JP4156039B2 - ポリッシング装置 - Google Patents
ポリッシング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4156039B2 JP4156039B2 JP54561299A JP54561299A JP4156039B2 JP 4156039 B2 JP4156039 B2 JP 4156039B2 JP 54561299 A JP54561299 A JP 54561299A JP 54561299 A JP54561299 A JP 54561299A JP 4156039 B2 JP4156039 B2 JP 4156039B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- unit
- semiconductor wafer
- pressure
- processing unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 122
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 95
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 60
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 18
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 6
- 235000007516 Chrysanthemum Nutrition 0.000 claims 1
- 244000189548 Chrysanthemum x morifolium Species 0.000 claims 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 140
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 59
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 13
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 12
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
- B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q15/00—Automatic control or regulation of feed movement, cutting velocity or position of tool or work
- B23Q15/20—Automatic control or regulation of feed movement, cutting velocity or position of tool or work before or after the tool acts upon the workpiece
- B23Q15/22—Control or regulation of position of tool or workpiece
- B23Q15/24—Control or regulation of position of tool or workpiece of linear position
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
Description
技術分野
本発明はポリッシング装置に係り、特に、半導体ウエハ等のポリッシング対象物を平坦かつ鏡面状に研磨するポリッシング装置に関するものである。
背景技術
近年、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭くなりつつある。これに伴い、光リソグラフィなどで回路形成を行う場合に焦点深度が浅くなるので、ステッパの結像面のより高い平坦度を必要とする。半導体ウエハの表面を平坦化する手段として、ポリッシング装置によって、回転するターンテーブル上に貼付した研磨布に砥粒を含む研磨液を供給しながら、キャリアで保持した半導体ウエハを研磨布に押しつけて研磨する化学機械的研磨（ＣＭＰ）が行われている。
クリーンルーム内にポリッシング装置を設置するために、研磨部等の処理部をハウジング内に収容した装置も提案されている。この種の装置においては、ウエハカセットを装着するウエハカセット装着部から半導体ウエハを取り出し、研磨部へ搬送して研磨し、研磨された半導体ウエハを洗浄部で洗浄した後、ウエハカセット装着部のウエハカセットに戻すことが行われている。
上述した従来のポリッシング装置においては、ウエハカセットを装着するウエハカセット装着部と、研磨部および洗浄部等の処理部との間は仕切られておらず同一環境にある。このため、処理部のクリーン度を高めることによりウエハカセット内の処理前後の半導体ウエハの処理部からの汚染を防いでいた。この結果、処理部のクリーン度を必要以上に高めることが求められ、ポリッシング装置の運転コストがかかり、かつウエハカセット内の半導体ウエハのクリーン度が処理部のクリーン度に左右されるという問題点があった。
また、上述した従来のポリッシング装置においては、研磨、洗浄等の半導体ウエハの処理後に、専用機を用いて別工程にて半導体ウエハのオリフラやノッチ等の基準位置を所定の方向に合わせる位置合わせを行っていた。このため、半導体ウエハの位置合わせのための別途の工程を半導体製造工程の中に組み入れる必要があることと、半導体ウエハの位置合わせ用の専用機が必要であるという問題点があった。
発明の開示
本発明は上述の事情に鑑みなされたもので、研磨部、洗浄部等の処理部とウエハカセット部等の収容部の間にシャッタ付の隔壁を用いた独立した部屋を設け、この部屋のクリーン度を高めることにより、処理部から収容部への汚染を防ぐことができるポリッシング装置を提供することを第１の目的とする。
また本発明は、ポリッシング装置における搬送工程の間に半導体ウエハの基準位置（オリフラ、ノッチ等）を所定の方向に合わせて停止させる、位置合わせを行うことができるポリッシング装置を提供することを第２の目的とする。
上述の第１の目的を達成するため、本発明の第１の態様は、クリーンルーム内に設置され、半導体ウエハ等のポリッシング対象物を研磨するポリッシング装置において、ポリッシング対象物を研磨する処理部と、該処理部への研磨すべきポリッシング対象物の供給及び／又は研磨後のポリッシング対象物の受け入れのための収容部と、前記処理部と収容部との間に両部を隔てたシャッタ付の隔壁によって区画されたロードアンロード部とを備え、前記ロードアンロード部内の圧力は前記処理部内の圧力より高く設定され、かつ前記処理部内の圧力は前記クリーンルームの圧力より低く設定され、前記処理部と収容部との間に両部を隔てたシャッタ付の隔壁によって区画されたクリーン室を備え、前記クリーン室内の圧力は前記処理部内の圧力より高く、前記ロードアンロード部内の圧力より低いことを特徴とするものである。前記収容部は、前記処理部に研磨すべきポリッシング対象物を供給し、もしくは研磨後のポリッシング対象物を受け入れるもの、または前記処理部に研磨すべきポリッシング対象物を供給するとともに研磨後のポリッシング対象物を受け入れるものである。
本発明の第１の態様によれば、処理部の汚染物質がウエハカセット部等の収容部に到達することがなく、処理部のクリーン度を必要以上に高めなくてもよく、また、収容部のクリーン度を維持することができる。
本発明の好ましい態様は、前記ロードアンロード部内の圧力は前記クリーンルームの圧力より高いことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記ロードアンロード部内に、前記クリーン室と収容部との間でポリッシング対象物を受け渡しする搬送装置が設置されていることを特徴とする。
また上述の第２の目的を達成するため、本発明の第２の態様は、前記処理部と収容部間で半導体ウエハを搬送する途中で半導体ウエハの基準位置を所定の方向に合わせる位置合わせ機構を備えたことを特徴とするものである。
本発明の第２の態様によれば、ポリッシング装置における処理部と収容部との間の搬送工程の間に、半導体ウエハの基準位置（オリフラ、ノッチ等）を所定の方向に合わせて停止させる、位置合わせを行うことができる。
本発明の好ましい態様は、前記位置合わせ機構は、前記クリーン室に設置されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記位置合わせ機構は、前記半導体ウエハを保持して回転させる回転機構と、前記半導体ウエハの基準位置を検出するセンサとを備え、前記センサの出力を利用し、前記半導体ウエハの回転終了時に半導体ウエハの基準位置を所定の位置に合わせることが可能であることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
図１は本発明のポリッシング装置を模式的に示す平面図である。
図２は本発明のポリッシング装置の外観を示す側面図である。
図３は図１及び図２に示す研磨部および洗浄部の詳細を示す斜視図である。
図４は図１のIV−IV線断面図である。
図５は図１のＶ−Ｖ線断面図である。
図６は図１のVI−VI線断面図である。
図７はハンドリングテーブルの正面図である。
図８はハンドリングテーブルの平面図である。
図９は図７のIX−IX線矢視図である。
図１０Ａ及び図１０Ｂはノッチ検出センサと支持部材と位置合せ用部材との関係を示す図である。
図１１はノッチ検出センサ、ウエハ検出センサおよびモータの制御回路を示すブロック図である。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明に係るポリッシング装置の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は本発明のポリッシング装置の平面図であり、図２はポリッシング装置の外観を示す側面図である。図１および図２に示すように、ポリッシング装置は、研磨部１と、洗浄部１０と、クリーン室２０と、ロードアンロード部３０と、ウエハカセット部４０とから構成されている。ポリッシング装置は、ウエハカセット部４０を除く全体がハウジング１００に収容されている。
