JP2016049612A - 研磨方法および研磨装置 - Google Patents
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Abstract
Description
研磨装置は、上記CMPプロセスによって半導体ウェーハ(基板)の研磨を行い、研磨後に洗浄機においてウェーハを洗浄している。ウェーハの研磨は、2以上の研磨テーブルを用いて2段研磨や3段研磨等の多段研磨を行う場合が多くあり、この場合も、最終段の研磨後に洗浄機においてウェーハの洗浄を行っている。
(1)研磨前のウェーハ上の膜表面には自然酸化膜が生成されており、研磨初期には、この自然酸化膜の除去には研磨レートが低い為、研磨処理に時間を要し全体の処理量が少ない。また、Cu膜研磨においては、ウェーハ表面の自然酸化膜除去には研磨斑が見られる為、面内均一性結果に影響があるという問題がある。
(2)研磨前のウェーハ上に異物が付着した状態にて研磨を実施すると、この異物によりウェーハにスクラッチが発生する。
(3)1段目の研磨後、ウェーハ上にスラリー砥粒及び成分が付着した状態にて2段目の研磨を実施すると、砥粒影響及び、スラリー間の化学変化(アルカリ性から酸性、酸性からアルカリ性)により生成される生成物によりウェーハにスクラッチ及びディフェクト(Defect)が発生する。
(4)2段目の研磨後、ウェーハ上にスラリー砥粒及び成分が付着した状態にて3段目の研磨またはバフ処理を実施すると、砥粒影響及び、スラリー間の化学変化(アルカリ性から酸性、酸性からアルカリ性)によりウェーハにスクラッチ、コンタミネーション、反応生成物が発生する。
(5)全研磨処理終了後、ウェーハに付着した、スラリー砥粒及び成分の除去が不十分な場合、洗浄工程での洗浄部材への汚染を引き起こし、洗浄能力の低下及び洗浄部材の寿命の低下につながる。また、洗浄ユニットにおいて効果的な洗浄を行うには処理時間を要し、スループットへ影響を与えている。
本発明の好ましい態様によれば、前記薬液洗浄処理ステップ、前記研磨前薬液処理ステップおよび前記洗浄前薬液洗浄ステップは、前記複数の研磨テーブルの少なくとも1つの位置又はトップリングのスイング移動経路の下方の位置又はトップリングから基板を着脱する位置又は研磨ユニットから洗浄ユニットまで搬送する搬送経路上の位置において実施することを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、複数のトップリングのスイング範囲が一部重なるようにスイング範囲を設定し、トップリングのスイング移動経路が重なる位置の下方に1つの洗浄ユニットまたは1つの薬液処理ユニットを設置し、前記1つの洗浄ユニットまたは1つの薬液処理ユニットにより1つ以上のトップリングに保持された基板の洗浄処理または薬液処理を行うことを可能にし、研磨前及び研磨後における洗浄処理ステップ、薬液処理ステップの少なくとも1つのステップを実施することを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記基板をチルト機構により傾けた状態で薬液洗浄を行うことを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記研磨ユニットから洗浄ユニットまで搬送する搬送経路上の位置において実施する前記洗浄前薬液洗浄ステップは、基板を傾斜させた状態で薬液に浸漬させることにより実施することを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記薬液洗浄処理専用テーブルは、前記複数段の研磨処理の間に、薬液を用いて基板の洗浄処理を行うことを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記基板を前記トップリングにより保持し、前記薬液洗浄処理専用テーブル上で基板の薬液洗浄処理を行うようにしたことを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記薬液洗浄処理専用テーブル上の前記槽は複数個あり、前記複数の槽は、異なった薬液をそれぞれ保持可能であるか、または少なくとも1種類の薬液とDIWとをそれぞれ保持可能であることを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記薬液洗浄処理専用テーブルは、回転と停止を繰り返すことにより、前記トップリングにより保持された基板を前記複数の槽内の薬液又はDIWに順次浸すことが可能であることを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記ノズルは、揺動可能なノズル又は2流体ジェットノズルからなることを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記複数の研磨テーブルの外側に設置され、研磨後の基板を薬液洗浄する洗浄機構を備え、前記洗浄機構は、基板を保持して傾斜させるチルト機構と、基板を傾斜させた状態で薬液に浸漬させる浸漬機構と、前記傾斜した基板の上方に配置され基板に薬液を供給する薬液供給部とを備えたことを特徴とする。
