DE19544328A1 - Poliervorrichtung - Google Patents

Poliervorrichtung

Info

Publication number
DE19544328A1
DE19544328A1 DE19544328A DE19544328A DE19544328A1 DE 19544328 A1 DE19544328 A1 DE 19544328A1 DE 19544328 A DE19544328 A DE 19544328A DE 19544328 A DE19544328 A DE 19544328A DE 19544328 A1 DE19544328 A1 DE 19544328A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
chamber
polishing
section
cleaning
workpiece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19544328A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19544328B4 (de
Inventor
Toyomi Nishi
Tetsuji Togawa
Harumitsu Saito
Manabu Tsujimura
Hiromi Yajima
Kazuaki Himukai
Shoichi Kodama
Yukio Imoto
Riichiro Aoki
Masako Watase
Atsushi Shigeta
Shiro Mishima
Gisuke Kouno
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Toshiba Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP31928994A external-priority patent/JP3315544B2/ja
Application filed by Ebara Corp, Toshiba Corp filed Critical Ebara Corp
Publication of DE19544328A1 publication Critical patent/DE19544328A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19544328B4 publication Critical patent/DE19544328B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/30—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
    • B08B1/32—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B15/00—Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area
    • B08B15/02—Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area using chambers or hoods covering the area
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00—Other grinding machines or devices
    • B24B27/0023—Other grinding machines or devices grinding machines with a plurality of working posts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B51/00—Arrangements for automatic control of a series of individual steps in grinding a workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
    • B24B55/12—Devices for exhausting mist of oil or coolant; Devices for collecting or recovering materials resulting from grinding or polishing, e.g. of precious metals, precious stones, diamonds or the like
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F3/00—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems
    • F24F3/12—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems characterised by the treatment of the air otherwise than by heating and cooling
    • F24F3/16—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems characterised by the treatment of the air otherwise than by heating and cooling by purification, e.g. by filtering; by sterilisation; by ozonisation
    • F24F3/167—Clean rooms, i.e. enclosed spaces in which a uniform flow of filtered air is distributed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Poliervorrichtung und insbesondere auf eine Poliervorrichtung mit einem Polierabschnitt zum Polieren eines Werkstückes wie beispielsweise eines Halbleiterwafers auf eine flache spiegelartige Endbearbeitung und ferner mit einem Reinigungsabschnitt zum Reinigen des polierten Werk­ stücks.
Der schnelle Fortschritt auf dem Gebiet der Integration von Halbleitervorrichtungen macht kleinere und kleinere Verdrahungs- und Anschlußmuster sowie Zwischenverbindun­ gen erforderlich und auch schmälere Räume oder Abstände zwischen den Zwischenverbindungen, welche die aktiven Ge­ biete verbinden. Eines der verfügbaren Verfahren zur Bil­ dung einer solchen Zwischenverbindung ist die Fotolitho­ grafie. Obwohl das Fotolithografieverfahren Zwischenver­ bindungen mit höchstens 0,5 Mikrometer Breite bilden kann, macht dieses Verfahren es notwendig, daß die Oberflächen auf denen die Musterbilder fokussiert werden sollen und zwar durch eine Schritt- oder Steppervorrich­ tung, so flach wie möglich sein müssen, weil die Foku­ stiefe des optischen Systems relativ klein ist.
Es ist daher notwendig, die Oberflächen der Halbleiterwa­ fer für die Zwecke der Fotolithografie flach auszubilden. Ein übliche Möglichkeit des Flachmachens der Oberflächen der Halbleiterwafer besteht darin, diese mittels einer Poliervorrichtung zu polieren.
Üblicherweise besitzt eine Poliervorrichtung einen Drehtisch und einen oberen Ring, wobei diese mit entspre­ chenden individuellen Geschwindigkeiten sich drehen. Ein Abriebs- oder Abrasionstuch ist an der Oberseite des Drehtischs befestigt. Ein zu polierender Halbleiterwafer wird auf dem Abriebstuch angeordnet und zwischen dem obe­ ren Ring und dem Drehtisch festgeklemmt. Während des Be­ triebs übt der obere Ring einen bestimmten Druck auf den Drehtisch aus und die Oberfläche des Halbleiterwafers, die gegen das Abriebstuch gehalten wird, wird daher poliert und zwar auf eine flache spiegelartige Endbear­ beitung, wobei der obere Ring und der Drehtisch sich dre­ hen.
Bei der Poliervorrichtung wird ferner eine Abriebsauf­ schlemmung von einer Düse an das Polier- oder Abriebstuch geliefert, welches an der Oberseite des Drehtischs angebracht ist. Die Abriebsaufschlemmung enthält Abrasi­ ons- oder Abriebsmaterial, wie beispielsweise Siliziumdi­ oxid (SiO₂) oder Cerdioxid (CeO₂) und zwar mit einem Durchmesser von 1 Mikrometer oder weniger in einer Flüssigkeit. Die Abriebsaufschlemmung enthält Wasser, ein Abrasionsmaterial und eine kleine Menge eines Dispersi­ onsmittels, um die Zusammenballung oder Aggregation des Abrasions- oder Abriebmaterials zu verhindern. Um ferner zusätzlich zu einer mechanischen Polierung einen chemi­ schen Poliervorgang vorzusehen, kann eine Säure oder ein Alkalimaterial der Abriebsaufschlemmung hinzugegeben wer­ den.
Die Oberfläche des polierten Halbleiterwafers ist im all­ gemeinen recht verunreinigt und zwar nicht nur mit Teilchen des Halbleitermaterials, sondern auch mit solchen des Abriebmaterials. Der Zählerstand oder die Menge der Verunreinigungen an der Oberfläche des Halblei­ terwafers kann bis zu 100.000 Teilchen pro Wafer errei­ chen und es ist erforderlich, diesen Zählerstand oder diese Menge auf ungefähr 100 Teilchen pro Wafer durch ir­ gendein effizientes Verfahren abzusenken.
Die konventionelle Poliervorrichtung könnte nicht in ei­ nem Reinraum angeordnet werden, weil die Staubteilchen durch die Poliervorrichtung selbst erzeugt werden. Sobald die Verunreinigungen, welche an der Oberfläche des polierten Halbleiterwafers anhaften, getrocknet sind, ist es schwer, die Verunreinigungen durch Reinigen zu entfernen. Die vorliegende Erfindung sieht daher vor, die polierten Halbleiterwafer in Wasser aufzubewahren und zwar unmittelbar nach dem Poliervorgang und zwar insbe­ sondere in einem speziell konstruierten Wasser enthalten­ den Träger, der in den Reinraum gebracht wird, so daß die Halbleiterwafer in einer Reinigungsvorrichtung gereinigt werden können.
Bei der konventionellen Vorrichtung ist jedoch die Reinigungsvorrichtung abgelegen gegenüber der Poliervor­ richtung und die Halbleiterwafer müssen von der Polier­ vorrichtung zu der Reinigungsvorrichtung in einem solchen Zustand gebracht werden, daß sie in Wasser aufbewahrt werden, wodurch die Produktivität der Halbleiterwaferher­ stellung sinkt. Da ferner die Reinigungsvorrichtung selbst recht verunreinigt wird durch die Staubteilchen, die an den Halbleiterwafern anhaften, ist es nicht möglich, allgemeine im Reinraum vorhandene Reinigungsvor­ richtungen einzusetzen. Das heißt, es muß eine spezielle Reingigungsmaschine vorgesehen werden, die exklusiv zur Reinigung der polierten Halbleiterwafer dient. Dies bedeutet, hohe Kosten für die zu verwendenden Anlagen.
Zusammenfassung der Erfindung
Es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Polier­ vorrichtung vorzusehen, die in einem Reinraum eingebaut werden kann und die nicht die umgebende Atmosphäre in dem Reinraum verunreinigt, und die ferner Werkstücke wie Halbleiterwafer polieren, reinigen und trocknen kann, so daß die Werkstücke an die nächste Verarbeitungsstation unter Verwendung regulärer Träger wie sie im Reinraum im allgemeinen verfügbar sind, abgegeben werden können.
Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, eine Poliervorrichtung vorzusehen, welche die Teilchenverun­ reinigung verhindern kann, die bei den Polieraktivitäten auftritt, so daß die Poliervorrichtung in einem Reinraum installiert werden kann.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Poliervorrichtung zum Polieren einer Oberfläche eines Werkstücks mit folgenden Merkmalen vorgesehen: ein Gehäuseeinheit; eine Unterteilungswand, welche das Innere der Gehäuseeinheit unterteilt und zwar in eine erste und zweite Kammer, wobei die Unterteilungswand eine erste Öffnung besitzt, um das Hindurchtreten des Werkstücks zu gestatten; einen Polierabschnitt mit einem Drehtisch mit einem Polier- oder Abriebstuch angebracht an der Ober­ seite desselben und mit einem oberen Ring positioniert oberhalb des Drehtischs zum Tragen des zu polierenden Werkstücks und zum Pressen des Werkstücks gegen das Abriebstuch, wobei der Polierabschnitt in der ersten Kam­ mer angeordnet ist; einen Reinigungsabschnitt zum Reinigen des polierten Werkstücks, wobei der Reinigungs­ abschnitt in der zweiten Kammer angeordnet ist; eine Transfervorrichtung zum Transferieren oder Transportieren des polierten Werkstücks von dem Polierabschnitt zu dem Reinigungsabschnitt durch die erste Öffnung; und Ausstoß­ mittel zum Ausstoßen von Umgebungsluft von jeweils dem Polierabschnitt und dem Reinigungsabschnitt separat und unabhängig.
