KR20070090316A - 웨이퍼 세정장치 - Google Patents

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KR20070090316A
KR20070090316A KR1020060019888A KR20060019888A KR20070090316A KR 20070090316 A KR20070090316 A KR 20070090316A KR 1020060019888 A KR1020060019888 A KR 1020060019888A KR 20060019888 A KR20060019888 A KR 20060019888A KR 20070090316 A KR20070090316 A KR 20070090316A
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박광구
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Abstract

본 발명은 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 웨이퍼 세정장치에 관한 것으로, 웨이퍼를 세정하는 적어도 하나 이상의 공정실; 상기 공정실에서 세정이 완료된 다수개의 웨이퍼를 건조시키는 건조실; 상기 건조실 및 공정실을 외부로부터 독립시키고 상기 웨이퍼가 이송 또는 반송되는 입구 및 출구를 구비하여 상기 건조실 또는 공정실을 커버링하도록 형성된 하우징; 및 상기 하우징의 입구 및 출구를 통해 상기 건조실 또는 공정실에서 사용되는 세정액 또는 세정가스가 유출되는 것을 방지하기 위해 상기 공정실 또는 건조실에서 상기 웨이퍼의 세정공정의 시작 또는 건조공정의 완료 유무에 따라 상기 입구 및 출구를 선택적으로 개폐하는 적어도 하나 이상의 도어를 포함함에 의해 상기 입구 또는 출구를 통해 상기 세정액 또는 세정가스가 유출되어 유발되는 웨이퍼 또는 반도체 생산설비의 오염을 방지토록 할 수 있기 때문에 생산수율을 향상시킬 수 있다.
웨이퍼, 세정(cleaning), 하우징(housing), 공정실, 건조실,

Description

웨이퍼 세정장치{Apparatus for cleaning semiconductor wafer}
도 1은 일반적인 화학적 기계적 연마장치를 개략적으로 나타낸 평면도.
도 2는 종래 기술에 따른 웨이퍼 세정장치를 나타낸 평면도.
도 2의 웨이퍼 세정장치를 나타내는 정면도.
도 4는 도 2의 건조실을 나타내는 측단면도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치를 개략적으로 나타낸 평면도.
도 6 은 도 5의 웨이퍼 세정장치를 나타내는 정면도.
도 7은 도 5의 건조실을 나타내는 측단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
500 : 제 1 공정실 600: 제 2 공정실
700 : 건조실 800 : 도어
본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 상세하게는 화학적 기계적 연마설비에서 연마 공정이 완료된 웨이퍼를 세정하는 웨이퍼 세정장치에 관한 것이다.
일반적으로 정보 통신 분야의 급속한 발달과, 컴퓨터와 같은 정보 매체의 대중화에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 또한, 그 기능적인 면에 있어서 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구되고 있다. 이에 따라, 상기 반도체 소자의 제조 기술은 집적도, 신뢰도 및, 응답 속도 등을 극대화하는 방향으로 연구 개발되고 있다. 반도체 소자의 제조 기술은 크게 웨이퍼 상에 가공막을 형성하는 증착(deposition)공정과, 상기 증착공정으로 형성된 가공막 상에 피가공막을 형성하여 패터닝 하는 포토리소그래피(photolithography) 공정 및 식각 공정으로 이루어진다. 이때, 상기 증착 공정, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정 시 상기 웨이퍼의 상태를 청결하기 위한 세정작업이 필수적으로 이루어진다.
예컨대, 반도체 디바이스의 표면을 평탄화하기 위해 사용되는 화학적 기계적 연마설비는 다음과 같은 웨이퍼 세정장치를 구비한다.
도 1은 일반적인 화학적 기계적 연마설비를 개략적으로 나타낸 평면도로서, 화학적 기계적 연마설비(100)는 화학적 기계적 연마공정을 수행하기 위해 카세트(118) 내부에 탑재된 다수개의 웨이퍼(122)를 낱장으로 취출하고, 상기 연마 공정을 완료한 웨이퍼를 세정하여 다시 상기 카세트에 탑재시키는 팩토리 인터페이스(factory interface, 102)와, 상기 팩토리 인터페이스(102)에서 취출된 상기 웨이퍼(122)를 이송시키는 적재 로봇(104)과, 상기 적재 로봇(104)에서 반송되는 웨이 퍼(122)를 슬러리 및 폴리싱 장치를 이용하여 화학적 기계적 연마하는 연마 장치(polishing module)를 포함하여 이루어진다. 도시되지는 않았지만, 상기 적재 로봇(104)과, 연마 장치(106) 및 팩토리 인터페이스(102)에 연결되어 연마, 정화 및 이송공정을 제어하는 제어부를 더 포함하여 이루어진다.
여기서, 상기 적재 로봇(104)은 상기 팩토리 인터페이스(102)에서 취출된 상기 웨이퍼(122)를 이송시킬 뿐만 아니라, 상기 연마 장치(106)에서 화학적 기계적 연마를 완료한 상기 웨이퍼(122)를 상기 팩토리 인터페이스(102)에 반송시킨다.
또한, 상기 팩토리 인터페이스(102)는 상기 카세트(118) 내부에 탑재된 웨이퍼(122)를 취출하는 인터페이스 로봇(120)과, 상기 인터페이스 로봇(120)에 의해 취출된 웨이퍼(122)를 일시적으로 안착시켜 상기 적재 로봇(104)에 전달하는 웨이퍼 트랜스퍼 장치(124)와, 상기 연마 장치에서 화학적 기계적 연마가 완료된 웨이퍼를 세정 또는 정화하는 웨이퍼 세정장치(116)를 포함하여 구성된다.
도 2는 종래 기술에 따른 웨이퍼 세정장치(116)를 나타낸 평면도이고, 도 3은 도 2의 웨이퍼 세정장치를 나타내는 정면도이고, 도 4는 도 2의 건조실을 나타내는 측단면도이다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 종래 기술에 따른 웨이퍼 세정장치(116)는, 상기 웨이퍼의 세정공정이 수행되는 제 1 공정실(process chamber, 10)과 제 2 공정실(20)과, 상기 제 1 공정실(10) 및 제 2 공정실(20)에서 세정공정이 완료된 웨이퍼(122)의 표면에 잔존하는 세정액을 건조시키는 건조실(dryer chamber, 30)과, 상기 제 1 공정실(10), 제 2 공정실(20), 및 건조실(30)을 외부로부터 독립된 소정공간을 갖도록 커버링하고, 상기 제 1 공정실(10)에 웨이퍼(122)를 투입시키는 입구(52)와 상기 건조실(30)에서 상기 웨이퍼(122)가 배출되는 출구(54)를 구비하는 하우징(50)을 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 제 1 공정실(10)과 제 2 공정실(20)에는 각각 연마 공정이 완료된 웨이퍼(122)를 삽입하여 상기 웨이퍼(122)의 상하면를 닦아내는 제 1 및 제 2 하부 브러시(14, 24 ; Lower brush)와, 제 1 및 제 2 상부 브러시(12, 22 ; Upper brush)가 위치되어 있다. 이때, 상기 각 하부 및 상부 브러시가 시계 반대 방향으로 회전하면서 상기 웨이퍼(122)의 상하면을 닦아 내고, 상기 제 1 공정실(10)에서 세정작업이 완료된 상기 웨이퍼(122)는 상기 제 1 상부 및 하부 브러시(12, 14)의 회전마찰 압력에 의해 상기 제 1 컨베이어 벨트(15)에 전달된다. 또한, 상기 웨이퍼(122)의 외주면 양측에서 상기 웨이퍼(122)를 지지하고, 상기 웨이퍼(122)를 일정한 속도로 회전시키는 제 1 및 제 2 토글 롤러(40, 42)가 상기 제 1 및 제 2 상부 브러시(12, 22)의 양측에 복수개씩 형성되어 있다.
또한, 상기 제 1 공정실(10) 및 제 2 공정실(20)과, 건조실(30) 서로간에는 상기 연마 공정이 완료된 웨이퍼(122)가 전송될 수 있도록 제 1 및 제 2 컨베이어 벨트(15, 25)로 이루어진 트랜스퍼에 의해 연결되어 있다. 예컨대, 상기 제 1 공정실(10)에서는 염기성 성분을 함유하는 세정액을 이용하여 상기 웨이퍼(122) 상에 잔존하는 슬러리를 세정하토록 하고, 상기 제 2 공정실(20)에서는 탈이온수를 이용하여 상기 염기성 성분을 함유하는 세정액을 제거토록 할 수 있다. 또한, 상기 건조실(30)에서는 상기 웨이퍼(122)를 고속으로 회전시켜 상기 제 2 공정실(20)에서 세정공정이 완료된 웨이퍼(122)에 잔존하는 탈이온수를 제거시킬 수 있다. 이때, 상기 건조실(30)에서 상기 웨이퍼(122)는 스핀들(35)에 의해 고속으로 회전되며 상기 웨이퍼(122)의 건조 공정이 완료되면 상기 스핀들(35)의 상부에 형성된 상기 하우징(50)의 출구(54)를 통해 배출될 수 있다.
하지만, 종래 기술에 따른 웨이퍼 세정장치(116)는 다음과 같은 문제점이 있었다.
종래의 웨이퍼 세정장치는 건조실(30)의 스핀들(35)이 웨이퍼(122)를 고속으로 회전시켜 상기 웨이퍼(122)에 잔존하는 탈이온수를 건조시키는 과정에서 상기 스핀들(35) 상부에 형성된 하우징(50)의 출구(54)를 통해 상기 탈이온수가 유출되어 웨이퍼 세정장치 주위의 웨이퍼(122) 또는 반도체 생산설비를 오염시킬 수 있기 때문에 생산수율이 줄어드는 단점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 건조실(30)에서 웨이퍼(122)의 건조시 하우징의 출구(54)를 통해 유출되는 탈이온수에 의해 주위의 웨이퍼(122) 또는 반도체 생산설비의 오염을 방지토록 하여 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 웨이퍼 세정장치를 제공하는 데 있다.
상기한 기술적 과제들의 일부를 달성하기 위한 본 발명의 양태(aspect)에 따른 웨이퍼 세정장치는, 웨이퍼를 세정하는 적어도 하나 이상의 공정실; 상기 공정실에서 세정이 완료된 다수개의 웨이퍼를 건조시키는 건조실; 상기 건조실 및 공정 실을 외부로부터 독립시키고 상기 웨이퍼가 이송 또는 반송되는 입구 및 출구를 구비하여 상기 건조실 또는 공정실을 커버링하도록 형성된 하우징; 및 상기 하우징의 입구 및 출구를 통해 상기 건조실 또는 공정실에서 사용되는 세정액 또는 세정가스가 유출되는 것을 방지하기 위해 상기 공정실 또는 건조실에서 상기 웨이퍼의 세정공정의 시작 또는 건조공정의 완료 유무에 따라 상기 입구 및 출구를 선택적으로 개폐하는 적어도 하나 이상의 도어를 포함함을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 6 은 도 5의 웨이퍼 세정장치를 나타내는 정면도이고, 도 7은 도 5의 건조실을 나타내는 측단면도이다.
도 5 및 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 웨이퍼 세정장치는 화학적 기계적 연마설비에서 연마공정이 완료된 웨이퍼를 세정하는 제 1 공정실(500) 및 제 2 공정실(600)과, 상기 제 1 공정실(500) 및 제 2 공정실(600)에서 세정공정이 완료된 다수개의 웨이퍼(222)를 건조시키는 건조실(700)과, 상기 건조실(700) 및 공정실을 외부로부터 독립시키고 상기 웨이퍼(222)가 이송 또는 반송되는 입구(210) 및 출구(220)를 구비하여 상기 건조실(700) 또는 공정실을 커버링하도록 형성된 하우징(200)과, 상기 하우징(200)의 입구(210) 및 출구(220)를 통해 상기 건조실(700) 또는 공정실에서 사용되는 세정액 또는 세정가스가 유출되는 것을 방지하기 위해 상기 공정실 또는 건조실(700)에서 상기 웨이퍼(222)의 세정공정 시작 또는 건조공정의 완료 유무에 따라 상기 입구(210) 및 출구(220)를 선택적으로 개폐하는 적어도 하나 이상의 도어(800)를 포함하여 구성된다.
도시되지는 않았지만, 상기 도어(800)가 형성되는 상기 입구(210) 및 출구(220)를 통해 상기 하우징(200)의 외부에서 인터페이스 로봇(900) 또는 적재 로봇(400)이 투입될 때, 상기 도어(800)를 오픈시키도록 제어신호를 출력하는 제어부를 더 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 제 1 및 제 2 공정실(500, 600) 및 건조실(700)(700) 서로간에는 상기 연마 공정이 완료된 웨이퍼(222)가 전송될 수 있도록 제 1 및 제 2 컨베이어 벨트(550, 650)로 이루어진 트랜스퍼에 의해 연결되어 있다. 예컨대, 상기 제 1 및 제 2 컨베이어 벨트(550, 650)는 상기 웨이퍼(222)의 양측을 지지하며 외부에서 공급되는 전원전압에 의해 구동되는 모터 풀리의 회전에 의해 무한 궤도를 갖고 회전되면서 상기 웨이퍼(222)를 상기 제 1 및 제 2 공정실(500, 600)과 상기 건조실(700)간에 이동시킬 수 있다.
또한, 상기 트랜스퍼 상에서 이동되는 상기 웨이퍼(222)는 세정액 공급부(900)에서 소정의 유압으로 공급되는 세정액에 의해 세정된다. 상기 세정액은 수산 화 암모늄(NH4OH) 용액 또는 탈이온수를 포함한다. 또한, 상기 웨이퍼(222) 상에서 세정되는 오염물질은 상기 화학적 기계적 연마장치에서의 연마 공정에 의한 슬러리(slurry) 또는 파티클(particle)을 포함하여 이루어진다. 상기 슬러리와 파티클은 상기 웨이퍼(222) 상에 표면장력 또는 정전기적으로 부착되어 있을 경우, 상기 수산화 암모늄 또는 탈이온수에 의해 세정될 수 있다. 반면, 상기 웨이퍼(222)에 형성된 미세한 피트(pit) 내에 형성된 상기 슬러리와 파티클은 상기 세정액 공급부(900)에서 공급되는 세정액의 유압에 의해 세정될 수 없다.
따라서, 상기 제 1 공정실(500) 또는 제 2 공정실(600)에 형성된 제 1 및 제 2 상부 브러시(520, 620)와, 상기 제 1 및 제 2 상부 브러시(520, 620)에 상기 웨이퍼(222)를 밀착시키는 제 1 및 제 2 하부 브러시(540, 640)를 이용하여 상기 웨이퍼(222) 표면을 닦아(polishing) 낼 수 있다. 예컨대, 상기 제 1 및 제 2 상부 브러시(520, 620)와 제 1 및 제 2 하부 브러시(540, 640)는 상기 웨이퍼(222)를 사이에 소정의 압력으로 압착되어 상기 웨이퍼(222)를 브러싱한다.
또한, 상기 제 1 공정실(500) 또는 제 2 공정실(600)에서 상기 제 1 및 제 2 상부 브러시(520, 620)와 제 1 및 제 2 하부 브러시(540, 640)에 의한 브러싱 공정이 진행될 경우, 상기 트랜스퍼에서 이동되는 상기 웨이퍼(222)를 상기 트랜스퍼의 상측으로 부양시키는 각 복수개의 제 1 및 제 2 토글 롤러(560, 660)가 상기 제 1 공정실(500) 또는 제 2 공정실(600)에서 상기 웨이퍼(222)의 양측을 지지하면서 상기 웨이퍼(222)의 중심에 대하여 소정의 압력으로 밀착된다. 이때, 상기 복수개의 제 1 및 제 2 토글 롤러(560, 660)는 외부에서 인가되는 전원전압에 의해 회전되는 모터에 의해 회전동력을 전달받아 서로 동일한 방향으로 회전된다. 또한, 상기 복수개의 제 1 및 제 2 토글 롤러(560, 660) 사이에서 지지되는 상기 웨이퍼(222)는 상기 복수개의 제 1 및 제 2 토글 롤러(560, 660)와 반대방향으로 회전된다.
상기 건조실(700)은 상기 웨이퍼(222)의 후면을 진공으로 흡착하고, 상기 웨이퍼(222)를 고속으로 회전시키는 스핀들(720)을 포함하여 이루어진다. 예컨대, 상기 스핀들(720)은 상기 웨이퍼(222)의 후면을 저진공으로 흡착하고, 상기 웨이퍼(222)를 약 2000RPM정도로 회전시킬 수 있다. 이때, 상기 웨이퍼(222)의 전면과 후면에 잔존하는 상기 탈이온수는 상기 웨이퍼(222)가 회전되면서 상기 하우징(200)의 내벽에 튀거나, 고속으로 회전되는 웨이퍼(222)의 표면을 휩쓸고 지나가는 기류에 의해 기화될 수 있다. 따라서, 상기 스핀들(720)은 상기 웨이퍼(222)의 건조공정 시 탈이온수가 상기 하우징(200)의 외부로 튀는 것을 최소화하기 위해 하강하여 상기 웨이퍼(222)를 회전시키고, 상기 웨이퍼(222)의 건조공정이 완료되면 상승하여 상기 인터페이스 로봇(900)이 유출입되는 상기 하우징(200)의 출구(220)가 형성된 높이까지 상승된다.
상기 하우징(200)은 상기 제 1 및 제 2 공정실(500, 600)과, 상기 건조실(700)을 커버링하여 상기 제 1 및 제 2 공정실(500, 600)에서 유발되는 세정액이 외부로 유출되는 것을 방지하고, 외부에서 유발되는 파티클과 같은 오염물질이 상기 하우징(200) 내부의 상기 제 1 및 제 2 공정실(500, 600)과 상기 건조실(700)에서 세정공정과 건조공정이 수행되는 웨이퍼(222)의 오염을 방지토록 할 수 있다. 예컨대, 상기 하우징(200)은 상기 제 1 및 제 2 공정실(500, 600)과, 상기 건조실(700) 내부에서 세정공정과 건조공정이 수행되는 웨이퍼(222)가 외부에서 보여질 수 있도록 투명재질을 갖도록 형성된다.
상기 하우징(200)의 입구(210)는 화학적 기계적 연마설비의 적재로봇에서 반송되어 상기 제 1 공정실(500)에 투입되는 상기 웨이퍼(222)와, 상기 웨이퍼(222)를 지지하는 상기 적재 로봇(400)의 블레이드 및 로봇암이 유출입될 수 있는 크기를 갖도록 형성된다. 이때, 상기 하우징(200)의 입구(210)는 상기 제 1 공정실(500)의 상기 제 1 하부 브러시(540)와 제 1 상부 브러시(520)사이에 상기 웨이퍼(222)가 투입될 수 있는 높이를 갖도록 형성되어 있다. 이때, 상기 제 1 공정실(500)에서 상기 제 1 하부 브러시(540)와 제 1 상부 브러시(520)사이에 투입되어 세정공정이 수행되는 웨이퍼(222)의 주변으로 튀는 상기 세정액이 상기 하우징(200)의 입구(210)를 통해 유출될 수 있다. 따라서, 상기 하우징(200)의 입구(210)에 형성되는 상기 도어(800)는 상기 제 1 공정실(500)에서의 세정공정 시작 시 상기 하우징(200)의 입구(210)를 차단토록 하여 상기 입구(210)에 인접하는 반도체 생산설비의 오염을 방지토록 할 수 있다.
또한, 상기 하우징(200)의 출구(220)는 상기 건조실(700)의 스핀들(720)이 상기 웨이퍼(222)의 건조공정을 완료한 후 상승되는 높이에 대응되는 높이를 갖도록 형성되어 있다. 따라서, 상기 하우징(200)의 입구(210)는 상기 제 1 및 제 2 공정실(500, 600)의 상기 제 1 및 제 2 하부 브러시(540, 640)와 제 1 및 제 2 상부 브러시(520, 620)와 동일 또는 유사한 높이에 대응되는 높이를 갖도록 형성되어 있 고, 상기 하우징(200)의 출구(220)는 상기 입구(210)에 비해 높은 위치에 대응되는 높이를 갖도록 형성되어 있다.