(1)1段目の研磨後のウェーハ(基板)に付着した砥粒および成分を確実に除去することによって、2段目の研磨時でのウェーハのスクラッチ、ディフェクト(Defect)の発生を無くすことができる。
(2)2段目の研磨後のウェーハ(基板)に付着した砥粒および成分を確実に除去することによって、3段目の研磨またはバフ処理でのウェーハのスクラッチ、ディフェクト(Defect)の発生を無くすことができる。
(3)自然酸化膜除去を目的とした工程をメイン研磨前の段階にて実施することにより、ウェーハ処理能力(WPH)の改善が可能となる。また、事前に酸化膜除去を行うことにより、正確な面内均一性評価が可能となる。
(4)ウェーハ表面(基板表面)に付着した異物除去を目的とした洗浄工程をメイン研磨前に実施することにより、ウェーハのスクラッチ発生を無くすことができる。
(5)研磨終了後にウェーハ洗浄(基板洗浄)を目的とした処理を最終テーブルにて実施することにより、洗浄工程での洗浄部材への汚染を低減することが可能となる。また、初期洗浄を実施することにより、洗浄ユニットでの洗浄時間短縮が可能となる。
図1は本発明の一実施形態に係る研磨装置の全体構成を示す平面図である。図1に示すように、この研磨装置は、略矩形状のハウジング1を備えており、ハウジング1の内部は隔壁1a,1bによってロード/アンロード部2と研磨部3と洗浄部4とに区画されている。これらのロード/アンロード部2、研磨部3、および洗浄部4は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。また、研磨装置は、ウェーハ処理動作を制御する制御部5を有している。
図2は、第1研磨ユニット3Aを模式的に示す斜視図である。トップリング31Aは、トップリングシャフト36に支持されている。研磨テーブル30Aの上面には研磨パッド10が貼付されており、この研磨パッド10の上面はウェーハWを研磨する研磨面を構成する。なお、研磨パッド10に代えて固定砥粒を用いることもできる。トップリング31Aおよび研磨テーブル30Aは、矢印で示すように、その軸心周りに回転するように構成されている。ウェーハWは、トップリング31Aの下面に真空吸着により保持される。研磨時には、研磨液供給ノズル32Aから研磨パッド10の研磨面に研磨液が供給され、研磨対象であるウェーハWがトップリング31Aにより研磨面に押圧されて研磨される。
図4A,4Bは、図1乃至図3に示すように構成された研磨装置によるウェーハ処理工程の一例を示すフローチャートである。図4Aに示すように、ウェーハの処理を開始し、フロントロード部20のウェーハカセットから取り出されたウェーハは、搬送機構により第1研磨ユニット3Aに搬送(移動)される(ステップS1)。第1研磨ユニット3Aに搬送されたウェーハはトップリング31Aの下面に真空吸着により保持される(ステップS2)。トップリング31Aにより保持されたウェーハは、以下の3つの工程のいずれかによって処理される。
ウェーハを保持したトップリング31Aは第1リニアトランスポータ6の位置からテーブル30Aの位置に移動し(ステップS3−1)、トップリング31Aが下降し(ステップS3−2)、ウェーハはテーブル30A上で薬液研磨(ステップS3−3A)またはDip処理(ステップS3−3B)される。処理後に、トップリングは上昇し(ステップS3−4)、トップリング31Aはテーブル30Aの位置から第1リニアトランスポータ6の位置に移動する(ステップS3−5)。
(2)第2処理工程
ウェーハを保持したトップリング31Aは第1リニアトランスポータ6の位置から処理位置に移動する(ステップS3−1)。処理位置はテーブル位置およびウェーハ着脱位置以外の位置である(後述する)。処理位置においてウェーハは洗浄(ステップS3−2A)またはDip処理(ステップS3−2B)され、処理後にトップリング31Aは処理位置から第1リニアトランスポータ6の位置に移動する(ステップS3−3)。
(3)第3処理工程
トップリング31Aにより保持されたウェーハは、ウェーハ着脱位置において洗浄(ステップS3−1A)またはDip処理(ステップS3−1B)される。
ウェーハを保持したトップリング31Bは第1リニアトランスポータ6の位置からテーブル30Bの位置に移動し(ステップS12−1)、トップリング31Bが下降し(ステップS12−2)、トップリング31Bによって保持されたウェーハは薬液とDIWを用いてテーブル30B上で洗浄される(ステップS12−3)。洗浄後に、トップリング31Bは上昇し(ステップS12−4)、トップリング31Bはテーブル30Bの位置から第1リニアトランスポータ6の位置に移動する(ステップS12−5)。
(2)第2処理工程
ウェーハを保持したトップリング31Bは第1リニアトランスポータ6の位置から処理位置に移動する(ステップS12−1)。処理位置はテーブル位置およびウェーハ着脱位置以外の位置である(後述する)。処理位置においてウェーハは薬液とDIWを用いて洗浄される(ステップS12−2)。処理後にトップリング31Bは処理位置から第1リニアトランスポータ6の位置に移動する(ステップS12−3)。
(3)第3処理工程
トップリング31Bにより保持されたウェーハは、ウェーハ着脱位置において薬液とDIWを用いて洗浄される(ステップS12−1)。
図6(a)は薬液処理用のテーブルの模式的断面図である。図6(a)に示すように、テーブル30Aはテーブル固定リング13により固定されている。テーブル30Aの外側にリング状ガイド14を取付け、テーブル30Aの上面およびリング状ガイド14の上面に研磨パッド10を張り付ける。リング状ガイド14の上面は、半径方向内側から外側に向かって斜め上方に傾斜した傾斜面14aになっている。図6(a)において右側の部分にはリング状ガイド14が斜視図として示されている。テーブル30Aの外側にリング状ガイド14を取り付けた状態において、リング状ガイド14の内径部はテーブル30Aの高さと同等であり、リング状ガイド14の外周部はテーブル30Aよりも高い状態である。したがって、研磨パッド10の上面に薬液供給ノズル15から薬液を供給すると、リング状ガイド14の外周部が高い為、研磨パッド表面部に薬液を保持することが可能となる。この保持された薬液部にトップリング31Aにより保持されたウェーハWを浸すことにより薬液Dipを行う。
図7(a)は薬液処理用のテーブルの模式的断面図である。図7(a)に示すように、テーブル30Aの上に断面H状の円板からなるガイド16を取付ける。この時、ガイド16はテーブル30Aの表面を覆う。ガイド16の外周部上面は、半径方向内側から外側に向かって斜め上方に傾斜した傾斜面16aになっている。図7(a)において右側の部分にはガイド16が斜視図として示されている。ガイド16の上面に薬液供給ノズル15から薬液を供給すると、薬液を保持することが可能となる。この保持された薬液部にトップリング31Aにより保持されたウェーハWを浸すことにより薬液Dipを行う。
図8(a)は薬液処理用のテーブルの模式的断面図である。図8(a)に示すように、テーブル30Aの上に断面H状の円板からなるガイド17を取付ける。この時、ガイド17はテーブル30Aの表面を覆う。図8(a)において右側の部分にはガイド17が斜視図として示されている。ガイド17の上面に薬液供給ノズル15から薬液を供給すると、薬液を保持することが可能となる。この保持された薬液部にトップリング31Aにより保持されたウェーハWを浸すことにより薬液Dipを行う。
図9(a)は、薬液処理用のテーブルの模式的断面図である。図9(a)に示すように、テーブル30Bの上に円板状のベース18が固定され、ベース18上には円筒容器状の複数のDip槽19が設けられている。以下においては、複数のDip槽について、それぞれ峻別する必要があるときには添字1,2,3を用いて説明する。図9(b)に示すように、本実施形態においては、第1Dip槽19−1、第2Dip槽19−2および第3Dip槽19−3からなる3つのDip槽が設けられている。なお、図示例では円筒容器状のDip槽が図示されているが、仕切りによって2つ以上のDip槽に分割するようにしてもよい。トップリング31Bにより保持されたウェーハをDip槽19に浸す場合には、テーブル30Bを回転させて位置決め機構によりテーブル30Bの角度を位置決めした後に、トップリング31Bを下降させて、複数のDip槽のいずれか一つを選択可能とする。
図10(a)に示すように、トップリング31Bは、略円盤状のトップリング本体32を備え、トップリング本体32の外周部下面にはリテーナリング33が固定されている。リテーナリング33の半径方向内側の位置において、トップリング本体32の下面にはメンブレン34が張設されており、メンブレン34とトップリング本体32の下面との間に圧力室35が形成されている。
図10(b)に示すように、リテーナリング33の下面には多数の溝33gが形成されている。また、図10(a)に示すように、トップリング本体32には、トップリング本体32の内周面とメンブレン34の外周面との間の空間に連通する排出ポート32Pが設けられている。排出ポート32Pは真空源(Vac)に接続されている。図10(b)に示すように、リテーナリング溝33gは、等配間隔に配置しないで、排出ポート32Pに近い部分を疎に排出ポート32Pから遠い部分を密に配置している。
図11(a)は、薬液洗浄用の桶状の処理槽41を備えた態様を示す斜視図である。図11(a)に示すように、桶状の処理槽41の底面には供給配管42が接続されており、供給配管42によって桶状の処理槽41の底面から混合比(希釈率)と流量を自由に変えられる薬液とDIWの混合液を供給することができるようになっている。なお、それぞれ流量が調整可能な薬液とDIWを別系統で供給してもよい。図11(a)に示すように、薬液とDIWの混合液を桶状の処理槽41に満たした状態でトップリング31Aを下降させ、ウェーハを薬液とDIWの混合液にDipする(浸す)ことにより、薬液洗浄処理を行うことができる。
このように隣り合うトップリングのスイング範囲が一部重なるようにスイング範囲を設定することにより、トップリングのスイング移動経路が重なる位置の下方に1つの洗浄ユニットまたは1つの薬液処理ユニットを設置して1つ以上のトップリングに保持されているウェーハの洗浄処理または薬液処理をすることが可能である。
図15(a)は、テーブルの外側に設置されたチルト機構を有した処理部の態様を示す正面図である。図15(a)に示すように、処理部はウェーハWを載せるステージ61を備えており、ステージ61はチルト機構により傾けることができるようになっている。傾けたステージ61の上端部側には、薬液やDIWが液体供給部62から供給される。なお、傾けたステージ61の下端部側には、ウェーハが滑り落ちることを防止するストッパ等が設けられている。ウェーハWは次の手順で処理される。ウェーハWをステージ61上に載置した後に、ステージ61を傾け、傾いたステージ61の上端部側に薬液やDIW等の液を流してウェーハの薬液洗浄処理を行う。処理後にステージ61を水平に戻す。このように、ウェーハを傾けることで、ウェーハ上の液体を効果的に排出することができる。液体の排出性が上がることで、滞留する液体の量を軽減することが可能となる。
このようにコロ型の回転機構65により、ウェーハ上の液体を効果的に排出することができる。液体の排出性が上がることで、滞留する液体の量を軽減することが可能となる。回転機構65はコロ型を採用することで、ウェーハ外周まで洗い流すことが出来る。
このようにチャック型の回転機構を採用することにより、コロ型の回転機構よりもウェーハの回転数(回転速度)に幅が出来、プロセスマージンを広げることが可能であり、チルト機構などにも応用が利く。
図16(a)は、回転機構(チャック型)に加えて回転機構を傾斜させるチルト機構を有した処理部の態様を示す正面図である。図16(a)に示すように、ウェーハWの周縁部は複数のチャック70によって支持されている。各チャック70は回転可能なステージ71に支持されている。ステージ71はチルト機構により傾斜可能になっている。ウェーハWは、チャック70により保持されてステージ71の回転により傾斜した姿勢で自身の軸心の回りに回転可能になっている。チャック70とステージ71はチャック型の回転機構を構成する。ウェーハWの上方には、複数のノズル72を有した液体供給部73が配置されている。ウェーハWは次の手順で処理される。ウェーハWの外周縁を複数のチャック70により保持して、ステージ71を傾ける。そして、ステージ71を回転させてウェーハWを回転させ、複数のノズル72からウェーハW上に薬液やDIW等の液体を流してウェーハの処理を行う。このようにチャック型回転機構によりウェーハを回転させるとともに、チルト機構によりウェーハを傾けることにより、ウェーハ上の液体を効果的に排出することができる。液体の排出性がさらに上がることで、滞留する液体の量を更に軽減することが可能となる。
図17(a)は、回転機構(コロ型)に加えて2流体ジェットノズルの揺動機構を有した処理部の態様を示す正面図である。図17(a)に示すように、ウェーハWの周縁部は複数のコロ型の回転機構65によって支持されている。各コロ型の回転機構65は、ステージ82に支持されている。ウェーハWは、ステージ82の回転により水平な姿勢で自身の軸心の回りに回転可能になっている。ウェーハWの上方には、揺動機構により揺動可能になっている2流体ジェットノズル83を有した液体供給部84が設置されている。ウェーハWは、次の手順で処理される。ウェーハWの外周縁を複数のコロ型の回転機構65により支持してウェーハWを回転させ、2流体ジェットノズル83からウェーハW上に薬液やDIW等の液体を供給してウェーハの処理を行う。このとき2流体ジェットノズル83を揺動させることで、次段の洗浄モジュールへ行くまでにできるだけスラリーを除去する。これにより、洗浄モジュールの洗浄負荷の低減を図ることができる。
図15(a),(b),(c)乃至図17(a),(b),(c)に示す各処理部の態様において(ただし、図16(c)の態様を除く)、ウェーハをフェイスアップ(Face Up)して処理することを前提としているが、ウェーハをフェイスダウン(Face Down)することにより、図15(a),(b),(c)乃至図17(a),(b),(c)に示す各処理部の態様(図16(c)の態様を除く)は、トップリング機構の箇所で実施可能である。すなわち、ウェーハをトップリングにより保持しフェイスダウンとし、ノズルやスクラブ洗浄用のスポンジをトップリングの下方に配置すればよい。
1a,1b 隔壁
2 ロード/アンロード部
3 研磨部
3A 第1研磨ユニット
3B 第2研磨ユニット
3C 第3研磨ユニット
3D 第4研磨ユニット
4 洗浄部
5 制御部
6 第1リニアトランスポータ
7 第2リニアトランスポータ
10 研磨パッド
11 リフタ
12 スイングトランスポータ
13 テーブル固定リング
14 リング状ガイド
14a 傾斜面
15 薬液供給ノズル
16,17 ガイド
16a 傾斜面
18 ベース
19 Dip槽
19−1 第1Dip槽
19−2 第2Dip槽
19−3 第3Dip槽
20 フロントロード部
21 走行機構
22 搬送ロボット
23 薬液排出ノズル
30A,30B,30C,30D 研磨テーブル
31A,31B,31C,31D トップリング
32 トップリング本体
32A,32B,32C,32D 研磨液供給ノズル
32P 排出ポート
33 リテーナリング
33A,33B,33C,33D ドレッサ
33g リテーナリング溝
34 メンブレン
34A,34B,34C,34D アトマイザ
35 圧力室
36 トップリングシャフト
41 桶状の処理槽
42 供給配管
43 樋状の処理槽
43g ガイド
44 供給配管
45 ノズル
46 供給配管
47 洗浄ノズル
48 本体部
48h ノズル孔
49 洗浄ノズル
50 本体部
51 洗浄ノズル
52 スポンジ
52a 液体供給路
53 ローラ
54 液体供給部
60 トップリングヘッド
61 ステージ
65 コロ型の回転機構
66 スピンドル
67 ノズル
68 液体供給部
70 チャック
71 ステージ
72 ノズル
73 液体供給部
75 ノズル
76 液体供給部
78 ステージ
78p ドレンポート
80 液体供給部
82 ステージ
83 2流体ジェットノズル
85 スリットノズル
86 液体供給部
87 スポンジ
180 仮置き台
190 第1洗浄室
191 第1搬送室
192 第2洗浄室
193 第2搬送室
194 乾燥室
201A 上側一次洗浄モジュール
201B 下側一次洗浄モジュール
202A 上側二次洗浄モジュール
202B 下側二次洗浄モジュール
203 仮置き台
205A 上側乾燥モジュール
205B 下側乾燥モジュール
209 第1搬送ロボット
210 第2搬送ロボット
211,212 支持軸
TP1 第1搬送位置
TP2 第2搬送位置
TP3 第3搬送位置
TP4 第4搬送位置
TP5 第5搬送位置
TP6 第6搬送位置
TP7 第7搬送位置
Claims (16)
- 研磨テーブル上の研磨面に研磨対象の基板を押圧して基板を研磨する研磨方法において、
前記基板を複数の研磨テーブルを用いて複数段の研磨処理を行う場合に、前記複数段の研磨処理の間に薬液を用いて基板を洗浄処理する薬液洗浄処理ステップを設けたことを特徴とする研磨方法。 - 前記複数段の研磨処理を行う前に、薬液を用いて基板を処理する研磨前薬液処理ステップを設けたことを特徴とする請求項1に記載の研磨方法。
- 前記複数段の全研磨処理終了後であって洗浄機による洗浄の前に、薬液を用いて基板を洗浄処理する洗浄前薬液洗浄ステップを設けたことを特徴とする請求項1または2に記載の研磨方法。
- 前記薬液洗浄処理ステップ、前記研磨前薬液処理ステップおよび前記洗浄前薬液洗浄ステップは、前記複数の研磨テーブルの少なくとも1つの位置又はトップリングのスイング移動経路の下方の位置又はトップリングから基板を着脱する位置又は研磨ユニットから洗浄ユニットまで搬送する搬送経路上の位置において実施することを特徴とする請求項3に記載の研磨方法。
- 前記研磨テーブルの位置、前記トップリングのスイング移動経路の下方の位置及び前記トップリングから基板を着脱する位置において実施する前記薬液洗浄処理ステップ、前記研磨前薬液処理ステップおよび前記洗浄前薬液洗浄ステップは、トップリングにより保持された基板を薬液に浸すことにより実施するか、またはトップリングにより保持された基板にノズルから薬液を噴射することにより実施するか、またはトップリングにより保持された基板にスポンジ又は研磨布を摺接させることにより実施することを特徴とする請求項4に記載の研磨方法。
- 複数のトップリングのスイング範囲が一部重なるようにスイング範囲を設定し、トップリングのスイング移動経路が重なる位置の下方に1つの洗浄ユニットまたは1つの薬液処理ユニットを設置し、前記1つの洗浄ユニットまたは1つの薬液処理ユニットにより1つ以上のトップリングに保持された基板の洗浄処理または薬液処理を行うことを可能にし、研磨前及び研磨後における洗浄処理ステップ、薬液処理ステップの少なくとも1つのステップを実施することを特徴とする請求項1または2に記載の研磨方法。
- 前記研磨ユニットから洗浄ユニットまで搬送する搬送経路上の位置において実施する前記洗浄前薬液洗浄ステップは、基板の周縁部を保持して基板を回転させつつノズルから薬液を噴射することにより実施するか、または基板の周縁部を保持して基板を回転させつつ洗浄部材でスクラブすることにより実施することを特徴とする請求項4に記載の研磨方法。
- 前記基板をチルト機構により傾けた状態で薬液洗浄を行うことを特徴とする請求項7に記載の研磨方法。
- 前記ノズルは、揺動可能なノズル又は2流体ジェットノズルからなることを特徴とする請求項7に記載の研磨方法。
- 研磨対象の基板をトップリングにより保持し、研磨テーブル上の研磨面に基板を押圧して研磨する研磨装置において、
前記基板に複数段の研磨処理を施す複数の研磨テーブルを備え、
前記複数の研磨テーブルのうち少なくとも1つを、薬液を用いて基板の洗浄処理を行うための薬液洗浄処理専用テーブルとすることを特徴とする研磨装置。 - 前記薬液洗浄処理専用テーブルは、前記複数段の研磨処理の間に、薬液を用いて基板の洗浄処理を行うことを特徴とする請求項10に記載の研磨装置。
- 前記基板を前記トップリングにより保持し、前記薬液洗浄処理専用テーブル上で基板の薬液洗浄処理を行うようにしたことを特徴とする請求項10または11に記載の研磨装置。
