートを示す頭部面図である。
ショニング用プレートを示す頭部面図である。
【図２】図１のプリコンディショニング用プレートを２
−２線に沿って見た断面図である。
−２線に沿って見た断面図である。
【図３】本発明の別の実施形態を示す頭部面図である。
【図４】本発明のプリコンディショニング用プレートの
使用方法を示すための研磨装置の概略的頭部面図であ
る。
使用方法を示すための研磨装置の概略的頭部面図であ
る。
【図５】本発明のプリコンディショニング用プレートお
よび従来技術の方法で達成される除去速度を比較するグ
ラフである。
よび従来技術の方法で達成される除去速度を比較するグ
ラフである。
１０，１０′ プリコンディショニング用プレート １２，１２′ 円形ディスク １４，１４′ 尾根部 ２０ 研磨装置 ２２ エンドイフェクタ駆動装置 ２４ １次研磨パッド ２６ 研磨アーム ２７ 半導体基板 ２８ 最終研磨パッド
Claims (3)
- 【請求項１】 研磨システム上の機械的な研磨パッドの
ためのプリコンディショナ（１０）であって、 表面上に少なくとも３つの交差する尾根部（１４）を有
するプレート（１２）であって、前記少なくとも３つの
交差する尾根部は前記プレートの中心から外側に放射状
に延び、前記プレートは堅いかつ化学的に中性のポリマ
から構成されるもの、 を具備することを特徴とする研磨システム上の機械的な
研磨パッドのためのプリコンディショナ（１０）。 - 【請求項２】 半導体ウェーハを研磨する方法であっ
て、 表面上に少なくとも３つの交差する尾根部（１４）を有
するプリコンディショナ（１０）を準備する段階であっ
て、前記少なくとも３つの交差する尾根部は前記プリコ
ンディショナの中心から外側に半径方向に延びており、
前記プリコンディショナは堅いかつ化学的に中性なポリ
マで構成されているもの、 前記プリコンディショナを研磨パッド（２４）の上に、
表を下にして、整列する段階、 前記研磨パッドに対し、前記プリコンディショナを前記
研磨パッドの表面上に回転させてプリコンディショニン
グされた研磨パッドを形成する段階、 その表面上に金属層を有する半導体ウェーハ（２７）を
前記プリコンディショニングされた研磨パッドの上に横
たわるよう、表を下にして、配置する段階、そして前記
プリコンディショニングされた研磨パッドに対して、前
記半導体ウェーハを回転させて前記半導体ウェーハの表
面を平坦化する段階、 を具備することを特徴とする半導体ウェーハを研磨する
方法。 - 【請求項３】 半導体ウェーハを研磨する方法であっ
て、 表面上に少なくとも３つの交差する放射状の尾根部（１
４）を有するプリコンディショナ（１０）を提供する段
階であって、前記少なくとも３つの交差する放射状の尾
根部は前記プリコンディショナの面を複数のセクタに対
称に分割し、前記プリコンディショナは堅いかつ化学的
に中性のポリマから構成されているもの、 前記プリコンディショナを、表を下にして、前記研磨パ
ッド（２４）の上に整列させる段階、 前記研磨パッドに対して、前記研磨パッドの表面上に前
記プリコンディショナを回転させて、プリコンディショ
ニングされた研磨パッドを形成する段階、 その表面上に金属層を有する半導体ウェーハ（２７）を
前記プリコンディショニングされた研磨パッドの上に横
たわるよう、表を下にして、配置する段階、そして前記
プリコンディショニングされた研磨パッドに対して、前
記半導体ウェーハを回転させて前記半導体ウェーハの表
面を平坦化する段階、 を具備することを特徴とする半導体ウェーハを研磨する
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/380,770 US5527424A (en) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | Preconditioner for a polishing pad and method for using the same |
| US08/380,770 | 1995-01-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08243914A true JPH08243914A (ja) | 1996-09-24 |
| JP3702023B2 JP3702023B2 (ja) | 2005-10-05 |
Family
ID=23502374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02994596A Expired - Fee Related JP3702023B2 (ja) | 1995-01-30 | 1996-01-24 | 研磨パッドのためのプリコンディショナおよびその使用方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5527424A (ja) |
| JP (1) | JP3702023B2 (ja) |
| KR (1) | KR100456649B1 (ja) |
| IE (1) | IE73638B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10296616A (ja) * | 1997-04-08 | 1998-11-10 | Lsi Logic Corp | 化学・機械研磨用研磨パッドの前調整 |
| JP2008229820A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Elpida Memory Inc | Ｃｍｐ加工用のドレッサ及びｃｍｐ加工装置並びにｃｍｐ加工用の研磨パッドのドレッシング処理方法 |
| JP2015186840A (ja) * | 2015-06-24 | 2015-10-29 | 株式会社Sumco | ドレスプレート |
| KR20190126663A (ko) * | 2018-05-02 | 2019-11-12 | 주식회사 케이씨텍 | 패드 어셈블리 및 이를 포함하는 컨디셔너 장치 |
Families Citing this family (70)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5665201A (en) * | 1995-06-06 | 1997-09-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | High removal rate chemical-mechanical polishing |
| US5702563A (en) * | 1995-06-07 | 1997-12-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reduced chemical-mechanical polishing particulate contamination |
| US5895270A (en) * | 1995-06-26 | 1999-04-20 | Texas Instruments Incorporated | Chemical mechanical polishing method and apparatus |