研磨部１には、一対の研磨ユニット２ａ，２ｂが左右に対向して配置されている。洗浄部１０には、中央部に２台のスカラロボット１１ａ，１１ｂが配置され、２台のスカラロボット１１ａ，１１ｂの両側に、それぞれ１台の反転機１２，１３が配置され、反転機１２，１３の両隣に２台の洗浄機、即ち第１次洗浄機１４ａ，１４ｂと第２次洗浄機１５ａ，１５ｂとが配置されている。研磨部１と洗浄部１０との間には隔壁１０１が設けられており、研磨部１と洗浄部１０との間での半導体ウエハの受け渡しは隔壁１０１に形成された開口を通して行うようになっている。
また洗浄部１０とクリーン室２０及びロードアンロード部３０とを仕切るために隔壁１０２が設けられている。更に、クリーン室２０とロードアンロード部３０を仕切るために、隔壁１０３が設けられている。なお洗浄部１０とクリーン室２０とで囲まれた部屋６９には配電盤が収容されている。ロードアンロード部３０に隣接したウエハカセット部４０は、ハウジングによって密閉された空間にウエハカセットを収容することができる密閉型のものであり、半導体ウエハを取り出す際にシャッタが開放されるようになっている。ウエハカセット部４０は、研磨すべき半導体ウエハを研磨部１や洗浄部１０等の処理部に供給するとともに研磨後の半導体ウエハを受け入れる収容部を構成している。
図２に示すように、洗浄部１０およびロードアンロード部３０の上部には、フィルターユニット７０，８０が設置されており、フィルターユニット７０によって洗浄部１０内の空気を清浄化し、フィルターユニット８０によってロードアンロード部３０内の空気を清浄化するようになっている。
図６のようにフィルタユニット７０は、フィルタＦＩと、フィルタＦＩ上部に設けられたファンＦＡとからなる。
洗浄部１０の床には吸気口があり、この吸気口はダクトＲＤを介してフィルタユニット７０へ連通している。フィルタユニット７０は、以下に記載するように洗浄部１０に循環流を起こしている。すなわち、フィルタユニット７０のファンＦＡを作動し、洗浄部１０の床から吸気し、ダクトＲＤを介してその空気をフィルタＦＩに通し、またフィルタユニット７０は、ポリッシング装置外の清浄な空気を取り入れ（図６ではＩＮで示す）、この清浄な空気（これもファンＦＡによってフィルタＦＩを通過する）と、上述の、フィルタＦＩを通した空気とをダウンフローにして洗浄部１０に送っている。
また、洗浄部１０には、洗浄部１０内の汚れた空気をポリッシング装置外へ強制排気する排気手段Ｅが設けられている。
図５において、図６と対応する部分には図６の符号にそれぞれ”１”を付した符号を付けてある。フィルタユニット８０もフィルタユニット７０と同様の構成で、ロードアンロード部３０の床に吸気口があり、フィルタユニット８０に連通している点も上述と同様で、また、ロードアンロード部３０に、ポリッシング装置外へ強制排気する排気手段Ｅ１が設けられている点も上述と同様である。
洗浄部１０とクリーン室２０及びロードアンロード部３０とが隔壁１０２により仕切られているので、ウエハカセット部４０を清浄に保つには、ロードアンロード部３０を非常に清浄に保つだけで十分なので、フィルタユニット８０のファン出力のみ強力にし、ダウンフローも強力にし、フィルタユニット７０のファン出力は小さくてよい。これは洗浄部１０を必要以上に清浄にする必要がないためである。これにより、フィルタユニット７０のファン出力を小さくでき、低出力のファンを使用すればすみ、コストダウンとなり、また運転コストも安くできる。
また、図５のように隔壁１０３にはスリット１０３ｂが設けてあり、クリーン室２０内は、クリーン室２０の床の吸気口によりダクトＲＤ１を介してフィルタユニット８０により吸気され、フィルタユニット８０によってクリーン室２０内の空気を清浄化するようになっている。フィルタユニット８０は絶えずフィルタユニット７０より圧力が高くなるように調整されており、クリーン室２０の清浄度を保つようになっている。すなわち、スリット１０３ｂ、ダクトＲＤ１により、クリーン室２０に循環流が生じ、クリーン室２０の清浄度が保たれる。ロードアンロード部３０、クリーン室２０、洗浄部１０の圧力を順にＰ30，Ｐ20，Ｐ10とすると、Ｐ30＞Ｐ20＞Ｐ10となり、洗浄部１０からクリーン室２０へはシャッタ２４が開いたときに空気が流れていかない。これにより、クリーン室２０はクラス１０以下の清浄度を保つことができる。清浄度は、高い順に並べるとロードアンロード部３０、クリーン室２０、洗浄部１０の順となる。これは、フィルタユニット８０の真下のロードアンロード部が一番清浄になるためである。
また、上記とあわせ、洗浄部１０の圧力Ｐ10は装置の設置されているクリーンルームの圧力より低くなるよう調整されており、ロードアンロード部３０の圧力Ｐ30は、クリーンルームの圧力よりも高くなるよう調整されている。さらに、研磨部１の圧力Ｐ1は洗浄部の圧力Ｐ10より低く設定されている。こうした圧力設定とシャッターとにより、ウエハカセット内に収められている半導体ウエハは清浄度の高い状態で保つことができ、かつ研磨部１や洗浄部１０の汚れた雰囲気がウエハカセット内の半導体ウエハに影響するのを防ぐことができる。
図３は、研磨部１および洗浄部１０の詳細を示す斜視図である。図３においては、ハウジング１００および研磨部１と洗浄部１０との間の隔壁１０１は図示していない。図３に示すように、２基の研磨ユニット２ａ，２ｂは、基本的に同一の仕様の装置が対称に配置されており、それぞれ、上面に研磨布９を貼付したターンテーブル３と、半導体ウエハを真空吸着により保持してターンテーブル面に押し付けるトップリングヘッド４と、研磨布のドレッシング（目立て）を行うドレッシングヘッド５とを備えている。
トップリングヘッド４は、ターンテーブル３の上方に位置し、半導体ウエハ６を保持しつつターンテーブル３に押し付けるトップリング７を具備している。前記ターンテーブル３はモータ（図示せず）に連結されており、その軸心の回りに回転可能になっている。トップリング７は、モータおよび昇降シリンダ（図示せず）に連結されている。これによって、トップリング７は昇降可能かつその軸心回りに回転可能になっており、半導体ウエハ６を研磨布９に対して任意の圧力で押圧することができるようになっている。また半導体ウエハ６はトップリング７の下端面に真空等によって吸着されるようになっている。
また、ターンテーブル３の上方には砥液供給ノズル（図示せず）が設置されており、砥液供給ノズルによってターンテーブル３に貼り付けられた研磨布９上に研磨砥液が供給されるようになっている。ドレッシングヘッド５はドレッシング部材８を有している。ドレッシング部材８は、研磨布９上のトップリング７の位置の反対側にあり、研磨布９のドレッシングを行うことができるように構成されている。研磨布９には、ドレッシングに使用するドレッシング液、例えば純水がテーブル上に伸びたドレッシング液供給ノズル（図示せず）から供給されるようになっている。ドレッシング部材８は昇降用のシリンダと回転用のモータに連結されており、昇降可能かつその軸心回りに回転可能になっている。
上述の構成の研磨部１において、トップリング７に保持された半導体ウエハ６を研磨布９上に押圧し、ターンテーブル３およびトップリング７を回転させることにより、半導体ウエハ６の下面（被研磨面）が研磨布９と擦り合わされる。この時、同時に研磨布９上に砥液供給ノズルから砥液を供給することにより、半導体ウエハ６の被研磨面は、砥液中の砥粒の機械的研磨作用と砥液の液体成分であるアルカリによる化学的研磨作用との複合作用によってポリッシングされる。
半導体ウエハ６の所定の研磨量を研磨した時点でポリッシングを終了する。このポリッシングが終了した時点では、ポリッシングによって研磨布９の特性が変化し、次に行うポリッシングの研磨性能が劣化するので、ドレッシング部材８によって研磨布９のドレッシングを行う。
図１に示すように、研磨ユニット２ａ，２ｂは、半導体ウエハをトップリング７との間で授受するプッシャ８１を備えている。トップリング７は水平面内で旋回可能とされ、プッシャ８１は上下動可能となっている。
洗浄機の構成は任意であるが、例えば、第１次洗浄機１４ａ，１４ｂがスポンジ付きのローラで半導体ウエハ表裏両面を拭う形式の洗浄機であり、第２次洗浄機１５ａ，１５ｂが半導体ウエハのエッジを把持して水平面内で回転させながら洗浄液を供給する形式の洗浄機である。後者は、遠心脱水して乾燥させる乾燥機としての機能を持つ。第１次洗浄機１４ａ，１４ｂにおいて、半導体ウエハの１次洗浄を行うことができ、第２次洗浄機１５ａ，１５ｂにおいて１次洗浄後の半導体ウエハの２次洗浄を行うことができるようになっている。
スカラロボット１１ａ，１１ｂは、例えばロボット本体の上部に水平面内で屈曲自在に関節アームが設けられているもので、それぞれ上下に２つの把持部を有し、これら把持部をドライフィンガとウエットフィンガとして使い分ける形式となっている。この実施の形態ではロボットを２基使用しているので、基本的に、第１ロボット１１ａは、反転機１２，１３よりカセット側の領域を、第２ロボット１１ｂは反転機１２，１３より研磨ユニット側の領域を受け持つ。
図４乃至図６は、洗浄部１０とクリーン室２０とロードアンロード部３０との関係を示す図であり、図４は図１のIV−IV線断面図、図５は図１のＶ−Ｖ線断面図、図６は図１のVI−VI線断面図である。図４に示すように、ロードアンロード部３０にはスカラロボット３１が設置されている。スカラロボット３１はリニアモータ３２により図１の実線と破線との間を走行可能になっている。ロードアンロード部３０とウエハカセット部４０との間にはハウジング１００の壁があるが、この壁には開口１００ａ（図５参照）が形成されている。そして、スカラロボット３１によってウエハカセット部４０内のウエハカセット部４１から半導体ウエハ６を１枚ずつ取り出し、隣接するクリーン室２０に供給するようになっている。開口１００ａは、上下動する扉１１０により閉塞されるようになっている。ウエハ処理中は扉１１０が開き、開口１００ａを形成するが、処理前、処理後及び装置停止時は扉１１０が閉じ、ロードアンロード部３０とウエハカセット部４０とを隔絶してメンテナンスやウエハカセットの交換を行う。すなわち、ウエハ処理中は、ウエハカセット部４０とロードアンロード部３０は、同じ雰囲気が保たれる。
クリーン室２０内には、図５に示すように、ハンドリングテーブル５０が設置されている。また、クリーン室２０とロードアンロード部３０との間を仕切る隔壁１０３には開口１０３ａが設けられ、この開口１０３ａを開閉するシャッタ２２が設けられている。シャッタ２２はエアシリンダ２３によって開閉されるようになっている。また、図６に示すように、クリーン室２０と洗浄部１０との間を仕切る隔壁１０２には、開口１０２ａが設けられ、この開口１０２ａを開閉するシャッタ２４が設けられている。シャッタ２４はエアシリンダ２５によって開閉されるようになっている。