그러나, 상기 하우징(200)의 출구(220)에 비해 낮은 위치에서 상기 웨이퍼(222)를 회전시키면서 건조시키는 스핀들(720)의 회전에 의해 상기 웨이퍼(222)에서 튀는 탈이온수와 같은 세정액이 상기 출구(220)를 통해 외부로 누출될 수 있다. 예컨대, 상기 스핀들(720)의 고속 회전에 의해 상기 웨이퍼(222)에서 이탈되어 상기 하우징(200)의 내벽으로 튀는 상기 탈이온수가 2차적으로 튀어 상기 출구(220)를 통해 외부로 유출될 수 있다. 따라서, 상기 스핀들(720)이 회전될 경우, 상기 하우징(200)의 출구(220)를 차단하는 도어(800)를 구비하여 상기 세정공정 및 건조공정이 완료되어 상기 웨이퍼 세정장치의 주변에 적재되는 웨이퍼(222)와, 상기 웨이퍼 세정장치 주변의 반도체 생산설비의 오염을 방지토록 할 수 있다. 이때, 상기 도어(800)는 상기 스핀들(720)이 상기 웨이퍼(222)의 건조공정을 완료하고 상승될 때 연동하여 오픈되고, 상기 스핀들(720)이 후속 웨이퍼(222)의 건조공정을 수행하기 위해 하강될 때 연동하여 상기 출구(220)가 차단되도록 개폐동작될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 상기 도어(800)는 상기 제어부에서 입력된 전기적인 제어신호에 의해 회전되는 모터와, 상기 모터의 회전에 의해 회전되는 롤러와, 상기 롤러의 회전에 의해 상기 입구(210) 및 출구(220)를 오픈시키거나, 차단시키는 패널을 포함하여 이루어진다. 이때, 상기 패널은 상기 스핀들(720) 상에 위치되는 웨이퍼(222)가 외부에서 보여질 수 있도록 투명한 플라스틱 재질로 형성된다.
따라서, 본 발명에 따른 웨이퍼 세정장치는 건조실(700)에서 웨이퍼(222)의 건조공정 수행상태에 따라 상기 건조실(700)을 커버링하는 하우징(200)의 출구(220)를 차단하도록 개폐동작되는 도어(800)를 구비하여 상기 세정공정 및 건조공정이 완료되어 상기 웨이퍼 세정장치의 주변에 적재되는 웨이퍼(222)와, 상기 웨이퍼 세정장치 주변의 반도체 생산설비의 오염을 방지토록 할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.
또한, 상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 제공하기 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 그리고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론이다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 건조실에서 웨이퍼의 건조공정 수행상태에 따라 상기 건조실을 커버링하는 하우징의 출구를 차단하도록 개폐동작되는 도어를 구비하여 상기 세정공정 및 건조공정이 완료되어 상기 웨이퍼 세정장치의 주변에 적재되는 웨이퍼와, 상기 웨이퍼 세정장치 주변의 반도체 생산설비의 오염을 방지토록 할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.

Claims (4)

  1. 웨이퍼를 세정하는 적어도 하나 이상의 공정실;
    상기 공정실에서 세정이 완료된 다수개의 웨이퍼를 건조시키는 건조실;
    상기 건조실 및 공정실을 외부로부터 독립시키고 상기 웨이퍼가 이송 또는 반송되는 입구 및 출구를 구비하여 상기 건조실 또는 공정실을 커버링하도록 형성된 하우징; 및
    상기 하우징의 입구 및 출구를 통해 상기 건조실 또는 공정실에서 사용되는 세정액 또는 세정가스가 유출되는 것을 방지하기 위해 상기 공정실 또는 건조실에서 상기 웨이퍼의 세정공정 시작 또는 건조공정의 완료 유무에 따라 상기 입구 및 출구를 선택적으로 개폐하는 적어도 하나 이상의 도어를 포함함을 특징으로 하는 웨이퍼 세정장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 도어는 상기 건조실에서 상기 웨이퍼를 회전시키는 스핀들이 상기 웨이퍼의 건조공정을 완료하고 상승될 때 연동하여 오픈되고, 상기 스핀들이 후속 웨이퍼의 건조공정을 수행하기 위해 하강될 때 연동하여 상기 출구가 차단되도록 개폐동작함을 특징으로 하는 웨이퍼 세정장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 도어는 상기 제어부에서 입력된 전기적인 제어신호에 의해 회전되는 모터와, 상기 모터의 회전에 의해 회전되는 롤러와, 상기 롤러의 회전에 의해 상기 입구 및 출구를 가로막는 패널을 포함함을 특징으로 하는 웨이퍼 세정장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 패널은 투명한 플라스틱 재질을 포함함을 특징으로 하는 웨이퍼 세정장치.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101340618B1 (ko) * 2011-12-29 2013-12-11 엘아이지에이디피 주식회사 기판 처리용 클러스터 장치 및 이의 클리닝 방법
CN113519045A (zh) * 2019-03-04 2021-10-19 应用材料公司 用于减少基板缺陷的干燥环境
CN114472362A (zh) * 2021-12-30 2022-05-13 华海清科股份有限公司 晶圆清洗装置

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