Erfindungsgemäß sind bei der Poliervorrichtung der Polierabschnitt und der Reinigungsabschnitt in der Gehäuseeinheit untergebracht, und die zwei Abschnitte sind voneinander durch die Unterteilungswand getrennt. Daher kann die gesamte Poliervorrichtung in einem Reinraum angeordnet werden, ohne daß die Reinraumatmo­ sphäre verunreinigt wird. Die Halbleiterwafer können in­ nerhalb der Poliervorrichtung poliert und gereinigt werden, und unter Verwendung regulärer allgemein in dem Reinraum verfügbaren Träger zu den nächsten Verarbei­ tungsstationen transferiert werden. Die zwei Abschnitte der Poliervorrichtung sind durch die Unterteilungswand getrennt und besitzen eine Öffnung, die mit einem Verschluß verschlossen ist, und die Umgebungsatmosphären im Polierabschnitt und im Reinigungsabschnitt werden ge­ sondert und unabhängig voneinander abgesaugt oder gereinigt. Diese Anordnung verhindert, daß irgendwelche Staubteilchen, wie beispielsweise Nebel aus der Abrieb­ saufschlemmung und abgeschliffenes Material erzeugt während des Poliervorgangs den Reinraum verunreinigen, und zwar entweder dadurch, daß man den Polierabschnitt auf einem niedrigeren Druck als dem Druck im Reingigungs­ abschnitt hält, oder aber dadurch, daß man einen Ver­ schluß schließt, der für das Öffnen der Unterteilungswand vorgesehen ist. Auch beide Maßnahmen können gleichzeitig vorgesehen sein.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist eine Poliervorrichtung zum Polieren einer Oberfläche eines Werkstücks vorgesehen, die folgendes aufweist: eine Gehäuseeinheit; eine Unterteilungswand, welche einen In­ nenraum der Gehäuseeinheit in eine erste und eine zweite Kammer unterteilt, wobei die Unterteilungswand eine erste Öffnung aufweist, um den Hindurchtritt des Werkstücks zu gestatten; einen Polierabschnitt mit einem Drehtisch mit einem Abriebstuch befestigt an einer Oberseite des Drehtischs und mit einem oberen Ring oder oberen Befesti­ gungselement positioniert oberhalb des Drehtischs zum Tragen des Werkstücks, welches poliert werden soll und zum Pressen des Werkstücks gegen das Abriebstuch, wobei der Polierabschnitt in der ersten Kammer angeordnet ist; einen Reinigungsabschnitt zum Reinigen des polierten Werkstücks, wobei dieser Reinigungsabschnitt in der zweiten Kammer angeordnet ist; eine Transfer oder Transportvorrichtung zum Transportieren oder Übertragen des polierten Werkstücks vom Polierabschnitt zu dem Reinigungsabschnitt durch die erste Öffnung; und Ausstoß oder Absaugmittel zum Ausstoßen von Umgebungsluft vom Po­ lierabschnitt, insbesondere von jeweils dem Polierab­ schnitt und dem Reinigungsabschnitt; wobei der Reinigungs­ abschnitt eine Reinigungseinheit aufweist zum Reinigen des Werkstücks, während Reinigungslösungsmittel geliefert wird und ferner mit einer Trocknungseinheit zum Trocknen des Werkstücks, welches gereinigt wurde.
Bei der oben beschriebenen Poliervorrichtung ist insbe­ sondere vorgesehen, daß ein Werkstück, wie beispielsweise ein Halbleiterwafer in dem Polierabschnitt poliert wird, wobei das polierte Werkstück vom Polierabschnitt zum Rei­ nigungsabschnitt transportiert wird, worauf dann das Werkstück in dem Reinigungsabschnitt gereinigt und getrocknet wird. Daher ist das von der Poliervorrichtung abgegebene Werkstück in einem sauberen und trockenen Zu­ stand.
Weitere Vorteile, Ziele und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispie­ len anhand der Zeichnung; in der Zeichnung zeigt:
Fig. 1 eine Schnittansicht einer Poliervorrichtung ge­ mäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfin­ dung;
Fig. 2 eine geschnittene Draufsicht auf die Poliervor­ richtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 3 eine perspektivische Ansicht einer Poliervor­ richtung gemäß einem zweiten Ausführungsbei­ spiel der Erfindung;
Fig. 4A eine perspektivische Ansicht des inneren der Poliervorrichtung der Fig. 3;
Fig. 4B eine perspektivische Ansicht einer in Fig. 4A gezeigten Kassette;
Fig. 5 eine Seitenansicht der Innenanordnung der Poliervorrichtung der Fig. 3;
Fig. 6 eine Querschnittsdraufsicht der Poliervorrich­ tung der Fig. 3;
Fig. 7 eine schematische Darstellung der Luftströmung in der Poliervorrichtung der Fig. 3;
Fig. 8 eine schematische Darstellung der Bewegung der Halbleiterwafer in der Poliervorrichtung gemäß Fig. 3;
Fig. 9 eine perspektivische Ansicht der Poliervorrich­ tung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 10 eine Seitenansicht der Innenanordnung der Poliervorrichtung gemäß Fig. 9; und
Fig. 11 eine Seitenansicht der Innenanordnung einer Po­ liervorrichtung gemäß einer Abwandlung des dritten Ausführungsbeispiels der Erfindung.
Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele
Eine Poliervorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbei­ spiel der Erfindung sei nunmehr unter Bezugnahme auf die Fig. 1 und 2 beschrieben.
Wie man in den Fig. 1 und 2 erkennt, besitzt eine Poliervorrichtung eine Gehäuseeinheit 1 mit Seitenwänden, einer oberen Wand und einer Bodenwand, wobei darinnen ein Polierabschnitt 2 untergebracht ist zum Polieren von Halbleiterwafern und ferner ist ein Reinigungsabschnitt 30 vorgesehen zum Reinigen der polierten Halbleiterwafer. Das Innere der Gehäuseeinheit 1 ist durch eine Untertei­ lungswand 22 in eine erste Kammer 48 und eine zweite Kam­ mer 49 unterteilt. Der Polierabschnitt 2 ist in der ersten Kammer 48 angeordnet und der Reinigungsabschnitt 30 ist in der zweiten Kammer 49 angeordnet.
Der Polierabschnitt weist einen Drehtisch 3 und ein Halteelement- oder einen oberen Ring 5 auf, um ein Halbleiterwafer 4 zu halten und dieses gegen den Dreh­ tisch 3 zu drücken. Der Drehtisch 3 ist mit einem Motor M₁ gekuppelt. Ein Abriebs- oder Poliertuch 7 ist an der Oberfläche des Drehtischs 3 angebracht. Der obere Ring 5 ist mit einem Ringkopf 8 gekuppelt, der mit einem oberen Ringmotor M₂ versehen ist und zwar zum Drehen des oberen Rings und ferner ist ein Luftzylinder 11 zur Vertikalbe­ wegung des oberen Rings 5 vorgesehen, wodurch der obere Ring 5 auf und ab bewegbar ist und drehbar ist um eine Achse des oberen Rings 5. Der obere Ringkopf 8 ist über den Drehtisch 3 entlang Führungsschienen 9 bewegbar. Eine Abriebsaufschlemmung enthält Abriebsmaterial wie bei­ spielsweise Silziumdioxid (SiO₂) und Cerdioxid (CeO₂) und zwar geliefert von einer Düse 10 auf die Oberseite des Poliertuchs 7.
Eine Ladevorrichtung 12 zum Liefern von Halbleiterwafern 4 an den oberen Ring 5 weist eine erste Transfereinheit 13, einen Inverter (Umdrehvorrichtung) 14 und eine zweite Transfereinheit 15 auf. Die erste Transfereinheit 13 nimmt den Halbleiterwafer 4 von einer Kassette 17 angeordnet an einer Kassettenstation 16 und transferiert den Halbleiterwafer 4 zum Inverter 14, der den Halblei­ terwafer 14 invertiert oder umdreht, so daß die zu polierende Oberfläche nach unten weist. Der umgedrehte Halbleiterwafer 4 wird von der ersten Transfereinheit 13 empfangen und zur zweiten Transfereinheit 15 transfe­ riert.
Die zweite Transfereinheit 15 weist ein Waferhalteglied 19 auf, um den Halbleiterwafer 4 zu halten und ferner weist die Einheit 15 ein Schraubstange 20 auf, die zur Vertikalbewegung des Waferhalteglieds 19 dient und das von der ersten Transfereinheit 13 transferierte Halblei­ terwafer zum oberen Ring 5 transferiert.
Sodann wird der Wafer 4 dadurch poliert, daß man diesen gegen das Poliertuch 7 am Drehtisch 3 drückt. Nachdem der Poliervorgang vollendet ist, wird der Halbleiterwafer 4 zu einer Position oberhalb einer Wafertragstation 21 transferiert, und zwar durch den oberen Ring 5, der sich integral mit dem oberen Ringkopf 8 entlang der Führungs­ schienen 9 bewegt. Der Halbleiterwafer 9 wird von dem oberen Ring 5 entfernt und auf der Wafertragstation 21 plaziert.
Die den Polierabschnitt 2 von dem Reinigungsabschnitt 30 trennende Unterteilungswand 22 besitzt eine Öffnung 22a. Ein Verschluß 23 ist an der Öffnung 22a angeordnet, um als ein Tor für die Öffnung 22a zu wirken. Ein Inverter oder eine Umwendvorrichtung 24 ist benachbart zu der Un­ terteilungswand 22 angeordnet. Der Inverter 24 weist eine Inverterwelle 25 auf, ferner einen Inverterbetätiger 26 und einen Inverterarm 27. Der Arm 27 wird durch den Betätiger 26 durch die Inverterwelle 25 verdreht.
Wenn der Verschluß 23 offen ist, so dreht sich der Inverterarm 27 und hält den Halbleiterwafer 4 plaziert auf der Wafertragstation 21 durch Vakuumansaugen, und der Halbleiterwafer 4 wird invertiert während er zu der Reinigungsstation 20 transportiert wird und zwar durch die Umkehrbewegung des Inverterarms 27 durch die Öffnung 22a.
Der Reinigungsabschnitt 30 weist eine erste Stufe besitzende Reinigungseinheit 31 auf, um eine Primärreini­ gung des polierten Halbleiterwafers 4 auszuführen und ferner weist der Reinigungsabschnitt 30 eine zweite Stufe einer Reinigungseinheit 40 auf, um eine sekundäre Reinigung des Halbleiterwafers 4 auszuführen. Die erste- Stufe-Reinigungseinheit 31 weist folgendes auf: eine Vielzahl von Rollen 32 zum Halten des Außenumfangs des Halbleiterwafers 4 und zum Drehen des Halbleiterwafers 4; eine Schwammrolle oder eine Schwammwalze 33 zum Schrubben des Halbleiterwafers 4, und eine Reinigungslösungsmittel­ versorgungsleitung 34 zum Liefern von Reinigungslösungs­ mitteln wie beispielsweise Wasser zu dem Halbleiterwafer 4. Während der Halbleiterwafer 4 durch die Rollen 32 ge­ halten ist, wird der Halbleiterwafer 4 durch die Rollen 32 angetrieben durch einen (nicht gezeigten) Motor gedreht. Der primäre Reinigungsprozeß wird ausgeführt während die Schwammrolle 33 gegen den Halbleiterwafer 4 gedrückt wird, während Reinigungslösungsmittel an den Halbleiter von dem Halbleiterlösungsmittelversorgungsrohr 34 geliefert wird. Der der primären Reinigung unterwor­ fene Halbleiterwafer 4 wird zu der zweiten Stufe-Reini­ gungseinheit 40 durch eine dritte Transfereinheit 35 transferiert oder transportiert.
Die dritte Transfereinheit 35 weist eine Waferhaltesta­ tion 36 auf, einen Waferhalteglied 37 oberhalb der Waferhaltestation 36, einen Motor 38 zum Drehen der Waferhaltestation 36 und eine Schraubenstange 39 zur Be­ wegung der Waferhaltestation 36 in Vertikalrichtung. Das Waferhalteglied 37 bewegt sich in horizontaler Richtung angedeutet durch einen Pfeil in Fig. 1 und sieht die Handhabung des Halbleiterwafers 4 vor, der weg von der Waferhaltestation 36 positioniert ist. Nach dem Empfang des Halbleiterwafers 4, der der primären Reinigung unterworfen war, sieht die dritte Transfereinheit 35, das Waferhalteglied 37 zurück und bewegt den Halbleiterwafer 4 zu einer Position oberhalb der Waferhaltestation 36. Sodann senkt die dritte Transfereinheit 35 die Waferhal­ testation 36 ab, während die Waferhaltestation 36 gedreht wird und transferiert den Halbleiterwafer 4 zu der zweite-Stufe-Reinigungseinheit 40 durch erneutes Ausfah­ ren des Waferhalteglieds 37.
Eine zweite-Stufe-Reinigungeinheit 40 weist eine Wafer­ haltestation 41 auf und ferner einen Motor 42 zum Drehen der Waferhaltestation 41, einen Reinigungsschwamm 43 zum Schrubben des Halbleiterwafers 4 und ein Reinigungslö­ sungsmittelversorgungsrohr 44 zum Liefern von Reinigungs­ lösungsmittel wie beispielsweise Wasser an den Halblei­ terwafer 4. Der Wafer 4 wird auf der Waferhaltestation 41 gereinigt und zwar durch Lieferung von Reinigungslösungs­ mittel an den Halbleiterwafer 4 von dem Reinigungslö­ sungsmittelversorgungsrohr 44 und durch Drücken des Reinigungsschwamms 43 gegen den Halbleiterwafer 4. Nachdem der Reinigungsprozeß vollendet ist, wird der Schwamm 43 zurückgezogen, die Wasserversorgung wird gestoppt und der Halbleiterwafer 4 wird durch schnelles Drehen der Waferhaltestation 41 mit hoher Geschwindigkeit durch den Motor 42 getrocknet.
Nachdem der sekundäre Reinigungsvorgang und das Drehtrocknen vollendet sind, wird der Halbleiterwafer 4 wiederum durch das Waferhalteglied 37 der dritten Transfereinheit 35 aufgenommen und wird zu einer Position oberhalb der Waferhaltestation 36 bewegt. Die Waferhalte­ station 36 wird während ihrer Drehung angehoben und das Waferhalteglied 37 wird ausgefahren, um den polierten, gereinigten und getrockneten Halbleiterwafer in der Kassette 45 aufzubewahren.
Der Polierabschnitt 2 und der Reinigungsabschnitt 30 sind jeweils mit Auslaßkanälen 46 bzw. 47 ausgestattet, um Um­ gebungsluft im Polierabschnitt 2 und Reinigungsabschnitt 30 gesondert und unabhängig auszustoßen.
Im folgenden wird die Arbeitsweise der Poliervorrichtung gemäß den Fig. 1 und 2 erläutert.
Ein Halbleiterwafer 4 wird aus der Kassette 17 entnommen und an der Kassettenstation 16 angeordnet, und zwar mittels eines Zungengliedes 13a der ersten Transferein­ heit 13, sodann erfolgt der Transfer zu dem Inverter 14. Der Halbleiterwafer 4 wird durch den Inverter 14 inver­ tiert oder umgedreht, so daß die zu polierende Oberfläche nach unten weist, wobei der Halbleiterwafer von der ersten Transferteinheit 13 aufgenommen wird und auf das Waferhalteglied 19 der zweiten Transfereinheit 15 übertragen oder transferiert wird.
Als nächstes bewegt sich der obere Ringkopf 8 entlang der Führungsschiene 9, so daß das Element oder der obere Ring 5 oberhalb des Waferhalteglieds 19 der zweiten Transfer­ einheit 15 angeordnet ist. Das Waferhalteglied 19 wird sodann angehoben, um den Halbleiterwafer 4, der darauf gehalten ist, zu dem oberen Ring 5 zu übertragen.
Der obere Ring 5 hält den Halbleiterwafer 4 und bewegt sich zu einer Polierposition oberhalb des Drehtisches 5. Der Drehtisch 3 und der obere Ring 5 werden in Rotation versetzt und die Abriebsaufschlemmung, die das Abriebsma­ terial enthält wird von der Düse 10 zur Oberseite des Ab­ riebstuchs oder Poliertuchs 7 auf dem Drehtisch 3 geliefert. Der obere Ring 5 wird abgesenkt und drückt den Halbleiterwafer 4 gegen das Poliertuch 7, wodurch das Halbleiterwafer 4 poliert wird.
Nachdem der Poliervorgang vollendet ist, bewegt sich der obere Ringkopf 8 entlang der Führungsschienen 9 und der das Halbleiterwafer 4 haltende obere Ring 5 ist direkt oberhalb der Wafertragstation 21 positioniert. Sodann wird der Halbleiterwafer 4 vom oberen Ring 5 entfernt und an der Wafertragstation 21 plaziert. Nunmehr bewegt sich der obere Ring 5 zu der zweiten Transfereinheit 15 hin, um den nächsten Poliervorgang eines weiteren Halbleiter­ wafers auszuführen.
Wenn der polierte Halbleiterwafer 4 auf der Wafertragsta­ tion 21 angeordnet ist, so wird der Verschluß 23 geöffnet und der Invertierarm 27 des Inverters 24 wird verdreht und oberhalb des Halbleiterwafers 4 positioniert, um den Halbleiterwafer 4 durch Vakuumansaugung aufzunehmen. Der Halbleiterwafer 4 wird sodann durch die umgekehrte Drehung des Armes 27 umgedreht und zu der erste-Stufe- Reinigungseinheit 31 transferiert. Zu dieser Zeit ist die Öffnung 22a der Unterteilungswand 22 in einer Öffnungspo­ sition, um zu gestatten, daß der den Halbleiterwafer 4 haltende Arm 27 hindurchlaufen kann. Wenn der Halbleiter­ wafer 4 und der Arm 27 durch die Öffnung 22a gelaufen sind und vollständig in den Reinigungsabschnitt 30 bewegt sind, so wird die Öffnung 22a durch Schließen des Verschlusses 23 geschlossen.
Nachdem der Halbleiterwafer zu der erste-Stufe-Reini­ gungseinheit 31 durch den Arm 27 transferiert wurde, zieht sich der Arm 27 nach unten zurück. In der erste- Stufe-Reinigungs-Einheit 31 wird der Halbleiterwafer durch die Rollen 32 gehalten und durch die Rollen 32 ver­ dreht. Die Primärreinigung wird ausgeführt durch Rotation des Halbleiterwafers 4 und durch Pressen der Schwammrolle 33 gegen den Halbleiterwafer 4 während Reinigungslösungs­ mittel von dem Reinigungslösungsversorgungsrohr 34 zu dem Halbleiterwafer 4 geliefert wird.
Der der primären Reinigung ausgesetzte Halbleiterwafer 4 wird durch die dritte Transfereinheit 35 empfangen. Nach dem Empfang des Halbleiterwafer 4 zieht die dritte Transfereinheit 35 das Waferhalteglied 37 zurück, um den Halbleiterwafer 4 oberhalb der Waferhaltestation 36 zu positionieren. Sodann wird die Waferhaltestation 36 abgesenkt, während sie gedreht wird und der Halbleiterwa­ fer 4 wird zu der zweiten-Stufe-Reinigungseinheit 40 da­ durch transferiert, daß das Waferhalteglied 37 wieder ausgefahren wird.
In der zweiten-Stufe-Reinigungseinheit 40 wird das Halbleiterwafer 4 durch die Waferhaltestation 41 gedreht und dadurch gereinigt, daß an den Reinigungsschwamm 43 gegen den Halbleiterwafer 4 drückt, während von dem Reinigungslösungsmittelversorgungsrohr 44 Reinigungslö­ sungsmittel an den Halbleiterwafer 4 geliefert werden. Nachdem die Sekundärreinigung vollendet ist, wird der Reinigungsschwamm 43 zurückgezogen, die Wasserversorgung wird gestoppt und die Drehgeschwindigkeit bzw. die Drehzahl des Motors 42 wird erhöht, um die Waferhaltesta­ tion 41 mit einer hohen Drehzahl zu drehen, wodurch die Drehtrocknung des Halbleiterwafers 4 bewirkt wird.
Der der sekundären Reinigung und der Trocknung ausgesetzte Halbleiterwafer 4 wird wiederum aufgenommen durch das Wa­ ferhalteglied 37 der dritten Transfereinheit 35. Nachdem der Halbleiterwafer 4 zu einer Position oberhalb der Wa­ ferhaltestation 36 bewegt wurde, wird die Waferhaltesta­ tion 36 angehoben während sie gedreht wird und das Waferhalteglied 37 wird ausgefahren, um den Halbleiterwa­ fer 4 in die Kassette 45 zu transferieren.
Bei dem oben beschriebenen Polierverfahren wird der Eintritt von Nebel aus der Abriebsaufschlemmung und abgeschliffenen Teilchen des Halbleiterwafers vom Polierabschnitt 2 in den Reinigungsabschnitt 30 in effektiver Weise durch die zwischen dem Polierabschnitt 2 der Reinigungsstation 30 angeordnete Unterteilungswand 22 verhindert. Zusätzlich zu diesem strukturellen Merkmal der Poliervorrichtung sind gesonderte Ausstoßsysteme vor­ gesehen und zwar einschließlich der Ausstoßleitungen 46 und 47, um die Verunreinigung des Reinigungsabschnitts 30 zu verhindern. Dadurch, daß man den Innendruck des Polierabschnitts 2 niedriger hält als den Druck in dem Reinigungsabschnitt 30, ist es möglich, den an der Unterteilungswand 22 vorgesehenen Verschluß wegzulassen.
Wie sich aus der vorstehenden Beschreibung ergibt, ist es möglich, da der Polierabschnitt 2 und der Reinigungsab­ schnitt 30 in der Gehäuseinheit 1 untergebracht sind und zwar mit den Seitenwänden, der oberen Wand und der unteren Wand, sowie getrennt voneinander durch die Unterteilungswand 22, die Poliervorrichtung in einem Reinraum zu installieren, und es ist ferner möglich, den Halbleiterwafer 4 zu polieren und zu reinigen ohne die Reinraumatmosphäre durch Nebel und Staubteilchen erzeugt während des Polierens und des Reinigens zu verunreinigen. Ferner kann ein regulärer Waferträger im Reinraum verwendet werden, um die polierten, gereinigten und getrockneten Halbleiterwafer zu der nächsten Verarbei­ tungsstation zu transferieren.
Da ferner der Polierabschnitt 2 und der Reinigungsab­ schnitt 30 durch die Unterteilungswand 22 mit dem Verschluß 23 getrennt sind und gesonderte Ausstoß- oder Absaugsysteme einschließlich der Leitungen 46 und 47 für jeden Polierabschnitt 2 und Reinigungsabschnitt 30 vorgesehen sind, wird verhindert, daß der Nebel aus Abriebsaufschlemmung und abgeschliffenen Teilchen des Halbleiterwafers aus dem Polierabschnitt 2 in den Reinigungsabschnitt 30 eintritt.
Im folgenden wird unter Bezugnahme auf die Fig. 3-8 eine Poliervorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel beschrieben.
Fig. 3 ist eine perspektivische Ansicht einer Poliervor­ richtung 50, die in einem Reinraum installiert ist. Eine Wand 53 mit einer Seitenwand 53A unterteilt den Reinraum in eine Arbeitszone 54 mit einem hohen Ausmaß an Reinheit und eine Nutzzone 55 mit einem niedrigen Ausmaß an Reinheit. Die Seitenwand 53A ist mit einer Kassettenlie­ fer- oder Zuführöffnung 51 und einer Betätigertafel 52 versehen. Die Poliervorrichtung 50 ist eine umschlossene Struktur und zwar durch eine Gehäuseeinheit, die Seiten­ wände 53A, 53B und eine Decke 53C aufweist und einen Lade/Entladeabschnitt enthält zur Lieferung einer Kassette, die eine Vielzahl von Halbleiterwafern spei­ chert, wobei ferner ein Transferabschnitt zum Transfer der Halbleiterwafer vorgesehen ist, ein Polierabschnitt zum Polieren der Halbleiterwafer, eine Reinigungseinheit zum Reinigen der Halbleiterwafer, die poliert wurden und schließlich mit einer Steuereinheit zur Steuerung des Be­ triebs der gesamten Vorrichtung. Alle diese Einheiten sind auf einer gemeinsamen Basis angebracht. Die gesamte Struktur der Poliervorrichtung ist durch die Seitenwände 53A, 53B und die Decke 53C umschlossen und somit in der Form eines Kastens.
Fig. 4A zeigt das Innere der Poliervorrichtung 50. Obwohl der Polierabschnitt 56 und alle anderen Abschnitte wie Lade/Entladeabschnitt 57, Transferabschnitt 58, Reini­ gungsabschnitt 59 und Steuerabschnitt 60 auf der gemein­ samen Basis 62 installiert sind, ist nur die letzt genannte Gruppe von Abschnitten vom Polierabschnitt 56 durch eine Unterteilungswand 61 isoliert oder getrennt. Die Unterteilungswand 61 besitzt eine Öffnung 71, welche den Hindurchtritt des Halbleiterwafers 4 gestattet.
Fig. 4B zeigt die Kassette 63 mit einer Vielzahl von Speicher- oder Aufbewahrungsregalen 67, auf denen die Halbleiterwafer 4 plaziert sind.
Wie man in Fig. 4A erkennt wird die von der Kassettenzu­ führöffnung 51 (vgl. Fig. 3) eingesetzte Kassette 63 auf einer Stufe 64 des Lade/Entladeabschnitts 57 plaziert und die Anzahl der Halbleiterwafer 4 und die Position der Speicherregale 67 werden mittels eines Sensors 65 detektiert und die Detektionsdaten werden in einem Computer 68 im Steuerabschnitt 60 gespeichert. Nachdem die obige Detektierung vollendet ist, nimmt ein Finger 70 eines Roboters 69 angeordnet am Transferabschnitt 58 ein Halbleiterwafer 4 aus der Kassette 63 heraus und zwar ei­ nen nach dem anderen.
Der aus der Kassette 63 herausgenommene Halbleiterwafer 4 wird zum Durchtritt durch die Öffnung 71 veranlaßt, wie dies in Fig. 4A gezeigt ist, und zwar handelt es sich da­ bei um die Öffnung 71 in der Unterteilungswand 61, wobei der Halbleiterwafer 4 durch den Finger 70 des Roboters 69 gehalten wird. Der Halbleiterwafer 4 wird durch den oberen Ring 5 in dem Polierabschnitt 56 gehalten. Der durch den oberen Ring 5 gehaltene Halbleiterwafer 4 wird dadurch poliert, daß man den Halbleiterwafer 4 gegen das Abriebstuch 7 auf dem Drehtisch 3 drückt, wobei Abrie­ baufschlemmung an das Abrieb- oder Poliertuch 7 geliefert wird.
Der polierte Halbleiterwafer 4 wird durch den Roboter 69 zum Reinigungsabschnitt 59 transferiert, der eine Reinigungseinheit 74 und eine Trockeneinheit 75 aufweist. Nachdem das Reinigen des Halbleiterwafer 4 in der Reinigungseinheit 74 vollendet ist, wird der Halbleiter­ wafer 4 in der Trockeneinheit 75 getrocknet. Nachdem der Halbleiterwafer 4 getrocknet ist, wird der Halbleiterwa­ fer 4 von dem Reinigungsabschnitt 59 durch den Roboter 69 auf das Speicherregal 67 der Kassette 63 transferiert. Durch die obigen Operationen wird eine Folge von Polier- und Reinigungsvorgängen des Halbleiterwafers ausgeführt und andere Halbleiterwafer 4 werden in der gleichen Art und Weise verarbeitet. Wenn alle Halbleiterwafer 4 in der Kassette 63 verarbeitet sind, dann wird die die polierten und gereinigten Halbleiterwafer 4 enthaltene Kassette 63 mit einer anderen Kassette 63 ersetzt, die zu polierende und zu reinigende Halbleiterwafer 4 enthält.
Fig. 5 ist eine Seitenansicht des Inneren der Poliervor­ richtung 50. Die Poliervorrichtung 50 ist durch die Unterteilungswand 61 in einer erste Kammer 77 und eine zweite Kammer 76 unterteilt. Der Polierabschnitt 56 ist in der ersten Kammer 77 angeordnet und der La­ de/Entladeabschnitt 57, der Transferabschnitt 58, der Reinigungsabschnitt 59 und der Steuerabschnitt 60 sind in der zweiten Kammer 76 angeordnet.
Innerhalb der ersten Kammer 77 ist ein Trog 88 vorgese­ hen, und zwar um den Außenumfang des Drehtischs 3 herum, um zu verhindern, daß Aufschlemmungen oder dergleichen verstreut wird oder vielmehr im Trog gesammelt wird. Der Trog 88 und eine sich vom Trog 88 horizontal erstreckende Wand dienen zu Trennung der ersten Kammer 77 in eine obere Kammer 77a und eine untere Kammer 77b. Wie man in Fig. 5 erkennt, ist die obere Kammer 77a mit einer oberen Leitung 79 versehen, die einen Dämpfer 80 aufweist und die untere Kammer 77b mit einem unteren Kanal 81 mit ei­ nem Dämpfer 82 versehen. Die Kanäle 79 und 81 sind in ei­ nem Hauptkanal 93 vereinigt und zwar mit einer Auslaßöff­ nung 83a verbunden mit einem Auslaßrohr 95 (vgl. Fig. 3), welches sich von dem Reinraum in eine äußere Umgebung er­ streckt.
Während des Poliervorgangs erzeugter Nebel wird von der Auslaßöffnung 83a durch die Oberleitung 79 und die Hauptleitung 83 ausgestoßen. Die von dem Antriebsriemen des Antriebsabschnitts 64 für den Drehtisch 3 erzeugten Staubteilchen werden von der Auslaßöffnung 83a durch den unteren Kanal 81 und die Hauptleitung oder den Hauptkanal 83 ausgestoßen. Ferner werden die Nebel und Staubteilchen aus der ersten Kammer 77 zu einer äußeren Umgebung durch das Auslaßrohr 95 abgegeben. Die Unterteilungswand 61 ist mit einer Öffnung 86 versehen und zwar gesondert von der Öffnung 71. Bewegliche Verschließmittel oder Jalousien 85 sind an der Öffnung 86 vorgesehen, um die Öffnungsfläche der Öffnung 86 einzustellen.
Die Einlaßluft wird in die obere Kammer 77a in der folgenden Art und Weise eingeführt. Als erstes wird Luft mit hoher Reinheit von der Arbeitszone 54 in die zweite Kammer 76 durch die Waferzuführöffnung 51 eingeführt. Die Luft läuft dann durch die Öffnung 71 der Unterteilungs­ wand 61 und die Öffnung 86, deren Öffnungsfläche in geeigneter Weise eingestellt wurde durch die Jalousien 85 und tritt dann in die obere Kammer 77a ein. Die Strö­ mungsrate wird durch die Einstellung der Jalousien 85 und das Ventil 80 reguliert.
Die Menge der die untere Kammer 77b verlassenden Staub­ teilchen ist wesentlich kleiner als die Menge an Nebel aus Abriebsaufschlemmung von der oberen Kammer 77. Daher muß nur ein kleines Volumen an Luft von der unteren Kammer 77b fließen und somit ist das Öffnungsausmaß des Ventils 82 klein, um so einen geringfügig negativen Druck in der unteren Kammer 77b zu erzeugen. Eine kleine Luftmenge entsprechend der ausgestoßenen Luftmenge wird an die untere Kammer 77b geliefert, und zwar durch einen kleinen Zwischenraum zwischen den baulichen Gliedern.
Die Reinigungseinheit 74 und die Trocknungseinheit 75 an­ geordnet im Reinigungsabschnitt 59 in der zweiten Kammer 76 sind mit entsprechenden Auslaßleitungen 87a und 87b versehen, die Einstellventile 88′ bzw. 89 besitzen. Die Leitungen 87a und 87b sind in eine Hauptleitung 90 vereinigt, und zwar mit einer Auslaßöffnung 90a verbunden mit dem Auslaßrohr 95 (vgl. Fig. 3). Daher wird der von der Reinigungseinheit 74 und der Trockeneinheit 75 erzeugte Nebel von der Auslaßöffnung 90a ausgestoßen, und zwar durch die Leitungen 87a und 87b und die Hauptleitung 90 und die Abgabe erfolgt an eine Außenumgebung durch das Auslaßrohr 95. Die Eingangsluft entsprechend der Aus­ gangsluft wird von der gemeinsamen Quelle von Nachfülluft an die zweite Kammer 76 geliefert und zwar durch die Wa­ ferzuführöffnung 51 und die Strömungsrate wird durch die Ventile 88 und 89 eingestellt.
Ein Verschluß ist an der Öffnung 71 der Unterteilungswand 61 vorgesehen und wird hauptsächlich für die Zwecke der Wartung verwendet. Wenn die erste Kammer 77 zur Zeit der Wartung offen ist, so wird der Verschluß 91 geschlossen, so daß der Staub nicht aus der ersten Kammer 77 in die zweite Kammer 76 durch die Öffnung 71 fließt.
Es ist hier möglich, anstelle der beweglichen Jalousien 85 die Öffnung 86 derart anzuordnen, daß die Öffnungsflä­ che der Öffnung 86 eingestellt werden kann, und ein Verschluß kann vorgesehen sein, um die Öffnung 86 zu öff­ nen und zu schließen. Ebenfalls können anstelle eines Verschlußes Schließmittel wie beispielsweise eine Tür verwendet werden.
Fig. 6 zeigt eine Querschnittsdraufsicht der Poliervor­ richtung 50. Im Inneren der kastenförmigen Poliervorrich­ tung 50 sind der Polierabschnitt 56, der Reinigungsab­ schnitt 59, der Transferabschnitt 58 und der Steuerab­ schnitt 60 und dergleichen vorgesehen. Man erkennt, daß der Polierabschnitt 56 an der Innenseite angeordnet ist und zwar weg von der Arbeitszone 54.
Das Muster der Luftströmung durch die Poliervorrichtung 50 wird nunmehr unter Bezugnahme auf Fig. 7 beschrieben.
Die Luft in jeder Kammer, der ersten Kammer 77, die nur den Polierabschnitt 56 enthält und der zweiten Kammer 76, die den Reinigungsabschnitt und andere Abschnitte enthält, wird gesondert und unabhängig abgegeben oder ausgestoßen, so daß die entsprechenden Innendrücke von hoch auf niedrig abnehmen und zwar in der Reihenfolge von: Arbeitszone 54 des Reinraums, der zweiten Kammer 76 und der ersten Kammer 77. Die Luft von den ersten und zweiten Kammern 76 und 77 wird durch die Hauptleitungen 83 und 90 wie in Fig. 7 gezeigt, ausgestoßen. Die Reinluft von der Arbeitszone 54 tritt in die zweite Kammer 76 mit dem Reinigungsabschnitt 59 und anderen, ein und ein Teil der Luft fließt zu der Hauptleitung 90 in der zweiten Kammer 76. Der andere Teil, der in die zweite Kammer 76 eintretenden Reinluft läuft durch die Öffnung 71 der Unterteilungswand 61 und tritt in die erste Kammer 77 ein, die nur den Polierabschnitt 56 aufweist und sodann fließt die Luft zu der Leitung 83. Die Strömungs­ muster des Reinluftstroms sind durch die Pfeile in Fig. 7 dargestellt.
Da die Luft von der Hochdruckseite zur Niederdruckseite geleitet wird und ausgestoßen wird, um einen Druckgra­ dienten aufrecht zu erhalten und zwar in der Reihenfolge des Reinraums, der zweiten Kammer 76 und der ersten Kammer 77, tritt keine Gegenströmung auf. Man versteht, daß Nebel und Staubteilchen erzeugt im Polierabschnitt 56 nicht in die Reinraumzone fließen und es besteht keine Verunreinigung der Reinigungsvorrichtungen, da die hoch verunreinigte Umgebungsluft nicht von der ersten Kammer 77 zur zweiten Kammer 76 fließt.
Ferner wird das Ausstoßen und das Einziehen der Umge­ bungsluft der Kammern und die Innendrücke der Kammern in der Poliervorrichtung 50 gesteuert und zwar durch Steuerung der Jalousien 85 an der Öffnung 86 und der Ven­ tile 80, 82, 88 und 89 an den Kanälen 83 und 90. Daher kann der Luftstrom in geeigneter Weise mit einer minimalen An­ zahl von Steuervorrichtungen gesteuert werden.
Es sei bemerkt, daß die einfache Form der Unterteilung der Innenstruktur der Poliervorrichtung 50 dazu führt, die Richtung des Luftstroms in der Poliervorrichtung festzulegen und somit die Konstruktion der Poliervorrich­ tung einfach zu machen, was zu einem einfachen Aufbau des Auslaßkanalsystems führt. Die vereinfachte Konstruktion sieht einen hohen Ausstoßwirkungsgrad vor, da der Druckabfall, der durch Biegungen und lange Auslaßdurch­ lässe oder eine komplizierte Unterteilung des Inneren der Poliervorrichtung hervorgerufen werden kann, verhindert wird.
Als nächstes sei die Bewegung der Halbleiterwafer innerhalb der Poliervorrichtung 50 unter Bezugnahme auf Fig. 8 beschrieben.
Die Halbleiterwafer von der Arbeitszone 54 werden in die Poliervorrichtung 50 gebracht und laufen dann durch die zweite Kammer 76 mit dem Reinigungsabschnitt 59 und anderen und erreichen schließlich die erste Kammer 77 mit dem Polierabschnitt 56, um poliert zu werden. Das Polieren wird ausgeführt unter Verwendung eines Abrieb­ mittels oder einer Abriebaufschlemmung und daher werden die polierten Halbleiterwafer mit restlichem Abriebauf­ schlemmittel verunreinigt. Die polierten Halbleiterwafer werden von der ersten Kammer 77 zu einer Reinigungsvor­ richtung 59a in der zweiten Kammer 76 transferiert. Die gereinigten Halbleiterwafer werden zu einer Reinigungs­ vorrichtung 59b transferiert, um das Einheitsausmaß weiter zu steigern. Die Reinigungseinheit 74 weist die Reinigungsvorrichtungen 59a und 59b auf. Die gereinigten Halbleiterwafer werden in der Reinigungsvorrichtung 59b getrocknet und sodann zu der Arbeitszone 54 übertragen. Die Bewegung der Halbleiterwafer ist durch die Pfeile in Fig. 8 gezeigt.