ウエハの搬出入部を図４乃至図６に示すように構成することにより、ウエハの処理部への搬入時にはウエハカセット部４０より半導体ウエハ６をスカラロボット３１が取り出し、次に、ロードアンロード部３０側のシャッタ２２が開き、半導体ウエハ６をクリーン室２０内のハンドリングテーブル５０にセットする。次に、シャッタ２２が閉じ、処理部側のシャッタ２４が開き、スカラロボット１１ａによりハンドリングテーブル５０上の半導体ウエハ６を取り出し、その後、処理部側のシャッタ２４を閉じる。ウエハの処理部からの搬出時には、上記の逆の手順で行われる。この手順で処理部へウエハを搬出入することにより、各ウエハ処理部よりの汚染がロードアンロード部３０に入らない。
図７乃至図９は、ハンドリングテーブル５０の詳細を示す図であり、図７はハンドリングテーブルの正面図、図８はハンドリングテーブルの平面図、図９は図７のIX−IX線矢視図である。
図７乃至図９に示すように、ハンドリングテーブル５０は、ボックス状のフレーム５１と、フレーム５１の上面のプレート５１ａに固定され逆円錐状のテーパ面５２ａを有し半導体ウエハ６の外周縁に接触して半導体ウエハ６を支持する４個の支持部材５２と、支持部材５２に支持された半導体ウエハ６を受け取って所定量だけ回転させる４個の位置合せ用部材５３を備えている。４個の位置合せ用部材５３は回転台５４に固定されており、回転台５４はモータ５５によって回転可能になっている。またモータ５５および回転台５４は昇降台５６によって支持されており、昇降台５６はエアシリンダ５７によって昇降可能になっている。なお符号６０はスプラインシャフトである。
また、プレート５１ａの上面には、半導体ウエハ６の外周部のノッチを検出するノッチ検出センサ５８が固定されている。フレーム５１の上面には、支持部材５２のテーパ面５２ａ上に半導体ウエハ６が存在するか否かを検出するウエハ検出センサ５９が固定されている。
図１０Ａ及び図１０Ｂはノッチ検出センサ５８と支持部材５２と位置合せ用部材５３との関係を示す図である。図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、ノッチ検出センサ５８は、投光部５８ａと受光部５８ｂとから構成されている。支持部材５２のテーパ面５２ａの所定の円周上に支持された半導体ウエハ６はエアシリンダ５７により上昇する位置合せ用部材５３により受け取られ、その後、位置合せ用部材５３がモータ５５により回転駆動される。ノッチ検出センサ５８は、回転している半導体ウエハ６のノッチを検出可能な位置に光軸を合わせてあり、投光部５８ａからの光は通常遮光状態であり、半導体ウエハ６のノッチが光軸を通過する時にのみ受光部５８ｂは投光部５８ａからの光を受光し、光を電気的信号に変換して出力する。ノッチ検出センサ５８、位置合せ用部材５３、回転台５４およびモータ５５は半導体ウエハ６のノッチ位置の位置合せ機構を構成している。
またウエハ検出センサ５９は、図７および図８に示すように投光部５９ａと受光部５９ｂとから構成されており、投光部５９ａからの光が支持部材５２のテーパ面５２ａ上の半導体ウエハ６によって遮光されて受光部５９ｂに到達しないときに、半導体ウエハ６が支持部材５２上に存在すると判定する。
図１１はノッチ検出センサ５８、ウエハ検出センサ５９およびモータ５５の制御回路を示すブロック図である。図１１に示すように、ノッチ検出センサ５８は、センサアンプ６１を介してドライブユニット６２に接続されている。ドライブユニット６２とモータ（ダイレクトドライブモータ）５５とはモータケーブルおよびレゾルバケーブルによって相互に接続されている。ドライブユニット６２はＲＳ２３２Ｃケーブルによってボードコンピュータ６４に接続されている。ウエハ検出センサ５９はセンサアンプ６６を介してボードコンピュータ６４に接続されている。またモータ５５の原点を確認するための原点確認用センサ６７が設置されており、原点確認用センサ６７はセンサアンプ６８を介してボードコンピュータ６４に接続されている。なお回転台５４には原点確認用センサ６７によって検出される被検出部７５が固定されている（図７参照）。
次に、図７乃至図１１のように構成されたハンドリングテーブル５０の作用を説明する。
処理部において処理された半導体ウエハ６は、ロボット１１ａによってハンドリングテーブル５０における支持部材５２のテーパ面５２ａに受け渡される。このとき、半導体ウエハ６は、４個のテーパ面５２ａによってセンタリングがなされる（図１０Ａ参照）。支持部材５２に半導体ウエハ６が受け渡されると、これをウエハ検出センサ５９が検出する。ウエハが検出されると、エアシリンダ５７が作動して位置合せ用部材５３が上昇して半導体ウエハ６を受け取り、半導体ウエハ６が回転可能となる（図１０Ｂ参照）。この状態でボードコンピュータ６４によりモータ５５の駆動が開始される。
半導体ウエハ６のノッチがノッチ検出センサ５８をよぎると、センサ信号が出力（ＯＮ）され、この信号がドライブユニット６２に入力される。前記信号出力（ＯＮ）されたタイミングから予め設定しておいたパルス個数分だけモータ５５が回転し停止する。これによって、半導体ウエハのノッチ位置が所定方向に位置合せされる。
モータ５５の停止後、エアシリンダ５７が作動して、位置合せ用部材５３が下降する。そのため、半導体ウエハ６は位置合せ用部材５３から支持部材５２に受け渡される。位置合せ用部材５３が降下した後、再度モータ５５を回転させ、原点復帰させる。モータ５５が原点復帰すると、これが原点確認用センサ６７によって検出される。次に、スカラロボット３１が支持部材５２上の半導体ウエハ６を受け取り、半導体ウエハ６をウエハカセット部４０内のウエハカセット４１に収納する。
半導体ウエハ６をスカラロボット３１によりウエハカセット４１からハンドリングテーブル５０に移送し、さらにハンドリングテーブル５０からスカラロボット１１ａにより処理部に供給する際には、通常、ハンドリングテーブル５０ではノッチ位置合わせはしないが、この場合にもノッチ位置合わせをしてもよい。なお、ノッチ検出センサ５８およびウエハ検出センサ５９は、透過型光センサを示したが、反射型光センサであってもよい。
次に、処理部における処理手順を説明する。
図１に示すポリッシング装置においては、シリーズ処理とパラレル処理の双方が行われる。
（１）シリーズ処理（逐次処理）
シリーズ処理（２段階研磨）の場合は、洗浄機は３台が稼働する。
半導体ウエハの流れは、ウエハカセット４１→ハンドリングテーブル５０→反転機１２→第１研磨ユニット２ａ→洗浄機１４ａ→第２研磨ユニット２ｂ→洗浄機１４ｂ→反転機１３→洗浄機１５ａ→ハンドリングテーブル５０→ウエハカセット４１となる。ロボット１１ａ，１１ｂは、それぞれ、ドライな半導体ウエハを扱う時はドライフィンガを用い、濡れた半導体ウエハを扱う時はウエットフィンガを用いる。プッシャ８１は、ロボット１１ｂから半導体ウエハを受け、トップリング７が上方に来た時に上昇して半導体ウエハを渡す。トップリング７は研磨ユニットの研磨布上に旋回し、ウエハの研磨が行われる。研磨後の半導体ウエハを保持したトップリング７は再度プッシャ８１の上方に旋回し、プッシャ８１が上昇して半導体ウエハがプッシャ８１に受け渡され、半導体ウエハはプッシャ８１の位置に設けられたリンス液供給装置によってリンス洗浄される。
このようなポリッシング装置では、プッシャ８１及び洗浄機１４ａで半導体ウエハがトップリング７と切り離された状態で洗浄されるので、半導体ウエハの被研磨面だけでなく裏面や側面に付着する第１次研磨用の研磨液等を完全に除去することができる。第２次の研磨を受けた後は、洗浄機１４ｂ及び洗浄機１５ａで洗浄され、スピン乾燥されてハンドリングテーブル５０を介してカセット４１へ戻される。シリーズ処理においては、第１研磨ユニット２ａにおける研磨条件と第２研磨ユニット２ｂにおける研磨条件は異なっている。
（２）パラレル処理（並列処理）
この場合は、４基の洗浄機を稼動させる。カセットは２つを用いても、１つのカセットを共用してもよい。
半導体ウエハが、ウエハカセット４１→ハンドリングテーブル５０→反転機１２→研磨ユニット２ａ→洗浄機１４ａ→反転機１３→洗浄機１５ａ→ハンドリングテーブル５０→ウエハカセット４１と移動する流れと、半導体ウエハが、ウエハカセット４１→ハンドリングテーブル５０→反転機１２→研磨ユニット２ｂ→洗浄機１４ｂ→反転機１３→洗浄機１５ｂ→ハンドリングテーブル５０→ウエハカセット４１と移動する流れの２系列あることになる。反転機１２，１３は、シリーズ処理の場合も同様であるが、研磨前のドライな半導体ウエハを扱う反転機１２と、研磨後のウエットな半導体ウエハを扱う反転機１３とを使い分けるが、洗浄機は搬送ラインの両側のいずれを用いてもよい。パラレル処理においては、研磨ユニット２ａ，２ｂにおける研磨条件は同一であり、洗浄機１４ａ，１４ｂにおける洗浄条件は同一であり、洗浄機１５ａ，１５ｂにおける洗浄条件は同一である。洗浄機１５ａ，１５ｂにおいて、半導体ウエハは洗浄およびスピン乾燥された後、ハンドリングテーブル５０を介してカセット４１へ戻される。
実施例においては、密閉型のウエハカセット部を説明したが、ウエハカセット部は通常のオープン型のウエハカセットを用いることもできる。
以上説明したように、本発明の第１の態様によれば、処理部と収容部との間に独立したクリーン室を設けることにより、以下の効果を奏する。
１）処理部のクリーン度を不必要に上げる必要がなく、各種フィルタやファン等の付帯設備の小型化ができる。
２）処理部のクリーン度を必要以上に高めることを必要とせず、装置を設置するクリーンルームにおける空気の消費量が少なくてすみ、運転コストを安くできる。
３）今後、ウエハカセット部等の収容部のクリーン度が高められることが見込まれるが、本発明を適用することにより簡単に対応できる。
４）処理後の製品の２次汚染を極力防止することができ、品質向上を達成できる。
また本発明の第２の態様によれば、ポリッシング装置における処理部と収容部との間の搬送工程の間に、半導体ウエハの基準位置（オリフラ、ノッチ等）を所定の方向に合わせて停止させる、位置合わせを行うことができる。したがって、半導体ウエハの位置合わせのための別途の工程を必要とせずに、処理後の複数の半導体ウエハを収容部内に所定の方向に整列させることができる。このため、位置合わせ用の専用機を省略することができる。
本発明の好ましい１態様によれば、半導体ウエハの研磨、洗浄、半導体ウエハの基準位置の位置合わせの３工程を同一装置の中で自動運転中に行うことができる。
産業上の利用の可能性
本発明は、半導体ウエハ等のポリッシング対象物を平坦かつ鏡面状に研磨するポリッシング装置に関するものであり、半導体デバイスの製造工程の１つである化学機械的研磨（ＣＭＰ）に好適に利用される。
本発明はポリッシング装置に係り、特に、半導体ウエハ等のポリッシング対象物を平坦かつ鏡面状に研磨するポリッシング装置に関するものである。
背景技術