| KR970018240A (ko) * | 1995-09-08 | 1997-04-30 | 모리시다 요이치 | 반도체 기판의 연마방법 및 그 장치 |
| US5785585A (en) * | 1995-09-18 | 1998-07-28 | International Business Machines Corporation | Polish pad conditioner with radial compensation |
| US5839947A (en) * | 1996-02-05 | 1998-11-24 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| US5916011A (en) * | 1996-12-26 | 1999-06-29 | Motorola, Inc. | Process for polishing a semiconductor device substrate |
| JP3679882B2 (ja) * | 1997-02-07 | 2005-08-03 | 株式会社荏原製作所 | 研磨用クロスのドレッサー及びその製造方法 |
| US7368013B2 (en) * | 1997-04-04 | 2008-05-06 | Chien-Min Sung | Superabrasive particle synthesis with controlled placement of crystalline seeds |
| US9409280B2 (en) | 1997-04-04 | 2016-08-09 | Chien-Min Sung | Brazed diamond tools and methods for making the same |
| US9221154B2 (en) | 1997-04-04 | 2015-12-29 | Chien-Min Sung | Diamond tools and methods for making the same |
| US6368198B1 (en) | 1999-11-22 | 2002-04-09 | Kinik Company | Diamond grid CMP pad dresser |
| US7323049B2 (en) * | 1997-04-04 | 2008-01-29 | Chien-Min Sung | High pressure superabrasive particle synthesis |
| US6679243B2 (en) | 1997-04-04 | 2004-01-20 | Chien-Min Sung | Brazed diamond tools and methods for making |
| US9463552B2 (en) | 1997-04-04 | 2016-10-11 | Chien-Min Sung | Superbrasvie tools containing uniformly leveled superabrasive particles and associated methods |
| US9199357B2 (en) | 1997-04-04 | 2015-12-01 | Chien-Min Sung | Brazed diamond tools and methods for making the same |
| US9238207B2 (en) | 1997-04-04 | 2016-01-19 | Chien-Min Sung | Brazed diamond tools and methods for making the same |
| US7124753B2 (en) * | 1997-04-04 | 2006-10-24 | Chien-Min Sung | Brazed diamond tools and methods for making the same |
| US6884155B2 (en) | 1999-11-22 | 2005-04-26 | Kinik | Diamond grid CMP pad dresser |
| US9868100B2 (en) | 1997-04-04 | 2018-01-16 | Chien-Min Sung | Brazed diamond tools and methods for making the same |
| US5961373A (en) * | 1997-06-16 | 1999-10-05 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device |
| US5919082A (en) | 1997-08-22 | 1999-07-06 | Micron Technology, Inc. | Fixed abrasive polishing pad |
| US6106371A (en) * | 1997-10-30 | 2000-08-22 | Lsi Logic Corporation | Effective pad conditioning |
| US6027659A (en) * | 1997-12-03 | 2000-02-22 | Intel Corporation | Polishing pad conditioning surface having integral conditioning points |
| US6123612A (en) * | 1998-04-15 | 2000-09-26 | 3M Innovative Properties Company | Corrosion resistant abrasive article and method of making |
| US6050879A (en) * | 1998-06-30 | 2000-04-18 | Ibm | Process for lapping air bearing surfaces |
| US6491570B1 (en) | 1999-02-25 | 2002-12-10 | Applied Materials, Inc. | Polishing media stabilizer |
| US6300247B2 (en) | 1999-03-29 | 2001-10-09 | Applied Materials, Inc. | Preconditioning polishing pads for chemical-mechanical polishing |
| US6120350A (en) * | 1999-03-31 | 2000-09-19 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for reconditioning polishing pads |
| US6135863A (en) * | 1999-04-20 | 2000-10-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of conditioning wafer polishing pads |
| EP1052062A1 (en) * | 1999-05-03 | 2000-11-15 | Applied Materials, Inc. | Pré-conditioning fixed abrasive articles |
