JPH08153697A - ポリッシング装置 - Google Patents
ポリッシング装置Info
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- JPH08153697A JPH08153697A JP29516394A JP29516394A JPH08153697A JP H08153697 A JPH08153697 A JP H08153697A JP 29516394 A JP29516394 A JP 29516394A JP 29516394 A JP29516394 A JP 29516394A JP H08153697 A JPH08153697 A JP H08153697A
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- Japan
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- compartment
- wafer
- polishing
- compartments
- gate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 クリーンルームに設置することができるポリ
ッシング装置を提供する。 【構成】 作業室を仕切手段によって複数の区画室に区
分する。そして、前記区画室内部にポリッシングを被加
工物に施す手段を設置する。さらに、前記仕切手段によ
り区分された隣接する区画室間を連通状態にする連通手
段を設ける。なお、前記複数の区画室の内部圧力を個別
に制御する手段を設けることができる。また、前記区画
室内部に層流よりなる気流を発生させる手段を設けるこ
ともできる。
ッシング装置を提供する。 【構成】 作業室を仕切手段によって複数の区画室に区
分する。そして、前記区画室内部にポリッシングを被加
工物に施す手段を設置する。さらに、前記仕切手段によ
り区分された隣接する区画室間を連通状態にする連通手
段を設ける。なお、前記複数の区画室の内部圧力を個別
に制御する手段を設けることができる。また、前記区画
室内部に層流よりなる気流を発生させる手段を設けるこ
ともできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリッシング装置に係
り、特にクリーンルーム内への設置を可能としたポリッ
シング装置に関する。
り、特にクリーンルーム内への設置を可能としたポリッ
シング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリッシング装置は、例えば定盤上に取
り付けられた研磨布にウェハを押し付けて加工し、ウェ
ハ表面において高度の鏡面を得るための装置である。
り付けられた研磨布にウェハを押し付けて加工し、ウェ
ハ表面において高度の鏡面を得るための装置である。
【０００３】特に、近年、半導体製造工程において従来
から使用されていた片面ポリッシング技術が半導体のデ
バイス加工の分野に応用されており、この応用技術はケ
ミカル・メカニカル・ポリッシング（ＣＭＰ）技術と呼
ばれ、このＣＭＰ技術を用いたポリッシング装置はＣＭ
Ｐ装置と呼ばれている。
から使用されていた片面ポリッシング技術が半導体のデ
バイス加工の分野に応用されており、この応用技術はケ
ミカル・メカニカル・ポリッシング（ＣＭＰ）技術と呼
ばれ、このＣＭＰ技術を用いたポリッシング装置はＣＭ
Ｐ装置と呼ばれている。
【０００４】このようなポリッシング装置を用いてウェ
ハのポリッシング加工を行うと大量のパーティクルが発
生するため、ポリッシング装置を通常のクリーンルーム
内に設置することができなかった。
ハのポリッシング加工を行うと大量のパーティクルが発
生するため、ポリッシング装置を通常のクリーンルーム
内に設置することができなかった。
【０００５】そこで、従来のポリッシング装置は、通常
のクリーンルームよりもクリーン度の低い別室に設置さ
れていた。そして、この別室にクリーンルームからウェ
ハを運び込み、ポリッシング装置を用いてウェハを加工
・洗浄した後に再びクリーンルームへウェハを戻して次
の工程へと進めていた。
のクリーンルームよりもクリーン度の低い別室に設置さ
れていた。そして、この別室にクリーンルームからウェ
ハを運び込み、ポリッシング装置を用いてウェハを加工
・洗浄した後に再びクリーンルームへウェハを戻して次
の工程へと進めていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述したよ
うにポリッシング装置を別室に設置した場合、半導体製
造工程の全体の流れがポリッシング装置のところで滞留
してしまい、ひいては製造工程全体を自動化する上で大
きな障害となっていた。また、別室を設けるための費用
が余計にかかるばかりでなく、クリーン度の低い別室か
らクリーン度の高いクリーンルームへウェハを搬入する
たびにウェハを洗浄する必要があった。
うにポリッシング装置を別室に設置した場合、半導体製
造工程の全体の流れがポリッシング装置のところで滞留
してしまい、ひいては製造工程全体を自動化する上で大
きな障害となっていた。また、別室を設けるための費用
が余計にかかるばかりでなく、クリーン度の低い別室か
らクリーン度の高いクリーンルームへウェハを搬入する
たびにウェハを洗浄する必要があった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、クリーンルーム
に設置することができるポリッシング装置を提供するこ
とにある。
に設置することができるポリッシング装置を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によるポリッシング装置は、仕切手段によっ
て複数の区画室に区分された作業室と、前記区画室内部
に設置されたポリッシングを被加工物に施す手段と、前
記仕切手段により区分された隣接する区画室間を連通状
態にする連通手段とを備えたことを特徴とする。
に、本発明によるポリッシング装置は、仕切手段によっ
て複数の区画室に区分された作業室と、前記区画室内部
に設置されたポリッシングを被加工物に施す手段と、前
記仕切手段により区分された隣接する区画室間を連通状
態にする連通手段とを備えたことを特徴とする。
【０００９】また、複数の区画室の内部圧力を個別に制
御する手段を設けることが好ましい。
御する手段を設けることが好ましい。
【００１０】また、区画室内部に気流を発生させる手段
を設けることもできる。
を設けることもできる。
【００１１】また、前記気流を層流とすることもでき
る。
る。
【００１２】また、前記連通手段をゲートバルブとする
こともできる。
こともできる。
【００１３】また、前記連通手段をエアカーテンとする
こともできる。
こともできる。
【００１４】さらに、前記ポリッシングを被加工物に施
す手段をケミカル・メカニカル・ポリッシングを被加工
物に施す手段とすることもできる。
す手段をケミカル・メカニカル・ポリッシングを被加工
物に施す手段とすることもできる。
【００１５】
【作用】作業室を仕切手段によって複数の区画室に区分
し、区画室の内部にポリッシングを被加工物に施す手段
を設置したので、クリーン度の低い区画室、特にポリッ
シングを被加工物に施す手段を設置した区画室から、ク
リーン度の高い区画室へのパーティクルの移動が制限さ
れる。また、区画室間でウェハの移動を行う際には、前
記仕切部材に設けた連通手段を介して区画室間を連通状
態にしてウェハを移動させる。
し、区画室の内部にポリッシングを被加工物に施す手段
を設置したので、クリーン度の低い区画室、特にポリッ
シングを被加工物に施す手段を設置した区画室から、ク
リーン度の高い区画室へのパーティクルの移動が制限さ
れる。また、区画室間でウェハの移動を行う際には、前
記仕切部材に設けた連通手段を介して区画室間を連通状
態にしてウェハを移動させる。
【００１６】また、前記複数の区画室のそれぞれの内部
圧力は前記各区画室内のクリーン度に応じて個別に制御
されるため、クリーン度の高い区画室ほど内部圧力を高
くすることができる。このようにすれば、区画室間が連
通状態にある場合でも、区画室間の空気の流れはクリー
ン度の高い区画室からクリーン度の低い区画室へと生じ
るため、クリーン度の低い区画室に存在する大量のパー
ティクルがクリーン度の高い区画室へと流れ込むことが
ない。
圧力は前記各区画室内のクリーン度に応じて個別に制御
されるため、クリーン度の高い区画室ほど内部圧力を高
くすることができる。このようにすれば、区画室間が連
通状態にある場合でも、区画室間の空気の流れはクリー
ン度の高い区画室からクリーン度の低い区画室へと生じ
るため、クリーン度の低い区画室に存在する大量のパー
ティクルがクリーン度の高い区画室へと流れ込むことが
ない。
【００１７】さらに、前記各区画室の内部に気流を発生
させることによってパーティクルの拡散を抑制すること
ができる。
させることによってパーティクルの拡散を抑制すること
ができる。
【００１８】また、前記気流を層流にすれば、パーティ
クルの舞い上がりを抑制することができる。
クルの舞い上がりを抑制することができる。
【００１９】また、前記連通手段をゲートバルブにより
構成すれば、区画室間の連通又は閉鎖状態を確実に制御
することができる。
構成すれば、区画室間の連通又は閉鎖状態を確実に制御
することができる。
【００２０】また、前記連通手段をエアカーテンにより
構成すれば、稼働部が不要となって構造が単純なものと
なる。
構成すれば、稼働部が不要となって構造が単純なものと
なる。
【００２１】さらに、前記ポリッシングを被加工物に施
す手段をケミカル・メカニカル・ポリッシングを被加工
物に施す手段により構成すれば、ポリッシングに際して
発生するパーティクルの拡散を防止しながらケミカル・
メカニカル・ポリッシングを行うことができる。
す手段をケミカル・メカニカル・ポリッシングを被加工
物に施す手段により構成すれば、ポリッシングに際して
発生するパーティクルの拡散を防止しながらケミカル・
メカニカル・ポリッシングを行うことができる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明によるポリッシング装置、特に
ＣＭＰ装置の一実施例を図１及び図２を参照して説明す
る。図１及び図２において符号１は、クリーンルームＡ
の内部に配置されたＣＭＰ装置のクリーンベンチを示し
ている。このクリーンベンチ１は外壁２を有し、この外
壁２にはウェハ搬送用扉３が設けられている。これらの
外壁２及びウェハ搬送用扉３によってクリーンベンチ１
の作業室４は気密構造となっている。クリーンベンチ１
の上部には、図２に示されているようにクリーンユニッ
ト５が設けられており、このクリーンユニット５から下
方に向けて清浄な空気が流れている。このクリーンユニ
ット５からの気流は、クリーンベンチ１の下部に設けら
れた層流調整板６を通って排気エリア７へと流れ込む。
排気エリア７に流れ込んだ気流は排気ダクト（図示を省
略）を介してクリーンルームＡの外部に排出される。な
お、排気ダクトを使用する替わりに、排気エリア７の空
気をフィルターを介して清浄化した後にクリーンベンチ
１の作業室４に循環させて再利用することもできる。こ
の場合のフィルターにはＨＥＰＡまたはＵＬＰＡフィル
ターが使用され、また、これらのフィルターと共にケミ
カルフィルターを併用すればナトリウム（Ｎａ）汚染を
防止することもできる。
ＣＭＰ装置の一実施例を図１及び図２を参照して説明す
る。図１及び図２において符号１は、クリーンルームＡ
の内部に配置されたＣＭＰ装置のクリーンベンチを示し
ている。このクリーンベンチ１は外壁２を有し、この外
壁２にはウェハ搬送用扉３が設けられている。これらの
外壁２及びウェハ搬送用扉３によってクリーンベンチ１
の作業室４は気密構造となっている。クリーンベンチ１
の上部には、図２に示されているようにクリーンユニッ
ト５が設けられており、このクリーンユニット５から下
方に向けて清浄な空気が流れている。このクリーンユニ
ット５からの気流は、クリーンベンチ１の下部に設けら
れた層流調整板６を通って排気エリア７へと流れ込む。
排気エリア７に流れ込んだ気流は排気ダクト（図示を省
略）を介してクリーンルームＡの外部に排出される。な
お、排気ダクトを使用する替わりに、排気エリア７の空
気をフィルターを介して清浄化した後にクリーンベンチ
１の作業室４に循環させて再利用することもできる。こ
の場合のフィルターにはＨＥＰＡまたはＵＬＰＡフィル
ターが使用され、また、これらのフィルターと共にケミ
カルフィルターを併用すればナトリウム（Ｎａ）汚染を
防止することもできる。
【００２３】クリーンベンチ１の作業室４の内部は仕切
板８によって第１区画室９、第２区画室１０、第３区画
室１１及び第４区画室１２に区分されており、これらの
区画室のうちの第１区画室９は上述のウェハ搬送用扉３
の付設位置に対応して形成されている。また、これらの
区画室は、図示を省略した風量調整装置によって、その
クリーン度に応じて内部圧力が個別に制御されている。
さらに、これらの区画室の内部圧力は、クリーンルーム
Ａ内の圧力に対して負圧となるように排気エリア７の引
圧とクリーンユニット５の風量とが調整されている。
板８によって第１区画室９、第２区画室１０、第３区画
室１１及び第４区画室１２に区分されており、これらの
区画室のうちの第１区画室９は上述のウェハ搬送用扉３
の付設位置に対応して形成されている。また、これらの
区画室は、図示を省略した風量調整装置によって、その
クリーン度に応じて内部圧力が個別に制御されている。
さらに、これらの区画室の内部圧力は、クリーンルーム
Ａ内の圧力に対して負圧となるように排気エリア７の引
圧とクリーンユニット５の風量とが調整されている。
【００２４】また、第１区画室９と第２区画室１０とを
仕切る仕切板８には第１ゲートバルブ１３が設けられて
おり、以下、第２及び第３区画室１０、１１を仕切る仕
切板８には第２ゲートバルブ１４が、第２及び第４区画
室１０、１２を仕切る仕切板８には第３ゲートバルブ１
５が、第１及び第４区画室９、１２を仕切る仕切板８に
は第４ゲートバルブ１６がそれぞれ設けられている。な
お、これらのゲートバルブのかわりに、上記ゲートバル
ブの配置位置と同位置に開口部を設け、これらの開口部
をエアーカーテンによって閉鎖することもできる。この
場合のエアーカーテンは、仕切板に沿って高速で流れる
薄厚の気流とすることが好ましい。このようにエアーカ
ーテンを用いれば、ゲートバルブのような稼働部が不要
となって構造が単純となる。
仕切る仕切板８には第１ゲートバルブ１３が設けられて
おり、以下、第２及び第３区画室１０、１１を仕切る仕
切板８には第２ゲートバルブ１４が、第２及び第４区画
室１０、１２を仕切る仕切板８には第３ゲートバルブ１
５が、第１及び第４区画室９、１２を仕切る仕切板８に
は第４ゲートバルブ１６がそれぞれ設けられている。な
お、これらのゲートバルブのかわりに、上記ゲートバル
ブの配置位置と同位置に開口部を設け、これらの開口部
をエアーカーテンによって閉鎖することもできる。この
場合のエアーカーテンは、仕切板に沿って高速で流れる
薄厚の気流とすることが好ましい。このようにエアーカ
ーテンを用いれば、ゲートバルブのような稼働部が不要
となって構造が単純となる。
【００２５】また、第１区画室９には第１ウェハキャリ
ア１７及び第２ウェハキャリア１８と、第１ウェハキャ
リア１７の内部のウェハを第２区画室１０へ搬送する第
１ロボット１９が設けられている。なお、この第１ロボ
ット１９は、第４区画室１２の内部のウェハを第１区画
室９に搬入する際にも使用される。また、第２区画室１
０にはウェハ受台２０と、このウェハ受台２０の上のウ
ェハを第３区画室１１へ搬送する第２ロボット２１が設
けられている。なお、この第２ロボット２１は、第３区
画室１１の内部のウェハを第２区画室１０を経由して第
４区画室１２に搬入する際にも使用される。さらに、第
３区画室１１には、ローダ２２と、このローダ２２から
受け取ったウェハをポリッシングするポリッシング装置
２３と、ドレッシング装置２４とが設けられている。ま
た、第４区画室１２には、ポリッシング装置２３で処理
されたウェハを洗浄した後に乾燥させる洗浄・乾燥装置
２５が設けられており、この洗浄・乾燥装置２５は裏面
洗浄装置２６と、表面洗浄装置２７と、リンス／乾燥装
置２８とからなっている。
ア１７及び第２ウェハキャリア１８と、第１ウェハキャ
リア１７の内部のウェハを第２区画室１０へ搬送する第
１ロボット１９が設けられている。なお、この第１ロボ
ット１９は、第４区画室１２の内部のウェハを第１区画
室９に搬入する際にも使用される。また、第２区画室１
０にはウェハ受台２０と、このウェハ受台２０の上のウ
ェハを第３区画室１１へ搬送する第２ロボット２１が設
けられている。なお、この第２ロボット２１は、第３区
画室１１の内部のウェハを第２区画室１０を経由して第
４区画室１２に搬入する際にも使用される。さらに、第
３区画室１１には、ローダ２２と、このローダ２２から
受け取ったウェハをポリッシングするポリッシング装置
２３と、ドレッシング装置２４とが設けられている。ま
た、第４区画室１２には、ポリッシング装置２３で処理
されたウェハを洗浄した後に乾燥させる洗浄・乾燥装置
２５が設けられており、この洗浄・乾燥装置２５は裏面
洗浄装置２６と、表面洗浄装置２７と、リンス／乾燥装
置２８とからなっている。
【００２６】また、各区画室の内部の圧力は、ＣＭＰ装
置の運転時における各区画室のクリーン度に応じて制御
されている。すなわち、ＣＭＰ装置の運転時における各
区画室のクリーン度は第１及び第４区画室９、１２が最
も高く、ついで第２区画室１０、第３区画室１１の順と
なっている。特に、第３区画室１１の内部においてはウ
ェハのポリッシング時に大量のパーティクルが発生する
ため、クリーン度が非常に低い。そして、各区画室の内
部圧力は、クリーン度の高い区画室ほど高くなるように
制御されている。
置の運転時における各区画室のクリーン度に応じて制御
されている。すなわち、ＣＭＰ装置の運転時における各
区画室のクリーン度は第１及び第４区画室９、１２が最
も高く、ついで第２区画室１０、第３区画室１１の順と
なっている。特に、第３区画室１１の内部においてはウ
ェハのポリッシング時に大量のパーティクルが発生する
ため、クリーン度が非常に低い。そして、各区画室の内
部圧力は、クリーン度の高い区画室ほど高くなるように
制御されている。
【００２７】次に、本実施例の作用について説明する。
ウェハ搬送用扉３を介してクリーンベンチ１の第１区画
室９に搬入された第１ウェハキャリア１７には加工前の
複数のウェハが収納されている。これらのウェハのうち
の一枚を第１ロボット１９で取り出し、第１ゲートバル
ブ１３を開放して第２区画室１０へと搬入してウェハ受
台２０の上に載置し、その後に第１ゲートバルブ１３を
閉鎖する。
ウェハ搬送用扉３を介してクリーンベンチ１の第１区画
室９に搬入された第１ウェハキャリア１７には加工前の
複数のウェハが収納されている。これらのウェハのうち
の一枚を第１ロボット１９で取り出し、第１ゲートバル
ブ１３を開放して第２区画室１０へと搬入してウェハ受
台２０の上に載置し、その後に第１ゲートバルブ１３を
閉鎖する。
【００２８】このように第１区画室９から第２区画室１
０へとウェハを移動させる際には第１ゲートバルブ１３
を開放することになるが、第２区画室１０の内部の圧力
は第１区画室９の内部の圧力よりも低いため、第１ゲー
トバルブ１３を介した空気の流れは第１区画室９から第
２区画室１０へと向かうことになる。このため、クリー
ン度の低い第２区画室１０の内部の空気がクリーン度の
高い第１区画室９へと流れ込むことがない。
０へとウェハを移動させる際には第１ゲートバルブ１３
を開放することになるが、第２区画室１０の内部の圧力
は第１区画室９の内部の圧力よりも低いため、第１ゲー
トバルブ１３を介した空気の流れは第１区画室９から第
２区画室１０へと向かうことになる。このため、クリー
ン度の低い第２区画室１０の内部の空気がクリーン度の
高い第１区画室９へと流れ込むことがない。
【００２９】また、第１区画室９の内部圧力は、クリー
ンルームＡの内部の圧力に対して負圧となるように排気
エリア７の引圧とクリーンユニット５の風量とが調整さ
れているので、クリーンベンチ１のウェハ搬送用扉３を
開放した際に作業室４の内部の汚れた空気がクリーンル
ームＡの内部に流出することがない。
ンルームＡの内部の圧力に対して負圧となるように排気
エリア７の引圧とクリーンユニット５の風量とが調整さ
れているので、クリーンベンチ１のウェハ搬送用扉３を
開放した際に作業室４の内部の汚れた空気がクリーンル
ームＡの内部に流出することがない。
【００３０】次に、第２ロボット２１にてウェハ受台２
０の上のウェハを受けとり、第２ゲートバルブ１４を開
放して第３区画室１１へとウェハを搬入してローダ２２
に渡し、その後に第２ゲートバルブ１４を閉鎖する。な
お、第２ゲートバルブ１４を開放しても、第３区画室１
１の内部の圧力は第２区画室１０の内部の圧力よりも低
いため、第２ゲートバルブ１４を介した空気の流れは第
２区画室１０から第３区画室１１へと向かうことにな
る。このため、クリーン度の極めて低い第３区画室１１
の内部の汚染空気が第２区画室１０へと流れ込むことが
ない。
０の上のウェハを受けとり、第２ゲートバルブ１４を開
放して第３区画室１１へとウェハを搬入してローダ２２
に渡し、その後に第２ゲートバルブ１４を閉鎖する。な
お、第２ゲートバルブ１４を開放しても、第３区画室１
１の内部の圧力は第２区画室１０の内部の圧力よりも低
いため、第２ゲートバルブ１４を介した空気の流れは第
２区画室１０から第３区画室１１へと向かうことにな
る。このため、クリーン度の極めて低い第３区画室１１
の内部の汚染空気が第２区画室１０へと流れ込むことが
ない。
【００３１】ウェハはローダ２２からポリッシング装置
２３へ送られてポリッシングが施される。なお、ポリッ
シングにおいては大量のパーティクルが発生して第３区
画室１１のクリーン度が低下する。しかしながら、クリ
ーンユニット５からの下降流がパーティクルを排気エリ
ア７に導くため、第３区画室１１のクリーン度はある程
度回復する。なお、クリーンユニット５からの下降流は
第３区画室１１のみならず第１、第２及び第４区画室
９、１０、１２にも提供されているため、各区画室内の
クリーン度が一時的に低下した場合でも、この下降流に
よってある程度クリーン度が回復する。
２３へ送られてポリッシングが施される。なお、ポリッ
シングにおいては大量のパーティクルが発生して第３区
画室１１のクリーン度が低下する。しかしながら、クリ
ーンユニット５からの下降流がパーティクルを排気エリ
ア７に導くため、第３区画室１１のクリーン度はある程
度回復する。なお、クリーンユニット５からの下降流は
第３区画室１１のみならず第１、第２及び第４区画室
９、１０、１２にも提供されているため、各区画室内の
クリーン度が一時的に低下した場合でも、この下降流に
よってある程度クリーン度が回復する。
【００３２】ウェハのポリッシング終了後、第２ゲート
バルブ１４を開放し、第２ロボット２１によって加工済
みのウェハを受けとる。そして、第２ゲートバルブ１４
を閉じた後に第３ゲートバルブ１５を開放してウェハを
第４区画室１２内の裏面洗浄装置２６に搬入し、その後
に第３ゲートバルブ１５を閉鎖する。なお、第３ゲート
バルブ１５を開放しても、第４区画室１２の内部の圧力
は第２区画室１０の内部の圧力よりも高いため、第３ゲ
ートバルブ１５を介した空気の流れは第４区画室１２か
ら第２区画室１０へと向かうことになる。このため、ク
リーン度の低い第２区画室１０の内部の空気が第４区画
室１２へと流れ込むことがない。
バルブ１４を開放し、第２ロボット２１によって加工済
みのウェハを受けとる。そして、第２ゲートバルブ１４
を閉じた後に第３ゲートバルブ１５を開放してウェハを
第４区画室１２内の裏面洗浄装置２６に搬入し、その後
に第３ゲートバルブ１５を閉鎖する。なお、第３ゲート
バルブ１５を開放しても、第４区画室１２の内部の圧力
は第２区画室１０の内部の圧力よりも高いため、第３ゲ
ートバルブ１５を介した空気の流れは第４区画室１２か
ら第２区画室１０へと向かうことになる。このため、ク
リーン度の低い第２区画室１０の内部の空気が第４区画
室１２へと流れ込むことがない。
【００３３】そして、洗浄・乾燥装置２５内に設けた図
示しないウェハ搬送装置により裏面洗浄装置２６から表
面洗浄装置２７へ、さらにリンス／乾燥装置２８へ順次
ウェハを搬送することによってウェハを洗浄して乾燥さ
せる。その後、第４ゲートバルブ１６を開放して第１ロ
ボット１９によって洗浄・乾燥済みのウェハを第１区画
室９に搬入し、第４ゲートバルブ１６を閉鎖すると共に
第２ウェハキャリア１８にウェハを収納する。
示しないウェハ搬送装置により裏面洗浄装置２６から表
面洗浄装置２７へ、さらにリンス／乾燥装置２８へ順次
ウェハを搬送することによってウェハを洗浄して乾燥さ
せる。その後、第４ゲートバルブ１６を開放して第１ロ
ボット１９によって洗浄・乾燥済みのウェハを第１区画
室９に搬入し、第４ゲートバルブ１６を閉鎖すると共に
第２ウェハキャリア１８にウェハを収納する。
【００３４】以上の工程を繰り返し、第１ウェハキャリ
ア１７の内部のすべてのウェハを処理して第２ウェハキ
ャリア１８の内部に収納する。そして、最後にウェハ搬
送用扉３を開放して第２ウェハキャリア１８を処理済み
のウェハと共に取り出す。
ア１７の内部のすべてのウェハを処理して第２ウェハキ
ャリア１８の内部に収納する。そして、最後にウェハ搬
送用扉３を開放して第２ウェハキャリア１８を処理済み
のウェハと共に取り出す。
【００３５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、作
業室を仕切手段によって複数の区画室に区分し、区画室
の内部にポリッシングを被加工物に施す手段を設置した
ので、クリーン度の低い区画室、特にポリッシングを被
加工物に施す手段を設置した区画室から、クリーン度の
高い区画室へのパーティクルの移動が制限される。この
ため、ポリッシング装置をクリーンルーム内に設置した
場合でも、ポリッシング装置の運転に伴って発生したパ
ーティクルがクリーンルーム内へ拡散してクリーンルー
ムを汚染することを防止できると共に、クリーンベンチ
内の清浄なウェハがパーティクルによって汚染されるこ
とを防止できる。
業室を仕切手段によって複数の区画室に区分し、区画室
の内部にポリッシングを被加工物に施す手段を設置した
ので、クリーン度の低い区画室、特にポリッシングを被
加工物に施す手段を設置した区画室から、クリーン度の
高い区画室へのパーティクルの移動が制限される。この
ため、ポリッシング装置をクリーンルーム内に設置した
場合でも、ポリッシング装置の運転に伴って発生したパ
ーティクルがクリーンルーム内へ拡散してクリーンルー
ムを汚染することを防止できると共に、クリーンベンチ
内の清浄なウェハがパーティクルによって汚染されるこ
とを防止できる。
【００３６】また、複数の区画室のそれぞれの内部圧力
を各区画室内のクリーン度に応じて個別に制御し、クリ
ーン度の高い区画室ほど内部圧力を高くすることができ
るので、このようにすれば、区画室間が連通状態にある
場合でも、区画室間の空気の流れはクリーン度の高い区
画室からクリーン度の低い区画室へと生じる。このた
め、クリーン度の低い区画室に存在する大量のパーティ
クルがクリーン度の高い区画室へと流れ込むことがな
く、これによって、ポリッシング装置の運転に伴って発
生したパーティクルがクリーンルーム内へ拡散してクリ
ーンルームを汚染することを確実に防止できると共に、
クリーンベンチ内の清浄なウェハがパーティクルによっ
て汚染されることを確実に防止できる。
を各区画室内のクリーン度に応じて個別に制御し、クリ
ーン度の高い区画室ほど内部圧力を高くすることができ
るので、このようにすれば、区画室間が連通状態にある
場合でも、区画室間の空気の流れはクリーン度の高い区
画室からクリーン度の低い区画室へと生じる。このた
め、クリーン度の低い区画室に存在する大量のパーティ
クルがクリーン度の高い区画室へと流れ込むことがな
く、これによって、ポリッシング装置の運転に伴って発
生したパーティクルがクリーンルーム内へ拡散してクリ
ーンルームを汚染することを確実に防止できると共に、
クリーンベンチ内の清浄なウェハがパーティクルによっ
て汚染されることを確実に防止できる。
【００３７】さらに、各区画室の内部に気流を発生させ
ることができるので、この気流によってパーティクルの
拡散を抑制することができる。このため、ポリッシング
装置の運転に伴って発生したパーティクルがクリーンル
ーム内へ拡散してクリーンルームを汚染することをより
確実に防止できると共に、クリーンベンチ内の清浄なウ
ェハがパーティクルによって汚染されることをより確実
に防止できる。
ることができるので、この気流によってパーティクルの
拡散を抑制することができる。このため、ポリッシング
装置の運転に伴って発生したパーティクルがクリーンル
ーム内へ拡散してクリーンルームを汚染することをより
確実に防止できると共に、クリーンベンチ内の清浄なウ
ェハがパーティクルによって汚染されることをより確実
に防止できる。
【００３８】また、気流を層流にすれば、パーティクル
の舞い上がりを抑制することができるので、クリーンル
ームの汚染および清浄なウェハの汚染がさらに確実に防
止される。
の舞い上がりを抑制することができるので、クリーンル
ームの汚染および清浄なウェハの汚染がさらに確実に防
止される。
【００３９】また、連通手段をゲートバルブにより構成
すれば、区画室間の連通又は閉鎖状態を確実に制御する
ことができる。
すれば、区画室間の連通又は閉鎖状態を確実に制御する
ことができる。
【００４０】また、連通手段をエアカーテンにより構成
すれば、稼働部が不要となって構造が単純なものとな
る。
すれば、稼働部が不要となって構造が単純なものとな
る。
【００４１】さらに、ポリッシングを被加工物に施す手
段をケミカル・メカニカル・ポリッシングを被加工物に
施す手段により構成すれば、ポリッシングに際して発生
するパーティクルの拡散を防止しながらケミカル・メカ
ニカル・ポリッシングを行うことができる。
段をケミカル・メカニカル・ポリッシングを被加工物に
施す手段により構成すれば、ポリッシングに際して発生
するパーティクルの拡散を防止しながらケミカル・メカ
ニカル・ポリッシングを行うことができる。
【図１】本発明によるポリッシング装置の一実施例の要
部を示した横断面図。
部を示した横断面図。
【図２】同実施例のクリーンベンチの一部を示した縦断
面図。
面図。
【符号の説明】 １ クリーンベンチ ２ 外壁 ４ 作業室 ５ クリーンユニット ６ 層流調整板 ８ 仕切板 ９ 第１区画室 １０ 第２区画室 １１ 第３区画室 １２ 第４区画室 １３ 第１ゲートバルブ １４ 第２ゲートバルブ １５ 第３ゲートバルブ １６ 第４ゲートバルブ ２３ ポリッシング装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 間 瀬 康 一 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝半導体生産技術推進センター内
Claims (7)
- 【請求項１】仕切手段によって複数の区画室に区分され
た作業室と、 前記区画室内部に設置されたポリッシングを被加工物に
施す手段と、 前記仕切手段により区分された隣接する区画室間を連通
状態にする連通手段と、を備えたことを特徴とするポリ
ッシング装置。 - 【請求項２】前記複数の区画室の内部圧力を個別に制御
する手段を備えたことを特徴とする請求項１記載のポリ
ッシング装置。 - 【請求項３】前記区画室内部に気流を発生させる手段を
備えたことを特徴とする請求項１記載のポリッシング装
置。 - 【請求項４】前記気流が層流であることを特徴とする請
求項３記載のポリッシング装置。 - 【請求項５】前記連通手段がゲートバルブよりなること
を特徴とする請求項１記載のポリッシング装置。 - 【請求項６】前記連通手段がエアカーテンよりなること
を特徴とする請求項１記載のポリッシング装置。 - 【請求項７】前記ポリッシングを被加工物に施す手段が
ケミカル・メカニカル・ポリッシングを被加工物に施す
手段であることを特徴とする請求項１記載のポリッシン
グ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29516394A JP3556300B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | ポリッシング装置 |
| US08/564,520 US5655954A (en) | 1994-11-29 | 1995-11-29 | Polishing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29516394A JP3556300B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | ポリッシング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08153697A true JPH08153697A (ja) | 1996-06-11 |
| JP3556300B2 JP3556300B2 (ja) | 2004-08-18 |
Family
ID=17817067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29516394A Expired - Fee Related JP3556300B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | ポリッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3556300B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0810634A2 (en) * | 1996-05-30 | 1997-12-03 | Tokyo Electron Limited | Substrate treating system and substrate treating method |
| EP0827185A2 (en) * | 1996-08-29 | 1998-03-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate treatment system, substrate transfer system, and substrate transfer method |
| EP0841102A1 (en) * | 1996-10-09 | 1998-05-13 | Ebara Corporation | Turning-over machine and polishing apparatus |
| US6293855B1 (en) | 1998-03-09 | 2001-09-25 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| JP4772679B2 (ja) * | 2004-02-25 | 2011-09-14 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置及び基板処理装置 |
| US8137161B2 (en) | 2007-03-23 | 2012-03-20 | Showa Denko K.K. | Disk-shaped substrate manufacturing method |
| JP2013111681A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Disco Corp | バイト工具を備えた加工装置 |
| JP2017094468A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | ファナック株式会社 | ワークが加工される空間を画定するエンクロージャを備える加工システム |
-
1994
- 1994-11-29 JP JP29516394A patent/JP3556300B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0810634A2 (en) * | 1996-05-30 | 1997-12-03 | Tokyo Electron Limited | Substrate treating system and substrate treating method |
| EP1385195A3 (en) * | 1996-05-30 | 2004-03-17 | Tokyo Electron Limited | Substrate treating system |
| EP1385195A2 (en) * | 1996-05-30 | 2004-01-28 | Tokyo Electron Limited | Substrate treating system |
| EP0810634A3 (en) * | 1996-05-30 | 2000-04-12 | Tokyo Electron Limited | Substrate treating system and substrate treating method |
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| US5944941A (en) * | 1996-10-09 | 1999-08-31 | Ebara Corporation | Turning-over machine and polishing apparatus |
| EP0841102A1 (en) * | 1996-10-09 | 1998-05-13 | Ebara Corporation | Turning-over machine and polishing apparatus |
| US6293855B1 (en) | 1998-03-09 | 2001-09-25 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| US6929529B2 (en) | 1998-03-09 | 2005-08-16 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| US7063600B2 (en) | 1998-03-09 | 2006-06-20 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| JP4772679B2 (ja) * | 2004-02-25 | 2011-09-14 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置及び基板処理装置 |
| US8137161B2 (en) | 2007-03-23 | 2012-03-20 | Showa Denko K.K. | Disk-shaped substrate manufacturing method |
| JP2013111681A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Disco Corp | バイト工具を備えた加工装置 |
| JP2017094468A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | ファナック株式会社 | ワークが加工される空間を画定するエンクロージャを備える加工システム |
| US10286512B2 (en) | 2015-11-26 | 2019-05-14 | Fanuc Corporation | Machining system including enclosure defining space in which workpiece is machined |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3556300B2 (ja) | 2004-08-18 |
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