DE19544328B4 - Poliervorrichtung - Google Patents

Poliervorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE19544328B4
DE19544328B4 DE19544328.4A DE19544328A DE19544328B4 DE 19544328 B4 DE19544328 B4 DE 19544328B4 DE 19544328 A DE19544328 A DE 19544328A DE 19544328 B4 DE19544328 B4 DE 19544328B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor wafer
chamber
cleaning
chambers
section
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE19544328.4A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19544328A1 (de
Inventor
Toyomi Nishi
Tetsuji Togawa
Harumitsu Saito
Manabu Tsujimura
Hiromi Yajima
Kazuaki Himukai
Shoichi Kodama
Yukio Imoto
Riichiro Aoki
Masako Watase
Atsushi Shigeta
Shiro Mishima
Gisuke Kouno
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Toshiba Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP31928994A external-priority patent/JP3315544B2/ja
Application filed by Ebara Corp, Toshiba Corp filed Critical Ebara Corp
Publication of DE19544328A1 publication Critical patent/DE19544328A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19544328B4 publication Critical patent/DE19544328B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B08B1/32—
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B15/00—Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area
    • B08B15/02—Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area using chambers or hoods covering the area
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00—Other grinding machines or devices
    • B24B27/0023—Other grinding machines or devices grinding machines with a plurality of working posts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B51/00—Arrangements for automatic control of a series of individual steps in grinding a workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
    • B24B55/12—Devices for exhausting mist of oil or coolant; Devices for collecting or recovering materials resulting from grinding or polishing, e.g. of precious metals, precious stones, diamonds or the like
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F3/00—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems
    • F24F3/12—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems characterised by the treatment of the air otherwise than by heating and cooling
    • F24F3/16—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems characterised by the treatment of the air otherwise than by heating and cooling by purification, e.g. by filtering; by sterilisation; by ozonisation
    • F24F3/167—Clean rooms, i.e. enclosed spaces in which a uniform flow of filtered air is distributed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber

Abstract

Eine Vorrichtung zum Polieren und anschließenden Reinigen eines Halbleiterwafers (4) wobei die Vorrichtung Folgendes aufweist: eine umschlossene Struktur mit einer Außenwand und einer Unterteilung, die mindestens zwei Kammern in der umschlossenen Struktur bildet, wobei die Unterteilung eine Öffnung hat, um es dem Halbleiterwafer (4) zu gestatten, dahindurch zu gehen; einen Polierabschnitt (2) zum Polieren des Halbleiterwafers (4), wobei der Polierabschnitt (2) in einer ersten Kammer (48) der mindestens zwei Kammern angeordnet ist; eine Reinigungseinheit (74) zum Reinigen des Halbleiterwafers (4), der poliert wurde, wobei die Reinigungseinheit (74) in einer zweiten Kammer (49) der mindestens zwei Kammern angeordnet ist, wobei der Reinigungsabschnitt (30) eine Vielzahl von Reinigungseinrichtungen aufweist, die einen zunehmend höheren Grad an Reinheit des Halbleiterwafers (4) vorsehen; Transfermittel zum Transferieren des polierten Halbleiterwafers (4) von dem Polierabschnitt (2) durch die Öffnung zu der Reinigungseinheit; eine Trockeneinheit (75) zum Trocknen des Halbleiterwafers (4), der gereinigt wurde, wobei die Trockeneinheit (75) in einer anderen als der ersten Kammer (48) der mindestens zwei Kammern gelegen ist; und ...

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Polieren und anschließenden Reinigen eines Halbleiterwafers.
  • Der schnelle Fortschritt auf dem Gebiet der Integration von Halbleitervorrichtungen macht kleinere und kleinere Verdrahungs- und Anschlußmuster sowie Zwischenverbindungen erforderlich und auch schmälere Räume oder Abstände zwischen den Zwischenverbindungen, welche die aktiven Gebiete verbinden. Eines der verfügbaren Verfahren zur Bildung einer solchen Zwischenverbindung ist die Fotolithografie. Obwohl das Fotolithografieverfahren Zwischenverbindungen mit höchstens 0,5 Mikrometer Breite bilden kann, macht dieses Verfahren es notwendig, daß die Oberflächen auf denen die Musterbilder fokussiert werden sollen und zwar durch eine Schritt- oder Steppervorrichtung, so flach wie möglich sein müssen, weil die Fokustiefe des optischen Systems relativ klein ist.
  • Es ist daher notwendig, die Oberflächen der Halbleiterwafer für die Zwecke der Fotolithografie flach auszubilden. Ein übliche Möglichkeit des Flachmachens der Oberflächen der Halbleiterwafer besteht darin, diese mittels einer Poliervorrichtung zu polieren.
  • Üblicherweise besitzt eine Poliervorrichtung einen Drehtisch und einen oberen Ring, wobei diese sich mit entsprechenden individuellen Geschwindigkeiten drehen. Ein Abriebs- oder Abrasionstuch ist an der Oberseite des Drehtischs befestigt. Ein zu polierender Halbleiterwafer wird auf dem Abriebstuch angeordnet und zwischen dem oberen Ring und dem Drehtisch festgeklemmt. Während des Betriebs übt der obere Ring einen bestimmten Druck auf den Drehtisch aus und die Oberfläche des Halbleiterwafers, die gegen das Abriebstuch gehalten wird, wird daher poliert und zwar auf eine flache spiegelartige Endbearbeitung, wobei der obere Ring und der Drehtisch sich drehen.
  • Bei der Poliervorrichtung wird ferner eine Abriebsaufschlemmung von einer Düse an das Polier- oder Abriebstuch geliefert, welches an der Oberseite des Drehtischs angebracht ist. Die Abriebsaufschlemmung enthält Abrasions- oder Abriebsmaterial, wie beispielsweise Siliziumdioxid (SiO2) oder Cerdioxid (CeO2) und zwar mit einem Durchmesser von 1 Mikrometer oder weniger in einer Flüssigkeit. Die Abriebsaufschlemmung enthält Wasser, ein Abrasionsmaterial und eine kleine Menge eines Dispersionsmittels, um die Zusammenballung oder Aggregation des Abrasions- oder Abriebmaterials zu verhindern. Um ferner zusätzlich zu einer mechanischen Polierung einen chemischen Poliervorgang vorzusehen, kann eine Säure oder ein Alkalimaterial der Abriebsaufschlemmung hinzugegeben werden.
  • Die Oberfläche des polierten Halbleiterwafers ist im allgemeinen recht verunreinigt und zwar nicht nur mit Teilchen des Halbleitermaterials, sondern auch mit solchen des Abriebmaterials. Der Zählerstand oder die Menge der Verunreinigungen an der Oberfläche des Halbleiterwafers kann bis zu 100.000 Teilchen pro Wafer erreichen und es ist erforderlich, diesen Zählerstand oder diese Menge auf ungefähr 100 Teilchen pro Wafer durch irgendein effizientes Verfahren abzusenken.
  • Die konventionelle Poliervorrichtung könnte nicht in einem Reinraum angeordnet werden, weil die Staubteilchen durch die Poliervorrichtung selbst erzeugt werden. Sobald die Verunreinigungen, welche an der Oberfläche des polierten Halbleiterwafers anhaften, getrocknet sind, ist es schwer, die Verunreinigungen durch Reinigen zu entfernen. Die vorliegende Erfindung sieht daher vor, die polierten Halbleiterwafer in Wasser aufzubewahren und zwar unmittelbar nach dem Poliervorgang und zwar insbesondere in einem speziell konstruierten Wasser enthaltenden Träger, der in den Reinraum gebracht wird, so daß die Halbleiterwafer in einer Reinigungsvorrichtung gereinigt werden können.
  • Bei der konventionellen Vorrichtung ist jedoch die Reinigungsvorrichtung abgelegen gegenüber der Poliervorrichtung und die Halbleiterwafer müssen von der Poliervorrichtung zu der Reinigungsvorrichtung in einem solchen Zustand gebracht werden, daß sie in Wasser aufbewahrt werden, wodurch die Produktivität der Halbleiterwaferherstellung sinkt. Da ferner die Reinigungsvorrichtung selbst recht verunreinigt wird durch die Staubteilchen, die an den Halbleiterwafern anhaften, ist es nicht möglich, allgemeine im Reinraum vorhandene Reinigungsvorrichtungen einzusetzen. Das heißt, es muß eine spezielle Reingigungsmaschine vorgesehen werden, die exklusiv zur Reinigung der polierten Halbleiterwafer dient. Dies bedeutet, hohe Kosten für die zu verwendenden Anlagen.
  • Speziell sei zum Stand der Technik auf folgende Druckschriften hingewiesen:
    Die DE 31 48 957 A1 betrifft ein Verfahren zur rückseitigen Oberflächenbehandlung von Halbleiterscheiben bei dem eine Halbleiterscheibe durch einen Zylinder poliert und ferner durch die Reinigungsdüsen gereinigt wird. Darauffolgend wird diese durch Trockenrollen sowie einen Ventilator getrocknet, worauf unmittelbar nach dem Trocknen eine Oxidierung erfolgt.
  • Die WO 87/02608 A1 betrifft ein automatisches Poliersystem bei dem der Wafer durch dieses poliert wird und, sodann mittels des Roboters weiter transportiert wird, um schließlich mit einer Bürste gereinigt zu werden, worauf eine Aufbewahrung im Wasser in einer Schlittenanordnung erfolgt.
  • Gemäß der Druckschrift FR 2 696 429 A1 wird ein automatisches Transfersystem vorgesehen, um den Transport einer Kassette sicherzustellen. Allerdings zeigt diese Druckschrift keine Poliervorrichtung.
  • Die JP H05-223300 A bezeichnet voneinander getrennte Raumkörper, wobei in jeder Raumeinheit Luft innerhalb dieses Raums mittels einer Ventilatoreinheit (Luftzirkulationsmittel) in Umlauf gebracht wird. Dabei sind ”Liftdiffuservorrichtungen” oder Türen vorgesehen und zwar in Öffnungen der Raumeinheitskörper. Fernerhin ist ein Raum in einem Kupplungsabschnitt der entsprechenden Körper oder ein Saugschlauch vorgesehen, und zwar in dem Raum, wodurch der Einfluss der benachbarten Körper aufeinander verhindert wird. Diese Druckschrift zeigt aber keinerlei Ausstoßmittel zum Ausstoßen von Umgebungsluft von sowohl dem Polierabschnitt als auch dem Reinigungsabschnitt, und zwar gesondert und unabhängig.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde eine Poliervorrichtung vorzusehen, die in einem Reinraum eingebaut bzw. in diesem verwendet werden kann, wobei die Umgebungsatmosphäre in dem Reinraum nicht verunreinigt wird, und die Halbleiterwafer poliert, gereinigt und getrocknet, an die nächste Verarbeitungsstation unter Verwendung regulärer Träger, wie sie im Reinraum im allgemeinen verfügbar sind, abgegeben werden können.
  • Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die Erfindung eine Poliervorrichtung gemäß Anspruch 1 vor. Bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
  • Erfindungsgemäß sind bei der Poliervorrichtung der Polierabschnitt und der Reinigungsabschnitt in der Gehäuseeinheit untergebracht, und die zwei Abschnitte sind voneinander durch die Unterteilungswand getrennt. Daher kann die gesamte Poliervorrichtung in einem Reinraum angeordnet werden, ohne dass die Reinraumatmosphäre verunreinigt wird. Die Halbleiterwafer können innerhalb der Poliervorrichtung poliert und gereinigt werden, und unter Verwendung regulärer allgemein in dem Reinraum verfügbaren Träger zu den nächsten Verarbeitungsstationen transferiert werden. Die zwei Abschnitte der Poliervorrichtung sind durch die Unterteilungswand getrennt und besitzen eine Öffnung, die mit einem Verschluß verschlossen ist, und die Umgebungsatmosphären im Polierabschnitt und im Reinigungsabschnitt werden gesondert und unabhängig voneinander abgesaugt oder gereinigt. Diese Anordnung verhindert, daß irgendwelche Staubteilchen, wie beispielsweise Nebel aus der Abriebsaufschlemmung und abgeschliffenes Material erzeugt während des Poliervorgangs den Reinraum verunreinigen, und zwar entweder dadurch, daß man den Polierabschnitt auf einem niedrigeren Druck als dem Druck im Reingigungsabschnitt hält, oder aber dadurch, daß man einen Verschluß schließt, der für das Öffnen der Unterteilungswand vorgesehen ist. Auch beide Maßnahmen können gleichzeitig vorgesehen sein.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist eine Poliervorrichtung zum Polieren einer Oberfläche eines Werkstücks vorgesehen, die folgendes aufweist: eine Gehäuseeinheit; eine Unterteilungswand, welche einen Innenraum der Gehäuseeinheit in eine erste und eine zweite Kammer unterteilt, wobei die Unterteilungwand eine erste Öffnung aufweist, um den Hindurchtritt des Werkstücks zu gestatten; einen Polierabschnitt mit einem Drehtisch mit einem Abriebstuch befestigt an einer Oberseite des Drehtischs und mit einem oberen Ring oder oberen Befestigungselement positioniert oberhalb des Drehtischs zum Tragen des Werkstücks, welches poliert werden soll und zum Pressen des Werkstücks gegen das Abriebstuch, wobei der Polierabschnitt in der ersten Kammer angeordnet ist; einen Reinigungsabschnitt zum Reinigen des polierten Werkstücks, wobei dieser Reinigungsabschnitt in der zweiten Kammer angeordnet ist; eine Transfer oder Transportvorrichtung zum Transportieren oder Übertragen des polierten Werkstücks vom Polierabschnitt zu dem Reinigungsabschnitt durch die erste Öffnung; und Ausstoß oder Absaugmittel zum Ausstoßen von Umgebungsluft vom Polierabschnitt, insbesondere von jeweils dem Polierabschnitt und dem Reinigungsabschitt; wobei der Reinigungsabschnitt eine Reinigungseinheit aufweist zum Reinigen des Werkstücks, während Reinigungslösungsmittel geliefert wird und ferner mit einer Trocknungseinheit zum Trocknen des Werkstücks, welches gereinigt wurde.
  • Bei der oben beschriebenen Poliervorrichtung ist insbesondere vorgesehen, daß ein Werkstück, wie beispielsweise ein Halbleiterwafer in dem Polierabschnitt poliert wird, wobei das polierte Werkstück vom Polierabschnitt zum Reinigungsabschnitt transportiert wird, worauf dann das Werkstück in dem Reinigungsabschnitt gereinigt und getrocknet wird. Daher ist das von der Poliervorrichtung abgegebene Werkstück in einem sauberen und trockenen Zustand.
  • Weitere Vorteile, Ziele und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung; in der Zeichnung zeigt:
  • 1 eine Schnittansicht einer Poliervorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
  • 2 eine geschnittene Draufsicht auf die Poliervorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
  • 3 eine perspektivische Ansicht einer Poliervorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
  • 4A eine perspektivische Ansicht des inneren der Poliervorrichtung der 3;
  • 4B eine perspektivische Ansicht einer in 4A gezeigten Kassette;
  • 5 eine Seitenansicht der Innenanordnung der Poliervorrichtung der 3;
  • 6 eine Querschnittsdraufsicht der Poliervorrichtung der 3;
  • 7 eine schematische Darstellung der Luftströmung in der Poliervorrichtung der 3;
  • 8 eine schematische Darstellung der Bewegung der Halbleiterwafer in der Poliervorrichtung gemäß 3;
  • 9 eine perspektivische Ansicht der Poliervorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
  • 10 eine Seitenansicht der Innenanordnung der Poliervorrichtung gemäß 9; und
  • 11 eine Seitenansicht der Innenanordnung einer Poliervorrichtung gemäß einer Abwandlung des dritten Ausführungsbeispiels der Erfindung.
  • Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele
  • Eine Poliervorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung sei nunmehr unter Bezugnahme auf die 1 und 2 beschrieben.
  • Wie man in den 1 und 2 erkennt, besitzt eine Poliervorrichtung eine Gehäuseeinheit 1 mit Seitenwänden, einer oberen Wand und einer Bodenwand, wobei darinnen ein Polierabschnitt 2 untergebracht ist zum Polieren von Halbleiterwafern und ferner ist ein Reinigungsabschnitt 30 vorgesehen zum Reinigen der polierten Halbleiterwafer. Das Innere der Gehäuseeinheit 1 ist durch eine Unterteilungswand 22 in eine erste Kammer 48 und eine zweite Kammer 49 unterteilt. Der Polierabschnitt 2 ist in der ersten Kammer 48 angeordnet und der Reinigungsabschnitt 30 ist in der zweiten Kammer 49 angeordnet.
  • Der Polierabschnitt weist einen Drehtisch 3 und ein Halteelement- oder einen oberen Ring 5 auf, um ein Halbleiterwafer 4 zu halten und dieses gegen den Drehtisch 3 zu drücken. Der Drehtisch 3 ist mit einem Motor M1 gekuppelt. Ein Abriebs- oder Poliertuch 7 ist an der Oberfläche des Drehtischs 3 angebracht. Der obere Ring 5 ist mit einem Ringkopf 8 gekuppelt, der mit einem oberen Ringmotor M2 versehen ist und zwar zum Drehen des oberen Rings und ferner ist ein Luftzylinder 11 zur Vertikalbewegung des oberen Rings 5 vorgesehen, wodurch der obere Ring 5 auf und ab bewegbar ist und drehbar ist um eine Achse des oberen Rings 5. Der obere Ringkopf 8 ist über den Drehtisch 3 entlang Führungsschienen 9 bewegbar. Eine Abriebsaufschlemmung enthält Abriebsmaterial wie beispielsweise Silziumdioxid (SiO2) und Cerdioxid (CeO2) und zwar geliefert von einer Düse 10 auf die Oberseite des Poliertuchs 7.
  • Eine Ladevorrichtung 12 zum Liefern von Halbleiterwafern 4 an den oberen Ring 5 weist eine erste Transfereinheit 13, einen Inverter (Umdrehvorrichtung) 14 und eine zweite Transfereinheit 15 auf. Die erste Transfereinheit 13 nimmt den Halbleiterwafer 4 von einer Kassette 17 angeordnet an einer Kassettenstation 16 und transferiert den Halbleiterwafer 4 zum Inverter 14, der den Halbleiterwafer 14 invertiert oder umdreht, so daß die zu polierende Oberfläche nach unten weist. Der umgedrehte Halbleiterwafer 4 wird von der ersten Transfereinheit 13 empfangen und zur zweiten Transfereinheit 15 transferiert.
  • Die zweite Transfereinheit 15 weist ein Waferhalteglied 19 auf, um den Halbleiterwafer 4 zu halten und ferner weist die Einheit 15 ein Schraubstange 20 auf, die zur Vertikalbewegung des Waferhalteglieds 19 dient und das von der ersten Transfereinheit 13 transferierte Halbleiterwafer zum oberen Ring 5 transferiert.
  • Sodann wird der Wafer 4 dadurch poliert, daß man diesen gegen das Poliertuch 7 am Drehtisch 3 drückt. Nachdem der Poliervorgang vollendet ist, wird der Halbleiterwafer 4 zu einer Position oberhalb einer Wafertragstation 21 transferiert, und zwar durch den oberen Ring 5, der sich integral mit dem oberen Ringkopf 8 entlang der Führungsschienen 9 bewegt. Der Halbleiterwafer 9 wird von dem oberen Ring 5 entfernt und auf der Wafertragstation 21 plaziert.
  • Die den Polierabschnitt 2 von dem Reinigungsabschitt 30 trennende Unterteilungswand 22 besitzt eine Öffnung 22a. Ein Verschluß 23 ist an der Öffnung 22a angeordnet, um als ein Tor für die Öffnung 22a zu wirken. Ein Inverter oder eine Umwendvorrichtung 24 ist benachbart zu der Unterteilungswand 22 angeordnet. Der Inverter 24 weist eine Inverterwelle 25 auf, ferner einen Inverterbetätiger 26 und einen Inverterarm 27. Der Arm 27 wird durch den Betätiger 26 durch die Inverterwelle 25 verdreht.
  • Wenn der Verschluß 23 offen ist, so dreht sich der Inverterarm 27 und hält den Halbleiterwafer 4 plaziert auf der Wafertragstation 21 durch Vakuumansaugen, und der Halbleiterwafer 4 wird invertiert während er zu der Reinigungsstation 20 transportiert wird und zwar durch die Umkehrbewegung des Inverterarms 27 durch die Öffnung 22a.
  • Der Reinigungsabschnitt 30 weist eine erste Stufe besitzende Reinigungseinheit 31 auf, um eine Primärreinigung des polierten Halbleiterwafers 4 auszuführen und ferner weist der Reinigungsabschnitt 30 eine zweite Stufe einer Reinigungseinheit 40 auf, um eine sekundäre Reinigung des Halbleiterwafers 4 auszuführen. Die erste-Stufe-Reinigungseinheit 31 weist folgendes auf: eine Vielzahl von Rollen 32 zum Halten des Außenumfangs des Halbleiterwafers 4 und zum Drehen des Halbleiterwafers 4; eine Schwammrolle oder eine Schwammwalze 33 zum Schrubben des Halbleiterwafers 4, und eine Reinigungslösungsmittelversorgungsleitung 34 zum Liefern von Reinigungslösungsmitteln wie beispielsweise Wasser zu dem Halbleiterwafer 4. Während der Halbleiterwafer 4 durch die Rollen 32 gehalten ist, wird der Halbleiterwafer 4 durch die Rollen 32 angetrieben durch einen (nicht gezeigten) Motor gedreht. Der primäre Reinigungsprozeß wird ausgeführt während die Schwammrolle 33 gegen den Halbleiterwafer 4 gedrückt wird, während Reinigungslösungsmittel an den Halbleiter von dem Halbleiterlösungsmittelversorgungsrohr 34 geliefert wird. Der der primären Reinigung unterworfene Halbleiterwafer 4 wird zu der zweiten Stufe-Reinigungseinheit 40 durch eine dritte Transfereinheit 35 transferiert oder transportiert.
  • Die dritte Transfereinheit 35 weist eine Waferhaltestation 36 auf, einen, Waferhalteglied 37 oberhalb der Waferhaltestation 36, einen Motor 38 zum Drehen der Waferhaltestation 36 und eine Schraubenstange 39 zur Bewegung der Waferhaltestation 36 in Vertikalrichtung. Das Waferhalteglied 37 bewegt sich in horizontaler Richtung angedeutet durch einen Pfeil in 1 und sieht die Handhabung des Halbleiterwafers 4 vor, der weg von der Waferhaltestation 36 positioniert ist. Nach dem Empfang des Halbleiterwafers 4, der der primären Reinigung unterworfen war, sieht die dritte Transfereinheit 35, das Waferhalteglied 37 zurück und bewegt den Halbleiterwafer 4 zu einer Position oberhalb der Waferhaltestation 36. Sodann senkt die dritte Transfereinheit 35 die Waferhaltestation 36 ab, während die Waferhaltestation 36 gedreht wird und transferiert den Halbleiterwafer 4 zu der zweite-Stufe-Reinigungseinheit 40 durch erneutes Ausfahren des Waferhalteglieds 37.
  • Eine zweite-Stufe-Reinigungeinheit 40 weist eine Waferhaltestation 41 auf und ferner einen Motor 42 zum Drehen der Waferhaltestation 41, einen Reinigungsschwamm 43 zum Schrubben des Halbleiterwafers 4 und ein Reinigungslösungsmittelversorgungsrohr 44 zum Liefern von Reinigungslösungsmittel wie beispielsweise Wasser an den Halbleiterwafer 4. Der Wafer 4 wird auf der Waferhaltestation 41 gereinigt und zwar durch Lieferung von Reinigungslösungsmittel an den Halbleiterwafer 4 von dem Reinigungslösungsmittelversorgungsrohr 44 und durch Drücken des Reinigungsschwamms 43 gegen den Halbleiterwafer 4. Nachdem der Reinigungsprozeß vollendet ist, wird der Schwamm 43 zurückgezogen, die Wasserversorgung wird gestoppt und der Halbleiterwafer 4 wird durch schnelles Drehen der Waferhaltestation 41 mit hoher Geschwindigkeit durch den Motor 42 getrocknet.
  • Nachdem der sekundäre Reinigungsvorgang und das Drehtrocknen vollendet sind, wird der Halbleiterwafer 4 wiederum durch das Waferhalteglied 37 der dritten Transfereinheit 35 aufgenommen und wird zu einer Position oberhalb der Waferhaltestation 36 bewegt. Die Waferhaltestation 36 wird während ihrer Drehung angehoben und das Waferhalteglied 37 wird ausgefahren, um den polierten, gereinigten und getrockneten Halbleiterwafer in der Kassette 45 aufzubewahren.
  • Der Polierabschnitt 2 und der Reinigungsabschnitt 30 sind jeweils mit Auslaßkanälen 46 bzw. 47 ausgestattet, um Umgebungsluft im Polierabschnitt 2 und Reinigungsabschnitt 30 gesondert und unabhängig auszustoßen.
  • Im folgenden wird die Arbeitsweise der Poliervorrichtung gemäß den 1 und 2 erläutert.
  • Ein Halbleiterwafer 4 wird aus der Kassette 17 entnommen und an der Kassettenstation 16 angeordnet, und zwar mittels eines Zungengliedes 13a der ersten Transfereinheit 13, sodann erfolgt der Transfer zu dem Inverter 14. Der Halbleiterwafer 4 wird durch den Inverter 14 invertiert oder umgedreht, so daß die zu polierende Oberfläche nach unten weist, wobei der Halbleiterwafer von der ersten Transferteinheit 13 aufgenommen wird und auf das Waferhalteglied 19 der zweiten Transfereinheit 15 übertragen oder transferiert wird.
  • Als nächstes bewegt sich der obere Ringkopf 8 entlang der Führungsschiene 9, so daß das Element oder der obere Ring 5 oberhalb des Waferhalteglieds 19 der zweiten Transfereinheit 15 angeordnet ist. Das Waferhalteglied 19 wird sodann angehoben, um den Halbleiterwafer 4, der darauf gehalten ist, zu dem oberen Ring 5 zu übertragen.
  • Der obere Ring 5 hält den Halbleiterwafer 4 und bewegt sich zu einer Polierposition oberhalb des Drehtisches 5. Der Drehtisch 3 und der obere Ring 5 werden in Rotation versetzt und die Abriebsaufschlemmung, die das Abriebsmaterial enthält wird von der Düse 10 zur Oberseite des Abriebstuchs oder Poliertuchs 7 auf dem Drehtisch 3 geliefert. Der obere Ring 5 wird abgesenkt und drückt den Halbleiterwafer 4 gegen das Poliertuch 7, wodurch das Halbleiterwafer 4 poliert wird.
  • Nachdem der Poliervorgang vollendet ist, bewegt sich der obere Ringkopf 8 entlang der Führungsschienen 9 und der das Halbleiterwafer 4 haltende obere Ring 5 ist direkt oberhalb der Wafertragstation 21 positioniert. Sodann wird der Halbleiterwafer 4 vom oberen Ring 5 entfernt und an der Wafertragstation 21 plaziert. Nunmehr bewegt sich der obere Ring 5 zu der zweiten Transfereinheit 15 hin, um den nächsten Poliervorgang eines weiteren Halbleiterwafers auszuführen.
  • Wenn der polierte Halbleiterwafer 4 auf der Wafertragstation 21 angeordnet ist, so wird der Verschluß 23 geöffnet und der Invertierarm 27 des Inverters 24 wird verdreht und oberhalb des Halbleiterwafers 4 positioniert, um den Halbleiterwafer 4 durch Vakuumansaugung aufzunehmen. Der Halbleiterwafer 4 wird sodann durch die umgekehrte Drehung des Armes 27 umgedreht und zu der erste-Stufe-Reinigungseinheit 31 transferiert. Zu dieser Zeit ist die Öffnung 22a der Unterteilungswand 22 in einer Öffnungsposition, um zu gestatten, daß der den Halbleiterwafer 4 haltende Arm 27 hindurchlaufen kann. Wenn der Halbleiterwafer 4 und der Arm 27 durch die Öffnung 22a gelaufen sind und vollständig in den Reinigungsabschnitt 30 bewegt sind, so wird die Öffnung 22a durch Schließen des Verschlusses 23 geschlossen.
  • Nachdem der Halbleiterwafer zu der erste-Stufe-Reinigungseinheit 31 durch den Arm 27 transferiert wurde, zieht sich der Arm 27 nach unten zurück. In der erste-Stufe-Reinigungs-Einheit 31 wird der Halbleiterwafer durch die Rollen 32 gehalten und durch die Rollen 32 verdreht. Die Primärreinigung wird ausgeführt durch Rotation des Halbleiterwafers 4 und durch Pressen der Schwammrolle 33 gegen den Halbleiterwafer 4 während Reinigungslösungsmittel von dem Reinigungslösungsversorgungsrohr 34 zu dem Halbleiterwafer 4 geliefert wird.
  • Der der primären Reinigung ausgesetzte Halbleiterwafer 4 wird durch die dritte Transfereinheit 35 empfangen. Nach dem Empfang des Halbleiterwafer 4 zieht die dritte Transfereinheit 35 das Waferhalteglied 37 zurück, um den Halbleiterwafer 4 oberhalb der Waferhaltestation 36 zu positionieren. Sodann wird die Waferhaltestation 36 abgesenkt, während sie gedreht wird und der Halbleiterwafer 4 wird zu der zweiten-Stufe-Reinigungseinheit 40 dadurch transferiert, daß das Waferhalteglied 37 wieder ausgefahren wird.
  • In der zweiten-Stufe-Reinigungseinheit 40 wird das Halbleiterwafer 4 durch die Waferhaltestation 41 gedreht und dadurch gereinigt, daß an den Reinigungsschwamm 43 gegen den Halbleiterwafer 4 drückt, während von dem Reinigungslösungsmittelversorgungsrohr 44 Reinigungslösungsmittel an den Halbleiterwafer 4 geliefert werden. Nachdem die Sekundärreinigung vollendet ist, wird der Reinigungsschwamm 43 zurückgezogen, die Wasserversorgung wird gestoppt und die Drehgeschwindigkeit bzw. die Drehzahl des Motors 42 wird erhöht, um die Waferhaltestation 41 mit einer hohen Drehzahl zu drehen, wodurch die Drehtrocknung des Halbleiterwafers 4 bewirkt wird.
  • Der der sekundären Reinigung und der Trockung ausgesetzte Halbleiterwafer 4 wird wiederum aufgenommen durch das Waferhalteglied 37 der dritten Transfereinheit 35. Nachdem der Halbleiterwafer 4 zu einer Position oberhalb der Waferhaltestation 36 bewegt wurde, wird die Waferhaltestation 36 angehoben während sie gedreht wird und das Waferhalteglied 37 wird ausgefahren, um den Halbleiterwafer 4 in die Kassette 45 zu transferieren.
  • Bei dem oben beschriebenen Polierverfahren wird der Eintritt von Nebel aus der Abriebsaufschlemmung und abgeschliffenen Teilchen des Halbleiterwafers vom Polierabschnitt 2 in den Reinigungsabschnitt 30 in effektiver Weise durch die zwischen dem Polierabschnitt 2 der Reinigungsstation 30 angeordnete Unterteilungswand 22 verhindert. Zusätzlich zu diesem strukturellen Merkmal der Poliervorrichtung sind gesonderte Ausstoßsysteme vorgesehen und zwar einschließlich der Ausstoßleitungen 46 und 47, um die Verunreinigung des Reinigungsabschnitts 30 zu verhindern. Dadurch, daß man den Innendruck des Polierabschnitts 2 niedriger hält als den Druck in dem Reinigungsabschnitt 30, ist es möglich, den an der Unterteilungswand 22 vorgesehenen Verschluß wegzulassen.
  • Wie sich aus der vorstehenden Beschreibung ergibt, ist es möglich, da der Polierabschnitt 2 und der Reinigungsabschnitt 30 in der Gehäuseinheit 1 untergebracht sind und zwar mit den Seitenwänden, der oberen Wand und der unteren Wand, sowie getrennt voneinander durch die Unterteilungswand 22, die Poliervorrichtung in einem Reinraum zu installieren, und es ist ferner möglich, den Halbleiterwafer 4 zu polieren und zu reinigen ohne die Reinraumatmosphäre durch Nebel und Staubteilchen erzeugt während des Polierens und des Reinigens zu verunreinigen. Ferner kann ein regulärer Waferträger im Reinraum verwendet werden, um die polierten, gereinigten und getrockneten Halbleiterwafer zu der nächsten Verarbeitungsstation zu transferieren.
  • Da ferner der Polierabschnitt 2 und der Reinigungsabschnitt 30 durch die Unterteilungswand 22 mit dem Verschluß 23 getrennt sind und gesonderte Ausstoß- oder Absaugsysteme einschließlich der Leitungen 46 und 47 für jeden Polierabschnitt 2 und Reinigungsabschnitt 30 vorgesehen sind, wird verhindert, daß der Nebel aus Abriebsaufschlemmung und abgeschliffenen Teilchen des Halbleiterwafers aus dem Polierabschnitt 2 in den Reinigungsabschnitt 30 eintritt.
  • Im folgenden wird unter Bezugnahme auf die 3-8 eine Poliervorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel beschrieben.
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht einer Poliervorrichtung 50, die in einem Reinraum installiert ist. Eine Wand 53 mit einer Seitenwand 53A unterteilt den Reinraum in eine Arbeitszone 54 mit einem hohen Ausmaß an Reinheit und eine Nutzzone 55 mit einem niedrigen Ausmaß an Reinheit. Die Seitenwand 53A ist mit einer Kassettenliefer- oder Zuführöffnung 51 und einer Betätigertafel 52 versehen. Die Poliervorrichtung 50 ist eine umschlossene Struktur und zwar durch eine Gehäuseeinheit, die Seitenwände 53A, 53B und eine Decke 53C aufweist und einen Lade/Entladeabschnitt enthält zur Lieferung einer Kassette, die eine Vielzahl von Halbleiterwafern speichert, wobei ferner ein Transferabschnitt zum Transfer der Halbleiterwafer vorgesehen ist, ein Polierabschnitt zum Polieren der Halbleiterwafer, eine Reinigungseinheit zum Reinigen der Halbleiterwafer, die poliert wurden und schließlich mit einer Steuereinheit zur Steuerung des Betriebs der gesamten Vorrichtung. Alle diese Einheiten sind auf einer gemeinsamen Basis angebracht. Die gesamte Struktur der Poliervorrichtung ist durch die Seitenwände 53A, 53B und die Decke 53C umschlossen und somit in der Form eines Kastens.
  • 4A zeigt das Innere der Poliervorrichtung 50. Obwohl der Polierabschnitt 56 und alle anderen Abschnitte wie Lade/Entladeabschnitt 57, Transferabschnitt 58, Reinigungsabschnitt 59 und Steuerabschnitt 60 auf der gemeinsamen Basis 62 installiert sind, ist nur die letzt genannte Gruppe von Abschnitten vom Polierabschnitt 56 durch eine Unterteilungswand 61 isoliert oder getrennt. Die Unterteilungswand 61 besitzt eine Öffnung 71, welche den Hindurchtritt des Halbleiterwafers 4 gestattet.
  • 4B zeigt die Kassette 63 mit einer Vielzahl von Speicher- oder Aufbewahrungsregalen 67, auf denen die Halbleiterwafer 4 plaziert sind.
  • Wie man in 4A erkennt wird die von der Kassettenzuführöffnung 51 (vgl. 3) eingesetzte Kassette 63 auf einer Stufe 64 des Lade/Entladeabschnitts 57 plaziert und die Anzahl der Halbleiterwafer 4 und die Position der Speicherregale 67 werden mittels eines Sensors 65 detektiert und die Detektionsdaten werden in einem Computer 68 im Steuerabschnitt 60 gespeichert. Nachdem die obige Detektierung vollendet ist, nimmt ein Finger 70 eines Roboters 69 angeordnet am Transferabschnitt 58 ein Halbleiterwafer 4 aus der Kassette 63 heraus und zwar einen nach dem anderen.
  • Der aus der Kassette 63 herausgenommene Halbleiterwafer 4 wird zum Durchtritt durch die Öffnung 71 veranlaßt, wie dies in 4A gezeigt ist, und zwar handelt es sich dabei um die Öffnung 71 in der Unterteilungswand 61, wobei der Halbleiterwafer 4 durch den Finger 70 des Roboters 69 gehalten wird. Der Halbleiterwafer 4 wird durch den oberen Ring 5 in dem Polierabschnitt 56 gehalten. Der durch den oberen Ring 5 gehaltene Halbleiterwafer 4 wird dadurch poliert, daß man den Halbleiterwafer 4 gegen das Abriebstuch 7 auf dem Drehtisch 3 drückt, wobei Abriebaufschlemmung an das Abrieb- oder Poliertuch 7 geliefert wird.
  • Der polierte Halbleiterwafer 4 wird durch den Roboter 69 zum Reinigungsabschnitt 59 transferiert, der eine Reinigungseinheit 74 und eine Trockeneinheit 75 aufweist. Nachdem das Reinigen des Halbleiterwafer 4 in der Reinigungseinheit 74 vollendet ist, wird der Halbleiterwafer 4 in der Trockeneinheit 75 getrocknet. Nachdem der Halbleiterwafer 4 getrocknet ist, wird der Halbleiterwafer 4 von dem Reinigungsabschnitt 59 durch den Roboter 69 auf das Speicherregal 67 der Kassette 63 transferiert. Durch die obigen Operationen wird eine Folge von Polier- und Reinigungsvorgängen des Halbleiterwafers ausgeführt und andere Halbleiterwafer 4 werden in der gleichen Art und Weise verarbeitet. Wenn alle Halbleiterwafer 4 in der Kassette 63 verarbeitet sind, dann wird die die polierten und gereinigten Halbleiterwafer 4 enthaltene Kassette 63 mit einer anderen Kassette 63 ersetzt, die zu polierende und zu reinigende Halbleiterwafer 4 enthält.
  • 5 ist eine Seitenansicht des Inneren der Poliervorrichtung 50. Die Poliervorrichtung 50 ist durch die Unterteilungswand 61 in einer erste Kammer 77 und eine zweite Kammer 76 unterteilt. Der Polierabschnitt 56 ist in der ersten Kammer 77 angeordnet und der Lade/Entladeabschnitt 57, der Transferabschnitt 58, der Reinigungsabschnitt 59 und der Steuerabschnitt 60 sind in der zweiten Kammer 76 angeordnet.
  • Innerhalb der ersten Kammer 77 ist ein Trog 88 vorgesehen, und zwar um den Außenumfang des Drehtischs 3 herum, um zu verhindern, daß Aufschlemmungen oder dergleichen verstreut wird oder vielmehr im Trog gesammelt wird. Der Trog 88 und eine sich vom Trog 88 horizontal erstreckende Wand dienen zu Trennung der ersten Kammer 77 in eine obere Kammer 77a und eine untere Kammer 77b. Wie man in 5 erkennt, ist die obere Kammer 77a mit einer oberen Leitung 79 versehen, die einen Dämpfer 80 aufweist und die untere Kammer 77b mit einem unteren Kanal 81 mit einem Dämpfer 82 versehen. Die Kanäle 79 und 81 sind in einem Hauptkanal 93 vereinigt und zwar mit einer Auslaßöffnung 83a verbunden mit einem Auslaßrohr 95 (vgl. 3), welches sich von dem Reinraum in eine äußere Umgebung erstreckt.
  • Während des Poliervorgangs erzeugter Nebel wird von der Auslaßöffnung 83a durch die Oberleitung 79 und die Hauptleitung 83 ausgestoßen. Die von dem Antriebsriemen des Antriebsabschnitts 64 für den Drehtisch 3 erzeugten Staubteilchen werden von der Auslaßöffnung 83a durch den unteren Kanal 81 und die Hauptleitung oder den Hauptkanal 83 ausgestoßen. Ferner werden die Nebel und Staubteilchen aus der ersten Kammer 77 zu einer äußeren Umgebung durch das Auslaßrohr 95 abgegeben. Die Unterteilungswand 61 ist mit einer Öffnung 86 versehen und zwar gesondert von der Öffnung 71. Bewegliche Verschließmittel oder Jalousien 85 sind an der Öffnung 86 vorgesehen, um die Öffnungsfläche der Öffnung 86 einzustellen.
  • Die Einlaßluft wird in die obere Kammer 77a in der folgenden Art und Weise eingeführt. Als erstes wird Luft mit hoher Reinheit von der Arbeitszone 54 in die zweite Kammer 76 durch die Waferzuführöffnung 51 eingeführt. Die Luft läuft dann durch die Öffnung 71 der Unterteilungswand 61 und die Öffnung 86, deren Öffnungsfläche in geeigneter Weise eingestellt wurde durch die Jalousien 85 und tritt dann in die obere Kammer 77a ein. Die Strömungsrate wird durch die Einstellung der Jalousien 85 und das Ventil 80 reguliert.
  • Die Menge der die untere Kammer 77b verlassenden Staubteilchen ist wesentlich kleiner als die Menge an Nebel aus Abriebsaufschlemmung von der oberen Kammer 77. Daher muß nur ein kleines Volumen an Luft von der unteren Kammer 77b fließen und somit ist das Öffnungsausmaß des Ventils 82 klein, um so einen geringfügig negativen Druck in der unteren Kammer 77b zu erzeugen. Eine kleine Luftmenge entsprechend der ausgestoßenen Luftmenge wird an die untere Kammer 77b geliefert, und zwar durch einen kleinen Zwischenraum zwischen den baulichen Gliedern.
  • Die Reinigungseinheit 74 und die Trocknungseinheit 75 angeordnet im Reinigungsabschnitt 59 in der zweiten Kammer 76 sind mit entsprechenden Auslaßleitungen 87a und 87b versehen, die Einstellventile 88' bzw. 89 besitzen. Die Leitungen 87a und 87b sind in eine Hauptleitung 90 vereinigt, und zwar mit einer Auslaßöffnung 90a verbunden mit dem Auslaßrohr 95 (vgl. 3). Daher wird der von der Reinigungseinheit 74 und der Trockeneinheit 75 erzeugte Nebel von der Auslaßöffnung 90a ausgestoßen, und zwar durch die Leitungen 87a und 87b und die Hauptleitung 90 und die Abgabe erfolgt an eine Außenumgebung durch das Auslaßrohr 95. Die Eingangsluft entsprechend der Ausgangsluft wird von der gemeinsamen Quelle von Nachfülluft an die zweite Kammer 76 geliefert und zwar durch die Waferzuführöffnung 51 und die Strömungsrate wird durch die Ventile 88 und 89 eingestellt.
  • Ein Verschluß ist an der Öffnung 71 der Unterteilungswand 61 vorgesehen und wird hauptsächlich für die Zwecke der Wartung verwendet. Wenn die erste Kammer 77 zur Zeit der Wartung offen ist, so wird der Verschluß 91 geschlossen, so daß der Staub nicht aus der ersten Kammer 77 in die zweite Kammer 76 durch die Öffnung 71 fließt.
  • Es ist hier möglich, anstelle der beweglichen Jalousien 85 die Öffnung 86 derart anzuordnen, daß die Öffnungsfläche der Öffnung 86 eingestellt werden kann, und ein Verschluß kann vorgesehen sein, um die Öffnung 86 zu öffnen und zu schließen. Ebenfalls können anstelle eines Verschlußes Schließmittel wie beispielsweise eine Tür verwendet werden.
  • 6 zeigt eine Querschnittsdraufsicht der Poliervorrichtung 50. Im Inneren der kastenförmigen Poliervorrichtung 50 sind der Polierabschnitt 56, der Reinigungsabschnitt 59, der Transferabschnitt 58 und der Steuerabschnitt 60 und dergleichen vorgesehen. Man erkennt, daß der Polierabschnitt 56 an der Innenseite angeordnet ist und zwar weg von der Arbeitszone 54.
  • Das Muster der Luftströmung durch die Poliervorrichtung 50 wird nunmehr unter Bezugnahme auf 7 beschrieben.
  • Die Luft in jeder Kammer, der ersten Kammer 77, die nur den Polierabschnitt 56 enthält und der zweiten Kammer 76, die den Reinigungsabschnitt und andere Abschnitte enthält, wird gesondert und unabhängig abgegeben oder ausgestoßen, so daß die entsprechenden Innendrücke von hoch auf niedrig abnehmen und zwar in der Reihenfolge von: Arbeitszone 54 des Reinraums, der zweiten Kammer 76 und der ersten Kammer 77. Die Luft von den ersten und zweiten Kammern 76 und 77 wird durch die Hauptleitungen 83 und 90 wie in 7 gezeigt, ausgestoßen. Die Reinluft von der Arbeitszone 54 tritt in die zweite Kammer 76 mit dem Reinigungsabschnitt 59 und anderen, ein und ein Teil der Luft fließt zu der Hauptleitung 90 in der zweiten Kammer 76. Der andere Teil, der in die zweite Kammer 76 eintretenden Reinluft läuft durch die Öffnung 71 der Unterteilungswand 61 und tritt in die erste Kammer 77 ein, die nur den Polierabschnitt 56 aufweist und sodann fließt die Luft zu der Leitung 83. Die Strömungsmuster des Reinluftstroms sind durch die Pfeile in 7 dargestellt.
  • Da die Luft von der Hochdruckseite zur Niederdruckseite geleitet wird und ausgestoßen wird, um einen Druckgradienten aufrecht zu erhalten und zwar in der Reihenfolge des Reinraums, der zweiten Kammer 76 und der ersten Kammer 77, tritt keine Gegenströmung auf. Man versteht, daß Nebel und Staubteilchen erzeugt im Polierabschnitt 56 nicht in die Reinraumzone fließen und es besteht keine Verunreinigung der Reinigungsvorrichtungen, da die hoch verunreinigte Umgebungluft nicht von der ersten Kammer 77 zur zweiten Kammer 76 fließt.
  • Ferner wird das Ausstoßen und das Einziehen der Umgebungsluft der Kammern und die Innendrücke der Kammern in der Poliervorrichtung 50 gesteuert und zwar durch Steuerung der Jalousien 85 an der Öffnung 86 und der Ventile 80, 82, 88 und 89 an den Kanälen 83 und 90. Daher kann der Luftstrom in geeigneter Weise mit einer minimalen Anzahl von Steuervorrichtungen gesteuert werden.
  • Es sei bemerkt, daß die einfache Form der Unterteilung der Innenstruktur der Poliervorrichtung 50 dazu führt, die Richtung des Luftstroms in der Poliervorrichtung festzulegen und somit die Konstruktion der Poliervorrichtung einfach zu machen, was zu einem einfachen Aufbau des Auslaßkanalsystems führt. Die vereinfachte Konstruktion sieht einen hohen Ausstoßwirkungsgrad vor, da der Druckabfall, der durch Biegungen und lange Auslaßdurchlässe oder eine komplizierte Unterteilung des Inneren der Poliervorrichtung hervorgerufen werden kann, verhindert wird.
  • Als nächstes sei die Bewegung der Halbleiterwafer innerhalb der Poliervorrichtung 50 unter Bezugnahme auf 8 beschrieben.
  • Die Halbleiterwafer von der Arbeitszone 54 werden in die Poliervorrichtung 50 gebracht und laufen dann durch die zweite Kammer 76 mit dem Reinigungsabschnitt 59 und anderen und erreichen schließlich die erste Kammer 77 mit dem Polierabschnitt 56, um poliert zu werden. Das Polieren wird ausgeführt unter Verwendung eines Abriebmittels oder einer Abriebaufschlemmung und daher werden die polierten Halbleiterwafer mit restlichem Abriebaufschlemmittel verunreinigt. Die polierten Halbleiterwafer werden von der ersten Kammer 77 zu einer Reinigungsvorrichtung 59a in der zweiten Kammer 76 transferiert. Die gereinigten Halbleiterwafer werden zu einer Reinigungsvorrichtung 59b transferiert, um das Einheitsausmaß weiter zu steigern. Die Reinigungseinheit 74 weist die Reinigungsvorrichtungen 59a und 59b auf. Die gereinigten Halbleiterwafer werden in der Reinigungsvorrichtung 59b getrocknet und sodann zu der Arbeitszone 54 übertragen. Die Bewegung der Halbleiterwafer ist durch die Pfeile in 8 gezeigt.
  • Wie in den 7 und 8 gezeigt, erfolgt die Bewegung der Halbleiterwafer, die gereinigt sind und von der Poliervorrichtung abgegeben werden, entgegen der Luftströmung, daher erfolgt die Übertragung des Halbleiterwafers in das Reinigungsgebiet in der Richtung eines höheren Reinheitsausmaßes, wodurch die Verunreinigung der Halbleiterwafer während des Transferschrittes verhindert wird.
  • Um die obige Wirkung zu erzielen seien die folgenden Betrachtungen hinsichtlich der Anordnung der Halbleiterwaferreinigungsvorrichtungen berücksichtigt. Wenn eine Vielzahl von Reinigungsvorrichtungen verwendet werden soll, so werden die Reinigungsvorrichtungen mit einem fortlaufend höherem Ausmaß an Reinheit in der Gegenrichtung zum reinen Luftstrom angeordnet. Anders ausgedrückt gilt folgendes: wenn das Reinheitsausmaß eines durch eine Reinigungsvorrichtung vorgesehenen Halbleiterwafers höher liegt, so sollte die Vorrichtung an einer weiter stromabwärts gelegenen Seite des Luftstroms positioniert sein. In 8 ist dies dargestellt durch die Positionierung der Reinigungsvorrichtung 59a, 59b. Wenn das Reinheitsausmaß des Halbleiterwafers in der Reinigungsvorrichtung 59b höher ist als das in der Reinigungsvorrichtung 59a, so wird die Reinigungsvorrichtung 59b an der stromaufwärts gelegenen Seite der Reinigungsvorrichtung 59a angeordnet. Das gleiche Prinzip gilt für die Halbleiterwafer in Transit, d. h. die Halbleiterwafer, die sich zwischen der Vielzahl von Reinigungsvorrichtungen bewegen.
  • Die Poliervorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung hat die folgenden Vorteile:
    • (1) Der Reinraum und der Reinigungsabschnitt 59 sind nicht mit Verunreinigungen verunreinigt, die in dem Polierabschnitt 56 erzeugt werden.
    • (2) Die polierten und gereinigten Halbleiterwafer oder die Antriebskomponenten wie beispielsweise Motore oder Leistungsgetriebeglieder werden nicht verunreinigt mit Verunreinigungen wie beispielsweise Staubteilchen und Nebel erzeugt in dem Polierverfahren.
    • (3) Die Steuerung der Luftströmung in jeder Kammer kann durch eine minimale Anzahl von Steuervorrichtungen erreicht werden.
    • (4) Die Richtung des Luftstroms ist festgelegt und die Konstruktion des Ausstoßsystems wird vereinfacht.
    • (5) Der Druckverlust wird minimiert und eine hohe Ausstoßeffizienz wird erreicht.
  • Nunmehr wird unter Bezugnahme auf die 9 und 10 eine Poliervorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben.
  • Die Poliervorrichtung der 9 und 10 ist identisch zur Poliervorrichtung gemäß den 3–5 mit der Ausnahme, daß eine Filtereinheit 100 an der Decke 53C vorgesehen ist. Diejenigen Teile gemäß den 9 und 10, die identisch zu denjenigen der 3–5 sind, werden durch identische Bezugszeichen bezeichnet und werden im folgenden nicht mehr im einzelnen beschrieben.
  • Wie 9 zeigt, befindet sich oberhalb der Decke 53C eine Filtereinheit 100 zum Zirkulieren von Reinluft durch die zweite Kammer 76, welche den Lade/Entladeabschnitt 57, den Transferabschnitt 58 und den Reinigungsabschnitt 59 enthält.
  • 10 ist eine Seitenansicht des Inneren der Poliervorrichtung 50. Die Poliervorrichtung 50 ist die durch die Unterteilungswand 61 in eine erste Kammer 77 mit dem Polierabschnitt 56 und eine zweite Kammer 76 unterteilt, welch letztere den Lade/Entladeabschnitt 57, den Transferabschnitt 58, den Reinigungsabschnitt 59 und den Steuerabschnitt 60 besitzt.
  • Wie in 10 gezeigt, besitzt die Filtereinheit 100 einen Ventilator 101, einen Filter 102 mit einer 0,1 Mikrometer Filterkapazität und zwar angeordnet an der Austrittsseite des Ventilators 101 und einen chemischen Filter 103 zum Herausfiltern schädlicher Gase und zwar angeordnet an der Einlaßseite des Ventilators 101. Die vom Filter 102 abgegebene gereinigte Luft wird nach unten in das allgemeine Gebiet geblasen über den Bewegungsbereich des Robotors 69 und in ein Gebiet, welches die Reinigungseinheit 74 und die Trockeneinheit 75 enthält, d. h. über das Gebiet der Bewegung der Halbleiterwafer. Die Geschwindigkeit der Luftströmung liegt im Bereich von 0,3 bis 0,4 m/s, um so effektiv zu sein hinsichtlich der Verhinderung einer Querverunreinigung von benachbart angeordneten Halbleiterwafern. Ein Teil der in die obigen Gebiete geblasenen Luft strömt in die erste Kammer 77 und die entsprechenden Öffnungen der Reinigungseinheit 74 und der Trockeneinheit 75, der größte Teil der Luft steigt aber zum Boden der Poliervorrichtung 50 hinab.
  • Der Boden ist mit einem kastenförmigen Kanal oder Kanalkopf 104 versehen und zwar mit einer flachen Oberfläche. Der Kanal oder Kanalkopf 104 besitzt eine Anzahl von Öffnungen 105, deren jede Verschlußmittel oder eine Jalousie 106 aufweist und zwar zur Einstellung der Öffnungsfläche der Öffnung 105. Der Kanalkopf 104 ist mit der Filtereinheit 100 durch eine Kanalleitung oder ein Kanalrohr 107 verbunden. Die Luft, die zum Boden herabgestiegen ist, läuft durch die Öffnung 105 und strömt in den Kanalkopf 104 und wird in den chemischen Filter 103 durch das Kanalrohr 107 eingeführt.
  • Daher werden die schädlichen Gase von den nassen Halbleiterwafern 17 und die Flüssigkeitstropfen, die an dem Finger 20 des Robotors 19 anhaften und Spuren von Abriebsaufschlemmung enthalten, zusammen mit der hinabsteigenden Luftströmung durch den chemischen Filter 103 entfernt. Das Abriebsmaterial und die abgeschliffenen Teilchen des Halbleiterwafers, die mit dem Reinigungslösungsmittel herabgetropft sein können und am Boden getrocknet sind, werden daran gehindert durch die herabsteigende Luft zerstreut zu werden und ein Teil der Teilchen wird durch den Filter 102 entfernt.
  • Ergänzungsluft oder Nachfülluft wird hauptsächlich von den Luftversorgungsöffnungen 111 geliefert, deren jede Verschlußmittel oder Jalousie 110 aufweist und zwar angeordnet an der Filtereinheit 100. Eine kleine Luftmenge wird von der Kassettenöffnung 51 geliefert. Die Abstiegsgeschwindigkeit der Luft in der zweiten Kammer 76 kann dadurch eingestellt werden, daß man die Jalousien oder Öffnungsmittel 106 des Kanalkopfes 104 und auch die Öffnungsmittel 110 der Luftversorgungsöffnungen 100 für die Nachfülluft, einstellt.
  • 11 zeigt eine modifizierte Ausführung des dritten Ausführungsbeispiels gemäß den 9 und 10.
  • In diesem Ausführungsbeispiel ist die Filtereinheit 100 entfernt und die Decke der zweiten Kammer 76 ist ebenfalls entfernt. Ein Auslaß- oder Ausstoßventilator 112 ist an der Bodenoberfläche des Kanalkopfes 104 vorgesehen. Diese Art einer Vorrichtung kann in dem Fall verwendet werden, wo keine Erzeugung schädlicher Gase aus der Abriebsaufschlemmung vorliegt und die Poliervorrichtung in einem Reinraum relativ hoher Reinheit installiert ist. Es ist möglich, nur die herabströmende Umgebungsluft innerhalb des Reinraums zu verwenden. Die abwärts strömende Luft wird an einer Außenumgebung der Poliervorrichtung 50 durch den Auslaßventilator 112 abgegeben. In diesem Ausführungsbeispiel ist auch die Basis der zweiten Kammer 76 mit zahlreichen Bodenöffnungen 105 versehen, und zwar über bzw. zusätzlich zu dem Kanalkopf 104 und die Umgebungsluft wird durch den Ausstoßventilator 112 durch den Kanalkopf 104 ausgestoßen.
  • Der Kanalkopf 104 muß nicht notwendigerweise eine flache Rohrform besitzen, sondern es können auch Rohre mit anderer Gestalt verwendet werden, solange sie nur in der Lage sind, den nach unten gerichteten Fluß an Umgebungsluft aufzusammeln. Auch hängen die Betriebsparameter der Vorrichtung, wie beispielsweise die Filterfähigkeit und die Notwendigkeit eines chemischen Filters von einem speziellen Reinheitsausmaß im Reinraum ab und von der Art der Abriebsaufschlemmung, die in dem Poliervorgang verwendet werden soll.
  • Gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der 9–11 wird die Teilchenverunreinigung der Halbleiterwafer, die poliert und gereinigt wurden in der Poliervorrichtung erreicht und die Entfernung schädlicher Gase. Daher kann die Poliervorrichtung in dem Reinraum installiert werden, wodurch die Einschränkungen hinsichtlich der Produktionsbedingungen beseitigt werden, etwa hinsichtlich der Arten von verwendbarer Abriebsaufschlemmung und es ergibt sich ein höher Grad an Freiheit hinsichtlich der Anordnung des Poliervorgangs zum Zwecke der Handhabung unterschiedlicher Arten von Oberflächenschichten von Halbleiterwafern bei der Erzeugung einer großen Verschiedenheit von Halbleitervorrichtungen.
  • Die erfindungsgemäße Poliervorrichtung kann unterschiedliche Werkstücke verarbeiten, einschließlich Halbleiterwafern, Glassubstraten, und dergleichen.
  • In den zweiten und dritten Ausführungsbeispielen der 3–11 können auch die integral vorgesehene Ladestation und Entladestation unabhängig voneinander vorgesehen sein.
  • Bei der erfindungsgemäßen Poliervorrichtung wird ein Halbleiterwafer in dem Polierabschnitt poliert, der polierte Halbleiterwafer wird vom Polierabschnitt zum Reinigungsabschnitt transferiert und der Halbleiterwafer wird gereinigt und getrocknet und zwar in dem Reinigungsabschnitt. Daher wird der Halbleiterwafer von der Poliervorrichtung in einem Zustand abgegeben, wo der Halbleiterwafer sowohl sauber als auch trocken ist.
  • Zusammenfassend sieht die Erfindung folgendes vor:
    Eine Poliervorrichtung zum Polieren einer Oberfläche eines Werkstücks. Die Poliervorrichtung weist folgendes auf: eine Gehäuseeinheit, eine Unterteilungswand, welche das Innere der Gehäuseeineheit, die mindestens eine erste Kammer und eine zweite Kammer unterteilt. Ein Polierabschnitt angeordnet in der ersten Kammer und mit einem Drehtisch, mit einem Poliertuch, welches an der Oberseite des Drehtischs angebracht ist, und mit einem weiteren Element insbesondere einen oberen Ring positioniert oberhalb des Drehtischs, um das Werkstück zu tragen, welches poliert werden soll. Dabei wird das Werkstück gegen das Poliertuch gedrückt und es ist ein ferner ein Reinigungsabschnitt vorgesehen, und zwar inbesondere angeordnet in einer zweiten Kammer und zwar zum Reinigen des polierten Werkstücks. Die Poliervorrichtung weist ferner eine Poliervorrichtung auf, um das Werkstück, welches poliert wurde von dem Polierabschnitt zu dem Reinigungsabschnitt zu transferieren. Dazu ist insbesondere eine Öffnung vorgesehen und ein Aufsatzglied ist ferner um Umgebungsluft von sowohl dem Polierabschnitt als auch dem Reinigungsabschnitt gesondert unabhängig abzugeben.

Claims (24)

  1. Eine Vorrichtung zum Polieren und anschließenden Reinigen eines Halbleiterwafers (4) wobei die Vorrichtung Folgendes aufweist: eine umschlossene Struktur mit einer Außenwand und einer Unterteilung, die mindestens zwei Kammern in der umschlossenen Struktur bildet, wobei die Unterteilung eine Öffnung hat, um es dem Halbleiterwafer (4) zu gestatten, dahindurch zu gehen; einen Polierabschnitt (2) zum Polieren des Halbleiterwafers (4), wobei der Polierabschnitt (2) in einer ersten Kammer (48) der mindestens zwei Kammern angeordnet ist; eine Reinigungseinheit (74) zum Reinigen des Halbleiterwafers (4), der poliert wurde, wobei die Reinigungseinheit (74) in einer zweiten Kammer (49) der mindestens zwei Kammern angeordnet ist, wobei der Reinigungsabschnitt (30) eine Vielzahl von Reinigungseinrichtungen aufweist, die einen zunehmend höheren Grad an Reinheit des Halbleiterwafers (4) vorsehen; Transfermittel zum Transferieren des polierten Halbleiterwafers (4) von dem Polierabschnitt (2) durch die Öffnung zu der Reinigungseinheit; eine Trockeneinheit (75) zum Trocknen des Halbleiterwafers (4), der gereinigt wurde, wobei die Trockeneinheit (75) in einer anderen als der ersten Kammer (48) der mindestens zwei Kammern gelegen ist; und einen Entladeabschnitt (57) zum Aufnehmen des reinen und trockenen polierten Halbleiterwafers (4) von der Trockeneinheit (75), wobei der zu polierende Halbleiterwafer (4) in die erste Kammer (48) von den mindestens zwei Kammern durch die zweite Kammer (49) von den mindestens zwei Kammern eingeführt wird, wobei der Halbleiterwafer (4), der in der ersten Kammer (48) von den mindestens zwei Kammern poliert wurde, von der ersten Kammer (48) von den mindestens zwei Kammern zu der zweiten Kammer (49) von den mindestens zwei Kammern transferiert wird, und wobei der Halbleiterwafer (4), der in der zweiten Kammer (49) von den mindestens zwei Kammern gereinigt wurde, von der zweiten Kammer (49) von den mindestens zwei Kammern ausgegeben wird.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die umschlossene Struktur eine Gehäuseeinheit (1) aufweist.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1, die des weiteren Auslaßmittel zum Abgeben von Umgebungsluft von einem Inneren der umschlossenen Struktur aufweist.
  4. Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei die Auslaßmittel Mittel zum Abgeben von Umgebungsluft von jeder der ersten Kammer (48) der mindestens zwei Kammern und der weiteren der mindestens zwei Kammern aufweisen, und zwar gesondert und unabhängig voneinander.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei die Auslaßmittel einen Luftstrom bilden, um Innendrücke zu erzeugen, die von einem hohen Wert zu einem niedrigen Wert abnehmen, in der Reihenfolge der zweiten Kammer (49) der mindestens zwei Kammern und der ersten Kammer (48) der mindestens zwei Kammern.
  6. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Polierabschnitt (2) einen Drehtisch (3) aufweist mit einem Poliertuch (7) angebracht an der Oberseite davon und einem oberen Ring (5) positioniert oberhalb des Drehtischs (3) zum Tragen des Halbleiterwafers (4) und zum Pressen des Halbleiterwafers (4) gegen das Poliertuch (7).
  7. Poliervorrichtung (50) nach Anspruch 1, wobei die Trockeneinheit eine Einrichtung zum Schleudertrockenen des Halbleiterwafers (4) aufweist.
  8. Vorrichtung nach Anspruch 1, die des weiteren einen Verschluß (23) aufweist zum Öffnen und Schließen der Unterteilung.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 1, die des Weiteren einen Ladeabschnitt aufweist zum Aufnehmen einer Kassette (17), die eine Vielzahl von zu polierenden Halbleiterwafern (4) enthält; wobei der Entladeabschnitt eine Kassette (17) aufnimmt, die die Halbleiterwafer (4) aufnimmt, die gereinigt wurden; und wobei die Transfermittel einen Transferabschnitt (58) aufweisen zum Entfernen eines Halbleiterwafers (4) aus einer Kassette (17) an dem Ladeabschnitt und zum Transferieren eines solchen entfernten Halbleiterwafers (4).
  10. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Polierabschnitt (2) einen Tisch zum Polieren aufweist.
  11. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Reinigungseinheit eine Reinigungseinheit der ersten Stufe aufweist zum Durchführen einer Primärreinigung des Halbleiterwafers (4), und zwar durch Schrubben des Halbleiterwafers (4), während Reinigungslösung zu dem Halbleiterwafer (4) geliefert wird.
  12. Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei die Reinigungseinheit eine Reinigungseinheit der zweiten Stufe aufweist zum Durchführen einer Sekundärreinigung des Halbleiterwafers (4), der einer Primärreinigung unterzogen wurde, wobei die Sekundärreinigung des Halbleiterwafers (4) durch Schrubben des Halbleiterwafers (4) durchgeführt wird.
  13. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Transfermittel einen Roboter (69) aufweisen.
  14. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die umschlossene Struktur eine Kassettenlieferöffnung hat.
  15. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Halbleiterwafer (4), der in der zweiten Kammer (49) gereinigt wurde, von der zweiten Kammer (49) in einen Reinraum ausgegeben wird, in dem die Poliervorrichtung (50) installiert ist.
  16. Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei die Auslaßmittel Leitungsmittel aufweisen einschließlich einer Leitungsverbindung mit dem Reinigungsabschnitt (30) und mit einem Ventil, und wobei eine Hauptleitung mit der Leitung verbunden ist und ferner in Verbindung steht mit einer Außenumgebung.
  17. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Transfermittel eine Transferiereinrichtung aufweisen, die betreibbar, ist um den zu polierenden Halbleiterwafer (4) von der zweiten Kammer (49) der mindestens zwei Kammern zu der ersten Kammer (48) der mindestens zwei Kammern zu transferieren, und um den Halbleiterwafer (4), der poliert wurde, von der ersten Kammer (48) der mindestens zwei Kammern zu der zweiten Kammer (49) der mindestens zwei Kammern zu transferieren.
  18. Vorrichtung nach Anspruch 1, die des Weiteren einen Ladeabschnitt aufweist zum Aufnehmen einer Kassette (17), die eine Vielzahl von zu polierenden Halbleiterwafern (4) enthält; wobei der Entladeabschnitt eine Kassette (17) aufnimmt, die die Halbleiterwafer (4) aufnimmt, die gereinigt wurden; wobei die Transfermittel einen Transferabschnitt (58) aufweisen zum Entfernen eines Halbleiterwafers (4) aus einer Kassette (17) an dem Ladeabschnitt und zum Transferieren eines solchen entfernten Halbleiterwafers (4); und wobei der Ladeabschnitt, der Entladeabschnitt und der Transferabschnitt (58) in der zweiten Kammer (49) der mindestens zwei Kammern angeordnet sind.
  19. Vorrichtung nach Anspruch 18, wobei die umschlossene Struktur eine Kassettenlieferöffnung hat zum Liefern einer Kassette (17) an den Ladeabschnitt und/oder den Entladeabschnitt.
  20. Vorrichtung nach Anspruch 1, die des Weiteren Folgendes aufweist: eine Filtereinheit mit einem Gehäuse und Filterelement angeordnet an einem Deckenabschnitt oberhalb der zweiten Kammer (49) der mindestens zwei Kammern; und Leitungs- bzw. Kanalmittel zum Zirkulieren von Umgebungsluft in der zweiten Kammer (49) der mindestens zwei Kammern durch die Filtereinheit.
  21. Vorrichtung nach Anspruch 20, wobei die Kanalmittel einen Kanalkopf aufweisen und zwar angeordnet an einem unteren Teil der zweiten Kammer (49) der mindestens zwei Kammern und mit einer Vielzahl von Öffnungen, und einen Kanal, der die Filtereinheit und den Kanalkopf verbindet, und die des Weiteren Mittel aufweist, vorgesehen an den Öffnungen des Kanalkopfes, zur Einstellung der Umgebungsluftströmung.
  22. Vorrichtung nach Anspruch 20, wobei die Filtereinheit einen chemischen Filter aufweist, der an einer Umgebungslufteinlaßseite des Gebläses angeordnet ist.
  23. Vorrichtung nach Anspruch 20, wobei die Filtereinheit des Weiteren eine Vielzahl von Öffnungen aufweist zum Einführen von Auffüllluft in die zweite Kammer (49) der mindestens zwei Kammern.
  24. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Reinigungsabschnitt (30) eine Vielzahl von Reinigungseinrichtungen aufweist, die einen zunehmend höheren Reinigungsgrad des Halbleiterwafers (4) vorsehen, und zwar angeordnet in einer Richtung entgegen der Strömungsrichtung des Luftstroms in der zweiten Kammer (49) der mindestens zwei Kammern.
DE19544328.4A 1994-11-29 1995-11-28 Poliervorrichtung Expired - Lifetime DE19544328B4 (de)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP319289/94 1994-11-29
JP31928994A JP3315544B2 (ja) 1994-11-29 1994-11-29 半導体ウエハ研磨装置および方法
JP330209/94 1994-12-06
JP330210/94 1994-12-06
JP33021094 1994-12-06
JP33020994 1994-12-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19544328A1 DE19544328A1 (de) 1996-05-30
DE19544328B4 true DE19544328B4 (de) 2014-03-20

Family

ID=27339715

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19544328.4A Expired - Lifetime DE19544328B4 (de) 1994-11-29 1995-11-28 Poliervorrichtung

Country Status (4)

Country Link
US (4) US5679059A (de)
KR (2) KR100452734B1 (de)
DE (1) DE19544328B4 (de)
TW (1) TW308713B (de)

Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19544328B4 (de) * 1994-11-29 2014-03-20 Ebara Corp. Poliervorrichtung
KR100487590B1 (ko) 1995-08-21 2005-08-04 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 폴리싱장치
US5738574A (en) * 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
US7097544B1 (en) * 1995-10-27 2006-08-29 Applied Materials Inc. Chemical mechanical polishing system having multiple polishing stations and providing relative linear polishing motion
US5885134A (en) * 1996-04-18 1999-03-23 Ebara Corporation Polishing apparatus
DE69715952T2 (de) * 1996-04-26 2003-08-07 Toshiba Kawasaki Kk Poliervorrichtung
US6012966A (en) * 1996-05-10 2000-01-11 Canon Kabushiki Kaisha Precision polishing apparatus with detecting means
US5904611A (en) * 1996-05-10 1999-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Precision polishing apparatus
US6413156B1 (en) * 1996-05-16 2002-07-02 Ebara Corporation Method and apparatus for polishing workpiece
JP3211147B2 (ja) * 1996-05-29 2001-09-25 株式会社荏原製作所 装置の排気構造
DE19719503C2 (de) * 1997-05-07 2002-05-02 Wolters Peter Werkzeugmasch Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren von Oberflächen von Halbleiterwafern und Verfahren zum Betrieb der Vorrichtung
US6036582A (en) * 1997-06-06 2000-03-14 Ebara Corporation Polishing apparatus
KR100253085B1 (ko) * 1997-07-10 2000-04-15 윤종용 측정장치를구비한웨이퍼폴리싱장치및폴리싱방법
US5997388A (en) * 1997-08-11 1999-12-07 Micron Electronics, Inc. Apparatus for removing marks from integrated circuit devices
US5938508A (en) * 1997-08-11 1999-08-17 Micron Electronics, Inc. Method for removing marks from integrated circuit devices and devices so processed
TW405158B (en) * 1997-09-17 2000-09-11 Ebara Corp Plating apparatus for semiconductor wafer processing
DE69830121T2 (de) * 1997-10-31 2006-02-23 Ebara Corp. Polierschlamm Spendevorrichtung
US6336845B1 (en) 1997-11-12 2002-01-08 Lam Research Corporation Method and apparatus for polishing semiconductor wafers
US6332835B1 (en) * 1997-11-20 2001-12-25 Canon Kabushiki Kaisha Polishing apparatus with transfer arm for moving polished object without drying it
US6042455A (en) * 1997-12-11 2000-03-28 Ebara Corporation Polishing apparatus
JPH11179644A (ja) * 1997-12-16 1999-07-06 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワイヤソー
DE19755975A1 (de) * 1997-12-16 1999-06-17 Wolters Peter Werkzeugmasch Halter für flache Werkstücke, insbesondere Halbleiterwafer
JP4156039B2 (ja) * 1998-03-09 2008-09-24 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
JPH11347937A (ja) * 1998-06-05 1999-12-21 Speedfam-Ipec Co Ltd 研磨加工室の換気構造
JP4052736B2 (ja) * 1998-07-21 2008-02-27 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
US6358128B1 (en) * 1999-03-05 2002-03-19 Ebara Corporation Polishing apparatus
US6354922B1 (en) * 1999-08-20 2002-03-12 Ebara Corporation Polishing apparatus
SG97860A1 (en) * 1999-03-05 2003-08-20 Ebara Corp Polishing apparatus
JP4248695B2 (ja) * 1999-07-26 2009-04-02 東京エレクトロン株式会社 ウェハ移載装置の緊急停止装置
US6413152B1 (en) * 1999-12-22 2002-07-02 Philips Electronics North American Corporation Apparatus for performing chemical-mechanical planarization with improved process window, process flexibility and cost
US6743395B2 (en) 2000-03-22 2004-06-01 Ebara Corporation Composite metallic ultrafine particles and process for producing the same
JP2001326201A (ja) * 2000-05-16 2001-11-22 Ebara Corp ポリッシング装置
DE10025724B4 (de) * 2000-05-25 2006-05-24 Hegenscheidt-Mfd Gmbh & Co. Kg Verfahren und Maschine zum Bearbeiten von Eisenbahnrädern
DE10062926A1 (de) * 2000-10-14 2002-05-02 Diskus Werke Schleiftechnik Gm Maschine zur einseitigen Oberflächenbearbeitung durch Schleifen, Polieren oder Läppen mindestens eines Werkstücks
DE10062496B4 (de) * 2000-12-14 2005-03-17 Peter Wolters Cmp - Systeme Gmbh & Co. Kg Halter für flache Werkstücke, insbesondere Halbleiterwafer
DE10062497A1 (de) 2000-12-14 2002-06-27 Peter Wolters Cmp Systeme Gmbh Halter für flache Werkstücke, insbesondere Halbleiterwafer
US7172497B2 (en) * 2001-01-05 2007-02-06 Asm Nutool, Inc. Fabrication of semiconductor interconnect structures
TWI222154B (en) * 2001-02-27 2004-10-11 Asm Nutool Inc Integrated system for processing semiconductor wafers
US20040259348A1 (en) * 2001-02-27 2004-12-23 Basol Bulent M. Method of reducing post-CMP defectivity
US7204743B2 (en) * 2001-02-27 2007-04-17 Novellus Systems, Inc. Integrated circuit interconnect fabrication systems
US7201639B2 (en) * 2001-04-24 2007-04-10 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Powder for disks
JP2003027280A (ja) * 2001-07-18 2003-01-29 Ebara Corp めっき装置
JP2003133274A (ja) * 2001-10-22 2003-05-09 Ebara Corp 研磨装置
JP4197103B2 (ja) * 2002-04-15 2008-12-17 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
US6875076B2 (en) 2002-06-17 2005-04-05 Accretech Usa, Inc. Polishing machine and method
JP4464113B2 (ja) * 2003-11-27 2010-05-19 株式会社ディスコ ウエーハの加工装置
EP1719161B1 (de) * 2004-02-25 2014-05-07 Ebara Corporation Poliervorrichtung
KR100583730B1 (ko) * 2004-06-29 2006-05-26 삼성전자주식회사 기판 이송 시스템 및 상기 시스템의 프레임 내 압력을조절하는 방법
KR101165379B1 (ko) * 2004-07-15 2012-07-17 삼성전자주식회사 수신 성능이 향상된 지상파 디지털 방송 송수신 시스템 및그의 신호처리방법
US7393265B2 (en) * 2004-10-08 2008-07-01 Showa Denko K.K. Liquid honing machine and liquid honing method
KR101011788B1 (ko) * 2004-11-01 2011-02-07 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 톱링, 폴리싱장치 및 폴리싱방법
JP4519667B2 (ja) * 2005-01-31 2010-08-04 シスメックス株式会社 検体ラック搬送装置
KR100695232B1 (ko) * 2005-11-21 2007-03-14 세메스 주식회사 기판을 세정하는 장치 및 방법
JP4654209B2 (ja) * 2007-02-27 2011-03-16 信越半導体株式会社 研磨装置
US7824243B2 (en) * 2007-06-20 2010-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical planarization methods
DE102007051726A1 (de) * 2007-10-25 2009-04-30 Hänel & Co. Lageranordnung mit vorgebbarer Lagerungsatmosphäre
CN101990702B (zh) * 2008-04-09 2013-06-19 应用材料公司 具有轨道的抛光系统
CN101990703B (zh) * 2008-04-25 2012-11-21 应用材料公司 高产量化学机械抛光系统
CN101526744B (zh) * 2009-01-07 2011-06-29 上海微电子装备有限公司 掩模版定位存取机构
DE102009030292B4 (de) * 2009-06-24 2011-12-01 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe
DE102011082869B4 (de) * 2011-09-16 2013-11-14 Felsomat Gmbh & Co Kg Honmaschine mit öldichter Arbeitswanne
US20130115862A1 (en) * 2011-11-09 2013-05-09 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing platform architecture
KR20150075357A (ko) * 2013-12-25 2015-07-03 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 세정 장치 및 기판 처리 장치
KR101759877B1 (ko) * 2015-12-24 2017-07-20 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 연마챔버 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마시스템
JP6920849B2 (ja) * 2017-03-27 2021-08-18 株式会社荏原製作所 基板処理方法および装置
CN109352487B (zh) * 2018-10-30 2020-03-13 佛山市南海区广工大数控装备协同创新研究院 一种餐盘自动打磨系统
CN112466780A (zh) * 2020-10-29 2021-03-09 威科赛乐微电子股份有限公司 一种晶片清洗槽及晶片清洗方法
US20220143780A1 (en) * 2020-11-11 2022-05-12 Applied Materials, Inc. Substrate handling in a modular polishing system with single substrate cleaning chambers
US11699595B2 (en) 2021-02-25 2023-07-11 Applied Materials, Inc. Imaging for monitoring thickness in a substrate cleaning system
CN117157741A (zh) 2021-03-03 2023-12-01 应用材料公司 具有整合基板对准台的干燥系统
CN113245999B (zh) * 2021-04-28 2022-12-06 康姆罗拉有限公司 一种手动升降的功能陶瓷制备用抛光设备
KR20230012775A (ko) 2021-07-16 2023-01-26 삼성전자주식회사 챔버 커버를 갖는 기판 처리 장치
CN117103069B (zh) * 2023-09-07 2024-04-12 宁波固高智能科技有限公司 一种非标设备自动化生产线

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3148957A1 (de) * 1981-12-10 1983-06-23 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen "verfahren zur rueckseitengetternden oberflaechenbehandlung von halbleiterscheiben"
WO1987002608A1 (en) * 1985-11-01 1987-05-07 Motorola, Inc. Polishing system with underwater bernoulli pickup
US5096477A (en) * 1990-04-05 1992-03-17 Kabushiki Kaisha N.M.B. Semiconductor Clean air room for a semiconductor factory
JPH05223300A (ja) * 1992-02-13 1993-08-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 連結式クリーン空間装置
US5299584A (en) * 1991-04-23 1994-04-05 Tokyo Electron Limited Cleaning device
FR2696429A1 (fr) * 1992-10-06 1994-04-08 Shinko Electic Co Ltd Système de transfert automatique utilisant un récipient fermé portable.
US5655954A (en) * 1994-11-29 1997-08-12 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Polishing apparatus
US5779520A (en) * 1993-11-09 1998-07-14 Sony Corporation Method and apparatus of polishing wafer

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4050954A (en) * 1976-03-25 1977-09-27 International Business Machines Corporation Surface treatment of semiconductor substrates
JPS608189A (ja) * 1983-06-28 1985-01-17 Nippon Air Brake Co Ltd 舶用主機関制御方法
US4680893A (en) * 1985-09-23 1987-07-21 Motorola, Inc. Apparatus for polishing semiconductor wafers
US4838150A (en) * 1985-11-26 1989-06-13 Shimizu Construction Co., Ltd. Clean room
US4836733A (en) * 1986-04-28 1989-06-06 Varian Associates, Inc. Wafer transfer system
JPS63207559A (ja) * 1987-02-19 1988-08-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウエ−ハ自動研削装置
US5030057A (en) * 1987-11-06 1991-07-09 Tel Sagami Limited Semiconductor wafer transferring method and apparatus and boat for thermal treatment of a semiconductor wafer
JPH05136218A (ja) * 1991-02-19 1993-06-01 Tokyo Electron Yamanashi Kk 検査装置
JPH0615565A (ja) * 1991-12-18 1994-01-25 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハ自動ラッピング装置
US5329732A (en) * 1992-06-15 1994-07-19 Speedfam Corporation Wafer polishing method and apparatus
JPH0677307A (ja) * 1992-08-24 1994-03-18 Tokyo Electron Tohoku Ltd 透明基板検出装置及び基板検出装置
JP3110218B2 (ja) * 1992-09-25 2000-11-20 三菱電機株式会社 半導体洗浄装置及び方法、ウエハカセット、専用グローブ並びにウエハ受け治具
JP2548668B2 (ja) * 1993-02-26 1996-10-30 エヌティティエレクトロニクステクノロジー株式会社 半導体デバイス製造装置
KR100241292B1 (ko) * 1993-08-05 2000-02-01 다카시마 히로시 반도체 처리 시스템 및 그 실어옮김기구를 위한 위치맞춤방법 및 장치
US5885138A (en) * 1993-09-21 1999-03-23 Ebara Corporation Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device
US5679060A (en) * 1994-07-14 1997-10-21 Silicon Technology Corporation Wafer grinding machine
US5567927A (en) * 1994-07-25 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Apparatus for semiconductor wafer identification
DE19544328B4 (de) * 1994-11-29 2014-03-20 Ebara Corp. Poliervorrichtung
JP4156039B2 (ja) * 1998-03-09 2008-09-24 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3148957A1 (de) * 1981-12-10 1983-06-23 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen "verfahren zur rueckseitengetternden oberflaechenbehandlung von halbleiterscheiben"
WO1987002608A1 (en) * 1985-11-01 1987-05-07 Motorola, Inc. Polishing system with underwater bernoulli pickup
US5096477A (en) * 1990-04-05 1992-03-17 Kabushiki Kaisha N.M.B. Semiconductor Clean air room for a semiconductor factory
US5299584A (en) * 1991-04-23 1994-04-05 Tokyo Electron Limited Cleaning device
JPH05223300A (ja) * 1992-02-13 1993-08-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 連結式クリーン空間装置
US5425793A (en) * 1992-02-13 1995-06-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Coupling-type clean space apparatus
FR2696429A1 (fr) * 1992-10-06 1994-04-08 Shinko Electic Co Ltd Système de transfert automatique utilisant un récipient fermé portable.
US5431600A (en) * 1992-10-06 1995-07-11 Shinko Electric Co., Ltd. Automatic transferring system using portable closed container
US5779520A (en) * 1993-11-09 1998-07-14 Sony Corporation Method and apparatus of polishing wafer
US5655954A (en) * 1994-11-29 1997-08-12 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Polishing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US20030040261A1 (en) 2003-02-27
US7198552B2 (en) 2007-04-03
KR100452734B1 (ko) 2004-12-30
KR100495980B1 (ko) 2005-06-16
US5679059A (en) 1997-10-21
US6500051B1 (en) 2002-12-31
KR960019563A (ko) 1996-06-17
DE19544328A1 (de) 1996-05-30
TW308713B (de) 1997-06-21
US6997782B2 (en) 2006-02-14
US20060084369A1 (en) 2006-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19544328B4 (de) Poliervorrichtung
DE3909669C2 (de)
EP0267507A2 (de) Behältnis zur Handhabung von Halbleiterelementen
DE69835988T2 (de) Doppelseitenreinigungsmaschine für ein Substrat
DE69735514T2 (de) Vorrichtung zur Behandlung von Halbleiterscheiben
DE69433067T2 (de) Poliergerät
DE60131539T2 (de) Anordnung zum lagern und entladen von objekten
DE69830374T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Polieren von Halbleiterscheiben
EP2516067B1 (de) Anlage zur oberflächenbehandlung von gegenständen
DE112009003519T5 (de) Kompaktes und modulares robotisches Reinigungssystem
DE10039672B4 (de) Substratverarbeitungsvorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
DE3735449A1 (de) Fertigungssystem fuer halbleitersubstrate
DE102007002318B4 (de) Reinigungs- und Oberflächenbehandlungseinrichtung
DE19832038A1 (de) Verfahren und Einrichtung zum Reinigen und Trocknen
DE19540963C2 (de) Transportbehälter für scheibenförmige Objekte
DE19781822B4 (de) Reinigungsstation zur Verwendung bei einem System zum Reinigen, Spülen und Trocknen von Halbleiterscheiben
DE4210960C2 (de) Reinrauminsel und Verfahren zur reinraumgerechten Handhabung von in Behältern gelagerten Gegenständen
WO2005001888A2 (de) Vorrichtung und verfahren zum reinigen von bei der herstellung von halbleitern verwendeten gegenständen, insbesondere von transport- und reinigungsbehältern für wafer
DE19932735A1 (de) Mikroelektronik-Fabrikationssystem sowie Verfahren und Vorrichtung zu dessen Reinigung
DE3419028C2 (de)
EP0065094B1 (de) Patronenfilter
WO2003089191A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum chemisch-mechanischen polieren von werkstücken
DE4205347C2 (de) Naßverfahrensvorrichtung und Verfahren zu deren Regelung
DE19925655A1 (de) Reinigungseinrichtung
EP3249095B1 (de) Waschvorrichtung für einen geschlossenen reinraum

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R020 Patent grant now final

Effective date: 20141223

R071 Expiry of right