| US20020077037A1 (en) * | 1999-05-03 | 2002-06-20 | Tietz James V. | Fixed abrasive articles |
| KR20010002467A (ko) * | 1999-06-15 | 2001-01-15 | 고석태 | 화학적 기계적 폴리싱 장치용 폴리싱 패드의 그루브 패턴 |
| US6196899B1 (en) * | 1999-06-21 | 2001-03-06 | Micron Technology, Inc. | Polishing apparatus |
| JP2001129755A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-05-15 | Ebara Corp | 研磨装置及びドレッシング方法 |
| US7201645B2 (en) * | 1999-11-22 | 2007-04-10 | Chien-Min Sung | Contoured CMP pad dresser and associated methods |
| US6616513B1 (en) | 2000-04-07 | 2003-09-09 | Applied Materials, Inc. | Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile |
| US6500054B1 (en) | 2000-06-08 | 2002-12-31 | International Business Machines Corporation | Chemical-mechanical polishing pad conditioner |
| US6343974B1 (en) | 2000-06-26 | 2002-02-05 | International Business Machines Corporation | Real-time method for profiling and conditioning chemical-mechanical polishing pads |
| US6561884B1 (en) | 2000-08-29 | 2003-05-13 | Applied Materials, Inc. | Web lift system for chemical mechanical planarization |
| US20020042200A1 (en) * | 2000-10-02 | 2002-04-11 | Clyde Fawcett | Method for conditioning polishing pads |
| US6592439B1 (en) | 2000-11-10 | 2003-07-15 | Applied Materials, Inc. | Platen for retaining polishing material |
| US6752698B1 (en) | 2001-03-19 | 2004-06-22 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for conditioning fixed-abrasive polishing pads |
| US6503131B1 (en) | 2001-08-16 | 2003-01-07 | Applied Materials, Inc. | Integrated platen assembly for a chemical mechanical planarization system |
| US6659846B2 (en) * | 2001-09-17 | 2003-12-09 | Agere Systems, Inc. | Pad for chemical mechanical polishing |
| US6645052B2 (en) * | 2001-10-26 | 2003-11-11 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for controlling CMP pad surface finish |
| US7040957B2 (en) * | 2002-08-14 | 2006-05-09 | Novellus Systems Inc. | Platen and manifold for polishing workpieces |
| KR100851505B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2008-08-08 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 화학적 기계적 연마 장비의 패드 컨디셔너 |
| US7089925B1 (en) | 2004-08-18 | 2006-08-15 | Kinik Company | Reciprocating wire saw for cutting hard materials |
| US20070060026A1 (en) | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Chien-Min Sung | Methods of bonding superabrasive particles in an organic matrix |
| US7762872B2 (en) * | 2004-08-24 | 2010-07-27 | Chien-Min Sung | Superhard cutters and associated methods |
| US7658666B2 (en) * | 2004-08-24 | 2010-02-09 | Chien-Min Sung | Superhard cutters and associated methods |
| US20060258276A1 (en) * | 2005-05-16 | 2006-11-16 | Chien-Min Sung | Superhard cutters and associated methods |
| US8393934B2 (en) * | 2006-11-16 | 2013-03-12 | Chien-Min Sung | CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods |
| US9138862B2 (en) | 2011-05-23 | 2015-09-22 | Chien-Min Sung | CMP pad dresser having leveled tips and associated methods |
| US8678878B2 (en) | 2009-09-29 | 2014-03-25 | Chien-Min Sung | System for evaluating and/or improving performance of a CMP pad dresser |
| US9724802B2 (en) | 2005-05-16 | 2017-08-08 | Chien-Min Sung | CMP pad dressers having leveled tips and associated methods |