Wie in den Fig. 7 und 8 gezeigt, erfolgt die Bewegung der Halbleiterwafer, die gereinigt sind und von der Poliervorrichtung abgegeben werden, entgegen der Luft­ strömung, daher erfolgt die Übertragung des Halbleiterwa­ fers in das Reinigungsgebiet in der Richtung eines höheren Reinheitsausmaßes, wodurch die Verunreinigung der Halbleiterwafer während des Transferschrittes verhindert wird.
Um die obige Wirkung zu erzielen seien die folgenden Be­ trachtungen hinsichtlich der Anordnung der Halbleiterwa­ ferreinigungsvorrichtungen berücksichtigt. Wenn eine Vielzahl von Reinigungsvorrichtungen verwendet werden soll, so werden die Reinigungsvorrichtungen mit einem fortlaufend höherem Ausmaß an Reinheit in der Gegenrich­ tung zum reinen Luftstrom angeordnet. Anders ausgedrückt gilt folgendes: wenn das Reinheitsausmaß eines durch eine Reinigungsvorrichtung vorgesehenen Halbleiterwafers höher liegt, so sollte die Vorrichtung an einer weiter stromab­ wärts gelegenen Seite des Luftstroms positioniert sein. In Fig. 8 ist dies dargestellt durch die Positionierung der Reinigungsvorrichtung 59a, 59b. Wenn das Reinheitsaus­ maß des Halbleiterwafers in der Reinigungsvorrichtung 59b höher ist als das in der Reinigungsvorrichtung 59a, so wird die Reinigungsvorrichtung 59b an der stromaufwärts gelegenen Seite der Reinigungsvorrichtung 59a angeordnet. Das gleiche Prinzip gilt für die Halbleiterwafer in Transit, d. h. die Halbleiterwafer, die sich zwischen der Vielzahl von Reinigungsvorrichtungen bewegen.
Die Poliervorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbei­ spiel der Erfindung hat die folgenden Vorteile:
  • (1) Der Reinraum und der Reinigungsabschnitt 59 sind nicht mit Verunreinigungen verunreinigt, die in dem Polierabschnitt 56 erzeugt werden.
  • (2) Die polierten und gereinigten Halbleiterwafer oder die Antriebskomponenten wie beispielsweise Motore oder Leistungsgetriebeglieder werden nicht verunrei­ nigt mit Verunreinigungen wie beispielsweise Staub­ teilchen und Nebel erzeugt in dein Polierverfahren.
  • (3) Die Steuerung der Luftströmung in jeder Kammer kann durch eine minimale Anzahl von Steuervorrichtungen erreicht werden.
  • (4) Die Richtung des Luftstroms ist festgelegt und die Konstruktion des Ausstoßsystems wird vereinfacht.
  • (5) Der Druckverlust wird minimiert und eine hohe Ausstoßeffizienz wird erreicht.
Nunmehr wird unter Bezugnahme auf die Fig. 9 und 10 eine Poliervorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben.
Die Poliervorrichtung der Fig. 9 und 10 ist identisch zur Poliervorrichtung gemäß den Fig. 3-5 mit der Ausnahme, daß eine Filtereinheit 100 an der Decke 53C vorgesehen ist. Diejenigen Teile gemäß den Fig. 9 und 10, die identisch zu denjenigen der Fig. 3-5 sind, werden durch identische Bezugszeichen bezeichnet und werden im folgenden nicht mehr im einzelnen beschrieben.
Wie Fig. 9 zeigt, befindet sich oberhalb der Decke 53C eine Filtereinheit 100 zum Zirkulieren von Reinluft durch die zweite Kammer 76, welche den Lade/Entladeabschnitt 57, den Transferabschnitt 58 und den Reinigungsabschnitt 59 enthält.
Fig. 10 ist eine Seitenansicht des Inneren der Poliervor­ richtung 50. Die Poliervorrichtung 50 ist die durch die Unterteilungswand 61 in eine erste Kammer 77 mit dem Po­ lierabschnitt 56 und eine zweite Kammer 76 unterteilt, welch letztere den Lade/Entladeabschnitt 57, den Trans­ ferabschnitt 58, den Reinigungsabschnitt 59 und den Steuerabschnitt 60 besitzt.
Wie in Fig. 10 gezeigt, besitzt die Filtereinheit 100 ei­ nen Ventilator 101, einen Filter 102 mit einer 0,1 Mikrometer Filterkapazität und zwar angeordnet an der Austrittsseite des Ventilators 101 und einen chemischen Filter 103 zum Herausfiltern schädlicher Gase und zwar angeordnet an der Einlaßseite des Ventilators 101. Die vom Filter 102 abgegebene gereinigte Luft wird nach unten in das allgemeine Gebiet geblasen über den Bewegungsbe­ reich des Robotors 69 und in ein Gebiet, welches die Rei­ nigungseinheit 74 und die Trockeneinheit 75 enthält, d. h. über das Gebiet der Bewegung der Halbleiterwafer. Die Ge­ schwindigkeit der Luftströmung liegt im Bereich von 0,3 bis 0,4 m/s, um so effektiv zu sein hinsichtlich der Ver­ hinderung einer Querverunreinigung von benachbart angeordneten Halbleiterwafern. Ein Teil der in die obigen Gebiete geblasenen Luft strömt in die erste Kammer 77 und die entsprechenden Öffnungen der Reinigungseinheit 74 und der Trockeneinheit 75, der größte Teil der Luft steigt aber zum Boden der Poliervorrichtung 50 hinab.
Der Boden ist mit einem kastenförmigen Kanal oder Kanalkopf 104 versehen und zwar mit einer flachen Oberfläche. Der Kanal oder Kanalkopf 104 besitzt eine An­ zahl von Öffnungen 105, deren jede Verschlußmittel oder eine Jalousie 106 aufweist und zwar zur Einstellung der Öffnungsfläche der Öffnung 105. Der Kanalkopf 104 ist mit der Filtereinheit 100 durch eine Kanalleitung oder ein Kanalrohr 107 verbunden. Die Luft, die zum Boden herabge­ stiegen ist, läuft durch die Öffnung 105 und strömt in den Kanalkopf 104 und wird in den chemischen Filter 103 durch das Kanalrohr 107 eingeführt.
Daher werden die schädlichen Gase von den nassen Halblei­ terwafern 17 und die Flüssigkeitstropfen, die an dem Fin­ ger 20 des Robotors 19 anhaften und Spuren von Abrieb­ saufschlemmung enthalten, zusammen mit der hinabsteigen­ den Luftströmung durch den chemischen Filter 103 ent­ fernt. Das Abriebsmaterial und die abgeschliffenen Teilchen des Halbleiterwafers, die mit dem Reinigungslö­ sungsmittel herabgetropft sein können und am Boden getrocknet sind, werden daran gehindert durch die herabsteigende Luft zerstreut zu werden und ein Teil der Teilchen wird durch den Filter 102 entfernt.
Ergänzungsluft oder Nachfülluft wird hauptsächlich von den Luftversorgungsöffnungen 111 geliefert, deren jede Verschlußmittel oder Jalousie 110 aufweist und zwar angeordnet an der Filtereinheit 100. Eine kleine Luft­ menge wird von der Kassettenöffnung 51 geliefert. Die Ab­ stiegsgeschwindigkeit der Luft in der zweiten Kammer 76 kann dadurch eingestellt werden, daß man die Jalousien oder Öffnungsmittel 106 des Kanalkopfes 104 und auch die Öffnungsmittel 110 der Luftversorgungsöffnungen 100 für die Nachfülluft, einstellt.
Fig. 11 zeigt eine modifizierte Ausführung des dritten Ausführungsbeispiels gemäß den Fig. 9 und 10.
In diesem Ausführungsbeispiel ist die Filtereinheit 100 entfernt und die Decke der zweiten Kammer 76 ist eben­ falls entfernt. Ein Auslaß- oder Ausstoßventilator 112 ist an der Bodenoberfläche des Kanalkopfes 104 vorgese­ hen. Diese Art einer Vorrichtung kann in dem Fall verwendet werden, wo keine Erzeugung schädlicher Gase aus der Abriebsaufschlemmung vorliegt und die Poliervorrich­ tung in einem Reinraum relativ hoher Reinheit installiert ist. Es ist möglich, nur die herabströmende Umgebungsluft innerhalb des Reinraums zu verwenden. Die abwärts strömende Luft wird an einer Außenumgebung der Poliervor­ richtung 50 durch den Auslaßventilator 112 abgegeben. In diesem Ausführungsbeispiel ist auch die Basis der zweiten Kammer 76 mit zahlreichen Bodenöffnungen 105 versehen, und zwar über bzw. zusätzlich zu dem Kanalkopf 104 und die Umgebungsluft wird durch den Ausstoßventilator 112 durch den Kanalkopf 104 ausgestoßen.
Der Kanalkopf 104 muß nicht notwendigerweise eine flache Rohrform besitzen, sondern es können auch Rohre mit anderer Gestalt verwendet werden, solange sie nur in der Lage sind, den nach unten gerichteten Fluß an Umgebungs­ luft aufzusammeln. Auch hängen die Betriebsparameter der Vorrichtung, wie beispielsweise die Filterfähigkeit und die Notwendigkeit eines chemischen Filters von einem spe­ ziellen Reinheitsausmaß im Reinraum ab und von der Art der Abriebsaufschlemmung, die in dem Poliervorgang verwendet werden soll.
Gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der Fig. 9-11 wird die Teilchenverunreinigung der Halbleiterwafer, die poliert und gereinigt wurden in der Poliervorrichtung er­ reicht und die Entfernung schädlicher Gase. Daher kann die Poliervorrichtung in dem Reinraum installiert werden, wodurch die Einschränkungen hinsichtlich der Produktions­ bedingungen beseitigt werden, etwa hinsichtlich der Arten von verwendbarer Abriebsaufschlemmung und es ergibt sich ein höher Grad an Freiheit hinsichtlich der Anordnung des Poliervorgangs zum Zwecke der Handhabung unterschiedli­ cher Arten von Oberflächenschichten von Halbleiterwafern bei der Erzeugung einer großen Verschiedenheit von Halbleitervorrichtungen.
Die erfindungsgemäße Poliervorrichtung kann unterschied­ liche Werkstücke verarbeiten, einschließlich Halbleiter­ wafern, Glassubstraten, und dergleichen.
In den zweiten und dritten Ausführungsbeispielen der Fig. 3-11 können auch die integral vorgesehene Ladestation und Entladestation unabhängig voneinander vorgesehen sein.
Bei der erfindungsgemäßen Poliervorrichtung wird ein Halbleiterwafer in dem Polierabschnitt poliert, der polierte Halbleiterwafer wird vom Polierabschnitt zum Reinigungsabschnitt transferiert und der Halbleiterwafer wird gereinigt und getrocknet und zwar in dem Reinigungs­ abschnitt. Daher wird der Halbleiterwafer von der Poliervorrichtung in einem Zustand abgegeben, wo der Halbleiterwafer sowohl sauber als auch trocken ist.
Zusammenfassend sieht die Erfindung folgendes vor:
Eine Poliervorrichtung zum Polieren einer Oberfläche ei­ nes Werkstücks. Die Poliervorrichtung weist folgendes auf: eine Gehäuseeinheit, eine Unterteilungswand, welche das Innere der Gehäuseeinheit, die mindestens eine erste Kammer und eine zweite Kammer unterteilt. Ein Polierab­ schnitt angeordnet in der ersten Kammer und mit einem Drehtisch, mit einem Poliertuch, welches an der Oberseite des Drehtischs angebracht ist, und mit einem weiteren Element insbesondere einen oberen Ring positioniert oberhalb des Drehtischs, um das Werkstück zu tragen, wel­ ches poliert werden soll. Dabei wird das Werkstück gegen das Poliertuch gedrückt und es ist ein ferner ein Reinigungsabschnitt vorgesehen, und zwar inbesondere an­ geordnet in einer zweiten Kammer und zwar zum Reinigen des polierten Werkstücks. Die Poliervorrichtung weist ferner eine Poliervorrichtung auf, um das Werkstück, wel­ ches poliert wurde von dem Polierabschnitt zu dem Reinigungsabschnitt zu transferieren. Dazu ist insbeson­ dere eine Öffnung vorgesehen und ein Aufsatzglied ist ferner um Umgebungsluft von sowohl dem Polierabschnitt als auch dem Reinigungsabschnitt gesondert unabhängig ab­ zugeben.

Claims (16)

1. Poliervorrichtung zum Polieren einer Oberfläche eines Werkstücks, wobei folgendes vorgesehen ist:
eine Gehäuseeinheit;
eine Unterteilungswand, welche einen Innenraum der Gehäuseeinheit unterteilt und zwar in eine erste Kam­ mer und eine zweite Kammer, wobei die Unterteilungs­ wand eine erste Öffnung aufweist, um zu gestatten, daß das erwähnte Werkstück dahindurch läuft;
ein Polierabschnitt mit einem Drehtisch mit einem Po­ liertuch angebracht an der Oberseite davon und mit einem Element oder oberen Ring positioniert oberhalb des Drehtischs zum Tragen des Werkstücks, welches poliert werden soll und zum Pressen des Werkstücks gegen ein Poliertuch, wobei der Polierabschnitt in der ersten Kammer angeordnet ist;
ein Reinigungsabschnitt zum Reinigen des Werkstücks, das poliert wurde und wobei der Reinigungsabschnitt in der zweiten Kammer angeordnet ist;
eine Transfer- oder Transportvorrichtung zum Transfe­ rieren des polierten Werkstücks von dem Polierab­ schnitt zu dem Reinigungsabschnitt durch die erste Öffnung; und
Auslaßmittel zum Abgeben von Umgebungsluft von sowohl dem Polierabschnitt als auch dem Reinigungsabschnitt und zwar gesondert und unabhängig voneinander.
2. Poliervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Reini­ gungsabschnitt eine Reinigungseinheit aufweist und zwar zum Reinigen des Werkstücks, während Reinigungs­ lösungsmittel geliefert wird und ferner mit einer Trockeneinheit zum Trocknen des Werkstücks, welches gereinigt wurde.
3. Poliervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei ferner ein Verschluß vorgesehen ist zum Öffnen und Schließen der ersten Öffnung der Unterteilungswand.
4. Poliervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, insbesondere nach Anspruch 1, wobei fol­ gendes vorgesehen ist:
ein Ladeabschluß zum Anordnen einer Kassette, die ei­ ne Vielzahl von Werkstücken enthält;
eine Entladeabschnitt zum Anordnen einer Kassette, die das Werkstück enthält, welches gereinigt wurde;
eine Transferabschnitt zum Herausnehmen eines Werkstücks aus der Kassette und zum Transferieren des Werkstücks; und
ein Steuerabschnitt zum Steuern des Betriebs der Po­ liervorrichtung;
wobei der Ladeabschnitt, der Entladeabschnitt und der Transferabschnitt und der Steuerabschnitt in der zweiten Kammer angeordnet sind.
5. Poliervorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, insbesondere Anspruch 1, wobei die Gehäuseeinheit eine Kassettenlieferöffnung aufweist und zum Liefern der Kassette an den minde­ stens ein Ladeabschnitt und den Entladeabschnitt.
6. Poliervorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, insbesondere Anspruch l dadurch gekennzeichnet, daß die Unterteilungswand eine zweite Öffnung besitzt und Mittel zum Einstellen der Umgebungsluftströmung an der zweiten Öffnung.
7. Poliervorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, insbesondere Anspruch 1, wobei ferner folgendes vorgesehen ist: eine um den Drehtisch herum angeordnete Wand und zwar sich hori­ zontal erstreckend und die erste Kammer in eine obere Kammer und eine untere Kammer unterteilend; und wobei die Abgabe- oder Ausstoßmittel erste Leitungs­ mittel aufweisen und zwar einschließlich Leitungen, die in Verbindung stehen mit der oberen bzw. der un­ teren Kammer und die jeweils ein Ventil aufweisen, und wobei ferner eine Hauptleitung oder ein Hauptka­ nal vorgesehen ist, der mit den erwähnten Leitungen oder Kanälen in Verbindung steht und ferner in Ver­ bindung steht mit der Außenumgebung.
8. Poliervorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, insbesondere Anspruch 2, wobei die Auslaßmittel zweite Kanal- oder Leitungs­ mittel aufweisen und zwar einschließlich einer Lei­ tung oder eines Kanals, der mit der Reinigungseinheit in Verbindung steht und ein Ventil aufweist und mit einem Hauptkanal oder eine Hauptleitung verbunden mit dem erwähnten Kanal und in Verbindung stehend mit der Außenumgebung.
9. Poliervorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, insbesondere Anspruch 1, wobei folgendes vorgesehen ist:
eine Filtereinheit mit einem Ventilator und Filter­ mitteln angeordnet an einem Deckenabschnitt oberhalb der zweiten Kammer; und
dritte Leitungs- oder Kanalmittel zum Zirkulieren von Umgebungsluft in der zweiten Kammer durch die Filter­ einheit.
10. Poliervorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, insbesondere Anspruch 9, wobei die dritten Kanalmittel einen Kanalkopf aufwei­ sen und zwar angeordnet an einem unteren Teil der zweiten Kammer und mit einer Vielzahl von Öffnungen, und wobei ein Kanal vorgesehen ist, der die Filter­ einheit und den Kanalkopf verbindet, wobei schließ­ lich Mittel vorgesehen sind zur Einstellung der Umge­ bungsluftströmung an den Öffnungen des Kanalkopfes.
11. Poliervorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, insbesondere Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Filtereinheit ein chemisches Filter aufweist und zwar angeordnet an der Umgebungslufteinlaßseite des Ventilators.
12. Poliervorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, insbesondere Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Auslaßmittel eine Luftströmung bilden, um so Innendrücke zu erzeugen, welche von einem hohen Wert auf einen niedrigen Wert abnehmen und zwar in der folgenden Ordnung: ein Rein­ raum, in dem die Poliervorrichtung installiert ist, die erwähnte zweite Kammer, und die erwähnte erste Kammer.
13. Poliervorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, insbesondere Anspruch 12, wobei das zu polierende Werkstück in die erste Kammer durch die zweite Kammer eingeführt wird und wobei das in der ersten Kammer polierte Werkstück von der er­ sten Kammer in die zweite Kammer transferiert wird und wobei das in der zweiten Kammer gereinigte Werk­ stück von der zweiten Kammer zu dem Reinraum hin ab­ gegeben wird.
14. Poliervorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, insbesondere Anspruch 12, wobei der Reinigungsabschnitt eine Vielzahl von Rei­ nigungsvorrichtungen aufweist und zwar vorgesehen mit einem fortlaufend höheren Reinheitsausmaß des Werk­ stücks, wobei diese Reinigungsvorrichtungen entgegen der Strömungsrichtung des Luftflusses in der zweiten Kammer angeordnet sind.
15. Poliervorrichtung zum Polieren einer Oberfläche eines Werkstücks, wobei folgendes vorgesehen ist:
eine Gehäuseeinheit;
eine Unterteilungswand, welche das Innere der Gehäuseeinheit in eine erste und eine zweite Kammer unterteilt, wobei die Unterteilungswand eine erste Öffnung besitzt, um den Hindurchgang des erwähnten Werkstückes zu gestatten;
ein Polierabschnitt mit einem Drehtisch mit einem Po­ liertuch, angebracht an der Oberfläche davon und mit einem oberen Ring positioniert oberhalb des Dreh­ tischs zum Tragen des Werkstücks, welches poliert werden soll und zum Drücken des Werkstücks gegen das Poliertuch, wobei der Polierabschnitt in der ersten Kammer angeordnet ist;
ein Reinigungsabschnitt zum Reinigen des Werkstücks, das poliert wurde und wobei der Reinigungsabschnitt in der zweiten Kammer angeordnet ist;
eine Transfervorrichtung zum Transferieren des Werkstücks, welches poliert wurde von dem Polierab­ schnitt zu dem Reinigungsabschnitt durch die erste Öffnung; und
Auslaßmittel zum Auslassen der Umgebungsluft aus dem Polierabschnitt;
wobei der Reinigungsabschnitt eine Reinigungseinheit umfaßt zum Reinigen des Werkstücks während Reini­ gungslösungsmittel zugeführt wird und ferner mit ei­ ner Trockeneinheit zum Trocknen des Werkstücks, wel­ ches gereinigt wurde.
16. Poliervorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, insbesondere Anspruch 15, wobei ferner folgendes vorgesehen sein: vierte Kanal­ leitungsmittel einschließlich eines Kanal- oder Lei­ tungskopfs angeordnet an einem unteren Teil der zwei­ ten Kammer und mit einer Vielzahl von Öffnungen und mit einem Auslaßventilator vorgesehen an dem Kanal­ kopf zum Ausstoßen von Umgebungsluft in der zweiten Kammer durch den Kanalkopf.
DE19544328.4A 1994-11-29 1995-11-28 Poliervorrichtung Expired - Lifetime DE19544328B4 (de)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31928994A JP3315544B2 (ja) 1994-11-29 1994-11-29 半導体ウエハ研磨装置および方法
JP319289/94 1994-11-29
JP33021094 1994-12-06
JP330210/94 1994-12-06
JP330209/94 1994-12-06
JP33020994 1994-12-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19544328A1 true DE19544328A1 (de) 1996-05-30
DE19544328B4 DE19544328B4 (de) 2014-03-20

Family

ID=27339715

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19544328.4A Expired - Lifetime DE19544328B4 (de) 1994-11-29 1995-11-28 Poliervorrichtung

Country Status (4)

Country Link
US (4) US5679059A (de)
KR (2) KR100452734B1 (de)
DE (1) DE19544328B4 (de)
TW (1) TW308713B (de)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0803326A2 (de) * 1996-04-26 1997-10-29 Ebara Corporation Poliervorrichtung
EP0806265A1 (de) * 1996-05-10 1997-11-12 Canon Kabushiki Kaisha Präzisionspoliervorrichtung
DE19719503A1 (de) * 1997-05-07 1998-11-12 Wolters Peter Werkzeugmasch Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren einer Oberfläche eines Objektes, insbesondere eines Halbleiterwafers
EP0916452A2 (de) * 1997-11-12 1999-05-19 LAM Research Corporation Verfahren und Vorrichtung zum Polieren von Halbleiterscheiben
US6093091A (en) * 1997-12-16 2000-07-25 Peter Wolters Werkzeugmaschinen Gmbh Holder for flat subjects in particular semiconductor wafers
DE10062926A1 (de) * 2000-10-14 2002-05-02 Diskus Werke Schleiftechnik Gm Maschine zur einseitigen Oberflächenbearbeitung durch Schleifen, Polieren oder Läppen mindestens eines Werkstücks
US6709323B2 (en) 2000-12-14 2004-03-23 Peter Wolters Cmp-Systeme Gmbh & Co. Kt Holder for flat workpieces, particularly semiconductor wafers
US6767276B2 (en) 2000-12-14 2004-07-27 Peter-Wolters Cmp-Systeme Gmbh & Co. Kg Holder for flat workpieces, particularly semiconductor wafers
CN104044057A (zh) * 2004-11-01 2014-09-17 株式会社荏原制作所 抛光设备

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19544328B4 (de) * 1994-11-29 2014-03-20 Ebara Corp. Poliervorrichtung
US5830045A (en) 1995-08-21 1998-11-03 Ebara Corporation Polishing apparatus
US5738574A (en) * 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
US7097544B1 (en) * 1995-10-27 2006-08-29 Applied Materials Inc. Chemical mechanical polishing system having multiple polishing stations and providing relative linear polishing motion
US5885134A (en) * 1996-04-18 1999-03-23 Ebara Corporation Polishing apparatus
US6012966A (en) * 1996-05-10 2000-01-11 Canon Kabushiki Kaisha Precision polishing apparatus with detecting means
US6413156B1 (en) 1996-05-16 2002-07-02 Ebara Corporation Method and apparatus for polishing workpiece
JP3211147B2 (ja) * 1996-05-29 2001-09-25 株式会社荏原製作所 装置の排気構造
US6036582A (en) * 1997-06-06 2000-03-14 Ebara Corporation Polishing apparatus
KR100253085B1 (ko) * 1997-07-10 2000-04-15 윤종용 측정장치를구비한웨이퍼폴리싱장치및폴리싱방법
US5997388A (en) * 1997-08-11 1999-12-07 Micron Electronics, Inc. Apparatus for removing marks from integrated circuit devices
US5938508A (en) * 1997-08-11 1999-08-17 Micron Electronics, Inc. Method for removing marks from integrated circuit devices and devices so processed
TW405158B (en) 1997-09-17 2000-09-11 Ebara Corp Plating apparatus for semiconductor wafer processing
US6293849B1 (en) * 1997-10-31 2001-09-25 Ebara Corporation Polishing solution supply system
US6332835B1 (en) * 1997-11-20 2001-12-25 Canon Kabushiki Kaisha Polishing apparatus with transfer arm for moving polished object without drying it
US6042455A (en) * 1997-12-11 2000-03-28 Ebara Corporation Polishing apparatus
JPH11179644A (ja) * 1997-12-16 1999-07-06 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワイヤソー
JP4156039B2 (ja) 1998-03-09 2008-09-24 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
JPH11347937A (ja) * 1998-06-05 1999-12-21 Speedfam-Ipec Co Ltd 研磨加工室の換気構造
JP4052736B2 (ja) * 1998-07-21 2008-02-27 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
US6354922B1 (en) * 1999-08-20 2002-03-12 Ebara Corporation Polishing apparatus
SG97860A1 (en) * 1999-03-05 2003-08-20 Ebara Corp Polishing apparatus
US6358128B1 (en) 1999-03-05 2002-03-19 Ebara Corporation Polishing apparatus
JP4248695B2 (ja) * 1999-07-26 2009-04-02 東京エレクトロン株式会社 ウェハ移載装置の緊急停止装置
US6413152B1 (en) 1999-12-22 2002-07-02 Philips Electronics North American Corporation Apparatus for performing chemical-mechanical planarization with improved process window, process flexibility and cost
US6743395B2 (en) 2000-03-22 2004-06-01 Ebara Corporation Composite metallic ultrafine particles and process for producing the same
JP2001326201A (ja) * 2000-05-16 2001-11-22 Ebara Corp ポリッシング装置
DE10025724B4 (de) * 2000-05-25 2006-05-24 Hegenscheidt-Mfd Gmbh & Co. Kg Verfahren und Maschine zum Bearbeiten von Eisenbahnrädern
US7172497B2 (en) * 2001-01-05 2007-02-06 Asm Nutool, Inc. Fabrication of semiconductor interconnect structures
US7204743B2 (en) * 2001-02-27 2007-04-17 Novellus Systems, Inc. Integrated circuit interconnect fabrication systems
TWI222154B (en) * 2001-02-27 2004-10-11 Asm Nutool Inc Integrated system for processing semiconductor wafers
US20040259348A1 (en) * 2001-02-27 2004-12-23 Basol Bulent M. Method of reducing post-CMP defectivity
US7201639B2 (en) * 2001-04-24 2007-04-10 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Powder for disks
JP2003027280A (ja) * 2001-07-18 2003-01-29 Ebara Corp めっき装置
JP2003133274A (ja) * 2001-10-22 2003-05-09 Ebara Corp 研磨装置
JP4197103B2 (ja) * 2002-04-15 2008-12-17 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
US6875076B2 (en) 2002-06-17 2005-04-05 Accretech Usa, Inc. Polishing machine and method
JP4464113B2 (ja) * 2003-11-27 2010-05-19 株式会社ディスコ ウエーハの加工装置
JP4772679B2 (ja) * 2004-02-25 2011-09-14 株式会社荏原製作所 研磨装置及び基板処理装置
KR100583730B1 (ko) * 2004-06-29 2006-05-26 삼성전자주식회사 기판 이송 시스템 및 상기 시스템의 프레임 내 압력을조절하는 방법
KR101165379B1 (ko) * 2004-07-15 2012-07-17 삼성전자주식회사 수신 성능이 향상된 지상파 디지털 방송 송수신 시스템 및그의 신호처리방법
US7393265B2 (en) * 2004-10-08 2008-07-01 Showa Denko K.K. Liquid honing machine and liquid honing method
JP4519667B2 (ja) * 2005-01-31 2010-08-04 シスメックス株式会社 検体ラック搬送装置
KR100695232B1 (ko) * 2005-11-21 2007-03-14 세메스 주식회사 기판을 세정하는 장치 및 방법
JP4654209B2 (ja) * 2007-02-27 2011-03-16 信越半導体株式会社 研磨装置
US7824243B2 (en) * 2007-06-20 2010-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical planarization methods
DE102007051726A1 (de) * 2007-10-25 2009-04-30 Hänel & Co. Lageranordnung mit vorgebbarer Lagerungsatmosphäre
JP2011516289A (ja) * 2008-04-09 2011-05-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド トラックを有する研磨システム
WO2009131945A2 (en) * 2008-04-25 2009-10-29 Applied Materials, Inc. High throughput chemical mechanical polishing system
CN101526744B (zh) * 2009-01-07 2011-06-29 上海微电子装备有限公司 掩模版定位存取机构
DE102009030292B4 (de) * 2009-06-24 2011-12-01 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe
DE102011082869B4 (de) * 2011-09-16 2013-11-14 Felsomat Gmbh & Co Kg Honmaschine mit öldichter Arbeitswanne
US20130115862A1 (en) * 2011-11-09 2013-05-09 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing platform architecture
KR20150075357A (ko) * 2013-12-25 2015-07-03 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 세정 장치 및 기판 처리 장치
KR101759877B1 (ko) * 2015-12-24 2017-07-20 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 연마챔버 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마시스템
JP6920849B2 (ja) * 2017-03-27 2021-08-18 株式会社荏原製作所 基板処理方法および装置
CN109352487B (zh) * 2018-10-30 2020-03-13 佛山市南海区广工大数控装备协同创新研究院 一种餐盘自动打磨系统
KR20200130545A (ko) 2019-05-08 2020-11-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
CN112466780A (zh) * 2020-10-29 2021-03-09 威科赛乐微电子股份有限公司 一种晶片清洗槽及晶片清洗方法
US20220143780A1 (en) * 2020-11-11 2022-05-12 Applied Materials, Inc. Substrate handling in a modular polishing system with single substrate cleaning chambers
US11699595B2 (en) * 2021-02-25 2023-07-11 Applied Materials, Inc. Imaging for monitoring thickness in a substrate cleaning system
US11929264B2 (en) 2021-03-03 2024-03-12 Applied Materials, Inc. Drying system with integrated substrate alignment stage
CN113245999B (zh) * 2021-04-28 2022-12-06 康姆罗拉有限公司 一种手动升降的功能陶瓷制备用抛光设备
KR20230012775A (ko) 2021-07-16 2023-01-26 삼성전자주식회사 챔버 커버를 갖는 기판 처리 장치
CN117103069B (zh) * 2023-09-07 2024-04-12 宁波固高智能科技有限公司 一种非标设备自动化生产线

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4050954A (en) * 1976-03-25 1977-09-27 International Business Machines Corporation Surface treatment of semiconductor substrates
DE3148957A1 (de) * 1981-12-10 1983-06-23 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen "verfahren zur rueckseitengetternden oberflaechenbehandlung von halbleiterscheiben"
JPS608189A (ja) * 1983-06-28 1985-01-17 Nippon Air Brake Co Ltd 舶用主機関制御方法
US4680893A (en) * 1985-09-23 1987-07-21 Motorola, Inc. Apparatus for polishing semiconductor wafers
US4653231A (en) * 1985-11-01 1987-03-31 Motorola, Inc. Polishing system with underwater Bernoulli pickup
WO1987003356A1 (en) * 1985-11-26 1987-06-04 Shimizu Construction Co., Ltd. Clean room
US4836733A (en) * 1986-04-28 1989-06-06 Varian Associates, Inc. Wafer transfer system
JPS63207559A (ja) * 1987-02-19 1988-08-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウエ−ハ自動研削装置
US5030057A (en) * 1987-11-06 1991-07-09 Tel Sagami Limited Semiconductor wafer transferring method and apparatus and boat for thermal treatment of a semiconductor wafer
JPH03291436A (ja) * 1990-04-05 1991-12-20 N M B Semiconductor:Kk 半導体製造工場のクリーンルーム
JPH05136218A (ja) * 1991-02-19 1993-06-01 Tokyo Electron Yamanashi Kk 検査装置
JP3225441B2 (ja) * 1991-04-23 2001-11-05 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JPH0615565A (ja) * 1991-12-18 1994-01-25 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハ自動ラッピング装置
JP3309416B2 (ja) * 1992-02-13 2002-07-29 松下電器産業株式会社 連結式クリーン空間装置
US5329732A (en) * 1992-06-15 1994-07-19 Speedfam Corporation Wafer polishing method and apparatus
JPH0677307A (ja) * 1992-08-24 1994-03-18 Tokyo Electron Tohoku Ltd 透明基板検出装置及び基板検出装置
JP3110218B2 (ja) * 1992-09-25 2000-11-20 三菱電機株式会社 半導体洗浄装置及び方法、ウエハカセット、専用グローブ並びにウエハ受け治具
JP3275390B2 (ja) * 1992-10-06 2002-04-15 神鋼電機株式会社 可搬式密閉コンテナ流通式の自動搬送システム
JP2548668B2 (ja) * 1993-02-26 1996-10-30 エヌティティエレクトロニクステクノロジー株式会社 半導体デバイス製造装置
KR100241292B1 (ko) * 1993-08-05 2000-02-01 다카시마 히로시 반도체 처리 시스템 및 그 실어옮김기구를 위한 위치맞춤방법 및 장치
US5885138A (en) * 1993-09-21 1999-03-23 Ebara Corporation Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device
JP3326642B2 (ja) * 1993-11-09 2002-09-24 ソニー株式会社 基板の研磨後処理方法およびこれに用いる研磨装置
US5679060A (en) * 1994-07-14 1997-10-21 Silicon Technology Corporation Wafer grinding machine
US5567927A (en) * 1994-07-25 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Apparatus for semiconductor wafer identification
DE19544328B4 (de) * 1994-11-29 2014-03-20 Ebara Corp. Poliervorrichtung
US5655954A (en) * 1994-11-29 1997-08-12 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Polishing apparatus
JP4156039B2 (ja) * 1998-03-09 2008-09-24 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6227954B1 (en) 1996-04-26 2001-05-08 Ebara Corporation Polishing apparatus
EP0803326A3 (de) * 1996-04-26 1998-04-15 Ebara Corporation Poliervorrichtung
EP0803326A2 (de) * 1996-04-26 1997-10-29 Ebara Corporation Poliervorrichtung
EP0806265A1 (de) * 1996-05-10 1997-11-12 Canon Kabushiki Kaisha Präzisionspoliervorrichtung
US5904611A (en) * 1996-05-10 1999-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Precision polishing apparatus
US6149500A (en) * 1996-05-10 2000-11-21 Canon Kabushiki Kaisha Precision polishing method using hermetically sealed chambers
DE19719503A1 (de) * 1997-05-07 1998-11-12 Wolters Peter Werkzeugmasch Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren einer Oberfläche eines Objektes, insbesondere eines Halbleiterwafers
US6050885A (en) * 1997-05-07 2000-04-18 Peter Wolters Werkzeugmaschinen Gmbh Device for the chemical-mechanical polishing of an object, in particular a semiconductor wafer
DE19719503C2 (de) * 1997-05-07 2002-05-02 Wolters Peter Werkzeugmasch Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren von Oberflächen von Halbleiterwafern und Verfahren zum Betrieb der Vorrichtung
EP0916452A2 (de) * 1997-11-12 1999-05-19 LAM Research Corporation Verfahren und Vorrichtung zum Polieren von Halbleiterscheiben
EP0916452A3 (de) * 1997-11-12 2001-01-31 LAM Research Corporation Verfahren und Vorrichtung zum Polieren von Halbleiterscheiben
US6336845B1 (en) 1997-11-12 2002-01-08 Lam Research Corporation Method and apparatus for polishing semiconductor wafers
US6416385B2 (en) 1997-11-12 2002-07-09 Lam Research Corporation Method and apparatus for polishing semiconductor wafers
US6517418B2 (en) 1997-11-12 2003-02-11 Lam Research Corporation Method of transporting a semiconductor wafer in a wafer polishing system
US6093091A (en) * 1997-12-16 2000-07-25 Peter Wolters Werkzeugmaschinen Gmbh Holder for flat subjects in particular semiconductor wafers
DE10062926A1 (de) * 2000-10-14 2002-05-02 Diskus Werke Schleiftechnik Gm Maschine zur einseitigen Oberflächenbearbeitung durch Schleifen, Polieren oder Läppen mindestens eines Werkstücks
US6709323B2 (en) 2000-12-14 2004-03-23 Peter Wolters Cmp-Systeme Gmbh & Co. Kt Holder for flat workpieces, particularly semiconductor wafers
US6767276B2 (en) 2000-12-14 2004-07-27 Peter-Wolters Cmp-Systeme Gmbh & Co. Kg Holder for flat workpieces, particularly semiconductor wafers
DE10062496B4 (de) * 2000-12-14 2005-03-17 Peter Wolters Cmp - Systeme Gmbh & Co. Kg Halter für flache Werkstücke, insbesondere Halbleiterwafer
CN104044057A (zh) * 2004-11-01 2014-09-17 株式会社荏原制作所 抛光设备

Also Published As

Publication number Publication date
US7198552B2 (en) 2007-04-03
US6500051B1 (en) 2002-12-31
TW308713B (de) 1997-06-21
US20060084369A1 (en) 2006-04-20
KR960019563A (ko) 1996-06-17
US5679059A (en) 1997-10-21
US6997782B2 (en) 2006-02-14
US20030040261A1 (en) 2003-02-27
KR100452734B1 (ko) 2004-12-30
KR100495980B1 (ko) 2005-06-16
DE19544328B4 (de) 2014-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19544328A1 (de) Poliervorrichtung
DE3637880C2 (de) Transportierbares Behältnis zur Handhabung von Halbleiterelementen während ihrer Herstellung sowie Verfahren zur partikelfreien Übergabe von Produkten
DE60131539T2 (de) Anordnung zum lagern und entladen von objekten
DE3909669C2 (de)
DE69830374T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Polieren von Halbleiterscheiben
DE69735514T2 (de) Vorrichtung zur Behandlung von Halbleiterscheiben
DE69208937T2 (de) Halbleiter-Herstellungseinrichtung
US6036582A (en) Polishing apparatus
DE69832011T2 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Waschen eines Substrats
DE10164192B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung von Substraten
DE2931308A1 (de) Oberflaechenbehandlungs-einrichtung
DE19910478C2 (de) Substrattransportverfahren und Substratbearbeitungssystem
DE4345407A1 (de) Vorrichtung zum Polieren von Wafern
DE102007002318B4 (de) Reinigungs- und Oberflächenbehandlungseinrichtung
DE19914347C2 (de) Waschvorrichtung und Waschverfahren
DE19540963C2 (de) Transportbehälter für scheibenförmige Objekte
DE102006028057A1 (de) Vorrichtung zum Lagern von kontaminationsempfindlichen, plattenförmigen Gegenständen, insbesondere zum Lagern von Halbleiterwafern
DE602004006482T2 (de) Rundschleifmaschine
DE19781822B4 (de) Reinigungsstation zur Verwendung bei einem System zum Reinigen, Spülen und Trocknen von Halbleiterscheiben
DE19932735A1 (de) Mikroelektronik-Fabrikationssystem sowie Verfahren und Vorrichtung zu dessen Reinigung
DE102020202002A1 (de) Schlammtrocknungsvorrichtung
DE10020523A1 (de) Bearbeitungseinrichtung und Bearbeitungsverfahren
EP0340345B1 (de) Vorrichtung zum Ein- und Ausschleusen von Substraten aus einem Vakuumkessel
DE3317574A1 (de) Werkstueck-sammel- und transportvorrichtung
DE19925655A1 (de) Reinigungseinrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R020 Patent grant now final

Effective date: 20141223

R071 Expiry of right