DE69208937T2 - Halbleiter-Herstellungseinrichtung - Google Patents

Halbleiter-Herstellungseinrichtung

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiter-Herstellvorrichtung wie ein Ätzgerät.
  • Allgemein wird bei Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung ein zu verarbeitendes Objekt, wie ein Halbleiterwafer oder dergleichen, in eine Vakuumbehandlungskammer einer Halbleiter-Herstellvorrichtung eingeführt und viele Prozesse werden in einer Umgebung mit verringertem Druck durchgeführt.
  • Halbleiter-Herstellvorrichtungen, welche Prozesse an einem zu bearbeitenden Objekt unter Bedingungen mit verringertem Druck implementieren, führen jedes Mal den Druck in der Vakuumbehandlungskammer auf den Umgebungsdruck zurück und verringern ihn wieder, wenn ein Halbleiterwafer oder das zu bearbeitende Objekt in die Vakuumbehandlungskammer hinein- und aus ihr herausgeführt wird, und dies führt zu einer Verringerung des Durchsatzes (die Menge an Arbeit, die in einer Einheitszeit erledigt wird). Daher gibt es viele Fälle, in denen eine zusätzlich Vakuumkammer vorhanden ist, die Schleusenkammer genannt wird und deren inneres Volumen geringer als dasjenige der Vakuumbehandlungskammer ist.
  • Genauer sind, wie in Fig. 6 gezeigt ist, bei einer herkömmlichen Halbleiter-Herstellvorrichtung (wie einer Ätzvorrichtung oder dergleichen), in der die Bearbeitung eines zu bearbeitenden Objekts in einer Umgebung mit verringertem Druck ausgeführt wird, zwei Schleusenkammern 3a, 3b vorgesehen, die an eine Vakuumbehandlungskammer 2 angrenzen und Halbleiterwafer oder andere Objekte einer Bearbeitung 4 werden in die Vakuumbehandlungskammer 2 mit einem Förderarm 5a geführt und nach der Bearbeitung werden die Halbleiterwafer oder andere Objekte einer Bearbeitung 4 über die andere Schleusenkammer 3b mit dem Förderarm 5b herausgenommen. Dieses Vorgehen verbessert den Durchsatz der gesamten Halbleiter-Herstellvorrichtung, da die Halbleiterwafer oder andere Objekte einer Bearbeitung 4 in die Bearbeitungskammer 2 heineingeführt oder aus ihr herausgeführt werden können, ohne daß das Innere der Vakuumbehandlungskammer 2 auf Normaldruck zurückgeführt werden muß.
  • Weiterhin hat bei dem Prozeß zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen Staub, der bei den Prozessen erzeugt wird, einen schädlichen Einfluß auf die Bildung von feinen Mustern und dergleichen und daher wird die Herstellvorrichtung in einem Reinraum installiert, bei dem immer eine Abwärtsströmung von gereinigter Luft vorhanden ist, die von der Decke zu dem Boden strömt.
  • In den letzten Jahren gab es jedoch bei Halbleitervorrichtungen die rasche Tendenz, ein höheres Maß an Integration und Feinheit zu fordern, und daher wuchs die Zahl der erforderlichen Halbleiter-Herstellvorrichtungen, da es eine größere Anzahl von Prozessen gibt. Weiterhin wächst die Fläche des Reinraums, in dem diese Halbleiter-Herstellvorrichtungen installiert werden müssen, die Anlagekosten wachsen und es gibt das Problem der Erhöhung der Herstellungskosten.
  • Angesichts der mit den herkömmlichen Halbleiter-Herstellvorrichtungen zusammenhängenden Probleme hat die vorliegende Erfindung das Bereitstellen einer Halbleiter-Herstellvorrichtung als Aufgabe, welche diese Probleme lösen kann, welche die Gerätekosten gegenüber den herkömmlichen Geräten verringern kann, welche weniger Installationsraum beansprucht und im Ergebnis geringere Produktionskosten fördert.
  • Genauer ist die Halbleiter-Herstellvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung mit einer Vakuumbehandlungskammer zur Implementierung einer erforderlichen Bearbeitung eines Bearbeitungsobjekts in einer Umgebung mit verringertem Druck und einer lastverriegelbaren Vakuumkammer (Vakuum-Schleusenkammer) ausgestattet, die der Vakuumbehandlungskammer benachbart angeordnet ist und mit einem Förderarm zum Fördern von Bearbeitungsobjekten darin und einem Trägermechanismus zum Tragen der Bearbeitungsobjekte wie in Anspruch 1 definiert versehen ist.
  • Eine Herstellvorrichtung nach dem Stand der Technik mit einer einzelnen Schleusenkammer ist in US-A-4 816 638 gezeigt.
  • Dementsprechend ist es möglich, die Gerätekosten gegenüber einer herkömmlichen Vorrichtung zu verringern, den Raum für die Installation zu verringern und eine Verringerung der Herstellungskosten aufgrund der Verringerung der Installationskosten herbeizuführen.
  • Fig. 1 ist eine teilweise weggebrochene Ansicht, welche die Gesamtkonfiguration einer Halbleiter-Herstellvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform zeigt, die außerhalb des Bereichs der vorliegenden Erfindung liegt,
  • Fig. 2 ist ein Längsschnitt einer zusätzlichen Vakuumkammer einer Halbleiter-Herstellvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • Fig. 3 ist eine seitliche Schnittansicht der zusätzlichen Vakuumkammer, die in Fig. 2 gezeigt ist,
  • Fig. 4 ist eine Draufsicht eines Förderarms einer Halbleiter-Herstellvorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform, die außerhalb des Bereichs der vorliegenden Erfindung liegt,
  • Fig. 5 ist ein Aufriß des in Fig. 4 gezeigten Förderarms und
  • Fig. 6 ist ein Längsschnitt einer herkömmlichen Halbleiter- Herstellvorrichtung.
  • Das Folgende ist eine detaillierte Beschreibung einer Ausführungsform außerhalb des Bereichs der vorliegenden Erfindung, angewendet auf eine Ätzvorrichtung zur Implementierung von Ätzvorgängen bei einem Halbleiterwafer, mit Bezug auf die beige fügten Zeichnungen.
  • Wie in Fig. 1 gezeigt ist, ist eine Ätzvorrichtung 1 mit einer Vakuumbehandlungskammer (Behandlungskammer) 2 versehen, in der eine Ätzbehandlung von Halbleiterwafern 4 in einer Umgebung mit verringertem Druck implementiert ist. Dieser Vakuumbehandlungskammer 2 auf einer Seite benachbart ist eine einzelne zusätzliche Vakuumbehandlungskammer (Schleusenkammer) 3 vorgesehen. Innerhalb dieser Schleusenkammer 3 ist ein Wafertragemechanismus 6 vorgesehen, der so konfiguriert ist, daß er zwei Halbleiterwafer 4 auf oberen und unteren Trageflächen trägt. Dieser Wafertragemechanismus 6 ist so konfiguriert, daß er durch einen Antriebsmechanismus (nicht dargestellt) nach oben und unten bewegt werden kann. Ein Förderarm 5 ist ebenfalls in der zusätzlichen Vakuumbehandlungskammer 3 vorgesehen, um das Behandlungsobjekt darin zu bewegen.
  • Weiterhin ist die Schleusenkammer 3 mit einer Ein- und Ausführöffnung 7 versehen, die mit einem Absperrschieber (vgl. Fig. 2) versehen ist, und die Außenseite dieser Ein- und Ausführöffnung 7 ist mit einer Kassettenladeplattform 8 versehen. Diese Kassettenladeplattform 8 ist für eine oder mehrere (in dem in der Figur gezeigten Fall zwei) Waferkassetten 9 ausgelegt, welche (ungefähr 25) Halbleiterwafer 4 aufnehmen. Wie durch den Pfeil in der Figur angedeutet, sind die Waferkassetten 9 so ausgelegt, daß sie sich, durch eine Kugelumlaufspindel 12 angetrieben, nach oben und unten bewegen können und daß sie sich nach links und rechts mit Hilfe einer Gleitplattform 8a bewegen können, die von einer weiteren Spindel 12a angetrieben wird.
  • Weiterhin ist zwischen der Vakuumbehandlungskammer 2 und der Schleusenkammer 3 eine Ein- und Ausführöffnung 10 der zusätzlichen Vakuumkammer vorgesehen, die mit einem Absperrschieber 10a (vgl. Fig. 2) versehen ist. Weiterhin ist eine Vakuumpumpe 35 mit der Schleusenkammer 3 über ein Abzugsrohr 33 und ein Absperrventil 33a derart verbunden, daß die Atmosphäre im Inneren der Schleusenkammer 3 bis zu einem erforderlichen Grad eines Vakuums abgezogen werden kann. Weiterhin ist eine N&sub2;-Gasquelle 34, welche die Schleusenkammer 3 mit N&sub2;-Gas reinigt und sie in einem sauerstofffreien Zustand hält, mit der Schleusenkammer 3 über das Absperrventil 32a und das Zuführrohr 32 verbunden. Eine Vakuumquelle und eine N&sub2;-Gasquelle sind ebenfalls in derselben Weise mit der Vakuumbehandlungskammer 2 verbunden.
  • Das Folgende ist eine Beschreibung der Arbeitsweise der Ätzvorrichtung 1 gemäß dieser Ausführungsform, welche die oben beschriebene Konfiguration aufweist.
  • Zuerst wird die Kassettenladeplattform 8 nach oben und unten und links und rechts bewegt und die Waferkassette 9 wird an der Ein- und Ausführöffnung 7 positioniert und wenn die Ein- und Ausführöffnung 10 der zusätzlichen Vakuumkammer geschlossen ist, wird die Ein- und Ausführöffnung 7 geöffnet und der Förderarm 5 verschwenkt sich um seinen Angelpunkt und nimmt die Halbleiterwafer 4 einzeln aus der Waferkassette 9, die auf der Kassettenladeplattform 8 bereitgestellt ist, und fördert sie in die Schleusenkammer 3. Dann fährt der Arm 50 des Förderarms 5 aus und setzt den Halbleiterwafer 4 auf den unteren Wafertragemechanismus 6. Dann, wenn der Wafertragemechanismus 6 sich nach oben bewegt, wenn dieses Stadium vorliegt, wird der Halbleiterwafer 4 zu dem Wafertragemechanismus 6 überführt und von diesem empfangen. Bei diesem Vorgang nimmt das Ausfahren und Zurückziehen des Arms 50 ungefähr 2 oder 3 Sekunden in Anspruch. Weiterhin kann bei diesem Vorgang Staub erzeugt werden, wenn der Halbleiterwafer 4 sich auf dem Förderarm 5 bewegt und daher ist eine solche Bewegung extrem begrenzt.
  • Danach wird die Ein- und Ausführöffnung 7 der Schleusenkammer 3 geschlossen und die Vakuumpumpe 35 führt die Luft in der Schleusenkammer 3 ab (um ein Vakuum zu erzeugen) und wenn ein erforderlicher Grad des Vakuums in der Schleusenkammer 3 erreicht worden ist, wird N&sub2;-Gas eingeleitet und eine Reinigung wird vorgenommen und die Ein- und Ausführöffnung 10 der zusätzlichen Vakuumkammer wird geöffnet. Bei diesem Vorgang nimmt das Erzeugen des Vakuums normalerweise 30 bis 40 Sekunden in Anspruch und das Reinigen durch das N&sub2;-Gas nimmt üblicherweise ungefähr 30 bis 40 Sekunden in Anspruch. Dann wird der Förderarm 5 verwendet, um diejenigen Halbleiterwafer 4, welche bearbeitet worden sind, aus dem Inneren der Vakuumbehandlungskammer 2 zu entnehmen und sie zu der Oberseite des Wafertragemechanismus 6 in der Schleusenkammer 3 zu überführen, der leer ist.
  • Danach fördert der Förderarm 5 den nicht behandelten Halbleiterwafer 4, der auf dem Wafertragemechanismus 6 abgestützt ist, und setzt den nichtbehandelten Halbleiterwafer 4 in den Behandlungsabschnitt innerhalb der Vakuumbehandlungskammer 2.
  • Danach schließt sich die Ein- und Ausführöffnung der zusätzlichen Vakuumkammer 10, das Innere der Schleusenkammer 3 wird auf Normaldruck zurückgeführt und die Ein- und Ausführöffnung 7 wird geöffnet. Dann trägt der Förderarm 5 den behandelten Halbleiterwafer 4, der auf dem Wafertragemechanismus 6 abgestützt ist, aus der Schleusenkammer 3 heraus und legt den Halbleiterwafer 4 in die Waferkassette 9 zurück, die auf der Kassettenladeplattform 8 bereitgestellt ist. Während dies geschieht, findet eine Ätzbehandlung des Halbleiterwafers 4 statt, der hineingetragen worden ist.
  • Dann wird, wenn ein nichtbehandelter Halbleiterwafer 4 in der Waferkassette 9 vorhanden ist, der nächste Halbleiterwafer 4 in den Behandlungsabschnitt der Vakuumbehandlungskammer 2 in derselben Weise wie vorangehend beschrieben geladen und eine Ätzbehandlung wird durchgeführt.
  • Auf diese Weise gibt es bei der Ätzvorrichtung 1 gemäß dieser Ausführungsform nur eine Schleusenkammer 3, die für die Vakuumbehandlungskammer 2 vorgesehen ist. Daher ist es möglich, die Gerätekosten stark zu verringern und eine Verringerung des Raums für die Installation zu erreichen, wenn man dies mit einer herkömmlichen Ätzvorrichtung vergleicht, welche mit zwei zusätzlichen Vakuumkammern, nämlich einer zusätzlichen Einführ-Vakuumkammer und einer zusätzlichen Ausführ-Vakuumkammer, versehen ist.
  • Weiterhin ist es durch das vorübergehende Ablegen des Halbleiterwafers 4 auf dem Wafertragemechanismus 6, der innerhalb der Schleusenkammer 3 vorgesehen ist, möglich, das Hinein- und Hinaus tragen anderer Halbleiterwafer 4 effizient zu implementieren. Daher ist es gemäß dieser Ausführungsform möglich, die eine zusätzliche Vakuumkammer zu verwenden, um im wesentlichen denselben Durchsatz wie bei einer herkömmlichen Halbleiter- Herstellvorrichtung zu gewährleisten, welche mit zwei zusätzlichen Vakuumkammern versehen ist, einer zusätzlichen Vakuumkammer zum Hineintragen und einer zusätzlichen Vakuumkammer zum Hinaustragen.
  • Weiterhin ist es nicht möglich, den Halbleiterwafer zeitweilig abzulegen, wenn, wie im Fall einer herkömmlichen Vorrichtung, kein Wafertragemechanismus 6 innerhalb der Schleusenkammer 3 vorhanden ist, und daher ist es nicht möglich, den Vorgang des Hineintragens des nächsten Halbleiterwafers 4 zu implementieren, bis der behandelte Halbleiterwafer 4 herausgenommen worden ist, und dies verursacht daher einen Abfall des Durchsatzes.
  • Dementsprechend ist es gemäß dieser Ausführungsform gegenüber einer herkömmlichen Vorrichtung möglich, die Gerätekosten zu reduzieren, den Raum für die Installation zu reduzieren und daher die Herstellungskosten aufgrund der Verringerung der Installationskosten zu verringern.
  • Das Folgende ist eine Beschreibung einer Ausführungsform der Halbleiter-Herstellvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf Fig. 2 und 3. Bei dieser Ausführungsform sind zwei Wafertragemechanismen 6a an dem Deckenabschnitt 3a der Schleusenkammer 3 aufgehängt vorgesehen. Diese Wafertragemechanismen 6a sind so gestaltet, daß sie nach oben und unten mit Hilfe eines Mechanismus für eine Hin- und Herbewegung beweglich sind, wie einem hydraulischen Zylinder 13 oder dergleichen, der an der Decke 3a vorgesehen ist, wobei die Stangen 13a dieser Zylinder 13 durch Bälge 14 geschützt sind. Wie durch den Pfeil in der Figur gezeigt, ist die Konfiguration derart, daß ein Randabschnitt des Halbleiterwafers 4 von mehreren Fingern 20 gehalten wird, welche so gestaltet sind, daß sie durch eine Stange 15a eines hydraulischen Zylinders 15 gedreht werden können. Wenn der Halbleiterwafer 4 durch den Förderarm 5 zu dem unteren Wafertragemechanismus 6a gefördert und auf diesem positioniert wird, empfängt der Wafertragemechanismus 6a dann den Förderarm 5 von dem Halbleiterwafer 4 über die Finger 20, welche sich drehen, um den Randabschnitt des Halbleiterwafers 4 zu halten und dann leicht ansteigen. Andererseits ist die Konfiguration derart, daß die umgekehrte Drehung der Finger 20 diesen Haltezustand aufhebt und den Halbleiterwafer 4 an den Förderarm 5 weitergibt.
  • Wenn eine derart gestaltete Schleusenkammer 3 verwendet wird, ist es möglich, denselben Effekt zu erreichen, den man mit der oben beschriebenen ersten Ausführungsform ereicht, um die Schleusenkammer 3 kompakter auszubilden und um die Zeit zu verringern, die erforderlich ist, um das Innere der Schleusenkammer 3 zu entleeren (und ein Vakuum darin zu erzeugen).
  • Weiterhin wurde bei der oben beschriebenen ersten Ausführungsform eine Beschreibung für den Fall gegeben, daß die Wafertragemechanismen 6, 6a in der Schleusenkammer 3 vorhanden sind. Wie in Fig. 4 und Fig. 5 gezeigt, ist es jedoch möglich, einen Förderarm 5a zu verwenden, der so konfiguriert ist, daß er zwei Halbleiterwafer 4 abstützt.
  • Genauer wird bei dieser weiteren Ausführungsform, welche außerhalb des Bereichs der vorliegenden Erfindung liegt, der Förderarm 5a so gestaltet, daß er um das Zentrum einer Welle 30 drehbar ist, und er ist mit Wafertrageabschnitten 31 an jedem seiner Enden versehen, welche so gestaltet sind, daß es möglich ist, zwei Halbleiterwafer 4 zu tragen. Die Konfiguration ist derart, daß die Drehung des Wafertrageabschnitts 31 um das Zentrum der Welle 30 es ermöglicht, daß der Ladevorgang des nicht behandelten Halbleiterwafers 4 zum Beispiel nach dem Vorgang des Herausnehmens des behandelten Halbleiterwafers 4 durchgeführt wird. Wenn ein solcher Förderarm 5a verwendet wird, ist es möglich, ohne den Einsatz des Wafertragemechanismus 6, 6a wie im Fall der vorangehend beschriebenen Ausführungsformen zu verhindern, daß der Durchsatz sich verringert. Weiterhin ist es möglich, gleichzeitig zwei Halbleiterwafer 4 zu tragen, wenn die Förderarme 5 und dergleichen, die vorangehend beschrieben wurden, paarweise in der zusätzlichen Vakuumkammer derart vorgesehen sind, daß sie einander oben und unten überlappen.
  • Die vorliegende Erfindung ist hinsichtlich ihrer Anwendung nicht auf eine Ätzvorrichtung beschränkt, sondern kann auf alle Arten von Halbleiter-Herstellvorrichtungen vom Blatt-Typ angewendet werden, welche eine Behandlung unter Bedienungen mit verringertem Luftdruck durchführen.
  • Wie dies vorangehend beschrieben wurde, ist es gemäß der Halbleiter-Herstellvorrichtung der vorliegenden Erfindung möglich, gegenüber einer herkömmlichen Vorrichtung die Gerätekosten zu verringern, den Raum für die Installation zu verringern und damit die Herstellungskosten aufgrund der Verringerung der Installationskosten zu verringern.

Claims (3)

1. Halbleiter-Herstellvorrichtung umfassend eine Vakuumbehandlungskammer (2), die eine erforderliche Behandlung eines Objektes (4) in einer Behandlungsatmosphäre bei Unterdruck ermöglicht, und eine lastverriegelbare Vakuum-Prozeßkammer (3), die benachbart der Vakuumbehandlungskammer (2) angeordnet ist und einen Stützmechanismus (6; 6a) sowie einen Förderarm (5) aufweist, wobei der Stützmechanismus (6) an einem Deckenabschnitt (3a) der Vakuumprozeßkammer (3) aufgehängt und so gestaltet ist, daß ein Paar drehbare Finger (20) einen Eckenabschnitt des Objektes (4) hält und daß der Förderarm (5) das Objekt (4) zwischen der Vakuumprozeßkammer (3) und der Vakuumbehandlungskammer (2) transportiert.
2. Halbleiter-Herstellvorrichtung nach Anspruch 1, bei der der Stützmechanismus (6a) mittels des Mechanismus (13, 13a, 14) zum Erzeugen einer hin- und hergehenden Bewegung auf- und abbewegbar ist.
3. Halbleiterherstellvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, bei der das Objekt (4) eine Halbleiterscheibe ist.
DE69208937T 1991-05-29 1992-05-29 Halbleiter-Herstellungseinrichtung Expired - Fee Related DE69208937T2 (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006024418A1 (de) * 2006-05-25 2007-11-29 Plasma Systems Gmbh Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Halbleitersubstraten aus Silizium

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5636960A (en) * 1992-07-29 1997-06-10 Tokyo Electron Limited Apparatus for detecting and aligning a substrate
DE4408947C2 (de) * 1994-03-16 1997-03-13 Balzers Hochvakuum Vakuumbehandlungsanlage
US6672819B1 (en) * 1995-07-19 2004-01-06 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same
KR100244041B1 (ko) * 1995-08-05 2000-02-01 엔도 마코토 기판처리장치
CH691376A5 (de) * 1995-10-17 2001-07-13 Unaxis Balzers Ag Vakuumanlage zur Oberflächenbearbeitung von Werkstücken.
US5984607A (en) * 1995-11-06 1999-11-16 Tokyo Electron Limited Transfer apparatus, transfer method, treatment apparatus and treatment method
US5830272A (en) * 1995-11-07 1998-11-03 Sputtered Films, Inc. System for and method of providing a controlled deposition on wafers
JPH10329059A (ja) * 1997-05-30 1998-12-15 Daihen Corp ２アーム方式の搬送用ロボット装置
JP3722598B2 (ja) * 1997-07-16 2005-11-30 株式会社ダイヘン ２アーム方式の搬送用ロボット装置
JP3806812B2 (ja) * 1997-07-16 2006-08-09 株式会社ダイヘン ２アーム方式の搬送用ロボット装置
JPH1138909A (ja) * 1997-07-18 1999-02-12 Toa Resin Kk 看 板
US6722834B1 (en) * 1997-10-08 2004-04-20 Applied Materials, Inc. Robot blade with dual offset wafer supports
JPH11188671A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Daihen Corp ２アーム方式の搬送用ロボット装置
JPH11188670A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Daihen Corp ２アーム方式の搬送用ロボット装置
US6132165A (en) * 1998-02-23 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Single drive, dual plane robot
JPH11333778A (ja) 1998-05-29 1999-12-07 Daihen Corp 搬送用ロボット装置
JP3863671B2 (ja) 1998-07-25 2006-12-27 株式会社ダイヘン 搬送用ロボット装置
WO2000042650A1 (en) * 1999-01-12 2000-07-20 Tokyo Electron Limited Vacuum treatment device
JP2000306978A (ja) * 1999-02-15 2000-11-02 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置、基板搬送装置、および基板処理方法
US6395648B1 (en) 2000-02-25 2002-05-28 Wafermasters, Inc. Wafer processing system
US6585478B1 (en) 2000-11-07 2003-07-01 Asm America, Inc. Semiconductor handling robot with improved paddle-type end effector
JP4244555B2 (ja) * 2002-02-25 2009-03-25 東京エレクトロン株式会社 被処理体の支持機構
US8403613B2 (en) * 2003-11-10 2013-03-26 Brooks Automation, Inc. Bypass thermal adjuster for vacuum semiconductor processing
US10086511B2 (en) 2003-11-10 2018-10-02 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing systems
US20070269297A1 (en) 2003-11-10 2007-11-22 Meulen Peter V D Semiconductor wafer handling and transport
US7665951B2 (en) * 2006-06-02 2010-02-23 Applied Materials, Inc. Multiple slot load lock chamber and method of operation
US20080206020A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Smith John M Flat-panel display processing tool with storage bays and multi-axis robot arms
US8303231B2 (en) * 2007-09-28 2012-11-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Apparatus and method for semiconductor wafer transfer
US20100147396A1 (en) * 2008-12-15 2010-06-17 Asm Japan K.K. Multiple-Substrate Transfer Apparatus and Multiple-Substrate Processing Apparatus
JP2014150109A (ja) * 2013-01-31 2014-08-21 Disco Abrasive Syst Ltd 減圧処理装置
CN105023865B (zh) * 2015-07-16 2017-10-10 北京工业大学 一种磨削晶圆表面腐蚀装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4584045A (en) * 1984-02-21 1986-04-22 Plasma-Therm, Inc. Apparatus for conveying a semiconductor wafer
US4891087A (en) * 1984-10-22 1990-01-02 Texas Instruments Incorporated Isolation substrate ring for plasma reactor
JPS61106768A (ja) * 1984-10-31 1986-05-24 Anelva Corp 基体処理装置
JPS63204726A (ja) * 1987-02-20 1988-08-24 Anelva Corp 真空処理装置
US4785962A (en) * 1987-04-20 1988-11-22 Applied Materials, Inc. Vacuum chamber slit valve
US5019233A (en) * 1988-10-31 1991-05-28 Eaton Corporation Sputtering system
US5186594A (en) * 1990-04-19 1993-02-16 Applied Materials, Inc. Dual cassette load lock
JP2528026B2 (ja) * 1990-07-04 1996-08-28 三菱電機株式会社 配線パタ―ンの形成方法およびその装置
US5246528A (en) * 1991-05-31 1993-09-21 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Automatic wafer etching method and apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006024418A1 (de) * 2006-05-25 2007-11-29 Plasma Systems Gmbh Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Halbleitersubstraten aus Silizium

Also Published As

Publication number Publication date
US5439547A (en) 1995-08-08
EP0516136B1 (de) 1996-03-13
KR920022415A (ko) 1992-12-19
KR0162102B1 (ko) 1999-02-01
EP0516136A2 (de) 1992-12-02
EP0516136A3 (en) 1993-01-20
DE69208937D1 (de) 1996-04-18

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