| US8398466B2 (en) | 2006-11-16 | 2013-03-19 | Chien-Min Sung | CMP pad conditioners with mosaic abrasive segments and associated methods |
| US8622787B2 (en) * | 2006-11-16 | 2014-01-07 | Chien-Min Sung | CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods |
| US20080153398A1 (en) * | 2006-11-16 | 2008-06-26 | Chien-Min Sung | Cmp pad conditioners and associated methods |
| KR20100106328A (ko) * | 2007-11-13 | 2010-10-01 | 치엔 민 성 | Ｃｍｐ 패드 드레서 |
| TWI388402B (en) * | 2007-12-06 | 2013-03-11 | Methods for orienting superabrasive particles on a surface and associated tools | |
| TWI473685B (zh) * | 2008-01-15 | 2015-02-21 | Iv Technologies Co Ltd | 研磨墊及其製造方法 |
| US8252263B2 (en) * | 2008-04-14 | 2012-08-28 | Chien-Min Sung | Device and method for growing diamond in a liquid phase |
| CN103221180A (zh) | 2010-09-21 | 2013-07-24 | 铼钻科技股份有限公司 | 具有基本平坦颗粒尖端的超研磨工具及其相关方法 |
| WO2012162430A2 (en) | 2011-05-23 | 2012-11-29 | Chien-Min Sung | Cmp pad dresser having leveled tips and associated methods |
| US9108293B2 (en) * | 2012-07-30 | 2015-08-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method for chemical mechanical polishing layer pretexturing |
| WO2015143278A1 (en) * | 2014-03-21 | 2015-09-24 | Entegris, Inc. | Chemical mechanical planarization pad conditioner with elongated cutting edges |
| JP7315332B2 (ja) * | 2019-01-31 | 2023-07-26 | 株式会社荏原製作所 | ダミーディスクおよびダミーディスクを用いた表面高さ測定方法 |
| US11331767B2 (en) | 2019-02-01 | 2022-05-17 | Micron Technology, Inc. | Pads for chemical mechanical planarization tools, chemical mechanical planarization tools, and related methods |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH669138A5 (de) * | 1982-11-22 | 1989-02-28 | Schweizer Schmirgel Schleif | Schleifmittel auf dehnbarer und flexibler unterlage. |
| JPS63185568A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-08-01 | Toshiba Corp | 研磨装置 |
| JPH0493174A (ja) * | 1990-08-02 | 1992-03-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ドレッシング用基板 |
| US5081051A (en) * | 1990-09-12 | 1992-01-14 | Intel Corporation | Method for conditioning the surface of a polishing pad |
| US5216843A (en) * | 1992-09-24 | 1993-06-08 | Intel Corporation | Polishing pad conditioning apparatus for wafer planarization process |
| US5456627A (en) * | 1993-12-20 | 1995-10-10 | Westech Systems, Inc. | Conditioner for a polishing pad and method therefor |
| JPH0911136A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-14 | Kawada Eng:Kk | 湿式研磨砥石 |
-
1995
- 1995-01-30 US US08/380,770 patent/US5527424A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-01-24 JP JP02994596A patent/JP3702023B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-01-29 KR KR1019960001850A patent/KR100456649B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-01-29 IE IE960095A patent/IE73638B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10296616A (ja) * | 1997-04-08 | 1998-11-10 | Lsi Logic Corp | 化学・機械研磨用研磨パッドの前調整 |
| JP4565674B2 (ja) * | 1997-04-08 | 2010-10-20 | エルエスアイ コーポレーション | 化学・機械研磨用研磨パッドの前調整 |
| JP2008229820A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Elpida Memory Inc | Ｃｍｐ加工用のドレッサ及びｃｍｐ加工装置並びにｃｍｐ加工用の研磨パッドのドレッシング処理方法 |
| JP2015186840A (ja) * | 2015-06-24 | 2015-10-29 | 株式会社Sumco | ドレスプレート |
| KR20190126663A (ko) * | 2018-05-02 | 2019-11-12 | 주식회사 케이씨텍 | 패드 어셈블리 및 이를 포함하는 컨디셔너 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3702023B2 (ja) | 2005-10-05 |
| US5527424A (en) | 1996-06-18 |
| IE960095A1 (en) | 1996-08-07 |
| KR100456649B1 (ko) | 2005-02-02 |
| IE73638B1 (en) | 1997-06-18 |
| KR960030347A (ko) | 1996-08-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08243914A (ja) | 研磨パッドのためのプリコンディショナおよびその使用方法 | |
| JP3811193B2 (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
| US5851138A (en) | Polishing pad conditioning system and method | |
| US6325709B1 (en) | Rounded surface for the pad conditioner using high temperature brazing | |
| US7066795B2 (en) | Polishing pad conditioner with shaped abrasive patterns and channels | |
| US5645469A (en) | Polishing pad with radially extending tapered channels | |
| JP3605927B2 (ja) | ウエハーまたは基板材料の再生方法 | |
| US7175510B2 (en) | Method and apparatus for conditioning a polishing pad | |
| US6620031B2 (en) | Method for optimizing the planarizing length of a polishing pad | |
| JP2004358653A (ja) | 最適化された溝を有する研磨パッド及び同パッドを形成する方法 | |
| US6949012B2 (en) | Polishing pad conditioning method and apparatus | |
| JPH10128654A (ja) | Ｃｍｐ装置及び該ｃｍｐ装置に用いることのできる研磨布 | |
| WO2018063242A1 (en) | Chemical-mechanical planarization (cmp) pad conditioner brush-and-abrasive hybrid for multi-step, preparation- and restoration-conditioning process of cmp pad | |
| US7399516B2 (en) | Long-life workpiece surface influencing device structure and manufacturing method | |
| KR100247921B1 (ko) | 화학 기계적 연마 장치 및 이를 이용한 화학 기계적 연마 방법 | |
| CN112959212A (zh) | 一种带有优化沟槽的化学机械抛光垫及其应用 | |
| JP2002066905A (ja) | 半導体装置の製造方法及びその装置 | |
| JPH11126755A (ja) | 半導体熱処理用ボートの製造方法 | |
| JPH08197400A (ja) | 半導体ウェーハの面取り部研磨方法 | |
| JP3609059B2 (ja) | Ｃｍｐ加工用ドレッサ | |
| EP0769350A1 (en) | Method and apparatus for dressing polishing cloth | |
| CN109015335A (zh) | 化学机械研磨装置及其工作方法 | |
| JPH06304860A (ja) | 薄膜磁気ヘッドのポリッシング法 | |
| JPH08216021A (ja) | 回転砥石のツルーイング方法および回転砥石製造方法 | |
| KR200419418Y1 (ko) | 연마 패턴 및 채널이 형성된 폴리싱 패드 컨디셔너 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041122 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041214 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20041217 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050314 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050314 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050621 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050715 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080722 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090722 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090722 Year of fee payment: 4 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090722 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100722 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110722 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110722 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120722 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120722 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130722 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |