JP4472694B2 - 直進型研磨方法 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 39
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 17
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000004439 roughness measurement Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 ferrous metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B21/00—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B21/00—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
- B24B21/04—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
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Description
研磨加工(abrasive finishing)に関するものである。
ピング(lapping)や金属よりも軟らかいポリシャ(polisher)と呼ばれる工具を用いて研磨
するポリシング(polishing)等の研磨加工は、機械加工の最終仕上げ工程に用いる加工法
であり、近年の機器の高品位化に伴い、重要性を増している加工法である。
うに、研磨定盤(surface plate)10上(ポリシングの場合は、定盤上に貼られたポリシ
ャ11上)に、キャリア13等で保持されてnの速度で回転するホルダ14内に収容され
た工作物3を圧力Pで押しつけ、研磨定盤10上(ポリシングの場合はポリシャ11上)
に遊離砥粒12を含む研磨液15を滴下しながら研磨定盤10をNの速度で回転し、その
回転と工作物3の回転との相対運動により、工作物3の表面を遊離砥粒12で除去し、表
面を高平滑にしていく加工法である。ポリシャとしては、不織布やスエ−ドタイプ(sued
e-type)のプラスチックが用いられることが多い。この研磨加工における現状の最高研磨
速度は2m/s程度であると考えられる。
工作物の着脱は、研磨定盤を一度停止してから行わなければならず、工作物の着脱に要す
る時間が必要になる。また、工作物の両面研磨加工を行うために、工作物を連続的に装置
に送り込み、自動的に研磨加工するシステムを構築することが難しく、特に、大量生産の
場合に、研磨加工の能率向上が課題になっている。
以上必要であり、大きな工作物に対しては大きな研磨定盤が必要で、研磨装置のための大
きな設置面積が必要になる。さらに、回転軸を横軸方向として、回転面を垂直方向とした
回転型両面研磨定盤を製作するのは、原理的に工作物を支持するのが難しいため実現困難
であり、装置周辺の空間を十分に利用することが難しい。このようなことから、よりコン
パクトで、工作物を連続的に装置に送り込むことができる自動研磨加工システムが容易に
構築でき、装置周辺の空間も十分に使用できる新しい概念の研磨加工法の開発が、強く期
待されている。
トで、工作物を連続的に装置に送り込むことができる自動研磨加工システムの構築が容易
にでき、装置周辺の空間も有効に使用できる新しい概念の研磨加工方法を提供する。
平面定盤の両方に、工作物を押しつけることにより、工作物に回転運動のための偶力(cou
ple of forces)を与え、その回転と直線運動をする該1組の定盤との相対運動により、工
作物を砥粒で研磨する直進型研磨方法、である。この方法において、1組の平行平面定盤
を別の1組の平行平面定盤と対向させて、その間に工作物を挟んで片面又は両面を研磨す
ることができる。
に対して直角方向に異ならせ、該平面定盤に工作物を押しつけることにより、工作物に回
転運動のための偶力を与え、その回転と直線運動をする該単一の平面定盤との相対運動に
より、工作物を砥粒で研磨する直進型研磨方法、である。この方法において、平面定盤を
別の平面定盤と対向させて、その間に工作物を挟んで片面又は両面を研磨することができ
る。
尺の板状のキャリアで保持し、キャリアを研磨の進行につれて徐々に一方向へ引き出しな
がら、連続的に研磨加工することができる。
リシャを用いることができる。
方向に直線運動を行なわせる手段、該定盤に工作物を押しつける手段とからなる直進型研
磨装置を用いて行うことができる。この装置において、1組の平行平面定盤が別の1組の
平行平面定盤と対向してその間に工作物を挟むように配置することができる。
キャリアを供えることができる。また、板状キャリア内に、平行平面定盤の隣接中心線上
、又は、隣接中心線上から離れた位置に回転中心を有する円形の工作物保持用サブキャリ
ア穴を供えることができる。さらに、板状キャリア内に、円形、正方形、長方形、多角形
等の工作物保持穴を有し、その回転中心が平行平面定盤の隣接中心線上にある円板状サブ
キャリア穴を供えることができる。
らせた、直線運動を行う単一の平面定盤、該平面定盤に工作物を押しつける手段とからな
る直進型研磨装置を用いて行うことができる。この装置において、平面定盤が別の平面定
盤と対向してその間に工作物を挟むように配置することができる。
ベルト型のポリシャとを組み合わせることができる。
させながら研磨するので、一方向の研磨条痕がつかず、そのような方向性のない粗さ約1
.5nm以下(数原子間隔以下)の良好な仕上げ面を得ることができる。工作物が回転し
ないと、平面定盤の運動方向への方向性のある10nmを越える粗さの条痕が形成される
。よって、本発明の各方法によれば、研磨条痕が付かない超平滑面を得ることができる。
1)回転型研磨加工方法よりも、省スペ−スの研磨装置の製作が可能である。
2)従来の回転型研磨定盤を使用した研磨法では実現が難しかった、工作物を連続的に装
置に送り込む自動研磨加工システムの構築が可能である。
3)回転面が垂直方向の縦型の両面自動研磨システムの製作が可能であり、装置周辺の空
間を有効に利用できる。
する。本発明によるポリシング方法は、平行に隣接した1組のポリシャ11を平行平面定
盤A,Bとして用いる。1組のポリシャ11は、隣接中心線を挟んで、互いに反対方向に
Vの速度で直線運動を行う。1組のポリシャ11の両方に接触させるように、回転に対す
る拘束がほとんど無いホルダ14内に収容された工作物3を圧力Pで押しつける。これに
より、工作物3に回転運動のための偶力を与える。ポリシャ11上には遊離砥粒を含む研
磨液を供給する。そして、工作物3の回転と直線運動するポリシャ11の相対運動により
、工作物3の表面を遊離砥粒で除去し、表面を高平滑にする。
て行う方法であるが、モ−タ等からの動力によって工作物を回転させ、定盤やポリシャと
の相対運動を調整して、研磨することも出来る。この方法を用いる研磨装置では、1組の
ポリシャ11の各幅を加えた幅が工作物3の直径よりも幾分か大きくなれば、研磨加工が
出来るので、回転型研磨定盤よりもスペ−スが小さくてすむ。
Vの速度で反対方向に直線運動を行う2組の平行平面ポリシャ11間に挟んで工作物3を
置く。そして、ポリシャ11を金属やセラミック等で製作した工作物支持台(図示せず)
を介して、圧力Pで上下から押し付け、ポリシャ11の表面に工作物3の表面を接触させ
ることにより工作物3に回転運動のための偶力を与え、ポリシャ11上には遊離砥粒を含
む研磨液を供給する。これにより、工作物3の上下の表面を遊離砥粒で除去し、表面を高
平滑にする。ポリシャ11は、ベルト型のポリシャを用いることにより連続的に研磨位置
にポリシャ11を供給することができる。
つ長尺の板状のキャリア13に工作物3を保持し、キャリア13を研磨の進行につれて徐
々にいずれか一方向へ引き出すように移動するようにすれば、工作物の両面研磨加工の連
続的な自動化も可能になる。加えて、図3に示すような回転面が水平方向の横型の両面研
磨加工方法を、回転面が垂直方向の縦型の両面研磨加工方法にすることも容易に可能であ
り、装置周辺の空間を有効に利用した、両面研磨加工システムも出来る。
,Bの隣接中心線上にある場合は、磁気ディスク基板のように中心穴がある工作物3では
問題がないが、シリコンウエハ−のように中心穴がない工作物3では、中心部がポリシャ
11と接触しないので、中心部は研磨が出来ない。そこで、図4に示すように、1組の平
行平面定盤A,Bの隣接中心線上から離れた位置に、回転中心を有する円形穴を有するサ
ブキャリア13Aを、板状のキャリア13内に入れることにより、工作物3の全面が研磨
できる。
能である。また、穴のない円形工作物の場合には、サブキャリア13Aを用いずに、キャ
リア13内の工作物の穴中心を、隣接中心線上から離れた位置にすることでも、工作物3
の全面の研磨が可能となる。
の回転中心から離れた位置に、2個以上の工作物保持穴をもつサブキャリア13Aを用い
れば、工作物穴の有無に関わらず、工作物3の表面の全面の研磨が出来る。この方法は、
大量の工作物を研磨するのに適している。
である。直線運動を行う直進型定盤の表面の摩擦力を直線運動方向に対して直角方向に異
ならせ、該直進型定盤に工作物を押しつけることによって工作物に回転運動のための偶力
を与えることができる。
にVの速度で反対方向に直線運動を行うベルト型のポリシャ11,11間に挟んでキャリ
ア13に保持した工作物3を置き、ポリシャ11,11を圧力Pで上下から押し付け、ポ
リシャ11,11の表面に工作物3の表面を接触させて片面又は両面研磨を行う方法であ
る。
るようにする。例えば、長さ方向中心線に対して片側のポリシャ11表面に円形状穴や直
線状の溝をつけることにより、該片側の工作物3とポリシャ11との接触面積を小さくす
ることにより、他方の側より摩擦力を小さくすることが出来る。また、ポリシャ11表面
の硬度のような機械的特性をポリシャ11の長さ方向中心線の左右で変えることによって
も、左右での工作物3とポリシャ11との接触状態が変わるので、左右での摩擦力を変え
、偶力を与えることが可能である。
離砥粒を含む研磨液を供給する。そして、工作物3の回転と直線運動するポリシャ11の
相対運動により、工作物3の上下表面を遊離砥粒で除去し、高平滑にしていく。この方法
は、図7に示すように、Vの速度で同方向に直線運動を行うベルト型ポリシャ11、11
を用いても同様に研磨を行うことができる。
面研磨を行う態様を示しているが、Vの速度で直線運動を行う単一のポリシャに工作物を
押しつけることによって工作物に回転運動のための偶力を与え、その回転とポリシャの直
線運動との相対運動により研磨を行うこともできる。
を通過する1組の隣接したベルト型ポリシャA,Bを、それぞれモータM1とM2により
互いに逆方向に直線運動により循環させた。1組のポリシャの隣接中心線を挟む両側表面
上に、工作物として円板状の磁気ディスク基板を押しつけて、ポリシングを行った。砥粒
としては、アルミナ砥粒をベルト型ポリシャA,B上に一様に供給した。押しつけ圧力は
、3.7kPaであり、ポリシャの移動速度は、1.5m/sであり、ポリシャはスエ−ドタイプであ
る。磁気ディスク基板は、アルミニウムタイプであり、研磨時間は、5minとした。その結
果、磁気ディスク基板は偶力により少なくとも0.15m/s以上の速度で回転し、直線運動す
るポリシャA,Bとの相対運動により、砥粒が基板を研磨し、基板が平滑化された。
面測定器(WYKO)による三次元粗さ測定結果により示している。磁気ディスク基板表面は
、ポリシングにより非常にきれいに研磨され、Ra値で、約1.3nmの超平滑面に達しており
、本発明の直進型研磨方法の有効性が示されている。
10 研磨定盤
11 ポリシャ
12 遊離砥粒
13 キャリア
14 ホルダ
15 研磨液
Claims (6)
- 平行に隣接し、互いに反対方向に直線運動を行う1組の平行平面定盤の両方に、工作物を押しつけることにより、工作物に回転運動のための偶力を与え、その回転と直線運動をする該1組の定盤との相対運動により、工作物を砥粒で研磨する直進型研磨方法。
- 1組の平行平面定盤を別の1組の平行平面定盤と対向させて、その間に工作物を挟んで片面又は両面に研磨することを特徴とする請求項1記載の直進型研磨方法。
- 直進運動を行う単一の平面定盤の表面の摩擦係数を直進運動方向に対して直角方向に異ならせ、該平面定盤に工作物押しつけることにより、工作物に回転運動のための偶力を与え、その回転と直線運動をする該単一の平面定盤との相対運動により、工作物を砥粒で研磨する直進型研磨方法。
- 前記平面定盤を別の平面定盤と対向させて、その間に工作物を挟んで片面または両面を研磨することを特徴とする請求項3記載の直進型研磨方法。
- 円板状のサブキャリアで固定された工作物を、円板状穴を持つ長尺の板状のキャリアで保持し、キャリアを研磨の進行につれて徐々に一方向へ引き出しながら、連続的に研磨加工することを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の直進型研磨方法。
- 請求項1ないし5のいずれかに記載の研磨方法において、平面定盤に代えて工作物支持台上を通過するベルト型のポリシャを用いることを特徴とする直進型研磨方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004105655 | 2004-03-31 | ||
JP2004105655 | 2004-03-31 | ||
PCT/JP2005/005858 WO2005095053A1 (ja) | 2004-03-31 | 2005-03-29 | 直進型研磨方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2005095053A1 JPWO2005095053A1 (ja) | 2008-07-31 |
JP4472694B2 true JP4472694B2 (ja) | 2010-06-02 |
Family
ID=35063594
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006511668A Expired - Fee Related JP4472694B2 (ja) | 2004-03-31 | 2005-03-29 | 直進型研磨方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070202777A1 (ja) |
EP (1) | EP1745888A4 (ja) |
JP (1) | JP4472694B2 (ja) |
KR (1) | KR100806949B1 (ja) |
CN (1) | CN1929954B (ja) |
TW (1) | TWI271261B (ja) |
WO (1) | WO2005095053A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101249632B (zh) * | 2008-03-20 | 2010-06-09 | 沈阳材佳机械设备有限公司 | 往复直线加旋转运动研磨抛光装置 |
US8684791B2 (en) * | 2011-11-09 | 2014-04-01 | Alvin Gabriel Stern | Linear, automated apparatus and method for clean, high purity, simultaneous lapping and polishing of optics, semiconductors and optoelectronic materials |
US9950404B1 (en) | 2012-03-29 | 2018-04-24 | Alta Devices, Inc. | High throughput polishing system for workpieces |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2144354B (en) * | 1983-07-15 | 1987-03-11 | Helical Springs Limited | Grinding apparatus |
JPS6080559A (ja) | 1983-10-12 | 1985-05-08 | Mitsubishi Metal Corp | 研磨装置 |
US5371973A (en) * | 1992-09-30 | 1994-12-13 | Western Atlas Inc. | Grinding machine utilizing multiple, parallel, abrasive belts simultaneously grinding surfaces on a workpiece |
ATE186001T1 (de) * | 1994-08-09 | 1999-11-15 | Ontrak Systems Inc | Linear poliergerät und wafer planarisierungsverfahren |
US5575707A (en) * | 1994-10-11 | 1996-11-19 | Ontrak Systems, Inc. | Polishing pad cluster for polishing a semiconductor wafer |
JPH10249720A (ja) | 1997-03-13 | 1998-09-22 | Kobe Steel Ltd | 平板状工作物のポリッシング加工方法 |
US6241583B1 (en) * | 1999-02-04 | 2001-06-05 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing with a plurality of polishing sheets |
US6626744B1 (en) * | 1999-12-17 | 2003-09-30 | Applied Materials, Inc. | Planarization system with multiple polishing pads |
US6422929B1 (en) * | 2000-03-31 | 2002-07-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Polishing pad for a linear polisher and method for forming |
US20040137830A1 (en) * | 2002-12-24 | 2004-07-15 | Kazumasa Ohnishi | Lapping method and lapping machine |
-
2005
- 2005-03-29 EP EP05727544A patent/EP1745888A4/en not_active Withdrawn
- 2005-03-29 KR KR1020067019958A patent/KR100806949B1/ko active IP Right Grant
- 2005-03-29 CN CN2005800079883A patent/CN1929954B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-29 US US10/599,562 patent/US20070202777A1/en not_active Abandoned
- 2005-03-29 WO PCT/JP2005/005858 patent/WO2005095053A1/ja active Application Filing
- 2005-03-29 JP JP2006511668A patent/JP4472694B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-30 TW TW094110147A patent/TWI271261B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1929954A (zh) | 2007-03-14 |
JPWO2005095053A1 (ja) | 2008-07-31 |
TWI271261B (en) | 2007-01-21 |
CN1929954B (zh) | 2011-12-14 |
US20070202777A1 (en) | 2007-08-30 |
WO2005095053A1 (ja) | 2005-10-13 |
KR20060132954A (ko) | 2006-12-22 |
EP1745888A1 (en) | 2007-01-24 |
KR100806949B1 (ko) | 2008-02-22 |
EP1745888A4 (en) | 2008-01-02 |
TW200531781A (en) | 2005-10-01 |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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