近年、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭くなりつつある。これに伴い、光リソグラフィなどで回路形成を行う場合に焦点深度が浅くなるので、ステッパの結像面のより高い平坦度を必要とする。半導体ウエハの表面を平坦化する手段として、ポリッシング装置によって、回転するターンテーブル上に貼付した研磨布に砥粒を含む研磨液を供給しながら、キャリアで保持した半導体ウエハを研磨布に押しつけて研磨する化学機械的研磨（ＣＭＰ）が行われている。
クリーンルーム内にポリッシング装置を設置するために、研磨部等の処理部をハウジング内に収容した装置も提案されている。この種の装置においては、ウエハカセットを装着するウエハカセット装着部から半導体ウエハを取り出し、研磨部へ搬送して研磨し、研磨された半導体ウエハを洗浄部で洗浄した後、ウエハカセット装着部のウエハカセットに戻すことが行われている。
上述した従来のポリッシング装置においては、ウエハカセットを装着するウエハカセット装着部と、研磨部および洗浄部等の処理部との間は仕切られておらず同一環境にある。このため、処理部のクリーン度を高めることによりウエハカセット内の処理前後の半導体ウエハの処理部からの汚染を防いでいた。この結果、処理部のクリーン度を必要以上に高めることが求められ、ポリッシング装置の運転コストがかかり、かつウエハカセット内の半導体ウエハのクリーン度が処理部のクリーン度に左右されるという問題点があった。
また、上述した従来のポリッシング装置においては、研磨、洗浄等の半導体ウエハの処理後に、専用機を用いて別工程にて半導体ウエハのオリフラやノッチ等の基準位置を所定の方向に合わせる位置合わせを行っていた。このため、半導体ウエハの位置合わせのための別途の工程を半導体製造工程の中に組み入れる必要があることと、半導体ウエハの位置合わせ用の専用機が必要であるという問題点があった。
発明の開示
本発明は上述の事情に鑑みなされたもので、研磨部、洗浄部等の処理部とウエハカセット部等の収容部の間にシャッタ付の隔壁を用いた独立した部屋を設け、この部屋のクリーン度を高めることにより、処理部から収容部への汚染を防ぐことができるポリッシング装置を提供することを第１の目的とする。
また本発明は、ポリッシング装置における搬送工程の間に半導体ウエハの基準位置（オリフラ、ノッチ等）を所定の方向に合わせて停止させる、位置合わせを行うことができるポリッシング装置を提供することを第２の目的とする。
上述の第１の目的を達成するため、本発明の第１の態様は、クリーンルーム内に設置され、半導体ウエハ等のポリッシング対象物を研磨するポリッシング装置において、ポリッシング対象物を研磨する処理部と、該処理部への研磨すべきポリッシング対象物の供給及び／又は研磨後のポリッシング対象物の受け入れのための収容部と、前記処理部と収容部との間に両部を隔てたシャッタ付の隔壁によって区画されたロードアンロード部とを備え、前記ロードアンロード部内の圧力は前記処理部内の圧力より高く設定され、かつ前記処理部内の圧力は前記クリーンルームの圧力より低く設定され、前記処理部と収容部との間に両部を隔てたシャッタ付の隔壁によって区画されたクリーン室を備え、前記クリーン室内の圧力は前記処理部内の圧力より高く、前記ロードアンロード部内の圧力より低いことを特徴とするものである。前記収容部は、前記処理部に研磨すべきポリッシング対象物を供給し、もしくは研磨後のポリッシング対象物を受け入れるもの、または前記処理部に研磨すべきポリッシング対象物を供給するとともに研磨後のポリッシング対象物を受け入れるものである。
本発明の第１の態様によれば、処理部の汚染物質がウエハカセット部等の収容部に到達することがなく、処理部のクリーン度を必要以上に高めなくてもよく、また、収容部のクリーン度を維持することができる。
本発明の好ましい態様は、前記ロードアンロード部内の圧力は前記クリーンルームの圧力より高いことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記ロードアンロード部内に、前記クリーン室と収容部との間でポリッシング対象物を受け渡しする搬送装置が設置されていることを特徴とする。
また上述の第２の目的を達成するため、本発明の第２の態様は、前記処理部と収容部間で半導体ウエハを搬送する途中で半導体ウエハの基準位置を所定の方向に合わせる位置合わせ機構を備えたことを特徴とするものである。
本発明の第２の態様によれば、ポリッシング装置における処理部と収容部との間の搬送工程の間に、半導体ウエハの基準位置（オリフラ、ノッチ等）を所定の方向に合わせて停止させる、位置合わせを行うことができる。
本発明の好ましい態様は、前記位置合わせ機構は、前記クリーン室に設置されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記位置合わせ機構は、前記半導体ウエハを保持して回転させる回転機構と、前記半導体ウエハの基準位置を検出するセンサとを備え、前記センサの出力を利用し、前記半導体ウエハの回転終了時に半導体ウエハの基準位置を所定の位置に合わせることが可能であることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
図１は本発明のポリッシング装置を模式的に示す平面図である。
図２は本発明のポリッシング装置の外観を示す側面図である。
図３は図１及び図２に示す研磨部および洗浄部の詳細を示す斜視図である。
図４は図１のIV−IV線断面図である。
図５は図１のＶ−Ｖ線断面図である。
図６は図１のVI−VI線断面図である。
図７はハンドリングテーブルの正面図である。
図８はハンドリングテーブルの平面図である。
図９は図７のIX−IX線矢視図である。
図１０Ａ及び図１０Ｂはノッチ検出センサと支持部材と位置合せ用部材との関係を示す図である。
図１１はノッチ検出センサ、ウエハ検出センサおよびモータの制御回路を示すブロック図である。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明に係るポリッシング装置の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は本発明のポリッシング装置の平面図であり、図２はポリッシング装置の外観を示す側面図である。図１および図２に示すように、ポリッシング装置は、研磨部１と、洗浄部１０と、クリーン室２０と、ロードアンロード部３０と、ウエハカセット部４０とから構成されている。ポリッシング装置は、ウエハカセット部４０を除く全体がハウジング１００に収容されている。
研磨部１には、一対の研磨ユニット２ａ，２ｂが左右に対向して配置されている。洗浄部１０には、中央部に２台のスカラロボット１１ａ，１１ｂが配置され、２台のスカラロボット１１ａ，１１ｂの両側に、それぞれ１台の反転機１２，１３が配置され、反転機１２，１３の両隣に２台の洗浄機、即ち第１次洗浄機１４ａ，１４ｂと第２次洗浄機１５ａ，１５ｂとが配置されている。研磨部１と洗浄部１０との間には隔壁１０１が設けられており、研磨部１と洗浄部１０との間での半導体ウエハの受け渡しは隔壁１０１に形成された開口を通して行うようになっている。
また洗浄部１０とクリーン室２０及びロードアンロード部３０とを仕切るために隔壁１０２が設けられている。更に、クリーン室２０とロードアンロード部３０を仕切るために、隔壁１０３が設けられている。なお洗浄部１０とクリーン室２０とで囲まれた部屋６９には配電盤が収容されている。ロードアンロード部３０に隣接したウエハカセット部４０は、ハウジングによって密閉された空間にウエハカセットを収容することができる密閉型のものであり、半導体ウエハを取り出す際にシャッタが開放されるようになっている。ウエハカセット部４０は、研磨すべき半導体ウエハを研磨部１や洗浄部１０等の処理部に供給するとともに研磨後の半導体ウエハを受け入れる収容部を構成している。
図２に示すように、洗浄部１０およびロードアンロード部３０の上部には、フィルターユニット７０，８０が設置されており、フィルターユニット７０によって洗浄部１０内の空気を清浄化し、フィルターユニット８０によってロードアンロード部３０内の空気を清浄化するようになっている。
図６のようにフィルタユニット７０は、フィルタＦＩと、フィルタＦＩ上部に設けられたファンＦＡとからなる。
洗浄部１０の床には吸気口があり、この吸気口はダクトＲＤを介してフィルタユニット７０へ連通している。フィルタユニット７０は、以下に記載するように洗浄部１０に循環流を起こしている。すなわち、フィルタユニット７０のファンＦＡを作動し、洗浄部１０の床から吸気し、ダクトＲＤを介してその空気をフィルタＦＩに通し、またフィルタユニット７０は、ポリッシング装置外の清浄な空気を取り入れ（図６ではＩＮで示す）、この清浄な空気（これもファンＦＡによってフィルタＦＩを通過する）と、上述の、フィルタＦＩを通した空気とをダウンフローにして洗浄部１０に送っている。
また、洗浄部１０には、洗浄部１０内の汚れた空気をポリッシング装置外へ強制排気する排気手段Ｅが設けられている。
図５において、図６と対応する部分には図６の符号にそれぞれ”１”を付した符号を付けてある。フィルタユニット８０もフィルタユニット７０と同様の構成で、ロードアンロード部３０の床に吸気口があり、フィルタユニット８０に連通している点も上述と同様で、また、ロードアンロード部３０に、ポリッシング装置外へ強制排気する排気手段Ｅ１が設けられている点も上述と同様である。
洗浄部１０とクリーン室２０及びロードアンロード部３０とが隔壁１０２により仕切られているので、ウエハカセット部４０を清浄に保つには、ロードアンロード部３０を非常に清浄に保つだけで十分なので、フィルタユニット８０のファン出力のみ強力にし、ダウンフローも強力にし、フィルタユニット７０のファン出力は小さくてよい。これは洗浄部１０を必要以上に清浄にする必要がないためである。これにより、フィルタユニット７０のファン出力を小さくでき、低出力のファンを使用すればすみ、コストダウンとなり、また運転コストも安くできる。
また、図５のように隔壁１０３にはスリット１０３ｂが設けてあり、クリーン室２０内は、クリーン室２０の床の吸気口によりダクトＲＤ１を介してフィルタユニット８０により吸気され、フィルタユニット８０によってクリーン室２０内の空気を清浄化するようになっている。フィルタユニット８０は絶えずフィルタユニット７０より圧力が高くなるように調整されており、クリーン室２０の清浄度を保つようになっている。すなわち、スリット１０３ｂ、ダクトＲＤ１により、クリーン室２０に循環流が生じ、クリーン室２０の清浄度が保たれる。ロードアンロード部３０、クリーン室２０、洗浄部１０の圧力を順にＰ30，Ｐ20，Ｐ10とすると、Ｐ30＞Ｐ20＞Ｐ10となり、洗浄部１０からクリーン室２０へはシャッタ２４が開いたときに空気が流れていかない。これにより、クリーン室２０はクラス１０以下の清浄度を保つことができる。清浄度は、高い順に並べるとロードアンロード部３０、クリーン室２０、洗浄部１０の順となる。これは、フィルタユニット８０の真下のロードアンロード部が一番清浄になるためである。
また、上記とあわせ、洗浄部１０の圧力Ｐ10は装置の設置されているクリーンルームの圧力より低くなるよう調整されており、ロードアンロード部３０の圧力Ｐ30は、クリーンルームの圧力よりも高くなるよう調整されている。さらに、研磨部１の圧力Ｐ1は洗浄部の圧力Ｐ10より低く設定されている。こうした圧力設定とシャッターとにより、ウエハカセット内に収められている半導体ウエハは清浄度の高い状態で保つことができ、かつ研磨部１や洗浄部１０の汚れた雰囲気がウエハカセット内の半導体ウエハに影響するのを防ぐことができる。
図３は、研磨部１および洗浄部１０の詳細を示す斜視図である。図３においては、ハウジング１００および研磨部１と洗浄部１０との間の隔壁１０１は図示していない。図３に示すように、２基の研磨ユニット２ａ，２ｂは、基本的に同一の仕様の装置が対称に配置されており、それぞれ、上面に研磨布９を貼付したターンテーブル３と、半導体ウエハを真空吸着により保持してターンテーブル面に押し付けるトップリングヘッド４と、研磨布のドレッシング（目立て）を行うドレッシングヘッド５とを備えている。
トップリングヘッド４は、ターンテーブル３の上方に位置し、半導体ウエハ６を保持しつつターンテーブル３に押し付けるトップリング７を具備している。前記ターンテーブル３はモータ（図示せず）に連結されており、その軸心の回りに回転可能になっている。トップリング７は、モータおよび昇降シリンダ（図示せず）に連結されている。これによって、トップリング７は昇降可能かつその軸心回りに回転可能になっており、半導体ウエハ６を研磨布９に対して任意の圧力で押圧することができるようになっている。また半導体ウエハ６はトップリング７の下端面に真空等によって吸着されるようになっている。
また、ターンテーブル３の上方には砥液供給ノズル（図示せず）が設置されており、砥液供給ノズルによってターンテーブル３に貼り付けられた研磨布９上に研磨砥液が供給されるようになっている。ドレッシングヘッド５はドレッシング部材８を有している。ドレッシング部材８は、研磨布９上のトップリング７の位置の反対側にあり、研磨布９のドレッシングを行うことができるように構成されている。研磨布９には、ドレッシングに使用するドレッシング液、例えば純水がテーブル上に伸びたドレッシング液供給ノズル（図示せず）から供給されるようになっている。ドレッシング部材８は昇降用のシリンダと回転用のモータに連結されており、昇降可能かつその軸心回りに回転可能になっている。
上述の構成の研磨部１において、トップリング７に保持された半導体ウエハ６を研磨布９上に押圧し、ターンテーブル３およびトップリング７を回転させることにより、半導体ウエハ６の下面（被研磨面）が研磨布９と擦り合わされる。この時、同時に研磨布９上に砥液供給ノズルから砥液を供給することにより、半導体ウエハ６の被研磨面は、砥液中の砥粒の機械的研磨作用と砥液の液体成分であるアルカリによる化学的研磨作用との複合作用によってポリッシングされる。
半導体ウエハ６の所定の研磨量を研磨した時点でポリッシングを終了する。このポリッシングが終了した時点では、ポリッシングによって研磨布９の特性が変化し、次に行うポリッシングの研磨性能が劣化するので、ドレッシング部材８によって研磨布９のドレッシングを行う。
図１に示すように、研磨ユニット２ａ，２ｂは、半導体ウエハをトップリング７との間で授受するプッシャ８１を備えている。トップリング７は水平面内で旋回可能とされ、プッシャ８１は上下動可能となっている。
洗浄機の構成は任意であるが、例えば、第１次洗浄機１４ａ，１４ｂがスポンジ付きのローラで半導体ウエハ表裏両面を拭う形式の洗浄機であり、第２次洗浄機１５ａ，１５ｂが半導体ウエハのエッジを把持して水平面内で回転させながら洗浄液を供給する形式の洗浄機である。後者は、遠心脱水して乾燥させる乾燥機としての機能を持つ。第１次洗浄機１４ａ，１４ｂにおいて、半導体ウエハの１次洗浄を行うことができ、第２次洗浄機１５ａ，１５ｂにおいて１次洗浄後の半導体ウエハの２次洗浄を行うことができるようになっている。
スカラロボット１１ａ，１１ｂは、例えばロボット本体の上部に水平面内で屈曲自在に関節アームが設けられているもので、それぞれ上下に２つの把持部を有し、これら把持部をドライフィンガとウエットフィンガとして使い分ける形式となっている。この実施の形態ではロボットを２基使用しているので、基本的に、第１ロボット１１ａは、反転機１２，１３よりカセット側の領域を、第２ロボット１１ｂは反転機１２，１３より研磨ユニット側の領域を受け持つ。
図４乃至図６は、洗浄部１０とクリーン室２０とロードアンロード部３０との関係を示す図であり、図４は図１のIV−IV線断面図、図５は図１のＶ−Ｖ線断面図、図６は図１のVI−VI線断面図である。図４に示すように、ロードアンロード部３０にはスカラロボット３１が設置されている。スカラロボット３１はリニアモータ３２により図１の実線と破線との間を走行可能になっている。ロードアンロード部３０とウエハカセット部４０との間にはハウジング１００の壁があるが、この壁には開口１００ａ（図５参照）が形成されている。そして、スカラロボット３１によってウエハカセット部４０内のウエハカセット部４１から半導体ウエハ６を１枚ずつ取り出し、隣接するクリーン室２０に供給するようになっている。開口１００ａは、上下動する扉１１０により閉塞されるようになっている。ウエハ処理中は扉１１０が開き、開口１００ａを形成するが、処理前、処理後及び装置停止時は扉１１０が閉じ、ロードアンロード部３０とウエハカセット部４０とを隔絶してメンテナンスやウエハカセットの交換を行う。すなわち、ウエハ処理中は、ウエハカセット部４０とロードアンロード部３０は、同じ雰囲気が保たれる。
クリーン室２０内には、図５に示すように、ハンドリングテーブル５０が設置されている。また、クリーン室２０とロードアンロード部３０との間を仕切る隔壁１０３には開口１０３ａが設けられ、この開口１０３ａを開閉するシャッタ２２が設けられている。シャッタ２２はエアシリンダ２３によって開閉されるようになっている。また、図６に示すように、クリーン室２０と洗浄部１０との間を仕切る隔壁１０２には、開口１０２ａが設けられ、この開口１０２ａを開閉するシャッタ２４が設けられている。シャッタ２４はエアシリンダ２５によって開閉されるようになっている。
ウエハの搬出入部を図４乃至図６に示すように構成することにより、ウエハの処理部への搬入時にはウエハカセット部４０より半導体ウエハ６をスカラロボット３１が取り出し、次に、ロードアンロード部３０側のシャッタ２２が開き、半導体ウエハ６をクリーン室２０内のハンドリングテーブル５０にセットする。次に、シャッタ２２が閉じ、処理部側のシャッタ２４が開き、スカラロボット１１ａによりハンドリングテーブル５０上の半導体ウエハ６を取り出し、その後、処理部側のシャッタ２４を閉じる。ウエハの処理部からの搬出時には、上記の逆の手順で行われる。この手順で処理部へウエハを搬出入することにより、各ウエハ処理部よりの汚染がロードアンロード部３０に入らない。
図７乃至図９は、ハンドリングテーブル５０の詳細を示す図であり、図７はハンドリングテーブルの正面図、図８はハンドリングテーブルの平面図、図９は図７のIX−IX線矢視図である。
図７乃至図９に示すように、ハンドリングテーブル５０は、ボックス状のフレーム５１と、フレーム５１の上面のプレート５１ａに固定され逆円錐状のテーパ面５２ａを有し半導体ウエハ６の外周縁に接触して半導体ウエハ６を支持する４個の支持部材５２と、支持部材５２に支持された半導体ウエハ６を受け取って所定量だけ回転させる４個の位置合せ用部材５３を備えている。４個の位置合せ用部材５３は回転台５４に固定されており、回転台５４はモータ５５によって回転可能になっている。またモータ５５および回転台５４は昇降台５６によって支持されており、昇降台５６はエアシリンダ５７によって昇降可能になっている。なお符号６０はスプラインシャフトである。
また、プレート５１ａの上面には、半導体ウエハ６の外周部のノッチを検出するノッチ検出センサ５８が固定されている。フレーム５１の上面には、支持部材５２のテーパ面５２ａ上に半導体ウエハ６が存在するか否かを検出するウエハ検出センサ５９が固定されている。
図１０Ａ及び図１０Ｂはノッチ検出センサ５８と支持部材５２と位置合せ用部材５３との関係を示す図である。図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、ノッチ検出センサ５８は、投光部５８ａと受光部５８ｂとから構成されている。支持部材５２のテーパ面５２ａの所定の円周上に支持された半導体ウエハ６はエアシリンダ５７により上昇する位置合せ用部材５３により受け取られ、その後、位置合せ用部材５３がモータ５５により回転駆動される。ノッチ検出センサ５８は、回転している半導体ウエハ６のノッチを検出可能な位置に光軸を合わせてあり、投光部５８ａからの光は通常遮光状態であり、半導体ウエハ６のノッチが光軸を通過する時にのみ受光部５８ｂは投光部５８ａからの光を受光し、光を電気的信号に変換して出力する。ノッチ検出センサ５８、位置合せ用部材５３、回転台５４およびモータ５５は半導体ウエハ６のノッチ位置の位置合せ機構を構成している。
またウエハ検出センサ５９は、図７および図８に示すように投光部５９ａと受光部５９ｂとから構成されており、投光部５９ａからの光が支持部材５２のテーパ面５２ａ上の半導体ウエハ６によって遮光されて受光部５９ｂに到達しないときに、半導体ウエハ６が支持部材５２上に存在すると判定する。
図１１はノッチ検出センサ５８、ウエハ検出センサ５９およびモータ５５の制御回路を示すブロック図である。図１１に示すように、ノッチ検出センサ５８は、センサアンプ６１を介してドライブユニット６２に接続されている。ドライブユニット６２とモータ（ダイレクトドライブモータ）５５とはモータケーブルおよびレゾルバケーブルによって相互に接続されている。ドライブユニット６２はＲＳ２３２Ｃケーブルによってボードコンピュータ６４に接続されている。ウエハ検出センサ５９はセンサアンプ６６を介してボードコンピュータ６４に接続されている。またモータ５５の原点を確認するための原点確認用センサ６７が設置されており、原点確認用センサ６７はセンサアンプ６８を介してボードコンピュータ６４に接続されている。なお回転台５４には原点確認用センサ６７によって検出される被検出部７５が固定されている（図７参照）。
次に、図７乃至図１１のように構成されたハンドリングテーブル５０の作用を説明する。
処理部において処理された半導体ウエハ６は、ロボット１１ａによってハンドリングテーブル５０における支持部材５２のテーパ面５２ａに受け渡される。このとき、半導体ウエハ６は、４個のテーパ面５２ａによってセンタリングがなされる（図１０Ａ参照）。支持部材５２に半導体ウエハ６が受け渡されると、これをウエハ検出センサ５９が検出する。ウエハが検出されると、エアシリンダ５７が作動して位置合せ用部材５３が上昇して半導体ウエハ６を受け取り、半導体ウエハ６が回転可能となる（図１０Ｂ参照）。この状態でボードコンピュータ６４によりモータ５５の駆動が開始される。
半導体ウエハ６のノッチがノッチ検出センサ５８をよぎると、センサ信号が出力（ＯＮ）され、この信号がドライブユニット６２に入力される。前記信号出力（ＯＮ）されたタイミングから予め設定しておいたパルス個数分だけモータ５５が回転し停止する。これによって、半導体ウエハのノッチ位置が所定方向に位置合せされる。
モータ５５の停止後、エアシリンダ５７が作動して、位置合せ用部材５３が下降する。そのため、半導体ウエハ６は位置合せ用部材５３から支持部材５２に受け渡される。位置合せ用部材５３が降下した後、再度モータ５５を回転させ、原点復帰させる。モータ５５が原点復帰すると、これが原点確認用センサ６７によって検出される。次に、スカラロボット３１が支持部材５２上の半導体ウエハ６を受け取り、半導体ウエハ６をウエハカセット部４０内のウエハカセット４１に収納する。
半導体ウエハ６をスカラロボット３１によりウエハカセット４１からハンドリングテーブル５０に移送し、さらにハンドリングテーブル５０からスカラロボット１１ａにより処理部に供給する際には、通常、ハンドリングテーブル５０ではノッチ位置合わせはしないが、この場合にもノッチ位置合わせをしてもよい。なお、ノッチ検出センサ５８およびウエハ検出センサ５９は、透過型光センサを示したが、反射型光センサであってもよい。
次に、処理部における処理手順を説明する。
図１に示すポリッシング装置においては、シリーズ処理とパラレル処理の双方が行われる。
（１）シリーズ処理（逐次処理）
シリーズ処理（２段階研磨）の場合は、洗浄機は３台が稼働する。
半導体ウエハの流れは、ウエハカセット４１→ハンドリングテーブル５０→反転機１２→第１研磨ユニット２ａ→洗浄機１４ａ→第２研磨ユニット２ｂ→洗浄機１４ｂ→反転機１３→洗浄機１５ａ→ハンドリングテーブル５０→ウエハカセット４１となる。ロボット１１ａ，１１ｂは、それぞれ、ドライな半導体ウエハを扱う時はドライフィンガを用い、濡れた半導体ウエハを扱う時はウエットフィンガを用いる。プッシャ８１は、ロボット１１ｂから半導体ウエハを受け、トップリング７が上方に来た時に上昇して半導体ウエハを渡す。トップリング７は研磨ユニットの研磨布上に旋回し、ウエハの研磨が行われる。研磨後の半導体ウエハを保持したトップリング７は再度プッシャ８１の上方に旋回し、プッシャ８１が上昇して半導体ウエハがプッシャ８１に受け渡され、半導体ウエハはプッシャ８１の位置に設けられたリンス液供給装置によってリンス洗浄される。
このようなポリッシング装置では、プッシャ８１及び洗浄機１４ａで半導体ウエハがトップリング７と切り離された状態で洗浄されるので、半導体ウエハの被研磨面だけでなく裏面や側面に付着する第１次研磨用の研磨液等を完全に除去することができる。第２次の研磨を受けた後は、洗浄機１４ｂ及び洗浄機１５ａで洗浄され、スピン乾燥されてハンドリングテーブル５０を介してカセット４１へ戻される。シリーズ処理においては、第１研磨ユニット２ａにおける研磨条件と第２研磨ユニット２ｂにおける研磨条件は異なっている。
（２）パラレル処理（並列処理）
この場合は、４基の洗浄機を稼動させる。カセットは２つを用いても、１つのカセットを共用してもよい。
半導体ウエハが、ウエハカセット４１→ハンドリングテーブル５０→反転機１２→研磨ユニット２ａ→洗浄機１４ａ→反転機１３→洗浄機１５ａ→ハンドリングテーブル５０→ウエハカセット４１と移動する流れと、半導体ウエハが、ウエハカセット４１→ハンドリングテーブル５０→反転機１２→研磨ユニット２ｂ→洗浄機１４ｂ→反転機１３→洗浄機１５ｂ→ハンドリングテーブル５０→ウエハカセット４１と移動する流れの２系列あることになる。反転機１２，１３は、シリーズ処理の場合も同様であるが、研磨前のドライな半導体ウエハを扱う反転機１２と、研磨後のウエットな半導体ウエハを扱う反転機１３とを使い分けるが、洗浄機は搬送ラインの両側のいずれを用いてもよい。パラレル処理においては、研磨ユニット２ａ，２ｂにおける研磨条件は同一であり、洗浄機１４ａ，１４ｂにおける洗浄条件は同一であり、洗浄機１５ａ，１５ｂにおける洗浄条件は同一である。洗浄機１５ａ，１５ｂにおいて、半導体ウエハは洗浄およびスピン乾燥された後、ハンドリングテーブル５０を介してカセット４１へ戻される。
実施例においては、密閉型のウエハカセット部を説明したが、ウエハカセット部は通常のオープン型のウエハカセットを用いることもできる。
以上説明したように、本発明の第１の態様によれば、処理部と収容部との間に独立したクリーン室を設けることにより、以下の効果を奏する。
１）処理部のクリーン度を不必要に上げる必要がなく、各種フィルタやファン等の付帯設備の小型化ができる。
２）処理部のクリーン度を必要以上に高めることを必要とせず、装置を設置するクリーンルームにおける空気の消費量が少なくてすみ、運転コストを安くできる。
３）今後、ウエハカセット部等の収容部のクリーン度が高められることが見込まれるが、本発明を適用することにより簡単に対応できる。
４）処理後の製品の２次汚染を極力防止することができ、品質向上を達成できる。
また本発明の第２の態様によれば、ポリッシング装置における処理部と収容部との間の搬送工程の間に、半導体ウエハの基準位置（オリフラ、ノッチ等）を所定の方向に合わせて停止させる、位置合わせを行うことができる。したがって、半導体ウエハの位置合わせのための別途の工程を必要とせずに、処理後の複数の半導体ウエハを収容部内に所定の方向に整列させることができる。このため、位置合わせ用の専用機を省略することができる。
本発明の好ましい１態様によれば、半導体ウエハの研磨、洗浄、半導体ウエハの基準位置の位置合わせの３工程を同一装置の中で自動運転中に行うことができる。
産業上の利用の可能性
本発明は、半導体ウエハ等のポリッシング対象物を平坦かつ鏡面状に研磨するポリッシング装置に関するものであり、半導体デバイスの製造工程の１つである化学機械的研磨（ＣＭＰ）に好適に利用される。
Claims (6)
- クリーンルーム内に設置され、半導体ウエハ等のポリッシング対象物を研磨するポリッシング装置において、
ポリッシング対象物を研磨する処理部と、該処理部への研磨すべきポリッシング対象物の供給及び／又は研磨後のポリッシング対象物の受け入れのための収容部と、前記処理部と収容部との間に両部を隔てたシャッタ付の隔壁によって区画されたロードアンロード部とを備え、
前記ロードアンロード部内の圧力は前記処理部内の圧力より高く設定され、かつ前記処理部内の圧力は前記クリーンルームの圧力より低く設定され、
前記処理部と収容部との間に両部を隔てたシャッタ付の隔壁によって区画されたクリーン室を備え、前記クリーン室内の圧力は前記処理部内の圧力より高く、前記ロードアンロード部内の圧力より低いことを特徴とするポリッシング装置。 - 前記ロードアンロード部内の圧力は前記クリーンルームの圧力より高いことを特徴とする請求項１記載のポリッシング装置。
- 前記ロードアンロード部内に、前記クリーン室と収容部との間でポリッシング対象物を受け渡しする搬送装置が設置されていることを特徴とする請求項１記載のポリッシング装置。
- 前記処理部と収容部間で半導体ウエハを搬送する途中で半導体ウエハの基準位置を所定の方向に合わせる位置合わせ機構を備えたことを特徴とする請求項１記載のポリッシング装置。
- 前記位置合わせ機構は、前記クリーン室に設置されていることを特徴とする請求項４記載のポリッシング装置。
- 前記位置合わせ機構は、前記半導体ウエハを保持して回転させる回転機構と、前記半導体ウエハの基準位置を検出するセンサとを備え、前記センサの出力を利用し、前記半導体ウエハの回転終了時に半導体ウエハの基準位置を所定の位置に合わせることが可能であることを特徴とする請求項４記載のポリッシング装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7487098 | 1998-03-09 | ||
| JP25341898 | 1998-09-08 | ||
| PCT/JP1999/001131 WO1999046084A1 (fr) | 1998-03-09 | 1999-03-09 | Appareil de polissage |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP4156039B2 true JP4156039B2 (ja) | 2008-09-24 |
Family
ID=26416048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54561299A Expired - Lifetime JP4156039B2 (ja) | 1998-03-09 | 1999-03-09 | ポリッシング装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6293855B1 (ja) |
| EP (1) | EP0987084A4 (ja) |
| JP (1) | JP4156039B2 (ja) |
| KR (1) | KR100552009B1 (ja) |
| WO (1) | WO1999046084A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016035499A1 (ja) * | 2014-09-01 | 2016-03-10 | 株式会社 荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679059A (en) * | 1994-11-29 | 1997-10-21 | Ebara Corporation | Polishing aparatus and method |
| JP4052736B2 (ja) * | 1998-07-21 | 2008-02-27 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置 |
| US6358128B1 (en) * | 1999-03-05 | 2002-03-19 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| JP4248695B2 (ja) * | 1999-07-26 | 2009-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | ウェハ移載装置の緊急停止装置 |
| EP1080840A3 (en) * | 1999-08-30 | 2004-01-02 | Mitsubishi Materials Corporation | Polishing apparatus, polishing method and method of conditioning polishing pad |
| US6358126B1 (en) * | 2000-05-23 | 2002-03-19 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| JP4197103B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2008-12-17 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置 |
| US7627422B2 (en) * | 2003-06-24 | 2009-12-01 | At&T Intellectual Property I, Lp | Methods, systems and computer program products for ride matching based on selection criteria and drive characteristic information |
| US6910956B1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-06-28 | Powerchip Semiconductor Corp. | Wafer grinding apparatus |
| KR100583730B1 (ko) * | 2004-06-29 | 2006-05-26 | 삼성전자주식회사 | 기판 이송 시스템 및 상기 시스템의 프레임 내 압력을조절하는 방법 |
| JP4273056B2 (ja) * | 2004-08-12 | 2009-06-03 | 不二越機械工業株式会社 | 研磨装置 |
| JP5155517B2 (ja) * | 2005-04-21 | 2013-03-06 | 株式会社荏原製作所 | ウエハ受渡装置及びポリッシング装置 |
| JP2008198667A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Nec Electronics Corp | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| US20130199405A1 (en) * | 2012-02-08 | 2013-08-08 | Applied Materials, Inc. | Circular track actuator system |
| JP5993625B2 (ja) * | 2012-06-15 | 2016-09-14 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板反転装置、および、基板処理装置 |
| JP6055648B2 (ja) * | 2012-10-26 | 2016-12-27 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置及び研磨方法 |
| US9099510B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-08-04 | Genmark Automation, Inc. | Workpiece flipping mechanism for space-constrained environment |
| JP2014179508A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US9539699B2 (en) * | 2014-08-28 | 2017-01-10 | Ebara Corporation | Polishing method |
| KR101616464B1 (ko) * | 2014-11-18 | 2016-04-29 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마장비의 웨이퍼 로딩장치 및 웨이퍼 로딩위치 조정 방법 |
| JP6971676B2 (ja) * | 2016-08-29 | 2021-11-24 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US10500691B2 (en) * | 2016-08-29 | 2019-12-10 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US11292101B2 (en) * | 2017-11-22 | 2022-04-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing apparatus and method |
| US20220111485A1 (en) * | 2020-10-08 | 2022-04-14 | Kctech Co., Ltd. | Substrate processing system |
| KR102513857B1 (ko) * | 2021-01-14 | 2023-03-27 | 에스케이실트론 주식회사 | 기류 순환 시스템 및 이를 구비한 파이널 폴리싱 장치 |
Family Cites Families (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4197679A (en) | 1977-04-15 | 1980-04-15 | Ito & Okamoto, Esq. | Method for controlling the rotational speed of a rotary body |
| JPS6080241A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Hitachi Ltd | 位置合せ装置 |
| US4951601A (en) * | 1986-12-19 | 1990-08-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-chamber integrated process system |
| JPH0756879B2 (ja) * | 1988-03-31 | 1995-06-14 | 日鉄セミコンダクター株式会社 | 半導体の無塵化製造装置 |
| KR920001715Y1 (ko) | 1989-07-12 | 1992-03-13 | 박경 | 판유리 변형 면취기의 회전테이블의 회전속도 자동조절장치 |
| JPH0364477A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-19 | Nec Corp | 常圧処理装置 |
| US5329732A (en) * | 1992-06-15 | 1994-07-19 | Speedfam Corporation | Wafer polishing method and apparatus |
| US5498199A (en) * | 1992-06-15 | 1996-03-12 | Speedfam Corporation | Wafer polishing method and apparatus |
| ES2079829T3 (es) | 1992-08-04 | 1996-01-16 | Ibm | Aparato de enlace a presion para transferir una rebanada semiconductora entre un recipiente transportable estanco a presion y un equipo de tratamiento. |
| JP3052105B2 (ja) * | 1992-11-20 | 2000-06-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄処理装置 |
| JP2548668B2 (ja) | 1993-02-26 | 1996-10-30 | エヌティティエレクトロニクステクノロジー株式会社 | 半導体デバイス製造装置 |
| JP2676472B2 (ja) | 1993-08-11 | 1997-11-17 | 喜彦 堀尾 | カオスニューロンモデル装置 |
| US5885138A (en) * | 1993-09-21 | 1999-03-23 | Ebara Corporation | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
| US5679059A (en) | 1994-11-29 | 1997-10-21 | Ebara Corporation | Polishing aparatus and method |
| KR100390293B1 (ko) * | 1993-09-21 | 2003-09-02 | 가부시끼가이샤 도시바 | 폴리싱장치 |
| JP3420849B2 (ja) * | 1993-09-21 | 2003-06-30 | 株式会社東芝 | ポリッシング装置及び方法 |
| US5518542A (en) | 1993-11-05 | 1996-05-21 | Tokyo Electron Limited | Double-sided substrate cleaning apparatus |
| JP3123331B2 (ja) | 1994-02-18 | 2001-01-09 | 富士通株式会社 | 研磨装置と半導体装置の製造方法 |
| US5468302A (en) | 1994-07-13 | 1995-11-21 | Thietje; Jerry | Semiconductor wafer cleaning system |
