KR100495980B1 - 폴리싱장치 및 폴리싱방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른, 대상물의 표면을 폴리싱하는 폴리싱장치는, 하우징유닛; 상기 하우징유닛의 내부를 제 1챔버 및 제 2챔버로 분할하는 격벽; 턴테이블, 및 상기 턴테이블의 상부에 위치되어 폴리싱될 상기 대상물을 지지하며 상기 턴테이블에 대해 상기 대상물을 가압하는 탑링을 포함하며, 상기 제 1챔버에 배치되는 폴리싱부; 및 폴리싱된 상기 대상물을 세정하며, 상기 제 2챔버에 배치되는 세정부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 폴리싱장치는, 폴리싱된 상기 대상물을 상기 폴리싱부로부터 상기 개구를 통하여 상기 세정부로 이송하는 이송장치; 및 상기 각 폴리싱부 및 세정부의 주변공기를 개별적으로 분리하여 배기하는 배기부재를 더욱 포함한다.

Description

폴리싱장치 및 폴리싱방법{APPARATUS FOR POLISHING AND METHOD THEREFOR}
본 발명은 폴리싱장치에 관한 것으로서, 특히 반도체웨이퍼와 같은 대상물을 편평한 경면식마무리(flat and mirror finish)로 폴리싱하는 폴리싱부 및 폴리싱된 대상물을 세정하는 세정부를 구비하는 폴리싱장치에 관한 것이다.
최근 반도체장치 집적화의 빠른 진보에 따라, 더욱더 작은 배선패턴 또는 상호연결이 요구되어지며, 작동영역들을 연결하는 접속사이의 공간 또한 더욱 좁은 것이 요구된다. 이러한 상호연결을 형성하는데 유용한 처리들 중 하나로는 광리소그래피(photolithography)가 있다. 비록 광리소그래픽처리는 최소 폭이 0.5 ㎛ 인 상호연결을 형성할 수 있지만, 광시스템의 초점깊이가 비교적 작기 때문에, 스텝퍼에 의해 패턴상의 초점이 맞추어지는 표면은 가능한 편평하게 되어야 한다.
따라서 광리소그래피를 위하여 반도체웨이퍼의 표면을 편평하게 만들어야 한다. 반도체웨이퍼의 표면을 편평하게 하는 종래의 방법중의 하나는 폴리싱장치로 반도체웨이퍼를 폴리싱하는 것이다.
종래, 폴리싱장치는 각각 개별적인 속도로 회전하는 턴테이블과 탑링을 구비한다. 연마포는 턴테이블의 상부면에 부착된다. 폴리싱되는 반도체웨이퍼는 연마포 상에 놓여져서 탑링과 턴테이블 사이에 고정된다. 작동시, 탑링은 턴테이블상에 일정 압력을 가하며, 따라서 연마포에 대해 유지된 반도체웨이퍼의 표면은, 탑링과 턴테이블이 회전하는 동안, 편평한 경면식 마무리로 폴리싱된다.
또한, 폴리싱장치에서, 연마슬러리는 노즐로부터 턴테이블의 상부면에 부착된 연마포 상으로 공급된다. 연마슬러리는 액체에 1㎛ 이하의 직경을 갖는 실리콘 이산화물(SiO2) 또는 세륨 이산화물(CeO2)과 같은 연마재료를 포함한다. 연마슬러리는 물, 연마재료, 및 연마재료의 뭉침을 방지하는 소량의 산포제를 포함한다. 그리고, 기계적 폴리싱에 부가하여 화학적 폴리싱을 수행하기 위하여, 연마슬러리에 산 또는 알칼리가 첨가되어도 좋다.
폴리싱되는 반도체웨이퍼의 표면은 일반적으로 반도체재료의 입자들 뿐만 아니라 연마재료로 상당히 오염된다. 반도체웨이퍼 표면상의 오염수는 하나의 웨이퍼당 100,000개의 입자만큼 높을 수 있으며, 어떠한 효율적인 방법에 의해 이러한 수를 약 100개의 입자정도로 감소시킬 필요가 있다.
종래의 폴리싱장치는 폴리싱장치 자체에 의해 발생되는 먼지입자 때문에 청정실에 배치될 수 없다. 폴리싱된 반도체웨이퍼의 표면에 부착하는 오염물이 일단 건조되면, 세정에 의해 오염물을 제거하기가 어렵다. 따라서, 본 실시예에서는 물에서 폴리싱된 반도체웨이퍼를, 폴리싱 직후, 물을 포함한 특수제작된 캐리어내에 보관하여, 청정실내로 유입시켜, 반도체웨이퍼가 세정장치에서 세정되게 하는 것이다.
그러나, 종래의 장치에서, 세정장치는 폴리싱장치로부터 떨어져 있고, 반도체웨이퍼는 물에 보존되는 상태로 폴리싱장치로부터 세정장치로 이송되어야 하므로, 반도체웨이퍼의 생산성이 저하된다. 또한, 반도체웨이퍼에 부착하는 먼지입자로부터 세정장치 자체가 상당히 오염되므로, 청정실에 제공된 일반적인 세정장치를 사용하는 것은 불가능하다. 즉, 폴리싱된 반도체웨이퍼를 세정하는 특수한 세정전용기계가 제공되어야 한다.
따라서 본 발명의 목적은, 청정실에 설치가능하며 청정실의 주변공기(ambient air)를 오염시키지 않는 한편, 청정실에서 일반적으로 이용가능한 통상의 캐리어를 사용하여, 반도체웨이퍼와 같은 대상물을 폴리싱, 세정 및 건조시켜서 다음 처리단계로 대상물을 배출할 수 있는 폴리싱장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 폴리싱작동시 발생하는 분진오염을 예방하여 폴리싱장치를 청정실에 설치할 수 있는 폴리싱장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 대상물의 표면을 폴리싱하는 폴리싱장치에 있어서, 하우징유닛; 상기 하우징유닛의 내부를 제 1챔버 및 제 2챔버로 분할하며, 상기 대상물을 통과시키는 제 1개구를 포함하는 격벽; 턴테이블, 및 상기 턴테이블의 상부에 위치되어 폴리싱될 상기 대상물을 지지하며 상기 턴테이블에 대해 상기 대상물을 가압하는 탑링을 포함하며, 상기 제 1챔버에 배치되는 폴리싱부; 폴리싱된 상기 대상물을 세정하며, 상기 제 2챔버에 배치되는 세정부; 폴리싱된 상기 대상물을 상기 폴리싱부로부터 상기 제 1개구를 통하여 상기 세정부로 이송하는 이송장치; 및 상기 각 폴리싱부 및 세정부의 주변공기를 개별적으로 분리하여 배기하는 배기수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱장치가 제공된다.
이러한 폴리싱장치에 따르면, 폴리싱부 및 세정부는 하우징유닛에 수용되며, 이러한 두 부분들은 격벽에 의해 서로 격리된다. 따라서, 전체 폴리싱장치는 청정실공기를 오염시키지 않으면서 청정실에 배치가능하게 된다. 반도체웨이퍼는 폴리싱장치내에서 폴리싱 및 세정되며, 일반적으로 청정실에서 이용가능한 통상의 캐리어를 사용하여 다음 처리단계로 이송된다. 폴리싱장치의 이 두 부분들은 셔터로 폐쇄되는 개구를 갖는 격벽에 의해 분리되며, 폴리싱부 및 세정부의 주변공기는 개별적으로 분리되어 배기된다. 이러한 설치는, 폴리싱부의 압력을 세정부 보다 낮게 유지하거나 격벽의 개구에 마련되는 셔터를 폐쇄함으로써, 연마슬러리의 습기 및 폴리싱작동시 생성된 연마재료와 같은 다른 먼지입자들이 청정실을 오염시키는 것을 방지한다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 대상물의 표면을 폴리싱하는 폴리싱장치에 있어서, 하우징유닛, 상기 하우징유닛의 내부를 제 1챔버 및 제 2챔버로 분할하며, 상기 대상물을 통과시키는 제 1개구를 포함하는 격벽; 턴테이블, 및 상기 턴테이블의 상부에 위치되어 폴리싱될 상기 대상물을 지지하며 상기 턴테이블에 대해 상기 대상물을 가압하는 탑링을 포함하며, 상기 제 1챔버에 배치되는 폴리싱부; 폴리싱된 상기 대상물을 세정하며, 상기 제 2챔버에 배치되는 세정부; 폴리싱된 상기 대상물을 상기 폴리싱부로부터 상기 제 1개구를 통하여 상기 세정부로 이송하는 이송장치; 및 상기 폴리싱부로부터 주변공기를 배기하는 배기수단을 포함하여 이루어지며, 상기 세정부는, 상기 대상물을 세정하면서 세정제를 공급하는 세정유닛; 및 상기 세정된 대상물을 건조하는 건조유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱장치가 제공된다.
이러한 폴리싱장치에 따르면, 반도체웨이퍼와 같은 대상물은 폴리싱부에서 폴리싱되고, 폴리싱된 대상물은 폴리싱부로부터 세정부로 이송되며, 그리고나서 대상물은 세정부에서 세정 및 건조된다. 따라서, 대상물이 세정 및 건조된 상태로 폴리싱장치로부터 배출된다.
본 발명의 상기 및 다른 목적, 특징, 및 이점들은 예시적으로 본 발명의 바람직한 실시예들을 도시한 첨부도면을 참조로 한 이하의 설명으로부터 명백해질 것이다.
본 발명의 제 1실시예에 따른 폴리싱장치가 제 1 및 제 2도를 참조하여 다음에 설명된다.
제 1 및 제 2도에 도시된 바와 같이, 폴리싱장치는 반도체웨이퍼를 폴리싱하는 폴리싱부(2) 및 폴리싱된 반도체웨이퍼를 세정하는 세정부(30)를 수용하는 측벽, 상부벽 및 바닥벽을 포함하는 하우징유닛(1)을 구비한다. 하우징유닛(1)의 내부는 격벽(22)에 의해 제 1챔버(48) 및 제 2챔버(49)로 분할된다. 폴리싱부(2)는 제 1챔버(48)에 배치되며, 세정부(30)는 제 2챔버(49)에 배치된다.
폴리싱부(2)는 턴테이블(3), 및 반도체웨이퍼(4)를 유지하여 턴테이블(3)에 대해 반도체웨이퍼(4)를 가압하는 탑링(5)을 포함한다. 턴테이블(3)은 모터(M1)에 결합된다. 연마포(7)는 턴테이블(3)의 상부면에 부착된다. 탑링(5)은, 탑링(5)을 회전시키는 탑링모터(M2) 및 탑링(5)을 수직으로 이동시키는 공기실린더(11)를 구비하는 탑링헤드(8)에 결합되어, 탑링(5)의 축선에 대하여 상하이동 및 회전가능하게 된다. 탑링헤드(8)는 안내레일(9)을 따라 턴테이블(3)을 가로질러 이동가능하다. 실리콘 이산화물 또는 세륨 이산화물과 같은 연마재료를 포함하는 연마슬러리는 노즐(10)로부터 연마포(7)의 상부면으로 공급된다.
탑링(5)에 반도체웨이퍼(4)를 공급하는 로딩장치(loading device; 12)는 제 1이송유닛(13), 인버터(14) 및 제 2이송유닛(15)을 포함한다. 제 1이송유닛(13)은 카세트스테이션(16)에 배치된 카세트(17)로부터 반도체웨이퍼(4)를 빼서, 반도체웨이퍼(4)를 뒤집는 인버터(14)에 반도체웨이퍼(4)를 이송하여 폴리싱되는 표면이 아래로 향하게 한다. 뒤집어진 반도체웨이퍼(4)는 제 1이송유닛(13)에 의해 수용되어 제 2이송유닛(15)에 이송된다.
제 2이송유닛(15)은 반도체웨이퍼(4)를 유지하는 웨이퍼 유지부재(19), 및 웨이퍼 유지부재(19)를 수직으로 이동시키는 스크류로드(20)를 포함하여, 제1이송유닛(13)으로부터 공급된 반도체웨이퍼(4)를 탑링(5)에 이송한다.
그 후 턴테이블(3)상에서 연마포(7)에 대하여 반도체웨이퍼(4)를 가압함으로써 반도체웨이퍼(4)가 폴리싱된다. 폴리싱이 완료된 후, 반도체웨이퍼(4)는 안내레일(9)을 따라 탑링헤드(8)와 함께 일체로 이동하는 탑링(5)에 의해 웨이퍼 지지스테이션(21)상의 위치에 이송된다. 반도체웨이퍼(4)는 탑링(5)으로부터 제거되어 웨이퍼 지지스테이션(21)상에 배치된다.
세정부(30)로부터 폴리싱부(2)를 분리하는 격벽(22)은 개구(opening; 22a)를 갖는다. 셔터(23)는 개구(22a)에 배치되어 개구(22a)를 위한 문으로서 작동한다. 인버터(24)는 격벽(22)에 인접하여 배치된다. 인버터(24)는 인버터샤프트(25), 인버터엑츄에이터(26) 및 인버터아암(27)을 포함한다. 아암(27)은 인버터샤프트(25)를 통하여 엑츄에이터(26)에 의해 회전된다.
셔터(23)가 개방될 때, 인버터아암(27)이 회전하여 진공흡입에 의해 웨이퍼 지지스테이션(21)상에 위치된 반도체웨이퍼(4)를 유지하며, 반도체웨이퍼(4)는 인버터아암(27)의 역회전에 의해 개구(22a)를 통하여 세정부(30)로 이송되는 동안 뒤집힌다.
세정부(30)는 폴리싱된 반도체웨이퍼(4)의 제 1세정을 실행하는 제 1단 세정유닛(31), 및 반도체웨이퍼(4)의 제 2세정을 실행하는 제 2단 세정유닛(40)을 포함한다. 제 1단 세정유닛(31)은 반도체웨이퍼(4)의 외주부를 지지하며 반도체웨이퍼(4)를 회전시키는 복수의 롤러(32), 반도체웨이퍼(4)를 세정하는 스폰지롤러(33), 및 반도체웨이퍼(4)에 물과 같은 세정제를 공급하는 세정제 공급관(34)을 포함한다. 반도체웨이퍼(4)가 롤러(32)에 의해 유지되는 동안, 반도체웨이퍼(4)는 모터(미도시된)에 의해 구동되는 롤러(32)에 의해 회전된다. 제 1세정처리는, 반도체웨이퍼(4)에 대하여 스폰지롤러(33)를 가압하면서 세정제 공급관(34)으로부터 반도체웨이퍼에 세정제를 제공함으로써 실행된다. 제 1세정이 행해진 반도체웨이퍼(4)는 제 3이송유닛(35)에 의해 제 2단 세정유닛(40)으로 이송된다.
제 3이송유닛(35)은 웨이퍼 유지스테이션(36), 웨이퍼 유지스테이션(36)상에 배치된 웨이퍼 유지부재(37), 웨이퍼 유지스테이션(36)을 회전시키는 모터(38) 및 웨이퍼 유지스테이션(36)을 수직이동시키는 스크류로드(39)를 포함한다. 웨이퍼 유지부재(37)는 제 1도에서 화살표로 표시된 수평방향으로 이동하여 웨이퍼 유지스테이션(36)으로부터 멀리 위치된 반도체웨이퍼(4)를 조작한다. 제 1세정이 행해진 반도체웨이퍼(4)를 수용한 후, 제 3이송유닛(35)은 웨이퍼 유지부재(37)를 후퇴시켜, 웨이퍼 유지스테이션(36)상의 일 위치에 반도체웨이퍼(4)를 이동시킨다. 그 후, 제 3이송유닛(35)은 웨이퍼 유지스테이션(36)을 낮추면서 회전시켜, 웨이퍼 유지부재(37)를 다시 연장함으로써 반도체웨이퍼(4)를 제 2단 세정유닛(40)으로 이송한다.
제 2단 세정유닛(40)은 웨이퍼 유지스테이션(41), 웨이퍼 유지스테이션(41)을 회전시키는 모터(42), 반도체웨이퍼(4)를 세정하는 세정스폰지(43) 및 물과 같은 세정제를 반도체웨이퍼(4)에 공급하는 세정제 공급관(44)을 포함한다. 세정제를 세정제 공급관(44)으로부터 반도체웨이퍼(4)에 공급하고 반도체웨이퍼(4)에 대하여 세정스폰지(43)를 가압함으로써 반도체웨이퍼(4)는 웨이퍼 유지스테이션(41)상에서 세정된다. 세정처리가 완료된 후, 스폰지(43)는 후퇴하고, 물공급이 중단되며, 모터(42)에 의해 고속으로 웨이퍼 유지스테이션(41)을 회전시킴으로써 반도체웨이퍼(4)가 스핀건조된다.
제 2세정 및 스핀건조가 완료된 후, 반도체웨이퍼(4)는 제 3이송유닛(35)의 웨이퍼 유지부재(37)에 의해 다시 수용되며, 웨이퍼 유지스테이션(36)상의 일 위치로 이동된다. 웨이퍼 유지스테이션(36)은 회전하면서 상승되며, 웨이퍼 유지부재(37)는 연장되어, 폴리싱되고 세정되며 건조된 반도체웨이퍼(4)를 카세트(45)에 저장한다.
폴리싱부(2) 및 세정부(30)는 폴리싱부(2) 및 세정부(30)의 주변공기를 각각 개별적으로 분리하여 배기하는 배기관(46, 47)를 구비한다.
제 1 및 제 2도의 폴리싱장치의 작동을 다음에 설명한다.
반도체웨이퍼(4)는 카세트스테이션(16)에 위치된 카세트(17)로부터 제 1이송유닛(13)의 텅부재(tongue member; 13a)에 의해 꺼내져 인버터(14)로 이송된다. 반도체웨이퍼(4)는 인버터(14)에 의해 뒤집어져, 폴리싱되는 표면이 아래로 향하게 되고, 제 1이송유닛(13)에 의해 수용되며, 제 2이송유닛(15)의 웨이퍼 유지부재(19)상에 이송된다.
다음에, 탑링헤드(8)는 안내레일(9)을 따라 이동하여, 탑링(5)이 제 2이송유닛(15)의 웨이퍼 유지부재(19)상에 위치되게 한다. 그후, 웨이퍼 유지부재(19)는 상승되어 상부에 유지된 반도체웨이퍼(4)를 탑링(5)에 이송한다.
탑링(5)은 반도체웨이퍼(4)를 유지하여, 턴테이블(3)상의 폴리싱위치로 이동한다. 턴테이블(3)과 탑링(5)은 회전되며, 연마재료를 포함한 연마슬러리가 노즐(10)로부터 턴테이블(3)상의 연마포(7)의 상부면에 공급된다. 탑링(5)은 내려지고 반도체웨이퍼(4)를 연마포(7)에 대하여 가압하여, 이에 의해 반도체웨이퍼(4)를 폴리싱한다.
폴리싱이 완료된 후, 탑링헤드(8)는 안내레일(9)을 따라 이동하며, 반도체웨이퍼(4)를 유지하는 탑링(5)은 웨이퍼 유지스테이션(21) 상부에 직접 위치된다. 그후, 반도체웨이퍼(4)는 탑링(5)으로부터 제거되어 웨이퍼 유지스테이션(21)상에 배치된다. 다음에, 탑링(5)은 제 2이송유닛(15) 쪽으로 이동하여 다른 반도체웨이퍼(4)의 다음 폴리싱작동을 실행한다.
폴리싱된 반도체웨이퍼(4)가 웨이퍼 유지스테이션(21)상에 위치될 때, 셔터(23)가 개방되며, 인버터(24)의 인버터아암(27)이 회전되어 반도체웨이퍼(4) 상부에 위치되어 진공흡입에 의해 반도체웨이퍼(4)를 집어올린다. 그후, 반도체웨이퍼(4)는 아암(27)의 역회전에 의해 뒤집어져, 제 1단 세정유닛(31)에 이송된다. 이때, 격벽(22)의 개구(22a)는 개방위치가 되어, 반도체웨이퍼(4)를 유지하는 아암(27)이 통과가능하게 한다. 반도체웨이퍼(4) 및 아암(27)이 개구(22a)를 통과하여 세정부(30)내로 완전히 이동되면, 개구(22a)는 셔터(23)를 폐쇄함으로써 폐쇄된다.
반도체웨이퍼(4)가 아암(27)에 의해 제 1단 세정유닛(31)으로 이송된 후, 아암(27)은 아래방향으로 물러난다. 제 1단 세정유닛(31)에서, 반도체웨이퍼(4)는 롤러(32)에 의해 유지되면서 회전된다. 제 1세정은, 반도체웨이퍼(4)를 회전시키고 반도체웨이퍼(4)에 대하여 스폰지롤러(33)를 가압하는 동시에 세정제 공급관(34)으로부터 세정제를 반도체웨이퍼(4)에 공급함으로써 이루어진다.
제 1세정이 행해진 반도체웨이퍼(4)는 제 3이송유닛(35)에 의해 수용된다. 반도체웨이퍼(4)를 수용한 후, 제 3이송유닛(35)은 웨이퍼 유지부재(37)을 수축시켜 반도체웨이퍼(4)를 웨이퍼 유지스테이션(36) 상부에 위치시킨다. 그 후, 웨이퍼 유지스테이션(36)은 낮아지면서 회전하며, 웨이퍼 유지부재(37)가 다시 연장되어 반도체웨이퍼(4)가 제 2단 세정유닛(40)으로 이송된다.
제 2단 세정유닛(40)에서, 반도체웨이퍼(4)는 웨이퍼 유지스테이션(41)에 의해 회전되며, 반도체웨이퍼(4)에 대하여 세정스폰지(43)를 가압하면서 세정제 공급관(44)으로부터 세정제를 반도체웨이퍼(4)에 공급함으로써 세정된다. 제 2세정이 완료된 후, 세정스폰지(43)가 후퇴되고, 물공급이 중단되며, 모터(42)의 회전속도가 증가되어 웨이퍼 유지스테이션(41)을 고속으로 회전시킴으로써, 반도체웨이퍼(4)를 스핀건조한다.
제 2세정 및 건조가 행해진 반도체웨이퍼(4)는 제 3이송유닛(35)의 웨이퍼 유지부재(37)에 의해 다시 수용된다. 반도체웨이퍼(4)가 웨이퍼 유지스테이션(36) 상부의 일 위치로 이동된 후, 웨이퍼 유지스테이션(36)은 상승되면서 회전하며, 웨이퍼 유지부재(37)가 연장되어 반도체웨이퍼(4)를 카세트(45)내로 이송한다.
상술된 폴리싱처리에서, 연마슬러리의 습기 및 반도체웨이퍼의 연마입자가 폴리싱부(2)로부터 세정부(30)로 유입되는 것은 폴리싱부(2) 및 세정부(30) 사이에 배치된 격벽(22)에 의해 효과적으로 예방된다. 폴리싱장치의 이러한 구조적 특징에 부가하여, 배기관(46, 47)을 포함하는 분리된 배기시스템이 제공되어 세정부(30)의 오염을 방지한다. 폴리싱부(2)의 내부압력을 세정부(30) 보다 낮게 유지하여, 격벽(22)상에 제공된 셔터를 생략할 수 있다.
이상의 설명으로부터 명백하듯이, 폴리싱부(2) 및 세정부(30)가 측벽, 상부벽 및 바닥벽을 구비한 하우징유닛(1)에 수용되고, 격벽(22)에 의해 서로 분리되므로, 청정실에 폴리싱장치를 설치가능하며, 폴리싱 및 세정작동시 생성된 습기 및 먼지입자에 의해 청정실공기가 오염되지 않으면서 반도체웨이퍼(4)를 폴리싱 및 세정가능하다. 그리고, 폴리싱되고, 세정되며 건조된 반도체웨이퍼를 다음 처리단계로 이송하기 위하여 보통의 웨이퍼캐리어가 청정실에서 사용가능하다.
또한, 폴리싱부(2)와 세정부(30)는 셔터(23)를 구비한 격벽(22)에 의해 분리되고, 배기관(46, 47)을 포함한 배기시스템은 각각의 폴리싱부(2) 및 세정부(30)에 제공되므로, 폴리싱부(2)로부터의 연마슬러리의 습기 및 반도체웨이퍼의 연마입자들이 세정부(30)내로 유입하는 것이 방지된다.
본 발명의 제 2실시예에 따른 폴리싱장치가 제 3 내지 제 8도를 참조하여 다음에 설명된다.
제 3도는 청정실에 설치된 폴리싱장치(50)의 사시도이다. 측벽(53A)을 구비한 벽(53)은 청정실을 고 청정도의 작업구역(54) 및 저 청정도의 실용구역(55)으로 분할한다. 측벽(53A)은 카세트전달용 개구(51) 및 조작패널(52)을 구비한다. 폴리싱장치(50)는 측벽(53A, 53B) 및 천장부(53C)를 포함한 하우징유닛에 의해 둘러싸인 구조이며, 복수의 반도체웨이퍼를 저장하는 카세트를 전달하는 로딩/언로딩부, 반도체웨이퍼를 이송하는 이송부, 반도체웨이퍼를 폴리싱하는 폴리싱부, 폴리싱된 반도체웨이퍼를 세정하는 세정부, 및 전체적인 장치의 작동을 제어하는 제어부를 수용한다. 이러한 모든 부분들은 공동 베이스에 장착된다. 폴리싱장치의 전체구조는 측벽(53A, 53B) 및 천장부(53C)에 의해 둘러싸이며, 박스형상이다.
제 4A도는 폴리싱장치(50)의 내부를 도시한다. 폴리싱부(56), 및 로딩/언로딩부(57), 이송부(58), 세정부(59) 및 제어부(60)를 포함한 모든 다른 그룹부분들은 공동 베이스(62)상에 설치되지만, 후자의 그룹부분들은 격벽(61)에 의해 폴리싱부(56)로부터 격리된다. 격벽(61)은 반도체웨이퍼(4)를 통과시키는 개구(71)를 구비한다.
제 4B도는 반도체웨이퍼(4)가 위치되는 복수의 저장선반(67)을 구비하는 카세트(63)를 도시한다.
제 4A도에 도시된 바와 같이, 카세트전달용 개구(51)(제 3도 참조)로부터 삽입된 카세트(63)는 로딩/언로딩부(57)의 스테이지(64)에 위치되고, 반도체웨이퍼(4)의 갯수 및 저장단(67)위치는 센서(65)에 의해 검출되며, 검출된 데이터는 제어부(60)의 컴퓨터(68)에 저장된다. 앞의 검출이 완료된 후, 이송부(58)에 배치된 로봇(69)의 핑거(70)는 카세트(63)로부터 반도체웨이퍼(4)를 하나씩 꺼낸다.
카세트(63)에서 꺼내진 반도체웨이퍼(4)는 제 4A도에 도시된 격벽(61)의 개구(71)를 통과하는 한편, 반도체웨이퍼(4)는 로봇(69)의 핑거(70)에 의해 유지된다. 반도체웨이퍼(4)는 폴리싱부(56)의 탑링(5)에 의해 유지된다. 탑링(5)에 의해 유지된 반도체웨이퍼(4)는 턴테이블(3)상의 연마포(7)에 대해 반도체웨이퍼(4)를 가압함으로써 폴리싱되는 한편 연마슬러리는 연마포(7) 상에 공급된다.
폴리싱된 반도체웨이퍼(4)는 로봇(69)에 의해 세정유닛(74) 및 건조유닛(75)을 갖는 세정부(59)로 이송된다. 반도체웨이퍼(4)의 세정이 세정유닛(74)에서 완료된 후, 반도체웨이퍼(4)는 건조유닛(75)에서 건조된다. 반도체웨이퍼(4)가 건조된 후, 반도체웨이퍼(4)는 세정부(59)로부터 로봇(69)에 의해 카세트(63)의 저장선반(67) 상으로 이송된다. 반도체웨이퍼(4)의 폴리싱절차 및 세정절차는 앞의 작동에 의해 완료되며, 다른 반도체웨이퍼(4)가 동일한 방법으로 처리된다. 카세트(63)의 모든 반도체웨이퍼(4)가 처리될 때, 폴리싱되고 세정된 반도체웨이퍼(4)를 포함하는 카세트(63)는 폴리싱 및 세정될 반도체웨이퍼(4)를 포함하는 다른 카세트(63)와 대체된다.
제 5도는 폴리싱장치(50)내부의 측면도이다. 폴리싱장치(50)는 격벽(61)에 의해 제 1챔버(77) 및 제 2챔버(76)로 나뉜다. 폴리싱부(56)는 제 1챔버(77)에 배치되며, 로딩/언로딩부(57), 이송부(58), 세정부(59) 및 제어부(60)는 제 2챔버(76)에 배치된다.
제 1챔버(77)의 내측에는, 용기(88)가 턴테이블(3)의 외주부 주위에 제공되어, 연마슬러리 등이 분산되는 것을 방지하며 그것들을 모은다. 용기(88) 및 용기(88)로부터 수평으로 연장된 벽은 제 1챔버(77)를 상부챔버(77a) 및 하부챔버(77b)로 분리하는 역할을 한다. 제 5도에 도시된 바와 같이, 상부챔버(77a)는 댐퍼(80)를 갖는 상부관(79)을 구비하며, 하부챔버(77b)는 댐퍼(82)를 갖는 하부관(81)을 구비한다. 관(79, 81)은 청정실로부터 외부로 연장하는 배기관(95)(제 3도 참조)에 연결되는 배기구(83a)를 갖는 주덕트(83)에서 병합된다.
폴리싱작동시 발생된 습기는 상부관(79) 및 주덕트(83)를 통하여 배기구(83a)로부터 배기된다. 턴테이블(3)용 구동부(84)의 구동벨트로부터 생성된 먼지입자는 하부관(81) 및 주덕트(83)를 통하여 배기구(83a)로부터 배기된다. 그리고, 제 1챔버(77)로부터의 습기 및 먼지입자는 배기관(95)을 통하여 외부로 배출된다. 격벽(61)은 개구(71)와는 별개로 개구(86)를 구비한다. 가동루버(movable louvre; 85)가 개구(86)에 제공되어 개구(86)의 개방영역을 조절한다.
다음의 방법으로 상부챔버(77a)내로 흡기가 유입된다. 먼저, 작업구역(54)으로부터고 청정도를 갖는 공기가 웨이퍼전달용 개구(51)를 통하여 제 2챔버(76)내로 유입된다. 그리고나서 공기는 격벽(61)의 개구(71), 및 개방영역이 루버(85)로 적당히 조절되는 개구(86)를 통과하여, 상부챔버(77a)로 유입된다. 유량은 루버(85) 및 밸브(80)를 조정함으로써 조절된다.
하부챔버(77b)로부터의 먼지입자량은 상부챔버(77a)로부터의 연마슬러리의 습기량 보다 훨씬 적다. 따라서, 소량의 공기만이 하부챔버(77b)로부터 흐르며, 이에 의해 밸브(82)의 개방도가 작아서, 이로써 하부챔버(77b)에 미세한 음압을 발생한다. 배기된 공기에 대응하는 소량의 공기는 구조적 부재들 사이의 작은 틈새를 통하여 하부챔버(77b)로 공급된다.
제 2챔버(76)의 세정부(59)에 위치된 세정유닛(74) 및 건조유닛(75)은 각각 조절밸브(88', 89)를 갖는 각각의 배기관(87a, 87b)을 구비한다. 관(87a, 87b)는 배기관(95)(제 3도 참조)에 연결된 배기구(90a)를 갖는 주덕트(90)에서 병합된다. 따라서, 세정유닛(74) 및 건조유닛(75)으로부터 생성된 습기는 관(87a, 87b) 및 주덕트(90)를 통하여 배기구(90a)로부터 배기되어, 배기관(95)을 통하여 외부로 배출된다. 배기에 대응하는 흡기는 상용 공기발생원으로부터 웨이퍼전달용 개구(51)를 통하여 제 2챔버(76)에 공급되며, 그 유량은 밸브(88', 89)에 의해 조절된다.
셔터(91)는 격벽(61)의 개구(71)에 제공되며, 주로 유지보수를 위해 사용된다. 제 1챔버(77)가 유지보수시 개방되는 경우, 셔터(91)가 폐쇄되어, 먼지가 개구(71)를 통하여 제 1챔버(77)로부터 제 2챔버(76)에 흐르지 않게 한다.
여기서, 가동루버(85) 대신, 개구(86)의 개방영역이 조절가능하게 개구(86)를 설치하는 것도 가능하며, 개구(86)를 개폐하는 셔터가 제공되어도 좋다. 또한, 셔터 대신, 문과 같은 폐쇄수단도 사용가능하다.
제 6도는 폴리싱장치(50)의 횡단면도이다. 박스형 폴리싱장치(50)의 내부에는, 폴리싱부(56), 세정부(59), 이송부(58) 및 제어부(60) 등이 마련된다. 폴리싱부(56)는 작업구역(54)에서 떨어진 내측에 위치되는 것을 볼 수 있다.
폴리싱장치(50)를 통하여 흐르는 기류패턴은 제 7도를 참조하여 다음에 설명된다.
폴리싱부(56)만을 수용하는 제 1챔버(77), 및 세정부와 다른 부들을 수용하는 제 2챔버(76)의 각각의 공기는 개별적으로 분리하여 배기되어, 각각의 내부압력은, 청정실의 작업구역(54), 제 2챔버(76) 및 제 1챔버(77)의 순서로, 고 에서 저 로 감소된다. 제 1 및 제 2챔버(76, 77)로부터의 공기는 제 7도에 도시된 바와 같이 주덕트(83, 90)를 통하여 배기된다. 작업구역(54)으로부터의 청정공기는 세정부(59) 등을 구비하는 제 2챔버(76)로 유입되며, 공기의 일부는 제 2챔버(76)에서 주덕트(90) 쪽으로 흐른다. 제 2챔버(76)로 유입하는 청정공기의 나머지 부분은 격벽(61)의 개구(71)를 통과하여 폴리싱부(56)만을 갖는 제 1챔버(77)로 유입하며, 관(83) 쪽으로 흐른다. 청정공기의 흐름패턴은 제 7도에서 화살표로 도시된다.
공기는 고압측에서 저압측으로 전달되어, 청정실, 제 2챔버(76) 및 제 1챔버(77)의 순서로 압력변화도를 유지하도록 배기되므로, 역류가 발생하지 않는다. 폴리싱부(56)에서 생성된 습기 및 먼지입자들은 청정실영역에 흐르지 않으며, 매우 오염된 주변공기는 제 1챔버(77)로부터 제 2챔버(76)로 흐르지 않기 때문에 세정장치가 오염되지 않는 것을 알 수 있다.
그리고, 폴리싱장치(50)의 실내의 주변공기의 흡배기 및 내부압력은 관(83, 90)의 개구(86) 및 밸브(80, 82, 88 및 89)를 제어함으로써 제어된다. 따라서, 기류는 최소한의 개수의 제어장치에 의해 적절히 제어가능하게 된다.
폴리싱장치(50)의 내부구조분할의 단순한 형상은 폴리싱장치에서 기류의 방향을 고정시키며, 이로써 폴리싱장치의 설계를 단순하게 만들 수 있으며, 배기관시스템의 단순구조를 이룰 수 있다. 굴곡 및 긴 배기통로 또는 폴리싱장치 내부의 복잡한 분할로 인해 야기되는 압력강하를 예방가능하므로 단순화된 디자인은 고배기효율을 제공한다.
다음에, 폴리싱장치(50) 내측에서의 반도체웨이퍼의 이동을 제 8도를 참조하여 이하에 설명한다.
작업구역(54)으로부터의 반도체웨이퍼는 폴리싱장치(50)내로 들어오고, 세정부(59) 등을 갖는 제 2챔버(76)를 통과하며, 폴리싱부(56)를 갖는 제 1챔버(77)에 도달하여 폴리싱된다. 폴리싱은 연마슬러리를 사용하여 이행되므로, 폴리싱된 반도체웨이퍼는 잔여 연마슬러리로 오염된다. 폴리싱된 반도체웨이퍼는 제 1챔버(77)로부터 제 2챔버(76)의 세정장치(59a)로 이송된다. 세정된 반도체웨이퍼는 세정장치(59b)로 이송되어 청정도를 더욱 향상시킨다. 세정유닛(74)은 세정장치(59a, 59b)를 포함한다. 세정된 반도체웨이퍼는 세정장치(59b)에서 건조되어, 작업구역(54)으로 이송된다. 반도체웨이퍼의 이동은 제 8도에서 화살표로 도시된다.
제 7 및 제 8도에 도시된 바와 같이, 세정되어 폴리싱장치로부터 배출되는 반도체웨이퍼의 이동은 기류와 반대이므로, 세정영역에서의 반도체웨이퍼의 이송은 청정도가 높아지는 방향으로 행해지며, 이로써 이송단계시 반도체웨이퍼의 오염을 방지한다.
이상의 효과를 달성하기 위하여, 반도체웨이퍼 세정장치를 다음과 같이 설치할 수도 있다. 복수의 세정장치가 사용되는 경우, 매우 높은 청정도를 제공하는 세정장치들은 청정기류와 역방향으로 설치되어야 한다. 즉, 세정장치에 의해 제공된 반도체웨이퍼의 청정도가 높은 경우, 장치는 기류의 훨씬 상류측에 위치되어야 한다. 제 8도에서, 이것은 세정장치(59a, 59b)의 위치에 의해 도시된다. 세정장치(59b)의 반도체웨이퍼의 청정도가 세정장치(59a)의 청정도 보다 높은 경우, 세정장치(59b)는 세정장치(59a)의 상류측에 배치된다. 동일한 원리가 복수의 세정장치 사이에서 이동하는 이송중의 반도체웨이퍼에 적용된다.
본 발명의 제 2실시예에 따른 폴리싱장치는 다음의 이점을 제공한다:
(1) 청정실 및 세정부(59)는 폴리싱부(56)에 생성된 오염물로 오염되지 않는다.
(2) 폴리싱되고 세정된 반도체웨이퍼, 또는 모터나 전동장치와 같은 구동소자는 폴리싱처리에 의해 발생된 먼지입자 및 습기와 같은 오염물로 오염되지 않는다.
(3) 각 실의 기류제어는 최소한의 개수의 제어장치에 의해 달성된다.
(4) 기류방향이 고정되어, 배기시스템의 설계가 단순화된다.
(5) 압력손실이 최소화되고 고 배기효율이 달성된다.
본 발명의 제 3실시예에 따른 폴리싱장치는 제 9 및 제 10도를 참조하여 다음에 설명된다.
제 9 및 제 10도의 폴리싱장치는, 천장부(53C)에 필터링유닛(100)이 제공되는 것을 제외하고는 제 3 내지 제 5도의 폴리싱장치와 동일하다. 제 3 내지 제 5도에 도시된 것과 동일한 제 9 및 제 10도에 도시된 이러한 부분들은 동일한 참조부호로 표시되며, 이하에 상세히 설명되지는 않을 것이다.
제 9도에 도시된 바와 같이, 천장부(53C)의 상부에는, 로딩/언로딩부(57), 이송부(58) 및 세정부(59)를 수용하는 제 2챔버(76)를 통하여 청정공기를 순환시키는 필터링유닛(100)이 제공된다.
제 10도는 폴리싱장치(50)내부의 측면도이다. 폴리싱장치(50)는 격벽(61)에 의해 폴리싱부(56)를 갖는 제 1챔버(77), 및 로딩/언로딩부(57), 이송부(58), 세정부(59) 및 제어부(60)를 갖는 제 2챔버(76)로 분할된다.
제 10도에 도시된 바와 같이, 필터링유닛(100)은 송풍기(101), 송풍기(101)의 출구측에 배치된 0.1 마이크로미터 필터성능을 갖는 필터(102), 및 송풍기(101)의 흡입측에 배치된 해로운 가스를 필터링하는 화학필터(103)를 구비한다. 필터(102)로부터 배출된 청정공기는 로봇(69)의 이동범위상의 일반영역 및 세정유닛(74)과 건조유닛(75)을 포함하는 영역, 즉 반도체웨이퍼의 이동영역상에 분사된다. 기류속도는 0.3 내지 0.4㎧의 범위이어서 인접하게 위치된 반도체웨이퍼의 역오염을 예방하는데 효과적이다. 상술된 영역으로 분사된 공기중 일부는 제 1챔버(77), 및 세정장치(74)와 건조장치(75)의 각 개구로 흐르지만, 대부분의 공기는 폴리싱장치(50)의 바닥으로 내려간다.
바닥에는 편평한 면을 갖는 박스형상의 덕트헤더(104)가 마련된다. 덕트헤더(104)는, 개구(105)의 개방영역을 조절하는 루버(106)가 각각 마련되어 있는 다수의 개구(105)를 갖는다. 덕트헤더(104)는 덕트관(107)을 통하여 필터링유닛(100)에 연결된다. 바닥으로 내려온 공기는 개구(105)를 통과하여 덕트헤더(104)로 흐르고, 덕트관(107)을 통하여 화학필터(103)에 유입된다.
따라서, 젖은 반도체웨이퍼(17)로부터의 유해가스, 및 로봇(19)의 핑거(20)에 부착되고 연마슬러리의 잔여물을 포함하는 액체방울은 내려온 기류와 함께 화학필터(103)에 의해 제거된다. 세정제로 적셔져 바닥에서 건조되는 반도체웨이퍼의 연마재료 및 연마입자가 하강공기에 의해 분산되는 것이 방지되며, 일부입자는 필터(102)에 의해 제거된다.
보급공기(make-up air)는, 각각 필터링유닛(100)에 배치되는 루버(110)를 갖는 급기구(111)로부터 주로 공급된다. 소량의 공기는 카세트전달용 개구(51)로부터 공급된다. 제 2챔버(76)의 공기하강속도는 덕트헤더(104)의 루버(106) 및 보급공기용 급기구(111)의 루버(110)를 조정함으로써 조절가능하다.
제 11도는 제 9 및 제 10도에 도시된 제 3실시예의 변형예를 도시한다.
이 실시예에서는, 필터링유닛(100)이 제거되며, 제 2챔버(76)의 천장부도 제거된다. 배기용 송풍기(112)는 덕트헤더(104)의 바닥면에 마련된다. 이러한 타입의 장치는, 연마슬러리로부터 유해가스가 발생하지 않고 폴리싱장치가 비교적 고 청정도를 갖는 청정실에 설치되는 경우에 사용가능하다. 청정실내에 하강하는 주변공기만을 사용하는 것도 가능하다. 하강공기는 배기용 송풍기(112)에 의해 폴리싱장치(50)의 외부로 배기된다. 또한 이러한 실시예에서, 제 2챔버(76)의 베이스는 덕트헤더(104)의 상부에 다수의 바닥개구(105)를 구비하며, 주변공기는 덕트헤더(104)를 통하여 배기용 송풍기(112)에 의해 외측으로 배기된다.
덕트헤더(104)는 반드시 편평한 파이프형상일 필요는 없으며, 다른 형상의 파이프도 하강하는 주변공기를 모을 수 있으면 사용가능하다. 또한, 필터성능과 같은 장치의 작동파라미터 및 화학필터에 대한 필요성은 청정실의 특별 청정도 및 폴리싱작동에 사용되는 연마슬러리의 타입에 의거한다.
제 9 내지 제 11도에 도시된 제 3실시예에 따라, 유해가스의 제거 뿐만 아니라 폴리싱장치에서 폴리싱되고 세정되는 반도체웨이퍼의 분진오염의 방지도 이루어질 수 있다. 따라서, 폴리싱장치는 청정실에 설치가능하게 되고, 이로써 생산조건에 부과되는, 연마슬러리타입 등의 제한성이 제거되며, 폴리싱작동을 배치하는데 더욱 높은 자유도를 제공하여, 반도체웨이퍼 표면막의 여러 타입을 조절하여 광범위하고 다양한 반도체장치를 생산할 수 있다.
본 발명의 폴리싱장치는 반도체웨이퍼, 유리기판 등을 포함하는 여러 대상물을 처리가능하다.
제 3 내지 제 11도의 제 2 및 제 3실시예에서, 비록 로딩 스테이지 및 언로딩 스테이지가 일체로 제공되었지만, 이들은 개별적으로 제공될 수도 있다.
본 발명의 폴리싱장치에 따라, 반도체웨이퍼는 폴리싱부에서 폴리싱되고, 폴리싱된 반도체웨이퍼는 폴리싱부로부터 세정부로 이송되며, 그 후 반도체웨이퍼는 세정부에서 세정되고 건조된다. 따라서, 반도체웨이퍼는 세정, 건조된 상태로 폴리싱장치로부터 배출된다.
본 발명의 바람직한 실시예가 상세히 도시설명되었으나, 첨부된 청구범위의 범주에서 벗어나지 않는 다양한 변형 및 수정이 가능하다는 것을 알 수 있다.
제 1도는 본 발명의 제 1실시예에 따른 폴리싱장치의 종단면도,
제 2도는 본 발명의 제 1실시예에 따른 폴리싱장치의 횡단면도,
제 3도는 본 발명의 제 2실시예에 따른 폴리징장치의 사시도,
제 4A도는 제 3도의 폴리싱장치의 내부사시도,
제 4B도는 제 4A도에 도시된 카세트의 사시도,
제 5도는 제 3도의 폴리싱장치의 내부설치를 도시한 측면도,
제 6도는 제 3도의 폴리싱장치의 횡단면도,
제 7도는 제 3도의 폴리싱장치의 기류를 도시한 개략도,
제 8도는 제 3도의 폴리싱장치에서 반도체웨이퍼의 이동을 도시한 개략도,
제 9도는 본 발명의 제 3실시예에 따른 폴리싱장치의 사시도,
제 10도는 제 9도의 폴리싱장치의 내부설치를 도시한 측면도,
제 11도는 본 발명의 제 3실시예를 변형시킨 폴리싱장치의 내부설치를 도시한 측면도이다.

Claims (79)

  1. 웨이퍼를 폴리싱한 후 세정 및 건조하는 방법에 있어서,
    웨이퍼가 놓여지는 복수의 저장선반을 가지는 카세트를 준비하고;
    센서에 의하여 웨이퍼의 수와 상기 저장선반의 위치를 검출하고;
    로봇에 의하여 상기 카세트로부터 상기 웨이퍼 중 하나를 꺼내고;
    그 웨이퍼를 폴리싱하고;
    폴리싱된 웨이퍼를 이송하고;
    그 웨이퍼를 세정한 후 건조시키고; 및
    그 폴리싱되고 세정 및 건조된 웨이퍼를 상기 카세트로 되돌리는 것을 포함하고,
    상기 폴리싱단계와 상기 세정단계는 분리수단에 의하여 서로 분리된 상태에서 행하여지는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 웨이퍼를 카세트로 되돌리는 것은 상기 로봇에 의하여 행해지는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 폴리싱은 연마포와 슬러리를 사용하여 행해지는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 카세트로부터 웨이퍼를 꺼낸 후 웨이퍼를 폴리싱하기 전에, 웨이퍼를 뒤집는 것을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    웨이퍼를 폴리싱한 후 상기 카세트로 그 웨이퍼를 되돌리기전에, 웨이퍼를 뒤집는 것을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    웨이퍼는 복수의 단계에서 세정 및 건조되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 폴리싱 장치에 있어서,
    웨이퍼가 놓여질 복수의 저장선반을 가지는 카세트를 위치시키기 위한 로딩/언로딩부;
    상기 저장선반의 위치와 상기 카세트 내의 웨이퍼의 수를 검출하기 위한 센서;
    상기 카세트로부터 폴리싱될 웨이퍼 중 하나를 꺼내기 위한 로봇;
    웨이퍼를 폴리싱하기 위한 폴리싱부;
    폴리싱된 웨이퍼를 세정 및 건조시키기 위한 세정부; 및
    상기 폴리싱부와 상기 세정부를 분리하는 분리수단을 포함하고,
    상기 폴리싱되고 세정 및 건조된 웨이퍼는 상기 로봇에 의하여 상기 카세트로 되돌려지는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 카세트로 웨이퍼를 되돌리는 것은 상기 로봇에 의하여 행해지는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 폴리싱은 연마포와 슬러리를 사용하여 행해지는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 카세트로부터 웨이퍼를 꺼낸 후 및 웨이퍼를 폴리싱하기 전에, 웨이퍼를 뒤집는 것을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    웨이퍼를 폴리싱한 후 및 상기 카세트로 그 웨이퍼를 되돌리기전에, 웨이퍼를 뒤집는 것을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  12. 제 7항에 있어서,
    웨이퍼는 복수의 단계에서 세정 및 건조되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  13. 제 7항에 있어서,
    웨이퍼의 수와 상기 저장선반의 위치에 대한 검출 데이터를 저장하기 위한 제어부를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  14. 웨이퍼를 폴리싱한 후 세정 및 건조하는 방법에 있어서,
    웨이퍼가 놓여지는 복수의 저장선반을 가지는 카세트를 준비하고;
    로봇에 의하여 상기 카세트로부터 웨이퍼를 꺼내고;
    폴리싱부와 세정부를 분할하는 분리수단의 개구부를 통하여 상기 폴리싱부로 웨이퍼를 이송하고;
    상기 폴리싱부에서 웨이퍼를 폴리싱하고;
    상기 개구부를 통하여 상기 세정부에 웨이퍼를 이송하고;
    상기 세정부에서 웨이퍼를 세정하고;
    상기 세정부에서 웨이퍼를 건조시키고; 또한
    상기 로봇에 의하여, 상기 세정부로부터 상기 카세트의 상기 저장선반 중 하나 위로 웨이퍼를 이송시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 카세트로부터 웨이퍼를 꺼내기 전에, 웨이퍼의 수와 상기 저장선반의 위치를 센서에 의하여 검출하는 것을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제 14항에 있어서,
    상기 폴리싱부와 상기 세정부 각각의 공기는 별개로 독립적으로 배기되어, 상기 세정부의 내압은 상기 폴리싱부의 내압보다 높은 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제 14항에 있어서,
    상기 폴리싱은 연마포와 슬러리를 사용하여 행해지는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제 14항에 있어서,
    상기 카세트로부터 웨이퍼를 꺼낸 후 및 웨이퍼를 폴리싱하기 전에, 웨이퍼를 뒤집는 것을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제 18항에 있어서,
    웨이퍼를 폴리싱한 후 및 상기 카세트로 그 웨이퍼를 이송하기 전에, 웨이퍼를 뒤집는 것을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제 14항에 있어서,
    웨이퍼는 복수의 단계에서 세정 및 건조되는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 대상물을 폴리싱한 후 세정하기 위한 폴리싱 방법에 있어서,
    준비된 카세트로부터 대상물을 꺼내고;
    상기 카세트로부터 꺼내진 대상물을 폴리싱부에서 폴리싱하고;
    상기 폴리싱된 대상물을 세정부로 이송하고;
    제 1단계의 세정동안 상기 대상물을 스크러빙 세정하고;
    제 2단계의 세정동안 상기 대상물을 스크러빙 세정하고;
    상기 세정된 대상물을 건조하고; 또한,
    상기 건조된 대상물을 다시 상기 카세트로 되돌리는 것을 포함하고,
    상기 폴리싱단계와 상기 세정단계는 분리수단에 의하여 서로 분리된 상태에서 행하여지는 것을 특징으로 하는 폴리싱 방법.
  22. 제 21항에 있어서,
    상기 꺼내진 대상물을 뒤집고;
    상기 뒤집힌 대상물을 대상물 유지부재로 이송하고; 또한,
    상기 유지부재로부터 탑링으로 대상물을 이송하여, 상기 폴리싱부에 배치되어 폴리싱되는 동안 대상물을 유지하는 것을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 방법.
  23. 제 21항에 있어서,
    상기 제 1단 세정동안 대상물은 스폰지에 의하여 세정되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 방법.
  24. 제 21항에 있어서,
    상기 제 2단 세정동안 대상물은 스폰지에 의하여 세정되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 방법.
  25. 제 21항에 있어서,
    상기 제 1단 세정과 상기 제 2단 세정 동안, 세정제가 대상물에 공급되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 방법.
  26. 제 21항에 있어서,
    상기 제 1단 세정동안, 상기 세정부는 상기 대상물의 외주부를 지지하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 방법.
  27. 제 21항에 있어서,
    상기 건조는 대상물을 회전시켜 행해지는 것을 특징으로 하는 폴리싱 방법.
  28. 제 21항에 있어서,
    상기 제 1단 세정과 상기 제 2단 세정 동안, 대상물이 회전되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 방법.
  29. 폴리싱 및 세정장치에 있어서,
    대상물을 폴리싱하기 위한 폴리싱부;
    상기 폴리싱부로 대상물을 공급하기 위하여 상기 대상물을 저장하는 카세트를 위치시키는 로딩장치;
    그 폴리싱된 대상물을 세정한 후 건조하기 위한 세정부; 및
    상기 폴리싱부와 상기 세정부를 분리하는 분리수단을 포함하고,
    상기 세정부는, 대상물을 스크러빙 세정하기 위한 제 1단 세정유닛 및 2차적으로 대상물을 스크러빙 세정하기 위한 제 2단 세정유닛를 포함하고,
    상기 폴리싱되고 세정 및 건조된 대상물은 다시 상기 카세트로 되돌려지는 것을 특징으로 하는 폴리싱 및 세정장치.
  30. 제 29항에 있어서,
    상기 제 1단 세정유닛은 대상물을 스크러빙 세정하기 위한 스폰지를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 및 세정장치.
  31. 제 29항에 있어서,
    상기 제 2단 세정유닛은 대상물을 스크러빙 세정하기 위한 스폰지를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 및 세정장치.
  32. 제 29항에 있어서,
    상기 제 1단 세정유닛과 상기 제 2단 세정유닛 각각은 세정제를 공급하기 위한 세정제 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 및 세정장치.
  33. 제 29항에 있어서,
    상기 로딩 장치는, 카세트로부터 상기 폴리싱부에 로딩하는 동안, 대상물을 뒤집는 것을 특징으로 하는 폴리싱 및 세정장치.
  34. 제 29항에 있어서,
    상기 폴리싱부는, 턴테이블, 및 대상물을 유지하면서 그 턴테이블에 대하여 대상물을 가압하기 위한 탑링을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 및 세정장치.
  35. 제 29항에 있어서,
    상기 세정유닛들은 대상물을 회전시키기 위한 모터를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 및 세정장치.
  36. 제 29항에 있어서,
    상기 제 1단 세정유닛은, 대상물의 원주부를 유지하고 그 대상물을 회전시키기 위한 복수의 롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 및 세정장치.
  37. 폴리싱 장치에 있어서,
    대상물을 폴리싱하기위한 폴리싱부;
    그 폴리싱된 대상물을 세정한 후 건조시키기 위한 세정부;
    상기 폴리싱부와 상기 세정부를 분리하기 위한 분리수단;
    상기 폴리싱부로 대상물을 공급하기 위한 로딩장치; 및
    상기 폴리싱 장치의 내부 공기를 순환시키기 위한, 송풍기를 포함하는 공기순환유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  38. 제 37항에 있어서,
    상기 분리수단은, 상기 폴리싱 장치의 내부를, 상기 폴리싱부를 가지는 제 1 챔버와 상기 세정부를 가지는 제 2 챔버로 분할하는 격벽인 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  39. 제 37항에 있어서,
    상기 공기순환유닛은 입자를 제거하기 위한 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  40. 제 39항에 있어서,
    상기 공기순환유닛은 유해가스용 화학 필터를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  41. 제 39항에 있어서,
    상기 필터는 상기 송풍기의 출구측에 배치되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  42. 제 40항에 있어서,
    상기 화학필터는 상기 송풍기의 흡입측에 배치되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  43. 제 37항에 있어서,
    상기 공기순환유닛은 상기 폴리싱 장치의 천장부에 제공되어 상기 폴리싱 장치 내로 공기를 아래방향으로 송풍하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  44. 제 38항에 있어서,
    상기 공기순환유닛은 상기 제 2 챔버로 공기를 공급하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  45. 제 37항에 있어서,
    상기 공기는, 상기 공기순환유닛으로부터 상기 폴리싱 장치 내에서 대상물을 이송하기 위한 로봇의 이동범위 영역에 걸쳐서, 공급되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  46. 제 37항에 있어서,
    상기 세정부로부터 상기 폴리싱 장치의 외부로 공기를 배기하기 위한 배기관을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  47. 제 37항에 있어서,
    상기 폴리싱 장치의 외부로 폴리싱부의 공기를 배기하기 위한 배기구를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  48. 제 38항에 있어서,
    상기 격벽은, 상기 제 2 챔버로부터 상기 제 1 챔버로 공기를 유입하기 위한 개구부를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  49. 제 38항에 있어서,
    상기 격벽은, 상기 제 2 챔버로부터 상기 제 1 챔버로 공기를 유입하기 위한 또다른 개구부를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  50. 제 37항에 있어서,
    상기 폴리싱 장치의 외부로부터 상기 폴리싱 장치 내부로 공기를 공급하기 위한 공기공급구를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  51. 폴리싱 장치에 있어서,
    대상물을 폴리싱하기 위한 폴리싱부;
    상기 폴리싱된 대상물을 세정한 후 건조시키기 위한 세정부;
    상기 폴리싱부와 상기 세정부를 분리하기 위한 분리수단; 및
    상기 폴리싱 장치로의 기류속도를 조절하기 위한 조절기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  52. 제 51항에 있어서,
    상기 조절기구는, 개구부를 가지는 덕트헤더(duct header)와 상기 개구부의 개구면적을 조절하기 위한 루버(louver)를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  53. 제 51항에 있어서,
    상기 조절기구는, 공기 급기구와 상기 공기 급기구의 개구면적을 조절하기 위한 루버(louver)를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  54. 제 52항에 있어서,
    상기 덕트헤더는 상기 폴리싱 장치의 바닥에 배치되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  55. 제 52항에 있어서,
    상기 개구부를 통과한 공기는, 상기 폴리싱 장치로 공기를 순환시키기 위한 공기순환유닛 내부로 유입되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  56. 대상물을 폴리싱하는 폴리싱장치로서,
    상기 폴리싱장치를 둘러싸는 하우징;
    상기 하우징 내부에 배치되어 상기 대상물을 폴리싱하는 폴리싱부;
    상기 하우징 내부에 배치되어 상기 폴리싱된 대상물을 세정하고, 상기 폴리싱되고 세정된 대상물을 건조하는 세정부;
    상기 폴리싱부와 상기 세정부를 분리하기 위한 분리수단;
    상기 하우징 내부에 배치되어 상기 세정부로부터 상기 폴리싱되고 세정건조된 대상물을 수용하는 언로딩부; 및
    상기 하우징의 내부로 공급되어질 공기를 필터링하는 필터링유닛을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.
  57. 제 56항에 있어서,
    상기 필터링유닛은 유해가스를 제거하기 위한 화학필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.
  58. 제 56항에 있어서,
    상기 필터링유닛은 입자를 제거하기 위한 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.
  59. 제 56항에 있어서,
    상기 필터링유닛은 상기 하우징의 내부를 통과하는 공기를 순환시키기 위한 송풍기를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.
  60. 제 56항에 있어서,
    상기 필터링유닛은 상기 폴리싱장치의 천장부 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.
  61. 제 56항에 있어서,
    상기 필터링유닛은 상기 세정부내로 상기 공기를 아래방향으로 송풍하는 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.
  62. 대상물의 표면을 폴리싱하는 폴리싱장치로서,
    하우징유닛;
    상기 대상물을 유지하는 탑링과; 폴리싱동안 상기 탑링이 그 상부에서 가압되는 테이블을 포함하여 이루어지며, 상기 대상물을 폴리싱하는 폴리싱부;
    폴리싱된 상기 대상물을 세정하며, 복수의 단계로 상기 대상물을 세정하는 복수의 세정유닛을 포함하며, 상기 복수의 세정유닛중 최종단계의 세정유닛내에서 상기 대상물이 건조되며, 상기 폴리싱된 대상물이 상기 탑링으로부터 제거된 후 이송되어지는 대상물 지지스테이션과는 구별되는 세정부;
    폴리싱될 대상물을 수용하고 폴리싱 및 세정된 대상물을 수용하기 위한 하나의 로딩/언로딩부; 및
    상기 폴리싱부 및 상기 세정부 각각으로부터 주변공기를 배기시키기 위한 배기수단을 포함하고,
    상기 폴리싱부 및 상기 세정부는 분리수단에 의하여 분리된 상태에서 상기 하우징유닛에 수용되고,
    상기 배기수단은 상기 폴리싱부 및 상기 세정부 각각의 주변공기를 서로 개별적으로 또한 독립적으로 배기시키는 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.
  63. 제 62항에 있어서,
    상기 건조공정은 상기 대상물을 회전시킴으로써 행해지는 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.
  64. 제 62항에 있어서,
    상기 세정공정은 상기 대상물에 세정액을 공급함으로써 행해지는 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.
  65. 제 62항에 있어서,
    상기 제 1 단계 세정유닛에서, 상기 대상물은, 상기 대상물의 외주부에서 유지고정되고 회전되는 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.
  66. 제 63항에 있어서,
    상기 복수의 세정유닛중 하나이상의 세정유닛에서, 상기 대상물은 스폰지에 의해 스크러빙되는 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.
  67. 반도체웨이퍼를 폴리싱한 후 세정하는 방법으로서,
    청정실의 내부로부터 상기 청정실내에 설치된 밀폐구조체내로 상기 반도체웨이퍼를 도입하는 단계;
    폴리싱된 반도체웨이퍼를 형성하기 위하여, 상기 밀폐구조체에 수용되고 분리수단에 의하여 세정부로부터 분리되는 폴리싱부에서 상기 반도체웨이퍼를 폴리싱하는 단계;
    폴리싱되고 세정된 반도체웨이퍼를 형성하기 위하여, 상기 폴리싱된 반도체웨이퍼를 상기 세정부에서 세정하는 단계;
    상기 폴리싱되고 세정된 반도체웨이퍼를 건조시켜, 폴리싱되고 세정건조된 반도체웨이퍼를 형성하는 단계;
    상기 밀폐구조체로부터 상기 청정실의 내부로 상기 폴리싱되고 세정건조된 반도체웨이퍼를 도출시키는 단계; 및
    상기 도입단계후에 및 상기 도출단계전에, 하나이상의 로봇에 의해 상기 반도체웨이퍼를 이송시키는 단계를 포함하여 이루어지고,
    상기 폴리싱부 및 상기 세정부 각각의 주변공기가 서로 개별적이고 또한 독립적으로 배기되는 것을 특징으로 하는 폴리싱방법.
  68. 제 67항에 있어서,
    상기 세정단계는 복수의 세정작동을 행하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리싱방법.
  69. 제 68항에 있어서,
    상기 복수의 세정작동은 제 1세정작동과 제 2세정작동을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱방법.
  70. 제 67항에 있어서,
    상기 하나 이상의 로봇은,
    상기 폴리싱되고 세정건조된 반도체웨이퍼를 이송하기 위한 하나 이상의 제 1기구와, 상기 폴리싱된 반도체웨이퍼를 이송하기 위한 하나 이상의 제 2기구를 포함하고, 상기 제 2기구는 상기 제 1기구와는 구별되는 것을 특징으로 하는 폴리싱방법.
  71. 제 67항에 있어서,
    상기 건조단계는 상기 폴리싱되고 세정된 반도체웨이퍼를 스핀건조하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리싱방법.
  72. 제 67항에 있어서,
    상기 밀폐구조체는 하우징인 것을 특징으로 하는 폴리싱방법.
  73. 반도체웨이퍼를 폴리싱한 후 세정하는 방법으로서,
    청정실의 내부로부터 상기 청정실내에 설치된 밀폐구조체의 단일의 로딩/언로딩부 내부로 상기 반도체웨이퍼를 도입하는 단계;
    상기 밀폐구조체에 수용되고 분리수단에 의하여 세정부로부터 분리되는 폴리싱부에서 상기 반도체웨이퍼를 폴리싱하여, 폴리싱된 반도체웨이퍼를 형성하는 단계;
    상기 폴리싱된 반도체웨이퍼를 복수의 세정작동으로 세정하여, 폴리싱되고 세정된 반도체웨이퍼를 형성하는 단계;
    상기 폴리싱되고 세정된 반도체웨이퍼를 스핀건조하여, 폴리싱되고 세정건조된 반도체웨이퍼를 형성하는 단계;
    상기 폴리싱되고 세정건조된 반도체웨이퍼를 상기 로딩/언로딩부로 되돌리는 단계; 및
    상기 밀폐구조체의 상기 로딩/언로딩부로부터 상기 청정실의 내부로 상기 폴리싱되고 세정건조된 반도체웨이퍼를 도출시키는 단계를 포함하여 이루어지고,
    상기 폴리싱부 및 상기 세정부 각각의 주변공기가 서로 개별적이고 또한 독립적으로 배기되는 것을 특징으로 하는 폴리싱방법.
  74. 제 73항에 있어서,
    상기 복수의 세정작동은 제 1세정작동과 제 2세정작동을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱방법.
  75. 제 73항에 있어서,
    상기 폴리싱된 반도체웨이퍼를 이송하는데 사용되는 하나이상의 제 2기구와는 구별되는 하나이상의 제 1기구에 의해 상기 폴리싱되고 세정건조된 반도체웨이퍼를 이송하는 것을 특징으로 하는 폴리싱방법.
  76. 제 73항에 있어서,
    상기 세정 및 건조단계는 세정 및 건조 스테이션에서 행해지는 것을 특징으로 하는 폴리싱방법.
  77. 제 73항에 있어서,
    상기 밀폐구조체는 하우징인 것을 특징으로 하는 폴리싱방법.
  78. 제 1, 21, 67, 73항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 분리수단은 개구부를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 방법.
  79. 제 7, 29, 37, 51, 56, 62항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 분리수단은 개구부를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
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