- 前記薬液洗浄処理専用テーブルは、薬液を保持する少なくとも1つの凹部又は槽を有し、前記トップリングにより保持された基板を前記凹部又は槽に保持された薬液に浸して薬液洗浄処理を行うことを特徴とする請求項12に記載の研磨装置。
- 前記薬液洗浄処理専用テーブル上の前記槽は複数個あり、
前記複数の槽は、異なった薬液をそれぞれ保持可能であるか、または少なくとも1種類の薬液とDIWとをそれぞれ保持可能であることを特徴とする請求項13に記載の研磨装置。 - 前記薬液洗浄処理専用テーブルは、回転と停止を繰り返すことにより、前記トップリングにより保持された基板を前記複数の槽内の薬液又はDIWに順次浸すことが可能であることを特徴とする請求項14に記載の研磨装置。
- 前記トップリングは、基板を保持するメンブレンを有したトップリング本体と、該トップリング本体に固定されるとともに基板の外周縁を囲むように配置されたリテーナリングとを有し、
前記リテーナリングは、リテーナリング下面に、薬液を基板の下面に流入させるために互いに間隔をおいて設けられた溝を有し、
前記トップリング本体は基板の下面に流入した薬液を排出するためのポートを有し、
前記リテーナリングの下面に設けられた溝は、前記ポートから遠い部分の溝の個数が前記ポートに近い部分の溝の個数に比べて多くなるように設定されていることを特徴とする請求項10乃至15のいずれか一項に記載の研磨装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019131174A1 (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-04 | 株式会社 荏原製作所 | 基板加工装置および基板加工方法 |
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Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6602720B2 (ja) * | 2016-04-04 | 2019-11-06 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | 半導体基板の保護膜形成方法 |
JP6727044B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2020-07-22 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
CN112864066B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-06-10 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种晶圆清洗设备推拉式晶圆盒装载输送系统 |
CN114147611B (zh) * | 2021-09-07 | 2022-10-04 | 杭州众硅电子科技有限公司 | 一种晶圆抛光系统 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07130688A (ja) * | 1993-11-05 | 1995-05-19 | Fujitsu Ltd | ウェハ研磨装置及びウェハ研磨方法 |
JPH08153695A (ja) * | 1994-11-30 | 1996-06-11 | Nkk Corp | 研磨方法およびこれに用いる研磨装置並びに研磨仕上げ装置 |
JPH09117857A (ja) * | 1995-08-21 | 1997-05-06 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
JP2003179020A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 研磨布テクスチャの転写防止方法 |
JP2004022855A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Shibaura Mechatronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005277396A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-10-06 | Ebara Corp | 基板処理方法および装置 |
JP2006032694A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007075997A (ja) * | 1998-04-06 | 2007-03-29 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
JP4156039B2 (ja) * | 1998-03-09 | 2008-09-24 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置 |
JP2009238896A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2013089797A (ja) * | 2011-10-19 | 2013-05-13 | Ebara Corp | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
JP2014086666A (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Ebara Corp | 研磨装置及び研磨方法 |
JP2014130881A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Ebara Corp | 研磨装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4843285B2 (ja) * | 2005-02-14 | 2011-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 電子デバイスの製造方法及びプログラム |
JP6193623B2 (ja) * | 2012-06-13 | 2017-09-06 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法及び研磨装置 |
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Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07130688A (ja) * | 1993-11-05 | 1995-05-19 | Fujitsu Ltd | ウェハ研磨装置及びウェハ研磨方法 |
JPH08153695A (ja) * | 1994-11-30 | 1996-06-11 | Nkk Corp | 研磨方法およびこれに用いる研磨装置並びに研磨仕上げ装置 |
JPH09117857A (ja) * | 1995-08-21 | 1997-05-06 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
JP4156039B2 (ja) * | 1998-03-09 | 2008-09-24 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置 |
JP2007075997A (ja) * | 1998-04-06 | 2007-03-29 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
JP2003179020A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 研磨布テクスチャの転写防止方法 |
JP2004022855A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Shibaura Mechatronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005277396A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-10-06 | Ebara Corp | 基板処理方法および装置 |
JP2006032694A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2009238896A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2013089797A (ja) * | 2011-10-19 | 2013-05-13 | Ebara Corp | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
JP2014086666A (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Ebara Corp | 研磨装置及び研磨方法 |
JP2014130881A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Ebara Corp | 研磨装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019131174A1 (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-04 | 株式会社 荏原製作所 | 基板加工装置および基板加工方法 |
JP7349352B2 (ja) | 2019-12-27 | 2023-09-22 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの研磨方法 |
Also Published As
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