| US5655954A (en) | 1994-11-29 | 1997-08-12 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | Polishing apparatus |
| JP3644706B2 (ja) | 1994-11-29 | 2005-05-11 | 東芝機械株式会社 | ポリッシング装置 |
| JP3556300B2 (ja) | 1994-11-29 | 2004-08-18 | 東芝機械株式会社 | ポリッシング装置 |
| JP3803130B2 (ja) * | 1994-12-06 | 2006-08-02 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置及びポリッシング方法 |
| KR100487590B1 (ko) | 1995-08-21 | 2005-08-04 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 폴리싱장치 |
| US5860640A (en) * | 1995-11-29 | 1999-01-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor wafer alignment member and clamp ring |
| EP1498934A3 (en) * | 1996-02-28 | 2005-12-21 | Ebara Corporation | Robotic wafer transport apparatus |
| US6050884A (en) * | 1996-02-28 | 2000-04-18 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| US5904611A (en) * | 1996-05-10 | 1999-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Precision polishing apparatus |
| US5725414A (en) | 1996-12-30 | 1998-03-10 | Intel Corporation | Apparatus for cleaning the side-edge and top-edge of a semiconductor wafer |
| US6036582A (en) * | 1997-06-06 | 2000-03-14 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| JPH11219930A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Ebara Corp | 洗浄装置 |
| US6168672B1 (en) * | 1998-03-06 | 2001-01-02 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for automatically performing cleaning processes in a semiconductor wafer processing system |
-
1999
- 1999-03-09 WO PCT/JP1999/001131 patent/WO1999046084A1/ja active IP Right Grant
- 1999-03-09 US US09/423,445 patent/US6293855B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-09 KR KR1019997010295A patent/KR100552009B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-03-09 JP JP54561299A patent/JP4156039B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-09 EP EP99939175A patent/EP0987084A4/en not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-08-17 US US09/931,412 patent/US6929529B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-07-11 US US11/177,278 patent/US7063600B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016035499A1 (ja) * | 2014-09-01 | 2016-03-10 | 株式会社 荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
| JP2016049612A (ja) * | 2014-09-01 | 2016-04-11 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010053663A1 (en) | 2001-12-20 |
| EP0987084A4 (en) | 2006-11-15 |
| US20060003672A1 (en) | 2006-01-05 |
| KR100552009B1 (ko) | 2006-02-20 |
| US6293855B1 (en) | 2001-09-25 |
| EP0987084A1 (en) | 2000-03-22 |
| KR20010012343A (ko) | 2001-02-15 |
| WO1999046084A1 (fr) | 1999-09-16 |
| US7063600B2 (en) | 2006-06-20 |
| US6929529B2 (en) | 2005-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4156039B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
| US6874515B2 (en) | Substrate dual-side processing apparatus | |
| JP6727044B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP5617012B2 (ja) | 基板処理装置及び該基板処理装置の運転方法 | |
| JP3841491B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
| JP4989398B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2003309089A (ja) | ポリッシング装置及び基板処理装置 | |
| JP4030654B2 (ja) | 基板搬送装置 | |
| KR20150120869A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| JP2000294616A (ja) | 仮置台付位置合わせ機構及びポリッシング装置 | |
| JP3958572B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| CN107546155B (zh) | 清洗装置及基板处理装置 | |
| JP2001038615A (ja) | ポリッシング装置 | |
| KR20190140840A (ko) | 기판 반송 시스템을 위한 티칭 장치 및 티칭 방법 | |
| JP3891641B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
| JP3315544B2 (ja) | 半導体ウエハ研磨装置および方法 | |
| JP3999540B2 (ja) | スクラブ洗浄装置におけるブラシクリーニング方法及び処理システム | |
| JP2020161847A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR20070090316A (ko) | 웨이퍼 세정장치 | |
| JP7394821B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3862435B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
| JP2003077872A (ja) | 半導体ウェハ研磨装置及び研磨方法 | |
| JP7200345B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2002151450A (ja) | インライン化ウエハ搬送装置 | |
| JPH07297154A (ja) | 基板搬送装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050119 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050119 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070703 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071009 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071203 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080401 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080514 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080708 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080709 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130718 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |