JPS60146675A - チヤツク - Google Patents
チヤツクInfo
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- JPS60146675A JPS60146675A JP59000050A JP5084A JPS60146675A JP S60146675 A JPS60146675 A JP S60146675A JP 59000050 A JP59000050 A JP 59000050A JP 5084 A JP5084 A JP 5084A JP S60146675 A JPS60146675 A JP S60146675A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- wafer
- suction
- adsorption
- chuck body
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
- B24B41/068—Table-like supports for panels, sheets or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体回路パターンが形成される不定形なウ
ェハー等の被加工物の真空吸着を行うチャックに関する
。
ェハー等の被加工物の真空吸着を行うチャックに関する
。
従来この種のウニ・・−チャック本体は吸着部を有する
同心円状の複数の吸着溝が形成され、谷溝はウェハーチ
ャック本体内で共通管路に連結されていた。第１図＋ａ
）は従来例の吸着部側よシ見た場合のウェハーチャック
本体の平面図であり、ｌはウェハーチャック本体、２ａ
、２１）、２Ｃ１２ｄは吸着溝でオシ、ウェハーチャッ
ク本体内で共通管路に連結され、真空計４および不図示
の真空ポンプに接続されている。第１図（ｂ）は上述従
来例の断面図で、ウェハーが吸着溝の吸着部を全て覆う
場合、ウェハーチャックはウェハーに対し十分な保持力
と平面矯正能力を発揮する。しかしウェハーが吸着溝の
吸着部を覆いきれない場合、一部分の真空のもれで全体
の真空度を下けてしまい、ウェハーチェックはウェハー
に対し十分な保持力と平面矯正能力を発揮出来なかった
。
同心円状の複数の吸着溝が形成され、谷溝はウェハーチ
ャック本体内で共通管路に連結されていた。第１図＋ａ
）は従来例の吸着部側よシ見た場合のウェハーチャック
本体の平面図であり、ｌはウェハーチャック本体、２ａ
、２１）、２Ｃ１２ｄは吸着溝でオシ、ウェハーチャッ
ク本体内で共通管路に連結され、真空計４および不図示
の真空ポンプに接続されている。第１図（ｂ）は上述従
来例の断面図で、ウェハーが吸着溝の吸着部を全て覆う
場合、ウェハーチャックはウェハーに対し十分な保持力
と平面矯正能力を発揮する。しかしウェハーが吸着溝の
吸着部を覆いきれない場合、一部分の真空のもれで全体
の真空度を下けてしまい、ウェハーチェックはウェハー
に対し十分な保持力と平面矯正能力を発揮出来なかった
。
本発明は上記の点に鑑み、上記欠点をＭ消するだめにな
されたもので、チャックのチャック本体の吸着部に多孔
質材料を用いることにより種々の□形状及び大きさのウ
ェハー等の被加工物に対し十分な保持力と平面矯正能力
とを有するチャックを提供することを目的とする。
されたもので、チャックのチャック本体の吸着部に多孔
質材料を用いることにより種々の□形状及び大きさのウ
ェハー等の被加工物に対し十分な保持力と平面矯正能力
とを有するチャックを提供することを目的とする。
以下、本発明に係るチャックの実施例を図面に従って説
明する。
明する。
第２図乃至第４図は本発明の一実施例にして、第２図（
ａ）はウェハーチャックのウェハーチャック本体の上視
図、第２図＋ｂｌはウニノ・−チャックの断面を示した
説明図（ウニ・・−チャック本体は第２゛ 図（ａｌの
Ａ−Ａ′線で切断した図）、第８図は第２図゛（ｂ）の
演算制御回路のブロック図、第４図はフローチャートで
ある。
ａ）はウェハーチャックのウェハーチャック本体の上視
図、第２図＋ｂｌはウニノ・−チャックの断面を示した
説明図（ウニ・・−チャック本体は第２゛ 図（ａｌの
Ａ−Ａ′線で切断した図）、第８図は第２図゛（ｂ）の
演算制御回路のブロック図、第４図はフローチャートで
ある。
第２図に於て、５はウェハーチャック本体で、内側に６
箇、外側に６箇夫々分離して独ａだ吸着面を有する吸着
部材６ａ〜６１を有し、この吸着部ｋＡ’ ６ ａ〜０
１はたとえば焼結多孔性金属もしくは焼結多孔セラミッ
クス等の多孔性材料から形成されている。１だ、この吸
着部材６ａ〜６１はウェハーチャック本体５に設けられ
た夫々のだめの溝６７ ａ〜（５′１に固着等されて支
持されている。
箇、外側に６箇夫々分離して独ａだ吸着面を有する吸着
部材６ａ〜６１を有し、この吸着部ｋＡ’ ６ ａ〜０
１はたとえば焼結多孔性金属もしくは焼結多孔セラミッ
クス等の多孔性材料から形成されている。１だ、この吸
着部材６ａ〜６１はウェハーチャック本体５に設けられ
た夫々のだめの溝６７ ａ〜（５′１に固着等されて支
持されている。
これらの溝６′ａ〜６′１は夫々の管路１０ａ−１０１
と夫々の電磁弁８ａ〜８１とを介して不図示の夫々の真
空ポンプに連通している。
と夫々の電磁弁８ａ〜８１とを介して不図示の夫々の真
空ポンプに連通している。
９は演算制御回路で、電磁弁８ａ〜８１とウェハーチャ
ック本体５との間の管路１０ａ−１０１に夫々設けられ
た真空計７ａ〜７１の電気信号を入力し、又、その電気
信号の大小により電磁弁８ａ〜８１の開閉を制御するだ
めのものである。なお、第２図０に於て、溝６’ａ ＋
６’ｃ 、６／ａ 、 ６’ｆ。
ック本体５との間の管路１０ａ−１０１に夫々設けられ
た真空計７ａ〜７１の電気信号を入力し、又、その電気
信号の大小により電磁弁８ａ〜８１の開閉を制御するだ
めのものである。なお、第２図０に於て、溝６’ａ ＋
６’ｃ 、６／ａ 、 ６’ｆ。
６’ｇ ＋ ６７１ｒ ６’＋ｌ］ ＋ ６’ｌ、管路
１０ａ、ＩＯｃ。
１０ａ、ＩＯｃ。
１０ｄ、、１０ｆ、１０ｇ、１０工、ｌ ＯＪ＋Ｉ ０
１真空計７！ｉ、７ｃ、７ｄ、７ｆ、７ｇ、７ｉ、７Ｊ
、７１、電磁弁８ａ＋ ８ｃ、 ８ａ、８ｆ＋ ｓｇ。
１真空計７！ｉ、７ｃ、７ｄ、７ｆ、７ｇ、７ｉ、７Ｊ
、７１、電磁弁８ａ＋ ８ｃ、 ８ａ、８ｆ＋ ｓｇ。
８ｉ、８ｊ、８１については図示してないが、図示せる
溝６′ｂＨ６’ ｅ １ ｂ’ ｈ 、 ｂ’ ｋ、管
路１０ｂ。
溝６′ｂＨ６’ ｅ １ ｂ’ ｈ 、 ｂ’ ｋ、管
路１０ｂ。
１０ｅ、ｌＯｈ、１０ｋｓ真空計７ｂ、７ｅ、７ｂ、７
に％電磁弁８ｂ、 ８ｅ、 ８ｈ、 ８にの構成から明
白である。
に％電磁弁８ｂ、 ８ｅ、 ８ｈ、 ８にの構成から明
白である。
第８図に於て、１１は真空計７ａ〜７１のいずれかを選
択するだめのアナログマルチプレクサ、１２は真空側７
ａ〜７１の内選択された真空計からのアナログ信号をデ
ジタル信号に変換するアナログ−デジタル変換器（以下
、Ａｌ１）変換器という。）、１８は真空度の基準レベ
ル値を格納しているメモリー、■４はアナログマルチプ
レクサ１１をスイッチングするためのラッチ回路 １５
は電磁弁８ａ〜８１用の電源、１６は電磁弁８ａ〜８１
に電源１５を各状態に応じて接続するだめのスイッチン
グ回路、１７はスイッチング回路１６を制ｍｌするため
のラッチ回路、１８は中央処理装置で、第４図に示した
フローチャートに従って動作し、ラッチ回路１４．１１
に制御信号を与えだシ、真空計７ａ〜７１のいずれかの
信号を入力してメモリー１８から読み込んだ基準レベル
と比較したりするものである。
択するだめのアナログマルチプレクサ、１２は真空側７
ａ〜７１の内選択された真空計からのアナログ信号をデ
ジタル信号に変換するアナログ−デジタル変換器（以下
、Ａｌ１）変換器という。）、１８は真空度の基準レベ
ル値を格納しているメモリー、■４はアナログマルチプ
レクサ１１をスイッチングするためのラッチ回路 １５
は電磁弁８ａ〜８１用の電源、１６は電磁弁８ａ〜８１
に電源１５を各状態に応じて接続するだめのスイッチン
グ回路、１７はスイッチング回路１６を制ｍｌするため
のラッチ回路、１８は中央処理装置で、第４図に示した
フローチャートに従って動作し、ラッチ回路１４．１１
に制御信号を与えだシ、真空計７ａ〜７１のいずれかの
信号を入力してメモリー１８から読み込んだ基準レベル
と比較したりするものである。
第４図のフローチャートを第２図の構成のウェハーチャ
ックに対応させるために、ｎ＝１２とし、ａ、ｂ、ｃ、
ｄ＝・はＮ＝１’、２１，３．４−・・に対応している
。たとえばマルチプレクサ切替Ｎ設定でＮ−４の場合、
第３図のアナログマルチプレクサ１１ｉｄ、真空計７ｄ
をＡｌ１）変換器１２に接続するように切替え、電磁弁
Ｎ（但しＮ−４）は電磁弁８ｄを示す。
ックに対応させるために、ｎ＝１２とし、ａ、ｂ、ｃ、
ｄ＝・はＮ＝１’、２１，３．４−・・に対応している
。たとえばマルチプレクサ切替Ｎ設定でＮ−４の場合、
第３図のアナログマルチプレクサ１１ｉｄ、真空計７ｄ
をＡｌ１）変換器１２に接続するように切替え、電磁弁
Ｎ（但しＮ−４）は電磁弁８ｄを示す。
以下、第２図乃至第４図を参照して本発明の動作説明を
する。第２図の一点鎖線で示した如くウェハーＷがウェ
ハーチャック本体５上に載せられた状態で、全ての電磁
弁６ａ〜６１を通電するように中央処理装置１８はラッ
テ回路１７に制御信号を与え、スイッチング回路１６の
スイッチを全てオンにして電源１５を電磁弁６ａ〜６１
に接続して管路１０ａ−１０１を全て開路状態とする（
Ｓ、 ｌ ）。これと前後して各真空ポンプは作動し
真空吸引を行ないウェハーチャック本体５の各吸着部を
真空状態にする。所定時間後、中央処理装置１８はラッ
チ回路１４を介してアナ１コグマルチプレクサＮの設定
、即ち、ここではｌ’Ｊ＝１の設定を行なう（Ｓ２）、
即ち、真空剤７ ａのみがアナログマルチプレクサ１１
により選択されて、真空計７ａからの真空度の信号をＡ
／Ｄ変換器１２でＡ／Ｄ変換する（Ｓ３）。中央処理装
置１８はメモＩＪ −１３から読み込んだ真空度の基準
レベルと真空計７ａからのＡ／１〕変換した真空度の信
号とを比較し、その真空度が基準レベル以上かどうかの
判断を行なう（Ｓ４）。ここで、その真空度が基準レベ
ル以上ならば、ウェハーＷが吸着部４１’ （３ｇの吸
着面を全て覆っているか、ウニ・・−Ｗと吸着部材６ａ
の吸着面との隙間がわずかであるので、真空度の大きな
低下はなく程良い真空度が保たれ、ウェハーＷは吸着部
材６ａにより吸着されている。
する。第２図の一点鎖線で示した如くウェハーＷがウェ
ハーチャック本体５上に載せられた状態で、全ての電磁
弁６ａ〜６１を通電するように中央処理装置１８はラッ
テ回路１７に制御信号を与え、スイッチング回路１６の
スイッチを全てオンにして電源１５を電磁弁６ａ〜６１
に接続して管路１０ａ−１０１を全て開路状態とする（
Ｓ、 ｌ ）。これと前後して各真空ポンプは作動し
真空吸引を行ないウェハーチャック本体５の各吸着部を
真空状態にする。所定時間後、中央処理装置１８はラッ
チ回路１４を介してアナ１コグマルチプレクサＮの設定
、即ち、ここではｌ’Ｊ＝１の設定を行なう（Ｓ２）、
即ち、真空剤７ ａのみがアナログマルチプレクサ１１
により選択されて、真空計７ａからの真空度の信号をＡ
／Ｄ変換器１２でＡ／Ｄ変換する（Ｓ３）。中央処理装
置１８はメモＩＪ −１３から読み込んだ真空度の基準
レベルと真空計７ａからのＡ／１〕変換した真空度の信
号とを比較し、その真空度が基準レベル以上かどうかの
判断を行なう（Ｓ４）。ここで、その真空度が基準レベ
ル以上ならば、ウェハーＷが吸着部４１’ （３ｇの吸
着面を全て覆っているか、ウニ・・−Ｗと吸着部材６ａ
の吸着面との隙間がわずかであるので、真空度の大きな
低下はなく程良い真空度が保たれ、ウェハーＷは吸着部
材６ａにより吸着されている。
ここで、吸着部材６ａは多孔性材料で形成されているた
め、その管路抵抗が大きいので、たとえウェハーＷと吸
着部拐６ａの吸着面との間にわずかな隙間ができていて
も基準レベル以上の真空度が保たれ、吸着部４Ｎ’ ６
ａはウニ・・−Ｗに対し十分な保持力と平面矯正能力
とを有する。従って、この場合、そのま＼不図示の真空
ポンプによる排気を続行し、吸着部４ｇ’ ６ ａによ
るウェハーＷの吸着を続行する。
め、その管路抵抗が大きいので、たとえウェハーＷと吸
着部拐６ａの吸着面との間にわずかな隙間ができていて
も基準レベル以上の真空度が保たれ、吸着部４Ｎ’ ６
ａはウニ・・−Ｗに対し十分な保持力と平面矯正能力
とを有する。従って、この場合、そのま＼不図示の真空
ポンプによる排気を続行し、吸着部４ｇ’ ６ ａによ
るウェハーＷの吸着を続行する。
毛、シ、真空度が基準レベルより下ならば、吸着部４’
Ａ’ ６ ａの吸着面とウェハーとの間に大きな隙間が
あシ、大きな真空もれがあるため真空度が上らないわけ
で、この場合、これ以上不図示の真空ポンプで排気して
も真空度が上らず、吸着部材６ａはウェハーＷに対し十
分な保持力と平面矯正能力を有せず無駄であるので次の
ようにしてウェハーＷの吸着部材６ａによる真空吸着を
停止する。
Ａ’ ６ ａの吸着面とウェハーとの間に大きな隙間が
あシ、大きな真空もれがあるため真空度が上らないわけ
で、この場合、これ以上不図示の真空ポンプで排気して
も真空度が上らず、吸着部材６ａはウェハーＷに対し十
分な保持力と平面矯正能力を有せず無駄であるので次の
ようにしてウェハーＷの吸着部材６ａによる真空吸着を
停止する。
電磁弁Ｎ、ここではＮ＝１、即ち、電磁弁８ａを非通電
状態にするよう中央処理装置１８はラッチ回路１７に制
御信号を送る。このラッチ回路１７のラッチ信号によシ
ミ源１５と電磁弁８ａとの接続を断つようにスイッチン
グ回路１６は動作する。
状態にするよう中央処理装置１８はラッチ回路１７に制
御信号を送る。このラッチ回路１７のラッチ信号によシ
ミ源１５と電磁弁８ａとの接続を断つようにスイッチン
グ回路１６は動作する。
電磁弁８ａがオフすれば管路ｌＯａは閉路状態となるの
で不図示の真空ポンプによる吸着部材６ａの真空吸引は
停止され、ウェハーＷと吸着部材６ａとの隙間から空気
が入り込み、最早吸着部月６ａはウェハーＷを吸着しな
くなる。次に、中央処理装置１８はＮの値を１つ増しく
８６３、この新だなＮの値と最大値ｎとを比較して判断
する（Ｓ７）。
で不図示の真空ポンプによる吸着部材６ａの真空吸引は
停止され、ウェハーＷと吸着部材６ａとの隙間から空気
が入り込み、最早吸着部月６ａはウェハーＷを吸着しな
くなる。次に、中央処理装置１８はＮの値を１つ増しく
８６３、この新だなＮの値と最大値ｎとを比較して判断
する（Ｓ７）。
ここではＮ＝ｌだったので、次にＩ’１Ｊ＝２とし、ｎ
＝１２であるのでＮ ＞ ｎでないので上述のＮ＝■の
時と同様なＮ−２の時のループを動作ステップＳ２から
繰返す。このようにして、Ｎ＝１から ｒ順次Ｎ＝２．
８．・・・１２迄繰返して実行し、管路１０ａ−１０１
の夫々の真空状態、即ち、ウェハーＷの吸着部材６ａ〜
６１の吸着面に対する夫々の密封状態に応じて、夫々の
電磁弁８ａ〜８１は開閉され、管路７ａ〜７１は夫々開
路状態あるいは閉路状態のいずれかとなる。このように
して後、動作ステップＳ７でＮ＝１３となシ、Ｎ（＝１
−８）＞ｎ（＝１２）となった時には本実施例のウニノ
・−チャックによるウニノ・−Ｗの真空吸着制御を全て
一通シ終えたので、中央処理装置１８はその制御を終了
する。
＝１２であるのでＮ ＞ ｎでないので上述のＮ＝■の
時と同様なＮ−２の時のループを動作ステップＳ２から
繰返す。このようにして、Ｎ＝１から ｒ順次Ｎ＝２．
８．・・・１２迄繰返して実行し、管路１０ａ−１０１
の夫々の真空状態、即ち、ウェハーＷの吸着部材６ａ〜
６１の吸着面に対する夫々の密封状態に応じて、夫々の
電磁弁８ａ〜８１は開閉され、管路７ａ〜７１は夫々開
路状態あるいは閉路状態のいずれかとなる。このように
して後、動作ステップＳ７でＮ＝１３となシ、Ｎ（＝１
−８）＞ｎ（＝１２）となった時には本実施例のウニノ
・−チャックによるウニノ・−Ｗの真空吸着制御を全て
一通シ終えたので、中央処理装置１８はその制御を終了
する。
ウェハーＷのウェハーチャックによる真空吸着が長びく
時には第４図に示したフローを一定時間間隔毎に繰返し
て行なえばよい。
時には第４図に示したフローを一定時間間隔毎に繰返し
て行なえばよい。
なお、本実施例の場合、ウニノ・−Ｗは吸着部材６ｇ〜
６１の夫々の吸着面を余り覆っていないので、溝６／
ｇ〜６／ ｌや管路１０ｇ−１０１の真空度が基準レベ
ル以上とならないので、電磁弁８ｇ〜８１は全てオフと
なり、管路ｉｏｇ−１０１は閉路状態となっている。こ
のようにウェハーＷと吸着部材６ｇ〜６１の夫々の吸着
面との間の隙間が大きい時、不図示の真空ポンプによる
排気を停止して、吸着部材６ｇ〜６１によるウニノ・−
Ｗに対する吸着を停止するために上述のように管路１０
ｇ−１０１を閉路状態とする。
６１の夫々の吸着面を余り覆っていないので、溝６／
ｇ〜６／ ｌや管路１０ｇ−１０１の真空度が基準レベ
ル以上とならないので、電磁弁８ｇ〜８１は全てオフと
なり、管路ｉｏｇ−１０１は閉路状態となっている。こ
のようにウェハーＷと吸着部材６ｇ〜６１の夫々の吸着
面との間の隙間が大きい時、不図示の真空ポンプによる
排気を停止して、吸着部材６ｇ〜６１によるウニノ・−
Ｗに対する吸着を停止するために上述のように管路１０
ｇ−１０１を閉路状態とする。
従って、ウニノ・−Ｗの真空吸着は基準レベル以上の真
空度に達した内側の吸着部材６ａ〜６ｆのいずれかで行
なうことになる。なお、電磁弁を閉じた後はこの電磁弁
と関係のある真空ポンプの動作を停止してよい。
空度に達した内側の吸着部材６ａ〜６ｆのいずれかで行
なうことになる。なお、電磁弁を閉じた後はこの電磁弁
と関係のある真空ポンプの動作を停止してよい。
このようにして、一連の制御動作が終了した時点で通電
状態にある電磁弁が残っていれば、ウェハーはウェハー
チャックにより完全に吸着されたことになる。もし、通
電状態にある電磁弁がない場合、ウェハーがウェハーチ
ャック本体上に存在しナイカ、ウェハーとウェハーチャ
ック本体間に大きなゴミ等があることになるので、中央
処理装置は再度ウェハーをウェハーチャック本体上にの
せる動作命令を出すか、警報を出す等の処理を行なう。
状態にある電磁弁が残っていれば、ウェハーはウェハー
チャックにより完全に吸着されたことになる。もし、通
電状態にある電磁弁がない場合、ウェハーがウェハーチ
ャック本体上に存在しナイカ、ウェハーとウェハーチャ
ック本体間に大きなゴミ等があることになるので、中央
処理装置は再度ウェハーをウェハーチャック本体上にの
せる動作命令を出すか、警報を出す等の処理を行なう。
本発明はこの他にも、真空計７ａ〜７１の真空度を測定
し、基準レベルに達せず一番真空度の低い管路のみを電
磁弁のオフにより閉路状態とし、これを繰り返して制御
動作を行なってもよい。このフローは第５図に動作ステ
ップ５ｌｌ−８２２として示しである。
し、基準レベルに達せず一番真空度の低い管路のみを電
磁弁のオフにより閉路状態とし、これを繰り返して制御
動作を行なってもよい。このフローは第５図に動作ステ
ップ５ｌｌ−８２２として示しである。
上記実施例では真空計を用いたが、ダイヤフラムとスイ
ッチとを組合わせだ真空スイッチを真空計の代りに用い
ても実現可能である。
ッチとを組合わせだ真空スイッチを真空計の代りに用い
ても実現可能である。
この場合１．真空スイッチのスイッチングする時の真空
度を基準レベルに設定し、この真空スイッチのスイッチ
ング信号を中央処理装置が検知して制御を行なえばよい
。
度を基準レベルに設定し、この真空スイッチのスイッチ
ング信号を中央処理装置が検知して制御を行なえばよい
。
又、吸着面を１２分割しているがこれに限ることなく使
用するウニノ・−の大きさ罪状に対応させて吸着部の分
割の数や大きさや形及びウェハーチャック本体上への位
置を決定するとよい。又、吸着面の形は同心円状、同心
状のオリエンテーションフラットの輪郭形状等どのよう
なものでもよい。
用するウニノ・−の大きさ罪状に対応させて吸着部の分
割の数や大きさや形及びウェハーチャック本体上への位
置を決定するとよい。又、吸着面の形は同心円状、同心
状のオリエンテーションフラットの輪郭形状等どのよう
なものでもよい。
更に実施例の説明は、集積回路製造のだめのパターン焼
付転写あるいは他の加工処理の際にシリコン・ウェハー
を吸着する場合を想定していたが、これに限らず、他の
ウェハー状被加工物等の保持にも使用できる。
付転写あるいは他の加工処理の際にシリコン・ウェハー
を吸着する場合を想定していたが、これに限らず、他の
ウェハー状被加工物等の保持にも使用できる。
以上説明したように、チャックの多孔性材料からなる吸
着面の分割を行い、吸着面の数、大きさ。
着面の分割を行い、吸着面の数、大きさ。
位置を使用するウェハー等の被加工物の種類に対応して
配置し、独立の管路及び真空度を調整する手段を有する
事により、最適のウェハー等の被加工物の吸着保持が行
なえる。
配置し、独立の管路及び真空度を調整する手段を有する
事により、最適のウェハー等の被加工物の吸着保持が行
なえる。
又外形形状が規格化されてない不定形のウェハー等の被
加工物に対しても最適の被加工物の吸着保持が行なえる
。又、ウェハー等の被加工物の有無あるいはゴミの検知
が行なえる。
加工物に対しても最適の被加工物の吸着保持が行なえる
。又、ウェハー等の被加工物の有無あるいはゴミの検知
が行なえる。
ウェハー等の被加工物が吸着面を不完全な形で覆っても
、吸着力が得られ真空度の低下が少ない。
、吸着力が得られ真空度の低下が少ない。
ｍ１図（ａｌは従来のウェハーチャック本体の上視図、
第１図（ｂｌは従来のウェハーチャックの断面図、第２
図（ａｌは本発明の一実施例のウェハーチャック本体の
上視図、第２図（ｂｌは第２図（ａｌＯＡ−Ａ′線に沿
って切断したウェハーチャック本体を含む本発明の一実
施例のウェハーチャックの断面を示す説明図、第３図は
第２図の演算制御回路の具体的フ。 ロック図、第４図は本発明の一実施例のフローチャート
。第５図は本発明の他の一実施９１１のフローチャー１
・である。 ５はウニノ・−チャック本体、（５ａ〜６１は吸着部４
−）４．Ｑ’ａ 〜６’ｌは溝、７ａ 〜７’ｌは真空
言十、８ａ〜８１は電磁弁、９は演算制御回路、１０ａ
〜１０１は管路、１１はアナログマルチプレクサ１４、
１７はラッチ回路 １ ５は電源，１６はスイッチング
回路，１８は中央処理装置である。 （ａ） 第１図 （ａ） 第４図 第５図
第１図（ｂｌは従来のウェハーチャックの断面図、第２
図（ａｌは本発明の一実施例のウェハーチャック本体の
上視図、第２図（ｂｌは第２図（ａｌＯＡ−Ａ′線に沿
って切断したウェハーチャック本体を含む本発明の一実
施例のウェハーチャックの断面を示す説明図、第３図は
第２図の演算制御回路の具体的フ。 ロック図、第４図は本発明の一実施例のフローチャート
。第５図は本発明の他の一実施９１１のフローチャー１
・である。 ５はウニノ・−チャック本体、（５ａ〜６１は吸着部４
−）４．Ｑ’ａ 〜６’ｌは溝、７ａ 〜７’ｌは真空
言十、８ａ〜８１は電磁弁、９は演算制御回路、１０ａ
〜１０１は管路、１１はアナログマルチプレクサ１４、
１７はラッチ回路 １ ５は電源，１６はスイッチング
回路，１８は中央処理装置である。 （ａ） 第１図 （ａ） 第４図 第５図
Claims (1)
- 被加工物をチャック本体上に載せ、前記被加工物を真空
吸着して位置決め固定化を行なうチャックに於て、前記
チャノ゛り本体に設けられ、複数に独立して分割され且
つ多孔質材料からなる前記被加工物を吸着するだめの吸
着部と、この各吸着部に対し各々独立した専用の真空度
を調整する手段とを備えたこ−とを特徴とするチ□ャッ
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59000050A JPS60146675A (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | チヤツク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59000050A JPS60146675A (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | チヤツク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60146675A true JPS60146675A (ja) | 1985-08-02 |
Family
ID=11463426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59000050A Pending JPS60146675A (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | チヤツク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60146675A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0272622A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Teru Kyushu Kk | Ｌｃｄ基板のガス処理装置 |
| JPH0547907A (ja) * | 1991-08-12 | 1993-02-26 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
| EP0650806A1 (en) * | 1993-10-28 | 1995-05-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing apparatus of semiconductor wafer |
| EP0960694A1 (en) * | 1998-05-29 | 1999-12-01 | Nec Corporation | Wafer polishing apparatus and backing pad for wafer polishing |
| EP1321968A2 (en) * | 2001-12-04 | 2003-06-25 | LINTEC Corporation | Suction holding device |
| JP2007111829A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Max Co Ltd | 電動ステープラ |
| JP2015203648A (ja) * | 2014-04-15 | 2015-11-16 | 株式会社リガク | 蛍光ｘ線分析装置 |
| EP3035377A1 (de) * | 2014-12-17 | 2016-06-22 | Mechatronic Systemtechnik GmbH | Vakuumspannvorrichtung zum aufspannen von werkstücken |
-
1984
- 1984-01-05 JP JP59000050A patent/JPS60146675A/ja active Pending
Cited By (12)
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|---|---|---|---|---|
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| SG99413A1 (en) * | 2001-12-04 | 2003-10-27 | Lintec Corp | Suction holding device |
| EP1321968A3 (en) * | 2001-12-04 | 2006-04-12 | LINTEC Corporation | Suction holding device |
| JP2007111829A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Max Co Ltd | 電動ステープラ |
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| WO2016097082A1 (de) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | Mechatronic Systemtechnik Gmbh | Vakuumspannvorrichtung zum aufspannen von werkstücken |
| CN107210248A (zh) * | 2014-12-17 | 2017-09-26 | 机电体化系统技术有限公司 | 用于夹紧工件的真空夹紧装置 |
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